CN100476591C

CN100476591C - 干涉图形化

Info

Publication number: CN100476591C
Application number: CNB2004800396978A
Authority: CN
Inventors: 加里·艾伦
Original assignee: Intel Corp
Current assignee: Intel Corp
Priority date: 2003-11-03
Filing date: 2004-10-27
Publication date: 2009-04-08
Anticipated expiration: 2024-10-27
Also published as: DE112004002073B4; DE112004002073T5; KR100930220B1; US7228034B2; KR20080100274A; KR100877523B1; US20050094152A1; TWI293405B; CN1902552A; WO2005045528A2; TW200525306A; WO2005045528A3; KR20060082875A

Abstract

衬底的干涉图形化。可以产生包括干涉条纹的干涉图形来照射衬底，衬底上被所述干涉图形实际照射的区域可以被限制，被照射区域可以沿和所述干涉条纹相交的方向横过所述衬底来位移，并且无论所述被照射区域的位移如何，可以维持所述干涉图形相对于所述衬底的基本恒定的位置。

Description

干涉图形化

背景技术

本公开涉及衬底的干涉图形化。

当两个或更多个波列(例如电磁辐射)相长地和/或相消地相加形成交替的强度增强和强度降低的区域时，产生干涉图形。可以使用干涉光刻在衬底上以接近所述波列的二分之一波长的节距来印刷特征。

附图说明

图1示出了干涉图形扫描光刻系统的一种实现。

图2示出了供在干涉图形扫描光刻系统中使用的空间滤波器。

图3示出了图2的空间滤波器的剖视图。

图4示出了在衬底的干涉光刻图形化中的一个阶段。

图5到7示出了在图4的衬底干涉光刻图形化中的后续阶段。

图8示出了干涉图形扫描光刻系统的另一种实现。

图9到10示出了在衬底的干涉光刻图形化中的阶段。

图11示出了干涉图形扫描光刻系统的另一种实现。

图12示出了在衬底的干涉光刻图形化中的一个阶段。

图中相同的参考符号指示相同的元件。

具体实施方式

图1示出了干涉图形扫描光刻系统100。系统100包括环境外壳105、准直的电磁辐射源110、干涉光学装置115、空间滤波器120、衬底工作台(substrate stage)125、工作台控制系统130，以及对准控制135。

可将外壳105用于在衬底上印刷特征。外壳105能够提供环境稳定性和针对空气传播的粒子和其他印刷缺陷来源的保护。外壳105可以是洁净室或要被放置在洁净室内部的专用环境系统。源110、干涉光学装置115、空间滤波器120、晶片工作台125、工作台控制系统130以及对准控制135的全部或一个子集可以被外壳105所包围。例如，对准控制135可以在外壳105外部，而源110、干涉光学装置115、空间滤波器120、衬底工作台125、工作台控制系统130则可以被外壳105包围。

准直的电磁辐射源110可以是激光器、弧光灯、同步加速器，或者其他单独地或与光学元件协同地产生准直的电磁辐射的设备。

干涉光学装置115使用两个或更多个干涉电磁波列提供衬底的干涉图形化。所述波列能够在期望部位(location)干涉形成干涉图形。干涉图形可以包括一个或更多个干涉条纹。这些干涉条纹可以具有基本相同的取向(例如在期望部位的平行条纹组)，或者条纹可以具有不同的取向(例如在期望部位的垂直条纹组)。

所述波列能够沿光路138离开干涉光学装置115。可以使用来自源110的电磁发射产生所述波列。例如，干涉光学装置115可以包括分束器和两个相对的反射器。分束器可以将从源110发射的束分为一对束，所述这一对束随后在从反射器发射之后干涉，从而在衬底上产生线(line)和间隙(space)的干涉图形。

干涉光学装置115包括位置传感器140和光学装置位置控制器(positioner)145。位置传感器140能够传感干涉光学装置115中的光学元件的位置(position)。位置传感器140也能够检测干涉光学装置115形成的干涉图形，以及被所述干涉图形照射的衬底的位置(例如使用晶片对准标记)。光学装置位置控制器145使干涉光学装置115中的光学元件可以运动，以便部分地基于传感器140所传感的位置来改变衬底的照射。照射上的这种改变的一个实施例是光路138沿方向D的移动，这将在下面进一步讨论。照射上的这种改变的另一个实施例是也在下面被进一步讨论的由一个或更多个波列的相移导致的干涉图形的改变。光学装置位置控制器145可以是电动机或其他位移设备，例如包括压电元件的设备。

空间滤波器120在空间上限定了被来自干涉光学装置115的波列照射区域。图2和图3更为详细地示出了空间滤波器120。滤波器120包括第一部分205和第二部分210。部分205、210被一对桥215、220联结。部分205、210和桥215、220能够削减从干涉光学装置115发射的电磁辐射的传输。部分205、210和桥215、220一起限定了内孔阑225。空间滤波器120能够通过孔阑225传输照射，并阻碍或阻挡同一照射通过部分205、210和桥215、220的传输，以便在空间上限定被照射区域。

内孔阑225可以具有宽度w和长度L。对于所示的相对于干涉波列的取向，宽度w通常小于长度L。例如，宽度w可以允许一定数量的干涉条纹(例如在10和50000个干涉条纹之间)照射下面的衬底。可以选择长度L，以便照射衬底的所述宽度的某个部分。相对较大的长度L允许同时印刷衬底的较大部分，提高了吞吐量。例如，可以选择长度L以使晶片(例如，300毫米晶片)的整个宽度被照射。因此可以选择尺寸L和w，以便通过孔阑225提供衬底相对较大的均匀照射区域。

图1示出了包括卡盘150的衬底工作台125。卡盘150可工作来固定衬底供光刻处理。卡盘150可以是真空卡盘，所述真空卡盘使用真空来固定衬底。工作台125以及卡盘150可通过工作台控制系统130来移动，以便将被固定衬底的适当部分呈现给干涉条纹的适当部分。例如，工作台125沿方向D可移动，如下面进一步讨论的那样。

工作台控制系统130包括位置传感器155和工作台位置控制器160。位置传感器155可以传感工作台125的位置。位置传感器155可以包括许多传感元件中的任何一种，包括干涉换能器、线性可变差分换能器、压电换能器，以及电阻换能器。工作台位置控制器160使工作台125可以运动，以便改变被固定的衬底相对于空间滤波器120的位置。工作台位置控制器160可以是电动机或其他位移设备。

对准控制135是用于调节工作台125和干涉光学装置115中的光学元件的运动和位置的控制系统。对准控制135从传感器140、155接收有关干涉光学装置115中的光学元件的位置、工作台125的位置以及固定在工作台125上的衬底的位置的信息。反过来，对准控制135基于接收到的位置信息，给位置控制器145、160提供控制信号。对准控制135可以是闭环控制系统。

在工作中，无论干涉图形化系统中的任何位移，对准控制135保证将被固定的衬底维持在相对于干涉图形基本恒定的位置。图4到7示出了对准控制135利用线和间隙的干涉图形提供的定位的示例性实现。

特别地，图4示出了衬底400的干涉光刻图形化中的第一阶段。衬底400可以是正被处理以形成至少一个集成电路器件的晶片，所述集成电路器件例如微处理器、芯片组器件或存储器器件。衬底400可以包括由硅、砷化镓或磷化铟制成的半导体部分。

衬底400包括抗蚀剂层405和抗蚀剂支撑物410。抗蚀剂层405是对由源110(图1)发射的电磁辐射敏感的材料。例如，抗蚀剂层405可以是正或负光致刻蚀剂。抗蚀剂支撑物410是能够在物理地支撑抗蚀剂层405的材料。例如，抗蚀剂支撑物410可以是基底晶片或额外的自身受所述基底晶片支撑的层。抗蚀剂支撑物410可以包括预先存在的特征。

在衬底400的图形化期间，源110和干涉光学装置115(图1)发射能够生成干涉图形415的电磁辐射。干涉图形415包括透过部分420(以实线显示)和非透过部分425(以虚线显示)。透过部分420通过孔阑225，以照射衬底400的工作部分430。非透过部分425被空间滤波器120(图1)阻挡或衰减。干涉图形415的线和间隙基本上平行于孔阑225的长度L。

干涉图形415包括一系列强度峰435、440、445、450、455、460，在所述强度峰处，两个或更多个波列相长地干涉。强度峰可以由一批线状干涉条纹产生。这些条纹可以垂直于页平面或者以相对于页平面的角度来定向。可以使用波列的波长和数量、干涉波列的相位、系统100的几何形状以及波列相对于衬底400的角度来定制强度峰435、440、445、450、455、460的几何形状、角度和节距。在图4中所示的处理阶段，强度峰435、455、460在非透过部分425中，因此不照射衬底400。在另一方面，强度峰440、445、450在透过部分420以内，因此照射衬底400。如上所述，透过部分420可以包括比所示出的明显更多的干涉条纹，因而更多的强度峰。但是为了说明清晰的目的，限制了在透过部分420中的强度峰的数量。

在强度峰440、445、450照射衬底400的同时，峰440、445、450也对抗蚀剂层405中的线465、470、475进行曝光。线465、470、475被非曝光间隙480、485分隔。如线465、470、475的不同像素密度所代表的那样，线465、470、475的曝光是非均匀的。特别地，线465比线470接收了更多的曝光，并且线475比线470接收了更少的曝光。曝光上的这些差别是工作台125和干涉图形415受对准控制135(图1)调节的移动和定位的结果。

特别地，无论工作部分430横过衬底400的位移如何，对准控制135保证将衬底400和干涉图形415被维持在彼此相对基本恒定的位置。衬底400和干涉图形415沿相同的方向D横过孔阑225一起平移。方向D可以基本上垂直于孔阑225，并且垂直形成强度峰435、440、445、450、455、460的条纹，以使峰435、440、445、450、455、460和曝光线465、470、475一起横穿工作部分430，而不对居间的间隙进行曝光，例如间隙480、485。

当曝光线(exposed line)465、470、475横穿工作部分430时，它们的曝光增加了。图5示出了衬底400的干涉光刻图形化中的第二个后续阶段。线状强度峰440已经移动到工作部分430的边缘，并且部分不再照射衬底400。线465、470、475的曝光已经增加，如增加的像素密度所代表的那样。被间隙510与线475分隔的新线505在其进入工作部分430时被线性强度峰455曝光。强度峰435、440、445、450、455、460以及干涉图形415的剩下部分的移动由光路138横过空间滤波器120的移动来完成。

图6示出了衬底400的干涉光刻图形化中的第三个更后续的阶段。线性强度峰440已经完全移动到工作区域430外部，并且不照射衬底400。线465、470、475的曝光已经增加。线505已经完全移动到工作部分430中，并且正在被线性强度峰455曝光。

图7示出了衬底400的干涉光刻图形化中的第四个更为后续的阶段。抗蚀剂层405包括一系列曝光线705，并且新的线在工作部分430中被干涉图形415持续地曝光。

图8示出了用于干涉光刻图形化的系统的另一种实现。特别地，系统800另外包括节距控制805、干涉图形节距传感器810，以及特征检测器815。特征检测器815检测衬底上预先存在的特征的位置。被检测的预先存在的特征可以包括晶片对准标记或其他先前被图形化的特征。特征检测器815可以是依靠模式识别或来自重复性预先存在特征的衍射来检测特征的位置的光学系统。

节距传感器810检测干涉图形415的节距。例如，节距传感器810可以包括一个或更多个光电检测器，所述光电寄存器被小的孔阑覆盖，并被定位在和工作台125上的衬底相同的平面内。当干涉图形415位移时，干涉图形415可以横过节距传感器的孔阑并产生一系列表示干涉图形415节距的强度变化。

节距控制805调节衬底上利用干涉图形415印刷的特征的节距。节距控制805可以使用许多不同方法中的任何一种来调节节距。例如，节距控制805可以使用干涉图形415和工作台125的位移速度上的差别来调节印刷特征的节距。当位移速度上的这种差别较小时(例如当干涉图形相对于第一部位的位置在工作部分430中恒定在干涉图形的节距以内时，如当干涉图形的位置恒定在干涉图形节距的1％以内时)，可以调节使用所述干涉图形印刷的特征的节距。作为调节节距的方法的另一个实施例，节距控制805可以给光学装置位置控制器145提供信号，以便改变干涉光学装置115中的光学元件的位置(或位置改变的速率)。

节距控制805可以以从传感器140、155、810、815接收到的信息作为这些调节的基础。节距控制805可以是闭环控制系统。节距控制805所提供的节距调节可被用来调整新近被图形化的特征的节距，以防止与其他特征重合不良(misregistration)，或者获得在衬底非均匀的节距。图9和10示出了由节距控制805提供的调节的示例性实现。

特别地，图9示出了处于干涉光刻图形化中第一阶段的衬底900。衬底900包括抗蚀剂层905、图形化层910和图形化支撑物915。抗蚀剂层905是对由源110(图8)发射的电磁辐射敏感的材料。图形化层910直接地(如图所示)或经由居间的层间接地(未示出)支撑抗蚀剂层905。图形化层910是衬底900的一部分，图形化层910包括预先存在的特征。预先存在的特征可以形成微电子器件的全部或一部分。例如，图形层910可以包括例如二氧化硅或氮化硅的电绝缘体、例如p或n掺杂硅的半导体材料，或者例如铜或铝的导电材料。

如图所示，图形化层910包括一系列被间隙930分隔的槽(trench)925。槽925具有节距935。节距935是槽925和间隙930在垂直于其取向的方向上的宽度之和。

在工作中，干涉光刻图形化系统800(图8)使用干涉图形415对一系列线940进行曝光。曝光线940被一系列间隙945分隔。曝光线940可以具有节距950，节距950等于线940的宽度和间隙945的宽度之和。

节距控制805可以从节距传感器810接收有关干涉图形415的节距的信息。节距控制805可以从特征检测器815接收有关预先存在的特征的节距935的信息。节距控制805可以使用来自位置传感器140、155的其他信息来产生控制信号，以调节利用干涉图形415印刷的线的节距950。

在曝光过程期间的某个点，曝光线节距950可以大于或小于特征节距935。由于节距上这样的差别，在沟槽925和线940之间最终可能出现重合误差。例如，在图9中，节距935大于节距950。尽管曝光线940可能和对应的沟槽925重合，后续曝光的线(未示出)可能不与对应的沟槽925重合。这种潜在的重合失调在图9中被特定沟槽925’的中心和干涉图形415的非透过部分425中的特定强度峰955的中心之间的间隔距离S示出。在横过衬底900的较大跨度上，这样的重合失调可能妨碍不同层中特征的准确对准。

图10示出了利用节距控制805(图8)对衬底900的干涉图形化的调节。特别地，在线940曝光期间，节距控制805可以动态地控制干涉图形415的节距1005。节距1005是干涉图形415在垂直于干涉图形415的强度峰的方向上的空间周期。节距控制805可以利用干涉图形415和衬底900的位移速度上的微小差别或利用由光学装置位置控制器145(图8)完成的对干涉光学装置115中的光学元件的定位的改变来控制节距1005。

图10还示出了另一种位移干涉图形415的方法。特别地，通过改变一个或更多个干涉形成干涉图形415的波列的相位而非通过光路138的位移来使干涉图形415发生位移。这种对相位的改变可被用来使强度峰以和上面针对图4到7讨论的相同的方式横过工作部分430发生位移。这种对相位的改变可以由光学装置位置控制器145在对准控制135的指挥下完成。

因此，横过衬底900，可以调节使用干涉光刻形成的特征的节距和部位。例如，干涉图形节距1005的控制可被用来维持横过相对较宽衬底的线940的恒定节距950，而相位改变可被用于将所述恒定节距和印刷之前预先存在的特征对准。干涉图形节距1005的控制也可被用来改变横过衬底的不同位置处的线940的节距950。又例如，可以控制节距1005和印刷部位，以便防止预先存在的特征和使用干涉光刻形成的特征之间的重合失调错误。

图11示出了用于干涉光刻图形化的系统的另一个实现。具体来说，系统1100包括空间滤波器位置控制器1105。空间滤波器位置控制器1105包括一个或更多个传感元件和位移器件，用于沿方向D2平移空间滤波器120。例如，位置控制器1105可以包括以下装置中的任何一种：干涉换能器、线性可变差分换能器、电阻换能器、压电换能器、电动机和包括压电位移元件的器件。

空间滤波器位置控制器1105平移空间滤波器120，以便将衬底的适当部分暴露给干涉图形415的适当部分。在此平移期间，节距控制805可以调节线和间隙的干涉图形的节距。因此，这种调节调整新近被图形化的特征的节距，以防止与预先存在的特征的重合失调。

图12示出了带有节距控制805的节距调节的空间滤波器120的平移。具体来说，在系统1100工作期间，空间滤波器120被沿方向D2平移。节距控制805调节干涉光学装置115中的光学元件的定位，以改变干涉图形节距1005。

以上已经描述了本发明的许多实现。尽管如此，应该理解本发明可以作出各种修改。特征检测器815可以在干涉光学装置115的外部。在印刷中可以使用不同的干涉图形。例如，可以使用正交的一对干涉条纹组来印刷接触体(contact)阵列。先前印刷在衬底上的特征不需要是线和间隙。例如，先前印刷的特征可以包括通路(via)或其他元件。不需要贯穿整个衬底执行干涉图形化。例如，空间滤波器120可以包括交替地打开和关闭孔阑225的开关元件。空间225的长度L不需要贯穿整个衬底，并且它们可在印刷期间修改，以便选择性地在不同部位印刷不同特征。两个空间滤波器可以串联使用，并且可以使其可相对彼此移动。干涉图形自身可以被修改(例如通过打开或关闭图形，或通过改变干涉图形中的线和间隙的相对宽度)，以便选择性地在衬底上不同部位印刷不同的特征。可以使用其他的传感、检测和位移系统和技术。可以改变干涉图形化系统内传感和检测元件的定位。例如，空间滤波器120可以包括节距传感器810。可以图形化各种衬底，包括除半导体晶片以外的衬底。衬底可以包括其他特征和/或层。例如，衬底可以包括聚合物抗反射涂层(顶层ARC)。因此，其他的实现在所附的权利要求书的范围以内。

Claims

1.一种系统，包括：

干涉图形发生器，所述干涉图形发生器在第一部位产生包括干涉条纹的干涉图形；

空间滤波器，所述空间滤波器至少部分地限制在所述第一部位被所述干涉图形实际照射的区域；以及

位置控制器，所述位置控制器使所述被实际照射区域沿和所述干涉条纹相交的方向横过所述第一部位发生位移，并且无论所述位移如何，维持所述干涉图形相对于所述第一部位的基本恒定的位置。

2.如权利要求1所述的系统，其中：

所述干涉图形发生器产生在所述第一部位照射衬底的干涉图形；

所述空间滤波器限制被所述干涉图形实际照射的所述衬底的所述区域；以及

所述位置控制器使所述被实际照射区域沿和所述干涉条纹相交的方向横过所述衬底发生位移，并且无论所述位移如何，维持所述干涉图形相对于所述衬底基本恒定的位置。

3.如权利要求1所述的系统，其中，所述位置控制器维持所述干涉图形相对于所述第一部位的所述位置恒定在所述被照射区域中的所述干涉图形的节距以内。

4.如权利要求3所述的系统，其中，所述位置控制器维持所述干涉图形相对于所述第一部位的所述位置恒定在所述被照射区域中的所述干涉图形的所述节距的1％以内。

5.如权利要求1所述的系统，其中，所述位置控制器包括：

第一位置控制器，所述第一位置控制器使所述干涉图形沿方向D相对于所述空间滤波器发生位移；以及

第二位置控制器，所述第二位置控制器使所述衬底沿方向D相对于所述空间滤波器发生位移。

6.如权利要求1所述的系统，其中，所述位置控制器包括空间滤波器位置控制器，以使所述空间滤波器相对于所述干涉图形和所述衬底发生位移。

7.如权利要求1所述的系统，还包括节距控制器，所述节距控制器控制所述干涉图形的节距。

8.如权利要求1所述的系统，其中，所述空间滤波器包括具有第一尺寸和第二尺寸的孔阑，所述第一尺寸大于所述第二尺寸。

9.如权利要求1所述的系统，其中，所述位置控制器包括闭环控制系统，用于维持所述干涉图形相对于所述第一部位的所述基本恒定的位置。

10.如权利要求1所述的系统，其中，所述位置控制器使所述被实际照射区域沿基本垂直于所述干涉条纹的方向横过所述第一部位发生位移。

11.如权利要求1所述的系统，其中，所述干涉图形发生器包括适于使光致刻蚀剂曝光的电磁辐射源。

12.如权利要求2所述的系统，其中，所述衬底包括光致刻蚀剂，所述光致刻蚀剂对形成所述干涉图形发生器所产生的所述干涉图形的电磁辐射敏感。

13.如权利要求7所述的系统，其中，所述节距控制器包括控制环，以在所述被照射区域横过所述衬底发生位移时动态地控制所述节距。

14.如权利要求7所述的系统，其中，所述节距控制器控制所述干涉图形的所述节距，以便在所述被照射区域中获得基本恒定的节距。

15.一种方法，包括：

产生干涉图形来照射衬底，所述干涉图形包括干涉条纹；

限制所述衬底上被所述干涉图形实际照射的区域；

使所述被照射区域沿和所述干涉条纹相交的方向横过所述衬底发生位移；以及

无论所述被照射区域的所述位移如何，维持所述干涉图形相对于所述衬底基本恒定的位置。

16.如权利要求15所述的方法，其中，使所述被照射区域发生位移的操作包括移动形成所述干涉图形的波前的相位。

17.如权利要求15所述的方法，其中，维持所述基本恒定的位置的操作包括维持所述干涉图形相对于所述衬底的所述位置恒定在所述干涉图形的节距以内。

18.如权利要求17所述的方法，其中，维持所述基本恒定的位置的操作包括维持所述干涉图形相对于所述衬底的所述位置恒定在所述干涉图形的所述节距的1％以内。

19.如权利要求15所述的方法，还包括在所述被照射区域横过所述衬底的位移之后，控制所述干涉图形的所述节距。

20.如权利要求19所述的方法，其中，所述控制所述节距的操作包括使用所述干涉图形的节距在闭环中调节所述节距。

21.如权利要求15所述的方法，其中，限制所述干涉图形的所述区域的操作包括将空间滤波器插入所述干涉图形的光路，以便至少部分地限定所述被照射区域。

22.如权利要求21所述的方法，其中，使所述被照射区域发生位移的操作包括使所述干涉图形和所述衬底相对于所述空间滤波器发生位移。

23.如权利要求22所述的方法，其中，使所述干涉图形发生位移的操作包括移动形成所述干涉图形的波前的相位。

24.如权利要求15所述的方法，其中，维持所述干涉图形相对于所述衬底的所述基本恒定的位置的操作包括以不同于所述衬底的速度平移所述干涉图形，同时维持所述干涉图形相对于所述衬底的所述位置恒定在所述被照射区域中的所述干涉图形的节距的1％以内。

25.一种方法，包括：

产生干涉图形来照射衬底；

限制所述衬底上被所述干涉图形实际照射的区域；

使所述被实际照射区域横过所述衬底发生位移；以及

控制横过所述衬底的所述干涉图形的节距。

26.如权利要求25所述的方法，其中：

所述干涉图形包括干涉条纹；并且

使所述被照射区域发生位移的操作包括使所述被照射区域沿和所述干涉条纹相交的方向横过所述衬底发生位移。

27.如权利要求25所述的方法，其中：

所述方法还包括传感所述衬底的预先存在的特征的位置；并且

控制所述节距的操作包括使用预先存在的特征的所述被传感的位置在闭环中调节所述节距。

28.如权利要求27所述的方法，其中：

所述方法还包括传感所述干涉图形的所述节距；以及

使用所述控制信号的操作包括使用所述干涉图形的所述被传感的节距来调节所述节距。

29.如权利要求25所述的方法，其中，控制所述干涉图形的所述节距的操作包括使所述衬底和所述干涉图形以不同的速度发生位移。

30.一种系统，包括：

干涉图形发生器，所述干涉图形发生器产生干涉图形来照射第一部位；

空间滤波器，空间滤波器至少部分地限制在所述第一部位被所述干涉图形实际照射的区域；

位置控制器，所述位置控制器使所述被照射区域横过所述第一部位发生位移；以及

节距控制器，节距控制器控制所述干涉图形的节距，以便在所述被照射区域中获得期望的节距。

31.如权利要求30所述的系统，其中：

所述干涉图形包括干涉条纹；并且

所述位置控制器包括用于使所述被照射区域沿和所述干涉条纹相交的方向横过所述第一部位发生位移的位置控制器。

32.如权利要求30所述的系统，其中，所述节距控制器包括控制环，以在所述被照射区域横过所述衬底发生位移时动态地控制所述节距。

33.如权利要求30所述的系统，其中，所述节距控制器控制所述干涉图形的所述节距，以便在所述被照射区域中获得基本恒定的节距。

34.如权利要求30所述的系统，其中，使所述被照射区域发生位移的操作包括移动形成所述干涉图形的波前的相位。

35.如权利要求30所述的系统，其中，限制所述干涉图形的所述区域的操作包括将空间滤波器插入所述干涉图形的光路，以便至少部分地限定所述被照射区域。

36.如权利要求35所述的系统，其中，使所述被照射区域发生位移的操作包括使所述干涉图形和所述衬底相对于所述空间滤波器发生位移。

37.如权利要求30所述的系统，其中，限制所述干涉图形的所述区域的操作包括允许10到50000个干涉条纹照射所述衬底的所述区域。

38.如权利要求30所述的系统，其中：

所述衬底包括晶片；并且

限制所述干涉图形的所述区域的操作包括照射所述晶片的整个宽度。

39.如权利要求30所述的系统，其中使所述被照射区域发生位移的操作包括确保所述衬底被维持在相对于所述干涉图形基本恒定的位置。

40.如权利要求30所述的系统，其中控制所述干涉图形的所述节距的操作包括防止所述干涉图形与其他特征重合不良。

41.如权利要求40所述的系统，其中防止所述干涉图形的重合不良的操作包括检测所述其他特征。