CN100358079C - 偏转线圈及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可以修正会聚不良的同时抑制振荡的偏转线圈，具备一对水平偏转线圈(1)和缠绕于环状磁芯(3)的一对环形垂直偏转线圈(2)，垂直偏转线圈(2)具有产生桶形磁场的第1线圈(5)和产生枕形磁场的第2线圈(6)，该第2线圈与相互反极性并联连接的两个二极管(11)串联连接，第1线圈与第2线圈以及二极管并联连接，包含第1线圈缠绕范围的中央的规定范围(E2)比第1线圈的两端部侧(E1)更稀疏地缠绕，在该稀疏缠绕范围中，将第2线圈缠绕到第1线圈上。

Description

偏转线圈及其制造方法

技术领域

本发明涉及安装在具备一字排列式电子枪的彩色阴极射线管的偏转线圈以及其制造方法。

背景技术

专利文献1中记载的偏转线圈，是安装在具备一字排列式电子枪的彩色阴极射线管的偏转线圈，用于修正屏幕面上产生的所谓会聚不良(反転トリレンマ)而构成的部件。

该偏转线圈，装载的一对垂直偏转线圈分别具备2组从产生枕形磁场用的线圈(以下称为PC线圈)和产生桶形磁场用的线圈(以下称为B线圈)分割缠绕的一对线圈，其中的2个PC线圈与反极性并联连接的两个二极管串联连接。

特别的，在水平偏转线圈为鞍形线圈、垂直偏转线圈为环形线圈而构成鞍形·环形偏转线圈(以下称为ST型偏转线圈)的情况下，该垂直偏转线圈，如图15所示(相当于专利文献1的第6图)，相对磁芯130沿其圆周方向，按B线圈145、PC线圈146、B线圈145顺序缠绕。

在该图中，磁芯130内侧的保持其的隔板104和其内侧的水平偏转线圈144被共同表示。

缠绕在磁芯130上的B线圈145以及PC线圈146，缠绕在该环形上的部分的中间部分位置上设置并分割中间抽头148、147，并且，利用该中间抽头148、147接线。

具体地，B线圈145由中间抽头148和从B线圈145的最两端引出的引线149、PC线圈146由中间抽头147接线(引线149在专利文献1的第6图中被省略)。

[专利文献1]

特开平1-225045号公报

发明内容

公知的是ST型偏转线圈的垂直偏转线圈是多层层叠缠绕而成(例如，特开平7-249386号公报，特开平5-325830号公报中记载)，由此确保作为偏转线圈的必要特性。

垂直偏转线圈102多层层叠缠绕的情况下的示例如图16所示。

该图为示意的剖面图，B线圈145的电线的剖面用白圈表示，PC线圈146的电线的剖面用黑圈表示。并且，线圈145、146各自的缠绕开始的线用符号S表示，缠绕结束的线用符号F表示。另外，省略磁芯130内侧的卷线剖面。

从该图可知，垂直偏转线圈102多层层叠缠绕的情况下，PC线圈146和2个B线圈145必须相对于磁芯130各自独立层叠缠绕，设置中间抽头147、148。换言之，在设置中间抽头147、148的情况下，必须至少将B线圈145分割成两个，各自独立多层层叠缠绕。

但是，该缠绕方法显著的问题是存在振荡(リンギンゲ)这一不适合的现象。

该振荡为屏幕面上辉线的波动，如图17所示的，屏幕面201上的左端周期性地产生深浅条纹202。对此现象的产生原因进行说明。

由磁芯130内侧配置的水平偏转线圈144(参照图15)产生的磁场，通过磁芯130的内部，从而在垂直偏转线圈102中产生水平偏转周期的感应电压。

该感应电压根据垂直偏转线圈102的线间的分布电容进行充放电而产生振动电流，由此电流形成振荡磁场，产生光栅振荡。特别是在水平偏转电流的频率成分高的水平回扫期间之后的画面左端，该现象的发生变得显著。

对此，利用图18进行详细叙述。

虚线的箭头701表示磁芯130的内部的画面左侧偏转时的水平偏转磁场的方向。

B线圈145-L从起点S侧中间抽头148开始作为第1层从电线12向电线11缠绕，接着作为第2层从电线22向电线21缠绕，进而作为第3层再从电线32向电线31缠绕，终点F侧延伸出中间抽头149。

另一方面，B线圈145-R从起点S侧中间抽头149开始作为第1层从电线14向电线13缠绕，接着作为第2层从电线24向电线23缠绕，进而作为第3层再从电线34向电线33缠绕，终点F侧延伸出中间抽头148。

此时，对于产生于B线圈145-L(图左侧的线圈)的感应电压，如果缠绕结束线149的电位作为基准0(零)，每1层的感应电压(即，电线31～32间、电线21～22间、电线11～12间的各感应电压)设为Vc，则第3层的电线32以及第2层的电线21的电位为相同电位、均为+Vc，第2层的电线22与第1层的电线11的电位为相同电位、均为+2Vc，第1层的电线12的电位为+3Vc。

同样地，对于产生于B线圈145-R(图右侧的线圈)的感应电压，如果缠绕开始线149的电位作为基准0(零)，每1层的感应电压设为Vc，则第1层的电线13以及第2层的电线24的电位为相同电位、均为+Vc，第2层的电线23以及第3层的电线34的电位为+2Vc，第3层的电线33的电位为+3Vc。

因此，各层间的相邻的电线间产生Vc的电位差，增大了线间分布电容，产生了显著的振荡。

即，为了修正会聚不良，PC线圈146和两个B线圈145分割缠绕后，随着B线圈145的分布电容的增加，出现了振荡显著产生的问题，为了解决此问题寻求偏转线圈。

因此，本发明的目的是提供能够在修正会聚不良的同时抑制振荡的偏转线圈以及其制造方法。

为了解决上述问题，本申请发明具有以下构成。

即，技术方案1的发明为一种偏转线圈，具备一对鞍形水平偏转线圈1、环状的磁芯3以及缠绕于该磁芯3的一对环形垂直偏转线圈2，所述垂直偏转线圈2具有产生桶形磁场的第1线圈5和产生枕形磁场的第2线圈6，所述第2线圈6与相互反极性并联连接的两个二极管11串联连接，所述第1线圈5与所述第2线圈6以及所述二极管11并联连接而形成偏转线圈，其特征在于：包含所述第1线圈5沿所述磁芯3的电线缠绕范围(E1、E2、E1)的中央的规定范围作为比所述电线缠绕范围(E1、E2、E1)的两端部侧更稀疏缠绕的稀疏缠绕范围(E2)，在大致该稀疏缠绕范围(E2)中，所述第2线圈6缠绕到所述第1的线圈5上。

并且，技术方案2的发明如技术方案1记述的偏转线圈(50)，其特征在于：所述第1线圈5由电线多层缠绕而成，由所述鞍形水平偏转线圈1的水平偏转磁场701产生的所述各层间相邻的电线(12、21、31)(12、22、32)的感应电压成为大致同电位(0、Vc)。

并且，本申请发明具有以下步骤。

即，一种制造技术方案1或2所述的偏转线圈50的偏转线圈的制造方法，其特征在于，包括：将所述第1线圈5连续缠绕在所述磁芯3，使得在所述规定范围E2内缠绕稀疏的第1线圈缠绕步骤，和在大致所述规定范围E2的所述第1线圈5上缠绕所述第2线圈6的第2线圈缠绕步骤。

根据本发明，可以产生在修正会聚不良的同时可以抑制振荡的效果。

附图说明

图1为本发明的偏转线圈的实施例的横剖面图。

图2为说明本发明的偏转线圈的实施例中装载的电路的电路图。

图3为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第1图。

图4为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第2图。

图5为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第3图。

图6为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第4图。

图7为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第5图。

图8为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第6图。

图9为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第7图。

图10为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第8图。

图11为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第9图。

图12为表示本发明的偏转线圈的实施例的外观透视图。

图13为说明具有稀疏地缠绕的部分的线圈的一例的图。

图14为说明本发明的偏转线圈的实施例的感应电压的图。

图15为说明现有的偏转线圈的横剖面图。

图16为说明现有的偏转线圈的垂直偏转线圈的概略剖面图。

图17为说明振荡的图。

图18为说明现有的偏转线圈的感应电压的图。

具体实施方式

利用图1～图14根据优选实施例说明本发明的实施方式。

图1为本发明的偏转线圈的实施例的横剖面图。

图2为说明本发明的偏转线圈的实施例中装载的电路的电路图。

图3为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第1图。

图4为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第2图。

图5为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第3图。

图6为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第4图。

图7为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第5图。

图8为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第6图。

图9为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第7图。

图10为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第8图。

图11为说明本发明的偏转线圈的制造方法的实施例的第9图。

图12为表示本发明的偏转线圈的实施例的外观透视图。

图13为说明具有稀疏地缠绕的部分的线圈的一例的图。

图14为说明本发明的偏转线圈的实施例的感应电压的图。

图12A为实施例的偏转线圈50的概略透视图，图12B为概略侧面图。

根据该图，该偏转线圈50具备一对鞍形水平偏转线圈1、1，环状的磁芯3，缠绕于该磁芯3的一对环形垂直偏转线圈2、2，分别在水平偏转线圈1和磁芯3的内侧和外侧保持绝缘的漏斗状的隔板4以及具有后述电路12的基板13。

隔板4的后方侧的端部(图的右侧)形成颈部4A，该颈部4A连接在图中未示出的阴极射线管的颈部，偏转线圈50安装在阴极射线管。

一对的垂直偏转线圈2、2分别具备两组由PC线圈6和B线圈5组成的一对线圈，该PC线圈6和B线圈5如图2所示电路12那样连接。

即，PC线圈6、6与反极性并联连接的两个二极管11、11串联连接的同时，该串联连接的PC线圈6、6以及二极管11、11与串联连接的B线圈5、5并联连接。

并且，该电路12中，与各线圈并联，连接该线圈两端的泄放(グンピング)电阻的同时，连接着调整B线圈5、5的各自的电流比率的电位器(ボリユ一ム)12VR。随着该电流比率调整，能够修正屏幕面的所谓Yv收敛失真。

并且，与一对二极管11并联且设定该二极管导通时序的电阻12RD。

因此，该电路12的构成为，流过电路的垂直偏转电流值成为规定值时二极管11导通，B线圈5、5的电流值减少，PC线圈6、6的电流值增加。

由此，屏幕面的上下区域的磁场成为枕形，可以修正会聚不良。

接着，利用图1详细叙述缠绕在上述环状磁芯3的一对垂直偏转线圈2。

图1为图12(B)的D-D横剖面图，省略了隔板4和水平偏转线圈1。并且，环状磁芯3被该图的上下各自分割的线圈缠绕，一对垂直偏转线圈2成为点对称。

因此，在以下的说明中作为代表对上侧的垂直偏转线圈2进行说明。

该垂直偏转线圈2具备上述B线圈5，即，产生桶形磁场用的线圈5(以下称为B线圈5)，以及上述PC线圈6，即，产生枕形磁场用的线圈6(以下成为PC线圈6)。

该图中，用白圈表示B线圈5的电线的剖面，用黑圈表示PC线圈6的电线的剖面，线圈5、6各自缠绕开始的线以符号5S、6S表示，缠绕结束的线以符号5f、6f表示。

B线圈5在水平轴X为0°时，对于磁芯3在大于从该水平轴X测得的角度θ1小于角度θ2的范围E1中紧密缠绕；在大于角度θ2的范围E2中稀疏缠绕。

PC线圈6在B线圈5上面，在大于从水平轴X测得的角度θ2小于角度θ3的范围E3中紧密缠绕；在大于角度θ3的范围E4中稀疏缠绕。

此处所说“紧密缠绕”是指相邻的缠绕线排列缠绕，且彼此略接触的意思，“稀疏缠绕”是指相邻的缠绕线彼此分离而缠绕的意思。

因此，“稀疏缠绕”包含例如图13中范围E2的连接线L4那样的缠绕。该图13是稀疏缠绕B线圈5的范围E2的一例。

回到图1，从B线圈5，引出其缠绕开始线5S和缠绕结束线5f，从PC线圈6，引出其缠绕开始线6S和缠绕结束线6f。这些缠绕开始线5S、6S以及缠绕结束线5f、6f如图2所示连线构成电路12。

在此实施例中，B线圈5、PC线圈6共缠绕3层。

例如，B线圈5中，从图左方第1层的缠绕开始点BS1沿图的箭头TR方向(顺时针)缠绕，从第1层的缠绕结束点BF1(图的右方)缠绕回第2层的缠绕开始点BS2(图的左方)。

该缠绕方向在各层同样，对于PC线圈6也同样。

此处的返回线在该图中省略，详细内容后述。

这样，B线圈5没有中间抽头、且没有被分割为多个线圈而作为一个线圈缠绕。利用图14对该B线圈5的感应电压进行说明。

在此图中，虚线的箭头701表示屏蔽画面左侧偏转时的磁芯3内部的水平偏转磁场的方向。

对于该状态下B线圈5产生的感应电压，如果缠绕开始线5s的电位作为基准0(零)，范围E1中每层的感应电压为Vc，则第1层的电线11的电位为0(零)，电线12以及电线13的电位为相同电位、均为+Vc，电线14为0(零)。

第2层的电线21与第1层的电线14为相同电位0(零)，电线22以及电线23的电位为同电位、均为+Vc，电线24为0(零)。

同样，第3层的电线31的电位为0(零)，电线32以及电线33的电位为相同电位、均为+Vc，电线34的电位为0(零)。

即，因为各层的电位分布相等，各层间相邻的电线间大致同电位。其结果，线间分布电容变得非常小，振荡的产生量变得非常少。

并且，本发明者发现，将B线圈5缠绕到环状磁芯3时，该B线圈5的规定范围E2的缠绕比其他范围E1的缠绕稀疏时，由于该稀疏缠绕的规定范围E2上PC线圈6重叠缠绕，与现有的B线圈和PC线圈分割沿着磁芯的表面并联缠绕(配置)的情况相比较，由互感所导致的振荡变得非常少。

进而经过潜心研究，发明者们发现了规定上述规定范围E1的角度θ2的优选范围。

即，优选的是，角度θ2在水平轴X为0°时的50°±5°范围内时，能够显著抑制振荡的产生。角度θ2为50°时，能够将振荡的产生抑制到最小。

如上所述，根据该实施例，由自感而导致的振荡产生变得非常小，且由互感导致的振荡产生也变得非常小，因此能够既修正会聚不良，振荡的产生又变得非常少。

<制造方法>

接下来，利用图3～图11对上述实施例的垂直偏转线圈2的绕线方法进行说明。

图3～图11为从偏转线圈50的颈部4A(参照图12)侧看环状磁芯3的图。向环状磁芯3的缠绕，通过如下所示在分割环状磁芯3后对于半分割的磁芯3a的步骤来进行。在各图中，用箭头表示缠绕电线的前端侧(由此开始缠绕的一侧)。

(步骤A)<参照图3>

磁芯3a的一边侧(图3的左侧)作为开始线5s，由此沿顺时针方向缠绕电线。

此时，如该图，在从水平轴X(0°)经过规定角度θ1的点BS1到规定角度θ2的点BTa的区域E1中密集缠绕，在大于角度θ2的区域E2(点BTa-点BTb之间)中比区域E1较稀疏的缠绕。

(步骤B)<参照图4>

将电线缠绕到磁芯3a的另一边侧(图4的右侧)的规定角度θ1的位置BF1，绕回到一边侧的角度θ1的第2层的位置BS2。此时，点BF1与BS1之间的电线成为沿着磁芯表面的返回线L1。

(步骤C)<参照图5>

重复(步骤A)和(步骤B)，缠绕电线直到达到规定的层叠数n。由此形成B线圈5。

(步骤D)<参照图6>

缠绕到规定层叠数的步骤C之后，从电线的角度θ1的缠绕结束的位置BFn引出很长成为引出电线L2。该引出电线L2因为要缠绕继续引出的PC线圈6，所以在此不切断。

(步骤E)<参照图6>

引出电线L2松弛地回到BTa。

该点Bta也是PC线圈6的缠绕开始点PCS，两点大概一致即可。

(步骤F)<参照图7、图8>

电线从点PCS沿顺时针方向缠绕到与点BTb大致相同的点PCF。该实施例中，在中央的范围E4中电线稀疏地缠绕。

该缠绕在先缠绕的B线圈5的范围E2的部分层叠。

在图7以后的图中，B线圈5的紧密缠绕的部分用阴影表示，省略稀疏缠绕部分的电线。

(步骤G)<参照图8、图9>

电线从点PCF再次回到点PCS。此时，从点PCF回到点PCS的电线成为通过B线圈5的外侧的返回线L3。

(步骤H)<参照图10>

重复(步骤F)和(步骤G)，缠绕电线直到达到规定的层叠数m。由此形成PC线圈6。电线缠绕m层后，从点PCF引出电线。

(步骤I)<参照图11>

切断从(步骤D)引出的电线L2，分成作为PC线圈6侧的开始线的线6s，和成为B线圈5侧的结束线的线5f。

并且，这些线5s、5f和(步骤A)中的缠绕开始线5s、(步骤H)中的引出电线6f作为各线圈的引线作末端处理。

由于根据以上的步骤形成垂直偏转线圈(B线圈5及PC线圈6)2，所以用本方法得到的4根引线如图2所示电路12那样连线，制造偏转线圈即可。

根据本实施例的方法，由于垂直偏转线圈2的B线圈5没有被分割为多个线圈，所以即使将其缠绕多层，自感也非常小。

因此，从水平偏转线圈1泄漏的磁场，即使由该自感导致的感应电动势作用，该感应电动势很小，因此产生的振荡量非常小。

另一方面，对于磁芯3a，首先缠绕B线圈5，在该B线圈5的规定范围E2比其他的范围E1稀疏地缠绕，因为在该规定范围E1上PC线圈6重叠缠绕，与以前那样的B线圈5与PC线圈6分割沿磁芯3a表面排列缠绕的情况相比，由互感产生的振荡变得非常少。

本发明的实施例不限于上述结构以及步骤，在未脱离本发明要旨的范围的都可以称为变形例。

B线圈5的层叠缠绕数n以及PC线圈6的层叠缠绕数m根据偏转线圈的特性可以自由设定。

并且，决定密集缠绕B线圈5的范围E1的角度θ1以及角度θ2也都可以自由地设定。但是，如上所述，优选的是，角度θ2设定在相对由水平轴X开始50°±5°的范围内，最为优选的是，设定为50°。

并且，在稀疏缠绕B线圈5的情况下，相邻缠绕线之间的间隔可以适当地设定。

并且，对于B线圈5，说明了紧密缠绕范围E1的例子，但是在该范围内稀疏缠绕，将范围E2比范围E1更稀疏地缠绕也可以。

Claims (3)

1.一种偏转线圈，具备：一对鞍形水平偏转线圈、环状磁芯和缠绕在该磁芯上的一对环形垂直偏转线圈；

所述垂直偏转线圈具有产生桶形磁场的第1线圈和产生枕形磁场的第2线圈；

所述第2线圈与相互反极性并联连接的两个二极管串联连接，所述第1线圈与所述第2线圈以及所述二极管并联连接形成偏转线圈，其特征在于：

包含所述第1线圈沿所述磁芯缠绕电线范围的中央的规定范围作为比所述电线缠绕范围的两端侧更稀疏缠绕的稀疏缠绕范围，在该略稀疏缠绕范围中，将所述第2线圈缠绕在所述第1线圈上。

2.根据权利要求1所述的偏转线圈，其中，所述第1线圈由电线多层缠绕而成，

由所述鞍形水平偏转线圈的水平偏转磁场产生的所述各层间相邻电线的感应电压成为相同电位。

3.一种制造如权利要求1或2所述的偏转线圈的偏转线圈的制造方法，其特征在于，具有：将所述第1线圈连续缠绕在所述磁芯，使得在所述规定范围内缠绕稀疏的第1线圈缠绕步骤，以及

在所述规定范围的所述第1线圈上缠绕所述第2线圈的第2线圈缠绕步骤。

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