CH431725A - Halbleitervorrichtung mit einem einkristallinen Körper aus Halbleitergrundmaterial, in welchen Zonen für mindestens zwei Schaltungselemente gebildet sind, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit einem einkristallinen Körper aus Halbleitergrundmaterial, in welchen Zonen für mindestens zwei Schaltungselemente gebildet sind, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung

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Country Status (6)

Country Link
BE (1) BE640440A (enrdf_load_stackoverflow)
CH (1) CH431725A (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE1439193B2 (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1058067A (enrdf_load_stackoverflow)
NL (2) NL142529B (enrdf_load_stackoverflow)
SE (2) SE355269B (enrdf_load_stackoverflow)

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DE1439193B2 (de) 1970-09-10
SE316236B (enrdf_load_stackoverflow) 1969-10-20
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SE355269B (enrdf_load_stackoverflow) 1973-04-09
BE640440A (enrdf_load_stackoverflow) 1964-05-26
GB1058067A (en) 1967-02-08
DE1439193A1 (de) 1969-06-04
NL298778A (enrdf_load_stackoverflow)

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