CH494667A - Schaltungsanordnung mit logischen Verknüpfungselementen, insbesondere für das Eisenbahnsicherungswesen - Google Patents

Schaltungsanordnung mit logischen Verknüpfungselementen, insbesondere für das Eisenbahnsicherungswesen

Info

Publication number
CH494667A
CH494667A CH1241868A CH1241868A CH494667A CH 494667 A CH494667 A CH 494667A CH 1241868 A CH1241868 A CH 1241868A CH 1241868 A CH1241868 A CH 1241868A CH 494667 A CH494667 A CH 494667A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
resistor
logic
monitoring
transistor
output
Prior art date
Application number
CH1241868A
Other languages
English (en)
Inventor
Heinz-Juergen Dipl Ing Lohmann
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH494667A publication Critical patent/CH494667A/de

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B61RAILWAYS
    • B61LGUIDING RAILWAY TRAFFIC; ENSURING THE SAFETY OF RAILWAY TRAFFIC
    • B61L19/00Arrangements for interlocking between points and signals by means of a single interlocking device, e.g. central control
    • B61L19/06Interlocking devices having electrical operation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/09Resistor-transistor logic

Description


  
 



  Schaltungsanordnung mit logischen Verknüpfungselementen, insbesondere für das   Eisenbahnsicherungswesen   
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung mit logischen Verknüpfungselementen, insbesondere für das Eisenbahnsicherungswesen, mit wenigstens einem Verknüpfungsbaustein, der als Verknüpfungsglieder je ein NAND-Glied und ein NOR-Glied mit je einem Ausgang enthält, für binäre Schaltvariable und deren antivalente Schaltvariable in Form von rechteckförmigen digitalen Signalen mit vorgegebener Folgefrequenz.



   In der modernen Technik der Informationsverarbeitung, z. B. in der Eisenbahnsicherungstechnik und bei der Reaktorsteuerung, werden Schaltwerke benötigt, deren Verknüpfungsglieder logische Verknüpfungen durchführen. Derartige Verknüpfungsglieder können auch aus mit verschiedenen Wicklungen versehenen hartmagneti schen Ringkernen mit rechteckförmiger Hystereseschleife aufgebaut werden. Das Bewickeln der Ringkerne sowie der Aufbau von   Schaltwerken    mit derartigen Verknüpfungsgliedern lassen sich jedoch nur durch erheblichen   Kapitalaufwand    mechanisieren und rationalisieren, wodurch die Herstellungskosten relativ hoch sind. Die Anwendung der sogenannten Einwindungstechnik vereinfacht die Fertigung derartiger Verknüpfungsglieder erheblich, sie hat jedoch zur Folge, dass die Arbeitsgeschwindigkeit in unerwünschter Weise herabgesetzt wird.

  Weiterhin ist bei dieser Technik nachteilig, dass ein Fehler erst zum Zeitpunkt der nächsten Betätigung des fehlerhaften Verknüpfungsgliedes erkennbar wird.



  Derartige Schaltungen sind für Schaltwerke der Sicherungstechnik wenig geeignet, weil bei diesen Einrichtungen eine sofortige Fehlermeldung unmittelbar nach bzw.



  beim Eintreten des Fehlers gewünscht wird.



   Neben den Ringkernschaltungen werden in Schaltwerken auch Halbleiterschaltkreistechniken   angewendet,    die keine   Magnetmaterialien    enthalten. Diese Halbleiterschaltungen ermöglichen zwar als integrierte Bausteine eine besonders hohe Arbeitsgeschwindigkeit und können je nach Stückzahl eine günstige Kostenentwicklung erlauben, jedoch ist für eine sichere Fehlermeldung ein hoher zusätzlicher Aufwand erforderlich.



   Aus der DAS   1175    738 ist ein aus   NICHT-Gattern    aufgebauter Verknüpfungsbaustein zur Realisierung einer ODER- bzw. UND-Funktion bekannt. Diese bekannten Verknüpfungsbausteine enthalten als Verknüpfungsglieder je ein NAND- und ein NOR-Glied, denen einerseits binäre Schaltvariable und anderseits antivalente Schaltvariable zur Verarbeitung zur Verfügung stehen. Je nach Zuordnung der Ein- und Ausgänge zu den Schaltvariablen lassen sich mit dem Verknüpfungsbaustein alle   Grundverknüpfungen    durchführen. Nachteilig ist auch bei diesem Verknüpfungsbaustein, dass die in den Bauteilen auftretenden Fehler zu Informationsverfälschungen führen können, ohne dass eine rechtzeitige selbsttätige Meldung des fehlerhaften Verknüpfungsgliedes möglich ist.



   Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung anzugeben, die selbsttätig sofort jegliche Störungen möglichst sicher an eine zentrale Überwachungseinrichtung meldet. Darüber hinaus soll eine schnelle Fehlerlokalisierung ermöglicht werden und durch Beschränkung auf Bauelemente wie Transistoren, Dioden und Widerstände - auch bei den Verknüpfungsbausteinen - integrierbar sein.



   Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus dass bei Verwendung je eines NAND- und eines NOR-Gliedes ein zweikanaliger Verknüpfungsbaustein entsteht, dessen zwei Ausgänge einen Originalkanal und einen Komplementärkanal darstellen. Diese beiden Kanäle führen antivalente Ausgangssignale. Infolge dieser Antivalenz der Ausgangssignale führen der Originalkanal und der Komplementärkanal im nicht gestörten Zustand zu jedem Zeitpunkt unterschiedliche Potentiale. Sobald ein Verknüpfungsglied eines Verknüpfungsbausteines fehlerhaft ist, ist auch die Antivalenz gestört, wodurch die Potentiale im Original- und Komplementärkanal gleich sind.



   Diese Erkenntnis zugrunde legend, wird die gestellte Aufgabe erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass an die Ausgänge der beiden Verknüpfungsglieder als   Über-     wachungsglied eine Gleichrichterbrücke angeschlossen ist, deren Ausgangsspannung als Versorgungsspannung für die Schaltstrecke eines elektronischen Schalters dient, für dessen Steuerstrecke rechteckförmige digitale Testsignale mit mindestens der doppelten vorgegebenen Folgefrequenz vorgesehen sind, die ausserhalb des Flankenbereichs der digitalen Signale liegen.



   Die Überwachung erfolgt also durch ein Überwachungsglied, das mit Testsignalen gespeist wird. Diese bestehen aus Impulsen, die relativ zur Dauer einer Halbperiode der digitalen Signale (Schaltvariable) kurz sind und zeitlich gesehen, vorzugsweise in der Mitte jeder Halbperiode liegen. Hierdurch werden unbegründete Fehlermeldungen vermieden, die durch unterschiedliche Schaltgeschwindigkeiten der beiden Verknüpfungsglieder eines   Verknüpfungsbausteins    hervorgerufen werden können. Da sich derartige   Antivalenzstörtmgen    auf die Flankenbereiche der digitalen Signale beschränken, erfolgt die Überwachung jeweils zwischen den Flankenbereichen.



   Wenn besonders hohe Sicherheitsanforderungen gestellt werden, ist es zweckmässig, jedes   Uberwachungs-    glied so aufzubauen, dass auch ein Defekt in dieser Baugruppe selbsttätig. sofort gemeldet wird.



   Diese Forderung wird gemäss einer vorteilhaften Ausbildung des Erfindungsgegenstandes dadurch erfüllt, dass bei dem   Überwachungsglied    die Emitterelektrode eines Transistorschalters unmittelbar und die Kollektorelektrode über einen ersten Widerstand an die Gleichrichterschaltung angeschlossen ist, dass die   Basi & lek-    trode über einen zweiten Widerstand wie die Kollektorelektrode mit der Gleichrichterschaltung verbunden und über einen dritten Widerstand an einen aus einem vierten und fünften Widerstand bestehenden Spannungsteiler gelegt ist, wobei an den als Eingang dienenden vierten Widerstand die Testsignale und an den fünften Widerstand ein zusätzliches Versorgungspotential gelegt ist.



   Eine zweckmässige Ausführungsform der Erfindung für mehrere Verknüpfungsbausteine in einem Schaltwerk sieht vor, dass die den Verknüpfungsbausteinen zugeordneten   Überwachungsglieder    eine Reihenschaltung bilden, bei der jeweils der Ausgang eines Überwachungsgliedes mit dem Eingang des in der Reihenschaltung folgenden Überwachungsgliedes verbunden ist, wobei an das erste   Uberwachungsglied    der Reihenschaltung eine Testsignalquelle für die Testsignale und an das letzte   Überwachungsglied    eine dessen Ausgangssignale auf Amplitude und Phasenlage gegenüber den Testsignalen überwachende Baugruppe angeschlossen ist.



   Bei fehlerfreiem Betrieb eines mit diesen   Über-    wachungsgliedern ausgestatteten Schaltwerkes durchlaufen die Testsignale die gesamte Reihenschaltung. Der ununterbrochene Empfang der Testsignale in der diese überwachenden Baugruppe ist eine absolut sichere Aussage darüber, dass im gesamten Schaltwerk keine Antivalenzstörung vorliegt. Bleiben die Testsignale ausgangsseitig auch nur kurzzeitig aus, so ist dies ein Zeichen dafür, dass infolge eines Defektes die Antivalenz oder die Überwachung selbst gestört ist. Die Überbrückung eines   Üherwachungsgliedes    macht sich in einer Phasen drehung um 1800 der Ausgangssignale für die überwachende Bau gruppe gegenüber den Testsignalen be merkbar und ist somit ebenfalls feststellbar.



   Mit diesem Überwachungssystem ist jeder Einzelfehler in einem Verknüpfungsbaustein im gesamten
Schaltwerk leicht zu erkennen und zu lokalisieren. Tritt je ein Fehler in beiden Verknüpfungsgliedern eines Verknüpfungsbausteines auf, was jedoch sehr unwahrscheinlich ist und daher nicht angenommen zu werden braucht, so tritt keine Störung der Antivalenz und damit keine Störungsanzeige ein. Es ist also wichtig, dass die Testsignale so gewählt werden, dass die Überprüfung auf bestehende Antivalenz sehr oft pro Zeiteinheit erfolgt. Nur dann ist es möglich, einen in einem der beiden Verknüpfungsglieder auftretenden Fehler zu erkennen, zu dem eine kurze Zeit später in dem anderen Verknüpfungsglied desselben Verknüpfungsbausteins ein weiterer Fehler   hinzukommt.   



   Überlegungen haben gezeigt, dass ein Fehler innerhalb eines der beiden Verknüpfungsglieder eines Verknüpfungsbausteines sich in Abhängigkeit von der Art der verwendeten Schaltvariablen erst nach Ablauf einer Meldeverzögerungszeit erfassen lässt. Diese Meldeverzögerungszeit ist entweder Null oder in ihrer Dauer vom Eintreten einer passenden Kombination der Werte der Schaltvariablen abhängig. Da wie oben bereits erläutert wurde, von den in einem Verknüpfungsbaustein möglichen Doppelfehlern nur diejenigen unerkannt bleiben, die nicht zu einer Antivalenzstörung führen, ist es für die Erkennung dieser Fehler wichtig, dass die Meldeverzögerungszeit besonders klein gehalten wird.



   Eine spezielle Aufgabe der Erfindung ist es daher, durch einen besonderen Aufbau der Verknüpfungsbausteine und eine zweckmässige Wahl der Signale für die Schaltvariable und die antivalente Schaltvariable sowie der Testsignale eine bezüglich der Sicherheit und der Wirtschaftlichkeit in hohem Masse vollkommene Sicherheitsschaltung zum Durchführen logischer   Verknüpfun-    gen zu erhalten.



   Diese Aufgabe wird gemäss einer Variante der Erfindung dadurch gelöst, dass als Schaltvariable Rechteckspannungen gleicher Frequenz und Amplitude verwendet sind, wobei sich die beiden Werte der Schaltvariablen durch einen Phasenunterschied von 1800 unterscheiden, dass jedes der beiden Verknüpfungsglieder eines   Verknüpfüngsbausteins    aus einem Transistor besteht, dessen Kollektorelektrode über einen ersten Wi   Widerstand    an einem Versorgungspotential und dessen Emitterelektrode an einem anderen   Versorgungspoten-    tial liegt,

   und dessen Basiselektrode einerseits über einen zweiten Widerstand an dem zusätzlichen   Versorgungs-    potential der   Überwachungsglieder    liegt und an die anderseits eine aus drei weiteren Widerständen bestehende Matrix angeschlossen ist mit zwei Eingängen für die zu verknüpfenden Schaltvariablen und einem Eingang für ein Prägesignal, das die gleiche Frequenz und Amplitude wie die Rechteckspannungen hat und je nach Verwendung des betreffenden Verknüpfungsgliedes als NAND-Glied oder als NOR-Glied ständig die eine bzw.

 

  die andere Phasenlage der Schaltvariablen aufweist.



   Mit diesem Verknüpfungsbaustein wird eine datenflussunabhängige   Meldeverzögerungszeit    erzielt. Sie ist in ihrer Grösse auf eine halbe Periodendauer der Rechtecksignale begrenzt und wird dann auf eine kleinstmögliche Dauer beschränkt, wenn die Folgefrequenz der Rechteckspannung bis an eine obere Grenze der Schaltgeschwindigkeit der Verknüpfungsglieder erhöht wird.



   Bei der vorstehend erläuterten Schaltungsanordnung werden nicht nur erhebliche Vorteile hinsichtlich einer wirkungsvollen Verkürzung der Meldeverzögerungszeit erreicht, sondern durch die Anwendung einer Verknüpfung der beiden Schaltvariablen nach dem Prinzip einer Mehrheitsentscheidung unter Hinzunahme eines binären   Prägesignals kann in hervorragender Weise sowohl für den Aufbau der NAND- als auch des NOR-Gliedes jedes Verknüpfungsbausteines dieselbe einheitliche Schaltung verwendet werden. Ob diese Schaltung die Funktion des einen oder anderen Gliedes übernimmt, entscheidet allein der Wert des Prägesignals.



   Da sowohl die Verknüpfungsbausteine als auch die zugehörigen   Überwachungsglieder    als Bauelemente lediglich Transistoren, Dioden und Widerstände enthalten, ist es weiterhin vorteilhaft, mindestens die beiden Verknüpfungsglieder einschliesslich je eines Folgeverstärkers und des zugehörigen   Überwachungsgliedes    als ein Baustein in integrierter Schaltkreistechnik auszuführen.



   Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert.



  Die Figuren zeigen im einzelnen:
Fig. 1 mehrere Verknüpfungsbausteine und zugeordnete Überwachungsglieder, die eine Reihenschaltung bilden,
Fig. 2 das   Überwachungsglied    für einen Verknüpfungsbaustein,
Fig. 3 ein Verknüpfungsglied zum wahlweisen Durchführen der NAND- bzw. NOR-Verknüpfung,
Fig. 4 eine Darstellung der als Schaltvariable verwendeten Signale sowie eine Anzahl von Testsignalen,
Fig. 5 und 6 zwei Tabellen mit verschiedenen Kombinationen von Schaltvariablen für ein Verknüpfungsglied nach Fig. 3 sowie in Abhängigkeit davon und vom Wert eines Prägesignals die jeweiligen Verknüpfungsergebnisse und
Fig. 7 einen vollständigen Verknüpfungsbaustein mit zwei Verknüpfungsgliedern und einem   tlberwachungs-    glied.



   Fig. 1 zeigt mehrere Verknüpfungsbausteine   VEl,    VE2 und VE3 mit je einem zugeordneten   t)berwa-    chungsglied SR1, SR2 und SR3. Jeder der Verknüpfungsbausteine enthält zwei Verknüpfungsglieder, ein NAND-Glied   VEl 1    mit zwei Eingängen   E3 1    und E41 sowie einem Ausgang All und ein NOR-Glied   VE 12    mit den Eingängen Ell, E21 und einem Ausgang   A12.   



  Den Eingängen Ell, E21,   E3 1    und E41 stehen binäre und antivalente binäre Schaltvariable zur Verfügung in Form von Rechteckspannungen mit vorgegebener Folgefrequenz. Die Werte der Schaltvariablen unterscheiden sich durch einen Phasenunterschied von 1800.



   Solange die Verknüpfungsbausteine   VE 1,    VE2 und VE3 ordnungsgemäss arbeiten, wenn also keines der einzelnen Verknüpfungsglieder   VEl 1    und VE12 der Verknüpfungsbausteine einen Defekt hat, führen die Ausgänge All und A12 jedes der Verknüpfungsbausteine antivalente Signale. Hierdurch wird eine Spannung U1, U2 bzw. U3 als Steuerspannung für das dem jeweiligen Verknüpfungsbaustein zugeordnete   tJberwa-    chungsglied abgegeben.



   Wenn eine aus den dargestellten Verknüpfungsbausteinen   VE1,    VE2 und VE3 usw. aufgebautes Schaltwerk auf einen eventuell auftretenden Fehler hin überwacht werden soll, müssen die von allen Verknüpfungsbausteinen abgegebenen Spannungen überwacht, also zur Koinzidenz gebracht werden. Ein übliches Koinzidenzglied ist zu diesem Zweck ungeeignet, weil es seinerseits auf Funktionstüchtigkeit überwacht werden muss.



   Um dies zu vermeiden, sind die einzelnen   Über-    wachungsglieder SR1, SR2 und SR3 zur Koinzidenzbildung in Reihe geschaltet. Solange zum Beispiel an den Eingangsklemmen Kl 1 und K21 des Überwachungsgliedes SR1 die Spannung   U1    vorhanden ist, ist der dargestellte Schalter geschlossen. Das gleiche gilt in entsprechender Weise für die anderen Überwachungsglieder. An das erste Überwachungsglied SR1 der Reihenschaltung ist eine Testsignalquelle G angeschlossen, deren Testsignale dem ersten   Überwachungsglied    über dessen Eingang   K3 1    zugeführt werden. Ausserdem wird über die Klemme V41 ein zusätzliches Versorgungspotential zugeführt, das bei dem Überwachungsglied   SRl    am Eingang   K4 1    liegt.

  Die Testsignale durchlaufen das Überwachungsglied   SIR 1    und werden über dessen Ausgang   K5 1    an das in der Reihenschaltung folgende   Überwachungsglied    SR2 weitergeleitet. Sind alle Verknüpfungsbausteine ungestört, so gelangen die Testsignale schliesslich auf eine Baugruppe PS 1, die die Testsignale auf Amplitude und Phasenlage überwacht.



  Sobald infolge einer Störung im Schaltwerk oder in den Überwachungsgliedern selbst die Testsignale ausbleiben, oder in der Phasenlage verfälscht werden, wird dies angezeigt. Da in jedem   Überwachungsglied    die Phasenlage der Testsignale um 1800 gedreht wird, können die   Überwachungsglieder    leicht auf Überbrückung überprüft werden, da bei ordnungsgemässem Arbeiten in der Baugruppe   PS1    ständig Ausgangssignale mit derselben Phasenlage zur Verfügung stehen. Als Vergleichsgrösse für die Überwachung der Phasenlage werden der Bau   Gruppe      PS1    die Testsignale direkt von der Testsignalquelle G zugeleitet.



   Fig. 2 zeigt den näheren Schaltungsaufbau eines   Überwachungsgliedes    SR für einen Verknüpfungsbaustein. Die Bezugszeichen für die Ein- und Ausgänge sind entsprechend denjenigen des   Überwachungsgliedes      SR1    gewählt. Das Überwachungsglied hat die Aufgabe, die an seinem Eingang K3 zugeführten Testsignale so lange über den Ausgang K5 invertiert abzugeben, wie Spannung vom zu überwachenden Verknüpfungsbaustein an den Eingangsklemmen K1 und K2 liegt. Ausserdem ist das Überwachungsglied so aufgebaut, dass in ihm auftretende Fehler überwachbar sind. Als Fehler gelten Überbrückungen und Unterbrechungen einzelner Bauelemente des   Überwachungsgliedes    SR.

  Jeder dieser Fehler führt zu einer derartigen Veränderung des Überwachungsgliedes, dass die ihm zugeführten Testsignale nicht mehr bzw. nicht invertiert weitergeleitet werden.



   Da die von jedem Verknüpfungsbaustein abgegebene Spannung, z. B. U1, je nach Verknüpfungsergebnis die eine oder andere Polarität haben kann, ist für das Überwachungsglied eine Vollweg-Gleichrichterschaltung mit den Dioden D1, D2, D3 und D4 vorgesehen, deren Ausgangsspannung als Versorgungsspannung für die Schaltstrecke eines Transistors   T1    dient, dessen Emitterelektrode direkt und dessen Kollektorelektrode über einen Widerstand   R1    an diese Versorgungsspannung gelegt sind. An die Basiselektrode ist ein aus vier Widerständen R2, R3, R4 und R5 bestehendes Netzwerk als Eingangsschaltung angeschlossen, das eine Eigenüberwachung gestattet. Um den Transistor   T1    mit den über den Eingang K3 zugeführten Testsignalen in Form einer Rechteckspannung US - vgl. 

  Fig. 4, Diagrammlinie Z3 - sicher durchzuschalten und ebenso sicher zu sperren, wird die Spannung US, die für ein Überwachungsglied innerhalb der Reihenschaltung von dem in   Über-    tragungsrichtung der Testsignale gesehen, davor liegenden Überwachungsglied abgegeben wird, mit Hilfe eines aus den Widerständen R4 und R5 gebildeten und an dem zusätzlichen Versorgungspotential (Eingang K4) liegenden Spannungsteiler heruntergeteilt. Die in ihrer   Am-    plitude verkleinerten Testsignale werden einem weiteren  aus den Widerständen   R2    und R3 gebildeten Spannungsteiler zugeführt. Bei entsprechender Dimensionierung der Widerstände   R1    bis R5 ist gewährleistet, dass alle Bauteile des Überwachungsgliedes SR der geforderten Eigenüberwachung unterliegen.

  Dass dies der Fall ist, soll nachstehend an mehreren angenommenen Störungsfällen innerhalb des Überwachungsgliedes gezeigt werden.



   Eine Unterbrechung an dem Eingang K3 oder zwischen dem Widerstand R4 und dem Verbindungspunkt A ruft eine dauernde Sperrung des Transistors   T1    hervor, weil die Basiselektrode dann nur noch Sperrpotential führt.



   Eine Unterbrechung zwischen dem Verbindungspunkt A und dem Widerstand R5 bzw. zwischen diesem und dem Eingang K4 für das zusätzliche   Versorgungs-    potential hat zur Folge, dass der Transistor   T1    ständig durchgeschaltet bleibt. Dabei werden über den Ausgang K5 ein Dauerpotential und keine Testsignale   ausgege-    ben. Dies ist auch der Fall, wenn eine Unterbrechung zwischen dem Verbindungspunkt A und dem Widerstand R3 bzw. zwischen diesem und dem Verbindungspunkt B erfolgt. In diesen Fällen liegt an der Basiselektrode hohes Steuerpotential.



   Der Transistor   T1    bleibt auch dann ständig gesperrt, wenn eine Unterbrechung zwischen dem Verbindungspunkt B und dem Widerstand C erfolgt. In diesen beiden Fällen reicht die Spannung der Testsignale gegenüber dem sperrend wirkenden zusätzlichen Versorgungspotential am Eingang K4 nicht aus, den Transistor   T1    durchzuschalten.



   Erfolgt eine Unterbrechung an der Basiselektrode des Transistors T1, so fliesst über die Schaltstrecke lediglich ein zu vernachlässigender Reststrom. Es werden daher keine Testsignale ausgegeben. Bricht die Emitterelektrode ab, so fliesst über die Basis-Kollektorstrecke ebenfalls lediglich nur ein zu vernachlässigender Reststrom. Auch dies bedeutet eine Sperrung der Testsignale.



  Eine Unterbrechung in der Kollektorelektrode des Transistors   T1    hat am Ausgang K5 gleichbleibendes hohes Potential zur Folge.



   Bei einer Unterbrechung eines der Anschlüsse des Widerstandes R2 liegt am Ausgang K5 ständig ein um die Durchlassspannung der Basis-Emitterstrecke des Transistors   T1    verringertes Basispotential. Dieses liegt aber dicht über bzw. dicht unter dem Potential der Emitterelektrode. Hierdurch wird zum Beispiel der Transistor eines in der Reihenschaltung folgenden   Üb er-    wachungsgliedes ständig gesperrt. Dies ist auch der Fall, wenn am Punkt C kein Versorgungspotential anliegt. Am Ausgang K5 liegt in diesem Fall das Potential des Verbindungspunktes B.



   Wird der Widerstand R4 kurzgeschlossen, bleibt der Transistor   T1    ständig durchgeschaltet, weil dann an dessen Basiselektrode vom vorhergehenden   tXberwa-    chungsglied bzw. von der   Testsignaiquelle    G zu hohes Potential liegt.



   Ist der Widerstand R5 kurzgeschlossen, so bleibt der Transistor   T1    ständig gesperrt. Dies gilt auch für den Fall, dass der Widerstand R3 überbrückt ist. Eine   Überbrückung    des Widerstandes R2 macht das   Über-    wachungsglied ebenfalls funktionsunfähig, weil dessen Transistor   T1    dann ständig durchgeschaltet bleibt. Der dabei in übernormaler Höhe fliessende Basisstrom zerstört die Basis-Emitterstrecke des Transistors, wodurch zusätzlich die Stromversorgung des betreffenden Überwachungsgliedes kurzgeschlossen wird.



   Wird die Basis-Emitterstrecke überbrückt, so ist der Transistor   T1    nicht mehr steuerbar. Liegt ein Fehler infolge Überbrückung der   Basis-Kollektorstrecke    vor, führt der Ausgang K5 ständig konstantes Potential, weil bei dem angenommenen Fehler eine Parallelschaltung der Widerstände   R1    und R2 vorliegt. Sind alle Elektroden des Transistors T1 miteinander verbunden, so liegt der Ausgang K5 ständig auf tiefem Potential. Ist der Widerstand   R1    überbrückt, dann schlägt die Schaltstrecke des Transistors   T1    infolge Überlastung durch, und der Ausgang K5 führt dauernd hohes Potential.



   Ständig durchgeschaltet bleibt der Transistor   T1    bei einer Querbrücke zwischen dem Verbindungspunkt B und dem Eingang K4 oder zwischen dem Verbindungspunkt A und der Emitterelektrode oder zwischen dem Eingang K3 und dem Verbindungspunkt C.



   Keine Störung hat eine Querbrücke zwischen dem Verbindungspunkt B und dem Eingang K3   zur    Folge.



  Bei einer Querbrücke zwischen dem Verbindungspunkt A und dem Ausgang K5 führt dieser Testsignale so geringer Amplitude, dass das in der Reihenschaltung nachfolgende Überwachungsglied nicht ausgesteuert wird. Wird eine Querbrücke zwischen dem Eingang K3 und dem Ausgang K5 angenommen, so fehlt bei den dann von dem   Überwachungsglied    abgegebenen Ausgangssignalen die im ungestörten Fall durch den Transistor T1 hervorgerufene Invertierung. Dies stellt die Baugruppe   PS1    fest.



   Ständig gesperrt bleibt der Transistor   T1    bei einer Querbrücke zwischen dem Eingang K3 und der Emitterelektrode oder zwischen den Eingängen K3 und K4.



   Veränderungen in der Amplitude der Versorgungsspannung haben ebenfalls eine Sperrung des betreffenden Überwachungsgliedes für die Testsignale zur Folge, weil der Transistor   T1    dann entweder nicht durchgeschaltet oder nicht gesperrt werden kann.



   Fig. 3 zeigt die Schaltungsanordnung eines Verknüpfungsgliedes VE mit einem nachgeordneten Folgeverstärker zum Durchführen der NAND- bzw. NOR Verknüpfung in Abhängigkeit vom Wert eines Prägesignals. Das Verknüpfungsglied besteht aus einem Transistor T2, dessen Kollektorelektrode über einen Widerstand R10 an einem Versorgungspotential liegt, das über den Anschluss   V1    zugeführt wird. Die Emitterelektrode ist mit dem Anschluss; V3 verbunden, über den ein anderes Versorgungspotential zugeführt wird. Die Basiselektrode ist einerseits über einen Widerstand R9 mit dem Anschluss V4 verbunden, der auf demselben zusätzlichen Verworfungspotential wie die Überwachungsglieder liegt.

  Anderseits ist an die Basiselektrode eine aus drei weiteren Widerständen R6, R7 und R8 bestehende Matrix angeschlossen mit zwei Eingängen E10 und E20 für die zu verknüpfenden Schaltvariablen und einem Eingang EP für das Prägesignal.

 

   Der mit seiner Basiselektrode an die Kollektorelektrode des Transistors T2 angekoppelte Transistor T3 arbeitet in Kollektorschaltung. Die Speisung erfolgt über die Anschlüsse   V1    und V3. Als Lastwiderstand dient der Widerstand   Ru 1.   



   Die Diode D5 hat die Aufgabe, bei gesperrtem Transistor T3 an den Ausgang Al das am Anschluss V2 liegende Versorgungspotential niederohmig weiterzuleiten.   Da    der Transistor T3 im durchgeschalteten Zustand ebenfalls niederohmig ungefähr das am Anschluss   V1    anstehende Versorgungspotential an den Ausgang   At    weiterleitet, sind für beide Schaltstellungen des Folgeverstärkers ein sehr kleiner Ausgangswiderstand  und kleine Toleranzbereiche für die am Ausgang liegenden Potentiale gegeben. Hierdurch ist die Möglichkeit vorhanden, weitere Verknüpfungsglieder an den Ausgang Al anzuschliessen, ohne dass eine störende Verkopplung eintritt. Ausserdem ist durch den Folgeverstärker eine hohe Unempfindlichkeit gegen die Einkopplung von etwaigen   Störspannungen    gewährleistet.



   Für eine nähere Betrachtung der Wirkungsweise soll nun zunächst Fig. 4, die in drei Diagrammlinien Z1, Z2 und Z3 eine Darstellung der verwendeten Signale als Schaltvariable und zugehörige Testsignale zeigt, und Fig. 5 sowie 6, die zwei Tabellen mit verschiedenen Kombinationen von Werten der Schaltvariablen sowie verschiedene Werte des Prägesignals enthalten, erläutert werden.



   Die Diagrammlinien   Z1    und Z2 von Fig. 4 zeigen Rechteckspannungen gleicher Frequenz und Amplitude in Abhängigkeit von der Zeit t. Die Rechteckspannung in der Diagrammlinie   Z1    ist als Wert der Schaltvariablen   DO    und die in der nächsten Diagrammlinie Z2 dargestellte, um 1800 gegenüber der ersten Rechteckspannung in der Phasenlage verschobene Rechteckspannung als Wert DL der binären Schaltvariablen definiert. Die Werte der Schaltvariablen unterscheiden sich also nicht wie üblich in der Amplitude, sondern in der Phasenlage.



  Als unveränderliches Prägesignal zum Festlegen des jeweiligen Verknüpfungsglied-Typs dient entweder die eine oder die andere Rechteckspannung. Der Einfachheit halber werden die Werte des Prägesignals ebenfalls mit   DO    oder DL bezeichnet, obwohl keine variablen
Grössen hierunter verstanden werden.



   Die in der Diagrammlinie Z3 dargestellten Testsignale bestehen wie bereits kurz angedeutet, aus einer Rechteckspannung US, deren Frequenz mindestens doppelt so hoch gewählt ist wie diejenige der die Schaltvariable verkörpernden Rechteckspannung. Ausserdem ist ein derartiges Tastverhältnis für die Testsignale vorgesehen, dass diese ausserhalb der Flankenbereiche F der zu verknüpfenden Signale liegen. Hierdurch werden Fehlmeldungen hinsichtlich nicht bestehender Antivalenzstörungen vermieden, weil in den Flankenbereichen F betriebsmässig Antivalenzstörungen infolge unterschiedlichen Schaltverhaltens der Transistoren eines Ver knüpfungsbausteines auftreten können.



   Die Verknüpfung von je zwei Schaltvariablen erfolgt unter Zuhilfenahme eines konstanten Wertes des Präge    signales,    und zwar nach dem Prinzip der Mehrheitsentscheidung durch   Potentialausweftung.    Dabei entspricht der Wert der jeweiligen Verknüpfungsergebnisse der
Mehrheit aus den Werten der zu verknüpfenden Schalt variablen und dem Wert des Prägesignals. Soll das Ver knüpfungsglied nach Fig. 3 als NAND-Glied arbeiten, so wird an den Eingang EP das Prägesignal   DO    gelegt.



   In Abhängigkeit der Werte   DO    und DL der Schalt variablen an den übrigen Eingängen E10 und E20 ist an hand von Fig. 5 zu erkennen, welche Verknüpfungsergeb nisse nach der Mehrheitsentscheidung am Verbindungs punkt X der Widerstandsmatrix R6, R7 und R8 vor liegen. Bis zu diesem Punkt erfolgt eine reine nicht invertierte AND-Verknüpfung. Die erforderliche Inver tierung erfolgt durch den Transistor T2. Da der diesem nachgeschaltete Transistor T3 als Emitterfolgestufe zur
Impedanzwandlung keine nochmalige Invertierung des
Verknüpfungsergebnisses bewirkt, liegt am Ausgang   A 1    das Verknüpfungsresultat eines NAND-Gliedes vor.



   Wenn beide Eingänge E10 und E20 des NAND
Gliedes zum Zeitpunkt tl hohes Potential führen, tritt am Wiederstand R9 eine linear verkleinerte Summe der drei Potentiale auf, die mit der Schwellenspannung der Steuerstrecke des Transistors T2 verglichen wird. Diese Summenspannung reicht in diesem Fall aus, den Transistor T2 durchzuschalten, weil sie grösser als die Schwellenspannung ist. Dabei liegt die Basiselektrode des Transistors T3 auf niedrigem Potential, so dass dieser Transistor gesperrt ist. Am Ausgang   A 1    liegt dann das um die Durchlassspannung der Diode D5 verminderte Versorgungspotential des Anschlusses V2.



   Zum Zeitpunkt t2 kehren sich die Verhältnisse bei gleichen Eingangsbedingungen um. Da dabei alle drei Eingänge   E10,    E20 und EP kein hohes Potential führen, bleibt der Transistor T2 gesperrt. Nun bewirkt das am Anschluss   V1    liegende Versorgungspotential das   Durchschauen    des Transistors T3. Am Ausgang   A 1    liegt dann annähernd das am Anschluss   V1    befindliche Potential. Das Potential am Ausgang Al wechselt bei den angenommenen Schaltvariablen also ungefähr zwischen den Potentialen der Anschlüsse   V1    und V2.



   Zum besseren Verständnis muss noch erwähnt werden, dass, ausgehend vom Versorgungspotential am Anschluss V4 (K4, Fig. 2), die den Anschlüssen V3, V2 und V1 zugeführten Versorgungspotentiale jeweils einen höheren Wert haben; zwischen den Klemmen V4 und   V1    liegt also die höchste Spannung, zwischen V4 und V2 demgegenüber eine kleinere und zwischen V4 und V3 eine noch kleinere Spannung.



   Aus Fig. 6 ist zu ersehen, wie das Verknüpfungsglied nach Fig. 3 bei dem Prägesignal DL arbeitet.



  Der Inhalt dieser Tabelle ist nach den vorangegangenen Erläuterungen ohne weiteres verständlich. Sowohl das NAND-Glied als auch das NOR-Glied geben als Verknüpfungsergebnis über den Ausgang   A 1    entweder den Wert   DO    oder den Wert DL der weiter zu verarbeitenden Schaltvariablen aus. Diese beiden Werte sind in ihrer Amplitude und Frequenz gleich und unterscheiden sich in ihrer Information durch eine Phasenverschiebung von 1800 gegeneinander.



   Werden nun zwei gleiche Verknüpfungsglieder nach Fig. 3, die unter dem Einfluss unterschiedlicher Werte des Prägesignals ein NAND-Glied und ein NOR-Glied darstellen, zusammengefasst, so geben deren beide Ausgänge bei ordnungsgemässem Betrieb stets antivalente Ausgangssignale ab, wenn das eine Verknüpfungsglied mit zwei Schaltvariablen und das andere Verknüpfungsglied mit den entsprechenden antivalenten Schaltvariablen gesteuert wird. Mit anderen Worten würden also den Eingängen E10, E20 und EP des einen Verknüpfungsgliedes zum Beispiel die Grössen DO, DL und   DO    und den Eingängen des anderen Verknüpfungsgliedes die Grössen DL,   DO    und DL zugeführt. Als Verknüpfungsergebnisse liegen hieraus resultierend die antivalenten Schaltvariablen DL und   DO    in Form von phasenverschobenen Rechteckspannungen vor. 

  Zwischen den beiden Ausgängen des Verknüpfungsbausteines liegt bei ordnungsgemässem Betrieb daher eine Rechteckspannung, deren Polarität sich nach jeder Halbperiode einmal ändert. Diese Spannung wird mit Hilfe des beschriebenen   Überwachungsgliedes    überwacht.



   Nachfolgend soll gezeigt werden, dass jegliche Störung eines Verknüpfungsgliedes zur Störung der ausgangsseitigen Antivalenz des betreffenden Verknüpfungsbausteines führt, wodurch eine sichere   tXberwa-    chung möglich ist.



   Wird einer der Eingänge   E10,    E20 oder EP unterbrochen oder reisst einer der Widerstände R6, R7 oder   R8 ab, so bleibt der Transistor T2 dauernd gesperrt; der Ausgang Al führt dann konstantes Potential. Hierbei wird die Spannung an den beiden Ausgängen während jeder zweiten Halbperiode der Rechteckspannung zu Null. Eine Unterbrechung des   Easisanschlusses    vom Transistor T2 führt zu einem konstanten hohen Potential am Ausgang A1. Bei einer Unterbrechung zwischen dem Verbindungspunkt X und dem Widerstand R9 bleibt der Transistor T2 unter Berücksichtigung aller möglichen Kombinationen von zugeführten Schaltvariablen durchgeschaltet. Hierbei liegt der Ausgang Al stets auf konstantem niedrigem Potential.

  Bei einer Unterbrechung zwischen der Emitterelektrode des Transistors T2 und dem Anschluss V3 stellt sich am Ausgang Al konstantes hohes Potential ein, weil die Basis Kollektordiode vom Transistor T2 unter allen Umständen ständig gesperrt und der Transistor T3 durchgeschaltet bleibt. Reisst der Kollektoranschluss des Transistors T2 ab, so bleibt der Transistor T3 ständig durchgeschaltet. Die Folge davon ist ein konstantes Potential am Ausgang Al.



   Eine Unterbrechung am Basisanschluss des Transistors T3 hat ebenfalls die Antivalenzstörung zur Folge, da der Ausgang Al dann konstantes Potential führt.



   Wird die   Basis-Emitterstreclce    des Transistors T2 überbrückt, so bleibt die Basis-Kollektordiode dieses Transistors ständig gesperrt. Hierdurch bleibt der Transistor T3 ständig durchgeschaltet. Bei einer   Überbrük-    kung der Kollektor-Emitterstrecke des Transistors T2 bleibt der nachgeschaltete Transistor T3 ständig gesperrt. Eine Überbrückung der Basis-Kollektorstrecke des Transistors T2 oder eine Verbindung aller drei Elektroden dieses Transistors führt ebenfalls zur Ausgabe eines konstanten Potentials am Ausgang A1.



   Wird einer der Widerstände R6 bzw. R7 oder R8 überbrückt, bleibt der Transistor T2 ständig durchgeschaltet und der Transistor T3 daher gesperrt. Bei einer Überbrückung des Widerstandes R9 liegt das zusätzliche Versorgungspotential des Anschlusses V4 direkt an der Basiselektrode des Transistors T2. Hierdurch wird die Basis-Emitter-Spannung stark negativ.



  Dann bleibt der Transistor T2 ständig gesperrt. Es kann allerdings auch vorkommen, dass die Basis-Emitterstrecke infolge dieser hohen Sperrspannung durchschlägt. In diesem Fall entsteht zwischen den Versorgungspotentialen an den Anschlüssen V3 und V4 ein Kurzschluss, der zu einer zentralen Abschaltung führt.



   Durch eine   Überbrückung    des Widerstandes R10 bleibt der Transistor T3 ständig durchgeschaltet und ist daher nicht mehr steuerfähig. Reisst die Emitterelektrode des Transistors T3 ab, so fliesst ständig ein Strom über die Diode D5 und den Widerstand   Rl 1,    so dass am Ausgang A1 ein konstantes Potential liegt. Erfolgt eine Unterbrechung in den Anschlüssen des Widerstandes   R 11,    so ergibt sich kein Einfluss auf die Funktionsfähigkeit des Verknüpfungsgliedes. Erfolgt eine   Über-    brückung von Basis- und Kollektorelektrode des Transistors T3, so liegt die Basiselektrode ständig auf dem an dem Anschluss   V1    befindlichen Potential, so dass der Transistor T3 durchgeschaltet ist. Der Ausgang Al führt dann Dauerpotential.

  Beim Durchschalten des Transistors T2 tritt dadurch ein Kurzschluss auf, der zur zentralen Abschaltung führt.



   Sind die Kollektor- und die Emitterelektrode des Transistors T3 miteinander verbunden, so liegt der Ausgang Al ständig auf dem hohen Potential des Anschlusses V1. Dies ist auch der Fall, wenn infolge eines Defektes alle drei Elektroden dieses Transistors miteinander verbunden sind. Bei einer   Überbrückung    der Diode D5 liegt der Ausgang Al ständig auf dem an dem Anschluss V2 befindlichen Potential. Wird der Widerstand   Rl 1    kurzgeschlossen, so liegt an dem Ausgang A1 dasselbe konstante Potential wie an der Emitterelektrode des Transistors T2, das durch die Diode D5 jedoch kurzgeschlossen wird.



   Diese Untersuchungen, die noch auf viele andere anzunehmende Fehler ausgedehnt werden können, führen mindestens zu dem Ergebnis, dass die Antivalenz der Ausgangsgrössen des betreffenden   Verknüpfungs-    bausteines gestört wird. Jeder auftretende Fehler kann also rechtzeitig festgestellt werden.



   Fig. 7 zeigt der Vollständigkeit halber einen Ver   lcnüpfungsbaustein    mit zwei Verknüpfungsgliedern und dem zugehörigen   Überwachungsglied,    die im vorstehenden Text eingehend erläutert wurden. Bei diesem Verknüpfungsbaustein dienen die Anschlüsse V101,   V201,    V301 und   V401    zum Zuführen der   Versorgungspoten-    tiale. Die Eingänge für die Prägesignale sind mit EP1 und EP2, die zugehörigen Eingänge für die Schaltvariablen mit E101,   E201    bzw. E301 und E401 bezeichnet. Als Ausgänge der beiden Verknüpfungsglieder dienen die mit A101 und   A201    bezeichneten Klemmen.



  Die mit den Bezugszeichen K301 und K501 versehenen Anschlüsse des   Verlrnüpfungsbausteines    sind der Eingang bzw.   Ausgang    des   Überwachungsgliedes.   

 

   Zum Weiterleiten der antivalenten Signale wird in vorteilhafter Weise eine Doppelleitung mit eng aneinander liegenden Leitern verwendet. Da die Summe der in den beiden Leitern fliessenden Ströme zu jedem Zeitpunkt annähernd konstant ist, entsteht nur ein sehr kleines elektrisches und magnetisches Störfeld.



   Die Erfindung ist nicht auf die dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr ist es durchaus möglich, in dem   Überwachungsglied    anstelle der Gleich   richterschaltnng    und des Transistorschalters andere gleichwirkende elektronische Bauelemente zu verwenden. Ferner können Verknüpfungsglieder verwendet werden, die mehr als zwei Eingänge für Schaltvariable aufweisen. 

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH
    Schaltungsanordnung mit logischen Verknüpfungselementen, insbesondere für das Eisenbahnsicherungs- wesen, mit wenigstens einem Verknüpfungsbaustein, der als Verknüpfungsglieder je ein NAND-Glied und ein NOR-Glied mit je einem Ausgang enthält, für binäre Schaltvariable und deren antivalente Schaltvariable in Form von rechteckförmigen digitalen Signalen mit vorgegebener Folgefrequenz, dadurch gekennzeichnet, dass an die Ausgänge (All, A12, Fig. 1) der beiden Verknüpfungsglieder (VEl 1, VE12) als Überwachungsglied (SR1, Fig. 1;
    SR, Fig. 2) eine Gleichrichterbrücke (D1 bis D4) angeschlossen ist, deren Ausgangsspannung als Versorgungsspannung für die Schaltstrecke eines elektronischen Schalters (T1) dient, für dessen Steuerstrecke rechteckförmige digitale Testsignale mit mindestens der doppelten vorgegebenen Folgefrequenz vorgesehen sind, die ausserhalb des Flankenbereiches (F, Fig. 4) der digitalen Signale liegen.
    UNTERANSPRÜCHE 1. Schaltungsanordnung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem Überwachungsgiied (SR, Fig. 2) die Emitterelektrode eines Transistorschal ters (T1) unmittelbar und die Kollektorelektrode über einen ersten Widerstand (R1) an die Gleichrichíer- brücke (D1 bis D4) angeschlossen ist, dass die Basiselektrode über einen zweiten Widerstand (R2) wie die Kollektorelektrode mit der Gleichrichterbrücke verbunden und über einen dritten Widerstand (R3) an einen aus einem vierten und fünften Widerstand (R4, R5) bestehenden Spannungsteiler gelegt ist, wobei an den als Eingang (K3) dienenden vierten Widerstand (R4) die Testsignale und an den fünften Widerstand (R5) ein zusätzliches Versorgungspotential gelegt ist.
    2. Schaltungsanordnung nach Patentanspruch und Unteranspruch 1 mit mehreren Verknüpfungsbausteinen, dadurch gekennzeichnet, dass die den Verknüpfungsbausteinen (VE1, VE2, VE3, Fig. 1) zugeordneten Überwachungsglieder (SR1, SR2, SR3) eine Reihenschaltung bilden, bei der jeweils der Ausgang eines Überwachungsgliedes mit dem Eingang (K3, Fig. 2) des in der Reihenschaltung folgenden tZberwachungs- gliedes verbunden ist, wobei an das erste Überwachungsglied (SR1) der Reihenschaltung eine Testsignalquelle (G) für die Testsignale und an das letzte Überwachungsglied (SR3) eine dessen Ausgangssignale auf Amplitude und Phasenlage gegenüber den Testsignalen überwachende Baugruppe (po1) angeschlossen ist.
    3. Schaltungsanordnung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass als Schaltvariable Rechteckspannungen (DO,1DL, Fig. 4) gleicher Frequenz und Amplitude dienen, wobei sich die beiden Werte der Schaltvariablen durch einen Phasenunterschied von 1800 unterscheiden, dass jedes der beiden Verknüpfungsglieder (VE 11, VE12) eines Verknüpfungsbausteines (VE1) aus einem Transistor (T2, Fig.
    3) besteht, dessen Kollektorelektrode über einen ersten Widerstand (R10) an einem Versorgungspotential und dessen Emitterelektrode an einem anderen Versorgungspotential liegt und dessen Basiselektrode einerseits über einen zweiten Widerstand (R9) an dem zusätzlichen Versorgungspotential der Überwachungsglieder liegt und an die anderseits eine aus drei Widerständen (R6, R7, R8) bestehende Matrix angeschlossen ist mit zwei Eingängen (E10, E20) für die zu verknüpfenden Schaltvariablen und einen Eingang (EP) für ein Prägesignal, das die gleiche Frequenz und Amplitude wie die Rechteckspannungen hat und je nach dem das betreffende Verknüpfungsglied als NAND-Glied oder NOR-Glied dient, ständig die eine bzw. die andere Phasenlage der Schaltvariablen aufweist.
    4. Schaltungsanordnung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens die beiden Verknüpfungsglieder einschliesslich je eines Folgeverstärkers und des zugehörigen Überwachungsgliedes als ein Baustein in integrierter Schaltkreistechnik ausgeführt sind (Fig. 7).
    5. Schaltungsanordnung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass zum Weiterleiten der antivalenten Signale eine Doppelleitung mit eng aneinander liegenden Leitern dient.
CH1241868A 1967-09-22 1968-08-19 Schaltungsanordnung mit logischen Verknüpfungselementen, insbesondere für das Eisenbahnsicherungswesen CH494667A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1537379 1967-09-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH494667A true CH494667A (de) 1970-08-15

Family

ID=5675899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1241868A CH494667A (de) 1967-09-22 1968-08-19 Schaltungsanordnung mit logischen Verknüpfungselementen, insbesondere für das Eisenbahnsicherungswesen

Country Status (2)

Country Link
AT (1) AT281913B (de)
CH (1) CH494667A (de)

Also Published As

Publication number Publication date
AT281913B (de) 1970-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1591223C3 (de) Automatische Prüfeinrichtung für schnell schaltende, elektronische Schaltkreise
DE1537379C3 (de) Sicherheitsschaltung zum Durchführen logischer Verknüpfungen für binäre Schaltvariable und deren antivalente Schaltvariable
DE4422264A1 (de) Schaltungsanordnung zum Überwachen eines Schaltungspunktes auf einen Leckwiderstand
CH494667A (de) Schaltungsanordnung mit logischen Verknüpfungselementen, insbesondere für das Eisenbahnsicherungswesen
DE2125940C3 (de) Schaltungsanordnung zur betriebssicheren Verstärkung einer regelmäßigen Impulsfolge
EP0332055B1 (de) Schaltungsanordnung zum Erkennen fehlerhafter Pegelzustände digitaler Signale, die auf eine Busleitung eingespeist werden
DE2002578C3 (de) Multistabile Schaltung
DE102019127798A1 (de) Elektronische schaltung mit zwei spannungsversorgungsschaltungen
DE2208636A1 (de) Triggerschaltung
DE2703903C2 (de) Master-Slave-Flipflopschaltung
DE1271778B (de) Elektronische Schaltungsanordnung zum Nachweis von Stoerungen von Verstaerkern und Umschaltanordnung auf gleichartige Ersatzgeraete
DE102013113474B3 (de) Verbindungseinrichtung, Verfahren zu deren Betrieb sowie Buskommunikationsvorrichtung
DE1588410C3 (de) Schaltungsanordnung zur fehlersicheren Überwachung des Schaltzustandes mindestens zweier Schaltstrecken
DE4409287C1 (de) Schaltung zur fehlersicheren Relaisansteuerung für elektronische Schaltungen
DE3623470C2 (de)
DE2313186C3 (de)
DE2548157C2 (de) Anordnung zur Impulsregeneration
DE3124073C2 (de) Verfahren und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens zur digitalen Überwachung von definierten Stromzuständen oder diesen proportionalen Spannungsabfällen
DE2521245B2 (de) Schaltungsanordnung für ein zweikanaliges Sicherheitsschaltwerk mit antivalenter Signalverarbeitung
DE2548105C2 (de) Anordnung zur Impulsregeneration
EP0410117A2 (de) Verfahren zur Erhöhung der Sicherheit der Signalübertragung in Gleisstromkreisen sowie Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens
DE2548071C2 (de) Anordnung zur Impulsregeneration
DE1537898C (de) Prüfeinrichtung fur eine mehrere Kop pelstufen umfassende Koppelanordnung
DE2046945C (de) Elektronische Schalteinrichtung
DE2438257B1 (de) Schaltungsanordnung zur überwachung eines binären Signalgebers

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased