CN100365170C - 四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法 - Google Patents
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Abstract
一种四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法。该SnO2单分散纳米单晶为棒状结构纳米单晶,其直径为5-50纳米,长度为50-300纳米。其方法是将四氯化锡溶解于盐酸溶液,混合均匀后,放入高压釜中,充空气至压力为0.1-1.5兆帕作为预压,在200-400℃下保温4-8小时,直接得到四方型结构SnO2单分散纳米单晶。本发明的特点是利用溶液的酸度和预压,提高前驱体水解温度,使其在高温下水解,由于此时系统处于高压力下,SnO2分子结晶时沿被限定的晶面,择优生长,且直接长成密度最大的、几乎无缺陷的四方型结构SnO2纳米单晶。该晶体用作锂离子电池负极材料,可有效提高电池的充电效率和使用寿命,用作发光器件和发射装置,可提高其发光效应和性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法,特别涉及一种水热-液压法制备的四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法。
背景技术
SnO2是一种典型的n型半导体材料,其用途广泛,在有机合成中,可用作催化剂和化工原料;在陶瓷工业中可用作釉料和搪瓷乳浊剂;同时还可用于导电材料、薄膜电阻器和光电子器件等领域。由于小尺寸效应及表面效应,纳米氧化锡具有特殊的光电性能和气敏性能,使得它在气敏元件、半导体元件、电极材料、太阳能电池等方面有着潜在的应用。因此氧化锡的应用开发,形成了一个新的热点课题。纳米氧化锡的制备方法主要有:固相合成法、溶胶凝胶法和共沉淀法,化学气相沉积法和微乳液法。制备的前驱体不多,主要为易溶的无机锡盐和醇盐。
而上述这些方法制备的SnO2,由于制备工艺不同,所以得到的粒子粒径不均匀,性能不稳定,表面缺陷较多,表面能大,不易分散,易于团聚,这直接导致了纳米氧化锡在光电性能方面的不稳定性,制约了纳米氧化锡的进一步发展。
发明内容
本发明的目的是提供一种高结晶度四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法。该四方型结构SnO2单分散纳米单晶粒子粒径均匀,性能稳定,可以在锂离子电池中作为负极活性材料应用,其合成方法工艺具有操作简单、重现性好及粒径可控等优点。
本发明依据的原理是:SnCl4可溶于盐酸溶液中,加热时,HCl从溶液中蒸发出来后,溶液中盐酸量减少。温度升高会加大HCl蒸发量,当盐酸浓度减小到一定值后,SnCl4水解,生成SnO2。由于在密闭条件下加热,加上一定预压,反应体系处于10-25兆帕巨大压力之下(250℃时水的饱和蒸汽压已大于8兆帕),新生成的SnO2会按照最大密度结构形式结晶、长大,并沿一定晶面和晶向,择优生长,最终获得呈单分散的四方型结构SnO2单晶体,其直径随条件变化而不同,分布范围较窄。关键条件:(1)加入抑制剂盐酸,使其不能在低温下水解;(2)充入预压,抑制过多晶核的生成,确保晶核生长速度大于形成核速度;(3)反应温度达到200-400℃,保证在高温高压下能直接生成四方型结构SnO2,尽量避免生成有晶格缺陷的晶体。这三个条件的有机配合,可得到尺寸合适的、结构稳定的四方型结构SnO2单晶体。
本发明提供的一种四方型结构SnO2单分散纳米单晶,为棒状结构纳米单晶,其直径为5-50纳米,长度为50-300纳米。
本发明提供的一种制备上述的四方型结构SnO2单分散纳米单晶的方法,其特征是采用水热-液压法制备,其制备步骤为:
第1、将质量浓度为36%-38%的盐酸和蒸馏水按体积比为1∶30-100混合,配制成盐酸稀溶液;
第2、将四氯化锡加到步骤1得到的盐酸稀溶液中,充分搅拌,混合均匀,配制成含四氯化锡浓度为0.09-0.1摩尔/升的稀盐酸溶液;
第3、将步骤2中得到的含四氯化锡的稀盐酸溶液放入高压反应釜中,充空气加压至压力为0.1-1.5兆帕作为预压,放入盐浴炉中,控制温度在200--400℃反应3-8小时,即得到四方型结构SnO2纳米单晶粗产品沉淀;
第4、将步骤3得到的四方型结构SnO2纳米单晶粗产品沉淀,多次用蒸馏水洗涤和离心去水除氯离子,直至离心出的水无氯离子,然后在<120℃烘干,即得到产品。
本发明制备的四方型结构SnO2单分散纳米单晶应用在锂离子电池中作为负极活性材料。其应用方法是将所述的四方型结构SnO2单分散纳米单晶,充分研磨分散,然后在马弗炉中于650±25℃焙烧30-60分钟,再研磨分散后,在900-1000℃焙烧3-4小时,得到高纯度、更高结晶度的四方型结构SnO2单分散纳米单晶,和导电剂乙炔黑、粘结剂聚偏四氟乙烯按75∶15∶10的质量比混合,压制成锂离子电池的负极。
本发明的特点是利用溶液的酸度和预压,提高反应前驱体水解温度,使其在高温、高压下结晶,则晶核沿着被限定的晶面择优生长,生成无缺陷的四方型结构SnO2纳米单晶。该晶体用作锂离子电池负极材料,可以有效提高电池的充电效率和使用寿命;用作发光器件和发射装置,可提高其发光效应和性能。
附图说明
图1为实施例1制得的SnO2纳米单晶的TEM。
图2为实施例2制得的SnO2纳米单晶的TEM。
图3为实施例3制得的SnO2纳米单晶的TEM。
图4为实施例1制得的SnO2纳米单晶的XRD。
从实施例1-3制得的纳米SnO2样品的电镜照片可以看出,其为棒状结构的纳米单晶,煅烧前后均无团聚现象,粗细均匀,直径为5~50纳米,长度为50~300纳米.由图可知,制备得到SnO2样品表面光滑平整,呈镜面反射,其衍射图可标定为四方晶结构的SnO2,这与XRD的结果一致。
具体实施方式
以下实施例中所述的室温为温度10-30℃
实施例1
取分析纯质量浓度为36%-38%的盐酸2毫升,加入蒸馏水200毫升,配成酸与蒸馏水体积比为1∶100的溶液,在磁力搅拌器上搅拌,加入0.02摩尔五水氯化锡,混合均匀后,放入高压反应釜中,充空气加压至预压力到1.0兆帕,将釜放入高温盐浴炉中,温度控制在330℃,反应5小时,然后冷至室温,反复用蒸馏水洗涤和离心去水除氯离子,直至离心出的水无氯离子。取样,做透射电镜分析;在100℃烘干,充分研磨分散,做XRD分析。然后在马弗炉中于650℃焙烧30分钟,再研磨分散,再在900℃焙烧2小时,得到高纯度、更高结晶度的SnO2纳米单晶,再进行透射电镜和XRD对比分析。
合成的SnO2纳米单晶的TEM和XRD如图1。从图1可以看出,合成的SnO2为棒状结构的纳米单晶,煅烧前后均无团聚现象,粗细均匀,直径为5~50纳米,长度为50~300纳米。
实施例2
取分析纯质量浓度为36%-38%的盐酸7毫升,加入蒸馏水,配成盐酸与蒸馏水体积比为1∶30的稀盐酸溶液,在磁力搅拌器上搅拌,加入0.02摩尔五水氯化锡,混合均匀后,放入高压反应釜中,充空气加压至预压力到0.3兆帕,放入高温盐浴炉中,温度控制在330℃,反应4小时,然后冷至室温,反复用蒸馏水洗涤和离心去水除氯离子,直至离心出的水无氯离子。取样,做透射电镜分析。
合成的SnO2纳米单晶的TEM如图2。从图2可以看出,合成的SnO2为棒状结构的纳米单晶,粗细均匀,直径为5~50纳米,长度为50~300纳米。
实施例3
取分析纯质量浓度为36%-38%的盐酸4ml,加入蒸馏水,配成盐酸与蒸馏水体积比为1∶50的稀盐酸溶液,在磁力搅拌器上搅拌,加入0.02摩尔五水氯化锡,混合均匀后,放入高压反应釜中,充空气加压至预压力达到1.1兆帕,放入高温盐浴炉中,温度控制在330℃,反应5小时,然后冷至室温,反复用蒸馏水洗涤和离心去水除氯离子,直至离心出的水无氯离子。取样,做透射电镜分析。
合成的SnO2纳米单晶的TEM如图3。从图3可以看出,合成的SnO2为棒状结构的纳米单晶,粗细均匀,直径为5~50纳米,长度为50~300纳米。
Claims (1)
1.一种四方型结构SnO2单分散纳米单晶的制备方法,其特征是采用水热-液压法制备,其制备步骤为:
第1、将质量浓度为36%-38%盐酸和蒸馏水按体积比为1∶30-100混合,配制成盐酸稀溶液;
第2、将四氯化锡加到步骤1得到的盐酸稀溶液中,充分搅拌,混合均匀,配制成含四氯化锡浓度为0.09-0.1摩尔/升的稀盐酸溶液;
第3、将步骤2中得到的四氯化锡的稀盐酸溶液放入高压反应釜中,充空气至压力为0.1-1.5兆帕作为预压,放入盐浴炉中,控制温度在200--400℃反应3-8小时,即得到四方型结构SnO2纳米单晶粗产品沉淀;
第4、将步骤3得到的四方型结构SnO2纳米单晶粗产品沉淀,多次用蒸馏水洗涤和离心去水除氯离子,直至离心出的水无氯离子,然后在<120℃烘干,即得到SnO2单分散纳米单晶为棒状结构纳米单晶,其直径为5-50纳米,长度为50-300纳米。
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
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CN1724383A (zh) * | 2005-06-21 | 2006-01-25 | 电子科技大学 | 一种制备一维纳米二氧化锡材料的方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
SnO2纳米棒的制备及表征. 候德东,刘应开.无机材料学报,第17卷第4期. 2002 * |
SnO纳米晶须的制备及其性能表征. 朱路平,贾志杰等.化学物理学报,第18卷第2期. 2005 * |
纳米氧化锡枝蔓晶的制备及形成机理. 朱路平等.华中师范大学学报(自然科学版),第39卷第2期. 2005 * |
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