CN100412741C - 开关装置驱动设备及采用该驱动设备的dc/dc变流器 - Google Patents

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Abstract

一种开关装置驱动设备具有：第一和第二场效应晶体管，串联连接在第一电源电压和比第一电源电压低的第二电源电压之间，第一和第二场效应晶体管中的每一个均具有与之相连的体二极管；第一和第二检测器；以及第一和第二复位优先触发器，分别具有置位信号输入端、复位信号输入端和输出端。将从第一检测器输出的检测信号馈入第一复位优先触发器的置位信号输入端。将从第二检测器输出的检测信号馈入第二复位优先触发器的置位信号输入端。将输入信号馈入第一复位优先触发器的复位信号输入端和第二复位优先触发器的复位信号输入端。只有在检测到两个体二极管之一导通之后，分别接通场效应晶体管以产生与输入信号相对应的输出。这使得可以不依赖于其特征和类型、可靠地防止同时接通两个开关装置。

Description

开关装置驱动设备及采用该驱动设备的DC/DC变流器
技术领域
本发明涉及一种驱动设备，该驱动设备用于控制串联在两个不同电位之间以起到开关装置作用的一对场效应晶体管(FET)的开关操作。本发明也涉及采用这种驱动设备的DC/DC变流器。
背景技术
同步整流DC/DC变流器具有串联在两个不同电位之间(在输入电位和地电位之间)以起到开关装置作用的一对FET，以获得同步整流，并通过LC滤波器从两个FET之间的节点输出想要的电压。这种同步整流DC/DC变流器采用FET驱动设备来控制FET的开关操作，以及这个驱动设备具有防止同时接通两个FET的功能。这是因为，如果直通(flow-through)电流流经两个FET，它可能破坏FET或者降低它们的变换效率。
一种防止同时接通两个FET的方法是通过相对于从接通到关断一个FET的时间延迟从关断到接通另一个FET的时间来获得同时关断两个FET的时间段，使得直到“同时关断”周期结束才接通或关断两个FET。为了获得这一点，传统的FET驱动设备采用以下技术之一：(1)形成包括CR时间常数电路和多个“非”门的延迟电路；(2)改变用以产生栅极电压的三角波的限制电平；(3)根据监控一个栅极电压的结果，控制另一个栅极电压；以及(4)根据监控线圈端电压和低端FET的栅极电压的结果，控制栅极电压(美国专利No.5,757,173)。所有这些技术都有助于获得同时关断两个FET的时间段。
事实上，就某种程度而言，如上所描述来配置的FET驱动设备起到了防止同时接通两个FET的作用。
但是，在采用上面技术(1)或(2)的FET驱动设备中，没有监控FET是导通还是关断，就事先确定预定的时间长度作为同时关断时间段。这样，为了安全可靠地防止同时接通两个FET，非常不方便地，需要针对实际驱动的具体FET优化同时关断时间段的长度。具体地，在实际驱动的FET是外部定制的FET的情况下(如在大电流DC/DC变流器中一样)，其特性和类型中的变化完全不依赖于FET驱动设备内建的IC的特性和类型的变化。这使得不可避免地在同时关断时间段上加上充足的余量，导致变换效率的降低。
在采用上面技术(3)或(4)的FET驱动设备中，根据它们的栅极电压来检测FET是导通还是关断。这样，没有考虑FET的导通/关断延迟(即，发生在改变栅极电压之后，到在输出电压中出现变化的延迟)。结果，尽管监控了栅极电压，非常不方便地，同样需要针对实际驱动的具体FET优化同时关断时间段的长度。上述导通/关断延迟从一个FET到另一个FET变化很大，以及因此在FET的说明书中通常不是作为实际值而是作为典型值(最大值)给出。因此，即使当根据给定类型的FET的说明书中的描述确定同时关断时间段的长度时，实际上，可能得到相当低的变换效率。例如，在实际值是30ns而典型值是200ns的情况下，将两个FET不必要地保持同时关断了170ns。
此外，采样上面技术(4)的FET驱动设备只在当两个FET同时关断时，电流沿正向(即，从接地到输出端)流过线圈的情况下恰当地发挥作用。即，非常不方便地，这种FET驱动设备在当两个FET同时关断时，电流沿反向(即，从输出端到接地)流过线圈的情况下不能恰当地发挥作用。这是因为，在这种情况下，连接到高端FET的体二极管导通，以及从而引起线圈端电压接近于输入电压。因此，这类FET驱动设备不能用在用于向在操作期间需要翻转线圈电流方向的负载提供电源的DC/DC变流器中(如可变电源电压IC或DDR-SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器))。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种不依赖于其特性和类型安全可靠地防止同时接通两个FET的开关装置驱动设备，以及提供一种采用这种驱动设备的DC/DC变流器。
为了获得上述目的，按照本发明，开关装置驱动设备具有：第一和第二场效应晶体管，串联连接在第一电源电压和比第一电源电压低的第二电源电压之间，第一和第二场效应晶体管中的每一个均具有与之相连的体二极管；第一检测器，当检测到与第一场效应晶体管相连的体二极管导通时，输出检测信号；第二检测器，当检测到与第二场效应晶体管相连的体二极管导通时，输出检测信号；第一复位优先触发器，具有置位信号输入端、复位信号输入端和输出端，当第一复位优先触发器在其置位信号输入端处接收到预定信号时，第一复位优先触发器在其输出端处输出用于接通第一场效应晶体管的信号，当第一复位优先触发器在其复位信号输入端处接收到预定信号时，第一复位优先触发器在其输出端处输出用于关断第一场效应晶体管的信号；以及第二复位优先触发器，具有置位信号输入端、复位信号输入端和输出端，当第二复位优先触发器在其置位信号输入端处接收到预定信号时，第二复位优先触发器在其输出端处输出用于接通第二场效应晶体管的信号，当第二复位优先触发器在其复位信号输入端处接收到预定信号时，第二复位优先触发器在其输出端处输出用于关断第二场效应晶体管的信号，其中，将从第一检测器输出的检测信号馈入第一复位优先触发器的置位信号输入端，其中，将从第二检测器输出的检测信号馈入第二复位优先触发器的置位信号输入端，其中，将输入信号馈入第一复位优先触发器的复位信号输入端和第二复位优先触发器的复位信号输入端，以及其中，只有在检测到两个体二极管之一导通之后，分别接通第一和第二场效应晶体管，以产生与输入信号相对应的输出。
为了获得上述目的，按照本发明，开关装置驱动设备具有：第一复位优先触发器，其输出端与第一场效应晶体管的栅极相连，所述第一场效应晶体管用作串联在输入电压和地电压之间的一对N沟道场效应晶体管的高端场效应晶体管；第二复位优先触发器，其输出端与第二场效应晶体管的栅极相连，所述第二场效应晶体管用作这对N沟道场效应晶体管的低端场效应晶体管；第一比较器，在其正相输入端接收在第一和第二场效应晶体管之间的节点获得的目标电压，以及在其反相输入端接收第一阈值电压，所述第一阈值电压比输入电压高，但比输入电压加上连接到第一场效应晶体管的体二极管的导通状态电压低；第二比较器，在其正相输入端接收第二阈值电压，所述第二阈值电压比地电压低，但比地电压减去体二极管的导通状态电压高，以及在其反相输入端接收目标电压；第一“非”门，反相用于驱动第一和第二场效应晶体管的输入信号，以及将反相的输入信号输入第一触发器的复位端；第二“非”门，反相然后输出低电压切断信号，当给开关装置驱动设备的电源供给进入稳定状态时，所述低电压切断信号变为高电平；第一“或”门电路，计算并向第二触发器的复位端输出输入信号和第二“非”门的输出信号的“或”；第二“或”门电路，计算并向第二触发器的置入端输出第一比较器的输出信号和第二比较器的输出信号的“或”；“与”门电路，计算输入信号和低电压切断信号的“与”；单触发脉冲发生器，当“与”门电路的输出信号转为高电平时，产生用于启动的单触发脉冲；以及第三“或”门电路，计算并向第一触发器的置入端输出第二“或”门电路的输出信号和单触发脉冲的“或”，其中，只有在根据第一和第二比较器的输出信号，检测到目标电压高于第一阈值电压或者低于第二阈值电压之后，接通到目前为止一直关断的那个场效应晶体管以对应于该输入信号。
为了获得上述目的，按照本发明，DC/DC变流器具有：第一和第二场效应晶体管，串联连接在第一电源电压和比第一电源电压低的第二电源电压之间，第一和第二场效应晶体管中的每一个均具有与之相连的体二极管；输出平滑电路，与第一和第二场效应晶体管之间的节点相连；第一检测器，当检测到与第一场效应晶体管相连的体二极管导通时，输出检测信号；第二检测器，当检测到与第二场效应晶体管相连的体二极管导通时，输出检测信号；第一复位优先触发器，具有置位信号输入端、复位信号输入端和输出端，当第一复位优先触发器在其置位信号输入端处接收到预定信号时，第一复位优先触发器在其输出端处输出用于接通第一场效应晶体管的信号，当第一复位优先触发器在其复位信号输入端处接收到预定信号时，第一复位优先触发器在其输出端处输出用于关断第一场效应晶体管的信号；以及第二复位优先触发器，具有置位信号输入端、复位信号输入端和输出端，当第二复位优先触发器在其置位信号输入端处接收到预定信号时，第二复位优先触发器在其输出端处输出用于接通第二场效应晶体管的信号，当第二复位优先触发器在其复位信号输入端处接收到预定信号时，第二复位优先触发器在其输出端处输出用于关断第二场效应晶体管的信号，其中，将从第一检测器输出的检测信号馈入第一复位优先触发器的置位信号输入端，其中，将从第二检测器输出的检测信号馈入第二复位优先触发器的置位信号输入端，其中，将输入信号馈入第一复位优先触发器的复位信号输入端和第二复位优先触发器的复位信号输入端，以及其中，只有在检测到两个体二极管之一导通之后，分别接通第一和第二场效应晶体管以产生与输入信号相对应的输出，从而最终从第一电源电压产生想要的输出电压。
附图说明
通过下面结合参照附图的优选实施例的描述，本发明的这个和其他目的和特征将变得清楚，其中：
图1是体现本发明采用FET驱动设备的同步整流DC/DC变流器的电路图；以及
图2A和2B是示出在FET驱动设备1中的相应点观察到的电压波形的时间图。
具体实施方式
图1是体现本发明采用FET驱动设备的同步整流DC/DC变流器的电路图。如图中所示，此实施例的同步整流DC/DC变流器具有串联在两个不同电位之间(在输入电位VIN和地电位GND之间)以起到开关装置的作用的一对N沟道MOS FET(金属氧化物半导体FET)N1和N2(此后称为FET N1和N2)来获得同步整流。通过LC滤波器(由线圈L1和电容器C1组成)，从FET N1和N2之间的节点获得想要的输出电压VOUT。
FET N1的漏极与电源电压线相连，以及将FET N2的源极接地。将FETN1的源极和FET N2的漏极连接在一起，以及将它们的节点“a”连接到线圈L1的一端。线圈L1的另外一端与输出端相连，并通过电容器C1接地。FET N1和N2分别具有连接在它们的源极和漏极之间(更精确地，在它们的背栅极和漏极之间)的体二极管BD1和BD2(此后称为二极管BD1和BD2)。
FET驱动设备1控制FET N1和N2的开关操作。此FET驱动设备1使用当两个FET N1和N2同时关断时，二极管BD1和BD2之一(依赖于流过线圈的电流)导通的事实，以及配置该FET驱动设备，使得在检测到相应的二极管BD1或BD2导通时，接通FET N1和N2之一。
特别地，在此实施例中，FET驱动设备1包括复位优先SR触发器SR1和SR2、比较器CMP1和CMP2(在此实施例中，具有迟滞的高速比较器)、直流电压源E1和E2、“非”门INV1和INV2、单触发振荡器OSV1、“与”门电路AND1、“或”门电路OR1、OR2和OR3。
通过PWM(脉冲宽度调制)输入端输入用于驱动FET N1和N2的PWM信号，PWM输入端一方面通过“非”门INV1连接到触发器SR1的复位端(R)，而另一方面直接连接到“与”门电路AND1的一个输入端和“或”门电路OR1的一个输入端。
通过UVLO(低电压切断)输入端输入用于防止由于低电压而错误动作的UVLO信号，UVLO输入端连接到“与”门电路AND1的另一输入端。“与”门电路AND1的输出端与单触发振荡器OSV1的输入端相连。UVLO输入端也通过“非”门INV2连接到“或”门电路OR1的另一输入端。“或”门电路OR1的输出端与触发器SR2的复位端(R)相连。
比较器CMP1的正相输入端(+)与节点“a”相连，而比较器CMP1的反相输入端(-)与直流电压源E1的正极端相连。直流电压源E1的负极端与电源电压线相连。设置直流电压源E1，从而产生比跨越二极管BD1的导通状态电压Vf(例如，0.7V)低预定电压α(例如，0.3V)的电压。这样，比较器CMP1比较节点“a”的电压Va与阈值电压VIN+Vf-α。这提供了二极管BD1的导通状态的更快且更可靠的检测。
比较器CMP2的反相输入端(-)与节点“a”相连，而比较器CMP2的正相输入端(+)与直流电压源E2的正极端相连。将直流电压源E2的负极端接地。设置直流电压源E2，从而产生比地电位GND减去跨越二极管BD2的导通状态电压Vf高预定电压α的电压。这样，比较器CMP2比较电压Va与阈值电压GND-Vf+α。这提供了二极管BD2的导通状态的更快且更可靠的检测。
比较器CMP1和CMP2的输出端分别与“或”门电路OR2的两个输入端相连。“或”门电路OR2的输出端与“或”门电路OR3的一个输入端相连，以及也与触发器SR2的置入端(S)相连。“或”门电路OR3的另一个输入端与单触发振荡器OSV1的输出端相连，以及“或”门电路OR3的输出端与触发器SR1的置入端(S)相连。触发器SR1和SR2的输出端(Q)分别与FET N1和N2的栅极相连。
接下来，将描述如上述配置的FET驱动设备1的操作。图2A和2B是示出在FET驱动设备1中的相应点观察到的电压波形的时间图。图2A示出了在两个FET N1和N2同时关断时，电流沿正向(从地到输出端)流过线圈的情况下观察到的电压波形，而图2B示出了在两个FET N1和N2同时关断时，电流沿反向(从输出端到电源电压线)流过线圈的情况下观察到的电压波形。
当UVLO信号和PWM信号都为低电平时，通过它们在各自的复位端(R)接收的反相的PWM信号和反相的UVLO信号(都为高电平)，将触发器SR1和SR2保持在固定的逻辑状态。
在给FET驱动设备1的电源供给进入稳定状态以及UVLO信号转变为使能状态(转为高电平)之后，当在PWM信号中出现第一脉冲时，“与”门电路AND1的输出转为高电平，并使单触发振荡器OSV1产生启动单触发脉冲。从而，通过利用作为触发的、通过“或”门电路OR3从其置入端(S)输入的单触发脉冲，触发器SR1将其输出信号HG置为高电平。这使得以在输出信号HG转为高电平之后的只有FET N1才有的导通延迟接通此FET。另一方面，由从其复位端(R)输入的PWM信号(高)复位触发器SR2，以及从而将其输出信号LG保持在低电平。这样，FET N2仍保持关断。通过这些操作，电压Va上升到变得粗略地等于输入电压VIN。
此后，当PWM信号变低时，由通过“非”门INV1从其复位端(R)输入的反相的PWM信号(高)复位触发器SR1，以及这样其输出信号HG变为低电平。这使得以输出信号HG变低之后的预定关断延迟来关断FET N1。现在，FET N1和N2同时关断。
在这种状态下，如果线圈电路沿正向i1流动，二极管BD2导通。这样，电压Va比地电压GND低跨越二极管BD2的导通状态电压Vf，以及从而低于比较器CMP2的阈值电压GND-Vf+α。因此，比较器CMP2的输出信号为高电平。相反，如果线圈电流沿反向i2流动，二极管BD1导通。这样，电压Va比输入电压VIN高跨越二极管BD1的导通状态电压Vf，以及从而高于比较器CMP1的阈值电压VIN+Vf-α。因此，比较器CMP1的输出信号为高电平。
当如上所述的比较器CMP1和CMP2的输出信号之一为高时，“或”门电路OR2的输出信号DiDET为高电平。从而，通过利用作为触发的、从其置入端(S)输入的输出信号DiDET，触发器SR2将其输出信号LG设置为高电平。这使得以在输出信号LG转为高电平之后的只有FET N2才有的导通延迟接通此FET，以及这反过来使输出信号DiDET返回低电平。另一方面，由从其复位端(R)输入的反相的PWM信号(高)将触发器SR1保持在固定的逻辑状态中，以及从而，即使从其置入端(S)输入的输出信号DiDET为高电平，仍然保持其输出信号HG为低电平。这样，FET N1仍保持关断。通过这些操作，电压Va变得粗略地等于地电压GND。
此后，当PWM信号变成高电平时，由从其复位端(R)输入的PWM信号(高电平)复位触发器SR2，以及这样其输出信号LG变为低电平。这使得以输出信号LG变成低电平之后的只有FET N2才有的关断延迟来关断此FET。现在，FET N1和N2同时关断。
在这种状态下，如果线圈电路沿正向i1流动，电压Va低于比较器CMP2的阈值电压GND-Vf+α，因此比较器CMP2的输出为高电平。相反，如果线圈电流沿反向i2流动，电压Va高于比较器CMP1的阈值电压VIN+Vf-α，因此比较器CMP1的输出为高电平。从而，“或”门电路OR2的输出信号DiDET为高电平，以及这样，通过利用作为触发的、从其置入端(S)输入的输出信号DiDET，触发器SR1将其输出信号HG设置为高电平。这使得以在输出信号HG转为高电平之后的只有FET N1才有的导通延迟接通此FET，以及这反过来使输出信号DiDET返回低电平。另一方面，由从其复位端(R)输入的PWM信号(高电平)将触发器SR2保持在固定的逻辑状态中，以及从而，即使从其置入端(S)输入的输出信号DiDET为高电平，仍然保持其输出信号LG为低电平。这样，FET N2仍保持关断。通过这些操作，电压Va变得粗略地等于输入电压VIN。此后，重复相同的操作序列。
以这种方式，在本实施例的FET驱动设备1中，代替事先设置预定的滞后时间长度以获得两个FET N1和N2同时关断的时间段，使用当两个FETN1和N2同时关断时，二极管BD1和BD2之一导通的事实，以及当检测到相应的二极管BD1或BD2导通时，接通FET N1和N2之一。以这种结构，即使当在外部定制的FET N1和N2的说明书中存在变化时，仍然可以可靠地防止同时接通它们，以及从而实现安全的电源。
此外，在此实施例的FET驱动设备1中，可以最小化两个FET N1和N2同时关断的时间段的长度。这样，可以极大地减少在同时关断时间段中发生在二极管BD1和BD2中的损耗，以及从而获得针对实际驱动的具体FET优化的变换效率。
此外，用本实施例的FET驱动设备1，可以与当两个FET同时关断时流动的电流的方向无关地防止同时接通两个FET N1和N2。这使得FET驱动设备1可以用在向在操作期间需要翻转线圈电流方向的负载提供电源的DC/DC变流器中。
上述实施例涉及其中将体现本发明的FET驱动设备应用于同步整流DC/DC变流器的示例，但是本发明不仅适用于这种具体类型的设备，而且可以广泛地适用于驱动设备，所述驱动设备通常用于控制串联在两个不同电位之间以起到开关装置的作用的一对场效应晶体管的开关操作。
上述实施例涉及其中驱动的FET都是N沟道FET的示例，但是可以以任何其他结构实现本发明。例如，不用说，即使以P沟道FET替代这两个FET中的一个或两个，根据相同的原理可以获得优化的驱动。可以在与FET驱动设备本身相同的半导体芯片上形成FET。
图2A和2B描述了线圈电流每次沿正向和反向之一变化的情况。在线圈电流沿正向和反向两个方向变化的情况下，电压Va表现出当图2A和2B互相重叠时得到的波形。
如上所述，使用体现本发明的驱动设备，可以不依赖于其特征和类型、可靠地防止同时接通两个开关装置。

Claims (8)

1. 一种开关装置驱动设备，包括：
第一和第二场效应晶体管，串联连接在第一电源电压和比第一电源电压低的第二电源电压之间，第一和第二场效应晶体管中的每一个均具有与之相连的体二极管；
第一检测器，当检测到与第一场效应晶体管相连的体二极管导通时，输出检测信号；
第二检测器，当检测到与第二场效应晶体管相连的体二极管导通时，输出检测信号；
第一复位优先触发器，具有置位信号输入端、复位信号输入端和输出端，当第一复位优先触发器在其置位信号输入端处接收到预定信号时，第一复位优先触发器在其输出端处输出用于接通第一场效应晶体管的信号，当第一复位优先触发器在其复位信号输入端处接收到预定信号时，第一复位优先触发器在其输出端处输出用于关断第一场效应晶体管的信号；以及
第二复位优先触发器，具有置位信号输入端、复位信号输入端和输出端，当第二复位优先触发器在其置位信号输入端处接收到预定信号时，第二复位优先触发器在其输出端处输出用于接通第二场效应晶体管的信号，当第二复位优先触发器在其复位信号输入端处接收到预定信号时，第二复位优先触发器在其输出端处输出用于关断第二场效应晶体管的信号，
其中，将从第一检测器输出的检测信号馈入第一复位优先触发器的置位信号输入端，
其中，将从第二检测器输出的检测信号馈入第二复位优先触发器的置位信号输入端，
其中，将输入信号馈入第一复位优先触发器的复位信号输入端和第二复位优先触发器的复位信号输入端，以及
其中，只有在检测到两个体二极管之一导通之后，分别接通第一和第二场效应晶体管，以产生与所述输入信号相对应的输出。
2. 按照权利要求1所述的开关装置驱动设备，其特征在于
第一检测器包括：
第一比较器，用于比较在两个场效应晶体管之间的节点得到的目标电压与第一阈值电压，所述第一阈值电压比第一电源电压高，但比第一电源电压加上体二极管的导通状态电压低，以及
第二检测器包括：
第二比较器，用于比较目标电压与第二阈值电压，所述第二阈值电压比第二电源电压低，但比第二电源电压减去体二极管的导通状态电压高，
其中，只有在根据第一和第二比较器的输出信号，检测到目标电压高于第一阈值电压或者低于第二阈值电压之后，接通到目前为止一直关断的那个场效应晶体管以对应于所述输入信号。
3. 按照权利要求2所述的开关装置驱动设备，其特征在于第一和第二比较器是具有迟滞的高速比较器。
4. 一种开关装置驱动设备，包括：
第一复位优先触发器，其输出端与第一场效应晶体管的栅极相连，所述第一场效应晶体管用作串联在输入电压和地电压之间的一对N沟道场效应晶体管的高端场效应晶体管；
第二复位优先触发器，其输出端与第二场效应晶体管的栅极相连，所述第二场效应晶体管用作这对N沟道场效应晶体管的低端场效应晶体管；
第一比较器，在其正相输入端接收在第一和第二场效应晶体管之间的节点获得的目标电压，以及在其反相输入端接收第一阈值电压，所述第一阈值电压比输入电压高，但比输入电压加上连接到第一场效应晶体管的体二极管的导通状态电压低；
第二比较器，在其正相输入端接收第二阈值电压，所述第二阈值电压比地电压低，但比地电压减去体二极管的导通状态电压高，以及在其反相输入端接收目标电压；
第一“非”门，反相用于驱动第一和第二场效应晶体管的输入信号，以及将反相的输入信号输入第一触发器的复位端；
第二“非”门，反相然后输出低电压切断信号，当给开关装置驱动设备的电源供给进入稳定状态时，所述低电压切断信号变为高电平；
第一“或”门电路，计算所述输入信号和第二“非”门的输出信号的“或”，并向第二触发器的复位端输出；
第二“或”门电路，计算第一比较器的输出信号和第二比较器的输出信号的“或”，并向第二触发器的置入端输出；
“与”门电路，计算所述输入信号和低电压切断信号的“与”；
单触发脉冲发生器，当“与”门电路的输出信号转为高电平时，产生用于启动的单触发脉冲；以及
第三“或”门电路，计算第二“或”门电路的输出信号和单触发脉冲的“或”，并向第一触发器的置入端输出，
其中，只有在根据第一和第二比较器的输出信号，检测到目标电压高于第一阈值电压或者低于第二阈值电压之后，接通到目前为止一直关断的那个场效应晶体管以对应于所述输入信号。
5. 一种DC/DC变流器，包括：
第一和第二场效应晶体管，串联连接在第一电源电压和比第一电源电压低的第二电源电压之间，第一和第二场效应晶体管中的每一个均具有与之相连的体二极管；
输出平滑电路，与第一和第二场效应晶体管之间的节点相连；
第一检测器，当检测到与第一场效应晶体管相连的体二极管导通时，输出检测信号；
第二检测器，当检测到与第二场效应晶体管相连的体二极管导通时，输出检测信号；
第一复位优先触发器，具有置位信号输入端、复位信号输入端和输出端，当第一复位优先触发器在其置位信号输入端处接收到预定信号时，第一复位优先触发器在其输出端处输出用于接通第一场效应晶体管的信号，当第一复位优先触发器在其复位信号输入端处接收到预定信号时，第一复位优先触发器在其输出端处输出用于关断第一场效应晶体管的信号；以及
第二复位优先触发器，具有置位信号输入端、复位信号输入端和输出端，当第二复位优先触发器在其置位信号输入端处接收到预定信号时，第二复位优先触发器在其输出端处输出用于接通第二场效应晶体管的信号，当第二复位优先触发器在其复位信号输入端处接收到预定信号时，第二复位优先触发器在其输出端处输出用于关断第二场效应晶体管的信号，
其中，将从第一检测器输出的检测信号馈入第一复位优先触发器的置位信号输入端，
其中，将从第二检测器输出的检测信号馈入第二复位优先触发器的置位信号输入端，
其中，将输入信号馈入第一复位优先触发器的复位信号输入端和第二复位优先触发器的复位信号输入端，以及
其中，只有在检测到两个体二极管之一导通之后，分别接通第一和第二场效应晶体管以产生与所述输入信号相对应的输出，从而最终从第一电源电压产生想要的输出电压。
6. 按照权利要求5所述的DC/DC变流器，其特征在于
第一检测器包括：
第一比较器，用于比较在两个场效应晶体管之间的节点得到的目标电压与第一阈值电压，所述第一阈值电压比第一电源电压高，但比第一电源电压加上体二极管的导通状态电压低，以及
第二检测器包括：
第二比较器，用于比较目标电压与第二阈值电压，所述第二阈值电压比第二电源电压低，但比第二电源电压减去体二极管的导通状态电压高，
其中，只有在根据第一和第二比较器的输出信号，检测到目标电压高于第一阈值电压或者低于第二阈值电压之后，接通到目前为止一直关断的那个场效应晶体管以对应于所述输入信号。
7. 按照权利要求6所述的DC/DC变流器，其特征在于第一和第二比较器是具有迟滞的高速比较器。
8. 按照权利要求5所述的DC/DC变流器，其特征在于DC/DC变流器向在操作期间需要翻转流过输出平滑电路的电流方向的负载提供电源。
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