CN101494059B - 决定光学储存装置中光盘写入策略的方法与光学储存装置 - Google Patents
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Abstract
一种决定光学储存装置中光盘写入策略的方法与光学储存装置,所述方法包含侦测所述光盘的一特性,其中所述特性为所述光盘的一类别和一写入速度两者的至少一者;依据所侦测到的光盘的特性,决定一初始写入策略;通过执行一写入脉冲调整以调整所述初始写入策略,所述写入脉冲调整包含调整所述初始写入策略中一写入脉冲的一第一边缘及紧接于所述第一边缘之后的一第二边缘,以产生一调整后的写入策略;使用所述调整后的写入策略写入数据到光盘上;当由光盘读取所写入的数据时,测量至少一再生信号质量数值;以及依据所述再生信号质量数值来决定一写入策略。本发明的有益效果在于,其提供了一种适合快速与自动写入策略调整的方法与装置。
Description
本案是2006年1月13日提交的,申请号为2006100011228,发明名称为决定光学储存装置中光盘写入策略的方法与光学储存装置一案的分案申请。
技术领域
本发明是有关于一种光学储存装置,尤指一种当储存数据到一光盘上时决定一写入策略的方法与光学储存装置。
背景技术
常见的用来储存光学式可写入(writable)或可复写(rewritable)信息于其上的媒体包括相变储存媒体(phase-change storage media)与磁光储存媒体(magneto-optical recording media),当写入信息到一相变储存媒体时,该媒体的一信息层(information layer)将被一聚焦的激光射线光束所照射,藉以部分地加热与熔化该信息层。该信息层可以达到的最高温度取决于在该层的加热或是冷却过程中作用于该层的激光射线的强度,因此信息层的光学特性,例如相关的折射率(refractive index),都可通过调整激光射线的强度来加以改变,更进一步而言,若激光射线的强度比一预定的参考标准高,则储存媒体上被该激光射线所照射过的部分信息层将由一上升温度被快速地冷却而形成非结晶(amorphous)的部分,换句话说,若该激光射线的强度相对较低,则储存媒体中该信息层的被照射部分将逐渐地由一中至高的温度被逐渐冷却而形成结晶的部分,该储存媒体的该信息层上非结晶的部分被称作为标记(mark),而结晶的部分则被称作为空白(space),也就是说,标记与空白在折射率等方面具有彼此完全不同的光学特性,于是数字资料便通过以一特定模式来设置标记与空白而储存于该储存媒体的该信息层之中。在此,被用来写入信息的激光射线被称作“写入射线(write radiation)”。
对于读取储存在一相变储存媒体上的信息而言,信息层是被一强度够低以至于不会导致任何相位变化的激光射线光束所照射,而经由该信息层所反射的一射线光束将被侦测到,在此被用来读取信息的激光射线被称作“读取 射线(readout radiation)”。该储存媒体的信息层上的标记(或称非结晶的部分)具有相对较低的反射系数(reflectance),而该储存媒体的信息层上的空白(或称结晶的部分)则具有相对较高的反射系数,于是,通过判断经由标记或空白所反射的射线在反射量上的差异就可以得到一再生信号(reproduced signal)。
信息可以通过一脉冲位置调制(pulse position modulation,PPM)或脉冲宽度调制(pulse width modulation,PWM)等技术而被记录在储存媒体上,该脉冲宽度调制技术也称作一“标记边缘记录(mark edge recording)”技术,而依照该脉冲位置调制技术,标记便随着标记间空白的长度变化而被加以记录,其中所欲写入的信息就经由标记的位置而储存下来,每一标记就被一具有相对短而固定的脉冲宽度的脉冲所代表;相反地,依照该脉冲宽度调制技术,不同长度的标记也经由标记间空白的长度变化而被加以记录,而所欲写入的信息则被标记与空白的边缘位置(edge position)间的不同长度所代表。大致上来说,以该脉冲宽度调制技术记录该信息的密度有可能高过以该脉冲位置调制所记录的信息的密度。
相较于脉冲位置调制,在进行一脉冲宽度调制时,其具有较长的标记被记录下来,然而若长的标记都被记录在一相变储存媒体上,因为该媒体的信息层可能会以各种方式积聚或发散热量,而其每次记录的灵敏度可能大不相同,因此这些标记的宽度可能都不一致。若该信息层为了记录一长的标记而持续地被射线所照射一段很长的时间,则该长的标记的后半部很可能会因为过长时间的热量累积而导致宽度的增加,而为避免标记的长度不当地增加,通常用一写入策略来控制写入射线。
图1为已知技术中写入脉冲波形100、被形成在信息层上的标记102的形状、读取信号波形104以及经过数字化读取信号波形之后得到的二进制数据106的示意图。如图1所示,写入脉冲波形100是经由一用来调整写入射线的写入脉冲(write pulses)所定义出来的,而该写入射线的功率(或称写 入功率(write power)),是正比于每个写入脉冲的强度。理论上,依照一射线源的形式(例如一半导体激光二极管(semiconductor laser diode)),可以找到一写入射线的波形与写入脉冲的波形间的差异,然而,通过以下的描述可知写入射线的波形与写入脉冲的波形是难以区分开来的。
首先,请参考图1中的写入脉冲波形100,写入脉冲波形100是用来形成一单一标记,且其由一第一脉冲1、一多脉冲串行(multi-pulse train)2以及一第二脉冲3所构成,注意,在时间轴上它们是依照这个顺序一个接着一个出现的。写入功率是以峰值功率(peak power)Pp、一第一偏压功率(biaspower)Pb1以及一第二偏压功率Pb2来进行调整的。值得注意的是,虽然多脉冲串行2通常是指至少由两个脉冲所组成,但为了方便起见,只有位于第一与第二脉冲间的一个脉冲将会被标示。在通过写入射线照射该储存媒体的信息层以形成一单一标记的一时间间隔中,该写入功率是通过峰值功率Pp与第二偏压功率Pb2所调整,这个时间间隔称作一标记期间(marking period);另一方面,在通过写入射线照射该储存媒体的信息层以形成一单一空白的一时间间隔中,该写入功率是由第一偏压功率Pb1所调整,这个时间间隔则称作一空白期间(spacing period)。
通常来说,一光学记录/再生装置必须对具有各种不同记录特性的光信息载体适当地写入或读取信息,因此若信息想要在一固定的平均功率下(也即在标记期间的平均写入功率下)以一相对较低的记录灵敏度写入在一信息载体上时,则形成于这样的载体上的标记的长度与宽度将比较小,因此,在考虑一信息载体的记录灵敏度下所得的以一适当值去初始化一射线源的写入功率之后,已知光学记录/再生装置将会对该写入功率作补偿以适当地去调整标记的长度与宽度,这个过程被称作“写入功率的学习(write power learning)”,尤指一光学记录/再生装置为了测试的目的而通过该信息载体上一相对较短的标记对该写入功率作补偿,接着调整该写入功率使得该较短的标记可以被正确地记录下来,由于这个策略在记录具有小振幅的一读取信号的短标记上 十分重要而无可替代,因而被广泛地采用。
然而,就算是以已知技术的方法补偿该写入功率,读取错误仍旧是无可避免的,而且一个长的标记比较可能发生这样的读取错误,请参照图1的标记4,这样的标记4会形成主要是由于如果与多脉冲串行2相关的热能(或在标记期间通过该写入射线作用的平均功率)低于一最小要求,如图1所示,标记4的前端边缘(front edge)与后端边缘(rear edge)相对来说较宽,而其中间的部分相对来说较窄,由已知技术所记录的标记会产生这种不想要的现象,称作中间窄化(middle narrowing)。
当这个标记4被读取射线所照射时,由标记4所反射回来的射线将被一光电探测器(photodetector)所接收而转换成一电气信号,接着,可以获得如图1所示的一具有双波峰的读取信号5,而如果读取信号5经由临界值6而数字化,则会形成两个离散脉冲7、8,其结果为不论是标记4的边缘的准确位置或是长度都无法被精准地辨识出来,因此导致在读取该储存媒体的数据时产生读取错误。在接下来的描述中,标记的中间部分(也即介于前端边缘与后端边缘间的部分),通常其相对应读取信号的强度都比较小,因此将会被误认为是一空白而非标记的一部分,这个部分被称作引起读取错误的部分(read-error-inducing portion)。
在已知的光学读取/再生装置补偿写入功率时,如果读取错误数目的增加被一系统控制器侦测到,则该写入功率会自动地被调整以降低读取错误,图1的右边描述了这种已知写入功率补偿技术。根据已知写入功率补偿技术,每一写入射线的脉冲的功率强度将通过一系数α(注意α>1)而增加,所以,如图1右边所示的波形的射线便照射一光学储存媒体,其中Pp’=α*Pp,Pb1’=α*Pb1而Pb2’=α*Pb2,然而若这三个功率强度都被以相同的系数所增加,则如图1的右边所示,标记10将比所预期的标记9来得更长且更宽。因此这样一个超长与超宽的标记10将导致一再生信号12相较于所预期的再生信号11而变得更横向扩张,而且如果再生信号12被其临界值6所数字化,则通过数字资料的脉冲宽度所表示出来的标记长度14会比图1右边所示的正确标记长度13来得长,结果是不论标记9的边缘的位置或是长度都无法被正确地辨识出来,因此便导致读取错误。
值得注意的是,这样的问题并非单单只有相变储存媒体会发生,而是可能发生在任何的光储存载体中,例如一磁光储存媒体(magneto-opticalrecording medium)。
发明内容
因此,本发明的目的之一在于提供一种当储存数据到一光学储存装置中一光盘时决定一写入策略的改良方法,以解决上述问题。
本发明是揭露一种决定光学储存装置中光盘写入策略的方法。该方法包含有:侦测所述光盘的一特性;依据所侦测到的光盘的特性,其中所述特性为所述光盘的一类别和一写入速度两者的至少一者,决定一初始写入策略;通过执行一写入脉冲调整以调整所述初始写入策略,所述写入脉冲调整包含调整所述初始写入策略中一写入脉冲的一第一边缘及紧接于所述第一边缘之后的一第二边缘,以产生一调整后的写入策略;使用所述调整后的写入策略写入数据到光盘上;当由光盘读取所写入的数据时,测量至少一再生信号质量数值;以及依据所述再生信号质量数值来决定一写入策略。
本发明是揭露一种决定光学储存装置中光盘写入策略的方法。该方法包含有:侦测所述光盘的一特性,其中所述特性为所述光盘的一类别和一写入速度两者的至少一者;依据所侦测到的光盘的特性,决定一初始写入策略;通过执行一写入脉冲调整以调整所述初始写入策略,所述写入脉冲调整包含通过一第一时间单元来调整所述初始写入策略中一写入脉冲的一第一边缘,以产生一调整后的写入策略;使用所述调整后的写入策略写入数据到光盘上;当由光盘读取所写入的数据时,测量至少一再生信号质量数值;以及依据所述再生信号质量数值来决定一写入策略;其中,所述写入脉冲调整另包括:调整所述初始写入策略的一初始脉冲或一最后脉冲;通过固定一中间脉冲的 一第一边缘并且调整该中间脉冲的紧接于所述中间脉冲的所述第一边缘之后的一第二边缘的方式,调整所述初始写入策略的介于所述初始脉冲与所述最后脉冲间的中间脉冲;其中,调整所述初始写入策略的所述初始脉冲或所述最后脉冲包括调整所述初始脉冲或所述最后脉冲的一第一边缘及紧接于所述初始脉冲或所述最后脉冲的所述第一边缘之后的一第二边缘,并经由双循环方式来调整所述初始脉冲或所述最后脉冲的所述第一边缘及所述第二边缘。
本发明另揭露一种光学储存装置。该光学储存装置包含有:一光学储存媒体接收单元,用以接收一光学储存媒体与侦测该光学储存媒体的一特性,其中所述特性为所述光学储存媒体的一类别和一写入速度两者的至少一者;一光学读写头,用以写入至少一标记于所述光学储存媒体上,以及从对应于该标记的该光学储存媒体读取数据;一写入脉冲控制器,耦接于所述光学读写头,用以依据侦测到的光学储存媒体的特性来决定一初始写入策略,以及通过一第一时间单元调整所述初始写入策略中一写入脉冲的一第一边缘,以调整该初始写入策略并产生一调整后的写入策略,及输出该调整后的写入策略以将资料写入至该光学储存媒体上,并依据至少一再生信号质量数值决定一写入策略;以及一信号质量测量单元,耦接于所述写入脉冲控制器以及所述光学读写头,用以当从所述光学储存媒体读取所写入的数据时,测量该再生信号质量数值;其中,当执行写入脉冲调整时,所述写入脉冲控制器另调整初始写入策略的一初始脉冲或一最后脉冲,并通过固定一中间脉冲的一第一边缘并且调整紧接于该中间脉冲的所述第一边缘之后的一第二边缘的方式,调整初始写入策略的介于初始脉冲与最后脉冲间的中间脉冲;所述写入脉冲控制器通过调整所述初始脉冲或所述最后脉冲的第一边缘及紧接于所述初始脉冲或所述最后脉冲的所述第一边缘之后的第二边缘以调整所述初始写入策略的所述初始脉冲或所述最后脉冲,并经由双循环方式来调整所述初始脉冲或所述最后脉冲的所述第一边缘及所述第二边缘,其中,所述双循环方式是指成双地一并调整。
本发明揭露一种决定光学储存装置中光盘写入策略的方法,其特征在于,该方法包含有:侦测所述光盘的一特性,其中所述特性为所述光盘的一类别和一写入速度两者的至少一者;依据所述特性,决定一初始写入策略;利用所述初始写入策略在所述光盘上写入数据;从所述光盘读取所述数据,并测量多个再生信号质量数值;以及根据所述多个再生信号质量数值的至少一个调整所述初始写入策略,通过执行一写入脉冲调整产生一已调整写入策略,所述写入脉冲调整包含:调整所述初始写入策略的一初始脉冲和一最后脉冲两者的至少一者的一第一边缘及紧接于所述第一边缘之后的一第二边缘,首先根据所述初始写入策略调整所述第一边缘,以产生一已调整第一边缘,然后根据所述已调整第一边缘调整所述第二边缘。
附图说明
本发明揭露一种光学储存装置,其特征在于包含有:一光学储存媒体接收单元,用以接收一光学储存媒体,并侦测所述光学储存媒体的一特性,其中所述特性为所述光学储存媒体的一类别和一写入速度两者的至少一者;一光学读写头,用以根据一初始写入策略写入至少一标记于所述光学储存媒体上,以及从对应于所述标记的所述光学储存媒体读取数据;一写入脉冲控制器,耦接于所述光学读写头,用以依据所述特性来决定所述初始写入策略,根据多个再生信号质量数值的至少一个调整所述初始写入策略,通过执行一写入脉冲调整产生一已调整写入策略;以及一信号质量测量单元,耦接于所述写入脉冲控制器,当从所述光学储存媒体读取所述数据时,所述光学读写头用以测量所述多个再生信号质量数值;其中,当执行所述写入脉冲调整时,所述写入脉冲控制器调整所述初始写入策略的一初始脉冲和一最后脉冲两者的至少一者的一第一边缘和紧接于所述第一边缘的一第二边缘,首先根据所述初始写入策略调整所述第一边缘,以产生一已调整第一边缘,然后根据所述已调整第一边缘调整所述第二边缘。
本发明另揭露一种决定光学储存装置中光盘写入策略的方法,其特征在于,该方法包含有:侦测所述光盘的一特性,其中所述特性为所述盘的一类 别和一写入速度两者的至少一者;依据所述特性,决定一初始写入策略;通过执行一写入脉冲调整以调整所述初始写入策略,所述写入脉冲调整包含调整所述初始写入策略的一写入脉冲的一第一边缘及紧接于所述第一边缘的一第二边缘,首先根据所述初始写入策略调整所述第一边缘,以产生一已调整第一边缘,然后根据所述已调整第一边缘调整所述第二边缘,以产生一调整后的写入策略;使用所述调整后的写入策略写入数据到所述光盘上;当从所述光盘读取所述数据时,测量多个再生信号质量数值;以及依据所述多个再生信号质量数值来决定一写入策略。
本发明的有益效果在于,其提供了一种适合快速与自动写入策略调整的方法与装置。
图1是已知技术中写入脉冲波形、被形成在信息层上的标记的形状、读取信号波形以及经过数字化读取信号波形之后得到的二进制数据的示意图。
图2是本发明光学储存装置的一实施例的示意图。
图3是本发明决定写入策略的方法的一实施例的流程图。
图4是本发明的一实施例中经过写入脉冲控制器调整的三种不同写入策略的写入脉冲波形图。
图5是本发明在决定写入策略时进行写入脉冲调整的一实施例的流程图。
图6是图5中通过调整在初始写入脉冲中第一边缘与第二边缘来改变被写入于光学储存媒体的标记形状的示意图。
具体实施方式
图7是图5中调整一中间脉冲的持续期间以改变写入于光学储存媒体的标记形状的示意图。
图8是本发明执行调校操作的一第一实施例的流程图。
图9是本发明执行调校操作的一第二实施例的流程图。
图2是本发明光学储存装置200的一实施例的示意图。在这个实施例中,光学储存装置200包括一光学读写头(optical pickup)202、一光学媒体数据接收单元204、一波形均衡器206、一载波器208、一锁相回路(PLL)210、一解调器212、一信号质量测量单元214、一写入脉冲控制器216、一调制器220、一写入脉冲产生器218以及一射线源驱动器(radiation source driver)222。光学读写头202是用来以一写入射线(writing radiation)功率的光线来将标记(mark)写入于光学储存媒体230中,而光学储存媒体230是经由一读取射线(reading radiation)功率的光线来将其上所记录的标记读取出来。写入脉冲产生器218控制射线源驱动器222来提供适当的射线功率给光学读写头202,当一新的光学储存媒体230被光学储存媒体接收单元204所存取时,若特定的光学储存媒体型式还未被辨识出来,且光学储存装置200还未决定出光学储存媒体230的写入策略,则写入脉冲控制器216会依据信号质量测量单元214所产生的信号质量测量结果来决定应用于新的光学储存媒体230的写入策略,在此实施例中,信号质量测量单元214包括一抖动侦测器(jitter detector)224、一标记长度侦测器226以及一误码率(错误率)侦测器228;然而如同接下来所描述的,不同的信号质量测量单元也可以被使用在本发明其它实施例之中。
图3是本发明决定写入策略的方法的一实施例的流程图。接下来将依照图2中的光学储存装置200来逐步说明图3中的流程,然而,这仅只是一个例子,而且对于熟悉此项技术的人而言,图3中的步骤明显地不需要限定由具备图2的架构的硬件来加以实施,其它的实施例也是可行的,除此之外,图3所示的流程中的步骤并不限制要以相同的次序来连续执行。在这个实施例中,写入脉冲控制器216不断重复地实时调整与测量该写入策略以决定应用于新的光学储存媒体230的一最佳写入策略,如图3所示,在本发明的这个实施例中,决定新的光学储存媒体230的一写入策略的过程包括下列步骤:
步骤300:侦测光盘的一特性,例如光学储存媒体类别或写入速度。
步骤302:依据所侦测到的光盘的特性决定一初始写入策略。
步骤304:以该初始写入策略记录一标记。
步骤306:当再生经由步骤304的该初始写入策略所写入至光盘上的该标记的信号时,测量对应于该标记的信号质量数值。
步骤308:该信号质量数值所对应的质量是否大于一预定质量临界值?换句话说,在步骤306中所测量到的信号质量数值是否大致上(substantially)是最佳的?如果是,则终止该写入策略的校正操作(calibration operation)并且以该初始写入策略来对光学储存媒体230进行后续的数据写入操作;否则,执行步骤310。
步骤310:执行一写入脉冲调整来调整该初始写入策略,其中该写入脉冲调整包括以一第一时间单元调整该初始写入策略中一写入脉冲的一第一边缘来产生一调整后的写入策略。
当一新的光学储存媒体230被光学储存媒体接收单元204所存取时,光学储存装置200将执行一写入策略的校正操作以利用图3中所示的方法来决定特定光学储存媒体230的最佳写入策略。参考图2,光学储存媒体接收单元204存取一光学储存媒体230并侦测一光盘的特性(步骤300),例如在步骤300中,光学储存媒体接收单元204将侦测光盘的一媒体类别与一写入速度。如图2所示,光学储存媒体接收单元204输出对应于该媒体类别与该写入速度的信号T给写入脉冲控制器216,接着写入脉冲控制器216依照光盘的特性决定出一初始写入策略(也即通过信号T所接收的侦测到的媒体类别与写入速度),为了决定该初始写入策略,写入脉冲控制器216另包含或耦接至一数据库215,而数据库215依照光学储存媒体230的多个不同特性而储存了相对应的预定初始写入策略,通过这个方式,写入脉冲控制器216可以参照数据库215而依照光盘的媒体类别与写入速度来决定该初始写入策略。
在步骤304中,写入脉冲控制器216通过使用由步骤302所决定的初始写入策略在光盘上写入一标记,而在步骤306中,光学储存装置200读取在步骤304中写在光盘的标记以产生一再生信号,并且测量该再生信号的一信号质量。在图2所示的方块图中,光学储存装置200产生三个信号R1、R2、与R3,然而对于熟习本项技术的人而言,其在阅读完这里的描述后可清楚了解在其它实施例中仅具有一个或其它数量的信号也是可行的。如图2所示,信号质量测量单元214包含:抖动侦测器224,用来当由光盘读取该测试数据时测量第一个信号R1的抖动值(jitter value);标记长度侦测器226,用来当由光盘读取该测试数据时测量第二个信号R2的标记长度错误(mark lengtherror);以及误码率侦测器228,用来当由光盘230读取该测试数据时测量第三个信号R3的误码率(错误率)。请注意,在其它的实施例中,在信号质量测量单元214中设置不同的信号质量侦测器或是不同数量的信号质量侦测器也是可行的。
步骤308是用来决定是否需要进一步地最佳化该初始写入策略,也就是说,对于某些光学储存媒体230而言,由写入脉冲控制器216所决定的初始写入策略可能已经足够充分地给写入操作使用。若步骤306中的信号质量测量值不够大(也即该信号质量数值未超过一预定临界值),则进行步骤310,在步骤310中,写入脉冲控制器216为了产生一调整后的写入策略而执行一写入脉冲调整,在本实施例中,信号质量测量单元214测量对应于以该调整后写入策略所写入的新的标记的信号质量数值,以及重复执行该写入脉冲调整直到步骤308决定出一最佳写入策略为止。
图4是本发明的一实施例中经过写入脉冲控制器216调整的三种不同写入策略的写入脉冲波形图。举例而言,第一写入策略(写入策略1)可对应于在一多次复写式光学储存媒体(multi-times re-writable optical medium)(例如一DVD-RW)中一低写入速度的光学写入动作;第二写入策略(写入策略2)可对应于在一多次复写式光学储存媒体(例如一DVD-RW)中一高写入 速度的光学写入动作,而第三写入策略(写入策略3)可对应于在一次写入式(write-once)光学储存媒体(例如一DVD-R)中一低写入速度的光学写入动作。在本实施例中,写入脉冲控制器216调整由该初始写入策略的第一边缘Ttop1与第二边缘Ttop2(第二边缘Ttop2紧接于第一边缘Ttop1之后)所形成的一初始脉冲(leading pulse),或由该初始写入策略的第一边缘Tlast1与第二边缘Tlast2(第二边缘Tlast2紧接于第一边缘Tlast1之后)所形成的一最后脉冲(final pulse)。除此之外,写入脉冲控制器216通过调整初始脉冲与最后脉冲之间一中间脉冲(middle pulse)的第一边缘与第二边缘(例如固定第一边缘与调整第二边缘)来校正其持续期间Tmp。
图5为本发明在决定写入策略时进行写入脉冲调整(步骤310)的一实施例的流程图。假设在获得大致上相同的结果下,图5中流程的步骤并不一定要依照所显示的顺序来连续执行,也即其它步骤也可插入其中。在此实施例中,参照图4所示的写入脉冲波形图,则执行写入脉冲调整包含下列各步骤:
步骤500:调校持续期间Tmp以调整一标记厚度(mark thickness)。
步骤502:调校该写入策略的初始脉冲中的第一边缘Ttop1与第二边缘Ttop2以调整该标记的一前端形状(front shape)与其持续期间。
步骤504:调校该写入策略的最后脉冲的第一边缘Tlast1与第二边缘Tlast2以调整该标记的一后端形状(rear shape)与其持续期间。
请注意当调整这三组参数(步骤500中的Tmp、步骤502中的Top1与Top2、与步骤504中的Tlast1与Tlast2)时,这三组参数调整的顺序并没有限制,可以依照不同的设计需求而使用不同的调校顺序,此外,也可能仅需要调整一或二组参数就可以获得一最佳的写入策略,也就是说,也可能存在其它仅需要使用步骤500、502与504其中一或两个步骤的写入脉冲调整(步骤310)的实施例。
此外,信号质量测量的步骤(步骤306)并不限制于只侦测抖动,可以 使用其它的信号质量测量技术来取而代之,或是额外执行其它的信号质量测量技术,例如侦测误码率(BER)或是标记长度错误(mark length error)。为了侦测抖动,首先使用一预定的写入策略来写入一标记(步骤304),接下来读取该标记并且测量该抖动的大小(步骤306),若该测量值小于一预定的临界值(例如9%),则结束调整,反之,若该测量值大于该临界值,则接着执行一写入策略调整步骤(步骤310)。
图6为图5的步骤502中通过调整在初始写入脉冲中第一边缘Ttop1与第二边缘Ttop2来改变写入于光学储存媒体230的标记形状的示意图。如图6所示,Ttop1与Ttop2的相关的位置可以决定被写入光学储存媒体230的标记的前端形状,例如在图6中,标记600是显示一标记的最理想的前端形状(optimal front-end shape),当Ttop1与Ttop2的相关的位置并非最理想时,被写入光学储存媒体230的标记的前端形状将会被扭曲,如图所示,一标记602具有一太尖的前端而另一标记604则具有一太钝的前端。此外,通过同时向前或向后移动Ttop1与Ttop2则可以决定标记的长度。
写入脉冲控制器216通过步骤504调整最后脉冲的第一边缘Tlast1与第二边缘Tlast2来使写入于光学储存媒体230的标记的结束形状(ending shape)有类似的改变,而Tlast1与Tlast2的相对位置决定了标记被写入于光学储存媒体230的后端形状。如图6所示,改变Tlast1与Tlast2的效应与改变Ttop1与Ttop2的效应相类似,而同时向前或向后移动Tlast1与Tlast2也可以决定标记的长度。由于步骤504本质上与先前提到的步骤502相同,故在此省略其详细描述。
在此实施例中,为了同时调整标记的长度与前端标记形状,将同时通过下列方程式调整Ttop1与Ttop2:
Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT 方程式(一)
Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT 方程式(二)
其中Ttop1_i是根据该初始写入策略所预定的一初始值,A是根据该初 始写入策略所预定的一系数,参数Mi与Ni等于...、-2、-1、0、1、2、...等等,以及deltaT是一预定的时间单位。所以,在本实施例中,方程式(一)是用来施加一第一时间单元(也即Ni*deltaT)以调整第一边缘Ttop1,而方程式(二)则用来施加一第二时间单元(也即A*deltaT+Mi*deltaT),以使紧接第一边缘Ttop1之后的第二边缘Ttop2与第一边缘Ttop1之间相差该第二时间单元。
在此实施例中,为了同时调整标记长度与后端标记形状,将同时通过下列方程式调整Tlast1与Tlast2:
Tlast1=Tlast1_i+Oi*deltaT 方程式(三)
Tlast2=Tlast1+B*deltaT+Pi*deltaT 方程式(四)
其中Tlast1_i是根据该初始写入策略所预定的一初始值,B是根据该初始写入策略所预定的一系数,参数Oi与Pi等于...、-2、-1、0、1、2、...等等,以及deltaT是一预定的时间单位。同理,对于后端标记形状的调整而言,在本实施例中,方程式(三)是用来施加一第一时间单元(也即Oi*deltaT)以调整第一边缘Tlast1,而方程式(四)则用来施加一第二时间单元(也即B*deltaT+Pi*deltaT),以使紧接第一边缘Tlast1之后的第二边缘Tlast2与第一边缘Tlast1之间相差该第二时间单元。
方程式(一)与方程式(二)可以用来对写入策略进行下列调整:
1.同时向前(或向后)移动Ttop1与Ttop2以控制标记的长度。
2.调整Ttop1与Ttop2的相对位置以控制标记的前端形状(也即如上所述的通过一第二时间单元进行调整,以使紧接第一边缘Ttop1之后的第二边缘Ttop2与第一边缘Ttop1之间相差该第二时间单元)。
方程式(三)与方程式(四)可以用来对写入策略进行下列调整:
1.同时向前(或向后)移动Tlast1与Tlast2以控制标记的长度。
2.调整Ttop1与Ttop2的相对位置以控制标记的后端形状(也即如上所述的通过一第二时间单元进行调整,以使紧接第一边缘Tlast1之后的第二边 缘Tlast2与第一边缘Tlast1之间相差该第二时间单元)。
图7为依照图5中步骤500调整一中间脉冲的持续期间Tmp以改变写入于光学储存媒体230的标记形状的示意图。如图7所示,持续期间Tmp的变化可以决定被写入光学储存媒体230的一标记的厚度,例如,标记700由于该最佳的持续时间Tmp而具有正确的厚度,而当持续期间Tmp并非是最佳的持续期间时,标记的厚度将开始偏离正确的厚度,举例来说,在图7中,标记702代表一具有太窄的中间部分的标记,而标记704代表一具有太厚的中间部分的标记。
为了调整标记的中间部分的宽度,持续期间Tmp是依据下列方程式来调整:
Tmp=Tmp_i+Li*deltaT 方程式(五)
其中参数Li可被设为等于...、-2、-1、0、1、2、...等,deltaT是一时间单位,Tmp_i是依照一光学储存媒体的类别以及光学储存媒体230的一刻录速度所决定,并用以决定写入策略。此外,在此实施利中,方程式(五)是被单独地执行来调整标记的宽度(也即其未与其他方程式配合)。
当光学储存媒体的材质与写入速度固定之后,一典型的写入策略将仅具有微小的改变,因此,若通过上述的各组方程式为Tmp_i、Ttop1_i、Tlast1_i、A与B选择适当的初始值设定,则自动调整出写入策略的时间与光学储存媒体230上测试写入面积将大幅减少。通过此方式,本发明实施例提供了一种适合快速与自动调整写入策略的方法以及装置。
请注意,方程式Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT与Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT也可分别写成Ttop2=Ttop2_i+Ni*deltaT与Ttop1=Ttop2+A*deltaT+Mi*deltaT;同样地,方程式Tlast1=Tlast1_i+Oi*deltaT与Tlast2=Tlast1+B*deltaT+Pi*deltaT也可分别写成Tlast2=Tlast2_i+Oi*deltaT与Tlast1=Tlast2+B*deltaT+Pi*deltaT,其中Ttop2_i与Tlast2_i是预定的初始值。
图8为本发明执行图5中步骤500、502与504的调校操作的一第一实施例的流程图。请注意,假设在获得大致上相同的结果下,图8所示的流程的各步骤并不限制要依照图中所示的相同顺序来连续执行,也即,其它步骤也可插入其中。本实施例中,执行调校的操作包含下列步骤:
步骤800:执行Txx的写入操作,其中Txx=Txx_i+deltaT,以及Txx对应于Tmp、Ttop1、Ttop2、Tlast1与Tlast2中的其一。
步骤802:测量对应于步骤800的Txx的一再生信号的一第一抖动值J1。
步骤804:执行Txx的写入操作,其中Txx=Txx_i-deltaT。
步骤806:测量对应于步骤804的Txx的一再生信号的一第二抖动值J2。
步骤808:计算第一抖动值J1与第二抖动值J2间的一抖动值差量d。
步骤810:选择使抖动值差量d小于或等于一预定临界值的Txx。
图9为本发明执行图5中步骤500、502与504的调校操作的一第二实施例的流程图。请注意,假设在获得大致上相同的结果下,图9所示的流程的各步骤并不限制要依照图中所示的相同顺序来连续执行,也即,其它步骤也可插入其中。本实施例中,执行调校的操作包含下列步骤:
步骤900:执行Txx的写入操作,其中Txx=Txx_i+Xi*deltaT,以及Xi=-n~+n,且Txx等于Tmp、Ttop1、Ttop2、Tlast1与Tlast2中的其一。
步骤902:测量对应于步骤900的Txx的一再生信号的抖动值。
步骤904:选择具有一最佳抖动值的Txx(也即所选择的Txx具有最小的抖动值)。
当执行图3中的写入脉冲调整(步骤310)时,写入脉冲控制器216以先调整持续期间Tmp的值(步骤500)。依照不同的实施例,步骤500的调整方法可以如图8或图9所示,依照图8所示的调整方法,具有Txx=Txx_i +deltaT的一写入策略首先被用来写入一标记(步骤800),其中Txx_i是一初始值,而Txx可以是Tmp、Ttop1、Ttop2、Tlast1或Tlast2,然后,在步骤802中测量一第一抖动值J1,接着具有Txx=Txx_i-deltaT的一写入策略将被使用来写入下一个标记(步骤804),在步骤806中,此标记所对应的测量到的抖动值是J2,而在步骤808中将计算一抖动值差量d=|J1-J2|。写入脉冲控制器216将重复使用不同的Txx值来执行上述操作与计算抖动值差量d,当抖动值差量d小于或等于一预定的临界值时(例如1%),写入脉冲控制器216将选择相对应的Txx值,并且得到最佳的Txx写入策略(步骤810)。
根据图9所示的调整方法,写入脉冲控制器216直接使用位于一范围(+n~-n)的Xi值,例如在一个实施例中,n=-2、-1、0、1、2,接着写入脉冲控制器216将由每个值去写入一标记来决定一写入策略(步骤900),接着,在步骤902中,测量每一被写入的标记的抖动值,并且选择最佳的Txx写入策略(步骤904)。通过图8与图9所示的方法,为了控制不同的持续期间Tmp的数值,Xi值可以被调整,也就是说,Tmp=Tmp_i+Li*deltaT这个调整可以使用上述图8与图9所示的方法来获得最佳的Li,以及藉此获得最佳的持续期间Tmp的数值。
如上所述,Ttop1值与Ttop2值可以被成双地一并调整,在此情形下,图8与图9所示的方法可以经由双循环方式来加以执行,也即所有Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT的值可以用来计算每个Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT的值。通过这个方式,图8与图9所示的方法可以获得最佳的Ni值与Mi值,接着,最佳的Ttop1值与Ttop2值就可以被决定出来。同样地,图8与图9所示的方法通过Tlast=Tlast1_i+Oi*deltaT与Tlast2=Tlast1+B*deltaT+Pi*deltaT来调整Tlast1值与Tlast2值,通过这个方法,可以获得最佳的Oi与Pi值,并且因此获得最佳的Tlast1值与Tlast2值。请注意Tlast1值与Tlast2值也可使用图8与图9所示的方法以双循环方式来加以调整。
如上所述,Ttop1值与Ttop2值可以被成双地一并调整,在此情形下,图8与图9所示的方法可以经由双循环方式来加以执行,也即所有Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT的值可以用来计算每个Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT的值。通过这个方式,图8与图9所示的方法可以获得最佳的Ni值与Mi值,接着,最佳的Ttop1值与Ttop2值就可以被决定出来。同样地,图8与图9所示的方法通过Tlast=Tlast1_i+Oi*deltaT与Tlast2=Tlast1+B*deltaT+Pi*deltaT来调整Tlast1值与Tlast2值,通过这个方法,可以获得最佳的Oi与Pi值,并且因此获得最佳的Tlast1值与Tlast2值。请注意Tlast1值与Tlast2值也可使用图8与图9所示的方法以双循环方式来加以调整。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰,都应属本发明的涵盖范围。
Claims (34)
1.一种决定光学储存装置中光盘写入策略的方法,其特征在于,该方法包含有:
侦测所述光盘的一特性,其中所述特性为所述光盘的一类别和一写入速度两者的至少一者;
依据所侦测到的光盘的特性,决定一初始写入策略;
通过执行一写入脉冲调整以调整所述初始写入策略,所述写入脉冲调整包含调整所述初始写入策略中一写入脉冲的一第一边缘及紧接于所述第一边缘之后的一第二边缘,以产生一调整后的写入策略;
使用所述调整后的写入策略写入数据到所述光盘上;
当由所述光盘读取所写入的数据时,测量至少一再生信号质量数值;以及
依据所述再生信号质量数值来决定一写入策略。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述写入脉冲调整更包含:经由双循环方式来调整所述第一边缘及所述第二边缘,其中,所述双循环方式是指成双地一并调整。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述写入脉冲调整更包含:通过下列方程式来调整所述第一边缘及所述第二边缘:
Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT
Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT
其中,Ttop1为所述第一边缘的时间,Ttop2为所述第二边缘的时间,Ttop1_i是根据所述初始写入策略所预定的一初始值,A是根据所述初始写入策略所预定的一系数,参数Mi与Ni等于任意整数,以及deltaT是一预定的时间单位。
4.一种决定光学储存装置中光盘写入策略的方法,其特征在于,该方法包含有:
侦测所述光盘的一特性,其中所述特性为所述光盘的一类别和一写入速度两者的至少一者;
依据所侦测到的光盘的特性,决定一初始写入策略;
通过执行一写入脉冲调整以调整所述初始写入策略,所述写入脉冲调整包含通过一第一时间单元来调整所述初始写入策略中一写入脉冲的一第一边缘,以产生一调整后的写入策略;
使用所述调整后的写入策略写入数据到所述光盘上;
当由所述光盘读取所写入的数据时,测量至少一再生信号质量数值;以及
依据所述再生信号质量数值来决定一写入策略;
其中,所述写入脉冲调整另包括:
调整所述初始写入策略的一初始脉冲或一最后脉冲;通过固定一中间脉冲的一第一边缘并且调整所述中间脉冲的紧接于所述中间脉冲的所述第一边缘之后的一第二边缘的方式,调整所述初始写入策略的介于所述初始脉冲与所述最后脉冲间的所述中间脉冲;
其中,调整所述初始写入策略的所述初始脉冲或所述最后脉冲包括调整所述初始脉冲或所述最后脉冲的一第一边缘及紧接于所述初始脉冲或所述最后脉冲的所述第一边缘之后的一第二边缘,并经由双循环方式来调整所述初始脉冲或所述最后脉冲的所述第一边缘及所述第二边缘,其中,所述双循环方式是指成双地一并调整。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述写入脉冲调整更包含:通过下列方程式来调整所述第一边缘及所述第二边缘:
Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT
Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT
其中,Ttop1为所述第一边缘的时间,Ttop2为所述第二边缘的时间,Ttop1_i是根据所述初始写入策略所预定的一初始值,A是根据所述初始写入策略所预定的一系数,参数Mi与Ni等于任意整数,以及deltaT是一预定的时间单位。
6.一种光学储存装置,其特征在于包含有:
一光学储存媒体接收单元,用以接收一光学储存媒体与侦测所述光学储存媒体的一特性,其中所述特性为所述光学储存媒体的一类别和一写入速度两者的至少一者;
一光学读写头,用以写入至少一标记于所述光学储存媒体上,以及从对应于所述标记的所述光学储存媒体读取数据;
一写入脉冲控制器,耦接于所述光学读写头,用以依据侦测到的所述光学储存媒体的特性来决定一初始写入策略,以及通过一第一时间单元调整所述初始写入策略中一写入脉冲的一第一边缘,以调整所述初始写入策略并产生一调整后的写入策略,及输出所述调整后的写入策略以将资料写入至所述光学储存媒体上,并依据至少一再生信号质量数值决定一写入策略;以及
一信号质量测量单元,耦接于所述写入脉冲控制器以及所述光学读写头,用以当从所述光学储存媒体读取所写入的数据时,测量所述再生信号质量数值;
其中,当执行写入脉冲调整时,所述写入脉冲控制器另调整所述初始写入策略的一初始脉冲或一最后脉冲,并通过固定一中间脉冲的一第一边缘并且调整紧接于所述中间脉冲的所述第一边缘之后的一第二边缘的方式,调整所述初始写入策略的介于所述初始脉冲与所述最后脉冲间的所述中间脉冲;
所述写入脉冲控制器通过调整所述初始脉冲或所述最后脉冲的第一边缘及紧接于所述初始脉冲或所述最后脉冲的所述第一边缘之后的第二边缘以调整所述初始写入策略的所述初始脉冲或所述最后脉冲,并经由双循环方式来调整所述初始脉冲或所述最后脉冲的所述第一边缘及所述第二边缘,其中,所述双循环方式是指成双地一并调整。
7.如权利要求6所述的光学储存装置,其特征在于,所述写入脉冲控制器通过下列方程式来调整所述初始脉冲或所述最后脉冲的所述第一边缘及所述第二边缘:
Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT
Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT
其中,Ttop1为所述第一边缘的时间,Ttop2为所述第二边缘的时间,Ttop1_i是根据所述初始写入策略所预定的一初始值,A是根据所述初始写入策略所预定的一系数,参数Mi与Ni等于任意整数,以及deltaT是一预定的时间单位。
8.一种决定光学储存装置中光盘写入策略的方法,其特征在于,该方法包含有:
侦测所述光盘的一特性,其中所述特性为所述光盘的一类别和一写入速度两者的至少一者;
依据所述特性,决定一初始写入策略;
利用所述初始写入策略在所述光盘上写入数据;
从所述光盘读取所述数据,并测量多个再生信号质量数值;以及
根据所述多个再生信号质量数值的至少一个调整所述初始写入策略,通过执行一写入脉冲调整产生一已调整写入策略,所述写入脉冲调整包含:
调整所述初始写入策略的一初始脉冲和一最后脉冲两者的至少一者的一第一边缘及紧接于所述第一边缘之后的一第二边缘,首先根据所述初始写入策略调整所述第一边缘,以产生一已调整第一边缘,然后根据所述已调整第一边缘调整所述第二边缘。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述写入脉冲调整更包含:通过固定一中间脉冲的一第一边缘并且调整紧接于所述中间脉冲的所述第一边缘之后的一第二边缘的方式,调整所述初始写入策略的介于所述初始脉冲与所述最后脉冲之间的所述中间脉冲。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述写入脉冲调整更包含:在所述中间脉冲的所述第一边缘和所述第二边缘之间维持一持续期间于一预定范围内。
11.如权利要求8所述的方法,其特征在于,决定所述初始写入策略更包含参考存储于光学储存装置中的一数据库,根据所述光盘的所述类别和所述写入速度两者的至少一者决定所述初始写入策略。
12.如权利要求8所述的方法,其特征在于,当从所述光盘读取所述数据时,进一步包含测量一再生信号的多个抖动值,其中所述多个再生信号质量数值相应于所述多个抖动值。
13.如权利要求8所述的方法,其特征在于,当从所述光盘读取所述数据时,进一步包含测量多个误码率,其中所述多个再生信号质量数值相应于所述多个误码率。
14.如权利要求8所述的方法,其特征在于,当从所述光盘读取所述数据时,进一步包含测量多个标记长度误差,其中所述多个再生信号质量数值相应于所述多个标记长度误差。
15.如权利要求8所述的方法,其特征在于,进一步包含比较相应于两个不同的已调整写入策略的一第一再生信号质量数值和一第二再生信号质量数值;当所述第一再生信号质量数值和所述第二再生信号质量数值的一差量小于或等于一预定临界值时,决定一写入策略为一最佳写入策略。
16.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述初始写入策略的所述初始脉冲和所述最后脉冲两者的至少一者的所述第一边缘是上升边缘,所述第二边缘是下降边缘。
17.如权利要求8所述的方法,其特征在于,进一步包含经由双循环方式来调整所述初始写入策略的所述初始脉冲和所述最后脉冲两者的至少一者的所述第一边缘及所述第二边缘,其中,所述双循环方式是指成双地一并调整。
18.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述写入脉冲调整更包含:通过下列方程式来调整所述初始写入策略的所述初始脉冲和所述最后脉冲两者的至少一者的所述第一边缘及所述第二边缘:
Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT
Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT
其中,Ttop1为所述第一边缘的时间,Ttop2为所述第二边缘的时间,Ttop1_i是根据所述初始写入策略所预定的一初始值,A是根据所述初始写入策略所预定的一系数,参数Mi与Ni等于任意整数,以及deltaT是一预定的时间单位。
19.一种光学储存装置,其特征在于包含有:
一光学储存媒体接收单元,用以接收一光学储存媒体,并侦测所述光学储存媒体的一特性,其中所述特性为所述光学储存媒体的一类别和一写入速度两者的至少一者;
一光学读写头,用以根据一初始写入策略写入至少一标记于所述光学储存媒体上,以及从对应于所述标记的所述光学储存媒体读取数据;
一写入脉冲控制器,耦接于所述光学读写头,用以依据所述特性来决定所述初始写入策略,根据多个再生信号质量数值的至少一个调整所述初始写入策略,通过执行一写入脉冲调整产生一已调整写入策略;以及
一信号质量测量单元,耦接于所述写入脉冲控制器,当从所述光学储存媒体读取所述数据时,所述光学读写头用以测量所述多个再生信号质量数值;
其中,当执行所述写入脉冲调整时,所述写入脉冲控制器调整所述初始写入策略的一初始脉冲和一最后脉冲两者的至少一者的一第一边缘和紧接于所述第一边缘的一第二边缘,首先根据所述初始写入策略调整所述第一边缘,以产生一已调整第一边缘,然后根据所述已调整第一边缘调整所述第二边缘。
20.如权利要求19所述的光学储存装置,其特征在于,当执行所述写入脉冲调整时,所述写入脉冲控制器更通过固定一中间脉冲的一第一边缘并且调整紧接于所述中间脉冲的所述第一边缘的一第二边缘的方式,调整所述初始写入策略的介于所述初始脉冲与所述最后脉冲之间的所述中间脉冲。
21.如权利要求20所述的光学储存装置,其特征在于,当执行所述写入脉冲调整时,所述写入脉冲控制器在所述中间脉冲的所述第一边缘和所述第二边缘之间维持一持续期间于一预定范围内。
22.如权利要求19所述的光学储存装置,其特征在于,所述写入脉冲控制器参考存储于所述光学储存装置中的一数据库,根据所述光学储存媒体的所述类别和所述写入速度两者的至少一者决定所述初始写入策略。
23.如权利要求19所述的光学储存装置,其特征在于,所述信号质量测量单元进一步包含一抖动侦测器,当从所述光学储存媒体读取所述数据时,用以测量一再生信号的多个抖动值,其中所述多个再生信号质量数值相应于所述多个抖动值。
24.如权利要求19所述的光学储存装置,其特征在于,所述信号质量测量单元进一步包含一误码率侦测器,当从所述光学储存媒体读取所述数据时,用以测量多个误码率,其中所述多个再生信号质量数值相应于所述多个误码率。
25.如权利要求19所述的光学储存装置,其特征在于,所述信号质量测量单元进一步包含一标记长度侦测器,当从所述光学储存媒体读取所述数据时,用以测量多个标记长度误差,其中所述多个再生信号质量数值相应于所述多个标记长度误差。
26.如权利要求19所述的光学储存装置,其特征在于,所述写入脉冲控制器进一步比较相应于两个不同的已调整写入策略的一第一再生信号质量数值和一第二再生信号质量数值;当所述第一再生信号质量数值和所述第二再生信号质量数值的一差量小于或等于一预定临界值时,所述写入脉冲控制器决定一写入策略为一最佳写入策略。
27.如权利要求19所述的光学储存装置,其特征在于,所述初始写入策略的所述初始脉冲和所述最后脉冲两者的至少一者的所述第一边缘是上升边缘,所述第二边缘是下降边缘,且在所述初始写入策略的所述初始脉冲和所述最后脉冲两者的至少一者的所述第一边缘及所述第二边缘之间不存在其他的边缘。
28.如权利要求19所述的光学储存装置,其特征在于,所述写入脉冲控制器进一步经由双循环方式来调整所述初始写入策略的所述初始脉冲和所述最后脉冲两者的至少一者的所述第一边缘及所述第二边缘,其中,所述双循环方式是指成双地一并调整。
29.如权利要求19所述的光学储存装置,其特征在于,所述写入脉冲控制器进一步通过下列方程式来调整所述初始写入策略的所述初始脉冲和所述最后脉冲两者的至少一者的所述第一边缘及所述第二边缘:
Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT
Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT
其中,Ttop1为所述第一边缘的时间,Ttop2为所述第二边缘的时间,Ttop1_i是根据所述初始写入策略所预定的一初始值,A是根据所述初始写入策略所预定的一系数,参数Mi与Ni等于任意整数,以及deltaT是一预定的时间单位。
30.一种决定光学储存装置中光盘写入策略的方法,其特征在于,该方法包含有:
侦测所述光盘的一特性,其中所述特性为所述光盘的一类别和一写入速度两者的至少一者;
依据所述特性,决定一初始写入策略;
通过执行一写入脉冲调整以调整所述初始写入策略,所述写入脉冲调整包含调整所述初始写入策略的一写入脉冲的一第一边缘及紧接于所述第一边缘的一第二边缘,首先根据所述初始写入策略调整所述第一边缘,以产生一已调整第一边缘,然后根据所述已调整第一边缘调整所述第二边缘,以产生一调整后的写入策略;
使用所述调整后的写入策略写入数据到所述光盘上;
当从所述光盘读取所述数据时,测量多个再生信号质量数值;以及
依据所述多个再生信号质量数值来决定一写入策略。
31.如权利要求30所述的方法,其特征在于,所述写入脉冲调整更包含:经由双循环方式来调整所述第一边缘及所述第二边缘,其中,所述双循环方式是指成双地一并调整。
32.如权利要求31所述的方法,其特征在于,所述写入脉冲调整更包含:通过下列方程式来调整所述第一边缘及所述第二边缘:
Ttop1=Ttop1_i+Ni*deltaT
Ttop2=Ttop1+A*deltaT+Mi*deltaT
其中,Ttop1为所述第一边缘的时间,Ttop2为所述第二边缘的时间,Ttop1_i是根据该所述初始写入策略所预定的一初始值,A是根据该所述初始写入策略所预定的一系数,参数Mi与Ni等于任意整数,以及deltaT是一预定的时间单位。
33.如权利要求30所述的方法,其特征在于,所述第一边缘及所述第二边缘分别是所述写入脉冲的上升边缘和下降边缘。
34.如权利要求30所述的方法,其特征在于,所述第一边缘及所述第二边缘分别是所述写入脉冲的下降边缘和上升边缘。
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