CH449122A - Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung und nach dem Verfahren hergestellte Halbleiterschaltung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung und nach dem Verfahren hergestellte Halbleiterschaltung

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CH449122A
CH449122A CH933666A CH933666A CH449122A CH 449122 A CH449122 A CH 449122A CH 933666 A CH933666 A CH 933666A CH 933666 A CH933666 A CH 933666A CH 449122 A CH449122 A CH 449122A
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CH
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semiconductor circuit
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produced
integrated
integrated semiconductor
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CH933666A
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Neil Tucker Thomas
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Dow Corning
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1066911A (en) * 1965-01-01 1967-04-26 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor devices
US3488834A (en) * 1965-10-20 1970-01-13 Texas Instruments Inc Microelectronic circuit formed in an insulating substrate and method of making same
US3423651A (en) * 1966-01-13 1969-01-21 Raytheon Co Microcircuit with complementary dielectrically isolated mesa-type active elements
US3440498A (en) * 1966-03-14 1969-04-22 Nat Semiconductor Corp Contacts for insulation isolated semiconductor integrated circuitry
US3471922A (en) * 1966-06-02 1969-10-14 Raytheon Co Monolithic integrated circuitry with dielectric isolated functional regions
NL6705847A (Sortimente) * 1967-04-26 1968-10-28
US3571919A (en) * 1968-09-25 1971-03-23 Texas Instruments Inc Semiconductor device fabrication
US3838441A (en) * 1968-12-04 1974-09-24 Texas Instruments Inc Semiconductor device isolation using silicon carbide
US4032950A (en) * 1974-12-06 1977-06-28 Hughes Aircraft Company Liquid phase epitaxial process for growing semi-insulating gaas layers
JP2773474B2 (ja) * 1991-08-06 1998-07-09 日本電気株式会社 半導体装置
US5726463A (en) * 1992-08-07 1998-03-10 General Electric Company Silicon carbide MOSFET having self-aligned gate structure

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL283619A (Sortimente) * 1961-10-06

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