CH392696A - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit p-n-Übergang, welcher mit einer Lackschutzschicht versehen ist - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit p-n-Übergang, welcher mit einer Lackschutzschicht versehen ist

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Publication number
CH392696A
CH392696A CH23560A CH23560A CH392696A CH 392696 A CH392696 A CH 392696A CH 23560 A CH23560 A CH 23560A CH 23560 A CH23560 A CH 23560A CH 392696 A CH392696 A CH 392696A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
junction
producing
semiconductor device
lacquer layer
protective lacquer
Prior art date
Application number
CH23560A
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German (de)
English (en)
Inventor
Jaentsch Ottomar Dr Dipl-Phys
Matil Barbara
Original Assignee
Siemens Ag
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Filing date
Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/131Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
CH23560A 1959-01-21 1960-01-11 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit p-n-Übergang, welcher mit einer Lackschutzschicht versehen ist CH392696A (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1959S0061433 DE1248810C2 (de) 1959-01-21 1959-01-21 Halbleiterbauelement mit Lackschutzschicht

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Publication Number Publication Date
CH392696A true CH392696A (de) 1965-05-31

Family

ID=37436691

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Application Number Title Priority Date Filing Date
CH23560A CH392696A (de) 1959-01-21 1960-01-11 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit p-n-Übergang, welcher mit einer Lackschutzschicht versehen ist

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CH (1) CH392696A (https=)
DE (1) DE1248810C2 (https=)
FR (1) FR1291525A (https=)
GB (1) GB889318A (https=)
NL (2) NL247076A (https=)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1764738B1 (de) * 1968-07-27 1970-09-24 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit einem UEberzug aus bleihaltigem Isolierstoff am pn-UEbergang

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1764738B1 (de) * 1968-07-27 1970-09-24 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit einem UEberzug aus bleihaltigem Isolierstoff am pn-UEbergang

Also Published As

Publication number Publication date
NL127388C (https=) 1900-01-01
DE1248810B (https=) 1967-08-31
FR1291525A (fr) 1962-04-27
GB889318A (en) 1962-02-14
DE1248810C2 (de) 1968-03-14
NL247076A (https=) 1900-01-01

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