CN100459018C

CN100459018C - 电子发射装置及其驱动方法

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Publication number: CN100459018C
Application number: CNB2005100741156A
Authority: CN
Inventors: 李炳坤; 全祥皓
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung SDI Co Ltd
Priority date: 2004-04-29
Filing date: 2005-04-29
Publication date: 2009-02-04
Anticipated expiration: 2025-04-29
Also published as: JP2005317535A; KR20050104649A; CN1722351A; US20050242704A1

Abstract

一种电子发射装置，包括相互面对的第一和第二基板，形成在第一基板上的第一和第二电极和电子发射区域，和形成在第二基板上的阳极和磷光体层。在第一和第二基板之间布置校正电极，校正电极包括带有分布在电子发射区域一侧的梳齿部分的第一子电极，和带有分布在电子发射区域相对侧的梳齿部分的第二子电极。防止了由于在装配过程中第一和第二基板之间的不重合或者由于在热处理过程中第一和第二基板的收缩/扩张差别造成的所发射电子在每一个相应像素上降落特性的恶化，由此提高亮度和色表现度的一致性。本发明还涉及驱动该电子发射装置的方法。

Description

电子发射装置及其驱动方法

技术领域

本发明涉及一种电子发射装置，且特别涉及一种电子发射装置，可以防止由于在热处理过程中第一和第二基板的收缩/扩张差别或者由于第一和第二基板间不重合引起的在相应像素上所发射电子降落(landing)特性的恶化。本发明还涉及驱动该电子发射装置的方法。

背景技术

通常，电子发射装置是一种平板显示装置，其通过从第一基板侧发射的电子轰击在第二基板上形成的磷光体层来显示所需的图像，并且分为使用热阴极作为电子发射源的第一类型和使用冷阴极作为电子发射源的第二类型。

在第二类型的电子发射装置中，已知的有场发射极阵列(FEA)型、表面传导发射(SCE)型、金属-绝缘体-金属(MIM)型和金属-绝缘体-半导体(MIS)型。

MIM型和MIS型电子发射装置分别具有金属/绝缘体/金属(MIM)电子发射结构和金属/绝缘体/半导体(MIS)电子发射结构。当把电压施加到金属层或施加到金属和半导体层时，电子会从具有高电势的金属层或半导体层向具有低电势的金属层移动并被加速，由此产生电子发射。

SCE型电子发射装置包括形成在基板上并相互面对的第一和第二电极，和在第一和第二电极之间放置的导电薄膜。在导电薄膜上制作微裂纹以形成电子发射区域。当把电压施加到电极上时，在导电薄膜的表面上流过电流，并从电子发射区域发射电子。

FEA型电子发射装置是基于以下原理，即当用作电子发射源的材料具有低逸出功和高纵横比时，由于真空电场作用很容易从该材料中发射出电子。已经开发出基于钼(Mo)或硅(Si)，或者例如碳纳米管、石墨和类金刚石碳的含碳材料的尖锐顶端结构用作电子发射源。

对于上述结构电子发射装置，当在第一和第二基板相互装配的过程中没有准确控制装配位置的时候，在电子发射区域和磷光体层之间会发生不重合。

例如，如图18和19所示，对于FEA型电子发射装置，把带有磷光体层8的第二基板4朝正常位置的一旁偏移地装配到带有阴极和栅极3和6的第一基板2上。结果，形成在第一基板2的阴极3上的电子发射区域6的位置会偏离第二基板4的磷光体层8的位置，这样磷光体层8会相对于电子发射区域6向一旁偏移或者偏向。在这种情况下，一些从电子发射区域6发射的电子就无法到达相应的磷光体层8，而是落在黑色层或者相邻的错误颜色的磷光体层8上，由此使亮度或色表现度恶化。

此外，如图20中所示，当第二基板4在相对于第一基板2转过一定角度而装配到第一基板2时，电子发射区域6和磷光体层8会部分相互不重合，由此使色表现度和亮度的一致性恶化。

如图21所示，甚至当第一和第二基板2和4的收缩/扩张率相互不同时，电子发射区域6和磷光体层8也会部分相互不重合，使得色表现度和亮度的一致性恶化。

发明内容

在本发明的一个示例性实施例中，提供了一种电子发射装置，防止由于在装配过程中第一和第二基板之间的不重合或者由于在热处理过程中第一和第二基板的收缩/扩张差别造成的所发射电子在每一个相应像素上降落特性的恶化，由此提高亮度和色表现度的一致性。

在本发明的一个示例性实施例中，所述电子发射装置包括相互面对且其间具有预定距离的第一和第二基板，和形成在第一基板上的第一和第二电极，并使得第一和第二电极不会相互短路。该电子发射装置还包括形成在第一基板上的电子发射区域，在第一和第二基板间放置的校正电极，在第二基板和校正电极之间放置的阳极，和靠近阳极放置的磷光体层。磷光体层具有预定的图案。校正电极包括带有分布在电子发射区域一侧的多个梳齿部分的梳状第一子电极，和带有分布在与电子发射区域的一侧相对的另一侧的多个梳齿部分的梳状第二子电极，其中所述校正电极形成在所述第一电极或所述第二电极上并通过绝缘层与所述第一电极或所述第二电极分开。

磷光体层可以包括磷光体层条纹，第一子电极的梳齿部分和第二子电极的梳齿部分可以沿着磷光体层条纹的长度方向延伸。

第一和第二子电极可以具有位于各自梳齿部分一端并使各自梳齿部分相互连接的电压施加部件，第一和第二子电极的电压施加部件可以彼此相对布置并垂直于磷光体层条纹的长度方向延伸。

在校正电极中，可以向第一和第二子电极施加相同或不同的电压以控制从电子发射区域发射的电子束的聚焦方向和移动。

附图说明

通过参考以下附图对本发明示例性实施例的详细描述，本发明的上述和其它特点将变得更清楚，其中：

图1是根据本发明第一示例性实施例的电子发射装置的局部分解透视图；

图2是根据图1中所示的本发明第一示例性实施例的电子发射装置的局部剖面图；

图3是根据本发明第二示例性实施例的电子发射装置的局部剖面图；

图4是根据图3中所示的本发明第二示例性实施例的电子发射装置的局部平面图；

图5是根据本发明一个示例性实施例的电子发射装置的平面图，其中示意性地表示电子发射区域和磷光体层的正常定位(alignment)状态；

图6是图4中所示电子发射装置的局部剖面图，其中示意性地表示电子发射区域和磷光体层的正常定位状态；

图7是根据本发明一个示例性实施例的电子发射装置的平面图，其中示意性地表示一种朝相对于电子发射区域的一旁偏向或偏移的磷光体层的定位状态；

图8是图7中所示电子发射装置的局部剖面图；

图9是表示施加到图7中所示电子发射装置的第一和第二子电极的电压形式的控制信号图；

图10是表示施加到图7中所示电子发射装置的第一和第二子电极的另一种电压形式的控制信号图；

图11是根据本发明一个示例性实施例的电子发射装置的平面图，其中示意性地表示一种相对于电子发射区域旋转一定角度的磷光体层的定位状态；

图12是表示施加到图11中所示电子发射装置的第一和第二子电极的电压形式的控制信号图；

图13是表示施加到图11中所示电子发射装置的第一和第二子电极的另一种电压形式的控制信号图；

图14是根据本发明一个示例性实施例的电子发射装置的平面图，其中示意性地表示一种相对于电子发射区域旋转一定角度的校正电极的定位状态；

图15是根据本发明一个示例性实施例的电子发射装置的平面图，其中示意性地表示一种向相对于电子发射区域的一旁偏向或偏移的校正电极的定位状态；

图16是表示施加到图15中所示电子发射装置的第一和第二子电极的电压形式的控制信号图；

图17是表示施加到图15中所示电子发射装置的第一和第二子电极的另一种电压形式的控制信号图；

图18是根据现有技术的FEA型电子发射装置的平面图，其中示意性地表示一种朝相对于电子发射区域的一旁偏向或偏移的磷光体层的定位状态；

图19是图18中所示电子发射装置的局部剖面图，其中示意性地表示一种朝相对于电子发射区域的一旁偏向或偏移的磷光体层的定位状态；

图20是根据现有技术的FEA型电子发射装置的平面图，其中示意性地表示一种相对于电子发射区域旋转一定角度的磷光体层的定位状态；

图21是根据现有技术的FEA型电子发射装置的平面图，其中示意性地表示一种由于第一和第二基板间收缩/扩张差别引起的电子发射区域和磷光体层之间的不重合状态。

具体实施方式

下文将参考表示本发明示例性实施例的附图，对本发明进行更全面的描述。

如图1和2所示，电子发射装置包括相互面对且其间具有预定距离的第一和第二基板20和22。在第一基板20上形成第一和第二电极24和26，并在它们之间形成第一绝缘层25。在第一电极24上形成电子发射区域28。在第二基板22上形成带有预定图案的磷光体层32，并在磷光体层32上形成阳极30。在第一和第二基板20和22之间放置校正电极40。

校正电极40增强从电子发射区域28发射的电子束的聚焦能力。可以通过沉积或印刷的方法在第二电极26上形成校正电极40，并在它们之间形成第二绝缘层50，或者可以作为布置在第一和第二基板20和22之间的栅板形成校正电极。该栅板可以用带有多个梳齿部分44和48的金属板形成。在对应于电子发射区域28的位置处形成穿过第二绝缘层50的电子束通孔51。

第一和第二电极24和26(即阴极和栅极)是条纹图案的，并相互垂直分布。还形成穿过第二电极26和第一绝缘层25的电子束通孔51以允许在第一电极24上的电子发射区域28发射电子。在第一和第二电极24和26的交叉区域处的电子束通孔51内的第一电极24上形成电子发射区域28。

使用在施加电场期间能够发射电子的材料，例如含碳材料和/或纳米尺寸材料形成电子发射区域28。可以用碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石碳、C₆₀、硅纳米丝、或任何它们的适当组合形成电子发射区域28。可以通过丝网印刷、直接生长、化学气相沉积或者溅射来形成电子发射区域28。

此外，能够以各种形状形成电子发射区域28，例如锥形、楔形或者薄膜边。

上面已经解释了，在第一基板20上形成第一电极24，并在第一电极24上形成第二电极26，在它们之间形成绝缘层25。也可以在第一基板上形成作为栅极的第二电极，并在第二电极上形成作为阴极的第一电极，并在它们之间形成绝缘层。在这种情况下，在第一电极上形成校正电极，并在它们之间形成第二绝缘层。

在第二基板22面向第一基板20的表面上形成磷光体层32和黑色层33，并在磷光体层32和黑色层33上用基于铝的金属层形成阳极30。如图1所示，磷光体层32的结构是这样的：在第一电极24的方向上，以预定的距离间隔交替分布红色磷光体层32R、绿色磷光体层32G和蓝色磷光体层32B。

阳极30接收用于加速电子束的高电压，并通过反射从面朝第一基板20背向第二基板22的磷光体层32发出的可见光线来增强屏幕亮度。可以用基于氧化铟锡(ITO)的透明导电层代替金属层形成阳极。在这种情况下，可以在磷光体层和黑色层的一个表面和第二基板之间形成透明阳极，并将其构图成带有多个部分。

第一和第二基板20和22(其间存在预定距离)使用密封材料(密封剂)相互密封，这样第二电极26和磷光体层32相互垂直延伸。将第一和第二基板20和22之间的内部空间抽成真空状态。

为了在第一和第二基板20和22之间保持恒定的距离，在第一和第二基板20和22(其间具有预定距离)之间布置隔块38。隔块38应当位于放置黑色层的不发光区域处。

通过向第一电极24、第二电极26、校正电极40和阳极30施加预定电压来驱动电子发射装置。当把电压施加到相应电极时，由于第一和第二电极24和26之间的电压差在电子发射区域28周围形成电场，并从电子发射区域28发射电子。所发射的电子被提供到阳极30的电压吸引，在由提供到校正电极40的电压聚焦的同时被引向第二基板22。电子由提供到阳极40的高电压吸引，并在相应像素上轰击磷光体层32。

如图3和4所示，对于根据本发明另一示意性实施例的电子发射装置，第一和第二基板20和22之间具有预定距离并相互面对，在第一基板20上形成以预定距离相互隔开的第一和第二电极72和74。将电子发射区域78电连接到第一和第二电极72和74。以预定图案在第二基板22上形成磷光体层32。在磷光体层32上形成阳极30。将校正电极40放置在第一和第二基板20和22之间，并形成在绝缘层50′上。

第一和第二电极72和74形成在第一基板20上并位于同一面内。

第一和第二导电层73和75形成在第一和第二电极72和74上，同时部分覆盖它们，这样使得可以相互接近地布置第一和第二电极72和74。将电子发射区域78布置在第一和第二导电层73和75之间，同时连接到那里。因此，电子发射区域78分别通过第一和第二导电层73和75电连接到第一和第二电极72和74。

当把电压提供到第一和第二电极72和74上时，发生表面传导电子发射，通过第一和第二导电层73和75在平行于小面积薄膜电子发射区域78表面的方向上形成电流流动。将第一和第二电极72和74之间的距离确定为，例如，大约在几十纳米到几百微米。

可以用具有导电性的各种材料形成第一和第二电极72和74，例如象镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铂(Pt)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)的金属，和它们的合金，基于金属氧化物的印刷导体，以及基于ITO的透明电极。

用例如镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)和钯(Pd)的导电材料的细晶粒薄膜形成第一和第二导电层73和75。

应当用石墨碳或碳化合物形成电子发射区域78。此外，可以用碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、类金刚石碳、C₆₀、硅纳米丝、或任何它们的适当组合形成电子发射区域。

使用FEA型电子发射装置或SCE型电子发射装置的结构可以实现或执行关于本发明前面实施例没有说明的具体结构或操作步骤。而且，本发明的电子发射装置结构可以用于FEA型电子发射装置、SCE型电子发射装置和其它电子发射装置。

如图5和6所示，校正电极40还包括一对梳状子电极42和46，该校正电极40构造成使得第一子电极42的梳齿部分44和第二子电极46的梳齿部分48相互面对，同时相应的梳齿部分互相保持平行。每个电子发射区域28都位于一个梳齿部分44和一个梳齿部分48之间。

例如，第一子电极42的梳齿部分44和第二子电极46的梳齿部分48交替分布在条纹图案第一电极24之间。也就是说，第一子电极42的梳齿部分44和第二子电极46的梳齿部分48位于两个相邻的第一电极24之间，同时分别靠近相应的第一电极24放置。

对于校正电极40，沿着条纹图案磷光体层32的长度方向纵向地形成第一子电极42的梳齿部分44和第二子电极46的梳齿部分48。

通过一对电压施加部件43和47相对布置的方式，第一子电极42的梳齿部分44和第二子电极46的梳齿部分48相互连接。垂直于磷光体层32的长度方向横向地形成该电压施加部件43和47，并将它们放置在第一电极24的两端。布置第一和第二子电极42和46使得它们不会相互短路。

对于校正电极40，将相同或不同的电压施加到第一和第二子电极42和46以控制从电子发射区域28发射的电子束的聚焦方向和移动。也就是说，为了控制电子束的聚焦方向和移动，将不同的电压施加到第一和第二子电极42和46。

如图7和8所示，当在第一和第二基板20和22的装配过程中发生不重合时，磷光体层32可能向电子发射区域28的一旁移动。这样，如图9和10所示，将不同的驱动电压提供到第一和第二子电极42和46以抵消不重合的影响。

当磷光体层32向第一子电极42水平偏移并使磷光体层偏向电子发射区域28右边时，如图9所示，把相对高的电压V_H通过第一子电极42的电压施加部件43提供到梳齿部分44，并把相对低的电压V_L通过第二子电极46的电压施加部件47提供到梳齿部分48。由此，由于第二子电极46梳齿部分48的相对排斥力和第一子电极42梳齿部分44的相对吸引力，使得从电子发射区域28发射的电子偏向接收相对高电压V_H的第一子电极42。迫使这些电子向第二基板22的磷光体层32移动，由此轰击相应的磷光体层32。

也就是说，向梳齿部分44靠近磷光体层32垂直(vertical)侧放置的第一子电极42提供相对高的电压V_H，向梳齿部分48远离磷光体层32垂直侧放置的第二子电极46提供相对低的电压V_L，由此形成不对称的电场。

如图9所示，向第一和第二子电极42和46施加的电压可以是时序向像素提供电压的脉冲型。可选地，如图10所示，电压的提供可以是均衡的，一直向其提供电压。在另一可选实施例中，如图13所示，电压提供可以是连续变化和线性的。

如图11所示，当把第二基板22在逆时针方向上相对于第一基板20转过一角度并与第一基板20装配在一起时，磷光体层32也在逆时针方向上相对于电子发射区域28转过了一角度。这种情况下，如图12所示，当把数据信号提供到第二电极26的第(n-1)条扫描线时，把相对低的电压V_L提供到第一子电极42，并把相对高的电压V_H提供到第二子电极46。

当向第一和第二子电极42和46提供不同的电压时，由于第一子电极42梳齿部分44的排斥力和第二子电极46梳齿部分48的相对吸引力，使得从电子发射区域28发射的电子被拉向接收相对高电压V_H的第二子电极46。结果，这些发射的电子向第二基板22的磷光体层32移动，由此轰击相关的磷光体层32。

如图12所示，当向第二电极26的第n条扫描线提供数据信号时，将相同电压V_M提供给第一和第二子电极42和46。结果，这些从电子发射区域28发射的电子沿它们正常的轨迹向第二基板22的磷光体层32移动，由此轰击相关的磷光体层32。

此外，如图12所示，当向第二电极26的第(n+1)条扫描线提供数据信号时，把相对低的电压V_L提供给第二子电极46，并把相对高的电压V_H提供给第一子电极42。当向第一和第二子电极42和46提供不同的电压时，由于第二子电极46梳齿部分48的排斥力和第一子电极42梳齿部分44的吸引力，使得从电子发射区域28发射的电子被拉向接收相对高电压V_H的第一子电极42。发射的电子向第二基板22的磷光体层32移动，由此轰击相应的磷光体层32。

如上所述，当向扫描线提供数据信号时，为了校正在磷光体层32和电子发射区域28之间的不重合，把提供给第一和第二子电极42和46的电压确定为与磷光体层32相对于电子发射区域28旋转的角度成比例。

上面只是说明了有关仅仅3条扫描线的情况，其还适用于更多数量的扫描线。可以通过以不同的方式改变施加到第一和第二子电极42和46的电压来校正磷光体层32和电子发射区域28之间可能发生的不重合。

此外，如图13所示，还可以通过线性地改变施加到第一和第二子电极42和46上的电压来校正磷光体层32和电子发射区域28之间的不重合。

对于本发明的电子发射装置，当对提供到校正电极40的第一和第二子电极42和46的电压按相应像素求微分时，还可以校正由于第一和第二基板20和22之间在收缩/扩张方面的差别引起的电子发射区域28和磷光体层32之间的不重合。

也就是说，相对于提供到第二电极26的信号控制施加到第一和第二子电极42和46的电压，和相对于提供到第一电极24的信号控制施加到第一和第二子电极42和46的电压，使得可以校正由于第一和第二基板20和22之间在收缩/扩张方面的差别所引起的电子发射区域28和磷光体层32之间的不重合。

此外，如图14和15所示，同样可以校正在安装校正电极40过程中在电子发射区域28和校正电极40之间可能发生的不重合。

也就是说，如图14所示，其中在安装过程中校正电极40在逆时针方向上相对于电子发射区域28转过一角度。在这种情况下，如图12和13所示，将预定电压加到第一和第二子电极42和46，得以校正从电子发射区域28发射的电子束的聚焦方向和移动。

此外，如图15所示，在把校正电极40朝电子发射区域28的一旁偏向或偏移的时候，可以水平地向电子发射区域28的右侧移动校正电极40。例如，在图15中，第一子电极42的梳齿部分44位于远离电子发射区域28的地方，而第二子电极46的梳齿部分48位于靠近电子发射区域28的地方。在这种情况下，如图16和17所示，把相对低的电压V_L提供到第一子电极42，并把相对高的电压V_H提供到第二子电极46，使得能够校正从电子发射区域28发射的电子的聚焦方向和移动。

当把电压施加到校正电极40的第一和第二子电极42和46时，可以选择性地向相应的扫描线提供电压。但是，这样的话，由于校正电极40的驱动电压，会使IC承受重负。因此，如图9、12和16所示，按一帧的周期(1帧)向扫描线提供电压。

对于本发明的电子发射装置，即使当由于装配操作在第一和第二基板之间产生不重合时，也不必校正和施加驱动图像输入信号，而只需在产品的装配完成过程中进行调整处理(tuning process)，由此利用硬件而不是校正驱动图像输入信号采提高亮度和色彩表现度的一致性。

例如，对于常规结构，当校正并提供驱动图像输入信号以校正不重合的时候，需要额外的例如帧缓冲器的存储器，并在图像校正过程中产生短时信号延迟。但是，对于本发明的结构，就不需要这样额外的存储器，还可以对不重合进行实时校正。

因此，对于本发明的电子发射装置，同步于扫描线周期在校正电极的第一和第二子电极之间形成不对称的电场，这样可以用简单的方式校正从电子发射区域发射的电子在磷光体层上的降落，由此提高亮度和色彩表现度的一致性。

尽管上文中已经详细介绍了本发明的某些示例性实施例，但是对于本领域技术人员可以清楚地理解，正如在所附带的权利要求和其等效含义所确定的，在此教导的基于本发明原理的许多变化和/或修改仍然落入本发明的精神和范围内。

Claims

1、一种电子发射装置，包括：

两者之间保持预定距离相互面对的第一和第二基板；

在所述第一基板上形成的第一和第二电极，使得所述第一和第二电极之间不会相互短路；

形成在所述第一基板上的电子发射区域；

在所述第一和第二基板间放置的校正电极；在所述第二基板和所述校正电极之间放置的阳极；

邻近所述阳极放置的并具有预定的图案的磷光体层；和

其中所述校正电极包括带有分布在所述电子发射区域的一侧的多个梳齿部分的梳状第一子电极，和带有分布在与所述电子发射区域的一侧相对的另一侧的多个梳齿部分的梳状第二子电极，

其中所述校正电极形成在所述第一电极或所述第二电极上并通过绝缘层与所述第一电极或所述第二电极分开。

2、权利要求1的电子发射装置，

其中所述磷光体层包括磷光体层条纹，和

其中所述第一子电极的所述梳齿部分和所述第二子电极的所述梳齿部分沿着所述磷光体层条纹的长度方向延伸。

3、权利要求2的电子发射装置，

其中所述第一和第二子电极具有位于各自梳齿部分的一端并使各自梳齿部分相互连接的电压施加部件，和

其中所述第一和第二子电极的所述电压施加部件彼此相对布置并垂直于所述磷光体层条纹的长度方向延伸。

4、权利要求1的电子发射装置，其中向所述第一和第二子电极提供不同的电压。

5、权利要求4的电子发射装置，其中提供到所述第一和第二子电极的电压之间的差与所述电子发射区域和所述磷光体层之间的不重合有关。

6、权利要求4的电子发射装置，

其中按扫描和帧周期操纵所述电子发射装置，和

其中同步于所述扫描和帧周期对提供到所述第一和第二子电极的电压进行微分。

7、权利要求4的电子发射装置，

其中所述磷光体层确定像素，和

其中按相应像素对提供到所述第一和第二子电极的电压进行微分。

8、权利要求4的电子发射装置，其中提供到所述第一和第二子电极的电压之间的差对应于所述电子发射区域和所述校正电极之间的不重合。

9、权利要求1的电子发射装置，其中从包括石墨、金刚石、类金刚石碳、碳纳米管、C₆₀和它们的组合所构成的组中选择的材料形成所述电子发射区域。

10、权利要求9的电子发射装置，

其中在所述第一基板上布置相互间具有预定距离的所述第一电极，

其中所述第二电极与所述第一电极交叉，它们之间带有绝缘层，和

其中在与所述第二电极交叉的所述第一电极的部分上形成所述电子发射区域。

11、权利要求9的电子发射装置，还包括：

分别部分覆盖所述第一和第二电极的第一和第二导电层；

其中在所述第一基板上形成所述第一和第二电极，所述第一和第二电极相互面对并按预定距离分开，和

其中在所述第一和第二导电层之间形成所述电子发射区域。

12、一种驱动电子发射装置的方法，该电子发射装置包括放置在第一和第二基板之间的具有第一和第二子电极的校正电极，每个子电极具有多个梳齿部分，每个形成在所述第一基板上的电子发射区域与在所述电子发射区域的一侧上的所述第一子电极的一个梳齿部分和在所述电子发射区域的另一侧上的所述第二子电极的一个梳齿部分相邻，所述方法包括：

当由于在所述电子发射装置的装配过程中在所述第一和第二基板之间形成的不重合造成磷光体层或所述校正电极向所述电子发射区域的一旁偏移时，向所述第一和第二子电极提供电压以校正从所述电子发射区域发射的电子的轨迹。

13、权利要求12的方法，其中提供到所述第一和第二子电极的电压由脉冲形式构成，其中将电压时序提供给相应像素，或者电压以线性方式连续提供到相应像素。

14、权利要求13的方法，其中当把所述磷光体层水平地向所述电子发射区域的一旁移动时，把相对高的电压提供到所述第一和第二子电极中更靠近所述磷光体层放置的一个，并把相对低的电压提供到所述子电极中的另一个。

15、权利要求13的方法，

其中该电子发射装置还包括至少n+1条扫描线，并把数据信号时序提供给所述n+1条扫描线，这里n是大于或等于2的整数，

其中在所述磷光体层按逆时针方向相对于所述电子发射区域绕所述扫描线中的第n条扫描线转过一角度的情况下，当把数据信号提供到所述扫描线中的第(n-1)条扫描线时，把相对低的电压提供给所述第一子电极并把相对高的电压提供给所述第二子电极，其中当把所述数据信号提供到第n条扫描线时把相同的电压提供到所述第一和第二子电极，和其中当把所述数据信号提供到所述扫描线中的第(n+1)条扫描线时，把相对低的电压提供给所述第二子电极和把相对高的电压提供到所述第一子电极。

16、权利要求13的方法，

其中该电子发射装置还包括至少n+1条扫描线，并把数据信号时序提供给所述n+1条扫描线，这里n是大于或等于2的整数，和

其中在所述校正电极按逆时针方向相对于所述电子发射区域绕所述扫描线中的第n条扫描线转过一角度的情况下，当把所述数据信号提供到所述扫描线中的第(n-1)条扫描线时，把相对低的电压提供给所述第一子电极并把相对高的电压提供给所述第二子电极，其中当把所述数据信号提供到第n条扫描线时把相同的电压提供到所述第一和第二子电极，和其中当把所述数据信号施加到所述扫描线中的第(n+1)条扫描线时，把相对低的电压提供给所述第二子电极和把相对高的电压提供到所述第一子电极。

17、权利要求13的方法，其中在所述校正电极向所述电子发射区域的一旁移动的情况下，把相对低的电压提供到所述第一和第二子电极中相对远离所述电子发射区域放置的一个上，并把相对高的电压提供到所述第一和第二子电极中的另一个上。

18、权利要求12的方法，其中由于在所述第一和第二基板之间的收缩/扩张差别引起在所述电子发射区域和所述磷光体层之间发生不重合，并通过对应于提供到栅极和阴极的信号控制施加到所述第一和第二子电极的电压来补偿这种不重合。

19、权利要求12的方法，其中按一帧的周期向所述第一和第二子电极提供电压。