CN100349250C - 电子发射装置 - Google Patents

Abstract

一种电子发射装置，包括彼此有预定间隙的相互面向设置的第一基板和第二基板。在第一基板上形成用于发射电子的电子发射区域，在第二基板上形成响应于从电子发射区域发射的电子来显示图像的照明部分。安装在第一和第二基板之间的栅网电极被配置用来聚焦从电子发射组件发射的电子。栅网电极被提供多个电子通道开口，至少一个电子通道开口的内壁的至少一部分形成相对于第一基板的斜面。凭借上述结构的电子发射装置，栅网电极防止和/或减少了电子的一个或多个行进路程的变化，从而防止和/或减少错误像素照亮，且总体色纯度得以提高。

Description

电子发射装置

本申请要求享有分别于2003年11月28日和2004年3月30日向韩国知识产权局提交的申请号为第10-2003-0085468号和第10-2004-0021594号的韩国专利申请的优先权和权益，在此引入其内容以作参考。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，特别涉及一种具有栅网电极结构的电子发射显示装置，该结构能够有效地控制从电子发射源发射的电子的行进路程。

背景技术

通常，电子发射显示装置作为一种显示装置可以分为两种类型。第一种类型使用热(或热离子的)阴极作为电子发射源，而第二种类型使用冷阴极作为电子发射源。

同样，在电子发射显示装置的第二种类型中，存在场发射阵列(FEA)类型、表面导电发射体(SCE)类型、金属-绝缘体-金属(MIM)类型、金属-绝缘体-半导体(MIS)类型、以及弹道电子表面发射(BSE)类型。

虽然电子发射显示装置根据其类型它们的具体结构会有不同，它们全部基本上具有在真空容器内设置的电子发射单元，以及在真空容器中面向电子发射单元的光发射单元。

在传统的FEA电子发射显示装置中，当从电子发射单元发射的电子向荧光粉区域行进时，由于受到施加到栅极电极(gate electrode)的驱动电压的影响，会产生电子被分散的问题。

为了克服电子分散(electron dispersion)的问题，最近已经提出了使用栅网电极(grid electrode)或聚焦电极来控制从电子发射单元发射的电子的行进路程。

该栅网电极或聚焦电极安装在其上布置有电子发射单元的第一基板和其上布置有荧光体部分的第二基板之间。特别是，栅网电极与第一基板保持一致的间隙设置，并且该栅网电极具有多个开口，每一个开口对应于形成在第一基板上的一个像素区域。

另外，虽然大部分电子从电子发射源的边缘发射并且以预定的角度射向第二基板，但是开发传统栅网电极结构时还没有考虑到这一点。照这样，许多电子不能够通过栅网电极的开口，相反地，进入偏离预定路径的错误方向。

同样，许多电子或者在碰撞栅网电极内壁时朝第一基板沿弧线前进，或者不能到达期望的荧光部分。结果，显著地降低了图像质量。

发明内容

在本发明的一方面，电子发射装置阻挡了电子的特定路径，这样防止或从根本上减少了从期望路径的偏离或不正确的荧光体部分的照亮，以改善图像质量。

在本发明的示范实施例中，电子发射装置包括彼此面对的第一基板和第二基板，并且它们之间具有预定的间隙。用于发射电子的电子发射区域形成在第一基板上，响应于从电子发射区域发射的电子从而显示图像的照明部分形成在第二基板上。栅网电极安装在第一和第二基板之间并配置用来将从电子发射装置中发射的电子聚焦。栅网电极提供有多个电子通道开口。至少一个电子通道开口具有内壁。该内壁的至少一部分形成相对于第一基板的斜面。所述至少一个电子通道开口被提供有较大直径部分和较小直径部分，其中所述较大直径部分的直径大于所述较小直径部分的直径，其中所述较大直径部分形成在所述至少一个电子通道开口的上部并且朝向所述第二基板。以及所述较大直径部分的直径与所述较小直径部分的直径的比值在大约1到2之间。

电子发射区域可以由碳基材料组成，例如碳纳米管(carbon nanotube)材料，石墨材料，金刚石材料，类金刚石碳材料，C60(富勒烯)材料，和/或它们的组合物。

较大直径部分S1可以具有D1的深度。较小直径部分S2可以从较大直径部分S1连续地延伸并可具有D2的深度。深度D1可以小于深度D2。

至少一个电子通道开口可以具有纵向沿着至少一个电子通道开口的直径纵向截取的横截面。横截面可以形成为向下朝向第一基板呈锥形的斜面，并且斜面可以形成为曲面。

较大直径部分S1和另一个较大直径部分S3可以分别地形成在至少一个电子通道开口的上部和下部，并且较大直径部分S1的直径可以从上部到下部逐渐地减小，另一个较大直径部分S3的直径可以从下部到上部逐渐增大，使得较小的直径部分S2形成在电子通道开口的中间。

同时，较小直径部分S2的直径的深度D2与至少一个电子通道开口的整个深度D的比值可以低于大约0.3。

在本发明的一个示范的实施例中，栅网电极可以具有桥部分使电子通道开口相互连接，各个桥部分具有在电子通道开口的上部、朝向第二基板的较小宽度部分B1和在电子通道开口下部、朝向第一基板的较大宽度部分B2。这里，较小宽度部分B1与较大宽度部分B2的比值β＝B1/B2可以在大约0.2到0.5之间，并且较小宽度部分B1与至少一个电子通道开口的总深度D的比值B1/D大于大约0.2。

桥部分中的至少一个可以具有斜面，该斜面呈整体向上朝向第二基板的锥形，并且桥部分可以具有斜率相同(或相等)的斜面。

沿着至少一个桥部分的深度方向，桥部分可以具有斜率至少变化两次的斜面，形成在至少一个桥部分的一个侧面上的斜面其上部的斜率可以比下部的斜率小，在至少一个桥部分的其他(或另一个)侧面上形成的斜面，其上部的斜率可以比下部的斜率大。

在至少一个桥部分的一侧形成的斜面之一在第二基板所在平面中的投影宽度As与至少一个桥部分的桥部分总宽度Bw的比值As/Bw以及在至少一个桥部分的其他(或另一)侧形成的另一个斜面在第二基板所在平面中的投影宽度Cs与至少一个桥部分的总宽度Bw的比值Cs/Bw可以均分别在大约0.3到0.7的范围内，投影宽度Cs与投影宽度As的比值As/Cs可以在大约0.5到1.5之间。

附图说明

附图结合说明书，阐明了本发明的示范实施例，并且，结合描述，来说明本发明的原理。

图1是根据本发明特定示范实施例的电子发射装置的部分分解透视图；

图2是根据本发明该特定示范实施例的图1的电子发射装置的部分分解截面图；

图3是根据本发明第一示范实施例沿着图1的A-A线获得的、在图1的电子发射装置中使用的栅网电极的部分分解截面图；

图4是根据本发明第二示范实施例沿着图1的A-A线获得的、在图1的电子发射装置中使用的栅网电极的部分分解截面图；

图5是根据本发明第三示范实施例沿着图1的A-A线获得的、在图1的电子发射装置中使用的栅网电极的部分分解截面图；

图6是根据本发明第四示范实施例沿着图1的A-A线获得的、在图1的电子发射装置中使用的栅网电极的部分分解截面图；

图7是根据本发明第五示范实施例沿着图1的B-B线获得的、在图1的电子发射装置中使用的栅网电极的部分分解截面图；

图8是根据本发明第六示范实施例沿着图1的B-B线获得的、在图1的电子发射装置中使用的栅网电极的部分分解截面图；

图9是根据本发明第七示范实施例沿着图1的B-B线获得的、在图1的电子发射装置中使用的栅网电极的部分分解截面图；

图10是根据本发明第八示范实施例沿着图1的B-B线获得的、在图1的电子发射装置中使用的栅网电极的部分分解截面图；

图11是根据本发明第九示范实施例沿着图1的B-B线获得的、在图1的电子发射装置中使用的栅网电极的部分分解截面图；

图12A到图12C展示了在电子通道开口的两侧边具有90°斜率、正斜率、和负斜率的情况下电子束强度的曲线图。

具体实施方式

本发明的示范实施例将通过参考附图被具体地描述。

图1是根据本发明的特定示范实施例的电子发射装置的部分分解透视图，图2是根据本发明的所述特定示范实施例的图1的电子发射装置的部分分解截面图。

参考图1和图2，根据本发明的电子发射装置是通过将相互平行设置并且其间具有预定间隙的第一基板20和第二基板22结合而构成的真空容器。

在第一基板20上形成电子发射单元用于向第二基板22发射电子，在第二基板22上形成照明部分(illumination portion)用来响应从电子发射单元发射的电子以显示图像。

更为具体地，每一个都具有延长的条状的栅极电极24，沿着一个方向(例如，附图中Y轴的方向)以条形图案形成在第一基板20上。此外，在第一基板20的整个表面上形成覆盖栅极电极24的绝缘层25。每一个都具有延长的条状的阴极电极26，沿着交叉于(或在上面交叉)栅极电极24的方向(例如，附图中的X轴方向)以条形图案形成在绝缘层25上。

在本发明的范围内，像素区域可以指的是栅极电极24与阴极电极26的“交集”(或者是栅极电极24与阴极电极26的交叉区域)。

至少一个电子发射区域28沿着阴极电极26的长度方向对应于像素的位置形成。此外，可形成穿过阴极电极26和绝缘层25的至少一个孔(未示出)以从中暴露栅极电极24上的电子发射区域28。

电子发射区域28的电子发射材料可由一种或多种碳基材料形成，例如碳纳米管(carbon nanotube)，石墨，金刚石，类金刚石碳，和/或C60(富勒烯)。同样，电子发射区域28可以由一种或多种纳米尺寸材料形成，例如碳纳米管(carbon nanotube)，石墨纳米纤维(graphite nanofibers)，和/或硅纳米丝(silicon nanowires)。

现在仅参考图1，在第二基板22的面向第一基板20的表面上形成照明部分。也就是说，阳极电极32形成在第二基板22的表面上，荧光层34R、34G、和34B和黑底层35形成在阳极电极32上。或者，荧光层34R、34G、和34B和黑底层35可以首先在第二基板22的表面上形成，然后再在其上形成阳极电极32(未示出)。

阳极电极32可以由诸如Al膜这样的金属膜制成。给阳极电极32施加加速电子所需的电压，并且阳极电极32通过提供金属背底效应起到增加屏幕亮度的效果，而这是本领域中公知的技术。

另外，阳极电极32可以由诸如氧化铟锡(ITO)或类似的透明导电薄膜组成。在这种情况下，正如图1和图2中所示的，阳极电极32首先透明地形成在第二基板22上，然后可形成荧光层34R、34G、和34B和黑底层35在阳极电极32上。此外，一金属薄膜沉积在荧光层34R、34G、和34B和黑底层35上使得它起到增加屏幕亮度的作用。

阳极电极32可以作为单一连续元件形成在整个第二基板22上，或者在第二基板22上以预定的图案形成为多个分隔开的电极。

如上构造的第一基板20和第二基板22应当使用诸如玻璃料(未示出)的密封剂来封接成一种状态，即这两个基板相向设置并且其间具有预定间隙的状态。然后，这两个基板之间的空气被抽空以形成其间的真空，由此完成了电子发射装置。

在操作中并利用上述结构的图1和2的电子发射装置，当预定的驱动电压施加到栅极电极24和阴极电极26上时，在电子发射区域28的周围形成电场以从其发射电子。发射的电子然后碰撞相应像素的荧光层34R、34G、34B。然后荧光层34R、34G、34B被激发，由此产生所期望的图像。

在本发明中，如图2所示，电子发射装置还包括栅网电极40用来控制发射电子的行进路程。栅网电极40由间隔件38支撑在第一和第二基板20、22之间的位置处。栅网电极40起到聚焦从电子发射区域28发射的电子的作用。

带有多个桥部分44的多个电子通道开口42以预定的图案形成在栅网电极40上。如图2中所示，电子发射开口42和桥部分44被交替地布置在栅网电极40上。

根据本发明第一到第九示范实施例的电子发射装置将参考图3到图12被详细地描述。应当注意的是，这些示范实施例都使用了上面描述的基本构造，因此仅在栅网电极结构的不同之处进行详细地描述。

图3到图6分别是根据本发明第一到第四示范实施例沿着图1中线A-A获得的、用在图1和2的电子发射装置中的栅网电极的部分分解截面视图。

参考图3到图6，电子通道(或发射)开口42具有至少一部分相对于第一基板20形成为斜面的内壁。栅网电极40的电子通道开口42具有在其上部、面向第二基板22的较大直径部分S1，和在其下部处、面向第一基板20的较小直径部分S2。较大直径部分(S1)具有大于较小直径部分(S2)的直径。

特别是，在图3中，电子通道开口42具有较大直径部分S1和较小直径部分S2，该较大直径部分S1从其上部(在电子通道开口42面向第二基板22的第一末端)向下延伸过深度D1，较小直径部分S2从其下部(在电子通道开口42面向第一基板20的第二末端)向上延伸过深度D2。在这种情况下，上部的深度D1应当比其下部的距离D2要长。这是因为较小直径部分S2从其中心接近第一基板20(或电子发射区域)设置以便如上构造的电子通道开口能够保护电子免受其内壁的散射。更为特别地是，距离D2与栅网电极40的整个高度D的比值D2/D应当低于0.3。

此外，在图3、图4和图6中，电子通道开口42具有斜面，该斜面的直径沿着图1的Z方向向上逐渐地增加。如图6所示，该斜面可以形成为曲面。在这些情况下，较大直径部分S1被布置到电子通道开口42的上部并且面向第二基板22。

另一方面，在图5的栅网电极40中，电子通道开口42具有斜面，斜面的直径在两个方向上(也就是说，从其中心向上和向下)逐渐增加。因此，较小直径部分S2被设置在电子通道开口42的中间。同样，被设置在电子通道开口42的下部的较大直径部分S3的直径小于设置在上部的较大直径部分S1的直径并且大于较小直径部分S2的直径。

在操作中并凭借上述结构的栅网电极，位于从电子发射区域28发射的电子的行进路径上的电子通道开口42内壁部分减少了。因此，电子不会碰撞电子通道开口42的内壁，且电子的行进路径可变得更加稳定(也就是说不变化)。

在根据本发明第一到第四实施例的栅网电极40中，较小直径部分S2与较大直径部分S1的比值α＝S1/S2应当在大约1.0到2.0之内。这是因为如上构造的电子通道开口能够保护电子避免当碰撞其内壁时的散射。也就是说，如果比值α低于1.0，电子会碰撞电子通道开口42内壁的可能性增加了。同时，如果比值α高于2.0，则电子通道开口42的内壁很难制造(和/或大大地削弱栅网电极40)，并且因为电子过度地偏离其行进路程，其效率不高。

图7到图11分别是根据本发明第五到第九示范实施例的、沿着图1中线B-B获得的、用于电子发射装置的栅网电极的部分分解截面视图。

在图7和图8中，栅网电极40的桥部分44具有在其下部的较大宽度部分B2(在面向第一基板20的第二末端)和在其上部的较小宽度部分B1(在面向第二基板22的第一末端)。在沿着图1线B-B获得的栅网电极40的横截面中，较大宽度部分B2具有大于较小宽度部分B1的宽度。桥部分44具有斜面，该斜面沿图1中的Z方向向上宽度逐渐减小。正如在图7中所示，这个斜面可以形成为曲面。在这些情况下，位于桥部分上部的较小宽度部分B1的宽度与位于桥部分下部的较大宽度部分B2的宽度的比值β＝B1/B2应当在大约0.2到0.5之间。这是因为如果比值β高于0.5，则不会充分消除电子可能碰撞的电子通道开口42的内壁(也就是说，壁太厚了)，如果比值β低于0.2，则桥部分44的强度将不够大。因此，桥部分44的最小桥宽度B1与其高度的比值应当高于大约0.2，使得桥部分44具有足够的强度。而且，较小宽度部分B1与电子通道开口42的整个高度或深度D的比值B1/D应当高于大约0.2。

现在参考图9，在沿图1的线B-B获得的横截面中，在本发明第七示范实施例中桥部分44在其一侧表面(图9中的右侧表面)的一部分(在其下部)具有斜面90。同样，桥部分44在其另一侧表面(在图9中的左侧表面)的一部分(其远离电子发射区域28的上部)具有斜面95。在这种情况下，形成在上部的斜面95与形成在下部的斜面90具有相同的斜率。这里斜率是指参照垂直于第二基板22延伸的法线的斜率的绝对值。

参考图10，在沿图1的线B-B获得的横截面中，本发明第八示范实施例的桥部分44的两侧表面上都具有斜面。沿着深度方向斜面的斜率改变两次或者多次。更具体地，在一侧表面上形成的斜面在其上部的斜率小于在其下部的斜率，而在另一侧表面上形成的斜面在其上部的斜率大于在其下部的斜率(也就是说，As大于Cs)。桥部分44如上构造的结果是，电子通道开口42的直径在从中心沿着图1中Z方向的两个方向上增加。在这种情况下，较小直径部分S2位于电子通道开口42的中心，而位于电子通道开口42的下部的较大直径部分S3可以具有比位于上部的较大直径部分S1小和比较小直径部分S2大的直径。

参考图11，在沿图1的线B-B获得的横截面中，本发明第九示范实施例的桥部分44具有在其整个的两侧表面上形成的斜面，并且斜面具有相同的斜率。

在图9到图11中示出的第七到第九示范实施例中，形成在桥部分44一侧表面的斜面的水平距离As和/或形成在其另一侧表面的斜面的水平距离Cs与整个宽度Bw的比值(As/Bw，Cs/Bw)应当在大约0.3到0.7之间。在此，整个宽度指的是偎依地围绕带有斜面结构的一个桥部分的矩形的宽度，水平距离指的是为了形成斜面从矩形中去除部分的水平宽度。

比值(As/Bw，Cs/Bw)应当在大约0.3到0.7之间，因为如果斜面的水平距离As、Cs与桥部分44的总宽度Bw的比值低于0.3，桥部分44就太厚了(也就是说，没有充分消除电子可能与其碰撞的电子通道开口42的内壁)，而如果斜面的水平距离As、Cs与桥部分44的总宽度Bw的比值高于0.7，那么桥部分44将不具有足够的强度。

同样，在桥部分44的一侧表面处形成的斜面的水平距离As与在其另一侧表面处形成的斜面的水平距离Cs的比值(As/Cs)应当在大约0.5到1.5之间。也就是说，形成的桥部分44的两侧应当满足0.5≤As/Cs≤1.5的值。

在根据本发明特定实施例的电子发射装置中，图12A到图12C示出了在电子通道开口的两侧线具有90°斜率(也就是说垂直结构)，正斜率(也就是说正斜率结构)和负斜率(也就是说负斜率结构)的情况下电子束强度的曲线图。这里，正斜率指的是上部的尺寸逐渐变得大于下部的尺寸。

在电子通道开口的两侧线都具有90°斜率的情况下(见图12A)，穿过通道开口的电子束的尺寸或轮廓在大约400μm。相比之下，带有正斜率的结构的尺寸或轮廓大约是300μm(见图12B)，带有负斜率的结构大约是260μm。另一方面，图12B和12C的实施例的强度(I/Io)高于1.0而图12A的实施例的具体值是1.0。这是因为在本发明的特定实施例中从电子发射区域28发射的电子束在具有斜率结构的电子通道开口42的栅网电极40的电子通道开口42中聚焦，并且发射的电子减少了，其中一些电子碰撞到电子通道开口42的内壁上这样使得电子的行进路程发生变化。结果，另外的(或不相关的)颜色照亮将会减少和/或色纯度会被提高。

大体上并考虑到前述的情况，现在将参考图1描述根据本发明实施例的电子发射装置的操作过程。

首先，来自外部电源的预定电压施加到栅极电极24、阴极电极26、栅网电极40和阳极电极32上。此时，例如，(+)电压可以施加到栅极电极24和阴极电极26，和/或交变(+)或(-)电压可以施加到栅极电极24和阴极电极26上。栅极电极24的电压电平应当比阴极电极26的电压电平大，栅极电极24的电压电平应当比阳极电极32的电压电平小。栅网电极40的电压电平应当设定在阳极电极32和栅极电极24的电压电平之间。同样，施加到阳极电极32的相同直流电压源或交流电压源也可以施加到栅网电极40。

当每一个上述电压施加到相应的电极时，在栅极电极24和阴极电极26之间产生的电压差能够在电子发射区域28的周围产生电场。此时，通过电场的影响，从电子发射区域28的边缘发射电子，并通过每一个都带有倾斜结构的、形成在栅网电极40上的至少一个电子通道开口42和施加到栅网电极40的电压来聚集产生的发射电子。通过施加高电压到一个或多个阳极电极上，这些电子被连续地导向至相应像素以撞击与像素相对应的荧光层34R、34G、34B，由此照亮它们。

根据本发明的栅网电极可以应用到场发射阵列(FEA)电子发射显示装置、表面导电发射器(SCE)电子发射显示装置，或其它各种电子发射显示装置。

考虑到前述情况，本发明的带有斜面电子通道开口的栅网电极防止了电子行进路程发生变化，因此错误的像素照亮被防止和/或减少，并且总体色纯度被提高了。

而且，根据本发明的特定实施例，为了提高屏幕品质和亮度，碰撞在照明部分上的电子的数量增加了。

此外，根据本发明的特定实施例，防止了当电子碰撞在电子通道开口的内壁上时发生的散射，从而能够增加电子束的聚焦度。

尽管本发明结合特定示范实施例进行了描述，能够理解本发明不限于所公开的实施例，相反，本发明旨在覆盖包括在所附权利要求及其等价物的精神和范围之内的各种改动。

Claims (17)

1.一种电子发射装置，包括：

相互面向设置的第一基板和第二基板，其间具有预定的间隙；

形成在所述第一基板上的、用于发射电子的电子发射区域；

形成在所述第二基板上的、响应于从所述电子发射区域发射的电子以显示图像的照明部分；以及

安装在所述第一和第二基板之间并且配置为聚焦从所述电子发射区域向所述照明部分发射的电子的栅网电极，

其中，所述栅网电极被提供有多个电子通道开口，至少一个所述电子通道开口具有内壁，所述内壁的至少一部分相对于所述第一基板形成斜面，

所述至少一个电子通道开口被提供有较大直径部分和较小直径部分，其中所述较大直径部分的直径大于所述较小直径部分的直径，其中所述较大直径部分形成在所述至少一个电子通道开口的上部并且朝向所述第二基板，以及

所述较大直径部分的直径与所述较小直径部分的直径的比值在1到2之间。

2.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述电子发射区域由碳基材料组成，该碳基材料选自由碳纳米管材料、石墨材料、金刚石材料、类金刚石碳材料、C60材料、以及它们的组合物构成的组。

3.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述较大直径部分具有第一深度，所述较小直径部分从所述较大直径部分连续地延伸并具有第二深度，其中所述第一深度长于所述第二深度。

4.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述至少一个电子通道开口具有沿所述至少一个电子通道开口的直径纵向截取的横截面，该横截面形成向下朝向所述第一基板呈锥形的斜面。

5.如权利要求4所述的电子发射装置，其中所述斜面被形成为曲面。

6.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述较大直径部分和另一较大直径部分分别形成在所述至少一个电子通道开口的所述上部和一下部，所述较大直径部分的直径从所述上部到所述下部逐渐减小，而所述另一个较大直径部分的直径从所述下部到所述上部逐渐增大，使得所述较小直径部分形成在所述电子通道开口的中心。

7.如权利要求3所述的电子发射装置，其中所述较小直径部分的所述第二深度与所述至少一个电子发射通道开口的总深度的比值低于0.3。

8.如权利要求1所述的电子发射装置，其中所述栅网电极具有使所述电子通道开口相互连接的桥部分，并且每个桥部分都具有在所述电子通道开口的上部、朝向所述第二基板的较小宽度部分和在所述电子通道开口的下部、朝向所述第一基板的较大宽度部分。

9.如权利要求8所述的电子发射装置，其中所述较小宽度部分B 1与所述较大宽度部分B2的比值在0.2到0.5之间。

10.如权利要求8所述的电子发射装置，其中所述较小宽度部分与所述至少一个电子通道开口的总深度的比值大于0.2。

11.如权利要求8所述的电子发射装置，其中至少一个所述桥部分具有整体向上朝向所述第二基板呈锥形的多个斜面。

12.如权利要求8所述的电子发射装置，其中至少一个所述桥部分具有多个相同斜率的斜面。

13.如权利要求8所述的电子发射装置，其中至少一个所述桥部分具有沿着所述至少一个桥部分的深度方向斜率至少变化两次的多个斜面。

14.如权利要求13所述的电子发射装置，其中在所述至少一个桥部分的一个侧表面上形成的所述斜面在所述上部的斜率小于在所述下部的斜率。

15.如权利要求13所述的电子发射装置，其中形成在至少一个桥部分的一个侧表面上的斜面在所述上部的斜率大于在所述下部的斜率。

16.如权利要求13所述的电子发射装置，其中形成在所述至少一个桥部分的一侧的所述斜面中一个在所述第二基板所在平面中的第一投影宽度As与所述至少一个桥部分的总宽度Bw的第一比值As/Bw，和形成在所述至少一个桥部分的另一侧的所述斜面中另一个在所述第二基板所在平面中的第二投影宽度Cs与所述至少一个桥部分的总宽度Bw的第二比值Cs/Bw，均分别在0.3到0.7之间。

17.如权利要求10所述的电子发射装置，其中至少一个所述桥部分在所述第二基板所在平面中的第一投影宽度As与所述至少一个桥部分在所述第二基板所在平面中的第二投影宽度Cs的比值As/Cs在0.5到1.5范围内。

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