CN101517641A - 光照射功率校准方法和信息记录/重放装置 - Google Patents

Abstract

光学信息记录/重放装置分辨所设置的光盘的未记录区(步骤A100)。此后在其中记录功率变化而偏置功率恒定的多个记录条件之下在未记录区中执行记录，以选择提供最佳重放信号质量的记录功率(步骤B100)。随后，在其中将记录功率固定到所选记录功率并且偏置功率变化的多个记录条件之下利用所选记录功率执行记录，以选择提供最佳重放信号质量的偏置功率(步骤C100)。将所选记录功率和所选偏置功率分别设置为记录用光照射功率和偏置功率(步骤D100)。

Description

光照射功率校准方法和信息记录/重放装置

技术领域

[0001]

本发明涉及一种光照射功率校准方法和信息记录/重放装置，并且更具体地，涉及一种用于对在将激光束照射到一次写入型(write-once)光学信息记录介质上以对包括有标记和间隔的图案串进行记录时所使用的光照射功率进行校准的方法，以及利用这种光照射功率校准方法的信息记录/重放装置。

背景技术

[0002]

广泛地使用用于通过利用激光束来将数据写入到其上/读取其上的数据的光盘。光盘具有高存储密度并且可记录大量数据。由于非触态操作，光盘已经历了朝着更高速存取且更大容量的存储器设备的方向发展。将光盘分成仅允许读取的只读型、仅允许用户侧对数据记录一次的一次写入型、以及允许用户侧对数据进行反复记录的可重写型。只读型通常用作出售的音乐CD和激光唱片，并且各种类型用作计算机的外部存储器或者文档和图像的存储设备。对于只读型而言，利用从光盘上所形成的凹凸坑所反射的光量变化来对重放信号进行检测。对于一次写入型而言，利用从光盘上所形成的小尺寸的坑所反射的光量变化来对重放信号进行检测。

[0003]

在市场上发行的一次写入光盘的示例包括CD-R、DVD-R、以及DVD+R，其大多数包括包含有机颜料作为基底的记录元件。作为用于对光盘执行记录/重放的光源，使用波长在大约780nm与大约650nm之间的半导体激光器。包括有机颜料作为基底的光盘包括下述有机颜料元件，该有机颜料元件在比记录/重放使用激光束的波长更短的波长侧上具有最大吸收，并且因此具有所谓的高至低特征，其中由激光束照射所形成的记录标记部分上的光反射率小于激光束照射之前的光反射率。利用树脂衬底的变形(形状扭曲)来形成标记部分，所述树脂衬底的变形是通过光照射树脂衬底以将树脂衬底加热到比树脂衬底的转变温度更高的温度而产生的有机颜料的分解引起的负压的结果。

[0004]

作为用于实现其中更高记录密度的光盘，存在诸如HD DVD和BD(蓝光)这样的盘片标准。对于这些下一代光盘而言，在记录和重放期间使用波长在大约400nm至大约410nm(短波长激光)的激光束。现在处于发展中以可与短波长激光一起使用的一次写入型盘片包括大致分成利用无机材料元件的记录膜和利用有机颜料元件的另一记录膜的记录膜。在它们当中，在专利公开1中描述了利用颜料元件的一次写入型盘片。在专利公开1中所描述的颜料元件具有从记录波长(405nm)朝着更长波长侧方向移动的最大波长吸收范围，并且辨别不出该记录波长范围中的吸收，并且在该记录波长范围之内具有相当大的吸收量。包括有机颜料元件的光盘具有低到高特征，其中由激光束的照射所形成的记录标记部分的反射率高于激光束照射之前的反射率。

[0005]

可重写光盘包括即就是相变盘片的CD-RW、DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM等等。除了它们之外，还存在被称为MO的磁光盘片。作为相变盘片，已使具有更高容量的HD DVD-RW标准化。将称为RW或者RAM的这些光盘配置成允许直接重写的介质(在下文中还简单地称为重写)，即配置成在擦除的同时进行记录。这些光盘具有允许直接重写的优点，由此对记录数据进行改写不需两次操作，即在擦除了数据之后的下一旋转中对数据进行记录，并且对于重写而言可进行单操作。在直接重写介质中，在对数据进行记录时，基于用于记录的标记和间隔在和记录有关的记录功率与和擦除有关的擦除功率之间执行照射切换。

[0006]

在下文中对形成记录用波形形状的记录波形进行描述。图28示出了记录用光照射波形的示例。在图28中，Pw、Pw1、Pw2、以及Pw3表示记录功率，Pb表示偏置功率，并且Pe表示擦除功率。图(a)示出了要形成的标记部分，图(b)示出了在重写期间的记录用光照射波形，并且图(c)示出了在非重写记录期间所照射的光照射波形。图(d)至(f)示出了矩形波形的多个变化。将用于形成标记的波形形状分成多个脉冲((b)，(c))，或者可以具有基本上为矩形的形状((d)-(f))。虽然对于非标记部分(间隔部分)而言存在若干形状组合，但是在其功能上，用于照射重写介质上的间隔部分的功率目的在于删除现有标记。另一方面，不需要(或者不可能)擦除的一次写入型介质上的间隔仅需足以使光束对盘片进行跟踪的光强，由此该功率的作用与用于重写介质的不同。

[0007]

专利公开2描述了可使在记录期间用于间隔部分的照射功率具有偏置功率(第二强度)以便在盘片的高速旋转期间对记录功率的卡路里供给的不足进行补偿。还描述了其强度(功率)优选地是峰值功率(第一强度)的5％至15％。专利公开3至6描述了在具有更高密度的下一代光学介质上所使用的记录波形包括恒定记录功率和两个不同偏置功率，即偏置功率1和2。

[0008]

在下文中对用于功率校准的传统技术进行描述。就记录功率而言，例如在一次写入型DVD-R中，光盘驱动器使用在光盘的一部分中所形成的功率校准区(PCA)以在适当时间执行最佳功率控制(OPC)。另外，HD DVD-R或者HD DVD-RW包括光盘驱动器可任意使用的驱动测试区，由此光盘驱动器通过利用该区域来执行对包括记录功率的各种参数的校准。

[0009]

专利公开7和专利公开8描述了用于对可重写光盘上的擦除功率进行校准的技术。专利公开7包括通过利用与伽玛技术所确定的记录功率相等或者更大的功率来记录11T信号、在DC擦除功率(直流光)变化的同时照射具有多个擦除功率级的激光束、并且对该信号的残留信号幅度进行测量以确定最佳擦除功率。专利公开8包括在将DC擦除功率(直流光)逐级变化特定量的同时连续照射具有多个擦除功率级的激光束以从而以试验方式擦除旧数据(现有数据)、对受到试验擦除的旧数据部分进行重放、并且确定照射到可使重放信号具有最小噪声级(幅度)的部分上的擦除功率以作为最佳擦除功率。专利公开8还描述了这样一种技术，该技术用于根据通过实验所获得的比率ε(＝擦除功率/记录功率)来确定通过OPC技术所获得的记录功率的擦除功率。

[0010]

在功率校准中，记录/重放信号的抖动和误差率用作其性能指标以确定记录功率等等。对于功率校准而言，除此之外，存在诸如贝它技术和伽玛技术这样的其他技术，贝它技术用于从长标记的重放幅度和短标记的重放幅度检查出不对称性以获得用作性能指标的β值，伽玛技术用于根据记录标记的幅度的饱和程度来判断状态。贝它技术预先例如对盘片相对于驱动器获得β值与误差量之间的相关性，并且使用β值作为性能指标。虽然认为大约为零的β值是优选的，但是β值为零不是必定提供最佳性能，并且在有些情况下偏离零例如+5％或者-7％的β值是优选的。对于一次写入型盘片而言，β值基于功率变化很大，其作为性能指标很容易处理，并且由此频繁地使用该β值。β值的绝对值具有不同意义(性能)，这取决于关于误差量的相关性。

[0011]

存在被称为用于具有高密度的光盘的性能指标的PRSNR。PRSNR是代替抖动的信号质量估计指标，并且现在用在HD DVD系列中。PRSNR是PRML(部分响应最大似然性)的SNR(信噪比)，并且认为其更高值是指更高信号质量。在非专利文献1中描述了包括有其转换成误差率的PRSNR的详述。已为大家所熟知的是要求PRSNR中的性能的目标值是15或更大。作为性能指标，除了上述之外，在一些情况下基于目标存储密度、电路配置、以及驱动配置可以使用通过限制均衡器技术所获得的抖动、SAM(序列幅度裕度)、以及使用SAM的指标。非专利文献2描述了与SAM有关的技术。

[0012]

专利公开1：JP-2002-187360A

专利公开2：JP-2000-187842A

专利公开3：JP-2005-288972A

专利公开4：JP-2005-293772A

专利公开5：JP-2005-293773A

专利公开6：JP-2005-297407A

专利公开7：JP-2003-228847A

专利公开8：JP-2004-273074A

非专利文献1：Japanese Journal of Applied Physics，Vol.43，No.7B，2004，pp.4859-4862，″signal-to-Noise Ratio in a PRML Detection″，S.OHKUBO等；

非专利文献2：″Signal Reproducing Technique in a High-DensityOptical Drive″，第25-30页，Okumura等，Sharp Technical Report，No.90，2004年12月

[0013]

通过利用具有比大约650nm更长的波长范围的激光束对传统的一次写入型盘片介质执行记录和重放，并且展示出不必使用与记录膜中包括有机颜料的一次写入型光盘介质中的间隔相对应的功率。这是由一次写入型盘片介质不是固有地需要重写这样的事实引起的。应当注意的是不可能对一次写入型盘片介质进行重写这样的事实还提供了一次写入型盘片免除伪造数据的优点。另一方面，已研发出需要包括分别与标记和间隔相对应的记录功率和偏置功率的记录用光功率的介质，诸如包括利用近来研发的短波长激光对其执行记录/重放并且其标记是由光化学反应或者光热化学反应形成的、由有机颜料元件所配置的记录膜的一次写入型盘片。

[0014]

如上所述的专利公开和非专利文献没有描述用于下述一次写入型光盘介质的功率校准技术，所述一次写入型光盘介质需要分别与标记和间隔相对应的记录功率和偏置功率，尤其是没有描述其校准过程。这种光盘介质通常涉及在功率校准期间仅对记录功率进行校准不能必定得到最大介质性能的问题。另外，无法得到最大介质性能的事实会引起裕度降低或者会导致产品产率降低，从而提供了严重的问题。此外，利用近来研发的短波长激光执行记录和重放的光盘介质和光盘驱动器需要参数的精确度更高，并且尤其是必须将在数据记录期间所使用的记录参数比以前更精确地校准到最佳值。因此，会出现这样的状况，即已增加了用于校准的目标或者参数的数目，从而使校准需要更大的时间长度。可考虑使记录功率与偏置功率的所有组合用于记录，从而对参数进行校准；然而，这使校准时间长度增大了并且会耗费更大的校准区，由此不是必定会提供适当的解决方案。

[0015]

在专利公开2中所描述的偏置功率是对由于更高速旋转所产生的峰值功率的不足加热进行补充的补充功率。此后，使用在专利公开2中所描述的过程可以使得对峰值(记录或者第一强度)功率的校准通过利用β值以及等于大约重放功率或者峰值功率的5％至15％的偏置(第二强度)功率来对记录功率进行校准，并且利用与预先获得的记录功率相对应的偏置功率再次执行OPC。然而，因为β值不是表示性能本身的指标，因此存在这样的问题，即通过利用β值作为指标来对记录用功率进行校准不能必定提供在更高速度时且具有更高精确度的最佳参数。尤其是，在用作目标功率选择的β值本身是未知的盘片的情况下，也就是说如果β值用于β值与误差性能之间的相关性是未知的盘片，那么从而引起的误差增大取消了β值本身作为测量的意图，从而防止了精确的校准，或者会引起不能校准的状况。在确定与间隔部分相对应的功率中，通过利用擦除已记录的标记来确定与间隔部分相对应的功率的技术无法解决该问题，因为该盘片是一次写入型介质。

[0016]

就对用于确定功率的估计的测量而言，在上面的描述中描述了β技术的使用不能必定确定精确度更高的记录用功率。还存在这样的技术，即考虑到记录/擦除功率包括多个记录功率，记录功率的确定使用贝它技术、伽玛技术、或者利用误差数目的技术，并且擦除功率的确定使用记录信号的残留信号幅度，其中擦除功率是另一记录功率(偏置功率)。然而，在这种情况下，需要复杂的处理，从而会引起使操作驱动器的检测硬件的规格或者控制程序(固件程序)的数目增大的问题。

[0017]

如至此所描述的，需要开发一种用于对以更高精确度和确定度来实现更高效率的记录用光照射功率进行校准的技术。

发明内容

[0018]

本发明的目的是提供一种记录用光照射功率校准方法，该方法能够以更高确定度来对记录用光照射功率进行校准，同时能够降低对记录用光照射功率进行校准的时间长度并且降低为此所使用的校准区。本发明的另一个目的是提供一种利用这种方法来对光照射功率执行校准的光学信息记录/重放装置。

[0019]

在第一方面中，本发明提供了一种用于在对一次写入型记录介质执行记录的光学信息记录/重放装置中的光照射功率进行校准的方法，在该记录介质中标记是通过光束照射形成的，该方法包括步骤：在使记录功率逐级变化而偏置功率是固定的同时将特定图案串记录在记录介质上的特定区域中；对在记录步骤中所记录的图案串进行重放以测量重放信号质量；根据所测量的重放信号质量来从在其之间是逐级变化的记录功率中选择单个记录功率；通过利用所选记录功率来选择偏置功率；以及通过照射所选记录功率和所选偏置功率而形成标记。

[0020]

在第二方面中，本发明提供了一种用于将数据记录到一次写入型记录介质上/对一次写入型记录介质上的数据进行重放的信息记录/重放装置，其中标记是由光束照射形成的，该信息记录/重放装置包括：参数校准单元(21)，用于确定在对记录介质(50)执行记录时照射记录介质的激光束的记录功率和偏置功率，其中参数校准单元(21)：包括用于测量重放信号质量的重放信号质量测量部分；根据下述特定图案串的重放信号质量来从在其之间是逐级变化的记录功率中选择单个记录功率，所述特定图案串是在记录功率逐级变化而将偏置功率固定的同时被记录在特定记录区中，重放信号质量是由参数校准单元来测量的；根据所选记录功率来选择偏置功率；并且将所选记录功率和所选偏置功率分别确定为记录标记时的光照射功率和偏置功率。

[0021]

参考附图，从以下描述中可更显而易见地得知本发明的上述及其他目的、特征、以及优点。

附图说明

[0022]

图1是示出了偏置功率与2ndH/C之间的关系的图。

图2是示出了8T图案的重放记录波形的波形图。

图3是示出了8T图案的重放记录波形的波形图。

图4是示出了13T图案的重放记录波形的波形图。

图5是示出了13T图案的重放记录波形的波形图。

图6是示出了记录功率Pw与PRSNR之间的关系的图。

图7是示出了偏置功率Pb与PRSNR之间的关系的图。

图8是示出了偏置功率与PRSNR之间的关系的图。

图9是示出了PRSNR、记录功率Pw、以及偏置功率Pb之间的关系的图。

图10A和10B每一个是示出了相对于时间而言记录膜中的温度分布的模式图。

图11是示出了根据本发明的示意性实施例的光学信息记录/重放装置的示意性配置的方框图。

图12是示出了对记录用光照射功率进行校准的过程的流程图。

图13是示出了用于确定记录功率的过程的流程图。

图14是示出了用于确定偏置功率的过程的流程图。

图15是示出了用于对不具有标记的区域进行检测的电路部分的方框图。

图16是示出了在确定记录功率时对重放信号质量的测量结果的图。

图17是示出了在确定偏置功率时对重放信号质量的测量结果的图。

图18是示出了记录功率与偏置功率之间的对应关系的转换表。

图19是示出了在确定记录功率时对重放信号质量的测量结果的图。

图20是示出了用于对记录用光照射功率进行校准的过程的流程图。

图21是示出了存储在装置中的每个盘片制造商的信息的具体示例的表格。

图22是示出了在确定记录功率时对重放信号质量的测量结果的图。

图23是示出了用于对记录用光照射功率进行校准的过程的流程图。

图24是示出了对重放信号质量的测量结果的图。

图25是示出了存储在装置中的每个盘片制造商的信息的具体示例的表格。

图26是示出了记录功率与PRSNR之间的关系的图。

图27是示出了偏置功率与PRSNR之间的关系的图。

图28是示出了各种记录用光照射波形的波形图。

图29包括示出了要记录的5T标记的图(a)和示出了5T标记的脉冲串波形的图(b)。

具体实施方式

[0023]

下面，在对本发明的示例性实施例进行描述之前，描述在实现本发明之前所执行的研究。在下面的研究中，其中所使用的光学头是具有405nm的LD波长和0.65的NA(数值孔径)的光学头。其中所使用的光盘是包括下述凹槽格式用(in-groove-format-use)导槽的光盘，该凹槽格式用导槽位于直径为120mm并且厚度为0.6mm的聚碳酸酯衬底上。记录的数据密度是使得选择0.153μm的位间距并且选择0.4μm的磁道间距。其中所使用的光盘的记录膜是包括短波长使用有机颜料的记录膜。这是允许仅进行一次记录的类型。

[0024]

图1示出了在偏置功率变化的同时以11mW的恒定记录功率对通过利用单个8T图案所记录的8T图案进行重放时所获得的重放信号中的2ndH/C。2ndH/C是在频率轴上信号载波与信号的二次谐波之间的差别，该2ndH/C是其更大值意味着更低波形失真的指标。在图1中，通过参考偏置功率使横坐标标准化，其中偏置功率由偏置功率与参考偏置功率的功率比来表示。参考同一附图，很清楚的是当偏置功率Pb呈现可减轻波形失真的功率比1时，2ndH/C呈现最佳值。

[0025]

图2和3的每一个示出了所记录的8T图案的重放记录波形。图2示出了在偏置功率Pb等于″0″的情况下的重放波形，而图3示出了在偏置功率Pb等于″1″的情况下的重放波形。重放信号的上侧与标记部分相对应，而其下侧与间隔部分相对应。参考图2和3，当Pb＝0(图2)时，上侧标记部分具有凹陷，并且证实当Pb＝1(图3)时上侧标记部分的凹陷减轻了，这提供了2ndH/C的最佳值。

[0026]

图2所示的上侧标记部分上的凹陷对偏置功率Pb具有强依赖性并且对记录功率Pw具有弱依赖性。图4和5示出了在偏置功率Pb＝0分别以11mW和12mW的记录功率Pw所记录的13T图案的重放记录波形。对记录功率Pw为11mW的情况(图4)与记录功率为12mW的情况(图5)进行比较，很清楚的是记录功率的增大没有减轻上侧标记部分上的凹陷。按照这种方式，仅仅增大记录功率以从而增大提供给记录膜的热量无法减轻上侧标记部分的凹陷。

[0027]

图6示出了记录功率Pw与PRSNR之间的关系。当在与标记部分相对应的记录功率Pw变化的同时以2.0mW、3.0mW、4.0mW、5.0mW、以及5.5mW这5个级别的偏置功率Pb来执行记录并且对重放信号的PRSNR进行测量时，获得图6所示的图。参考相同附图，提供最佳PRSNR的记录功率Pw无论偏置功率Pb为任何值都是恒定，因此很清楚的是可很容易地选择提供最佳记录状态的记录功率。

[0028]

图7示出了偏置功率Pb与PRSNR之间的关系。与上述相反地，当在与间隔部分相对应的偏置功率变化的同时以10mW、11mW、以及12mW这3个级别的记录功率Pw来执行记录并且对重放信号的PRSNR进行测量时，获得图7所示的图。参考相同附图，提供最佳PRSNR的偏置功率Pb根据记录功率Pw而呈现不同值，由此很清楚的是根据偏置功率Pb与记录功率Pw的组合不能获得最佳性能。

[0029]

图8示出了当记录波形形状变化时偏置功率与PRSNR之间的关系。在图8中，通过记录功率使横坐标(偏置功率)标准化。在偏置功率变化的同时，利用标记形成用激光照射的矩形波形(多脉冲波形中的每个脉冲的边沿和单个矩形波形的边沿)的下述两个记录波形形状(在图8中◆和■)来执行记录，所述两个记录波形形状具有沿着时间轴所观察的不同位置，继之以对PRSNR进行测量，从而提供了图8所示的结果。已为大家所熟知的是通过波形形状和功率的总热量来确定用于形成标记的功率，并且在最佳功率附近的很窄范围之内波形形状(沿着时间轴方向的波形形状)和功率在其之间是可互换的。因此，具有不同记录波形形状的两个记录条件通过沿着激光照射矩形的时间轴方向的宽度差提供了不同记录功率，由此最佳记录功率的功率值改变了与该时间宽度相对应的热量。在这种情况下◆和■使用与用于提供相等性能的记录策略的裕度的相对端相对应的参数。

[0030]

参考图8，很清楚的是在偏置功率与记录功率的比率(Pb/Pw)在15％与50％之间的范围中的偏置功率使PRSNR呈现15或更大。另外，在18％与45％之间的范围中的偏置功率使PRSNR超过20，并且尤其是在20％与40％之间的范围中的偏置功率使PRSNR呈现23(等于10-6的误差率)或者更大。因此，很清楚的是对于任何记录波形形状而言，可使PRSNR保持在15或更大以展示出其显著的效果。应当注意的是等于15的PRSNR是下述目标值，该目标值是设备操作可接受的最小值。

[0031]

图9示出了相同图上的PRSNR相对于记录功率Pw和偏置功率Pb的关系。图(a)示出了在记录功率Pw变化而偏置功率Pb恒定时的PRSNR。相同附图中的图(b)示出了在偏置功率Pb变化而记录功率Pw恒定时的PRSNR。图的横坐标表示通过其中心值而标准化的记录功率Pw和偏置功率Pb。对图(a)和图(b)进行比较，很清楚的是偏置功率Pb的裕度宽于记录功率Pw的裕度。这示出了可对记录功率进行校准，换句话说，为了确定记录标记的大小，甚至不是必定确定偏置功率以允许PRSNR呈现最佳值，即粗略地确定偏置功率。

[0032]

利用以下模拟模型来对上述状况进行描述。图10(a)和10(b)示出了其中相对于时间示出了记录膜中的温度分布的模型。就在形成标记时标记的大小(长度)而言，超过标记形成温度(例如，Tm＝500℃)的部分有助于其形成。当记录脉冲照射到光盘上时，并且如果照射到记录膜上的激光束的功率从偏置功率Pb的级别增大到记录功率Pw的级别，那么记录膜的温度上升到与记录功率Pw的强度相对应的温度。如果此后在记录脉冲的后边沿，照射功率降低到偏置功率Pb的级别，那么形成标记直至记录膜的温度降低到500℃之下的温度。

[0033]

在这里考虑利用记录功率Pw1和Pw2通过使记录功率Pw在其之间变化而偏置功率Pb恒定来执行记录的情况。图10(a)示出了这种情况下的记录波形。记录功率之间的关系是Pw2＞Pw1。在照射具有记录功率Pw1的记录脉冲期间记录膜的温度变化如图10(a)中的曲线A所示的那样变化，并且在以记录功率Pw2照射期间记录膜的温度变化如曲线B所示的那样变化。图10(a)另外示出了分别由记录功率Pw1和Pw2形成的标记，即标记A和标记B。如果记录膜的温度高于用于形成标记的阈值值Tm＝500℃，那么形成标记。如上所述，在记录功率照射期间温度的最大点在记录功率Pw1与Pw2之间是不同的。在照射具有记录功率Pw2的记录脉冲期间记录膜中的最大温度点高于在以记录功率Pw1照射期间其中的最大温度点。由于记录脉冲照射期间的该温度差，因此会引起从记录脉冲的后边沿至记录膜的温度下降到低于500℃的时刻的时间长度有差别，从而提供了形成于介质之上的标记的长度的差别。

[0034]

接下来，考虑其中偏置功率在Pb0与Pb2之间变化而记录功率固定为Pw1的情况。图10(b)示出了该情况的记录波形。在这种情况下，对在偏置功率为Pb0的情况下记录脉冲照射期间的温度上升与在偏置功率为Pb2(Pb2＞Pb0)的情况下记录脉冲照射期间的温度变化进行比较，几乎不会引起记录膜的最大温度有差别，虽然在脉冲照射之后图10(b)中的区域C所示的区域中的温升方面有一些差别。通过记录膜的温度超过阈值值Tm＝500℃的时间长度来确定在标记形成期间的标记的长度(大小)，并且其不取决于其他参数。因此，对于将偏置功率设置为Pb0和Pb2的这两个情况而言形成了相同标记C。更具体地说，它们之间在由此形成的标记长度方面没有差别。因此，偏置功率不是使标记显著变化的因素。

[0035]

在幅度信息很重要的利用PRML的系统中，性能的主导因素是由标记大小所确定的幅度级别。偏置功率的作用是偏置功率使标记成形的记录标记成形作用，并且几乎不会对标记大小的确定有影响。因此，可以将其解释为偏置功率的作用是通过标记成形来抑制幅度级别的变化范围的副作用，从而使标记形状稳定以改善信号质量。

[0036]

如在此之前所描述的，可得出以下结论：在记录功率和偏置功率的组合中，即使粗略地选择偏置功率，记录功率(峰值功率)主要确定标记大小(长度)，而偏置功率不是使标记大小显著变化的因素。由此，本发明人发现通过采用下述校准过程可以更高速度且更高确定度获得最大性能，所述校准过程首先确定最佳记录功率并且此后确定与该记录功率相匹配的标记成形功率，即与记录功率所形成的标记形状相匹配的标记成形功率。

[0037]

另外，上述校准过程使用诸如PRSNR这样的其绝对值具有性能指标的意义的重放信号质量，从而以更高的精确度对最佳条件进行检测。执行试验校准，其中β值用作性能指标，并且选择记录功率Pw以用于选择β值的目标，即β值＝0。提供β值＝0的记录功率Pw基于偏置功率而呈现不同值，并且由此根据偏置功率的设置而使β值偏离，由此依次对记录功率Pw和偏置功率Pb进行校准无法导致最佳条件。

[0038]

只要校准顺序是反向的，即只要校准顺序是使得首先确定偏置功率Pb，继之以根据所确定的偏置功率Pb来确定记录功率Pw，即使使用PRSNR也无法导致真正的最佳条件。这可归因于这样的事实，即如果根据对PRSNR的测量来选择功率，那么通过记录功率Pw而使最佳偏置功率Pb偏离。更具体地说，如果采用最佳记录功率，那么当偏置功率Pb偏离时得到的最佳记录功率不是必定提供了呈现最大性能的PRSNR，由此无法获得最佳记录功率。因此，即使得到了最佳条件，那么将需要多次再试操作。无法得到介质所拥有的最大性能或者要进行校准以获得最佳性能需要更长时间长度这样的事实是驱动器的致命缺陷。

[0039]

还存在无需利用偏置功率而使记录波形的前沿的功率上升这样的测量。然而，证实即使使用这样的测量也会由于前沿的热量朝着在前间隔部分(非标记部分)方向漫射而扰乱间隔部分的波形形状，并且很难改善总性能且无法获得简单校准。此外，虽然传统介质具有强热干扰并且由此标记的形成主要用于改变形状，但是很可能的是包括短波长使用有机颜料的介质是使用光化学反应或者光热化学反应的反应类型。证实在由光束的照射所形成的标记部分的光反射率高于激光束照射之前的光反射率的介质中本发明的有效性尤其更高。

[0040]

在下文中，参考附图对本发明的示意性实施例进行描述。图11示出了根据本发明实施例的光学信息记录/重放装置的配置的概图。光学信息记录/重放装置10包括光学头11、RF电路16、解调器17、系统控制器18、调制器19、LD驱动器20、参数校准单元21、伺服控制器22、以及主轴驱动系统23。光学头11包括物镜12、光束分离器13、激光二极管(LD)14、以及光检测器15。光学头11使光发射到光盘50上并且对从光盘所反射的光进行检测。

[0041]

在对光盘50执行记录/重放期间主轴驱动系统23驱动光盘旋转。LD 14发射出入射到光盘50上的光。从LD 14发射出的光被对来自LD14的光反射并且使来自光盘50的反射光穿过其的光束分离器13反射，并且朝着物镜12的方向前进。物镜12使从LD 14所发射出的光聚焦到光盘的信息记录表面上。来自光盘50的反射光通过物镜12入射到光束分离器13上，穿过光束分离器13，并且被光检测器15检测。光检测器15向RF电路16输出与所接收到的反射光相对应的信号。

[0042]

RF电路16对输入信号执行过滤处理等等。解调器17对通过RF电路16而输入的信号进行解调。调制器19对记录信号进行调制。LD驱动器20驱动LD 14。伺服控制器22控制伺服信号并且执行包括倾斜控制和象散控制的伺服控制。系统控制器18对整个设备进行控制。参数校准单元21在记录条件下对功率等等执行参数校准。参数校准单元21执行判断重放信号性能(重放信号质量)。PRSNR或者误差率用于重放信号质量。RF电路16具有作为重放信号质量单元的功能，并且负责计算PRSNR或者误差率。除此之外，光学信息记录/重放装置10包括未示出的温度检测单元。

[0043]

图12示出了对记录用光学照射功率进行校准的过程。光学信息记录/重放装置10分辨光盘50的未记录区(步骤A100)。在步骤A100中，例如通过根据可用于功率校准或者各种校准的区域中的重放信号来探查存在记录标记或者不存在记录标记来分辨未记录区并对其进行判断。作为替换，通过从光盘50读取表示记录了标记的区域的信息来分辨未记录区。此后，利用参数校准单元21，在使记录功率变化而偏置功率恒定的同时，在未记录区中执行记录，此后对记录数据进行重放，并且判断重放信号质量以确定记录功率(步骤B100)。

[0044]

图13示出了步骤B100中的确定记录功率的过程。在确定记录功率时，参数校准单元21首先将偏置功率设置为预先确定的特定功率(步骤B110)。步骤B110设置例如对可用于实验的介质进行校准所获取的功率的平均偏置功率。在该阶段所设置的偏置功率是记录功率(该功率主要用于在记录开始之后形成标记)的20％至40％，其从本发明人的深入研究结果而被推断为最合乎需要的范围。在替换中，可以相对于在下一步骤中所使用的记录功率的中心值来计算平均偏置功率，其中通过利用偏置功率与记录功率的比率的计算，利用不同记录功率来执行记录，并且可以使用该记录。在又一替换中，可以从光盘50读取与功率有关的信息，并且可以使用该信息。

[0045]

随后，参数校准单元21产生包括逐级变化的记录功率的多个记录条件。系统控制器18在包括由参数校准单元21所产生的不同记录功率的多个记录条件下在光盘50的未记录区中执行记录。在步骤B120中，以在从下述中心值起的大约±10％的范围内变化的记录功率执行记录，所述中心值是通过利用实验中的校准等等而预先获得的功率的平均记录功率。该记录功率以例如0.5mW阶步逐级变化。将偏置功率固定为在步骤B110中所设置的偏置功率。可以利用从光盘50所读取的功率的信息来确定记录功率的中心值。在这种情况下，经常发生由盘片制造商所预备的功率不是最佳功率。然而，与不存在这种信息的情况相比，该信息是更有利的，并且可用作下一次得到的初始中心功率。

[0046]

如果没有预先获得所需信息，那么可以估计在用于记录的设备中所使用的LD的最大发射功率和功率裕度以便获得记录功率的中心值。在这种情况下，如果该设备中的用于记录的最大发射功率例如是12mW，那么估计出其中的裕度部分为20％，这展示了初始特定记录功率是10mW。如果将预先确定的特定偏置功率设置为记录功率的20％至40％，那么利用是记录功率的20％与40％之间的中值的30％获得功率，并且因此在该阶段将偏置功率选择为3.0mW以用于设置。

[0047]

系统控制器18通过利用光学头11、RF电路16、解调器17等等对步骤B120中所记录的区域进行重放(步骤B130)。RF电路16对与每个记录功率所记录的区域相对应的重放信号质量进行测量(步骤B140)，并且将重放信号质量的信息送到参数校准单元21。参数校准单元21判断所接收到的重放信号质量(步骤B150)，并且将在提供最佳重放信号质量的条件下用于记录的记录功率确定为最佳记录功率(步骤B160)。

[0048]

回到图12，光学信息记录/重放装置10将记录功率固定为在步骤B100中所确定的记录功率(在图13的步骤B160中所确定的最佳记录功率)，在偏置功率变化的同时执行记录，对记录数据进行重放，并且判断重放信号质量以从而确定偏置功率(步骤C100)。图14示出了确定偏置功率的过程。参数校准单元21首先将记录功率设置为在步骤B160中所确定的最佳记录功率(步骤C110)。随后，参数校准单元21固定记录功率并且建立包括逐级变化的偏置功率的记录条件。

[0049]

系统控制器18在由参数校准单元21所建立的各种记录条件的每一个之下执行到光盘50的未记录区上的记录(步骤C120)。在步骤C120中，利用下述偏置功率来执行记录，所述偏置功率在从例如通过实验校准等等而预先获得的平均偏置功率的中心值起±25％的范围之内变化。该偏置功率以例如0.5mW的阶步逐级变化。可以利用从光盘50所读取的功率的信息来确定偏置功率的中心值。

[0050]

系统控制器18通过利用光学头11、RF电路16、解调器17等等对在步骤C120中所记录的区域进行重放(步骤C130)。RF电路16对与利用每个偏置功率所记录的区域相对应的重放信号质量进行测量(步骤C140)，并且将该重放信号质量的信息送到参数校准单元21。参数校准单元21判断所接收到的重放信号质量(步骤C150)，并且将在提供最佳重放信号质量的条件之下用于记录的偏置功率确定为最佳偏置功率(步骤C160)。

[0051]

再次回到图12，在确定记录功率和偏置功率时，光学信息记录/重放单元10将其组合设置为记录用记录条件(步骤D100)。更具体地说，参数校准单元21将在步骤B160中所确定的最佳记录功率(图13)与在步骤C160中所确定的最佳偏置功率(图14)的组合设置为记录用记录条件。在该阶段，可以利用预先校准的校正值来对由于光盘50与光学头11之间的倾斜所引起的功率灵敏度的差别、设备的温度变化、以及设备配置的差别(还存在用于产生相对于该功率的标记形成或者成形的灵敏度的差别的组合)进行校正。

[0052]

在该示意性实施例中，沿着上述过程确定记录用光照射功率在利用照射到下述一次写入型介质上的光束进行记录期间提供了对光照射功率的高速且精确校准，所述一次写入型介质的记录标记是通过光束照射形成的。这是因为无需根据与记录标记的成形有关的偏置功率即可以简单方式高速地确定最佳记录功率，并且将与由最佳记录功率所形成的记录标记相匹配的偏置功率(波形成形功率)确定为最佳偏置功率。因此，与通过利用所有功率组合进行记录和重放来执行校准的情况相比，在对与记录有关的功率进行校准时的校准时间长度可急剧降低。另外，这会导致抑制耗用校准区的优点。

[0053]

在该示意性实施例中，不必执行诸如利用与每类功率相对应的目标值的复杂处理，由此可降低各种设备资源以从而降低其成本。这是因为在对记录功率和偏置功率进行校准期间将SNR(PRSNR)或者误差率用作统一的估计指标。另外，考虑到出现了盘片制造商的数目迅速增长的当前状况，因而会引起出现更大数目的其源是未知的所谓未知盘片，并且由此会引起设备赶不上盘片，因此不可避免的要对与性能有关的参数进行校准。作为其中的性能指标，使用在绝对值中具有性能指标意义的PRSNR或者误差率提供了这样的益处，即提供了可对各种介质进行处理的能力、改善了用户的便利性、并且与需要将与性能相对应的校准提高到某种程度的目标相比确保了更高的可靠性。

[0054]

在下文中，利用示例提供描述。在示例1中，具有405nm的LD波长和0.65的NA(数值孔径)的光学头用作光学头11(图11)。在这里所使用的光盘50是包括有下述聚碳酸酯衬底的光盘，所述聚碳酸酯衬底具有120mm的直径和0.6mm的厚度并且在其上形成了凹槽格式用导槽。作为记录数据的密度，采用0.153μm的位间距和0.4μm的磁道间距。在这里所使用的记录膜是包括用于短波长的有机颜料系列的记录膜。盘片是仅允许进行一次写入的一次写入型。所使用的调制/解调码是基于RLL(1，7)的ETM(8至12调制)。所使用的记录策略是包括多个脉冲的(k-1)个规则的脉冲串策略。该策略使用规则以便如果记录标记长度是kT(k是不小于2的整数并且T是信道时钟周期)，那么利用一组(k-1)个记录(加热)脉冲形成标记。图29(a)示出了要形成的5T标记，并且图29(b)示出了5T标记的脉冲串波形。

[0055]

沿着图12所示的过程、通过利用光学信息记录/重放装置10对记录条件进行校准。在步骤A100中，使光学头11移动到其中根据需要执行参数校准的光盘50的驱动器测试区以对不具有标记的区域进行检测。对不具有标记的区域的检测使用这样的装置，该装置可在利用计数起始信号和计数结束信号的同时对从特定开始位置起的特定时间长度之内的非标记的检测次数进行检测。利用多个记录条件执行记录，其中记录功率在从作为其信息而存储在设备中的平均记录功率的中心起的特定范围之内变化而将偏置功率固定到作为其信息而存储在设备中的平均偏置功率。

[0056]

在步骤B140中，对记录区域进行重放以对每个记录条件的重放信号质量进行测量。图16示出了对重放信号质量的测量结果。在步骤B160中，从图16所示的测量结果确定出记录功率Pw＝11mW以作为提供最大PRSNR的记录条件的最佳记录功率。此后，在步骤C120(图14)中，偏置功率在从存储在设备中的平均偏置功率的中心起的特定范围之内变化以在多个记录条件之下执行记录，其中将记录功率固定到被确定为最佳记录功率的Pw＝11mW。对记录区域进行重放以测量重放信号质量这提供了图17所示的测量结果。在步骤C160中，从图17所示的测量结果将偏置功率Pb＝4mW确定为提供最大PRSNR的记录条件的最佳偏置功率。

[0057]

从上可知，将记录功率Pw＝11mW和偏置功率Pb＝4mW的组合确定为记录用记录条件。对图16中的重放信号质量与图17中的重放信号质量进行比较，可将偏置功率校准之前(图16)PRSNR的最大值29提高到偏置功率校准之后的大约32(图17)，由此可确保本发明的效果。

[0058]

接下来，对示例2进行描述。示例2的基本配置与示例1相似，并且其用于确定偏置功率的处理的内容(图12的步骤C100)与示例1不同。在确定偏置功率的过程中，利用记录功率与偏置功率之间的对应表(转换表)来确定偏置功率。图18示出了该转换表的具体示例。利用该转换表，例如对于10mW的记录功率而言，将偏置功率Pb确定为3.4mW。预先获得图18所示的转换表并且将其存储在设备中。

[0059]

利用具有与示例1相似配置的光学信息记录/重放装置10来执行对记录条件的校准。首先，使光学头11(图11)移动到光盘50的驱动器测试区，并且检测不具有标记的区域。随后，在多个记录条件下执行记录，同时记录功率在从平均记录功率的中心起的特定范围之内变化而将偏置功率固定到作为其信息而存储在设备中的平均偏置功率以对重放信号质量进行测量。此后，根据所测量的重放信号质量来确定最佳记录功率。图19示出了重放信号质量的测量结果。从该测量结果，将提供即就是最大PRSNR的最佳重放信号质量的记录功率Pw＝11mW确定为最佳记录功率。

[0060]

在确定了记录功率之后，确定偏置功率。对偏置功率的确定使用图18所示的转换表。参考图18，与Pw＝11mW的记录功率相对应的偏置功率Pb是3.8mW，由此确定出偏置功率为3.8mW。利用记录功率Pw＝11mW与偏置功率Pb＝3.8mW的组合来执行记录以对PRSNR进行测量，并且结果PRSNR是32。从该结果，可确信本发明的效果。

[0061]

对示例3进行描述。示例3的基本配置与示例1相似并且示例3与示例1的不同之处在于在分辨未记录区(图12的步骤A100)之前执行介质识别。图20示出了示例3中的对记录条件进行校准的过程。光学信息记录/重放装置10(图11)在将光盘50加载到其上时对光盘503进行识别(步骤A10)。随后过程与图12所示的过程相似。

[0062]

在步骤A10中，关于盘片使用的形式类型、盘片所属的制造商等等执行对所设置的光盘50进行识别。另外，如果判断出盘片是可记录的盘片，那么执行盘片是通过对标记进行记录来提高标记的反射率的低至高盘片(LH介质)还是通过对标记进行记录来降低反射率的高至低盘片(HL介质)的判断。除此之外，从光盘50读取记录膜数目的信息等等，此后读取功率的信息，并且将这样的信息设置在系统控制器18中。

[0063]

利用具有与示例1相似配置的光学信息记录/重放装置10并且沿着图20所示的过程，执行对记录条件的校准。在将光盘50加载到光学信息记录/重放装置10上时，步骤A10中的介质识别展示出光盘50是盘片制造商A-2所制造的并且包括单个记录膜的LH介质。随后，使光学头11移动到驱动器测试区以对不具有标记的区域进行检测。此后，在步骤B 120(图13)中在多个记录条件之下执行记录，其中记录功率在从作为其信息而存储在设备中的记录功率的中心起的特定范围之内变化而将偏置功率固定到根据该记录功率而从转换信息所得到的偏置功率上。

[0064]

图21示出了存储在设备中的每个盘片制造商的信息的具体示例。参考相同附图中所示的信息，光学信息记录/重放装置10获得推荐用于盘片制造商A-2的光盘的记录功率Pw＝11，并且获得偏置功率与记录功率的比率为″0.33″。在步骤B120中，在其中记录功率Pw在从所建议的记录功率(11mW)的中心起的特定范围之内变化而将偏置功率Pb固定到0.33×所推荐的记录功率(11mW)＝3.6mW上的多个记录条件之下执行记录。

[0065]

在步骤B 140中，对重放信号质量进行测量以展示出图22所示的结果。PRSNR呈现记录功率Pw＝10.5mW附近的最大值，由此确定最佳记录功率为10.5mW。在确定偏置功率的步骤C100中(图12)，将根据和盘片制造商A-2相对应的偏置功率与记录功率的比率″0.33″(图21)所确定的最佳偏置功率10.5mW×0.33＝3.5mW确定为最佳偏置功率。利用最佳记录功率与最佳偏置功率的组合来在光盘的整个表面上执行记录，并且这里确信适当重放是可能的，在作为单元的每16个ECC块中，误差的平均数等于或者小于作为可校正误差的数目20。

[0066]

对示例4进行描述。示例4的基本配置与示例1相似并且与其不同之处在于在确定偏置功率(图12中的步骤C100)之后执行性能判断。图23示出了示例4中的记录条件的校准过程。步骤A100-C100的处理与图12所示的过程相似。光学信息记录/重放装置10在确定了记录功率和偏置功率之后在利用该组合的该记录条件之下执行记录以判断重放性能是否差于预先掌握的介质性能(步骤C200)。

[0067]

基本上，相应标准所批准的介质具有在特定标准之内的有限性能，并且必定满足固定标准。在步骤C200中，在利用在步骤B100中所确定的记录功率与在步骤C100中所确定的偏置功率的组合执行了记录之后，判断重放性能是否具有设备操作不会有问题的级别。如果判断出重放性能满足设备操作(性能很好)，那么处理前进到步骤D100，其中将记录功率与偏置功率的组合设置为记录条件。如果判断出重放性能不满足设备操作(性能不好)，那么执行对功率的重搜索处理(步骤D10)。

[0068]

在步骤D10中对功率进行重搜索处理的过程中，例如功率的绝对值变化，而记录功率与偏置功率的比率保持恒定。在替换中，在记录功率变化而偏置功率是固定的同时，对诸如光学头与介质之间的倾斜或者聚焦位置的与记录有关的参数进行调节以利用在该阶段最佳化的功率执行记录，即利用不是最初使用的记录功率或者偏置功率。此后为进行性能判断对记录区域进行重放以再次重新确定最佳记录功率。如果在此阶段重放性能满足特定性能，那么该处理前进到步骤D100，在该步骤中将最佳记录功率与固定偏置功率的组合设置为条件。如果不满足特定性能，那么在偏置功率变化而由此重新确定的最佳记录功率是固定的同时执行记录，并且此后对记录区域进行重放以确定最佳偏置功率。

[0069]

通过利用具有与示例1相似配置的光学信息记录/重放装置10而利用图23所示的过程来执行对记录条件的校准。在将光盘50设置到光学信息记录/重放装置10上之后，将由此所设置的光盘50判断为盘片制造商B-1所制造的光盘。光学头11首先移动到光盘50的驱动器测试区以对不具有标记的区域进行检测。随后，在多个记录条件之下执行记录，其中记录功率在从存储在设备中的记录功率的中心起的特定范围之内变化而偏置功率固定为根据转换信息从记录功率所获得的偏置功率上。此后对该记录区域进行重放，并且对重放性能进行测量以从而确定记录功率。此后确定偏置功率。

[0070]

在利用所确定的记录功率与偏置功率的组合进行记录之后对重放信号质量进行测量以展示出PRSNR大约为15。参考图21所示的并且预先存储在设备中的盘片制造商B-1的数据，PRSNR是18，由此在步骤C200中(图23)通过性能判断可判断出性能不好。在步骤D10中的对功率进行重新搜索的过程中，通过使功率的绝对值变化而在步骤B 100中所确定的记录功率与在步骤C100中所确定的偏置功率的比率是固定的来执行记录/重放以对PRSNR进行测量。

[0071]

图24示出了重放信号质量的测量结果。参考图24，PRSNR在功率增大1.07倍时呈现最大。该阶段的PRSNR大约是19，其超过了预先呈现的性能(PRSNR＝18)。由此，结束对功率的重新搜索，并且对该记录条件设置通过使在步骤B100中所确定的记录功率和在步骤C100中所确定的偏置功率乘以1.07倍所获得的功率。通过利用按照这种方式所确定的记录条件，可最大程度地得到介质的性能，由此可确信该实施例的有效性。

[0072]

对示例5进行描述。示例5的基本配置与示例4相似，并且不同之处在于在这里在步骤A100(图23)之前执行介质识别。利用与示例3相似的技术来执行介质识别。在将光盘50设置到光学信息记录/重放装置10上之后，虽然不可能对盘片的制造商进行识别，但是判断出盘片是LH介质和包括单个记录膜的一次写入型盘片。图25示出了存储在设备中的每个盘片制造商的信息的具体示例。参考图25，制造商未知的盘片具有推荐的记录功率为11.5mW并且偏置功率与记录功率的比率为0.34。在步骤B120中(图13)，在多个记录条件之下执行记录，其中记录功率Pw在从所推荐的记录功率(11.5mW)的中心起的特定范围内变化而偏置功率Pb固定到所推荐的记录功率(11.5mW)×0.34＝3.9mW。

[0073]

图26示出了记录功率与PRSNR之间的关系。该图另外示出了记录功率与2T中的不对称性之间的关系以作为参考。对在多个记录条件之下所记录的区域进行重放以对PRSNR进行测量，这展示出图26所示的结果。从图26所示的PRSNR的测量结果，将Pw＝11mW的记录功率确定为最佳记录功率。此后，在其中偏置功率变化而记录功率Pw固定到最佳记录功率(11mW)的多个记录条件之下执行记录，并且对记录区域进行重放以对PRSNR进行测量。图27示出了该测量结果。从这些结果，可将Pb＝3.4mW的偏置功率确定为最佳偏置功率。

[0074]

利用上述最佳记录功率与最佳偏置功率的组合来执行记录，并且对重放信号质量进行测量，展示出PRSNR大约为18。参考图25，未知盘片呈现PRSNR为15，由此通过步骤C200中的性能判断而判断出该性能是满意的。因此，将Pw＝11mW的记录功率和Pb＝3.4mW的偏置功率确定为记录用功率。

[0075]

在上述记录条件之下对2T不对称性β值的测量展示出β值为0％，并且将该值与设备识别码(ID)一起记录到介质的驱动器测试区中以作为该设备所获得的作为设备校准的校准信息。在校准之前PRSNR呈现最大值的记录功率(11mW)的不对称性值是1.5％(图26)，其与最终的校准值不同(0％)。优选地是最终的校准功率提供0％的不对称性，并且在本发明中确信可实现得到介质的最大性能的高性能校准。由此，可证实本发明的有效性。

[0076]

在上述示意性实施例中，使用波长为405nm并且NA为0.6的光学信息记录/重放装置。然而，本发明并不局限于这些配置，并且可应用于具有另一波长和另一NA的设备上。记录波形是基于脉冲串记录波形的记录波形或者基于矩形波形的记录波形，并且可实现相似优点。包含在在利用脉冲串波形情况下与标记部分相对应的记录功率之内的偏置功率2未包含在该实施例中的校准过程之内，因为它不直接与本发明相关。然而，在性能低劣的情况下，还优选地使该偏置功率2进行校准。在这种情况下，优选地在对偏置功率进行校准之后执行对偏置功率2的校准。作为对除了功率之外的校准，可根据需要执行在时间轴方向上对记录波形的校准。就用于确定除了上述功率之外的功率的性能指标而言，可根据设备配置使用在此以前已知的性能指标。这可以利用例如在特定数目的ECC块中出现的错误字节的数目或者下述PI错误的数目，该PI错误的数目是通过ECC的内侧奇偶性检测到错误的线的总数目。也就是说，还可使用基本上可由误差指标代替的指标或者在质量上与误差率相等的意义中所使用的指标。

[0077]

如在此以前所描述的，在用于根据本发明的示意性实施例的用于记录用光照射功率的校准方法和光学信息记录/重放装置中，就通过根据标记和间隔而在记录功率与偏置功率之间切换照射来对其执行记录的一次写入型记录介质而言，首先以提供适当的重放信号质量的记录功率对记录功率进行校准，并且此后利用所校准的记录功率来确定偏置功率。更具体地说，首先执行对用于确定标记长度(大小)的记录功率进行校准，继之以确定与所校准的记录功率相配的标记成形功率(偏置功率)，即与从而形成的标记相配的标记成形功率，由此可以更高的速度且更高的确定度对提供适当的记录/重现特性的记录用光照射功率进行校准。

[0078]

在下文中，例示了在本发明中可以采用的实施例。

记录用光照射功率校准方法可采用这样的配置，其中偏置功率选择步骤：

在偏置功率逐级变化而将记录功率固定到所选记录功率上的同时，对特定图案串进行记录；通过对记录的特定图案串进行重放来测量重放信号质量；以及从在其之间是逐级变化的偏置功率当中选择提供最高重放信号质量的偏置功率。在光学信息记录/重放装置中，可采用这样的配置，其中在选择偏置功率时参数校准单元根据下述重放信号质量从在其之间是逐级变化的偏置功率当中选择允许所测量的重放信号质量呈现最佳重放信号质量的偏置功率，所述重放信号质量是在偏置功率变化而记录功率固定到所选记录功率上的同时重放信号质量测量部分从所记录的图案串测量出的。在这种情况下，选择与所选记录功率相组合的提供最佳重放信号质量的偏置功率作为在记录期间所使用的偏置功率，由此可确定能够得到最大介质性能的记录用光照射功率。

[0079]

在上述替换中，本发明的记录用光照射功率校准方法可采用这样的配置，其中偏置功率选择步骤根据预先指定的记录功率与偏置功率之间的对应关系来基于所选记录功率选择偏置功率。在光学信息记录/重放装置中，可采用这样的配置，其中参数校准单元根据所选记录功率和预先与该记录功率相组合地设置的偏置功率来选择偏置功率。例如，根据记录功率与偏置功率的比率从所选记录功率来确定出偏置功率。在利用这种方式的情况下，与执行实际记录的情况下相比，选择偏置功率的时间长度降低了。

[0080]

本发明的记录用光照射功率校准方法可采用这样的配置，其中重放信号质量包括PRSNR和根据从图案串所重放出的重放信号所计算的误差率中的至少一个。在本发明的光学信息记录/重放装置中可采用这样的配置，其中重放信号质量测量部分根据重放信号来计算PRSNR和误差率中的至少一个。

[0081]

本发明的记录用光照射功率校准方法可以进一步包括在记录步骤之前读取出包括记录在记录介质上的偏置功率的设置信息的控制信息的步骤，其中记录步骤根据包含在所读取出的控制信息中的偏置功率的设置信息来确定特定偏置功率。在本发明的光学信息记录/重放装置中，可采用这样的配置，其中记录介质(50)将包括偏置功率的信息的控制信息记录在其上，并且参数校准单元根据包含在控制信息中的偏置功率的设置信息来确定在记录功率变化的同时执行记录时所使用的特定偏置功率。例如，如果控制信息包括适合于所设置的光学信息记录介质的偏置功率的推荐值，那么在确定偏置功率时使用该信息。在这种情况下，可预测到预先所确定的偏置功率的程度。

[0082]

在本发明的记录用光照射功率校准方法中，可采用这样的配置，其中控制信息包括记录功率与偏置功率之间的对应关系，并且偏置功率选择步骤基于对应关系的信息根据所选记录功率选择偏置功率。在本发明的光学信息记录/重放装置中，可采用这样的配置，其中控制信息包括记录功率与偏置功率之间的对应关系的信息，并且参数校准单元根据对应关系的信息来基于所选记录功率选择偏置功率。

[0083]

本发明的记录用光照射功率校准可采用这样的配置，其中记录介质是一次写入型介质，其中记录标记是通过光化学反应或者光热化学反应形成的，记录介质中的记录膜的至少一部分是由有机颜料形成的，并且将该介质配置成使得由光束照射所形成的标记部分的光反射率高于激光束照射之前的光反射率。在本发明的光学信息记录/重放装置中，可采用这样的配置，其中记录介质是下述一次写入型记录介质，该一次写入型记录介质的记录标记主要是通过光化学反应或者光热化学反应形成的，记录介质的记录膜的至少一部分是由有机颜料形成的，并且由光束照射所形成的标记部分的光反射率高于激光束照射之前的介质的光反射率。

[0084]

虽然已根据其优选实施例对本发明进行了描述，但是本发明的用于光照射功率的校准方法和光学信息记录/重放装置不仅局限于上述示意性实施例的配置，并且对上述实施例的配置的各种修改和变换落入在本发明的范围内。

工业适用性

[0085]

本发明作为光照射功率校准方法可广泛地应用于通过根据标记和间隔而在记录功率与偏置功率(标记成形功率)之间切换照射到一次写入型记录介质上(该介质的记录标记是通过光化学反应或者光热化学反应形成的)来进行记录，并且可实现记录用光照射功率的校准时间长度、其校准精确度、以及使用其的设备的可靠性急剧改进这样的优点。

[0086]

该申请基于并且要求于2006年9月15日提交的、日本专利申请No.2006-250870的优先权，其全部内容通过参考而并入这里。

Claims (14)

1.一种用于在对一次写入型记录介质执行记录的光学信息记录/重放装置中对光照射功率进行校准的方法，在所述一次写入型记录介质中标记是通过光束照射形成的，该方法包括步骤：

在记录功率逐级变化而偏置功率被固定的同时，将特定图案串记录在记录介质上的特定区域中；

对在所述记录步骤中记录的所述图案串进行重放以测量重放信号质量；

基于所述测量的重放信号质量，从在之间是逐级变化的记录功率当中选择单个记录功率；

通过利用所述选择的记录功率来选择偏置功率；以及

通过照射所述选择的记录功率和所述选择的偏置功率来形成标记。

2.根据权利要求1的方法，其中：

所述偏置功率选择步骤：

在偏置功率逐级变化而记录功率被固定到所述选择的记录功率的同时，对特定图案串进行记录；通过对所述记录的特定图案串进行重放来测量重放信号质量；以及从在之间是逐级变化的偏置功率当中选择提供最高重放信号质量的偏置功率。

3.根据权利要求1的方法，其中所述偏置功率选择步骤根据记录功率与偏置功率之间预先指定的对应关系，基于所述选择的记录功率选择所述偏置功率。

4.根据权利要求1至3的任何一项的方法，其中所述重放信号质量包括基于从所述图案串重放的重放信号计算的PRSNR和误差率中的至少一个。

5.根据权利要求1的方法，进一步包括步骤：在所述记录步骤之前，读取出包括记录在所述记录介质上的偏置功率的设置信息的控制信息，其中：

所述记录步骤基于包括在所述读取出的控制信息之内的偏置功率的所述设置信息来确定所述特定偏置功率。

6.根据权利要求5的方法，其中所述控制信息包括记录功率与偏置功率之间的对应关系，并且所述偏置功率选择步骤基于所述对应关系的信息根据所述选择的记录功率选择所述偏置功率。

7.根据权利要求1至6的任何一项的方法，其中所述记录介质是一次写入型介质，其中记录标记是通过光化学反应或者光热化学反应形成的，所述记录介质中的记录膜的至少一部分是由有机颜料形成的，并且将所述介质配置成使得由所述光束照射形成的标记部分的光反射率高于所述激光束照射之前的光反射率。

8.一种将数据记录到一次写入型记录介质上/对一次写入型记录介质上的数据进行重放的信息记录/重放装置，其中标记是通过光束照射形成的，该信息记录/重放装置包括：

参数校准单元(21)，用于确定在对记录介质(50)执行记录时照射记录介质的激光束的记录功率和偏置功率，

其中所述参数校准单元(21)包括：用于测量重放信号质量的重放信号质量测量部件；基于特定图案串的重放信号质量来从在之间是逐级变化的记录功率当中选择单个记录功率，所述特定图案串在记录功率逐级变化而偏置功率被固定为常数的同时被记录在特定记录区中，所述重放信号质量是由所述参数校准单元测量的；基于选择的记录功率来选择偏置功率；并且将选择的记录功率和选择的偏置功率分别确定为在记录标记时的光照射功率和偏置功率。

9.根据权利要求8的光学信息记录/重放装置，其中在选择所述偏置功率时，所述参数校准单元(21)基于由所述重放信号质量测量部件从下述图案串中测量出的重放信号质量，从在之间是逐级变化的偏置功率当中选择允许所述测量的重放信号质量呈现最佳重放信号质量的偏置功率，所述图案串是在偏置功率变化而记录功率被固定到所述选择的记录功率的同时被记录的。

10.根据权利要求8的光学信息记录/重放装置，其中所述参数校准单元(21)基于选择的记录功率和预先结合记录功率设置的偏置功率来选择偏置功率。

11.根据权利要求8至10的任何一项的光学信息记录/重放装置，其中所述重放信号质量测量部件基于重放信号来计算PRSNR和误差率中的至少一个。

12.根据权利要求8的光学信息记录/重放装置，其中记录介质(50)在其上记录包括偏置功率的信息的控制信息，并且所述参数校准单元(21)基于包括在控制信息中的偏置功率的设置信息来确定在记录功率变化的同时执行记录时使用的所述特定偏置功率。

13.根据权利要求12的光学信息记录/重放装置，其中所述控制信息包括记录功率与偏置功率之间的对应关系的信息，并且所述参数校准单元(21)根据所述对应关系的信息，基于选择的记录功率选择偏置功率。

14.根据权利要求8至13的任何一项的光学信息记录/重放装置，其中记录介质(50)是一次写入型记录介质，该一次写入型记录介质的记录标记主要是通过光化学反应或者光热化学反应形成的，该记录介质的记录膜的至少一部分是由有机颜料形成的，并且由所述光束照射形成的标记部分的光反射率高于所述激光束照射之前介质的光反射率。

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