CN100394547C - 光投射处理设备和器件制造方法及污染物清洁设备和方法 - Google Patents
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Abstract
光投射处理设备和器件制造方法及污染物清洁设备和方法，用波长短于250nm的UV或EUV射线，在选自水，氧化氮和含氧的碳氢化合物的含氧物存在的情况下，在包含光学元件的设备中辐射空间，清洗光投射处理设备中用的光学元件。通常用洗涤气体洗涤空间，洗涤气体除有常用的洗涤气体组分外，还含有少量含氧物。该方法也可以用在抽真空的空间中，给空间引入低压含氧物。该方法的优点在于避免使用诸如臭氧的不稳定的材料。
Description
技术领域
本发明涉及光投射处理设备，包括：
辐射系统，用于提供波长为250nm或以下的电磁辐射的投射束；
支撑构件，用于支撑构图装置，该构图装置用于按规定的图形对电磁辐射投射束构图；
衬底台，用于固定衬底；
投射系统，用于将已构图的电磁辐射投射束投射到衬底的目标部分。
背景技术
本文中用的术语“构图装置”从广泛的描述而言，是指赋予入射的射线束的横截面图形的装置，该图形对应在衬底的目标部分要构成的图形；本文中还用了术语“光阀”。通常，所述的图形应对应目标部分中要形成的，诸如集成电路或其它器件(这在以下会描述)的器件中的特定的功能层。这种构图装置的实例包括：
掩模，掩模的概念在光刻技术中是公知的。它包括的掩模类型例如有：两部分组成的二元型，交替相移型，衰减相移型，以及各种混合的掩模型。在这种射线束中设置掩模，使投射到掩模上的射线按掩模上的图形选择地透射(在透射掩模的情况下)或反射(在反射掩模的情况下)。在用掩模的情况下，支撑构件通常是掩模台，它保证掩模保持在入射射线束中规定的位置中，它可以按需要相对射线束移动。
可编程反射镜阵列，这种器件的一个实例是矩阵可寻址表面，有粘滞弹性控制层和反射表面。这种设备的原理是，反射表面的寻址面积反射入射光作为衍射光，在非寻址面积反射入射光作为非衍射光，所述的非衍射光可以从反射光中滤掉只留下衍射光；按此方式，射线束将按矩阵-可寻址表面的寻址图形构图。用适当的电子装置执行规定的矩阵寻址。有关这种反射镜阵列的更多的信息可由例如美国专利US 5296891和US 5523193获得，这些文献在本文中引作参考。在可编程反射镜阵列的情况下，所述支撑构件可以是支架或支持台，它可以按需要固定或移动。
可编程LCD阵列。这种结构的实例已在美国专利US 5229872中公开，该文献在本文中引作参考。如上所述，支撑构件可以是支架或支持台，它可以按需要固定或移动。
为了简化描述，本文的其余内容可以是在某些位置，具体针对包括掩模和掩模台的实例本身的内容，这些实例中的基本原理应视为上述构图装置的广义内容。
光投射处理设备可用于制造集成电路(IC)，该图形可以是在已涂有射线敏感材料层(光刻胶层)的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个小片)构成的图像。通常，单晶片包含通过投射系统一次一个顺序辐射相邻的多个目标部分的全部网络。当前的设备中，用在掩模台上的掩模构图，使两种不同类型的机器之间有差别。一种类型的光投射处理设备中，通过一次将整个掩模图形对目标部分曝光的方式辐射每个目标部分；这种设备通常叫做晶片分级器(wafer stepper)。在通称为分级扫描的交替设备中，通过在投射束下按规定的参考方向(“扫描方向”)顺序扫描掩模图形，辐射每个目标部分，同时按与该方向平行或不平行的方向同步扫描衬底台；通常，由于投射系统有放大系数M(通常＜1)，所以，扫描衬底台的扫描速度V是扫描掩模台的扫描速度的M倍。此处所述的关于光刻设备的更多的信息可在美国专利US 6046792中获得。该文献在本文中引作参考。
用光投射处理设备的制造方法中，图形(例如，掩模中的图形)可以是在至少已涂有部分射线敏感材料层(光刻胶层)的衬底上构成的图像。在形成该图像的步骤之前，衬底可以进行各种处理，例如，涂底膜，涂光刻胶膜，和软烘烤。曝光后，衬底可以进行其它处理，例如，曝光后烘烤(PEB)，显影，坚膜烘烤和图形特征测量/检查。该处理阵列用作例如IC器件的各个单层的图形基础。之后，已构图的膜层可以进行各种处理，例如，腐蚀，离子注入(掺杂)，金属化，氧化，化学机械抛光等，所有的处理均是为了完成单个膜层。如果需要几层膜层，之后，整个处理或其变形对每一层新膜层均要重复。最后，衬底(晶片)上将出现器件阵列。用刀片、锯等工具把这些器件相互分开。安装在载体上的单个器件连接到引出线。有关制造方法的进一步的信息，例如已由书名为“Microchip Fabrication：A Practical Guide to Semiconductor Processing”(微芯片制作：半导体工艺指南)，第三版，作者Peter van Zant，由McGraw HillPublishing Co.1997出版，ISBN 0-07-067250-4公开，该文献在本文中引作参考。
简而言之，投射系统以下叫做“透镜”；但是，该术语从广义上说是指各种类型的投射系统，例如包括折射光学系统，反射光学系统，反射折射系统。辐射系统还包括按射线投射束的指向、构形或投射束的控制中的任何一种设计操作的元件，这些元件也可以是：伸缩式元件，集合式元件或单个元件，如，透镜。光刻设备的类型可以有两个或多个衬底台(和/或两个或多个掩模台)。在这种“多级”设备中，可以平行使用附加的衬底台，或在一个或多个台上进行准备步骤，同时，其它的一个或多个台进行曝光。双级光刻设备例如已在美国专利US 5969441和WO-98/40791中公开，这两篇文献在本文中引作参考。
为了减小能用光投射处理设备成像的相貌的尺寸，就要减小辐射射线的波长。紫外线(UV)的波长小于200nm，因而，当前希望的波长是例如193nm，157nm，或126nm。而且，希望远紫外线(EUV)的波长小于50nm，例如13.5nm。合适的UV射线源包括Hg灯，和受激准分子激光器。要求的EUV源包括激光产生的等离子体源，设在蓄电环或同步回旋加速器中的电子束路径周围的放电源和波动器或扭动器(wigglers)。
在EUV射线的情况下，投射系统通常有反射镜阵列，掩模是反射性的，如本文引作参考的WO-99/57596所公开的。
在这种短波长下操作的设备对污染颗粒存在的敏感度明显高于那些在较高波长下操作的设备对污染颗粒存在的敏感度。污染颗粒如碳氢化合物分子，和可以从外部源引入系统的、或者在光刻设备本身中产生的水蒸汽。污染颗粒例如包括碎片，和由EUV射线、或通过设备中用的塑料、粘结剂和润滑剂等的蒸发产生的分子从衬底析出的副产物。
这些污染颗粒会吸附到系统中的光学元件上，使射线束在穿透中损耗。用波长为157nm的射线时，每层光学表面上形成的污染颗粒只有一层或几层单层时，所观察到的透光损失约为1％。这种透光损失被认为是极不合格的。而且要求该系统的投射线束的强度均匀性通常不低于0.2％。光学元件上固定的污染颗粒不能满足该要求。
上述的光学元件的清洗方法包括如用臭氧作清洗材料。但是臭氧是极不稳定的材料，它形成后只能保持几个小时。如果用臭氧清洗光学表面，就必需就地形成臭氧，或在邻近清洗开始前形成臭氧。用臭氧发生器可以达到这种清洗目的。但是，制造臭氧的特殊步骤本身极不方便。
发明内容
本发明的目的是提供一种光投射处理设备，其中能用稳定的清洗材料清洗光学元件。
按本文第一段所述的光刻设备能实现该目的和其它目的。该设备还包括给所述设备的空间中供给洗涤气体的供气源。所述的空间内包含有光学元件，其中，所述的洗涤气体包含选自水，氧化氮，含氧碳氢化合物的含氧物。
本发明人发现，通过把相对低分压的稳定的含氧物，例如水、氧化氮(NOx)或含氧有机物如醇类加到要送入投射线束行进空间中的洗涤气体来清洗光投射处理设备中的光学元件。这些原料本身作为清洗剂是无效的，它们用于与UV射线化合。UV射线使含氧物裂化产生原子氧或其它的含氧基，这些是极有效的清洗剂。在这些含氧物中，发现水可以比分子氧以更高的速率清除污染颗粒。用洗涤气中的所述的低浓度的清洗剂，能清洗光学元件，同时，由于含氧物对UV射线的吸收作用，而使射线的透射损失可以接受，用它把掩模图形投射到目标部分上。
按本发明方法清洗后，可以增大射线束的透射或反射，也可以改善均匀性。因此，发明提供了对光投射处理设备中的光学元件极有效的清洗方法。避免了使用不稳定的材料如臭氧。最重要的是，不必为在分开的清洗设备中清洗元件，而费很多时间把例如透镜的光学元件从光投射处理设备拆卸下来。
但是，类似掩模的构图装置能容易地从它的支撑构件取出。而且当有多个掩模储存在掩模存储盒中的情况下，从掩模存储盒中取出的已污染的掩模，要在它装到支撑构件之前清洗。在两种情况下要求提供有分开的清洗设备的光投射处理设备。用这种清洗设备容易清洗掩模，之后，它容易输送到支撑构件，随后在较短的时间周期内曝光。或者是外部清洗设备，用它清洗掩模时，必须把要清洗的掩模从设备中取出放入外部清洗设备中，清洗过的掩模再放回设备中，与用内部清洗设备相比，需要很多时间。而且，用外部清洗设备清洗，在清洗与曝光之间的长时间间隔极容易造成二次污染。
按本发明的另一方案，提供器件的制造方法，包括步骤：
提供衬底，它至少部分涂覆射线敏感材料层；
提供其波长为250nm或以下的电磁射线的射线束；
用构图掩模提供投射射线束横截面构图；
已构图的射线束投射到射线敏感材料层的目标部分；和
用波长短于250nm的射线在有选自水，氧化氮和含氧碳氢化合物的含氧物存在的情况下，辐射内含光学元件和/或所述构图装置的空间，以清洗在设备中用的光学元件。
按本方面的另一方案，设置的用于清洗污染物的清洗设备包括：空间；辐射源，它发射波长为250nm或以下的射线指向所述的空间；和供气源，给所述的空间供给洗涤气体，其中，所述的洗涤气体包含选自水，氧化氮，和含氧碳氢化合物的含氧物。
这种清洗设备可以清洗附着有碳氢化合物附着层的被污染物。这些污染的物体不限于上述的光学元件或构图装置，可以是任何被碳氢化合物附着层污染的物体。
尽管在本文中是以本发明的设备用于制造IC作为具体的参考，但是，应该理解本发明的设备也还有许多其它的用途。例如，可以用于制造集成光学系统，控制和检测磁畴存储器、液晶显示板、薄膜磁头等的图形。本行业的技术人员将会发现，在其它用途中用的术语“光栅”，“晶片”，“管芯”等，在本文中分别用更通用的术语“掩模”，“衬底”，“目标部分”代替。
本文献中用的术语“射线”，“束”包括各种类型的电磁射线，包括：波长为365nm，248nm，193nm，157nm或126nm的紫外线(UV)，和波长范围在5-20nm，如12.5nm的远的紫外线(EUV或XUV)或软X射线，以及颗粒束，例如离子束或电子束。
附图说明
以下将结合附图参考实施例进一步描述发明及其优点。其中：
图1是按本发明的光投射处理设备的示意图；
图2是按本发明实施例的发光系统的局部示意图；和
图3是按本发明另一实施例的发光系统局部示意图；
附图中相同的部件用相同的参考数字指示。
具体实施方式
图1是按本发明的光投射处理设备的示意图，设备包括：
辐射系统LA、IL，用于提供UV或EUV的投射光束PB；
第一物体台(掩模台)MT，用于固定掩模MA，例如，光栅，并连接到第一定位装置，以精确控制掩模相对于项目PL的定位；
第二物体台(衬底或晶片台)WT，用于固定衬底W，例如，涂有光刻胶的硅晶片，并连接到第二定位装置，以精确控制衬底相对于项目PL的定位；
投射系统(“透镜”)PL，例如，反射镜组，用于把掩模MA的已辐射部分的图像投射到固定在衬底台WT上的衬底W的露出区域C上。
如这里所示的设备是反射型，即，有反射掩模。但是，通常它也可以是例如透射型的。
辐射系统中包括产生UV或EUV的投射光束源LA，例如，设在存储环或同步旋转加速器中的电子束路径周围的波动器或扭动器。使该射线通过包括在发光系统IL中的各种光学元件，例如，射线束构形镜片，积分器和聚光器，也包括在辐射系统中，以使产生的射线束PB的横截面有规定的形状和强度分布。
射线束PB随后被固定在掩模台MT上的掩模MA阻断，掩模MA选择性的反射射线束PB，射线束PB通过透镜PL，它使射线束PB在衬底W的露出区域C上聚焦。借助干涉仪的位移测试装置IF，用第二定位装置可以使衬底台WT准确移动，以按射线束PB的路径定位不同的露出区域C。同样，用第一定位装置使掩模MA相对于射线束PB的路径准确定位。通常物体台MT、WT的移动，借助长冲程组件实现粗单位，借助短冲程组件实现细单位，在图1中没有清楚地画出。在晶片分级器与分级-和-扫描装置相对设置的情况下，掩膜台可只连接到短冲程定位器，以细调掩模的取向和定位，或者，使其简单固定。
可按两个不同的模式使用上述的装置：
1，按分级-和-重复(分级)模式，掩模台MT基本保持静止，整个掩模图像一次(即一次“闪光”)投射到露出区域C上。之后，衬底台WT按X和/或Y方向移动，以用射线束PB辐射不同的露出区域C；
2，按分级-和-扫描(扫描)模式，应用情况大致相同，只是露出区域C不是用一次闪光来曝光。掩模台MT按规定的方向，即，所谓的“扫描方向”，例如，Y方向按速度V移动，使射线投射束PB在掩模图像上扫描；同时，衬底台WT按相同或相反的方向按V＝Mv的速度移动，式中M是透镜PL的放大倍数，透镜PL的典型放大倍数是M＝1/4或1/5。按此方式，将曝光较大的露出区域C，而不会引起清析度降低。
本发明的实施例中，要清洗的元件是发光设备中的光学元件。但是，本发明可以除去系统中的任何光学元件上的污染物，例如，除去投射系统中的掩模或光学元件上的污染物。本发明可以同时或分开用于一个或几个光学元件。
图2更详细显示出按本发明的具体实施例的发光系统的一部分。由洗涤气体供应源4给发光系统中的内装光学元件3的空间2供给洗涤气体，空间2可以是含液态或气态洗涤气体的压力容器。包含含氧物的洗涤气体经可以包括阀门的喷嘴5供给空间2。现在，用源LA产生的UV或EUV射线辐射含有含氧物的空间2。本实施例中，在曝光的同时进行辐射步骤，即，用射线投射束PB分裂含氧物。
用波长为250nm或以下的UV或EUV射线辐射时，空间2中的含氧物分裂。形成的氧基或其它基可以是OH-基或其它碳氢化合物基，取决于含氧物的特征。形成的氧基是高效清洁剂，能清除光学元件表面上的碳氢化合物和其它的污染颗粒。
洗涤气体可以包含一种选自水，氧化氮(NOx)，和含氧碳氢化合物的含氧物或其混合物。合适的含氧碳氢化合物包括：醇类，醛类(alkanones)和醚类。特别优选的含氧碳氢化合物有高的O∶C比，例如，C1-6醇类，它包含1(C1)至6(C6)个碳原子，包括：甲醇，乙醇和丙醇；C1-6醛类，例如，甲醛，乙醛，丙醛和丙酮；和C1-6醚类，例如，甲氧甲烷，乙氧甲烷和乙氧乙烷。本发明中用的最优选的含氧物是水，氧化氮，甲醇和乙醇。这些化合物可以单独使用，也可以用两种或以上的化合物的混合物。
发明人对比了分子氧与水的清洗速率，同时用波长为172nm的射线对预先已污染的光栅曝光。发现，水可以清洁光栅，因此恢复了它的透射性，清洁的速度大大快于分子氧的清洁速度。洗涤气体中加入分子氧和水的清洗速度与只加水的清洗速度相比没有明显的影响。在使用的波长下，对水的分裂速度明显高于对氧的分裂速度。而且发现，可以用与分子氧不同的方式用紫外线分裂水。从实验发现水在光栅表面明显的分解，形成高反应性的OH基。当这些OH基处于所述表面上残留的碳氢化合物污染物附近或上面时，它容易与污染物反应。分子氧在表面不分解而留在包围光栅的空间内。显然，水和氧的分解特性的区别可以解释成清洗速度的不同。
本发明的一个实施例中，用基本上是惰性气体的洗涤气体清洗内装光学元件的空间。洗涤气体中有少量含氧物存在的情况下，洗涤气体可以含任何适合在光刻设备中用的气体组分，与上述的一种或多种含氧物一起。典型的洗涤气体包含诸如稀有气体或氮气的惰性气体中的一种或其混合物，与上述含氧物中的一种或多种一起。最优选的的惰性气体是氩气，氦气和氮气，例如，超纯氮气。
按本发明的最优选的洗涤气体成分只由一种或多种惰性气体和上述的一种或多种含氧物组成。因此，最好从气体中除去其它污染物。通常用净化器除去清洗气体中的碳氢化合物。本发明中可以用净化器除去大多数碳氢化合物，而对相关的含氧物的存在没有影响。
洗涤气体中存在的含氧物的总体积量的典型范围是1ppb至约10ppm。如果含氧物的体积量小于1ppb，那么从光学元件除去的污染物可能不够，除非进行几小时的清洁处理，这本身是不需要的。而且低于1ppb的浓度无法检测。
或者，如果含氧物的体积浓度至1ppm以上，含氧物对射线投射束的吸收高，以使透光度下降到低于可以接受的水平。由于射线投射束的这种吸收造成的透光度损失量取决于要清洁的光学系统的路径长度。例如，通常，射线束的传递系统的路径长度要大大长于发光系统的路径长度。在规定的相同的含氧物浓度下，由于射线束的传递系统中的UV-吸收而使透光度减少10％等于至发光系统中的透光度只减少1％左右。因此，在发光系统中含氧物的浓度在1ppm左右是可以接受的。系统的路径长度越长，要求浓度越低，例如是300或400ppb。
本发明第一实施例的一个变化中，对内装要清洁的光学元件的空间抽真空。本实施例中，洗涤气体的组分最好基本上只有含氧物或含氧物的混合物。洗涤气体在低分压下引入空间。空间中的含氧物的压力必须足够高，以在合适的时间内有效清洁掉光学元件上的污染物。但是，含氧物的压力足够低时，射线束的透过度不会降低到可以接受的水平以下。存在的含氧物的典型的总分压范围在1×10-4Pa至1Pa。如果该分压低于1×10-4Pa，要除去足够量的污染物则必须进行几小时的清洁处理。相反，如果该分压高于1Pa，含氧物对(E)UV射线的吸收高，造成射线透过度的下降达到不能接受的程度。如上述的，含氧物的最大允许用量要随清洗的系统的路径长度变化。
如果需要，可用传感器6监测污染程度。传感器6通过测试要清洁的光学元件对(E)UV射线的反射或透射而起作用。如图2所示，光学元件可以是反射型的，因此，传感器6可以测试(E)UV射线的反射率。但是如果光学元件是透射型的，则传感器6可以设置在能测射线透过光学元件的程度的位置。
(E)UV射线的吸收程度可用于指示污染物覆盖光学元件的程度。本实施例中，系统通常要清洗掉除含氧物以外的全部(E)UV吸收剂，它们的浓度是已知的，而且最好保持不变。因此，所观察到的任何(E)UV吸收，除了那些由于含氧物本身存在的吸收，都是因为污染物的存在造成的。传感器可以按此方式用于监测光学系统的污染量，以及对光学系统的污染量的任何改变。
可以在清洁前和/或清洁后使用传感器指示有问题的光学元件是否清洁到足够曝光的程度，或光学元件是否需要进一步清洗。要求这种检测工艺能定期使用，它可以确定什么时间光学元件需要清洁。也可以在清洁处理过程中使用传感器。按上述方法进行清洁处理，并同时进行辐射，用传感器6监测所述射线的吸收。当传感器指示吸收量低于足够量时，光学元件的污染量是可以接受的，这时，停止清洁处理。
第一实施例的另一变化中，用一种或多种清洗剂清洗露出的晶片之间的光学元件和/或掩模。例如，在两批晶片之间，或者在常规的基础上，例如，在普通的维修程序的一部分的基础上，进行清洗。按此方式，当晶片不露出和清洗过程中透射损失不至有害的情况下，可以用浓度较高的清洗剂。
本发明的第二实施例中，与第一实施例基本相同，只有以下差别，即，清洗是在分开的工艺和/或在与曝光不同的时间进行，例如，在光刻设备中的分开的设备中清洗掩模。
在本实施例中，含氧物的量没有由投射束的透射中可以接受的损失限制浓度高于10ppm，或者分压高于1Pa可以使用。因此，例如惰性气体中加以含氧物的浓度可以高达20％。尤其如，可以用的水的浓度是1000至15000ppm。
通常设备不抽真空，因为，发光和清洗不是同时进行，所以不必抽真空。但是，如果抽真空，含氧物的总分压可以高达2×104Pa。特别是，可以用的水浓度例如是100至1500Pa。
总之，增大含氧物的存在量是有利的，因为，可以缩短清洗时间和由此减少设备的间歇时间。
本实施例中，当需要除去大量的或附着特别强的污染物时，用含氧材料的浓度大于10ppm(或1Pa的真空度)，可以提高清洗效率。当污染量特别高时，在设备起动时，或者在在常规的基础上，例如，在普通的维修程序的一部分的基础上，可以用该方法进行清洗。
要注意，上述的清洗设备也可以用在光投射处理设备外边作为分开的清洗设备。用这种外部的清洗设备可以用水，氧化氮，或含氧碳氧化合物清洗各种污染物。同时，用紫外线对物体曝光。要清洗的物体不限于上述的光学元件或构图装置，也可以是金属板，涂覆有光刻胶的晶片，太阳能板，或其它任何被污染的物体。
图3示出发明的第三实施例，它与第二实施例相同，其差别如下。本实施例中，还设置有UV或EUV射线源7。源7发射波长为250nm或以下的射线。这种射线的合适的源与以上参考源LA所述的源相同。
本实施例中，用波长短于250nm的UV或EUV射线辐射光学元件3，同时投射EUV射线已构图的射线束，最好用UV射线，UV射线对含氧物的选择性分裂优于EUV。射线。例如，在氧的情况下，最好用波长为157nm的UV射线。按此方式，可以用洗涤气体中较低浓度的含氧物，以确保洗涤气体对EUV射线较低的吸收。因此，可以清洁光学元件，同时，用透射率损失可以接受的射线束对晶片曝光。
还注意到，在用投射束PB曝光前/后，用源7发射的UV或EUV射线辐射位于空间2中的光学元件3。最好在曝光前进行辐射，因此，能提供清洁的光学元件，以提高曝光过程中的透射度和均匀程度。本实施例中，源7发射的射线描述成指向光学元件3。但是，射线束也可以不指向光学元件而是指向其它的方向，例如，射线束跨过光学元件。
如上述的，可按需要用传感器6监测污染程度。
上述的实施例中，描述了掩模或光栅，它也可以包括薄层。在掩模与薄层之间的空间中，可以供给含清洗剂的洗涤气体，以按上述的清洁工艺除去所述空间中的污物。
虽然我们已对上述具体实施例进行了描述，但应当清楚本发明还能用其它方式实施。因此，以上描述不限制发明。
Claims (11)
1.一种光投射处理设备，包括：
辐射系统，用于提供波长为250nm或以下的电磁辐射的投射束；
支撑构件，用于支撑构图装置，该构图装置用于对投射束按规定图形构图；
衬底台，用于固定衬底；
投射系统，用于把已构图的射线束投射到衬底的目标部分；和
气体供给源，给所述设备中的空间供给洗涤气体，所述空间内设有光学元件，该空间和/或该气体供给源包含所述洗涤气体，
其特征在于，所述洗涤气体包含惰性气体和选自水、氧化氮和含氧的碳氢化合物的含氧物，其中所述洗涤气体中包含的含氧物的总体积量为300ppb至10ppm。
2.按权利要求1的设备，其特征在于，所述惰性气体包括氦气、氩气、氮气或其混合气体。
3.按权利要求1的设备，其特征在于，所述含氧物选自水、氧化氮、醇类、醛类和醚类。
4.按权利要求1的设备，其特征在于还包括：另一用于提供波长为250nm或以下的电磁辐射的辐射源，并设置成给所述光学元件和/或所述构图装置供给这种辐射束。
5.按权利要求1的设备，其特征在于还包括：分开的清洗设备，用于清洗包含空间的构图装置；辐射源，用于提供射向所述空间的波长为250nm或以下的辐射束；和供气源，给所述空间供给洗涤气体，该洗涤气体包含选自水、氧化氮和含氧的碳氢化合物的含氧物。
6.一种制造器件的方法，包括以下步骤：
提供衬底，该衬底至少部分涂覆有辐射束敏感材料层；
提供波长为250nm或以下的电磁辐射的投射束；
用构图装置使投射束的横截面形成图形；
将已构图的辐射束投射到辐射束敏感材料层的目标部分；和
用波长为250nm或以下的辐射束辐射包含光学元件的空间，以清洁所述设备中用的光学元件，
其特征在于，在包含惰性气体和选自水、氧化氮和含氧的碳氢化合物的含氧物的洗涤气体存在的情况下，辐射包含所述光学元件的所述空间，其中所述洗涤气体包含总体积量为300ppb至10ppm的含氧物。
7.按权利要求6的方法，其特征在于，所述惰性气体包含氦气、氩气、氮气或其混合气体。
8.按权利要求6的方法，其特征在于，所述含氧物选自水、氧化氮、醇类、醛类和醚类。
9.按权利要求6的方法，其特征在于，所述清洗步骤与用已构图的辐射束投射的步骤分开进行。
10.一种用于清洗被污染物体的清洗设备，包括：
空间；
辐射源，用于提供射向所述空间的波长为250nm或以下的射线；和
供气源，给所述空间供给洗涤气体，该空间和/或该供气源包含所述洗涤气体，
其特征在于，所述洗涤气体包含惰性气体和选自水、氧化氮和含氧的碳氢化合物的含氧物，其中所述洗涤气体中包含的含氧物的总体积量为300ppb至10ppm。
11.一种被污染物体的清洗方法，包括以下步骤：
将物体装入空间；
给所述空间供给波长为250nm或以下的辐射并使所述辐射射向所述物体；和
给所述空间供给洗涤气体，
其特征在于，所述洗涤气体包含惰性气体和选自水、氧化氮和含氧的碳氢化合物的含氧物，其中所述洗涤气体中包含的含氧物的总体积量为300ppb至10ppm。
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| US20050229947A1 (en) * | 2002-06-14 | 2005-10-20 | Mykrolis Corporation | Methods of inserting or removing a species from a substrate |
| JPWO2004006309A1 (ja) * | 2002-07-03 | 2005-11-10 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
| EP1403715A3 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-18 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7189291B2 (en) * | 2003-06-02 | 2007-03-13 | Entegris, Inc. | Method for the removal of airborne molecular contaminants using oxygen gas mixtures |
| US7384149B2 (en) * | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
| US20060285091A1 (en) * | 2003-07-21 | 2006-12-21 | Parekh Bipin S | Lithographic projection apparatus, gas purging method, device manufacturing method and purge gas supply system related application |
| US8094288B2 (en) * | 2004-05-11 | 2012-01-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7355672B2 (en) * | 2004-10-04 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus |
| US7385670B2 (en) * | 2004-10-05 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus |
| US8097092B2 (en) * | 2005-06-21 | 2012-01-17 | Kninklijke Philips Electronics N.V. | Method of cleaning and after treatment of optical surfaces in an irradiation unit |
| JP5124452B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2013-01-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 照射ユニット光学面の二段階クリーニング方法 |
| CN100565799C (zh) * | 2005-07-11 | 2009-12-02 | 株式会社尼康 | 曝光装置及元件制造方法 |
| WO2007019105A1 (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Entegris, Inc. | A transfer container |
| JP2007067344A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Canon Inc | 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 |
| US8317929B2 (en) * | 2005-09-16 | 2012-11-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising an electrical discharge generator and method for cleaning an element of a lithographic apparatus |
| US7986395B2 (en) * | 2005-10-24 | 2011-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and methods |
| US7405417B2 (en) * | 2005-12-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination |
| US7663747B2 (en) * | 2006-04-27 | 2010-02-16 | Metrosol, Inc. | Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument |
| US7622310B2 (en) * | 2006-04-27 | 2009-11-24 | Metrosol, Inc. | Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument |
| US7342235B1 (en) | 2006-04-27 | 2008-03-11 | Metrosol, Inc. | Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument |
| US8507879B2 (en) * | 2006-06-08 | 2013-08-13 | Xei Scientific, Inc. | Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using UV excitation in an oxygen radical source |
| US20070284541A1 (en) * | 2006-06-08 | 2007-12-13 | Vane Ronald A | Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using UV excitation in a oxygen radical source |
| US8564759B2 (en) * | 2006-06-29 | 2013-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
| US7518128B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a cleaning arrangement, cleaning arrangement and method for cleaning a surface to be cleaned |
| US7671347B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-03-02 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning method, apparatus and cleaning system |
| KR100817066B1 (ko) * | 2006-10-11 | 2008-03-27 | 삼성전자주식회사 | 기판 노광 및 광학요소 세정을 인시츄로 수행할 수 있는극자외선 노광장치 및 그에 구비된 광학요소의 세정방법 |
| JP2008263173A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-30 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2008277585A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Canon Inc | 露光装置の洗浄装置及び露光装置 |
| NL1036181A1 (nl) | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus, a projection system and a device manufacturing method. |
| DE102008041827A1 (de) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Schutzmodul für EUV-Lithographievorrichtung sowie EUV-Lithographievorrichtung |
| US8349125B2 (en) * | 2009-07-24 | 2013-01-08 | Xei Scientific, Inc. | Cleaning device for transmission electron microscopes |
| JP5381607B2 (ja) * | 2009-10-19 | 2014-01-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 極端紫外光利用装置 |
| NL2005528A (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| KR20110092837A (ko) * | 2010-02-10 | 2011-08-18 | 고려대학교 산학협력단 | 포토레지스트 패턴의 제거 방법 |
| JP5678671B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2015-03-04 | 富士通セミコンダクター株式会社 | クリーニング方法およびクリーニング装置 |
| CN102436138B (zh) * | 2011-07-12 | 2014-04-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种紫外线掩模板干法清洗设备 |
| US8790603B2 (en) | 2012-06-27 | 2014-07-29 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus for purifying a controlled-pressure environment |
| DE102017114216A1 (de) * | 2017-06-27 | 2018-04-19 | Asml Netherlands B.V. | Anordnung zur Kontaminationsreduzierung in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| TWI704018B (zh) * | 2017-08-25 | 2020-09-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 微影設備之清潔系統、用於清潔微影設備之集光鏡之裝置及方法 |
| NL2022644A (en) | 2018-03-05 | 2019-09-10 | Asml Netherlands Bv | Prolonging optical element lifetime in an euv lithography system |
| US11624904B2 (en) | 2019-08-06 | 2023-04-11 | Kla Corporation | Vapor as a protectant and lifetime extender in optical systems |
| CN112567285B (zh) * | 2018-08-27 | 2023-06-20 | 科磊股份有限公司 | 蒸气作为光学系统中的保护剂及生命延长剂 |
| NL2024042A (en) | 2018-10-22 | 2020-05-07 | Asml Netherlands Bv | Apparatus for and method of reducing contamination from source material in an euv light source |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5099557A (en) * | 1988-07-08 | 1992-03-31 | Engelsberg Audrey C | Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source |
| EP0660188A1 (en) * | 1993-12-24 | 1995-06-28 | Asm Lithography B.V. | Lens system with lens elements arranged in a gas-filled holder, and photolithographic apparatus including such a system |
| US5559584A (en) * | 1993-03-08 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JPH1116802A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Toshiba Corp | 露光方法及び露光装置 |
| US6014398A (en) * | 1997-10-10 | 2000-01-11 | Cymer, Inc. | Narrow band excimer laser with gas additive |
| EP1011128A1 (en) * | 1997-07-22 | 2000-06-21 | Nikon Corporation | Projection exposure method, projection aligner, and methods of manufacturing and optically cleaning the aligner |
| EP1045422A2 (en) * | 1999-04-13 | 2000-10-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system |
| US6252648B1 (en) * | 1998-02-04 | 2001-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of cleaning optical element of the same |
| WO2001061409A2 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Asml Us, Inc. | Apparatus and method of cleaning reticles for use in a lithography tool |
| US6288769B1 (en) * | 1997-06-10 | 2001-09-11 | Nikon Corporation | Optical device method of cleaning the same, projection aligner, and method of producing the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL115931A0 (en) * | 1995-11-09 | 1996-01-31 | Oramir Semiconductor Ltd | Laser stripping improvement by modified gas composition |
| AU1801700A (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-24 | Nikon Corporation | Method for cleaning optical device, exposure apparatus and exposure method, method for manufacturing device, and device |
| US6571057B2 (en) * | 2000-03-27 | 2003-05-27 | Nikon Corporation | Optical instrument, gas replacement method and cleaning method of optical instrument, exposure apparatus, exposure method and manufacturing method for devices |
| JP2001293442A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-23 | Canon Inc | 光学素子の洗浄方法 |
| JP4790970B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2011-10-12 | イーユーヴィー リミテッド リアビリティ コーポレーション | 放射線誘起表面汚染の軽減 |
| KR100772125B1 (ko) * | 2002-06-26 | 2007-10-31 | 이유브이 리미티드 라이어빌러티 코포레이션 | 방사 주입된 표면 오염을 감소시키는 공정 |
-
2001
- 2001-11-19 US US09/988,830 patent/US6724460B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-11-15 EP EP02257913A patent/EP1312983B1/en not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5099557A (en) * | 1988-07-08 | 1992-03-31 | Engelsberg Audrey C | Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source |
| US5559584A (en) * | 1993-03-08 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| EP0660188A1 (en) * | 1993-12-24 | 1995-06-28 | Asm Lithography B.V. | Lens system with lens elements arranged in a gas-filled holder, and photolithographic apparatus including such a system |
| US6288769B1 (en) * | 1997-06-10 | 2001-09-11 | Nikon Corporation | Optical device method of cleaning the same, projection aligner, and method of producing the same |
| JPH1116802A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Toshiba Corp | 露光方法及び露光装置 |
| EP1011128A1 (en) * | 1997-07-22 | 2000-06-21 | Nikon Corporation | Projection exposure method, projection aligner, and methods of manufacturing and optically cleaning the aligner |
| US6014398A (en) * | 1997-10-10 | 2000-01-11 | Cymer, Inc. | Narrow band excimer laser with gas additive |
| US6252648B1 (en) * | 1998-02-04 | 2001-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of cleaning optical element of the same |
| EP1045422A2 (en) * | 1999-04-13 | 2000-10-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system |
| WO2001061409A2 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Asml Us, Inc. | Apparatus and method of cleaning reticles for use in a lithography tool |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG103890A1 (en) | 2004-05-26 |
| US6724460B2 (en) | 2004-04-20 |
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