CN100341213C - 在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法 - Google Patents

在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100341213C
CN100341213C CNB2005100001310A CN200510000131A CN100341213C CN 100341213 C CN100341213 C CN 100341213C CN B2005100001310 A CNB2005100001310 A CN B2005100001310A CN 200510000131 A CN200510000131 A CN 200510000131A CN 100341213 C CN100341213 C CN 100341213C
Authority
CN
China
Prior art keywords
bonding pad
electrode
joint face
semiconductor chip
aperture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005100001310A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1622404A (zh
Inventor
赵英杰
郝永芹
晏长岭
王晓华
姜晓光
芦鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changchun University of Science and Technology
Original Assignee
Changchun University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changchun University of Science and Technology filed Critical Changchun University of Science and Technology
Priority to CNB2005100001310A priority Critical patent/CN100341213C/zh
Publication of CN1622404A publication Critical patent/CN1622404A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100341213C publication Critical patent/CN100341213C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法属于半导体芯片电极制作技术领域。已知技术存在的问题是，电子流会经连接面下面的上布拉格反射镜向焊盘流动，造成损耗，还使器件发热；另外，电极引线球焊头与光滑的平面电极之间焊接的有可能会出现脱落。本发明在激光器圆台台面、焊盘台面及连接面上同时刻蚀均匀分布的孔，这样就能够在整个芯片中制作一个连续、完整的氧化物限制层；之后，在分布有若干小孔的上电极上焊接时，引线球焊头在超声波和压力的作用下挤进小孔，同时对靠近上电极的孔壁有浸润，并形成镶嵌。上述方案解决了已知技术的问题。本发明主要应用于垂直腔面发射半导体激光器制造领域。

Description

在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法
技术领域
本发明属于半导体激光器制造技术领域，可以划分到半导体芯片电极制作技术领域。
背景技术
2005年1月5日出版的《中国专利公报》(发明)2005年第1期公开了一件申请号为200410004357.3、名为“垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法”的发明专利申请，见图1所示，半导体激光器芯片供蒸镀上电极的表面由三段组成，即焊盘台面1、连接面2和激光器圆台台面3。在激光器圆台台面3外围环形区域内，沿轴线4刻蚀若干个环形分布、彼此孤立的孔5，这些孔的中心位于轴线4上，其深度超过垂直腔面发射半导体激光器结构中的氧化物限制层。孔与孔之间的台面部分成为桥状通道6。经由这些孔5可以完成氧化物限制层制作工序，形成近似圆形的激光器谐振腔孔径。并且，保留这些孔。各个相邻孔5之间的桥状通道6使得激光器圆台台面3各部分仍保持连接状态，仍与连接面2、焊盘台面1组成一个供蒸镀激光器上电极用的连续平面。在这一连续平面上蒸镀上电极后，电流可以顺利地从焊盘径直到达激光器圆台台面3的环形电子注入区7，注入激光器谐振腔中。
关于上电极引线，现有技术是将引线的球焊头焊接在焊盘台面1上的平面电极上。
发明内容
上述现有技术存在的问题是，当电子流经上电极、电子注入区7向激光器谐振腔内注入时，它会经桥状通道6下面的上布拉格反射镜向激光器谐振腔外流动，尤其会继续经连接面2下面的上布拉格反射镜向焊盘流动，由于焊盘尺寸较大，经过氧化物限制层制作工序后，在这一部分并没有形成完整的氧化物限制层，就是说在靠近焊盘中央部分并没有形成氧化物限制层，产生了所谓的“第二谐振腔”，不仅造成毫无技术意义的电子流损耗，而且还使器件发热，进而带来一系列不良后果。另外，将电极引线球焊头在光滑的平面电极上焊接，其焊接有可能会出现脱落。为解决现有技术的这些问题，我们发明了本发明之在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法。
本发明是这样实现的，见图2所示，在垂直腔面发射半导体激光器圆台台面3上刻蚀环形分布的孔5，在焊盘台面1及连接面2上同时刻蚀均匀分布的小孔8，刻蚀的深度与环形分布的孔5相同，到达制作氧化物限制层的深度。在为了形成半导体激光器谐振腔孔径，而通过环形分布的孔5，采用氧化方法制作氧化物限制层的同时，也通过在焊盘台面1及连接面2上均匀分布的小孔8，以及激光器芯片周边，在焊盘台面1和连接面2下面的所述深度形成一个连续、完整的氧化物限制层。之后，在经过钝化处理的这种焊盘台面1及连接面2上蒸镀上电极，在这种平面电极上依然均匀分布有若干小孔8，将引线球焊头在该电极上焊接时，引线球焊头在超声波和压力的作用下挤进小孔8，同时对靠近上电极的孔壁有浸润，并形成镶嵌。
由于焊盘台面1及连接面2上刻蚀了均匀分布的小孔8，从而在氧化物限制层制作工序中，在焊盘台面1及连接面2下面形成了一个连续、完整的氧化物限制层，避免了“第二谐振腔”的产生，从而消除了电子流的无为损耗。由于引线球焊头不再是与光滑的平面电极焊接，挤进小孔8一定深度还与孔壁发生浸润，形成镶嵌之势，从而焊接物双方接触面积增大，粘接和镶嵌使得引线和电极牢固相连，或者说，除了焊接，还有连接，所以，引线脱落的可能性大为降低。
附图说明
图1是现有技术之刻蚀环形分布孔法示意图。图2是本发明之在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法示意图，此图还作为摘要附图。
具体实施方式
在垂直腔面发射半导体激光器制作过程中刻蚀环形分布的孔5的同时，在激光器焊盘台面1及连接面2上刻蚀均匀分布的小孔8。小孔8的直径约5微米，孔与孔边缘之间的距离约5微米，刻蚀的深度与环形分布的孔5相同，到达制作氧化物限制层的深度。为了形成半导体激光器谐振腔孔径，在进行氧化工序的同时，激光器焊盘台面1及连接面2上所开小孔8孔底深处也得到了氧化。由于各个小孔8的间距满足了在小孔8底部周围形成连续、完整的氧化物限制层的要求，最终在激光器芯片中形成了一个连续、完整的氧化物限制层，从而，产生了一个连续、完整的绝缘层，实现了电流限制作用。之后，对被刻蚀了小孔8的焊盘台面1及连接面2、被刻蚀了环形分布的孔5的激光器圆台台面3作钝化处理，再蒸镀上电极。然后，在焊盘台面1上分布有小孔8的上电极上，焊接引线。采用超声球焊法，引线球焊头在超声波和压力的作用下挤进小孔8，同时对靠近上电极的孔壁有浸润，并形成镶嵌。

Claims (2)

1、一种在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法，在半导体芯片供蒸镀电极的表面上制作一些孔，用超声球焊法将引线球焊头焊接在半导体芯片上电极上，在垂直腔面发射半导体激光器圆台台面(3)上刻蚀环形分布的孔(5)，其特征在于，在焊盘台面(1)及连接面(2)上同时刻蚀均匀分布的小孔(8)，刻蚀的深度与环形分布的孔(5)相同，到达制作氧化物限制层的深度；之后，
1)在为了形成半导体激光器谐振腔孔径，而通过环形分布的孔(5)，采用氧化方法制作氧化物限制层的同时，也通过在焊盘台面1及连接面(2)上均匀分布的小孔(8)，以及激光器芯片周边，在焊盘台面(1)和连接面(2)下面的所述深度形成一个连续、完整的氧化物限制层；
2)在经过钝化处理的这种焊盘台面(1)、连接面(2)及激光器圆台台面(3)上蒸镀上电极，在这种平面电极上依然均匀分布有若干小孔(8)，将引线球焊头在该电极上焊接时，引线球焊头在超声波和压力的作用下挤进小孔(8)，同时对靠近上电极的孔壁有浸润，并形成镶嵌。
2、根据权利要求1所述的在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法，其特征在于，小孔(8)的直径约5微米，孔与孔边缘之间的距离约5微米。
CNB2005100001310A 2005-01-05 2005-01-05 在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法 Expired - Fee Related CN100341213C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100001310A CN100341213C (zh) 2005-01-05 2005-01-05 在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100001310A CN100341213C (zh) 2005-01-05 2005-01-05 在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1622404A CN1622404A (zh) 2005-06-01
CN100341213C true CN100341213C (zh) 2007-10-03

Family

ID=34777973

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100001310A Expired - Fee Related CN100341213C (zh) 2005-01-05 2005-01-05 在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100341213C (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100456584C (zh) * 2006-08-02 2009-01-28 长春理工大学 大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构
JP6414183B2 (ja) * 2016-11-16 2018-10-31 富士ゼロックス株式会社 発光素子アレイ、および光伝送装置
CN108598866B (zh) * 2018-05-21 2020-02-14 湖北光安伦科技有限公司 一种vcsel芯片阵列结构及其制作方法
CN112290383A (zh) * 2020-12-30 2021-01-29 江西铭德半导体科技有限公司 一种vcsel芯片

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09223841A (ja) * 1996-02-16 1997-08-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 面発光レーザおよびその製造方法
JP2001148511A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Showa Denko Kk 半導体発光ダイオード
US6291839B1 (en) * 1998-09-11 2001-09-18 Lulileds Lighting, U.S. Llc Light emitting device having a finely-patterned reflective contact
JP2002094180A (ja) * 2000-07-28 2002-03-29 Agilent Technol Inc 高速垂直共振器面発光レーザー
CN1453911A (zh) * 2002-04-26 2003-11-05 富士施乐株式会社 表面发射半导体激光器及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09223841A (ja) * 1996-02-16 1997-08-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 面発光レーザおよびその製造方法
US6291839B1 (en) * 1998-09-11 2001-09-18 Lulileds Lighting, U.S. Llc Light emitting device having a finely-patterned reflective contact
JP2001148511A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Showa Denko Kk 半導体発光ダイオード
JP2002094180A (ja) * 2000-07-28 2002-03-29 Agilent Technol Inc 高速垂直共振器面発光レーザー
CN1453911A (zh) * 2002-04-26 2003-11-05 富士施乐株式会社 表面发射半导体激光器及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1622404A (zh) 2005-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101859740B (zh) 先进四方扁平无引脚封装结构及其制造方法
JP4282693B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP3784976B2 (ja) 半導体装置
JP2011515829A (ja) 中空インサートを備えた接続構成部品およびその製造方法
EP1363371A3 (en) Surface emitting semiconductor laser and method of fabricating the same
CN104350586B (zh) 半导体装置
JP3218933U (ja) プリフォームリードフレーム及びリードフレームパッケージデバイス
JP2018037504A (ja) リードフレーム及び電子部品装置とそれらの製造方法
JP2007324605A (ja) 接触面間の接続のためのボンディングワイヤ及び接触面間のボンディングワイヤ接続部
CN100341213C (zh) 在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法
JP6916777B2 (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP2015072947A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4703903B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
KR100485447B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
JP6147061B2 (ja) フリップチップ型半導体発光素子、半導体装置及びその製造方法
JP4369401B2 (ja) ワイヤボンディング方法
US20080072416A1 (en) Micro antenna and method of manufacturing the same
CN102593088A (zh) 半导体芯片、应用其的半导体结构及其制造方法
JP6432280B2 (ja) 発光装置の製造方法
CN207806922U (zh) 一种提高焊接性能的触点焊接面结构
JP6623489B2 (ja) リードフレーム及び半導体装置、並びにそれらの製造方法
JP2005197488A (ja) 突起電極及びボンディングキャピラリ並びに半導体チップ
JP2007088220A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2015056591A (ja) 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置
JP4215693B2 (ja) ワイヤボンディング方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee