CH406438A - Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem durch Legieren hergestellten pn-Übergang - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem durch Legieren hergestellten pn-Übergang

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CH406438A
CH406438A CH1115762A CH1115762A CH406438A CH 406438 A CH406438 A CH 406438A CH 1115762 A CH1115762 A CH 1115762A CH 1115762 A CH1115762 A CH 1115762A CH 406438 A CH406438 A CH 406438A
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producing semiconductor
semiconductor arrangements
junction produced
junction
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CH1115762A
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Dorendorf Heinz Dr Dipl-Phys
Ottmann Alfred Dipl-Geophys
Wild Otto
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Siemens Ag
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CH1115762A 1961-10-09 1962-09-21 Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem durch Legieren hergestellten pn-Übergang CH406438A (de)

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DES76191A DE1180852B (de) 1961-10-09 1961-10-09 Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen mit wenigstens einem durch Legieren erzeugten pn-UEbergang

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CA563722A (en) * 1953-12-31 1958-09-23 N.V. Philips Gloeilampenfabrieken Semiconductor junction electrodes and method
FR1197815A (fr) * 1957-01-11 1959-12-03 Thomson Houston Comp Francaise Perfectionnements aux méthodes de formation de contacts d'aluminium sur des piècesde silicium semi-conducteur
NL229943A (OSRAM) * 1957-08-01
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