CN100424761C - 使用两阶段调整的最佳化写入策略参数的系统及方法 - Google Patents

使用两阶段调整的最佳化写入策略参数的系统及方法 Download PDF

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Abstract

一种使用两阶段调整的最佳化写入策略参数的系统及方法。所述方法包括：执行第一类的写入策略参数最佳化作业，来调整写入策略的至少一个静态写入策略参数。在执行第一类写入策略参数最佳化作业后执行第二类的写入策略参数最佳化作业，来调整写入策略的至少一个动态写入策略参数。静态写入策略参数相应于光盘上的一个凹洞(pit)的单一长度并且动态写入策略参数用以克服当产生凹洞时的热干涉效应。

Description

使用两阶段调整的最佳化写入策略参数的系统及方法
技术领域
本发明关联于一种光盘刻录技术，特别是一种使用两阶段调整的最佳化写入策略参数的系统及方法。
背景技术
为了正确重读(reproduce)数据信号，必须精确地控制激光功率控制脉冲，例如脉冲宽度、脉冲外形及激光输出的功率大小等，用以在光盘上记录稳定且精确的标记。通常是经由最佳功率校准(optimal power calibration，OPC)程序取得较佳激光功率。而激光输出的宽度及外形的最佳化写入参数则是通过不断调整所谓写入策略(write strategy)来达成。
已知做法中，光驱在出厂前，制造商的工程师会根据不同的光盘片，调校出多个最佳写入策略，然后依光盘片的辨识码，将最佳写入策略建表储存于光驱中。当实际刻录数据时，光驱会根据内载的光盘识别码从建表中读取相应的写入策略并且执行已知的最佳功率校准程序，来取得最佳写入功率大小。这种做法可能有几个缺点。第一，当无法完全涵盖光盘片制造上的差异或光驱制造上的差异时，用以刻录标记的最佳写入策略可能偏离最佳设定。即使最佳功率校准程序决定了最佳的功率大小，由于光盘片或光驱台的变异性仍可能造成标记未刻录完善并且刻录品质可能不够理想。第二，要让光驱支持所有可能的光盘类型会耗费大量的储存空间。并且这些都需要大量的工程师人力来调整最佳化写入策略，大幅增加成本。再者，光盘片的制造永远是推陈出新的，光驱不能支持所有的光盘片类型。因此光驱的实用性是受局限的。
为了决定未支持的光盘片的最佳化写入策略，传统方法首先可使用不同的写入策略来执行各种的尝试性(trial)刻录，并且根据多种写入品质指数接着决定出最好的写入策略。
发明内容
为解决上述现有技术中的缺陷，本发明提出一种使用两阶段调整的最佳化写入策略参数的系统及方法。
本发明的上述目的是通过如下技术方案来实现的：
一种使用两阶段调整的最佳化写入策略参数的方法，用以记录多个图案(pattern)于一光盘上，包括：执行一第一类的写入策略参数最佳化作业，用于调整一写入策略中至少一第一类写入策略参数；以及在执行上述第一类写入策略参数最佳化作业后执行一第二类的写入策略参数最佳化作业，用于调整上述写入策略的至少一第二类写入策略参数。其中上述第一类及第二类写入策略参数中的一个相应于每一单一图案，并且写入策略参数中的另一个相应于每一图案组合。
具体来说，本发明是提供一种最佳化写入参数的方法，其使用两阶段调整。使用两阶段调整的最佳化写入参数的方法的一实施例包括下列步骤：执行一个静态的写入策略参数最佳化作业，来调整一个写入策略的至少一个静态的写入策略参数；在执行静态的写入策略参数最佳化作业后，执行一个动态的写入策略参数最佳化作业，来调整该写入策略的至少一个动态的写入策略参数。
一种使用两阶段调整的最佳化写入策略参数的系统，包括：一写入参数调整控制器，执行一第一类的写入策略参数最佳化作业以调整一写入策略的至少一第一类写入策略参数，以及在执行上述第一类的写入策略参数最佳化作业后，执行一第二类的写入策略参数最佳化作业来调整上述写入策略的至少一第二类的写入策略参数。其中上述第一类及第二类写入策略参数中的一个相应于每一单一图案，并且写入策略参数中的另一个相应于每一图案组合。
具体来说，本发明也提供一种最佳化写入参数的系统，其使用两阶段调整。使用两阶段调整的最佳化写入参数的系统的一实施例包括一个写入参数调整控制器。写入参数调整控制器用以执行静态的写入策略参数最佳化作业来调整一个写入策略的至少一个静态的写入策略参数，以及在执行静态的写入策略参数最佳化作业后，执行一个动态的写入策略参数最佳化作业来调整该写入策略的至少一个动态的写入策略参数。
静态写入策略参数与光盘上的一个凹洞的单一长度相对应，并且动态写入策略参数用以克服当产生凹洞时的热干涉效应。
附图说明
图1a及图1b为范例的刻录凹洞的写入策略示意图；
图2为实施例的最佳化写入策略参数系统的硬件环境示意图；
图3为依据本发明实施例的使用二阶段调整最佳化写入参数的方法的流程图；
图4为依据本发明实施例的初始静态及动态写入策略参数的方法的流程图；
图5是描述本发明实施例的调整激光功率Pw的方法的示意图；
图6是描述本发明实施例的调整Pw及OD/m的方法的示意图；
图7a及图7b是描述本发明实施例的调整Pw、OD/m及Sk的方法；
图8a、图8b及图8c是描述本发明实施例的调整Pw、OD/m、Sk及Ek的方法的示意图；
图9为描述本发明实施例的调整Sk/Ek的方法的示意图；
图10为描述本发明实施例的调整动态写入策略参数的方法的示意图；
图11是描述本发明另一个实施例的调整动态写入策略参数的示意图。
主要组件符号说明：
Pw～激光功率大小；
OD～短标记增幅功率比例的过驱动值；
Sk～短标记的前缘的增幅宽度；
Ek～短标记的后缘的增幅宽度；
Rik～在前一个理论平面之后的一段距离的一位置；
Fkm～在后一个理论平面之前的一段距离的一位置；
m～中间脉冲相对频率基频的一比例；
100～光驱；           10～光学读写头；
12～射频信号；        20～信号读取单元；
22～均衡器；          23～均衡信号；
24～切割器；          25～切割信号；
30～写入参数调整单元；
31～写入品质侦测单元；
32～写入参数调整控制器；
40～标记写入单元；    33～对称性侦测器；
34～错误率侦测器；    35～抖动量侦测器；
36～长度偏差量侦测器；
37～边缘偏移量侦测器；
33s～射频信号的对称性(β值)；
34s～数据错误率；     35s～抖动量；
36s～各种标记组合的平均长度偏差量；
37s～各种标记组合的平均边缘偏移量；
38～写入参数；        41～写入脉冲控制信号；
50～写入参数储存单元；
42～写入脉冲产生器；  43～调制的信号；
44～写入脉冲；        45～激光二极管驱动器；
46～驱动信号；        50～写入参数储存单元；
S310、S320、...、S390、S395～方法步骤；
S411、S421、...、S431、S441～方法步骤；
S511、S521、...、S551、S561～方法步骤；
S611、S621、...、S655、S661～方法步骤；
S711、S721、...、S763、S771～方法步骤；
S811、S821、...、S883、S891～方法步骤；
S921、S931、...、S941、S943～方法步骤；
S1011、S1021、...、S1041、S1051～方法步骤；
S1111、S1121、...、S1141、S1151～方法步骤。
具体实施方式
本发明适用于最佳化两个种类的写入策略。图1a及图1b为范例的刻录凹洞的写入策略示意图，分别为范例的城堡式(castle type)写入策略及多脉冲式(multipulse type)写入策略。参考图1a，Pw代表激光功率大小、OD(over drive)代表短标记增幅功率比例的过驱动值、Sk及Ek分别代表短标记的前缘的增幅宽度及短标记的后缘的增幅宽度。短标记可包括3T至5T的标记。在实施例中，写入策略参数Pw、OD、Sk及Ek都代表静态写入策略参数。静态写入策略参数关系着标记能否成形以及成形的品质。此外，动态写入策略参数包括Rik及Fkm，其中ik及km代表前后不同T长度标记的组合，T长度可为3T至6T或以上。动态写入策略参数与前后T长度标记的组合有关。通过调整Rik及Fkm，可有效克服相邻标记间的热干涉效应，用以产生更准确的标记。参考图1b，在多脉冲写入策略中，Pw代表激光功率大小、Sk及Ek分别代表起始脉冲与结束脉冲的宽度，m代表中间脉冲相对时钟基频(base clock)T的一比例。Pw、m、Sk及Ek都代表静态写入策略参数，而Rik及Fkm代表动态写入策略参数。
在此特别强调，前述所称“凹洞”(pit)是指激光在光盘片上所形成特定长度的记号。其在某种类光盘片中，是形成特定长度的凹洞，但在另一种光盘片中，则是在光盘片上造成相变化但不形成明显凹洞，仅使其和平面区(land)具有不同的光反射量。
图2是本实施例的最佳化写入策略参数系统的硬件环境示意图。本实施例的光驱100包括光学读写头(optical pick-up，OPU)10、信号读取单元20、写入参数调整单元30以及标记写入单元40。信号读取单元20包括均衡器(waveform equalizer)22及切割器(slicer)24，为光驱100已知的读取通道(readchannel)的一部分。光学读写头10从光盘片11中读取数据标记，以产生射频(RF)信号12。均衡器22将射频信号12重建为均衡信号23。均衡信号23经由切割器24切割为切割信号25。均衡信号23及切割信号25为写入参数调整单元30的输入信号。
写入参数调整单元30包含两个装置：写入品质侦测单元31与写入参数调整控制器32。写入品质侦测器31包含一对称性侦测器33、一错误率侦测器34、一抖动量(jitter)侦测器35、一长度偏差量(length deviations)侦测器36与一边缘偏移量(edge shifts)侦测器37。在计算输入信号后，对称性侦测器33的输出信号为射频信号的对称性(也就是β值)33s，错误率侦测器34的输出信号为数据错误率34s，抖动量侦测器35的输出信号为抖动量35s，长度偏差量侦测器36的输出信号为各种标记组合的平均长度偏差量36s，而边缘偏移量侦测器37的输出信号则为各种标记组合的平均边缘偏移量37s。其中，长度偏差量侦测器可以为EFM(Eight-to-Fourteen Modulation)长度偏差量侦测器，而边缘偏移量侦测器可以为EFM(Eight-to-Fourteen Modulation)边缘偏移量侦测器。
写入参数调整控制器32的输入信号可以是射频信号的对称性β值33s、数据错误率34s、抖动量35s、各种标记组合的平均长度偏差量36s与各种标记组合的平均边缘偏移量37s中的任何一项信号或其中的组合，视写入参数调整作业的步骤而定。例如当判断是否接受写入品质时，数据错误率34s与抖动量35s作为输入信号输入至写入参数调整控制器32。当调整动态写入策略参数时，各种标记组合的平均长度偏差量36s或各种标记组合的平均边缘偏移量37s作为输入信号输入至写入参数调整控制器32。在此特别强调，本发明是采用上述多种参数其中一种或多种的组合，不必然需要同时参考所有参数。另外，除了上述参数外，熟悉此技艺的人士也可使用其它用以表示写入品质的各种参数来作为调整写入策略的依据。写入参数调整控制器32的输出信号则为写入脉冲控制信号41与写入参数38，其中写入脉冲控制信号41用于控制写入脉冲的波形，而写入参数38则储存至写入参数储存单元50。
写入参数调整控制器32在一般的写入策略参数调整作业中会设定多个候选的参数，经由逐一预写来获得最佳的数值。而在动态写入策略参数调整中，会依据实际测量的各种记号组合的平均长度偏差量或平均边缘偏移量来计算相对应的动态写入策略参数偏差量，并据以调整出新的动态写入策略参数。接着，写入参数调整控制器32送出控制信号41至写入脉冲产生器42。详细的调整流程将在后面的实施流程中进一步描述。
记号写入单元40包含一写入脉冲产生器(write pulse generator)42与一激光二极管驱动器(laser diode driver)45，为光驱100已知的写入通道(writechannel)的一部分。写入脉冲产生器42的输入为控制信号41与调制的(modulated)信号43，调制的信号43可以为一般编码数据经由调制所得到的信号或者是特殊样式(pattern)的信号。写入脉冲产生器42会根据控制信号41与调制信号43产生相对应的写入脉冲44，然后再由激光二极管驱动器45产生相对应的驱动信号46驱动光学读写头10作写入标记的动作。
写入参数储存单元50则是用来记录经过调整学习后，写入品质指针符合预先设定的标准的写入参数。写入参数储存单元50可以是EEPROM或FLASH-ROM等等。
图3为依据本发明实施例的使用二阶段调整最佳化写入参数的方法的流程图。该二阶段的递归流程分别将静态与动态的写入策略参数最佳化。第一阶段使用搜寻的方式找出最适合的静态写入策略参数，第二阶段则根据测量到的修正量来修正动态写入策略参数。需注意的是，在一个实施例中，使用城堡式激光输出作为写入策略，静态写入策略参数包括Pw、OD、Sk及Ek，并且表示为Ws，c，n；动态写入策略参数包括Rik及Fkm，并且表示为Wd，c，n，其中n代表第n次的写入策略。在另一个实施例中，使用多脉冲式激光输出作为写入策略。静态写入策略参数包括Pw、m、Sk及Ek，并且表示为Ws，c，n；动态写入策略参数包括Rik及Fkm，并且表示为Wd，c，n，其中n代表第n次的写入策略。在图3中，为了包含上述两个实施例，采用Ws，c，n(Pw，OD/m，Sk，Ek)表示。
如步骤S310，为一个准备程序，准备好初始的静态写入策略参数Ws，c，0(Pw，OD/m，Sk，Ek)与动态写入策略参数Wd，c，0(Rik，Fkm)。在步骤S320，令n＝1并且Wd，c，1(Rik，Fkm)＝Wd，c，0(Rik，Fkm)。将在图4进一步描述步骤S310的细节。图4为提供由步骤S310(图3)所执行的初始静态及动态写入策略参数的方法的流程图。如步骤S411，先侦测所加载的光盘片11(图2)的光盘片型态与辨识码(ID)。可从光盘片11中取得光盘片的型态(例如CD、DVD-R、DVD+R DVD-RW、SACD等)以及识别码。如步骤S421，判断是否支持所加载的光盘片11，所谓支持是指该光驱100对该光盘片11有内建的写入策略。若目前的媒体有内建的写入策略支持，流程进行至步骤S423，若否，至步骤S425。如步骤S423，取出关联于取得的光盘片型态及识别码的内建的静态写入策略参数Ws(OD/m，Sk，Ek)与动态写入策略参数Wd(Rik，Fkm)。如步骤S425，取得预定的一般静态写入策略参数Ws g(OD/m，Sk，Ek)与动态写入策略参数Wd g(Rik，Fkm)。关联于所取得的光盘片型态及识别码的内建的静态及动态写入策略参数，以及预定的一般静态及动态写入策略参数可从储存单元50(图2)取得。如步骤S431，为取得的静态及动态写入策略参数执行一次最佳激光输出功率校准程序(optimum power calibration，OPC)，OPC程序为熟习此技艺人士所知，用以获得最佳写入功率Pw。如步骤S441，将取得的静态写入策略参数W s(OD/m，Sk，Ek)及通过OPC程序所获得的最佳写入功率Pw设定为初始的静态写入策略参数Ws，c，0(Pw，OD/m，Sk，Ek)。并且将取得的动态写入策略参数设定为初始的动态写入策略参数Wd，c，1(Rik，Fkm)。
参考图3，步骤S330为最佳化静态写入策略参数的流程。如步骤S330，根据既有的动态写入策略参数Wd，c，n(Rik，Fkm)执行静态写入策略参数最佳化作业来取得新的静态写入策略参数Ws，c，n(Pw，OD/m，Sk，Ek)。步骤S330可采用描述于图5至图9的实施例的一个。最佳化静态写入策略参数的实施例的细节描述于下。调整所有的静态写入策略参数可能是不必要的。静态写入策略参数最佳化可在Pw、OD/m、Sk及Ek中调整一个或多个静态写入策略参数。在步骤S330中至少调整一个静态写入策略参数。需注意的是，应用于步骤S330中的动态写入策略参数是目前为止最新调整过的动态写入策略参数。
步骤S340进行第一阶段的静态写入策略参数最佳化的结果验证。步骤S340判断经由一段预写所新取得的静态写入策略参数及既有的动态写入策略参数，其写入品质是否满足预定的规格。若是，流程进行至步骤S370来写入(或刻录)数据，若否，至步骤S350。步骤S350使用图10或图11所示的动态写入策略参数调整方法通过修正热干涉效应的影响以获得一组新的动态写入策略参数。具体而言，如步骤S350，根据既有的静态写入策略参数Ws，c，n(Pw，OD/m，Sk，Ek)来执行动态写入策略参数最佳化作业，以取得新的动态写入策略参数Wd，c，n+1(Rik，Fkm)。调整所有动态写入策略参数可能是不必要的。动态写入策略参数的最佳化可在Rik及Fkm中调整一个或多个动态写入策略参数。需注意的是，应用在流程S350中的静态写入策略参数都是使用目前为止最新更新调整过的静态写入策略参数。
步骤S360进行第二阶段的动态写入策略参数最佳化调整的结果验证。步骤S360判断经由新获得的动态写入策略参数配合既有的静态写入策略参数完成的一段预写，其写入品质是否满足预定的规格。若是，流程进行至步骤S370来进行正常数据刻录。若否，至步骤S380。具体而言，步骤S360中，判断Ws，c，n(Pw，OD/m，Sk，Ek)及Wd，c，n+1(Rik，Fkm)的写入策略的写入品质是否被接受。步骤S370中，使用新获得的静态及动态写入策略参数的写入策略来刻录资料。步骤S380中，将n加1。步骤S390中，判断n是否已经超过可以进行的调整次数上限nMAX。若是，流程进行至步骤S395，储存相应于目前较好的写入品质所获得的较好的静态及动态写入策略参数，并且回报给主控端(HOST)，由主控端决定是否继续进行刻录或显示相应的信息。若否，流程进行至步骤S330，来开始下一个静态及动态写入参数最佳化作业。
步骤S340及步骤S360可以选择最近一次的预写区域进行结果验证，而不需要另外启动新的预写。另外根据实务经验，通常只需进行单一一次的二阶段写入策略参数调整即可获得相当好的写入品质。也就是说，在本发明的实施例中，可以将步骤S390的调整次数上限nMAX限制设定为一。
图5至图9为实施例的调整静态写入策略参数的方法的流程图，在步骤S330执行(如图3所示)。实施例都使用一维搜寻的方式以获得最佳的静态写入策略参数值。这几个实施例的主要差别在于所选定需要调整的静态写入策略的总数。而在每一次的一维搜寻时，除了要最佳化的静态写入策略参数以外，其余的静态写入策略参数是固定的。
图5是描述本发明实施例的调整激光功率Pw的方法的示意图。如步骤S511，先将其余的静态写入策略参数(OD/m、Sk、Ek)设定为固定。如步骤S521，由Pw来产生一系列的预写激光功率值P1、P2至Pk。例如，Pi为Pw以一个特定值来增加或减少，其中i的范围为1及k之间。如步骤S531，以先前产生的写入激光功率值P1、P2至Pk配合固定的其余静态写入策略参数(OD/m、Sk、Ek)来进行一系列的预写。如步骤S541，从先前的预写来重读射频信号以测量重读信号的写入品质。如步骤S551，根据所测量的写入品质指针，从先前产生的写入激光功率值P1、P2至Pk来决定出候选的最佳激光功率值Pw，c。如步骤S561，获得目前的候选的静态写入策略参数Ws(Pw，c，OD/m，Sk，Ek)。如步骤S551，可将相应于最佳写入品质指针的一个产生的写入激光功率值作为最佳候选的写入激光功率值，或者由相应于写入品质指针可接受的区间中的一个产生的写入激光功率值来作为最佳候选的写入激光功率值。如步骤S531及S541，可在执行完所有预写后，再测量其写入品质指针；或者在执行一部分的预写后，就测量写入品质指针。而写入品质的指针可以是写入品质侦测单元31(图3)所输出的射频信号的对称性33s、数据错误率34s、抖动量35s、各种标记组合的平均长度偏差量36s与各种标记组合的平均边缘偏移量37s。
图6是描述本发明实施例的调整Pw及OD/m的方法的示意图。此实施例为静态的写入策略调整的第二个实施例。第二个实施例的调整顺序依序为Pw(S611至S623)及OD/m(S651及S655)。Pw及OD/m的调整细节可参考图5的描述。需注意的是，先调整OD/m后再进行Pw的调整也是可行的实施方法。
图7a及图7b是描述本发明实施例的调整Pw、OD/m及Sk的方法。Pw及OD/m的调整细节可参考图6的描述。Sk的调整细节可参考下文图9的描述。熟悉此技艺的人士都了解可将Sk置换为Ek。本发明另外提供依序调整Pw、OD/m及Ek的实施例。
图8a、图8b及图8c是描述实施例的调整Pw、OD/m、Sk及Ek的方法的示意图。Pw、OD/m、Sk及Ek的调整细节可参考如之前图5、图6、图7a及图7b所示的三个实施例。Sk及Ek的调整细节可参考下文的图9。
图9是描述实施例的调整Sk/Ek的方法的示意图，可以在不同实施例(如图5、图6、图7a、图7b、图8a、图8b或图8c所示)所描述的流程的相关步骤执行。如步骤S921，判断所有要求的nT宽度是否完全最佳化，其中nT为3T至11T中的一个。若是，流程进行至步骤S943，若否，至步骤S931。如步骤S931，选择一个nT宽度来最佳化。如步骤S933，执行从SnT/EnT所取得的nT、SnT，1/EnT，1、SnT，2/EnT，2至SnT，k/EnT，k的各种起始/结束宽度的一系列预写。如步骤S935，读取重读信号来判断从SnT，1/EnT，1、SnT，2/EnT，2至SnT，k/EnT，k的最佳起始/结束宽度候选值SnT，c/EnT，c。如步骤S941，判断写入品质是否被接受。若是，流程进行至步骤S943，若否，至步骤S921。如步骤S943，取得目前的候选的起始/结束宽度参数值SnT，c/EnT，c。
图10是描述本发明实施例的调整动态写入策略参数的方法的示意图。如步骤S1011，根据从先前预写区域所读取的重读射频信号，得到与一般的(平面，凹洞)(land，pit)及(凹洞，平面)(pit，land)组合中的理想值间的差异的平均长度偏差量。如步骤S1021，判断所测量的平均长度偏差量是否低于一预定的规格。若是(也即所测量的平均长度偏差量是被接受的)，流程进行至步骤S1051，若否，至步骤S1023。如步骤S1051，输出调整后的动态写入策略参数Dn+1(Rik、Fkm)。如步骤S1023，根据所测量的相应的组合Sn(Rik、Fkm)的平均长度偏差量来计算出动态写入策略修正量dn(Rik、Fkm)。例如，可经由下列方程式来决定出各种(Rik、Fkm)组合的偏差量：
d(Rik、Fkm)＝K(Rik、Fkm)*S(Rik、Fkm)
其中，d(Rik、Fkm)代表(Rik、Fkm)的特定组合的修正量，K(Rik、Fkm)代表(Rik、Fkm)的特定组合的理想凹洞长度及相应于预写的重读信号的实际长度之间的差异的一个平均，以及S(Rik、Fkm)代表(Rik、Fkm)的特定组合的比例常数。需注意的是，在每一次的调整后决定出d(Rik、Fkm)的各种组合的调整量，其中i、k及m分别代表3至11的一个，在较佳的情况下为3至6。如步骤S1031，判断预写次数是否低于一个预定的测试上限。若否，流程进行至步骤S1051，若是，至步骤S1041。一般而言，预定的测试限制为一，也就是说，动态写入策略参数通常在一次之后，就可调整到可接受的水平。如步骤S1041，以动态写入策略参数Dn+1(Rik、Fkm)＝Dn(Rik、Fkm)+dn(Rik、Fkm)进行下一次的试写。
图11是描述本发明另一个实施例的调整动态写入策略参数的示意图。与图10所描述的实施例的差异如下所述。如步骤S1111，根据从先前预写区域所读取的重读射频信号来取得与一般的(平面，凹洞)(land，pit)及(凹洞，平面)(pit，land)组合的理想边缘距离间的差异的平均边缘偏移量(不同于如图10的步骤S1011所示的平均长度偏差量)。如步骤S1121，判断所测量的平均边缘偏移量(不同于如图10的步骤S1021所示的平均长度偏差量)是否低于预定的规格。如步骤S1123，根据相应的组合Sn(Rik、Fkm)的测量的平均边缘偏移量(不同于如图10的步骤S1023所示的平均长度偏差量)来计算动态写入策略修正量dn(Rik、Fkm)。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此项技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定的范围为准。

Claims (22)

1. 一种使用两阶段调整的最佳化写入策略参数的方法，用以记录多个图案子一光盘上，其特征在于包括：
执行一第一类的写入策略参数最佳化作业，用于调整一写入策略中至少一第一类写入策略参数；以及
在执行上述第一类写入策略参数最佳化作业后执行一第二类的写入策略参数最佳化作业，用于调整上述写入策略的至少一第二类写入策略参数；
其中上述第一类及第二类写入策略参数中的一个相应于每一单一图案，并且写入策略参数中的另一个相应于每一图案组合。
2. 如权利要求1所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数方法，其特征在于，当通过上述第一类的写入策略参数最佳化作业所调整的上述写入策略的一写入品质结果不被接受时，执行上述第二类的写入策略参数最佳化作业。
3. 如权利要求1所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数方法，其特征在于，重复执行上述第二类的写入策略参数最佳化作业，直到当通过上述第一及先前的第二类的写入策略参数最佳化作业所调整的上述写入策略的一写入品质结果被接受时，或代表上述第二类写入策略参数最佳化作业的调整次数的一数目高于一预先设定值时为止。
4. 如权利要求1所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数方法，其特征在于，其中上述写入策略是一城堡式激光输出，上述第一类的写入策略参数为一激光功率大小、代表增幅功率比例的一过驱动值、一nT标记的一前缘的一增幅宽度、或一nT标记的一后缘的一增幅宽度、以及上述第二类的写入策略参数相应于一平面-凹洞及凹洞-平面组合，上述第二类的写入策略参数指出在前一个理论平面之后的一段距离的一位置或在后一个理论平面之前的一段距离的一位置。
5. 如权利要求1所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数方法，其特征在于，其中上述写入策略是一多脉冲激光输出，上述第一类的写入策略参数指出一激光功率大小，指出一个中间脉冲宽度相对频率基频的一比例，一nT标记的一前缘的一增幅宽度、或一nT标记的一后缘的一增幅宽度、以及上述第二类的写入策略参数相应于一平面-凹洞及凹洞-平面组合，上述第二类的写入策略参数指出在前一个理论平面之后的一段距离的一位置或在后一个理论平面之前的一段距离的一位置。
6. 如权利要求1所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数方法，其特征在于，其中上述写入策略指出一城堡式激光输出或一多脉冲激光输出，上述第一类的写入策略参数为一静态写入策略参数，上述静态写入策略参数指出一激光功率大小Pw、代表增幅功率比例的一过驱动值OD、一kT标记的一前缘的一增幅宽度Sk、或一kT标记的一后缘的一增幅宽度Ek、或指出一个中间脉冲宽度相对频率基频的一比例m，以及上述第一类的写入策略参数最佳化作业进一步包括：
从Pw、OD、Sk、Ek及m中决定出欲调整的一第一静态写入策略参数；
根据上述第一静态写入策略参数的目前设定来产生上述第一静态写入策略参数的一系列第一数值；
执行上述写入策略的一系列写入，其中仅改变上述第一静态写入策略参数会根据上述先前产生的一系列第一数值，而并不改变其余的写入策略参数；以及
通过读取上述先前样本记录，以根据射频或切割的信号的重读结果来决定上述第一写入策略参数的最佳设定。
7. 如权利要求6所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数方法，其特征在于，其中上述第一类的写入策略参数最佳化作业更包括：
当包括上述调整后的第一静态写入策略参数的上述写入策略的一写入品质结果不被接受时，从上述未调整的静态写入策略参数中决定出欲调整的一第二静态写入策略参数；
根据上述第二静态写入策略参数的目前设定来产生上述第二静态写入策略参数的一系列第二数值；
执行上述写入策略的一系列写入，其中仅改变上述第二静态写入策略参数会根据上述先前产生的一系列第二数值，而并不改变其余的写入策略参数；以及
通过读取上述先前样本记录，以根据射频或切割的信号的重读结果来决定上述第二写入策略参数的最佳设定。
8. 如权利要求7所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数方法，其特征在于，其中上述第一类的写入策略参数最佳化作业更包括：
当包括上述调整后的第一及第二静态写入策略参数的上述写入策略的一写入品质结果不被接受时，从上述未调整的静态写入策略参数中决定出欲调整的一第三静态写入策略参数；
根据上述第三静态写入策略参数的目前设定来产生上述第三静态写入策略参数的一系列第三数值；
执行上述写入策略的一系列写入，其中仅改变上述第三静态写入策略参数会根据上述先前产生的一系列第三数值，而并不改变其余的写入策略参数；以及
通过读取上述先前样本记录，以根据射频或切割的信号的重读结果来决定上述第三写入策略参数的最佳设定。
9. 如权利要求8所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数方法，其特征在于，其中上述第一类的写入策略参数最佳化作业还包括：
当包括上述调整后的第一、第二及第三静态写入策略参数的上述写入策略的一写入品质结果不被接受时，从上述未调整的静态写入策略参数中决定出欲调整的一第四静态写入策略参数；
第四静态写入策略参数的目前设定来产生上述第四静态写入策略参数的一系列第四数值；
执行上述写入策略的一系列写入，其中仅改变上述第四静态写入策略参数会根据上述先前产生的一系列第四数值，而并不改变其余的写入策略参数；以及
通过读取上述先前样本记录，以根据射频或切割的信号的重读结果来决定上述第四写入策略参数的最佳设定。
10. 如权利要求1所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数方法，其特征在于，其中上述写入策略指出一城堡式激光输出或一多脉冲激光输出，上述第二类的写入策略参数为相应于复数平面-凹洞及凹洞-平面组合的动态写入策略参数，其是指出在前一个理论平面之后的一段距离的一位置，或在后一个理论平面之前的一段距离的一位置，并且上述第二类的写入策略参数最佳化作业还包括：
以最新更新的静态写入策略参数及上述动态写入策略参数的目前设定来执行上述写入策略的一系列写入；
从上述先前的样本记录读取上述重读的切割的信号；
根据样本记录的上述重读的信号来产生代表上述理论凹洞/平面及实际记录的凹洞/平面之间的差异的一测量值；以及
根据上述产生的测量值来产生上述动态写入策略参数的复数新设定值。
11. 一种使用两阶段调整的最佳化写入策略参数的系统，其特征在于包括：
一写入参数调整控制器，执行一第一类的写入策略参数最佳化作业以调整一写入策略的至少一第一类写入策略参数，以及在执行上述第一类的写入策略参数最佳化作业后，执行一第二类的写入策略参数最佳化作业来调整上述写入策略的至少一第二类的写入策略参数，
其中上述第一类及第二类写入策略参数中的一个相应于每一单一图案，并且写入策略参数中的另一个相应于每一图案组合。
12. 如权利要求11所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数系统，其特征在于，当通过上述第一类的写入策略参数最佳化作业所调整的上述写入策略的一写入品质结果不被接受时，上述写入参数调整控制器执行上述第二类的写入策略参数最佳化作业。
13. 如权利要求12所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数系统，其特征在于，其中上述结果指出通过系统中的一对称性侦测器所侦测到的射频信号的对称性，通过系统中的一错误率侦测器所侦测到的切割信号的错误率，或通过系统中的一抖动量侦测器所侦测到的切割信号的抖动量。
14. 如权利要求11所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数系统，其特征在于，其中上述写入参数调整控制器重复执行上述第二类的写入策略参数最佳化作业，直到当通过上述第一及先前的第二类的写入策略参数最佳化作业所调整的上述写入策略的一写入品质结果被接受时，或代表上述第二类写入策略参数最佳化作业的调整次数的一数目高于一预先设定值时为止。
15. 如权利要求14所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数系统，其特征在于，其中上述结果指出通过其系统中的一EFM长度偏差量侦测器所侦测到的凹洞/平面长度偏差量，或通过系统中的一EFM边缘偏移量侦测器所侦测到的凹洞/平面边缘偏移量。
16. 如权利要求11所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数系统，其特征在于，其中上述写入策略是一城堡式激光输出，上述第一类的写入策略参数为一激光功率大小、代表增幅功率比例的一过驱动值、一nT标记的一前缘的一增幅宽度、或一nT标记的一后缘的一增幅宽度、以及相应于一平面-凹洞及凹洞-平面组合的上述动态写入策略参数是指出在前一个理论平面之后的一段距离的一位置，或在后一个理论平面之前的一段距离的一位置。
17. 如权利要求11所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数系统，其特征在于，其中上述写入策略是一多脉冲激光输出，上述第一类的写入策略参数为一激光功率大小，一个中间脉冲宽度相对频率基频的一比例，一nT标记的一前缘的一增幅宽度、或一nT标记的一后缘的一增幅宽度、以及相应于一平面-凹洞及凹洞-平面组合的上述动态写入策略参数是指出在前一个理论平面之后的一段距离的一位置，或在后一个理论平面之前的一段距离的一位置。
18. 如权利要求11所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数系统，其特征在于，其中上述写入策略指出一城堡式激光输出或一多脉冲激光输出，上述第一类的写入策略参数为静态写入策略参数，上述静态写入策略参数为一激光功率大小Pw、代表增幅功率比例的一过驱动值OD、一kT标记的一前缘的一增幅宽度Sk、或一kT标记的一后缘的一增幅宽度Ek、或指出一个中间脉冲宽度相对频率基频的一比例m，以及上述第一类的写入策略参数最佳化作业还包括：
从Pw、OD、Sk、Ek及m中决定出欲调整的一第一静态写入策略参数；
根据上述第一静态写入策略参数的目前设定来产生上述第一静态写入策略参数的一系列第一数值；
执行上述写入策略的一系列写入，其中仅改变上述第一静态写入策略参数会根据上述先前产生的一系列第一数值，而并不改变其余的写入策略参数；以及
通过读取上述先前样本记录，根据射频或切割信号的重读结果来决定上述第一写入策略参数的最佳设定。
19. 如权利要求18所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数系统，其特征在于，其中上述第一类的写入策略参数最佳化作业还包括：
当包括上述调整后的第一静态写入策略参数的上述写入策略的一写入品质结果不被接受时，从上述未调整的静态写入策略参数中决定出欲调整的一第二静态写入策略参数；
根据上述第二静态写入策略参数的目前设定来产生上述第二静态写入策略参数的一系列第二数值；
执行上述写入策略的一系列写入，其中仅改变上述第二静态写入策略参数会根据上述先前产生的一系列第二数值，而并不改变其余的写入策略参数；以及
通过读取上述先前样本记录，以根据射频或切割信号的重读结果来决定上述第二写入策略参数的最佳设定。
20. 如权利要求19所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数系统，其特征在于，其中上述第一类的写入策略参数最佳化作业还包括：
当包括上述调整后的第一及第二静态写入策略参数的上述写入策略的一写入品质结果不被接受时，从上述未调整的静态写入策略参数中决定出欲调整的一第三静态写入策略参数；
根据上述第三静态写入策略参数的目前设定来产生上述第三静态写入策略参数的一系列第三数值；
执行上述写入策略的一系列写入，其中仅改变上述第三静态写入策略参数会根据上述先前产生的一系列第三数值，而并不改变其余的写入策略参数；以及
通过读取上述先前样本记录，以根据射频或切割信号的重读结果来决定上述第三写入策略参数的最佳设定。
21. 如权利要求20所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数系统，其特征在于，其中上述第一类的写入策略参数最佳化作业还包括：
当包括上述调整后的第一、第二及第三静态写入策略参数的上述写入策略的一写入品质结果不被接受时，从上述未调整的静态写入策略参数中决定出欲调整的一第四静态写入策略参数；
根据上述第四静态写入策略参数的目前设定来产生上述第四静态写入策略参数的一系列第四数值；
执行上述写入策略的一系列写入，其中仅改变上述第四静态写入策略参数会根据上述先前产生的一系列第四数值，而并不改变其余的写入策略参数；以及
通过读取上述先前样本记录，以根据射频或切割信号的重读结果来决定上述第四写入策略参数的最佳设定。
22. 如权利要求11所述的使用两阶段调整的最佳化写入策略参数系统，其特征在于，其中上述写入策略指出一城堡式激光输出或一多脉冲激光输出，上述第二类的写入策略参数为相应于复数平面-凹洞及凹洞-平面组合的动态写入策略参数，其是在前一个理论平面之后的一段距离的一位置，或在后一个理论平面之前的一段距离的一位置，并且上述第二类的写入策略参数最佳化作业还包括：
以最新更新的静态写入策略参数及上述动态写入策略参数的目前设定来执行上述写入策略的一系列写入；
从上述先前的样本记录读取上述重读的切割信号；
根据样本记录的上述重读的信号来产生代表上述理论凹洞/平面及实际记录的凹洞/平面之间的差异的一测量值；以及
根据上述产生的测量值来产生上述动态写入策略参数的复数新设定值。
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