CN100341166C - 有机场致发光器件的材料及其制造方法 - Google Patents

有机场致发光器件的材料及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100341166C
CN100341166C CNB998015040A CN99801504A CN100341166C CN 100341166 C CN100341166 C CN 100341166C CN B998015040 A CNB998015040 A CN B998015040A CN 99801504 A CN99801504 A CN 99801504A CN 100341166 C CN100341166 C CN 100341166C
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic
function
target
compound
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB998015040A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1275303A (zh
Inventor
北口透
福村裕史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daicel Corp
Original Assignee
Daicel Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daicel Chemical Industries Ltd filed Critical Daicel Chemical Industries Ltd
Publication of CN1275303A publication Critical patent/CN1275303A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100341166C publication Critical patent/CN100341166C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/18Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/146Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

使包括吸收激光束的形成发射中心的化合物的源(1)与具有选自电子传输功能和空穴传输功能中的至少一种功能的靶(2)接触,并且从源(1)或靶(2)侧按源(1)的烧蚀阈值强度或该阈值以下的强度照射激光束,从而将源(1)的形成发射中心的化合物植入靶(2),由此形成具有发射中心的有机场致发光器件材料。因此,可以在有机场致发光器件材料上制备精细的图形。

Description

有机场致发光器件的材料及其制造方法
技术领域
本发明涉及通过激光分子植入来植入或注入形成发射中心的化合物制造有机场致发光器件用材料的方法、利用该方法获得的有机场致发光器件的材料和利用该有机场致发光器件材料制造的有机场致发光器件(元件)。
背景技术
场致发光器件(以下有时简称为EL器件)一般根据其制备材料分为无机EL器件或有机EL器件。一方面,利用无机荧光分子的一些无机EL器件已经投入实际使用,并已用于钟表等的背光,而另一方面,由于有机EL器件在亮度或照度、效率和高速响应度方面性能优越,所以期望有机EL器件实用化。
场致发光器件由具有电子传输功能、空穴传输功能和形成发射中心功能的一种或多种化合物组成。作为其结构来说,已经报告了具有上述所有功能的单层的单层型器件和具有由不同功能的多层组成的多层型器件。发光的原理被认为是基于这样的现象,即从一对电极注入的电子或空穴在发光层内复合,形成激发子,该激发子激发发光层的发光材料分子。
作为构成各层的化合物,采用高发光效率的低分子量化合物、具有高物理强度的高分子化合物等。但是,当使用低分子量化合物时,利用汽相淀积技术形成薄膜,这种汽相淀积技术生产率低;同时通过涂覆或涂敷溶液使高分子化合物形成薄膜,从而能够使高分子化合物形成为较大尺寸的薄膜。
日本专利申请公开No.96959/1996(JP-A-8-96959)和日本专利申请公开No.63770/1997(JP-A-9-63770)披露了一种包括单层发光层的有机EL器件,该单层发光层由其内分散各种荧光染料(或着色剂、颜料)的聚合物粘结剂制成,该聚合物粘结剂具有电子传输功能和空穴传输功能。披露了这些有机EL器件中的每个器件,因彼此独立的各个发光化合物的发光,因而作为整体呈现白光。此外,与多层型的有机EL器件相比,单层型的这些器件的发光强度几乎不会变劣。
由于在其制造中,利用溶液涂敷技术,在衬底上涂敷聚合物粘结剂和分散在特定溶液中的荧光染料的溶液来形成薄膜,因而难以获得这些有机EL器件的精细构图,特别是多色构图(全色)。
作为多色构图方法,已报道滤色器方法、颜色转换方法、由T.R.Hebner(Appl.Phys.Lett.72,5(1998),p.519)提出的喷墨方法、由Kido等人提出的光致退色方法和其它方法。
滤色器方法或颜色转换方法具有不需要构图发光层的优点,但因采用滤色器而使转换效率降低。在喷墨方法中,通过喷墨印刷形成的图形显示中心增高即锥形图形,并且其表面平滑度差,从而导致难以在其上均匀地设置电极。此外,期望图形的横截面为矩形,但喷墨印刷构成的图形的横截面不可能形成矩形,而是圆形。此外,图形的尺寸极大地取决于干燥图形的条件和溶液浓度。在光致退色方法中,仅仅采用因UV氧化而损失其荧光性的形成特定发射中心的化合物,从而由EL器件表现的颜色受到限制。
如上所述,在常规涂敷溶液的薄膜形成方法中,尽管可以使用高物理强度的高分子化合物但难以提供精细的图形。此外,在上述构图方法中,这些方法所用的化合物还受到限制,不能获得适合有机EL器件的具有表面平滑度的薄膜。
作为分子植入技术,日本专利申请公开No.297457/1994(JP-A-6-297457)披露了包括以下步骤的方法:将(A)功能材料或包含功能材料的固体材料和(B)将要在其内植入功能成分的固体材料彼此相对地放置,辐射激光脉冲,从而将功能成分植入固体材料。日本专利申请公开No.106006/1996(JP-A-8-106006)披露了包括以下步骤的方法:使在其内分散有可吸收脉冲激光的染料的有机高分子化合物的源薄膜与可传输脉冲激光的有机高分子化合物的靶薄膜接触,按使源薄膜烧蚀(ablation)的阈值强度或低于该阈值以下的强度,从靶薄膜侧辐射脉冲激光,从而将染料植入靶薄膜。该文献认为分子植入技术可以用于显示器等的滤色器制造。
因此,本发明的目的在于提供即使当高分子化合物用作EL器件材料时也可以精细构图的有机EL器件(特别是使用薄膜的有机EL器件)用材料及其方法。
本发明的另一个目的在于提供表面平滑度良好并与电极有良好紧密度的有机EL器件材料,以及使用该材料的有机EL器件。
发明的公开
本发明的发明人为了实现上述目的进行了广泛深入的研究,最终发现即使在注入高分子化合物的情况下,采用激光的分子植入技术也可以容易地植入形成发射中心的化合物,从而提供可以精细构图的有机EL器件。
就是说,本发明的有机EL器件材料的制造方法包括以下步骤:
使包括吸收激光束的形成发射中心的化合物的源(A)与靶(B)接触,该靶(B)可传输激光束,并具有选自电子传输功能和空穴传输功能中的至少一种功能,和
从源(A)或靶(B)侧按源(A)的烧蚀阈值强度或该阈值以下的强度照射激光束,从而将形成发射中心的化合物植入靶(B),由此提供具有发光(发射)中心的有机场致发光器件材料。靶可以是具有从电子传输功能和空穴传输功能中选择的至少一种功能的有机聚合物(例如,聚-N-乙烯基咔唑),或可以包括具有从电子传输功能和空穴传输功能中选择的至少一种功能的化合物和具有薄膜形成特性或薄膜成形性的有机聚合物。
有机EL器件材料可以为薄膜形式,而激光束可以是脉冲宽度为10ps至10μs的脉冲激光束(脉动激光)。激光束直径可以为1μm至5mm。
本发明包括按照上述方法获得的有机EL器件的材料和用这种有机EL器件材料形成的有机EL器件(元件)。
附图的简要说明
图1是表示植入或注入形成发射中心的化合物的技术的示意图。
图2是表示本发明的有机场致发光器件的一个实施例(单层结构)的示意性剖面图。
图3是表示本发明的有机场致发光器件的另一实施例(多层结构)的示意性剖面图。
图4表示本发明的有机场致发光器件的又一实施例(多层结构)的示意性剖面图。
图5是表示本发明的有机场致发光器件的又一实施例(多层结构)的示意性剖面图。
实施本发明的最佳模式
本发明中的源(A)和靶(B)可以按任何形式使用,没有特别的限定,但它们一般以薄膜的形式使用。
[源(A)]
源仅需要能够包含形成发射中心的化合物,其制造方法未特别限定。例如,源包括形成发射中心的化合物和多种有机聚合物(例如,热塑性树脂、热固性树脂)。作为有机聚合物,一般可以使用具有形成成膜特性(或薄膜成形性)的树脂。
热塑性树脂包括烯烃族树脂,例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物和聚丁烯;苯乙烯树脂,例如聚苯乙烯、橡胶改性聚苯乙烯(HIPS)、丙烯腈-苯乙烯共聚物和丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物;用(甲基)丙烯酸单体的均聚物或共聚物例示的丙烯酸树脂,例如聚甲基丙烯酸甲酯,(甲基)丙烯酸酯和可共聚单体的共聚物,例如甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物,和聚丙烯腈;乙烯醇类共聚物例示的乙烯类树脂,例如聚乙烯醇和乙烯-乙烯醇共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚偏二氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物;聚酰胺类树脂,例如6-尼龙、6,6-尼龙、6,10-尼龙、6,12-尼龙;聚酯类树脂,例如聚对苯二甲酸烷二醇酯(例如,聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯)、聚亚烷基萘二甲酸酯;氟树脂;聚碳酸酯;聚缩醛;聚亚苯基醚、聚醚砜;聚醚酮;聚苯硫;热塑性聚亚酰胺;热塑性聚氨酯;和降冰片烯类聚合物。
在热固性树脂中包括酚醛树脂、尿素树脂、密胺树脂、热固性丙烯酸树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、环氧树脂和硅酮树脂。
这些高分子化合物可以单个使用或组合使用。
[形成发射中心的化合物]
形成发光(发射)中心的化合物仅仅必须是具有这样功能的化合物,即限定化合物为有机EL器件的形成发射中心并可吸收激光束的化合物,这类化合物的例子为包含从氧原子、氮原子和硫原子中选择的至少一个杂原子的杂环化合物,例如2,5-双(5-叔-丁基-2-苯并唑基)-噻吩[2,5-bis(5-tert-butyl-2-benzoxazoyle)-thiophene]、尼罗红、以香豆素6和香豆素7为代表的香豆素、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃和喹吖酮;缩合多环烃,例如红荧烯和二萘嵌苯;1,1,4,4-四苯基-1,3-丁二烯(TPB)、1,4-双(2-(4-乙基苯基)乙炔基)苯和4,4’-双(2,2’-二苯乙烯基)联苯,最好为尼罗红和香豆素6。
尼罗红和香豆素6的结构如下:
Figure C9980150400071
尼罗红                                                                                               香豆素
由尼罗红发射的光波波长为580nm(发射红光),而香豆素6的发射光波长为490nm(发射绿光)。
这些形成发射中心的化合物可以单独使用或组合使用。
对包含在源(A)中的形成发射中心的化合物的比例未特别限定,例如相对于100重量份的源,约为0.1至30wt%,约为1至25wt%较好,约为3至20wt%更好。
[靶(B)]
对在靶的范围内可传输激光束并具有选自电子传输功能和空穴传输功能中的至少一种功能的形成靶的材料来说,并无特别限制,靶可以是:(I)具有选自电子传输功能和空穴传输功能中的至少一种功能的树脂(有机聚合物),或(II)本身既不具有电子传输功能又不具有空穴传输功能,但可以使其具有电子传输功能和空穴传输功能的树脂材料。作为树脂(I)和(II),优选具有薄膜形成特性或涂层形成特性的树脂(有机聚合物)。
作为具有选自电子传输功能和空穴传输功能中的至少一种功能的树脂(I),可以例示出聚亚苯基亚乙烯基类(polyphenylenevinylenes),例如聚亚苯基亚乙烯基、聚-2,5-二甲氧基亚苯基亚乙烯基和聚萘亚乙烯基;聚苯类(特别是聚对亚苯基),例如聚对亚苯基和聚-2,5-二甲氧基对亚苯基;聚烷基噻吩,例如聚(3-烷基噻吩);聚环烷基噻吩,例如聚(3-环己基噻吩);聚芳基噻吩,例如聚(3-(4-n-己基苯基)噻吩;聚芴,例如聚烷基芴;在主链或侧链中具有选自空穴传输功能团和电子传输功能团中的至少一种功能团的乙烯基类聚合物,例如聚-N-乙烯基咔唑(PVK)、聚-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯、聚(N-(p-二苯基氨基)苯基甲基丙烯酰胺)、聚(N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二氨基甲基丙烯酰胺)(PTPDMA)和聚-(4-(5-萘基-1,3,4-二唑)苯乙烯;聚甲基苯基硅烷;在侧链和主链中具有芳香胺衍生物的聚合物;以及其共聚物。这些树脂可以单独使用或组合使用。在优选的靶中包含具有空穴传输功能的聚-N-乙烯基咔唑,包含以N-乙烯基咔唑作为主要成分的共聚物,以及芳香胺衍生物。
PVK是非晶体,其热阻性能良好(玻璃转换温度Tg:224℃)。对PVK的聚合度没有特别限定,例如大约为200至200000,优选大约500至50000。
此外,如果需要,可使树脂(I)具有电子传输功能或空穴传输功能。
具有电子传输功能的化合物实例为二唑衍生物,例如2-(4-联苯)-5-(4-叔-丁苯基)-1,3,4-二唑(BND)、2,5-双(1-萘)-1,3,4-二唑(BND)、1,3-双[5-(4-叔-丁苯基)-1,3,4-二唑]苯(BPOB)、1,3,5-三[5-(4-叔-丁苯基)-1,3,4-二唑]苯(TPOB)、和1,3,5-三[5-(1-萘基)-1,3,4-二唑]苯(TNOB);二苯酚合苯醌,例如3,5,3’,5’-四-叔-丁基二苯酚合苯醌;1,2,3,4,5-五苯基-1,3-环戊二烯(PPCP);和喹啉酸络合物,例如三(8-喹啉酸,quinolinorato)铝(III)络合物、双(苯并喹啉酸,benzoquinolinorato)铍络合物、三(10-羟基苯并[h]喹啉酸,quinolilate)铍络合物,最好为PBD。
作为具有空穴传输功能的化合物,可以例示芳香叔胺类,例如N,N’-二苯-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二元胺(TPD)、N,N’-二苯-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯基-4,4’-二元胺(NPD)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷、N,N,N’,N’-四(3-甲基苯基)-1,3-二氨基苯(PDA)、4,4’,4“-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4’,4“-三(1-萘基苯基氨基)三苯基胺(1-TNATA)、4,4’,4“-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、4,4’,4“-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)、1,3,5-三[4-(3-甲基苯基苯基氨基)苯基]苯(m-MTDAPB)和三苯基胺;以及酞菁。
这些化合物可以单独使用或组合使用。顺便说明一下,这些化合物可以用作形成发射中心的化合物。
包含于树脂(I)(例如,PVK)中的上述成分的比例可选自对限定为有机EL器件材料的树脂的功能无不利影响的范围内,例如,相对于100重量份的靶,大约为10至300重量份,优选约为20至200重量份。
当靶包含这样的一种或多种成分时,可使将要后述的有机EL器件制成例如具有单层结构,而这样制造的有机EL器件不仅提高了发光效率,而且
具有经济的优势。
对于树脂(II)来说,没有特别的限制,如在有关源的讨论的部分中例示的多种有机聚合物(例如热塑性树脂、热固性树脂)是可用的。可以将电子传输功能和空穴传输功能中的至少一个功能提供给这些树脂。作为要被使用的化合物的实例与以上列举的那些化合物相同。一般可采用具有成膜特性或涂敷形成特性的树脂。
相对于100重量份的树脂(II)来说,具有电子传输功能或空穴传输功能的化合物的添加量大约为10至300重量份,优选约为20至200重量份。
树脂(I)和树脂(II)可以组合使用,也可以使这种组合材料具有电子传输功能和空穴传输功能中的至少一种功能。
[有机EL器件材料的制造方法(分子植入)]
本发明的制造有机EL器件材料的方法包括下列步骤:使源薄膜(A)与靶(B)接触,并按源薄膜(A)的烧蚀阈值强度或低于该阈值强度的强度通过源薄膜(A)或靶(B)照射激光束,从而将形成发射中心的化合物植入或注入到靶(B)中,提供具有发光中心的有机场致发光器件材料。一般利用源薄膜和靶薄膜形成有机EL器件的薄膜。
作为在本发明中使用的激光束的例子,尽管该激光束根据使用的形成发射中心的化合物的种类而有所不同,但都具有190至1100nm范围内的振荡波长。当使用脉冲激光束(脉动的激光束)时,频率大约为0.5至50Hz,优选约为0.5至30Hz。此外,尽管脉冲宽度随激光束的波长而改变,但脉冲宽度为10ps至10μs,优选约为10ps至100ns。脉冲宽度(持续时间)越短,形成发射中心的化合物的分解就越少,因此,几乎不损害形成发射中心的化合物。
作为激光束源的例子,有ArF准分子激光器(193nm)、KrF准分子激光器(248nm)、XeCl准分子激光器(308nm)、XeF准分子激光器(351nm)、氮激光器(337nm)、染色激光器(氮激光器、准分子激光器或YAG激光器激励,300至1000nm)、固态激光器(Nd:YAG激励、半导体激光器激励等)、红宝石激光器(694nm)、半导体激光器(650至980nm)、可调谐二极管激光器(630至1550nm)、钛-蓝宝石激光器(Nd:YAG激励,345至500nm,690至1000nm)和Nd:YAG激光器(FHG:266nm,THG:354nm,SHG:532nm,基波:1064nm)。
在本发明的制造方法中,主要是按源薄膜(A)的烧蚀阈值强度或低于该阈值强度的强度辐射激光束。按烧蚀阈值强度或低于该阈值强度的强度照射激光束可使包含在源薄膜(A)中的形成发射中心的化合物有效地植入。特别是,通过调整例如激光的强度和波长以及发射多少次激光束,可以控制被植入的形成发射中心的化合物量。
源薄膜(A)的烧蚀阈值随形成薄膜的化合物种类和形成发射中心的化合物的种类而改变。此外,烧蚀阈值还取决于激光束的波长和脉冲宽度。在本发明中,烧蚀阈值如下定义。
本发明中使用的术语“烧蚀阈值”被定义为这样的术语:假设源薄膜被激光束的一次辐射照射并用接触型表面形态测量装置进行观察(例如,SLOAN制造的DEKTAK3030ST),那么在用激光束辐射的表面上测量的最低激光强度(mJ/cm2)为烧蚀阈值,按该强度,该表面可以在50nm或以上的深度上发生表面条件或形态的变化,该源和激光与在本发明中使用的源和激光相同。
以下,参照附图说明制造有机EL器件(特别是有机EL器件的薄膜)材料的本发明方法。图1表示本发明的一个实施例。图中示出源薄膜(1)、靶薄膜(2)、形成发射中心的化合物(3)、靶薄膜侧的衬底(4)和源薄膜侧的衬底(5)。
首先,将靶薄膜(2)插入在源薄膜(1)和衬底(4)之间,使靶薄膜(2)与源薄膜(1)接触或与源薄膜(1)密切接触,并从源薄膜侧按源薄膜(1)的烧蚀阈值强度或低于该阈值强度的强度照射激光束。通常,激光束照射大约1至50次,优选约为1至25次。由于吸收了激光束,因而在源薄膜中形成发射中心的化合物获得高传输能量,并在没有被分解的情况下从源薄膜注入或植入靶薄膜中,于是制备有机EL器件的薄膜。
激光束可以从靶薄膜侧进行照射。
所用的衬底仅要求是透明的,其实例为玻璃板,例如钠钙玻璃、无碱玻璃和石英玻璃,或聚合物薄片或聚酯、聚砜或聚醚砜的薄膜。在制造可弯曲的有机EL器件的情况下,优选聚合物薄膜。
在制造有机EL器件材料的本发明方法中,按照预定的应用,通过适当调整激光束直径,可以实现精细的图形。对激光束直径没有特别限定,例如大约为1μm至5mm,优选约为10μm至1mm。此外,当穿过光掩模照射激光束时,光掩模可以使图形不仅在大小上而且在结构上都可以自由地设计。此外,通过使用光掩模和增加激光束的直径,可以进行在大面积上的一次构图。并且,可以使用具有彼此不同的形成发射中心的化合物的多个源。例如,利用形成包含红色、绿色和蓝色的发射中心的化合物的源可更容易进行颜色的选择。因此,按照本发明,可以获得具有多样化结构的多色图形的有机EL器件的材料。
按照本发明的制造方法,形成发射中心的化合物可以不以散布或分散的状态而是按阶梯式的状态注入靶中(即形成发射中心的化合物以均匀的深度注入靶中,呈现矩形图形)。该深度随形成发射中心的化合物或靶的种类或激光强度而改变,例如大约为10nm至300nm,优选约为15nm至200nm,约为20nm至100nm更好。此外,可以仅植入形成发射中心的化合物而不损害有机EL器件表面的平滑度,以烧蚀阈值强度或低于该阈值强度的强度进行辐射是有效的。
[有机场致发光器件]
本发明的有机场致发光器件包括按照上述方法获得的有机EL器件材料(特别是由靶薄膜构成的发光层,在该靶薄膜中注入形成发射中心的化合物)和一对电极。
作为阳极,使用通过真空淀积或其它方法等形成的透明电极(例如,铟锡氧化物(TIO)电极),而使用具有小功函的高导电性金属(例如,锰、锂、铝或银)作为阴极。在使用锰作为阴极的情况下,锰可以与少量的银(例如,1至10wt%)同时蒸发(或同时淀积),以改善与使用薄膜的有机EL器件的粘结。
当发光层具有电子传输功能和空穴传输功能时,本发明的有机EL器件可以制备为例如具有单层结构。当发光层没有电子传输功能或空穴传输功能或者试图改善各功能时,利用一般的汽相淀积技术或溶液涂敷技术,可在发光层上层压具有期望功能的层。这些层可以是低分子量化合物或高分子化合物,也可以是两者。例如,有机EL器件可以采用如图2至图5所示的单层结构或多层结构。
就是说,如图2所示,有机EL器件可以是由按这样的顺序层压的衬底(10)、形成在衬底上的阳极(11)、发光层(12)和阴极(13)构成的器件,或如图3所示,可以是由按这样的顺序层压的衬底(20)、形成在衬底上的阳极(21)、空穴传输层(24)、发光层(22)和阴极(23)构成的器件。此外,如图4所示,有机EL器件可以是由按这样的顺序层压的衬底(30)、形成在衬底上的阳极(31)、发光层(32)、电子传输层(35)和阴极(33)构成的器件,或如图5所示,可以是由按这样的顺序层压的衬底(40)、形成在衬底上的阳极(41)、空穴传输层(44)、发光层(42)、电子传输层(45)和阴极(43)构成的器件。
对构成有机EL器件的各层厚度未特别限定,大约为100至10000,如100至5000,约300至3000较好,300至2000更好。当使用薄膜时,各薄膜厚度可以从上述范围中选择。
按照本发明,在制造有机EL器件中,可以获得以前难以实现的精细和多色图形。此外,由于本发明的有机EL器件材料(特别是,有机EL器件使用的薄膜)的表面平滑度良好,所以该材料与电极粘良好,而且由于阶梯式植入的形成发射中心的化合物,所以本发明的有机EL器件在因施加电压而产生的电压上不会不规则。
工业应用性
按照本发明,由于利用分子植入技术将形成发射中心的化合物植入靶内,所以即使在使用高分子化合物时也可以有精细的多色图形。并且,按源的烧蚀阈值强度或该阈值以下的强度进行辐射,可以均匀地植入形成发射中心的化合物而不损害有机EL器件材料的平滑度。因此,本发明的有机EL器件材料的使用实现了与电极更好的粘结和电压的均匀施加。
                          实例
下面,更详细地说明本发明,但应该指出,这些实例决不构成为对本发明范围的限定。
                          实例1
(制备源薄膜)
在氯苯中溶解包含5wt%香豆素6(Nippon Kankoh Shikiso,K.K)的聚甲基丙烯酸丁酯(Aldrich Chemical Company,Inc.,分子量:3.4×105),然后通过旋转涂敷在石英衬底上施加所获得的混合物,从而制备厚度为2μm的源薄膜。
(制备靶薄膜)
一方面,在10mL的1,2-二氯乙烷中溶解500mg的具有空穴传输功能的聚-N-乙烯基咔唑(PVK:由Kanto Kagaku,K.K制造)和500mg的具有电子传输功能的2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD:Aldrich Chemical Company,Inc.),另一方面,在玻璃衬底上形成铟锡氧化物(ITO)的涂层。利用1,2-二氯乙烷溶液浸渍涂敷这样获得的ITO涂层,以在ITO涂层上形成1000A的具有电子和空穴传输功能的靶薄膜。
(分子植入)
制作由上述得到的两个薄膜相互接触而组成的测试片,从邻接靶薄膜的衬底方向按1Hz频率用YAG激光的第三次谐波(波长:355nm,脉冲宽度:3ns,每单位面积照射能量:20mJ/cm2,直径:1.8mm)照射测试片10次(发射10次)。
(有机EL器件)
通过真空淀积,在植入分子的靶薄膜上形成厚度为2000的Al/Li电极(由Kohjundo Kagaku,K.K.制造;Li含量:0.5wt%),产生有机EL器件。
利用有机EL器件的ITO电极作为阳极和Al/Li电极层作为阴极,在大气中,在电极之间施加直接电场,使有机EL器件发光。在大约18V的电压时,开始观察到发光。从未进行分子植入的区域可看到PVK的蓝色光发射,而从进行分子植入的区域可看到香豆素6的绿色光。
                          实例2
(制备源薄膜)
按与实例1中相同的方式形成源薄膜。
(制备靶薄膜)
一方面,在30mL的1,2-二氯乙烷中溶解150mg的具有空穴传输功能的N,N’-二苯-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二元胺(TPD:Tokyo Kasei K.K.)、300mg的具有电子传输功能的2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁苯基)-1,3,4-二唑(PBD:Aldrich Chemical Company,Inc.)和450mg的作为粘结剂聚合物的没有载流子传输功能的聚甲基丙烯酸甲酯(Aldrich Chemical Company,Inc.;PMMA),另一方面,在玻璃衬底上形成铟锡氧化物(ITO)的涂层。用1,2-二氯乙烷溶液浸渍涂敷这样获得的ITO衬底,以在ITO涂层上形成厚度为1000A厚度的具有电子和空穴传输功能的靶薄膜。
(分子植入)
制作由上述得到的两个薄膜相互接触组成的测试片,从邻接靶薄膜的衬底方向按1Hz频率用YAG激光的第三次谐波(波长:355nm,脉冲宽度:3ns,每单位面积的照射能量:20mJ/cm2,直径:1.8mm)照射测试片10次(发射10次)。
(有机EL器件)
通过真空淀积,在植入分子的靶薄膜上形成厚度为2000的Al/Li电极(由Kohjundo Kagaku,K.K.制造;Li含量:0.5wt%),从而制备有机EL器件。
利用有机EL器件的ITO电极作为阳极和Al/Li电极层作为阴极,在大气中,在电极之间直接施加电场,使有机EL器件发光。在大约15V电压时,开始观察到发光。从未进行分子植入的区域可看到TPD的蓝色光发射,而从进行分子植入的区域可看到香豆素6的绿色光。
                           实例3
(制备源薄膜)
按与实例1中相同的方式形成源薄膜。
(制备靶薄膜)
按与实例2中相同的方式形成靶薄膜。
(分子植入)
制作由上述得到的两个薄膜相互接触组成的测试片,从邻接靶薄膜的衬底方向按1Hz频率用YAG激光的第三次谐波(波长:355nm,脉冲宽度:3ns,每单位面积辐射能量:20mJ/cm2,直径:1.8mm)照射测试片20次(发射20次)。
(有机EL器件)
通过真空淀积,在植入分子的靶薄膜上形成厚度为2000的Al/Li电极(由Kohjundo Kagaku,K.K.制造;Li含量:0.5wt%),于是制备有机EL器件。
利用有机EL器件的ITO电极作为阳极和Al/Li电极层作为阴极,在大气中,在电极之间直接施加电场,使有机EL器件发光。在大约15V电压时,开始观察到发光。从未进行分子植入的区域可看到TPD的蓝色光发射,而从进行分子植入的区域可看到香豆素6的绿色光。

Claims (13)

1.一种具有发射中心的有机场致发光器件材料的制造方法,该方法包括:
使包括吸收激光束的形成发射中心的化合物的源(A)与靶(B)接触,该靶(B)可传输激光束,并具有选自电子传输功能和空穴传输功能中的至少一种功能,和
从源(A)或靶(B)侧按源(A)的烧蚀阈值强度或该阈值以下的强度照射激光束,从而将源(A)的形成发射中心的化合物植入靶(B)。
2.如权利要求1的方法,其中,有机场致发光器件材料为薄膜。
3.如权利要求1的方法,其中,激光束为脉冲激光束。
4.如权利要求3的方法,其中,脉冲激光束的脉冲宽度为10ps至10μs。
5.如权利要求1的方法,其中,激光束的直径为1μm至5mm。
6.如权利要求1的方法,其中,靶是具有选自电子传输功能和空穴传输功能中的至少一种功能的有机聚合物。
7.如权利要求6的方法,其中,有机聚合物是聚-N-乙烯基咔唑或包含以N-乙烯基咔唑作为主要成分的共聚物。
8.如权利要求1的方法,其中,靶包括具有选自电子传输功能和空穴传输功能中的至少一种功能的化合物,和具有薄膜形成特性的有机聚合物。
9.如权利要求8的方法,其中,具有选自电子传输功能和空穴传输功能中的至少一种功能的化合物是选自由具有电子传输功能的二唑衍生物和具有空穴传输功能的芳香族叔胺组成的组中的至少一种化合物。
10.一种利用权利要求1所述的方法获得的有机场致发光器件材料。
11.如权利要求10的有机场致发光器件材料,其中,靶是具有选自电子传输功能和空穴传输功能中的至少一种功能的有机聚合物。
12.一种有机场致发光器件,包括一对电极和在该对电极之间插入的如权利要求10所述的有机场致发光器件材料。
13.如权利要求12的有机场致发光器件,其中,在该对电极之间插入用权利要求10所述的有机场致发光器件材料形成的单层。
CNB998015040A 1998-09-01 1999-08-27 有机场致发光器件的材料及其制造方法 Expired - Fee Related CN100341166C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24692498 1998-09-01
JP246924/98 1998-09-01
JP246924/1998 1998-09-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1275303A CN1275303A (zh) 2000-11-29
CN100341166C true CN100341166C (zh) 2007-10-03

Family

ID=17155791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB998015040A Expired - Fee Related CN100341166C (zh) 1998-09-01 1999-08-27 有机场致发光器件的材料及其制造方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6399226B1 (zh)
EP (1) EP1043915B1 (zh)
KR (1) KR100625730B1 (zh)
CN (1) CN100341166C (zh)
DE (1) DE69939052D1 (zh)
HK (1) HK1030130A1 (zh)
TW (1) TWI222462B (zh)
WO (1) WO2000013470A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6797920B2 (en) * 2000-12-20 2004-09-28 Daicel Chemical Industries, Ltd. Material for organic electroluminescent device and its manufacturing method
JP2003022892A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の製造方法
JP4345278B2 (ja) * 2001-09-14 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 パターニング方法、膜形成方法、パターニング装置、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子装置の製造方法
EP1478681A4 (en) * 2001-11-16 2006-10-11 Honeywell Int Inc SPIN ON GLASS ANTIREFLECTION COATINGS FOR PHOTOLITHOGRAPHY
JP2003257671A (ja) * 2002-02-28 2003-09-12 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US20040062947A1 (en) * 2002-09-25 2004-04-01 Lamansky Sergey A. Organic electroluminescent compositions
US7338820B2 (en) 2002-12-19 2008-03-04 3M Innovative Properties Company Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes
DE10321152A1 (de) * 2003-05-12 2004-12-23 Schreiner Group Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Bearbeiten eines elektrolumineszierenden Elements und nach diesem Verfahren bearbeitetes elektrolumineszierendes Element
US7597967B2 (en) * 2004-12-17 2009-10-06 Eastman Kodak Company Phosphorescent OLEDs with exciton blocking layer
JP5670896B2 (ja) * 2008-07-24 2015-02-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 照明装置及び方法
CN104669748B (zh) * 2015-03-16 2016-08-31 吴江华诚复合材料科技有限公司 一种激光烧蚀靶材及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10208881A (ja) * 1996-12-23 1998-08-07 Samsung Display Devices Co Ltd 有機電子発光素子有機薄膜用ドナーフィルム及びこれを用いた有機電子発光素子の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51138188A (en) * 1975-05-23 1976-11-29 Sharp Corp Electro luminescence element
JPH01313930A (ja) 1988-06-14 1989-12-19 Sony Corp 半導体基板の処理方法
JPH02138188A (ja) 1988-11-17 1990-05-28 Dai Ichi Seiyaku Co Ltd セファロスポリン誘導体の製造法
JP3069139B2 (ja) * 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
JPH06297457A (ja) * 1993-04-17 1994-10-25 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 機能性材料の製造法
JP3463362B2 (ja) * 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
JPH0896959A (ja) 1994-09-27 1996-04-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH08106006A (ja) * 1994-10-05 1996-04-23 Dainippon Ink & Chem Inc 色素の分子注入方法、画像形成方法及びカラーフィルターの製法
JPH0963770A (ja) 1995-08-24 1997-03-07 Kemipuro Kasei Kk 単層型白色発光有機el素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10208881A (ja) * 1996-12-23 1998-08-07 Samsung Display Devices Co Ltd 有機電子発光素子有機薄膜用ドナーフィルム及びこれを用いた有機電子発光素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000013470A8 (fr) 2000-06-29
EP1043915A4 (en) 2006-11-15
EP1043915B1 (en) 2008-07-09
KR100625730B1 (ko) 2006-09-20
KR20010031622A (ko) 2001-04-16
US6399226B1 (en) 2002-06-04
TWI222462B (en) 2004-10-21
EP1043915A1 (en) 2000-10-11
DE69939052D1 (de) 2008-08-21
HK1030130A1 (en) 2001-04-20
WO2000013470A1 (en) 2000-03-09
CN1275303A (zh) 2000-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1123278C (zh) 多色有机el元件,其制造方法及使用它的显示器
KR101367240B1 (ko) 유기 반도체 장치의 제조 방법, 유기 반도체 장치, 유기일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법 및 유기일렉트로루미네선스 장치
CN1838843A (zh) 用于制作图案化的有机电致发光器件的方法
CN100341166C (zh) 有机场致发光器件的材料及其制造方法
JP2005531915A (ja) 有機エレクトロルミネセンス・デバイス用のバッファ層、並びに製造および使用方法
KR20080048945A (ko) 유기 전계발광 소자의 패턴화 방법
CN1480343A (zh) 从包含空穴传输层的给体元件进行激光热转印
JPH06212153A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100471523B1 (ko) 멀티칼라유기이엘소자,그제법및그것을사용한디스플레이
MXPA06006527A (es) Transferencia termica de dendrimeros emisores de luz.
CN1361650A (zh) 包含具有p-型半导体特性的有机化合物的电子器件
US6797920B2 (en) Material for organic electroluminescent device and its manufacturing method
JP2002190386A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその製造方法
JPH0997679A (ja) 電界発光素子の製造方法
WO2012090560A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP3532469B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその製造方法
CN1196209C (zh) 有机电场致发光器件用的材料及其生产方法
JP3545981B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその製造方法
KR100280962B1 (ko) 고효율유기전기발광소자
JP2005158357A (ja) 拡散方法およびエレクトロルミネッセンス材料
JP3230314B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002030283A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその製造方法
JP3341330B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06220439A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
Liu et al. Multilayer organic light-emitting diodes with phthalocyanine film as hole-injection layer

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1030130

Country of ref document: HK

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071003

Termination date: 20100827