CN100395814C - 可自行反馈的移位缓存器 - Google Patents
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Abstract
移位缓存器包含一信号产生电路，用来当导通时根据一时钟信号于该移位缓存器的输出端产生输出信号；一驱动电路，耦接于该信号产生电路，用来根据该移位缓存器的输入端所接收到的输入信号控制该信号产生电路；一主重置电路，耦接于该信号产生电路，用来关断该信号产生电路以及重置该输出端输出的输出信号；以及一反馈电路，耦接于该输出端及该主重置电路，用来根据该输出信号及该时钟信号控制该主重置电路。
Description
技术领域
本发明提供一种移位缓存器，尤其指一种可自行反馈的移位缓存器。
背景技术
液晶显示器基本上为一种以玻璃基板为制造材料的平面显示器。为了节省液晶显示器的制造成本，将驱动控制电路以薄膜晶体管的型式制做于液晶显示器的玻璃基板上为一种未来趋势，而目前大部分所采用的为非晶硅制造工艺。
请同时参考图1至图3，图1为先前技术液晶显示器100的示意图，图2为图1液晶显示器100的栅极驱动电路120的示意图，图3为图2栅极驱动电路120的移位缓存器的示意图。如图所示，液晶显示器100包含一显示阵列110，以及一栅极驱动电路120。显示阵列110用来显示图像，而栅极驱动电路120用来驱动显示阵列110。栅极驱动电路120包含多级移位缓存器122，每一级移位缓存器以串联的方式相耦接，并根据一第一时钟信号CK和一第二时钟信号XCK依序产生栅极信号GOUT以驱动显示阵列110，而第二时钟信号XCK的相位为相反于第一时钟信号CK的相位，且在每一级移位缓存器122的信号连接中，第一时钟信号CK和第二时钟信号XCK为轮流互换的，时钟信号输入端CK1和时钟信号输入端CK2会与第一时钟信号CK和第二时钟信号XCK交替耦合。每一级移位缓存器122具有一输出端OUT、一输入端IN以及一反馈端FB，且包含一信号产生电路310，一驱动电路320，一主重置电路330，以及二附属重置电路340、350。如图3所示，信号产生电路310用来当导通时根据第一时钟信号CK(其亦可为第二时钟信号XCK)于移位缓存器122的输出端OUT产生栅极信号GOUT(N)。驱动电路320用来根据移位缓存器122的输入端IN所接收到的输入信号控制信号产生电路310，而移位缓存器122的输入端IN所接收到的输入信号为前一级移位缓存器的输出端输出的栅极信号GOUT(N-1)或为一起始信号(ST)。主重置电路330用来根据反馈端FB所接收到的反馈信号关断信号产生电路310以及重置输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)(亦即将输出端的电压拉低至一特定低电位VSS)，而反馈端FB所接收到的反馈信号为次一级移位缓存器的输出端输出的栅极信号GOUT(N+1)。附属重置电路340，350用来根据第一时钟信号CK和第二时钟信号XCK轮流关断信号产生电路310以及重置输出端OUT输出的输出信号。
虽然附属重置电路340、350和主重置电路330的功用大致相同，但主重置电路330只于接收到下一级移位缓存器输出的栅极信号GOUT(N+1)时才工作，而附属重置电路340、350长时间且持续地工作，由于在非晶硅制造工艺下，薄膜晶体管若长期工作会造成其效率降低，甚至减少工作寿命，因此只于一个循环中才工作一次的主重置电路330为有其必要的，如此才可避免噪声的干扰而影响输出，并延长产品的使用寿命。
为了更明确说明先前技术移位缓存器122的工作细节，请参考图4，并一并参考图3。图4为图3移位缓存器122于工作时的各相关信号的时序示意图。如图4所示，在时间T1内，输入端IN所接收到的输入信号(亦即前一级移位缓存器的输出端输出的栅极信号GOUT(N-1)或为一起始信号(ST))被提升至高电位，因而导通了驱动电路320的薄膜晶体管TFT1，并进而导通信号产生电路310，然而第一时钟信号CK在时间T1为低电位，因此输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)仍为低电位，另外，主重置电路330因端点N4为低电位而不工作(因反馈端FB的反馈信号GOUT(N+1)为低电位)，附属重置电路340因端点N2为低电位而不工作(因第一时钟信号CK为低电位)，且附属重置电路350因端点N3为低电位而不工作(因输入信号GOUT(N-1)或ST在时间T1时导通薄膜晶体管TFT8)。
在时间T2内，输入端IN所接收到的输入信号GOUT(N-1)或ST被降低至低电位，因而关断了驱动电路320的薄膜晶体管TFT1，然而信号产生电路310仍然为导通的，且端点N1因寄生电容效应于第一时钟信号CK升为高电位时被再次拉高，而输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)亦成为高电位，另外，主重置电路330因端点N4为低电位而不工作(因第一时钟信号CK在时间T2时导通薄膜晶体管TFT15)，附属重置电路340因端点N2为低电位而不工作(因输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)在时间T2时导通薄膜晶体管TFT11)，且附属重置电路350因端点N3为低电位而不工作(因第二时钟信号XCK为低电位)。
在时间T3内，主重置电路330因第二时钟信号XCK导通薄膜晶体管TFT14且因反馈端FB的反馈信号GOUT(N+1)升为高电位造成端点N4成为高电位，并进而导通薄膜晶体管TFT16、TFT17，亦及关断信号产生电路310(端点N1降为低电位)以及将输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)降为低电位，另外，附属重置电路340因端点N2为低电位而不工作(因第一时钟信号CK为低电位)，但附属重置电路350因端点N3为高电位(因第二时钟信号XCK为高电位)而同时导通薄膜晶体管TFT3、TFT6，亦及关断信号产生电路310以及将输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)降为低电位。
而在随后的时间内，附属重置电路340和附属重置电路350会轮流工作以关断信号产生电路310以及将输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)降为低电位，直到输入端IN的输入信号GOUT(N-1)或ST再度升为高电位为止。再者，次一级的移位缓存器122亦会重复以上的动作，如此即可依序产生栅极信号GOUT以驱动显示阵列110。
然而，每一级移位缓存器122输出的栅极信号GOUT不仅用来驱动显示阵列110，其也需用来输出至次一级移位缓存器122的输入端IN以及前一级移位缓存器122的反馈端FB，因而加重输出端OUT的负担，并进而增加每一级移位缓存器122输出的栅极信号GOUT的上升时间(rising time)与下降时间(falling time)。另外，栅极驱动电路120的最后一级移位缓存器122的反馈端FB并无法接收到反馈信号，因而使得最后一级移位缓存器122的主重置电路330无法工作，如此最后一级移位缓存器122的工作寿命将变短，甚至造成连锁效应使整个栅极驱动电路120损坏。
发明内容
因此，本发明的主要目的，即是要提出一种可自行反馈的移位缓存器，以解决先前技术的问题。
本发明移位缓存器具有一输出端以及一输入端，且包含一信号产生电路，用来当其导通时根据一时钟信号于该移位缓存器的输出端产生输出信号；一驱动电路，耦接于该信号产生电路，用来根据该移位缓存器的输入端所接收到的输入信号控制该信号产生电路；一主重置电路，耦接于该信号产生电路，用来关断该信号产生电路以及重置该输出端输出的输出信号；以及一反馈电路，耦接于该输出端及该主重置电路，用来根据该输出信号及该时钟信号控制该主重置电路。
附图说明
图1为先前技术液晶显示器的示意图。
图2为图1液晶显示器的栅极驱动电路的示意图。
图3为图2栅极驱动电路的移位缓存器的示意图。
图4为图3移位缓存器于工作时的各相关信号的时序示意图。
图5为本发明液晶显示器的示意图。
图6为图5液晶显示器的栅极驱动电路的示意图。
图7为图6栅极驱动电路的移位缓存器的示意图。
图8为图7移位缓存器于工作时的各相关信号的时序示意图。
主要组件符号说明
100，500 液晶显示器 110，510 显示阵列
120，520 栅极驱动电路 122，522 移位缓存器
310，710 信号产生电路 320，720 驱动电路
330，730 主重置电路
340，350，740，750 附属重置电路
760 反馈电路 CK1，CK2 时钟信号输入端
IN 输入端 OUT 输出端
FB 反馈端 VSS 特定低电位
CK 第一时钟信号 XCK 第二时钟信号
ST 起始信号 GOUT 栅极信号
N1，N2，N3，N4，N11，N12，N13，N14，N15 端点
TFT 薄膜晶体管
具体实施方式
请同时参考图5至图7，图5为本发明液晶显示器500的示意图，图6为图5液晶显示器500的栅极驱动电路520的示意图，图7为图6栅极驱动电路520的移位缓存器的示意图。本发明液晶显示器500包含一显示阵列510，以及一栅极驱动电路520。显示阵列510用来显示图像，而栅极驱动电路520用来驱动显示阵列510。栅极驱动电路520包含多级移位缓存器522，每一级移位缓存器522以串联的方式相耦接，并根据一第一时钟信号CK和一第二时钟信号XCK依序产生栅极信号GOUT以驱动显示阵列510，而第二时钟信号XCK的相位互补于第一时钟信号CK的相位，且在每一级移位缓存器522的信号连接中，第一时钟信号CK和第二时钟信号XCK为轮流互换的，时钟信号输入端CK1和时钟信号输入端CK2会与第一时钟信号CK和第二时钟信号XCK交替耦合。不同于先前技术，每一级移位缓存器522具有一输出端OUT和一输入端IN，而不包含一反馈端FB，每一级移位缓存器522另包含一信号产生电路710，一驱动电路720，一主重置电路730，一反馈电路760，以及二附属重置电路740、750。如图7所示，信号产生电路710用来当导通时根据第一时钟信号CK(其亦可为第二时钟信号XCK)于移位缓存器522的输出端OUT产生栅极信号GOUT(N)。驱动电路720用来根据移位缓存器522的输入端IN所接收到的输入信号控制信号产生电路710，而移位缓存器522的输入端IN所接收到的输入信号为前一级移位缓存器的输出端输出的栅极信号GOUT(N-1)或为一起始信号(ST)。主重置电路730用来根据反馈电路760所产生的反馈信号关断信号产生电路710以及重置输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)(亦即将输出端的电压拉低至一特定低电位VSS)。而反馈电路760用来根据栅极信号GOUT(N)、第一时钟信号CK和第二时钟信号XCK于端点N14产生反馈信号以控制主重置电路730的工作。举例来说，反馈电路760的薄膜晶体管TFT66用来当导通时根据第二时钟信号XCK于端点N14产生一反馈信号，而反馈电路760的薄膜晶体管TFT64用来根据栅极信号GOUT(N)控制薄膜晶体管TFT66的导通与关断。另外，反馈电路760的薄膜晶体管TFT67和薄膜晶体管TFT68分别用来根据栅极信号GOUT(N)和第一时钟信号CK重置反馈信号，而反馈电路760的薄膜晶体管TFT65为根据端点N12的电位重置薄膜晶体管TFT64输出端的信号。附属重置电路740、750用来根据第一时钟信号CK和第二时钟信号XCK轮流关断信号产生电路710以及重置输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)。
由于每一级移位缓存器522的反馈电路760可自行产生反馈信号以代替次一级移位缓存器的输出端输出的栅极信号GOUT(N+1)，亦即主重置电路730可根据反馈电路760所产生的反馈信号关断信号产生电路710以及重置输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)，因此移位缓存器522的输出端OUT不需再耦合于前一级移位缓存器的反馈端。
为了更明确说明本发明移位缓存器522的工作细节，请参考图8，并一并参考图7，图8为图7移位缓存器522于工作时的各相关信号的时序示意图。如图8所示，在时间T1内，输入端IN所接收到的输入信号(亦即前一级移位缓存器的输出端输出的栅极信号GOUT(N-1)或为一起始信号(ST))被提升至高电位，因而导通了驱动电路720的薄膜晶体管TFT51，并进而导通信号产生电路710，然而第一时钟信号CK在时间T1为低电位，因此输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)仍为低电位，反馈电路760因栅极信号GOUT(N)为低电位而无法导通薄膜晶体管TFT64，进而造成端点N15为低电位，而主重置电路730亦因端点N14为低电位(亦即反馈电路760的反馈信号为低电位)而不工作，另外，附属重置电路740因端点N12为低电位而不工作(因第一时钟信号CK为低电位)，且附属重置电路750因端点N13为低电位而不工作(因输入信号GOUT(N-1)或ST在时间T1时导通薄膜晶体管TFT58)。
在时间T2内，输入端IN所接收到的输入信号GOUT(N-1)或ST被降低至低电位，因而关断了驱动电路720的薄膜晶体管TFT51，然而信号产生电路710仍然导通的，且端点N11因寄生电容效应于第一时钟信号CK升为高电位时被再次拉高，而输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)亦成为高电位，反馈电路760因输出端输出的栅极信号GOUT(N)为高电位而导通薄膜晶体管TFT64，因此端点N15成为高电位，然而第二时钟信号XCK在时间T2为低电位，因此端点N14仍为低电位，而主重置电路730亦因端点N14为低电位而不工作，另外，附属重置电路740因端点N12为低电位而不工作(因输出端OUT输出的栅极信号G0UT(N)在时间T2时导通薄膜晶体管TFT61)，且附属重置电路750因端点N13为低电位而不工作(因第二时钟信号XCK为低电位)。
在时间T3内，第二时钟信号XCK为高电位，也因此将端点N14升高为高电位(亦即反馈电路760的反馈信号成为高电位)，且端点N15因寄生电容效应于第二时钟信号XCK升为高电位时被再次拉高，主重置电路730因端点N14为高电位而导通薄膜晶体管TFT69、TFT70，亦即关断信号产生电路710(端点N11降为低电位)以及将输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)降为低电位，另外，附属重置电路740因端点N12为低电位而不工作(因第一时钟信号CK为低电位)，但附属重置电路750因端点N13为高电位而同时导通薄膜晶体管TFT53、TFT56，亦及关断信号产生电路710以及将输出端OUT输出的栅极信号GOUT(N)降为低电位。
在时间T4内，端点N15因薄膜晶体管TFT65被导通而降为低电位(因端点N12升为高电位)，而主重置电路730也因端点N14降为低电位(因第一时钟信号CK在时间T4时导通薄膜晶体管TFT68)而不工作。另外，在时间T3之后，附属重置电路740和附属重置电路750会轮流工作以关断信号产生电路710以及将输出端输出的栅极信号GOUT(N)降为低电位，直到输入端IN的输入信号GOUT(N-1)或ST再度升为高电位为止。再者，次一级的移位缓存器522亦会重复以上的动作，如此即可依序产生栅极信号GOUT(亦即输出信号)以驱动显示阵列510。
综合以上所述，本发明移位缓存器522包含一可自行产生反馈信号的反馈电路760，以使主重置电路730可根据反馈电路760所产生的反馈信号关断信号产生电路710以及重置输出端OUT输出的输出信号(栅极信号GOUT)。
相较于先前技术，本发明移位缓存器522的输出端OUT不需再耦合于前一级移位缓存器522的反馈端，因此可减轻每一级移位缓存器522的输出端OUT的负担，进而减少栅极信号GOUT的上升时间(rising time)与下降时间(falling time)。另外，栅极驱动电路520的最后一级移位缓存器522亦可接收到反馈信号，因此可避免最后一级移位缓存器522或甚至整个栅极驱动电路520损坏。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所进行的等效变化与修改，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (10)
1.一种可自行反馈的移位缓存器，具有一输出端以及一输入端，包含：
一信号产生电路，用来当其导通时根据一时钟信号于该移位缓存器的输出端产生输出信号；
一驱动电路，耦接于该信号产生电路，用来根据该移位缓存器的输入端所接收到的输入信号控制该信号产生电路；
一主重置电路，耦接于该信号产生电路，用来关断该信号产生电路以及重置该输出端输出的输出信号；以及
一反馈电路，耦接于该输出端及该主重置电路，用来根据该输出信号及该时钟信号控制该主重置电路。
2.如权利要求1所述的移位缓存器，另包含一附属重置电路，耦接于该输出端及该信号产生电路，用来根据该时钟信号关断该信号产生电路以及重置该输出端输出的输出信号。
3.如权利要求1所述的移位缓存器，其输入端耦接于一前一级的一移位缓存器的一输出端。
4.如权利要求1所述的移位缓存器，其中该反馈电路包含：
一第一薄膜晶体管，用来当其导通时根据该时钟信号输出一反馈信号；
一第二薄膜晶体管，用来根据该移位缓存器的输出端输出的输出信号控制该第一薄膜晶体管；
一第三薄膜晶体管，用来根据该时钟信号重置该第一薄膜晶体管输出的反馈信号；
一第四薄膜晶体管，用来根据该移位缓存器的输出端输出的输出信号重置该第一薄膜晶体管输出的反馈信号；以及
一第五薄膜晶体管，用来当导通时重置该第二薄膜晶体管输出的信号。
5.如权利要求4所述的移位缓存器，其中该主重置电路包含：
一第六薄膜晶体管，用来于被该第一薄膜晶体管输出的反馈信号导通时关断该信号产生电路；以及
一第七薄膜晶体管，用来于被该第一薄膜晶体管输出的反馈信号导通时重置该输出端输出的输出信号。
6.一种薄膜晶体管液晶显示器，包含：
一显示阵列，以及
一栅极驱动电路，用来产生多个栅极信号来驱动该显示阵列，该栅极驱动电路包含多级移位缓存器，以串联的方式相耦接，每一级移位缓存器具有一输出端以及一输入端且包含：
一信号产生电路，用来当其导通时根据一时钟信号于该移位缓存器的输出端产生输出信号；
一驱动电路，耦接于该信号产生电路，用来根据该移位缓存器的输入端所接收到的输入信号控制该信号产生电路；
一主重置电路，耦接于该信号产生电路，用来关断该信号产生电路以及重置该输出端输出的输出信号；以及
一反馈电路，耦接于该输出端及该主重置电路，用来根据该输出信号及该时钟信号控制该主重置电路。
7.如权利要求6所述的液晶显示器，其中该移位缓存器另包含一附属重置电路，耦接于该输出端及该信号产生电路，用来根据该时钟信号关断该信号产生电路以及重置该输出端输出的输出信号。
8.如权利要求6所述的液晶显示器，其中该输入端耦接于前一级的移位缓存器的输出端。
9.如权利要求6所述的液晶显示器，其中该反馈电路包含：
一第一薄膜晶体管，用来当其导通时根据该时钟信号输出一反馈信号；
一第二薄膜晶体管，用来根据该移位缓存器的输出端输出的输出信号控制该第一薄膜晶体管；
一第三薄膜晶体管，用来根据该时钟信号重置该第一薄膜晶体管输出的反馈信号；
一第四薄膜晶体管，用来根据该移位缓存器的输出端输出的输出信号重置该第一薄膜晶体管输出的反馈信号；以及
一第五薄膜晶体管，用来当导通时重置该第二薄膜晶体管输出的信号。
10.如权利要求9所述的液晶显示器，其中该主重置电路包含：
一第六薄膜晶体管，用来于被该第一薄膜晶体管输出的反馈信号导通时关断该信号产生电路；以及
一第七薄膜晶体管，用来于被该第一薄膜晶体管输出的反馈信号导通时重置该输出端输出的输出信号。
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5751762B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2015-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN106328080B (zh) * | 2016-09-27 | 2019-02-19 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种goa电路控制的方法 |
| TWI682379B (zh) * | 2018-12-25 | 2020-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 閘極驅動電路及其顯示面板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07281646A (ja) * | 1994-04-13 | 1995-10-27 | Shizuki Denki Seisakusho:Kk | 表示モジュール駆動装置 |
| CN1536401A (zh) * | 2003-04-08 | 2004-10-13 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
| US6885723B2 (en) * | 2002-08-13 | 2005-04-26 | Au Optronics Corp. | Shift-register circuit |
| CN1731501A (zh) * | 2005-08-31 | 2006-02-08 | 友达光电股份有限公司 | 移位寄存电路 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07281646A (ja) * | 1994-04-13 | 1995-10-27 | Shizuki Denki Seisakusho:Kk | 表示モジュール駆動装置 |
| US6885723B2 (en) * | 2002-08-13 | 2005-04-26 | Au Optronics Corp. | Shift-register circuit |
| CN1536401A (zh) * | 2003-04-08 | 2004-10-13 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
| CN1731501A (zh) * | 2005-08-31 | 2006-02-08 | 友达光电股份有限公司 | 移位寄存电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1819008A (zh) | 2006-08-16 |
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Legal Events
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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