CN101197140B - 光盘驱动器刻录功率调整方法及装置 - Google Patents

Abstract

一种光盘驱动器刻录功率调整方法，光盘驱动器的写入脉冲包括第一刻录功率Ph和第二刻录功率Pm，第一刻录功率Ph大于第二刻录功率Pm。光盘驱动器中预设有初始初始第一刻录功率Ph，光盘驱动器刻录功率调整方法包括如下步骤：选择初始Ph；将初始Ph转化为多个不同的Ph分别刻录测试数据到光盘上；检测光盘测试数据的岸和坑长度的多个集中度参数PS，PS为测试数据的岸和坑长度的标准差之和；将测得的多个PS与Ph进行二次曲线拟合：PS＝A(Ph-B)²+C，求出参数A、B、C的值；确定最佳第一刻录功率Ph＝B；存储最佳第一刻录功率Ph。本发明还提供一种光盘驱动器刻录功率调整装置。

Description

光盘驱动器刻录功率调整方法及装置

技术领域

本发明涉及一种光盘驱动器，特别涉及一种光盘驱动器刻录功率调整方法及装置。

背景技术

刻录机刻录数据的方式是将普通数据转换成二进制的数据，并将其依据8-14调制(EFM，Eight to Fourteen Modulation，)方式调变后，将二进制数据刻录成光盘上的岸(Land)与坑(Pit)；而在读取时，岸与坑的长度表示连续的0和1的个数，再搭配EFM原理将数据从光盘上译码出来。因此刻录时，准确控制岸与坑的长度对于数据正确性有直接影响，其主要参数包括激光功率、脉冲宽度以及脉冲波形的控制，规格书将其定义为刻录参数。

就可刻录的光盘而言，可分为单次刻录与多次覆写。单次刻录之光盘，如CD-R、DVD-R，利用激光加热破坏光盘轨道上染料的物理结构产生坑，而未被破坏的部分则为岸；多次覆写的光盘，如DVD-RW、DVD-RAM，则是利用激光控制光盘轨道上的温度使其产生相变，进而产生虚拟的坑与岸。由于刻录原理的不同，覆写式光盘是以多脉冲(Multi-Pulse)的波形来刻录资料，而单次刻录的光盘则大多是以非多脉冲(Non-Multi Pulse)波形刻录。

为了配合激光脉冲刻录的特性，EFM调变会根据DVD规格书的定义将原本8位(1字节)的数据转换为14位，通过加长数据的长度，使数据更易于使用激光刻录与读取。经过EFM调变后的数据为3T、4T、5T、6T、7T、8T、9T、10T、11T以及14T，其中T代表刻录1位数据所需的时间长度，最短的坑/岸长度需为3T，最长为14T；以1X倍速读取DVD为例，1T为38.23ns，以4X倍速读取DVD为例，1T则为9.56ns。

图1为一组需要刻录光盘的EFM数据，激光头读取光盘数据时，在坑或者岸上，其反射系数不变，都读成“0”，坑和岸的长度决定“0”的个数。在坑和岸的交界处，其反射系数发生变化，即坑的前后沿读为“1”。

图2为非多脉冲方式之写入脉冲波形示意图。所述写入脉冲包括第一刻录功率Ph(Peak Power)与第二刻录功率Pm(Bottom Power)。图中Pr为读取功率。第一刻录功率Ph(以下直接用Ph进行说明)表示刻录数据时采用的较高刻录功率，第二刻录功率Pm(以下直接用Pm进行说明)表示在刻录数据时采用的较低刻录功率。即在刻录一个坑时，在坑两头需要的较高激光功率，而中间部分因为热传递的原因，只需采用较低功率刻录即可。

整个光盘的刻录质量由图2中写入脉冲的参数所决定，由于各光盘厂的染料配方不尽相同，因此各种光盘的刻录功率参数皆无法共享，甚至于同一家光盘厂所生产的光盘，因刻录倍速的不同，其刻录功率也不相同。传统上，刻录机厂商在刻录机量产前，会针对市面上的光盘作刻录功率调整的动作，并将各种光盘的刻录功率参数储存在固件中。当用户放入光盘时，刻录机即可通过光盘上的识别码，在固件中找到相对应的刻录功率参数，进而成功刻录该光盘。上述方法的缺点在于，必须浪费许多的人力与时间成本在刻录功率的调整上，且当需要更换不同的光学读取头或控制芯片时，全部的刻录功率参数就必须再重新调整。此外，若光盘厂所生产的光盘质量不一致，或遇到尚未内建刻录功率参数的新光盘时，则所刻录出来的光盘质量就会很差，甚至于无法成功刻录该光盘。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种自动调整光学读取头刻录功率的方法。

还有必要提供一种自动调整光学读取头刻录功率的装置。

一种光盘驱动器刻录功率调整方法，所述光盘驱动器的写入脉冲包括第一刻录功率Ph和第二刻录功率Pm，所述第一刻录功率Ph大于所述第二刻录功率Pm。所述光盘驱动器中预设有初始初始第一刻录功率Ph，所述光盘驱动器刻录功率调整方法包括如下步骤：

选择所述初始第一刻录功率Ph；

将所述初始第一刻录功率Ph转化为多个不同的Ph并使用所述多个不同的Ph刻录测试数据到光盘上；

检测所述光盘上使用多个不同的Ph刻录的所述测试数据的岸和坑长度的多个集中度参数PS，所述集中度参数PS为所述测试数据的岸和坑长度的标准差之和；

将测得的多个PS与Ph进行二次曲线拟合：PS＝A(Ph-B)²+C，求出参数A、B、C的值；

确定最佳第一刻录功率Ph＝B；

存储所述最佳第一刻录功率Ph，以利用所述最佳第一刻录功率Ph对该光盘进行刻录。

一种光盘驱动器刻录功率调整装置，光盘驱动器的写入脉冲包括较第一刻录功率Ph和第二刻录功率Pm，所述Ph大于所述Pm。所述光盘驱动器刻录功率调整装置包括：存储单元、控制单元、集中度参数检测单元和二次曲线拟合单元。所述存储单元，用于存储刻录参数及测试数据信息，该刻录参数包括初始第一刻录功率Ph、以及初始第一刻录功率Ph和初始第二刻录功率Pm的比值Ph/Pm；控制单元，用于根据所述存储单元中的初始第一刻录功率Ph转化为多个不同Ph来控制光学读取头的刻录工作。所述集中度参数检测单元，用于检测试刻在光盘上测试数据的坑和岸的集中度参数PS，所述集中度参数PS为坑和岸长度的标准差之和。所述二次曲线拟合单元，用于将测得的PS与Ph二次拟合：PS＝A(Ph-B)²+C，求出参数A、B、C，得出最佳第一刻录功率Ph＝B并存储于所述存储单元中。

上述光盘驱动器刻录功率调整方法和装置，根据光盘染料之特性与数学算法，根据所放入的光盘，自动调整出最佳的刻录功率，如此不仅可以提高盘片的刻录品质，亦可使刻坏光盘的机率大幅降低。

附图说明

图1为刻录时钟与EFM数据示意图。

图2为非多脉冲方式之写入脉冲波形示意图。

图3A为实验量测到的岸的Jitter示意图。

图3B为实验量测到的坑的Jitter示意图。

图4为实验量测到的眼孔图样示意图。

图5为不对称性检测得到的眼孔图样示意图。

图6为一较佳实施例的非多脉冲方式之写入脉冲波形示意图。

图7为多个线性增减的Ph测试值的写入脉冲示意图。

图8为检测到测试数据所刻录的坑/岸分布示意图。

图9为测试数据所刻录的坑/岸长度集中度参数PS波形示意图。

图10为导出测试Duty值的实验公式算法示意图。

图11为采用多个刻录参数刻录的测试数据的坑/岸长度集中度参数PS波形示意图。

图12为采用多个不同Ph/Pm刻录参数的写入脉冲示意图。

图13为非平衡参数NB的波形示意图。

图14为一较佳实施例的光盘驱动器刻录功率调整方法步骤流程图。

图15为一较佳实施例的光盘驱动器刻录功率调整装置架构图

具体实施方式

针对现有技术存在的缺点，提供一种光盘驱动器刻录功率调整方法，其可将刻录功率参数调整并最佳化，应用本方法既可节省在调整刻录功率参数的人力与时间成本，亦可避免刻录机在出厂后，遇到尚未内建刻录功率参数之新光盘而无法刻录的问题。

在介绍光盘驱动器刻录功率调整方法之前，首先就相关参数名称加以说明。

1.抖动值(Jitter)：由于光盘染料的物理特性，以及读取头控制激光脉冲的稳定度，使得刻录到光盘上的坑与岸长度不可能全部是整数倍T(为方便说明，T时间内激光在光盘上移动的距离在下文中直接用T表示)，实际状况会呈现出一种常态分布的情形。如图3A和图3B所示，其中横轴为量测到的岸与坑的长度，单位为T，纵轴为该长度出现的次数(取Lg表示)。如图3中，X点表示3T岸之总次数为10^4.2个，Y点表示5T坑之总次数为10^3.7个，Jitter则用于量化刻录的坑或岸长度的集中度，其定义为2.5T～3.5T间所有长度的坑或岸出现次数的标准差。可见，Jitter值越小表示该刻录质量越好，其数学表示如公式(1)所示：

其中，2.5T≤T_i≤3.5T    (1)

其中，T_i表示量测到的坑或岸长度，

表示量测到的坑或岸之平均长度，n表示量测到的坑或岸出现的次数。

2.眼孔图样(Eye Pattern)：由于刻录到光盘上的激光功率的变化，以及光盘染料对激光温度的反应各有不同，使得激光头读取各个数据时所产生的振幅也随之不同，因此若将所有读取不同长度的3T～14T的坑/岸时产生的波形图的连在一起将形成眼孔图样，如图4所示。从眼孔图样的物理意义可以看出，当刻录的坑/岸长度都非常标准时，如左边的眼孔图样，其曲线非常清晰，表示Jitter值也非常小；反之，当Jitter值越高，如右边的眼孔图样，其曲线越模糊，表示刻录的坑/岸较杂乱，刻录质量也较差。

3.不对称性(Asymmetry)：图4所示的眼孔图样中各线条的中心线通常不在同一位准上(图未示，下文中位准以符号“I”表示)，DVD规格书定义“不对称性”来量化3T中心线与14T中心线的位准差，其数学表示如公式(2)，其中各参数定义如图5所示，：

-1.05≤[(I_14H+I_14L)/2-(I_3H+I_3L)/2]/I₁₄≤0.15        (2)

较佳实施方式的光盘驱动器刻录功率调整方法如下，如图6所示。Ph表示较高功率的第一刻录功率，Pm表示较低功率的第二刻录功率，Duty表示用于调整写入脉冲的上升缘位置的上升缘调整参数。坑的长度为nT(n＝314)，上升缘调整参数Duty的起始点为每个nT坑的3T长度处，然后向前推算Duty长度，以确定写入脉冲上升缘的位置。由于光盘驱动器刻录功率调整方法需适用到各种光盘上，因此根据实验的经验值，先针对各种倍数预设一初始刻录参数，如表所示。后续无论调整哪一种光盘，皆由此组设定值调整出最佳的刻录功率参数。

表各种刻录倍数下之初始刻录参数与调整值

其中，初始刻录参数需根据不同光盘驱动器的硬件架构作相应调整，如针对光学读取头与控制芯片作小幅的调整。第一刻录功率Ph与第二刻录功率Pm的比值定义为Ph/Pm(以下直接用Ph/Pm进行说明)。可见，若已知Ph/Pm以及Ph，则可反推出Pm。

刻录机始化后，使用上表中的初始刻值，在固定Ph/Pm＝1.5的情况下，线性增减Ph产生8组测试值，将测试数据试刻到光盘上，如图7所示。测试数据试刻到光盘上后，量测其3T坑与岸的标准差。由于初始刻录参数通常不是最佳值，为了避免4T与5T长度对3T的干扰，因此，使用3T与nT(n≥6)的固定图样(Fix Pattern)作为测试数据，即测试数据中不存在4T与5T的数据。

请参阅图8，其为使用测试数据所刻录的坑/岸分布图，从图8中可看出虽然测试数据没有4T坑/岸，但因为刻录参数尚未最佳化，造成部分的3T长度扩散到2T与4T。因此，定义一集中度参数PS(Pulse Sigma)用于量化该3T坑/岸长度的集中程度，其数学表示如公式(3)所示。

其中，0.5T≤T_i，P，T_j，L≤5.5T  (3)

其中，T_i，P与T_j，L表示量测到测试数据的坑与岸的长度，

与

表示量测到测试数据的坑与岸的平均长度，n与m为量测到测试数据的坑与岸出现的次数。

在试刻并量测8组集中度参数PS后，将测得的PS与Ph作二次曲线拟合：PS＝A(Ph-B)²+C，并求出二次曲线PS＝A(Ph-B)²+C中的参数A、B、C，如图9所示。从PS＝A(Ph-B)²+C中可看出，当Ph＝B时，PS有最小值C。即，使用该Ph所得到的Jitter最小，也即得到匹配初始参数的最佳第一刻录功率Ph值。

由于加热时间与加热功率的关系，第一刻录功率Ph的最佳值会随着Duty的变化而改变。当加热时间越短，该时间内所需的激光功率需较大；当加热时间增长时，所需的激光功率则相对较小。因此，为了找到更小的目标参数PS值，需改变Duty并同时改变第一刻录功率Ph值进行试刻，以找出一组最佳的组合。

首先，从之前的二次曲线PS＝A(Ph-B)²+C中求出适当的功率范围UB～LB，UB和LB分别表示可接收功率范围的上下限，即该范围内的Jitter均可满足要求，在此以最小值C的±1.8倍作为功率范围的上下限，故可由式(4)求得UB与LB：

$A{(\mathrm{Ph}-B)}^2+C=1.8C\begin{array}{c}\mathrm{LB}=-\sqrt{0.8C/A}+B\\ \mathrm{UB}=+\sqrt{0.8/A}+B\end{array}---\left(4\right)$

请同时参阅图10，由式(4)之UB与LB结合图10的实验公式即可导出3组测试的Duty值和与其相对应的第一刻录功率Ph，实验公式如下所示：

Ph[0][i]＝LB+i*(UB-LB)/7            i＝0～7

Ph[1][i]＝Ph[0][i]-0.1*(UB+LB)/4    i＝0～7

Ph[2][i]＝Ph[1][i]-0.1*(UB+LB)/4    i＝0～7

所述3组Duty值分别为：Duty1＝初始的Duty，Duty2＝Duty1+0.1T，Duty3＝Duty2+0.1T。通过3组Duty与Ph试刻测试数据到光盘上后，量测其PS可得图11所示的结果，再以二次曲线拟合的方法求得3组PS＝A(Ph-B)²+C中的C1，C2，C3，其中最小的C值所对应的B即为最佳第一刻录功率Ph，最佳的Duty亦可得出。

第二刻录功率Pm调整方法是使用无规图样(Random Pattern)3T～14T的测试数据，结合3组不同的Pm＝30％Ph，50％Ph和70％Ph(即Ph/Pm 3.3、2.0和1.4)试刻该测试数据至光盘上并量测其不对称性，如图11所示。由于量测不对称性必须依靠特定的控制芯片来达成，为此，本实施例定义一模拟不对称性的参数，称为非平衡参数NB(Non-Balance)，其为全部3T坑的平均长度减去全部3T岸的平均长度，数学描述如公式(5)所示，如此可省去量测不对称性的步骤。

其中，0.5T≤T_i，P，T_j，L≤5.5T    (5)

其中，T_i，P与T_j，L表示量测到测试数据的坑与岸的长度，n与m表示量测到测试数据的坑与岸出现的次数。

请参阅图13，其为3组Ph/Pm与非平衡参数NB的量测结果，将其一次拟合：NB＝a*Ph/Pm+b，求出参数a与b，即可得到零交越点为-b/a，该点的不对称性为零，故最佳Ph/Pm＝-b/a，如此即可求出最佳第二刻录功率Pm。

请参阅图14，光盘驱动器刻录功率调整方法包括如下步骤：

步骤S201，选择预设的初始刻录参数，所述初始刻录参数为实验值，存储于光盘驱动器的存储单元中，如表1所示，且该初始刻录参数根据不同光盘驱动器的硬件架构会有所不同。

步骤S203，使用固定图样(Fix Pattern)，生成测试数据，即所述测试数据中不存在4T与5T的数据，以避免4T与5T长度对3T的干扰。

步骤S205，固定Ph/Pm，线性递增所述初始第一刻录功率Ph生成8个Ph，并使用该多个Ph试刻测试数据到光盘上。所述生成之Ph的数量大于等于3个即可。

步骤S207，检测光盘上刻录之岸和坑长度的集中度参数PS，即二者长度的标准差之和，8个Ph值对应8个PS值，详见前述公式(3)。

步骤S209，将测得之8个PS与Ph进行二次曲线拟合：PS＝A(Ph-B)²+C，求出参数A、B、C的值。

步骤S211，根据求得的A、B、C的值求出功率范围UB～LB，即该功率范围UB～LB内刻录数据的Jitter均满足要求，本实施例的功率范围计算方法见公式(4)，不再赘述。

步骤S213，判断最小的PS值是否位于功率范围UB～LB之内(请同时参阅图11)，若是，进至步骤S215，若不是，则返回步骤S205。

步骤S215，确定最佳第一刻录功率Ph＝B。

步骤S217，固定第一刻录功率Ph，使用3个不同的Ph/Pm试刻测试数据到光盘上，本实施例中3个不同的Pm＝30％Ph，50％Ph和70％Ph(即Ph/Pm＝3.3、2.0和1.4)。

步骤S219，量测固定第一刻录功率Ph时刻录在光盘上测试数据的岸和坑的非平衡参数NB，以代替不对称性检测。所述非平衡参数NB为全部3T坑的平均长度减去全部3T岸的平均长度，计算方式详见公式(5)，不再赘述。

步骤S221，将非平衡参数NB与Ph/Pm进行一次曲线拟合NB＝a*Ph/Pm+b，求出参数a与b的值。

步骤S223，确定最佳Ph/Pm＝-b/a。

步骤S225，根据最佳第一刻录功率Ph＝B和Ph/Pm＝-b/a，求得最佳第二刻录功率Pm。

步骤S227，使用最佳第一刻录功率Ph和最佳第二刻录功率Pm进行试刻。

步骤S229，检测使用最佳第一刻录功率Ph和最佳第二刻录功率Pm刻录品质是否符合要求，若是，则进至步骤S227，若不是，则退回步骤S217。所述检测刻录品质是否符合要求可通过检测刻录之数据的Jitter值和奇偶校验PI/PO(Parity Inner/Parity Outer)来确定，Jitter和PI/PO检测都是DVD规格书规定的检测项目，不再赘述。

步骤S231，存储最佳第一刻录功率Ph和最佳第二刻录功率Pm，流程结束。刻录数据到该光盘上时，利用该最佳第一刻录功率Ph和最佳第二刻录功率Pm对光学头的刻录功率进行调整。

在步骤S223后，也可将最佳Ph/Pm＝-b/a存储。上述光盘驱动器刻录功率调整方法，根据光盘染料之特性与数学算法，自动调整出最佳的刻录功率，如此不仅可以提高盘片的刻录品质，亦可使刻坏光盘的机率大幅降低。采用平衡参数NB的算法，省略了不对称性检测的步骤，而目前不对称性检测需要专用芯片完成，这样可以降低制造成本，降低计算复杂度。

如图15所示，一种光盘驱动器的刻录功率调整装置300，其包括存储单元302、控制单元304、集中度参数检测单元306、二次曲线拟合单元308、功率范围计算单元310、判断单元312、非平衡参数测试单元314、一次曲线拟合单元316和刻录功率计算单元318。

存储单元302，用于存储刻录参数及测试数据信息。存储单元302包括初始参数存储模块322，用于存储初始刻录功率参数，包括初始第一刻录功率Ph、以及初始第一刻录功率Ph和初始第二刻录功率Pm的比值Ph/Pm；最佳参数存储模块324，用于存储根据当前光盘100测量得出的最佳刻录功率参数；测试数据存储模块326；用于存储试刻时使用的测试数据，本实施例中使用3T与nT(n≥6)的固定图样作为测试数据，即测试数据中不存在4T与5T的数据。

控制单元304，用于根据存储单元302中的刻录参数控制光学头200的刻录工作。

集中度参数检测单元306，用于检测试刻在光盘100上测试数据的坑和岸的集中度参数PS，其为坑和岸长度的标准差之和，具体公式如前述公式(3)，不再赘述。

二次曲线拟合单元308，用于将测得的PS与Ph二次拟合：PS＝A(Ph-B)²+C，并求出参数A、B、C的值。当Ph＝B时，PS有最小值C。即Ph＝B，该Ph所得到的Jitter最小，也即得到匹配初始参数的最佳第一刻录功率Ph＝B。

功率范围计算单元310，用于根据参数A、B、C的值求得功率范围UB～LB，UB和LB分别表示功率范围的上下限，计算公式如前述公式(4)所示。

判断单元312，用于判断最小的集中度参数PS是否落在功率范围LB与UB内。若是，确定最佳第一刻录功率Ph＝B，并存储于最佳参数存储模块324中，若不是，重新刻录测试数据进行检测。

非平衡参数测试单元314，用于检测光盘上测试数据的3T岸和3T坑的非平衡参数NB，其为全部3T坑的平均长度减去全部3T岸的平均长度，计算方式详见公式(5)。

一次曲线拟合单元316，用于将NB与Ph/Pm进行一次曲线拟合：NB＝a*Ph/Pm+b，求出参数a与b。

刻录功率计算单元318，用于根据所述参数a与b得值求出最佳Ph/Pm＝-b/a，并存储于最佳参数存储模块324中。在读取光盘100上的数据时，控制单元304利用所述最佳第一刻录功率Ph和最佳Ph/Pm＝-b/a调整光学头200的刻录功率。也可先根据最佳第一刻录功率Ph和最佳Ph/Pm＝-b/a得出最佳第二刻率功率Pm的值，再根据最佳第一刻录功率Ph和最佳第二刻率功率Pm的值对光学头200的刻录功率进行调整。

上述刻录功率调整装置300，根据光盘100染料之特性与数学算法，自动调整出最佳的刻录功率，如此不仅可以提高盘片100的刻录品质，亦可使刻坏光盘100的机率大幅降低。采用平衡参数NB的算法，省略了不对称性检测的步骤，而目前不对称性检测需要专用芯片完成，这样可以降低制造成本，降低计算复杂度。

Claims (12)

1.一种光盘驱动器刻录功率调整方法，所述光盘驱动器的写入脉冲包括第一刻录功率Ph和第二刻录功率Pm，所述第一刻录功率Ph大于所述第二刻录功率Pm，所述光盘驱动器中预设有初始第一刻录功率Ph，所述光盘驱动器刻录功率调整方法包括如下步骤：

选择所述初始第一刻录功率Ph；

将所述初始第一刻录功率Ph转化为多个不同的Ph并使用所述多个不同的Ph刻录测试数据到光盘上；

检测所述光盘上使用多个不同的Ph刻录的所述测试数据的岸和坑长度的多个集中度参数PS，所述集中度参数PS为所述测试数据的岸和坑长度的标准差之和；

将测得的多个PS与Ph进行二次曲线拟合：PS＝A(Ph-B)²+C，求出参数A、B、C的值；

确定最佳第一刻录功率Ph＝B；

存储所述最佳第一刻录功率Ph，以利用所述最佳第一刻录功率Ph对该光盘进行刻录。

2.如权利要求1所述的光盘驱动器刻录功率调整方法，其特征在于：所述将所述初始第一刻录功率Ph转化为多个不同的Ph步骤中的转化方法是在所述初始第一刻录功率Ph的基础上线性变换而成。

3.如权利要求1所述的光盘驱动器刻录功率调整方法，其特征在于：所述光盘驱动器中还预设有所述初始第一刻录功率Ph和初始第二刻录功率Pm的初始比值Ph/Pm，得出所述最佳第一刻录功率Ph＝B之后，还包括如下步骤：

将初始比值Ph/Pm转化为多个不同的Ph/Pm，使用所述最佳第一刻录功率Ph和所述多个不同的Ph/Pm根据试刻所述测试数据到光盘上；

量测所述采用多个不同的Ph/Pm时刻录的所述测试数据的岸和坑的非平衡参数NB，所述非平衡参数NB的数学表达式为：

其中，0.5T≤T_i，P，T_j，L≤5.5T 

其中，T_i，P与T_j，L表示量测到所述测试数据的坑和岸的长度，n与m表示量测到所述测试数据的坑和岸出现的次数；

将所述NB与Ph/Pm进行一次曲线拟合：NB＝a*Ph/Pm+b，求出参数a与b的值；

确定最佳Ph/Pm＝-b/a；

存储所述最佳Ph/Pm。

4.如权利要求3所述的光盘驱动器刻录功率调整方法，其特征在于：所述求得最佳第一刻录功率Ph和确定最佳Ph/Pm＝-b/a后，还包括根据所述最佳第一刻录功率Ph和最佳Ph/Pm得出最佳第二刻录功率Pm的步骤，以利用所述最佳第一刻录功率Ph和所述最佳第二刻录功率Pm对所述光盘进行刻录。

5.如权利要求1所述的光盘驱动器刻录功率调整方法，其特征在于：求出所述PS＝A(Ph-B)²+C中的参数A、B、C后，还包括如下步骤：

根据所述求得的A、B、C的值求出功率范围，所述功率范围表示可以接受的功率范围，所述功率范围的计算公式如下：

其中，LB表示所述功率范围的下限，UB表示所述功率范围的上限；

判断所述集中度参数PS最小值是否位于所述功率范围之内，若是，得出最佳第一刻录功率Ph＝B，若不是，重新刻录所述测试数据进行所述集中度参数PS的检测。

6.如权利要求1所述的光盘驱动器刻录功率调整方法，其特征在于：所述测试数据的岸和坑长度的集中度参数PS的计算公式为：

其中，0.5T≤T_i，P，T_j，L≤5.5T

其中，T_i，P与T_j，L表示量测到所述测试数据的坑和岸的长度， 

与 

表

示量测到所述测试数据的坑和岸的平均长度，n与m表示量测到所述测试数据的坑和岸出现的次数。

7.如权利要求1所述的光盘驱动器刻录功率调整方法，其特征在于：所述刻录到光盘上的所述测试数据为EFM编码后的测试数据，经EFM调 变后的数据为3T、4T、5T、6T、7T、8T、9T、10T、11T以及14T，其中T代表刻录1位数据所需的时间，且所述EFM编码后的测试数据中不存在4T与5T的数据。

8.一种光盘驱动器刻录功率调整装置，光盘驱动器的写入脉冲包括第一刻录功率Ph和第二刻录功率Pm，所述第一刻录功率Ph大于所述第二刻录功率Pm，其特征在于：所述光盘驱动器刻录功率调整装置包括：存储单元、控制单元、集中度参数检测单元和二次曲线拟合单元；所述存储单元，用于存储刻录参数及测试数据信息，该刻录参数包括初始第一刻录功率Ph、以及初始第一刻录功率Ph和初始第二刻录功率Pm的比值Ph/Pm；控制单元，用于根据所述存储单元中的初始第一刻录功率Ph转化为多个不同Ph来控制光学读取头的刻录工作；所述集中度参数检测单元，用于检测试刻在光盘上测试数据的坑和岸的集中度参数PS，所述集中度参数PS为坑和岸长度的标准差之和；所述二次曲线拟合单元，用于将测得的PS与Ph二次拟合：PS＝A(Ph-B)²+C，求出参数A、B、C，得出最佳第一刻录功率Ph＝B并存储于所述存储单元中。

9.如权利要求8所述的光盘驱动器刻录功率调整装置，其特征在于：所述测试数据的岸和坑长度的集中度参数PS的计算公式为：

其中，0.5T≤T_i，P，T_j，L≤5.5T

其中，T_i，P与T_j，L表示量测到所述测试数据的坑和岸的长度， 

与 

表示量测到所述测试数据的坑和岸的平均长度，n与m表示量测到所述测试数据的坑和岸出现的次数。

10.如权利要求8所述的光盘驱动器刻录功率调整装置，其特征在于：所述光盘驱动器刻录功率调整装置进一步包括：

非平衡参数测试单元，用于检测所述光盘上所述测试数据的岸和坑的非平衡参数NB，其为全部坑的平均长度与全部岸的平均长度的差值；

一次曲线拟合单元，用于将NB与Ph/Pm进行一次曲线拟合：NB＝a*Ph/Pm+b，求出参数a与b，刻录功率计算单元，用于根据所述参数a与b得值求出最佳Ph/Pm＝-b/a并存储于所述存储单元中。

11.如权利要求10所述的光盘驱动器刻录功率调整装置，其特征在于： 所述非平衡参数NB的数学表达式为：

其中，0.5T≤T_i，P，T_j，L≤5.5T

其中，T_i，P与T_j，L表示量测到所述测试数据的 

坑和 

岸的长度，n与m表示量测到所述测试数据的坑和岸出现的次数。

12.如权利要求8所述的光盘驱动器刻录功率调整装置，其特征在于：所述光盘驱动器刻录功率调整装置进一步包括：功率范围计算单元，用于根据参数A、B、C的值求得功率范围UB～LB，UB和LB表示功率范围的上下限，计算公式为：

判断单元，用于判断最小的所述集中度参数PS是否落在功率范围LB与UB内，当所述集中度参数PS落在功率范围内时，确定最佳第一刻录功率Ph＝B并存储于所述存储单元中。 

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