BRPI0912414B1 - composição polimérica semicondutora, uso da mesma e cabo de energia - Google Patents

Abstract

composição polimérica semicondutora, uso da mesma e cabo de energia a presente invenção se refere a uma composição polimérica semicondutora, tendo características de extração de fácil controle, especialmente para um cabo de energia elétrica. a composição polimérica semicondutora compreende um copolímero de etileno compreendendo unidades comonoméricas polares, em que a proporção das unidades comonoméricas polares no copolímero de etileno é igual ou superior a 10% em peso, com base no peso total do copolímero de etileno, um copolímero de olefina compreendendo unidades monoméricas de propileno, e unidades monoméricas de uma alfa-olefina, tendo pelo menos 4 átomos de carbono, em que o copolímero de olefina tem um ponto de fusão igual ou inferior a 110ºc, e negro de fumo em uma proporção de 10 a 50% em peso, com base no peso total da composição polimérica semicondutora, em que o copolímero de olefina (b) é preparado por uso de um catalisador de polimerização de metaloceno. a composição proporciona uma capacidade de extração aperfeiçoada e um perfil de ambas as propriedades mecânicas e elétricas otimizado.

Description

COMPOSIÇÃO POLIMÉRICA SEMICONDUTORA, USO DA MESMA E CABO DE ENERGIA

[0001] A presente invenção se refere a uma composição polimérica semicondutora tendo características de extração de fácil controle, especialmente para um cabo de energia elétrica. A presente invenção se refere ainda ao uso dessa composição polimérica semicondutora e de um cabo de energia elétrica compreendendo pelo menos uma camada compreendendo a dita composição polimérica semicondutora.

[0002] Os cabos de energia elétrica para voltagens médias a altas incluem, normalmente, um ou mais condutores metálicos circundados por um material isolante, como um material polimérico, tal como um polímero de etileno.

[0003] Em cabos para energia, o condutor elétrico é usualmente revestido com uma camada semicondutora interna, seguida por uma camada isolante, depois uma camada semicondutora externa, seguida por camada opcionais, tais como camadas de barreira de água na parte externa, opcionalmente, uma camada bainha. As camadas do cabo são comumente baseadas em diferentes tipos de polímeros de etileno.

[0004] A camada isolante e as camadas semicondutoras consistem normalmente de homo- e/ou copolímeros de etileno, que são, de preferência, reticulados. LDPE (polietileno de baixa densidade, isto é, polietileno preparado por polimerização radicalar a uma alta pressão) reticulado por adição de peróxido, por exemplo, peróxido de dicumila, em conjunto com a extrusão do cabo, se tornou, recentemente, o material de isolamento de cabo predominante. A camada semicondutora interna compreende, normalmente, um copolímero de etileno, tais como um copolímero de etileno - acetato de vinila (EVA), copolímero de etileno - acrilato de metila (EMA), copolímero de etileno - acrilato de etila (EEA) e copolímero de etileno - acrilato de butila (EBA). A composição da camada semicondutora externa difere, dependendo de se precisa ser extraível ou não.

[0005] Um conceito comum para a produção de uma camada semicondutora, extraível de uma camada isolante usualmente apoiar, é aumentar a polaridade da camada semicondutora. Isso é feito, por exemplo, por adição de borracha de acrilonitrila - butadieno (NBR) altamente polar à composição semicondutora, que compreende ainda, por exemplo, um copolímero de etileno, tal como um copolímero de etileno - acetato de vinila (EVA), e negro de fumo suficiente, para produzir a composição semicondutora.

[0006] Como um exemplo de uma composição extraível, deve-se mencionar ao pedido de patente EP-B1-0 420 271, que descreve uma composição de blindagem isolante semicondutora para cabos elétricos, que, com base no peso total da composição, consiste essencialmente em: (A) 40 - 64% em peso de um copolímero de etileno - acetato de vinila com 27 - 45% de acetato de vinila; (B) 5 - 30% em peso de um copolímero de acrilonitrila butadieno com 25 - 55% de acrilonitrila; (C) 25 - 45% em peso de negro de fumo tendo uma área superficial de 30 - 60 m2/g; e (D) 0,2 - 2,5% em peso de um agente de reticulação de peróxido orgânico. Além disso, a composição pode incluir 0,05 - 3% em peso de aditivos convencionais.

[0007] Como outro exemplo de composições semicondutoras extraiveis para cabos elétricos do estado da técnica, deve-se mencionar ao pedido de patente US-A-4.286.023, que descreve uma composição polimérica para cabos elétricos, compreendendo: (A) um copolimero de etileno selecionado do grupo consistindo de copolimeros de etileno - acrilato de alquila contendo cerca de 15 - 45% em peso de acrilato de alquila, o dito acrilato de alquila sendo selecionado do grupo consistindo de ésteres alquilicos de 1 a 8 átomos de carbono de ácido (met)acrílico, tais como acrilato de metila, acrilato de etila, metacrilato de metila, acrilato de butila, acrilato de 2-etilhexila e assemelhados, e copolímeros de etileno - acetato de vinila contendo cerca de 15 - 45% em peso de acetato de vinila; (B) um copolímero de butadieno - acrilonitrila (borracha nitrílica) contendo cerca de 10 - 50% em peso de acrilonitrila; (C) negro de fumo condutor; e (D) um agente de reticulação de peróxido, em que a razão ponderai A:B = 1:9 a 9:1; C: (A + B) = 0,1 a 1,5, e D está presente em uma proporção de 0,2 - 5% em peso da composição total.

[0008] Embora as composições do estado da técnica para camadas semicondutoras em cabos elétricos sejam satisfatórias para muitas aplicações, há sempre um desejo para aperfeiçoar as suas características e eliminar ou reduzir quaisquer desvantagens que possam existir.

[0009] Além do mais, o pedido de patente internacional WO 99/20690 descreve uma composição semicondutora interna para cabos elétricos, que, com base no peso total da composição, compreende: (a) 30 - 90% em peso de um copolímero de etileno; (b) negro de fumo para produzir a composição semicondutora; (c) 0 - 8% em peso de um agente de reticulação de peróxido; e (d) 0 - 8% em peso de aditivos convencionais, em que o copolímero de etileno (a) é um copolímero de etileno (met) acrilato de metila. É relatado que o uso de EMA aperfeiçoa a termoestabilidade do copolímero polar e da composição contendo o mesmo. Desse modo, a composição pode ser aquecida a temperaturas mais altas, por exemplo, durante combinação e reticulação em outras composições conhecidas.

Consequentemente, uma maior taxa de produção, durante a combinação, e uma maior velocidade de linha, durante a produção de cabo, são possíveis.

[0010] É o objeto da presente invenção proporcionar uma nova composição de poliolefina semicondutora, adequada para uma camada semicondutora de um cabo de energia, que é extraível e que permite um fácil ajuste das suas características de extração, de acordo com as necessidades específicas.

[0011] Além do mais, é um outro objeto da presente invenção proporcionar uma composição copolimérica semicondutora extraível, que é facilmente processável, que tem suficientes estabilidade termooxidante e consistência de combinação, e tem propriedades de manuseio aperfeiçoadas.

[0012] Os objetos mencionados acima são alcançados pela presente invenção, proporcionando uma composição polimérica semicondutora, compreendendo: (A) um copolímero de etileno compreendendo unidades comonoméricas polares, em que a proporção das unidades comonoméricas polares no copolímero de etileno é igual ou superior a 10% em peso, com base no peso total do copolímero de etileno; (B) um copolímero de olefina compreendendo unidades monoméricas de propileno e unidades monoméricas de uma alfa-olefina tendo pelo menos 4 átomos de carbono, em que o copolímero de olefina tem um ponto de fusão igual ou inferior a 110°C; e (C) negro de fumo em uma proporção de 10 a 50% em peso, com base no peso total da composição polimérica semicondutora, em que o copolímero de olefina (B) é preparado por uso de um catalisador de polimerização de metaloceno.

[0013] Além do mais, a presente invenção proporciona um cabo de energia, que compreende um condutor, uma camada isolante e pelo menos uma camada semicondutora, em que a pelo menos uma camada semicondutora compreende a composição polimérica semicondutora, como mencionado acima.

[0014] No estado da técnica, é conhecimento comum que para essa camada semicondutora extraível, adjacente a uma camada isolante, usualmente constituída de uma outra composição apoiar, por exemplo, uma composição de polietileno, uma composição polimérica comparativamente polar vai ser usada, de modo a facilitar a extração.

[0015] Verificou-se, surpreendentemente, que contrário às expectativas na técnica, uma composição de olefina, definida na presente invenção, é altamente adequada em uma camada semicondutora de um cabo de energia, para permitir a fácil extração da camada semicondutora de uma camada isolante adjacente. Além do mais, a capacidade de extração da composição semicondutora da invenção pode ser facilmente ajustada, de acordo com, por exemplo, diferentes padrões industriais.

[0016] Ainda mais, é uma vantagem da presente invenção que a composição semicondutora não compreende NBR, que tem uma consistência similar a uma goma de mascar, e, desse modo, acentua os problemas de manuseio e dosagem. Usualmente, a NBR é produzida e transportada em grandes atados, que devem, antes da combinação, ser granulados ou cortados em pedaços menores em uma etapa de processamento especial. Portanto, o uso de NBR é inconveniente para a alimentação contínua dela no misturador de combinação.

[0017] O copolímero de olefina, usado na presente invenção, pode ser facilmente manuseado, por exemplo, na forma de pelotas, e pode ser facilmente dosado por formação da composição, sem qualquer etapa de processamento de granulação ou corte especial. Por conseguinte, o processo de combinação e a consistência da combinação, e, consequentemente, a consistência do produto são muito aperfeiçoados por substituição da NBR.

[0018] Também, as propriedades termooxidantes da composição são também aperfeiçoadas, o que provoca menos degradação por processamento. A NBR contém muitas duplas-ligações, que reagem facilmente com o oxigênio no ar, durante a etapa de combinação, resultando em degradação termooxidante, que pode resultar em formação de caroços na composição final. O copolímero de olefina contém um número limitado de duplas-ligações e não é fácil de oxidar, o que provoca menos degradação por processamento e em um produto mais consistente. Alternativamente, as propriedades termooxidantes aperfeiçoadas podem ser utilizadas por uso de uma temperatura de processamento mais alta, por exemplo, uma maior produtividade na máquina de combinação.

[0019] Finalmente, o copolímero de olefina combina melhor com uma resina de base, durante a combinação, acarretando uma formulação mais simples, que apresenta, substancialmente, uma menor pegajosidade. Em uma composição contendo NBR muito pegajosa, um agente compatibilizante, lubrificantes como ceras, estearatos ou silicones etc., e um agente separador são necessários para a obtenção de uma composição de escoamento livre final homogênea. Quando do uso do copolímero de olefina na composição de acordo com a presente invenção, essas desvantagens, devido à pegajosidade da NBR, são superadas, desse modo, os aditivos mencionados acima podem ser omitidos ou suas proporções podem ser reduzidas.

[0020] A invenção é caracterizada, entre outros, por uso de um catalisador de polimerização de metaloceno na preparação do copolímero de olefina (B) . Verificou-se, surpreendentemente, que a seleção inventiva de um catalisador de polimerização de metaloceno proporciona propriedades mecânicas superiores, bem como propriedades de processamento da composição polimérica semicondutora final.

[0021] Com o uso de um catalisador de polimerização de metaloceno, ficou, surpreendentemente, possível aperfeiçoar o perfil de propriedades de uma composição polimérica semicondutora extraível, comparada com a composição polimérica semicondutora preparada por um catalisador Ziegler convencional. Em particular, a janela de processamento de manufatura de cabo térmico é muito mais alta, quando do uso de um catalisador de metaloceno. Desse modo, a temperatura de processamento pode ser suficientemente baixa, para evitar geração de queima, devido à decomposição do peróxido, e suficientemente alta, para proporcionar uma homogeneização superior do banho líquido, de modo a garantir um banho líquido de formação elástica, que apresenta uma excelente lisura superficial para a composição polimérica. A homogeneização do banho líquido superior pode ser obtida, de preferência, por uma temperatura do banho líquido em uma extrusora superior a 25°C, acima do ponto de fusão do componente polimérico compreendendo o ponto de fusão mais alto.

[0022] Um catalisador de metaloceno baixa ainda mais o ponto de amolecimento Vicat do copolímero de olefina (B) obtido, garante uma distribuição uniforme dos comonômeros e uma distribuição de pesos moleculares (Mw/Mn) estreita, cujos parâmetros contribuem para o perfil de propriedades aperfeiçoado descrito acima.

[0023] A composição polimérica semicondutora inventiva também necessita de menos auxiliares de processamento, tais como cera, agente separador (agente antiformação de torta), em comparação com as composições compreendendo NBR. Devido à menor pegajosidade das composições poliméricas inventivas, em comparação com as composições extraiveis convencionais, usando NBR como um componente, as novas composições da presente invenção podem ser extraídas a temperaturas mais altas de até pelo menos 75°C, sem quaisquer problemas na capacidade de extração com forças de extração comparativamente baixas. Além do mais, as pelotas poliméricas podem ser produzidas, que não ficam grudadas entre si, mesmo em temperaturas de até 70°C. Os auxiliares de processamento e os agentes separadores mencionados acima, que são indispensáveis nas composições contendo NBR, podem ser, desse modo, omitidos.

[0024] De preferência, o copolímero de olefina (B), na composição semicondutora, compreende 40% em peso ou menos, particularmente, compreende 30% em peso ou menos de unidades monoméricas de uma alfa-olefina, tendo pelo menos 4 átomos de carbono. É ainda preferível que o copolímero de olefina (B) compreende 5% em peso ou mais de unidades monoméricas de uma alfa-olefina tendo pelo menos 4 átomos de carbono.

[0025] A alfa-olefina para incorporar uma ou mais unidades monoméricas no copolímero de olefina (B) pode ser, de preferência, selecionada do grupo consistindo de buteno, penteno, hexeno, hepteno, octeno, noneno e decadieno.

[0026] O copolímero de olefina (B) pode também incorporar, além da alfa-olefina, uma unidade monomérica de etileno, com um teor preferido inferior a 10%.

[0027] A unidade de propileno pode estar, de preferência, contida no copolímero de olefina (B) em uma proporção igual ou superior a 50% em peso, particularmente, em uma proporção de 7 0 a 90% em peso, com base no peso total do copolímero de olefina (B).

[0028] Em uma concretização preferida, o copolímero de olefina consiste em unidades monoméricas de propileno e buteno.

[0029] O ponto de fusão do copolímero de olefina é igual ou inferior a 110°C.

[0030] Além do mais, o ponto de fusão do copolímero de olefina (B) é, de preferência, igual ou inferior a 100°C, particularmente, igual ou inferior a 90°C, e, especialmente, igual ou inferior a 85°C ou 75°C. O ponto de fusão do copolímero de olefina (B) não precisa ser, de preferência, inferior a uma faixa de 50 a 55°C.

[0031] De preferência, a composição semicondutora compreende o copolímero de olefina (B), em uma proporção igual ou superior a 3% em peso, particularmente, igual ou superior a 5% em peso, e, especialmente, igual ou superior a 10% em peso.

[0032] Além do mais, a composição semicondutora compreende, de preferência, o copolímero de olefina (B), em uma proporção igual ou inferior a 45% em peso, particularmente, igual ou inferior a 35% em peso, e, especialmente, igual ou inferior a 25% em peso. De acordo com as concretizações preferidas da invenção, o copolímero de olefina (B) pode estar contido em uma proporção de 10 a 45% em peso, ou de 5 a 15% em peso do peso total da composição polimérica.

[0033] A taxa de escoamento em fusão MFR2, medida a 230°C, do copolímero de olefina (B) é, de preferência, de 0,5 a 50 g/10 min, particularmente, é de 3 a 35 g/10 min.

[0034] Em uma concretização da composição semicondutora da invenção, o copolímero de olefina compreende ou consiste de um copolímero de propileno, de preferência, um copolímero de propileno aleatório. 0 copolímero de propileno pode compreender uma matriz de copolímero de propileno aleatório, com uma fase de borracha dispersa, tal como uma borracha de propileno - alfa-olefina. Um exemplo é uma borracha de propileno - buteno. 0 copolímero de propileno pode também compreender um terpolímero à base de olefina, tal como um terpolímero de propileno - etileno - alfa-olefina. Um exemplo é um terpolímero de propileno - etileno - buteno, que pode ter propriedades elastoméricas.

[0035] O copolímero de olefina (B) pode ter, de preferência, uma densidade igual ou inferior a 910 kg/cm3, particularmente, igual ou inferior a 900 kg/cm3, de acordo com a norma ASTM D792 .

[0036] A composição copolimérica semicondutora da presente invenção compreende ainda, de preferência, um copolímero polar (A) . Esse copolímero polar pode ser qualquer dos copolímeros polares usados convencionalmente em composições copoliméricas semicondutoras, para cabos de energia.

[0037] De preferência, o copolímero polar (A) é um copolímero de olefina polar, particularmente, um copolímero de etileno polar.

[0038] Os comonômeros polares contidos no copolímero polar (A) podem ser selecionados de ácidos acrílicos, ácidos metacrílicos, acrilatos, metacrilatos, acetatos e/ou ésteres vinílicos.

[0039] De preferência, o copolímero polar (A) é um copolímero de etileno com ésteres de ácido carboxílico insaturados, tendo, de preferência, 4 a 8 átomos de carbono, ou ésteres vinílicos, de preferência, acrilatos de 1 a 4 átomos de carbono, tais como (met)acrilatos de metila, etila, propila ou butila, ou acetato de vinila.

[0040] Além do mais, o copolímero polar (A) pode estar presente na composição semicondutora, em uma proporção igual ou inferior a 65% em peso, particularmente, igual ou inferior a 60% em peso, mais particularmente, igual ou inferior a 55% em peso, e, especialmente, igual ou inferior a 50% em peso, com base na composição total.

[0041] O copolímero polar (A) tem, de preferência, uma proporção de unidades comonoméricas polares igual ou superior a 10% em peso, particularmente, igual ou superior a 20% em peso, e, especialmente, igual ou superior a 25% em peso.

[0042] Especialmente, um copolímero de etileno / acetato de vinila pode ser usado. O copolímero pode ser composto de etileno e um éster vinílico tendo 4 ou 5 átomos de carbono como os constituintes principais. O éster vinílico pode ser, de preferência, acetato de vinila, propionato de vinila, ou uma mistura desses.

[0043] De preferência, o copolímero polar (A) tem uma taxa de escoamento em fusão MFR2 (2,16 kg/190°C) de 0,1 a 100 g/10 min, particularmente, 1 a 60 g/10 min, mais particularmente, 5 a 50 g/10 min, e, especialmente, 15 a 50 g/10 min.

[0044] É ainda vantajoso que a proporção do copolímero de olefina (B) , com relação à soma do copolímero polar (A) e do copolímero de olefina (B) , seja de preferência não superior a 45% em peso, particularmente, não superior a 25% em peso, especialmente, não superior a 20% em peso. Se a proporção do copolímero de olefina (B) for superior às faixas mencionadas acima, a pegajosidade e a processabilidade da composição polimérica semicondutora podem ser deterioradas.

[0045] A composição polimérica semicondutora compreende ainda, de preferência, negro de fumo.

[0046] A proporção de negro de fumo é pelo menos tal que uma composição semicondutora é obtida. Dependendo do tipo do negro de fumo usado e do uso desejado e da condutividade da composição, a proporção de negro de fumo pode variar.

[0047] De preferência, a composição semicondutora compreende de 10 a 50% em peso de negro de fumo, com base no peso da composição semicondutora total. Particularmente, a proporção de negro de fumo é de 10 a 45 ou 20 a 45% em peso, mais particularmente, 30 a 45% em peso, ainda mais particularmente, 35 a 45% em peso, e, especialmente, 36 a 41% em peso.

[0048] Qualquer negro de fumo eletricamente condutor pode ser usado. Os exemplos de negros de fumo adequados incluem negros de forno e negros de acetileno. Como o negro de fumo, negro de fumo de forno é especialmente preferido.

[0049] Os negros de forno adequados podem ter um tamanho de partícula primário superior a 28 nm, medido de acordo com a norma ASTM D-3849. Muitos negros de fumo adequados dessa categoria são caracterizados por um número de iodo entre 30 e 200 mg/g, de acordo com a norma ASTM D-1510, e um número de absorção de óleo entre 80 e 300 mL/100 g, de acordo com a norma ASTM D-2414.

[0050] Outros negros de fumo adequados podem ser produzidos por qualquer outro processo, ou ser tratados adicionalmente.

[0051] Os negros de fumo adequados para camadas de cabos semicondutoras são, de preferência, caracterizados pelas suas limpezas. Portanto, os negros de fumo preferidos têm um teor de cinza inferior a 0,2% em peso, medido de acordo com a norma ASTM-1506, um resíduo de peneira de 325 malhas inferior a 30 ppm, de acordo com a norma ASTM D-1514, e têm menos de 1% em peso de enxofre total, de acordo com a norma ASTM-1619.

[0052] Os negros de fumo especialmente preferidos são os de forno extralimpos, tendo um teor de cinza inferior a 0,05% em peso, medido de acordo com a norma ASTM-1506, um resíduo de peneira de 325 malhas inferior a 15 ppm, de acordo com a norma ASTM D-1514, e têm menos de 0,05% em peso de enxofre total, de acordo com a norma ASTM-1619.

[0053] De acordo com uma concretização preferida, a composição polimérica semicondutora compreende ainda um agente de reticulação.

[0054] No contexto da presente invenção, um agente de reticulação é definido como sendo qualquer composto que possa iniciar polimerização radicalar. Um agente de reticulação pode ser um composto capaz de gerar radicais, quando decomposto, mas também compreende os radicais obtidos após decomposição. De preferência, o agente de reticulação contém pelo menos uma ligação - O - O - ou pelo menos uma ligação - Ν = N -. Particularmente, o agente de reticulação é um peróxido e/ou um radical obtido dele, após decomposição térmica.

[0055] O agente de reticulação, por exemplo, peróxido, é preferivelmente adicionado em uma proporção inferior a 3,0% em peso, particularmente, de 0,2 a 2,6% em peso, especialmente, de 0,3 a 2,2% em peso, com base no peso da composição semicondutora. Para que se tenha um bom equilíbrio entre as eficiências de queima e reticulação, pode ser preferido adicionar o agente de reticulação, em particular, um peróxido, em uma proporção de 0,4 a 1,5% em peso, particularmente, de 0,8 a 1,2% em peso, com base no peso da composição semicondutora.

[0056] O agente de reticulação pode ser adicionado à composição semicondutora durante a etapa de combinação (isto é, quando a poliolefina insaturada é misturada com o negro de fumo), ou após a etapa de combinação em um processo de separação, ou durante a extrusão da composição reticulável semicondutora, ou após a extrusão, por exemplo, por difusão de radicais de reticulação de outra camada de cabo na composição semicondutora.

[0057] Como os peróxidos usados para reticulação, os seguintes compostos podem ser mencionados: peróxido de di-terc-amila, 2,5-di(t-butilperóxi)-2,5-dimetil-3-hexina, 2,5-di(t-butilperóxi)-2,5-dimetilhexano, peróxido de terc-butilcumila, peróxido de di-t-butila, peróxido de dicumila, di-(terc-butilperoxiisopropil) benzeno, valerato de butil-4,4-bis(t-butilperóxi), 1,1-bis(t-butilperóxi)-3,3,5-trimetilcicloexano, peroxibenzoato de t-butila e peróxido de dibenzoíla.

[0058] De preferência, o peróxido é selecionado de di-terc-amila, 2,5-di(t-butilperóxi)-2,5-dimetil-3-hexano, peróxido de dicumila, peróxido de terc-butilcumila, peróxido de di-t-butila, ou suas misturas. Particularmente, o peróxido de peróxido de terc-butilcumila.

[0059] A composição polimérica semicondutora pode compreender outros aditivos. Como possíveis aditivos, podem ser mencionados antioxidantes, retardadores de queima, agentes de reforço de reticulação, estabilizantes, auxiliares de processamento, lubrificantes, aditivos retardantes de chama, removedores ácidos, cargas inorgânicas, estabilizadores de voltagem, aditivos para aperfeiçoar a resistência à formação de árvores de água, ou suas misturas.

[0060] É também possível incluir uma pequena proporção, de preferência, igual ou inferior a 15%, de outra carga além do negro de fumo, para aperfeiçoar propriedades tais como comportamento em cisalhamento, etc. A carga pode também agir como um removedor ácido. O copolímero de etileno - acetato de vinila, usado como um copolímero na formulação semicondutora, começa a degradar acima de 150°C, resultando na formação de ácido acético, que provoca um maior risco para corrosão do equipamento de processamento. De preferência, as cargas inorgânicas vão neutralizar o ácido e reduzir o ataque de corrosão ácida. Os materiais de carga adequados podem ser selecionados do grupo consistindo de carbonato de cálcio, talco, mica, wollastonita, sulfato de bário, calcita e hidrotalcita.

[0061] Na produção de um cabo de energia, compreendendo um condutor, uma camada isolante e pelo menos uma composição semicondutora, a composição copolimérica semicondutora inventiva pode ficar contida em pelo menos uma das ditas camadas semicondutoras.

[0062] O cabo de energia, compreendendo a composição polimérica semicondutora da presente invenção, pode compreender ainda outras camadas, tais como camadas de barreira de água e uma camada de bainha.

[0063] Como mencionado acima, um agente de reticulação, de preferência, um peróxido, pode ser adicionado à composição polimérica semicondutora. 0 momento para a adição do agente de reticulação pode ser variado. Como um exemplo, o agente de reticulação pode ser adicionado à composição polimérica reticulável semicondutora, quando a poliolefina é misturada com o negro de fumo em uma etapa de combinação, ou após a etapa de combinação em uma etapa de processo separada. Além do mais, o agente de reticulação pode ser adicionado durante extrusão da composição polimérica reticulável semicondutora.

[0064] Como uma outra alternativa, o agente de reticulação pode ser adicionado durante e/ou após aplicação da composição polimérica reticulável semicondutora no substrato. Nessa concretização preferida, o agente de reticulação pode ser proporcionado em um reservatório externo, do qual pode migrar para a camada compreendendo a composição reticulável semicondutora. No contexto da presente invenção, um "reservatório externo" é um reservatório que não faz parte da camada compreendendo a composição reticulável semicondutora. De preferência, o reservatório externo é outra camada, também aplicada ao substrato e contendo o agente de reticulação. Como explicado acima, o termo "agente de reticulação" tem que ser definido em um sentido genérico. Desse modo, a outra camada agindo como um reservatório pode compreender compostos ainda não decompostos, mas também compreendem radicais resultantes de decomposição. Da outra camada, o agente de reticulação migra para a camada que compreende a composição reticulável. Desse modo, uma vez que o agente de reticulação é proporcionado de um reservatório externo, durante e/ou depois de ter sido aplicado no substrato, a composição polimérica reticulável semicondutora da presente invenção pode ser extrudada sem agente de reticulação, ou com pelo menos uma proporção muito baixa de agente de reticulação.

[0065] Em uma concretização preferida, a outra camada, agindo como um reservatório externo de agente de reticulação, é proporcionada adjacente à camada compreendendo a composição polimérica reticulável semicondutora, para facilitar a migração do agente de reticulação. Se necessário, a migração é acentuada por tratamento térmico de uma dessas camadas ou de ambas as camadas.

[0066] Quando agente de reticulação suficiente tiver sido difundido para a composição reticulável semicondutora, a dita composição pode ser tratada sob condições de reticulação. Se peróxidos são usados, a reticulação pode ser feita por aumento da temperatura a pelo menos 160 a 170°C.

[0067] Usualmente, a composição semicondutora é processada a uma temperatura de no máximo 140°C, particularmente, a uma temperatura de no máximo 135°C.

[0068] O processamento inclui tanto uma etapa de combinação da composição quanto também a extrusão em uma camada de um cabo.

[0069] A presente invenção também diz respeito a um cabo de energia elétrica, que compreende uma camada semicondutora, formada pela composição semicondutora descrita acima.

[0070] Usualmente, as camadas semicondutoras ficam contidas em cabos para média a alta voltagem, nos quais um núcleo condutor, por exemplo, cobre ou alumínio, é circundado por uma camada semicondutora interna, uma camada isolante e uma outra camada semicondutora. Opcionalmente, outras camadas de bainha e/ou um invólucro de cabo podem estar presentes.

[0071] De preferência, pelo menos a camada semicondutora mais externa de um cabo de energia é formada pela composição descrita acima.

[0072] Além do mais, de preferência, a camada isolante compreende um homo- ou copolímero de etileno, que é, de preferência, reticulado.

[0073] Os isolantes podem consistir em polímeros extrudados, incluindo polietileno (LPDE e HDPE), polietileno reticulado (XLPE), que podem ser resistentes à formação de árvores d’água (WTR-XLPE) e borracha de etileno - propileno (EPR). Os polímeros extrudados podem ser termoplásticos ou termorrígidos. Material termoplástico vai se deformar por meio de aquecimento subsequente, enquanto que material termorrígido vai tender a manter sua forma a temperaturas operacionais mais altas.

[0074] Finalmente, a presente invenção se refere ao uso de uma composição polimérica semicondutora, descrita acima, para a produção de uma camada semicondutora de um cabo de energia elétrica, de preferência, um cabo de energia elétrica para média a alta voltagem.

EXEMPLOS

[0075] A presente invenção vai ser descrita a seguir, em mais detalhes, por referência aos exemplos e exemplos comparativos apresentados a seguir. As partes e os percentuais são à base de peso, se não especificado de outro modo. 1. Métodos de teste [0076] A menos que indicado de outro modo na descrição ou reivindicações, os métodos apresentados a seguir foram usados para medir as propriedades definidas genericamente acima e nas reivindicações e nos exemplos apresentados abaixo. As amostras foram preparadas de acordo com certos padrões, a menos que indicado de outro modo. (a) Taxa de escoamento em fusão A taxa de escoamento em fusão foi determinada para homo- e copolimeros de propileno, de acordo com a norma ISO 1133 a 230°C, a uma carga de 2,16 kg (MFR2) . (b) Densidade A densidade dos materiais e composições foi determinada de acordo com a norma ASTM D792 e é apresentada em kg/m3. (c) Temperatura de fusão [0077] A temperatura de fusão (Tm) do copolímero de olefina foi determinada de acordo com a norma ASTM D 3418. A Tm foi medida com um aparelho de calorimetria diferencial de varredura (DSC), em amostras de 3 ± 0,5 mg. As curvas de fusão foram obtidas durante resfriamento a 10°C/min, e as varreduras de aquecimento entre -10 e 200 °C. As temperaturas de fusão foram consideradas como os picos endotérmicos e exotérmicos. (d) Teor de comonômero do copolímero polar e o de alfa-olefina O teor de comonômero (% em peso) do comonômero polar foi determinado de uma maneira conhecida, com base em espectroscopia no infravermelho por transformada de Fourier (FTIR), calibrada com 13C-NMR, como descrito por Haslam J., Wills HA., Squirrel DC, Identification and analysis of plastics, 2a ed., London Iliffe books; 1972. O instrumento FTIR era um Perkin Elmer 2000, 1 varredura, com uma resolução de 4 cm-1. O pico obtido para o comonômero testado foi comparado com o pico de polietileno, como evidente para uma pessoa versada na técnica (por exemplo, o pico para acrilato de butila a 3.450 cm-1 foi comparado com o pico de polietileno a 2.020 cm-1) . O % em peso foi convertido em mol% por cálculo, com base nos mols totais de monômeros polimerizáveis.

[0078] Um método alternativo para determinar o teor de comonômero polar, bem como do de alfa-olefina, é usar um método NMR, que daria resultados iguais que os métodos mencionados acima de raio X e FTIR. O método apresentado a seguir, por exemplo, dá resultados que são, para fins da invenção, equivalente àqueles obtidos acima. 0 teor de comonômero foi determinado por uso de 13C-NMR. Os espectros de 13C-NMR foram registrados em um espectrômetro Bruker de 400 MHz, a 130°C, de amostras dissolvidas em 1,2,4-triclorobenzeno / benzeno - d6 (90/10 peso / peso). (e) Alongamento por cura a quente Para verificação de cura adequada dos diferentes tipos nas construções de cabos, o alongamento por cura a quente foi determinado, de acordo com a norma IEC 60811-2-1, por medida da deformação térmica a 200°C, e a uma carga de 0,2 MPa, usando uma amostra de camada de cabo consistindo da dita composição de poliolefina reticulada da invenção.

[0079] Duas amostras de teste do tipo haltere foram preparadas de uma camada de cabo reticulada, consistindo de uma composição de poliolefina a ser testada, por corte de uma amostra de camada de espessura aproximada de 1,0 mm, a partir da camada de cabo de teste, na direção ao longo do eixo do cabo. As outras dimensões foram de acordo com o dito padrão. Nos exemplos apresentados abaixo, a amostra de camada de teste foi tirada da camada semicondutora externa do cabo de teste, por descascamento da dita camada externa, tendo uma espessura de camada de 1,0 mm da camada isolante.

[0080] Cada amostra de teste foi fixada verticalmente da sua extremidade superior no forno, e a carga de 0,2 MPa foi presa na extremidade inferior de cada amostra de camada de teste.

Após 15 min, a 200°C no forno, a distância entre as linhas pré-marcadas foi medida e alongamento percentual por cura a quente foi calculado, resultando em um % de alongamento. Para um % de cura permanente, a força de tensão (peso) foi removida das amostras de teste, depois recuperada a 200°C por 5 minutos e deixada resfriar à temperatura ambiente, até que esta fosse atingida. 0 % de cura permanente foi calculado da distância entre as linhas marcadas. (f) Força de extração [0081] As amostras de cabo de 30 cm de comprimento foram cortadas na direção da seção transversal, a partir de um cabo de teste, que tinha uma camada semicondutora interna, com uma espessura de 0,8 ± 0,05 mm, uma camada isolante com uma espessura de 5,5 ± 0,1 mm, e uma camada semicondutora externa com uma espessura de 1 ± 0,1 mm. Os cabos de teste foram preparados de acordo com o método "Cabo de teste e seu método de preparação", descrito abaixo, por uso do material da camada semicondutora interna e o material da camada isolante para a amostra de teste, e usando a composição de poliolefina a ser testada como o dito material da camada semicondutora externa. O teste da força de extração pode ser feito em cabo de teste, em que a dita amostra está em uma forma reticulada ou não. As amostras de cabo foram condicionadas não menos que 16 horas a 23°C e uma umidade relativa de 55%. Dois cortes de um comprimento de 10 cm e separados por 10 mm entre eles foram aplicados com uma lâmina, pela camada semicondutora externa do dito cabo de teste, na direção axial, a uma profundidade tal de modo a obter uma espessura de corte correspondente à espessura da dita camada semicondutora externa (1 mm) . A separação do corte da dita camada semicondutora externa foi iniciada manualmente na extremidade de corte da amostra de cabo. 0 cabo foi fixado no instrumento de ensaio de tração TCT 25 (comercialmente disponível da Alwetron). A parte de corte separada manualmente foi presa em um conjunto de roda, que é fixo em relação a uma mandíbula móvel do dito instrumento. A rotação do conjunto de roda provoca a separação das mandíbulas, e, desse modo, o desprendimento, isto é, a separação, da dita camada semicondutora da dita camada isolante ocorre. 0 desprendimento foi conduzido por uso de um ângulo de desprendimento de 90° e a uma velocidade de desprendimento de 500 mm/min. A força necessária para desprender a dita camada semicondutora externa do isolamento foi registrada, e o ensaio foi repetido dez vezes para cada amostra de camada de teste. A força média dividida pela largura (10 mm) da amostra foi considerada como a dita força de extração, e os valores apresentados (kN/m a 90°C) representam a força de extração média das amostras de teste, obtida de pelo menos dez testes. (g) Ensaio de extração em espiral [0082] Um ensaio de extração em espiral ou um ensaio de campo removível foi conduzido em cabos de 20 kV reticulados, sob simulação das condições para extração dos cabos no campo, em clima quente. As condições foram alteradas por variação das temperaturas nas quais o ensaio foi conduzido. O ensaio foi conduzido da seguinte maneira: [0083] Duas marcas helicoidais paralelas em torno do cabo foram feitas na blindagem de isolamento, a uma profundidade aproximada de 0,025 mm abaixo da espessura do ponto minimo do corpo de prova (blindagem de isolamento). A distância entre as marcas paralelas foram de 10 mm. As amostras de cabo foram revenidas em um forno de laboratório Hereus, a uma temperatura especifica. Após não menos do que 1 h, as amostras de cabo foram tiradas do forno, e o corpo de prova de blindagem de isolamento foi removido imediatamente manualmente em um momento quando o cabo ainda estava revenido. A blindagem de isolamento foi submetida a um "ensaio de passagem". Os critérios para a passagem do ensaio foram a remo da blindagem de isolamento sem rasgamento, ruptura ou deixar material condutor residual na superfície de isolamento, que não é facilmente removível por ligeira esfregação. (h) Resistividade volumétrica A resistividade volumétrica do material semicondutor é medida em cabos de polietileno reticulados de acordo com a norma ISO 3915 (1981) . Os corpos de prova de cabo, tendo um comprimento de 13,5 cm, foram condicionados a 101,3 kPa (1 atm) e 60 ± 2°C por 5 ± 0,5 horas, antes da medida. A resistência da camada semicondutora externa foi medida por uso de um sistema de quatro terminais, por uso de fios metálicos comprimidos contra a camada semicondutora. A resistência da camada semicondutora interna foi medida por corte do cabo em duas metades e por remoção do condutor metálico. A resistência entre a pasta de prata condutora, aplicada nas extremidades do corpo de prova, foi depois usada para determinar a resistividade volumétrica da camada semicondutora interna. As medidas foram conduzidas à temperatura ambiente (20°C) e a 90°C. (i) Ensaio de escoamento livre de pelota [0084] A pegajosidade entre as pelotas poliméricas foi testada de acordo com um "ensaio de escoamento livre de pelota" da maneira descrita a seguir. O ensaio tem por intenção simular as condições de compressão previstas na camada de fundo do material em uma caixa de 600 kg, usada para fornecer esse tipo de material. As condições foram alteradas por variação da temperatura na qual o ensaio foi conduzido. O ensaio foi conduzido da seguinte maneira: [0085] 500 g de pelotas do material semicondutor foram pesadas em um pote Mason. Um disco de alumínio foi colocado na parte de topo do material, e 2 kg de peso foram colocados na parte de topo do disco. Esse simula a pressão, de cerca de 6,9 kPa (1 psi) , exercida na camada de fundo de material em uma caixa. Os corpos de prova foram temperados em um forno de laboratório Hereus, a temperaturas específicas. Após 6 horas, os potes foram removidos do forno, o peso e o disco de alumínio foram removidos, e os potes foram invertidos por 1 minutos. O material remanescente nos potes foi separado do pote, pesado e o este anotado. (k) Ensaio de ebulição em pastilha [0086] O ensaio de ebulição em pastilha foi conduzido de acordo com a norma AEIC CS5-94. Foram removidas quaisquer coberturas externas e o condutor. Uma seção transversal representativa, contendo a blindagem do condutor e a blindagem de isolamento extrudadas, foi cortada do cabo. A pastilha resultante, tendo uma espessura de pelo menos 0,64 mm (25 mils) , foi imersa em um decaidronafataleno por cinco horas, usando o equipamento especificado na norma ASTM D2765. A pastilha foi depois removida do solvente, e examinada para continuidade da interface blindagem / isolamento, com um mínimo de aumento de 15 vezes. Para passar no teste, após o tratamento mencionado acima, a blindagem de isolamento não deve apresentar quaisquer fissuras e aderir continuamente, a 360°, ao isolamento. (l) Resistência à tração em ruptura e alongamento em ruptura Ambas as propriedades foram medidas de acordo com a norma ISO 527, e são apresentadas em MPa e %, respectivamente. (m) Envelhecimento termo-oxidante [0087] A variação nas propriedades mecânicas, antes e depois de envelhecimento termo-oxidante, foi media de acordo com a norma IEC 60811-1-2. (n) Número de adsorção de óleo (ftalato de dibutila) [0088] O número de adsorção de DBP das amostras de negro de fumo foi medido de acordo com a norma ASTM D2424-06a. (o) Número de iodo [0089] 0 número de iodo das amostras de negro de fumo foi medido de acordo com a norma ASTM D1510-07. 2 . Materiais [0090] Os ingredientes apresentados na Tabela 1, a seguir, foram usados para a preparação das composições poliméricas. Todas as proporções são dadas em partes por peso. (a) Composição da camada semicondutora externa [0091] Os componentes da composição da camada semicondutora externa foram aqueles da composição de poliolefina em teste. As composições de poliolefina de teste, usadas na presente parte experimental, foram as composições de poliolefina dos exemplos inventivos 1 - 12 e as composições poliméricas dos exemplos comparativos 1-3, listadas nas tabelas abaixo.

[0092] A preparação da composição da camada semicondutora externa foi feita por combinação dos componentes em um misturador Buss. Consequentemente, as operações de combinação foram feitas em um misturador Buss contínuo de 46 mm. O copolímero (A) e a poliolefina (B) , e os aditivos, se algum, foram alimentados ao primeiro funil de carga do misturador. Um negro de fumo em forma de carga foi alimentado ao segundo funil de carga subsequente, juntamente com o um ou mais aditivos, e a mistura foi continuada a 190°C, seguida por pelotização. 0 componente peróxido foi alimentado às pelotas, em uma etapa de processamento separada. (b) Produção de cabos de teste [0093] Os cabos de teste foram preparados por uso de um "ajuste de extrusora de 1 mais 2", em uma extrusora Mailerfer, fornecida pela Mailerfer. Desse modo, a camada semicondutora interna foi extrudada no condutor, primeiro em uma cabeça de extrusora separada, e depois as camadas isolante e semicondutora externa foram extrudadas conjuntamente no semicondutor interno, em uma cabeça de extrusora dupla. As roscas da extrusora semicondutoras interna e externa tinham um diâmetro de 45 mm, e a rosca isolante tinha um diâmetro de 60 mm.

[0094] Cada cabo de teste foi produzida a uma taxa de produção de 1,6 m/mim, usando as mesmas condições de produção convencionais, por exemplo, reticulação dos cabos de teste em nitrogênio, em uma cuba de vulcanização CV. Cada cabo de teste apresentou as seguintes propriedades: Construção do cabo de teste diâmetro do condutor 50 mm2 Al camada semicondutora 0,8 ± 0,05 mm interna, espessura camada isolante, espessura 5,5 ± 0,1 mm camada semicondutora 1 + 0,1 mm externa, espessura Tabela 1 Matérias-primas usadas nos exemplos Escorene® é um nome comercial registrado da ExxonMobil Corporation Krynac® é um nome comercial registrado da Lanxess AG Tafmer® é um nome comercial registrado da Mitsui Co., Ltd.

Conductex® é um nome comercial registrado da Columbian Chemicals Company Antilux® é um nome comercial registrado da RheinChemie AG LE4201 e LE0592 são produtos isolantes e semicondutores comerciais disponíveis produzidos pela Borealis [0095] A Tabela 2 apresentada a seguir lista as composições de acordo com a invenção (Exemplos 1 a 9) e os Exemplos Comparativos (CEl e CE2), conjuntamente com as propriedades mecânicas e elétricas selecionadas.

[0096] A Tabela 2 mencionada acima mostra que as composições poliméricas semicondutoras, de acordo com a presente invenção, têm um perfil de propriedades bem equilibrado, incluindo as propriedades mecânicas, de extração e elétricas, satisfazendo os requisitos para composições semicondutoras reticuladas para cabos.

[0097] A Tabela 3 apresentada a seguir lista as composições de acordo com a invenção e os exemplos comparativos, conjuntamente com as propriedades de envelhecimento mecânicas e termooxidantes.

[0098] As propriedades combinadas de resistência à tração em ruptura, alongamento em ruptura, propriedades mecânicas após envelhecimento termooxidante foram aperfeiçoadas claramente, de acordo com a presente invenção, em comparação às composições semicondutoras extraiveis reticuladas convencionais.

[0099] De acordo com o teste de extração em espiral descrito acima, as amostras de cabos foram manufaturadas e testadas. Os resultados são apresentados na Tabela 4 abaixo.

Tabela 4 Formulações extraiveis Teste de extração em espiral [0100] Pode-se notar dos exemplos mencionados acima que o copolímero de olefina (B), de acordo com a presente invenção, baixa vantajosamente a força de extração dos cabos de energia semicondutores, compreendendo uma composição polimérica semicondutora extraível, de acordo com a presente invenção, mesmo em temperaturas tão altas quanto 65°C ou 75°C, enquanto que a composição de acordo com o CE3, compreendendo um componente de NBR em vez do copolímero de olefina (B) inventivo, sofreu ruptura quando da extração, já a 65°C.

[0101] Os exemplos 13 a 15 e os exemplos comparativos CEl e CE2 apresentados a seguir mostram as propriedades de escoamento livre (medidas de acordo com o ensaio de escoamento livre de pelotas descrito acima) de pelotas contendo as composições poliméricas inventivas, em comparação com as composições fora do espírito da invenção.

Tabela 5 Escoamento livre de pelotas a diferentes temperaturas [0102] Pode-se notar que a composição polimérica inventiva confere propriedades de escoamento livre aperfeiçoadas às pelotas produzidas, a 50, 60 e 7 0°C, o que se traduz em uma menor tendência das pelotas de ficarem grudadas conjuntamente a temperaturas mais altas, possibilitando omitir qualquer agente separador na composição. As composições de acordo com a invenção têm também, desse modo, vantagens em embalagem e transporte das pelotas poliméricas.

REIVINDICAÇÕES

Claims (15)

1. Composição polimérica semicondutora, caracterizada pelo fato de que compreende: (A) um copolímero de etileno compreendendo unidades comonoméricas polares, em que a proporção das unidades comonoméricas polares no copolímero de etileno é igual ou superior a 10% em peso, com base no peso total do copolímero de etileno; (B) um copolímero de olefina compreendendo unidades monoméricas de propileno em uma quantidade de 50% em peso ou mais e unidades monoméricas de uma alfa-olefina tendo pelo menos 4 átomos de carbono, em que o copolímero de olefina tem um ponto de fusão igual ou inferior a 110°C; e (C) negro de fumo em uma proporção de 10 a 50% em peso, com base no peso total da composição polimérica semicondutora, em que o copolímero de olefina (B) é preparado por uso de um catalisador de polimerização de metaloceno.

2. Composição polimérica semicondutora de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pelo fato de que o copolímero de olefina (B) tem um teor da dita alfa-olefina, tendo pelo menos 4 átomos de carbono, igual ou inferior a 40% em peso, com base no peso total do copolímero de olefina.

3. Composição polimérica semicondutora de acordo com a reivindicação 1 ou 2, caracterizada pelo fato de que o copolímero de olefina (B) tem um teor da dita alfa-olefina, tendo pelo menos 4 átomos de carbono, igual ou superior a 5% em peso.

4. Composição polimérica semicondutora de acordo com a reivindicação 1 ou 2, caracterizada pelo fato de que o copolimero de olefina (B) tem um ponto de fusão igual ou inferior a 95°C.

5. Composição polimérica semicondutora de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 4, caracterizada pelo fato de que o copolimero de olefina (B) compreende ainda unidades monoméricas de etileno.

6. Composição polimérica semicondutora de acordo com a reivindicação 5, caracterizada pelo fato de que o copolimero de olefina (B) tem um teor de etileno não superior a 10% em peso, do peso total do copolimero de olefina (B).

7. Composição polimérica semicondutora de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 6, caracterizada pelo fato de que o copolimero de olefina (B) está presente em uma proporção de 3 a 40% em peso, do peso total da composição polimérica.

8. Composição polimérica semicondutora de acordo com a reivindicação 7, caracterizada pelo fato de que o copolimero de olefina (B) está presente em uma proporção não superior a 12% em peso, do peso total da composição polimérica.

9. Composição polimérica semicondutora de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 8, caracterizada pelo fato de que os comonômeros polares, contidos no copolímero de etileno (A) , são selecionados do grupo consistindo em ácidos acrílicos, ácidos metacrílicos, acrilatos, metacrilatos, acetatos e ésteres vinílicos.

10. Composição polimérica semicondutora de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 9, caracterizada pelo fato de que o copolímero de etileno (A) está presente na composição em uma proporção de 30 a 65% em peso, do peso total da composição semicondutora.

11. Composição polimérica semicondutora de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 10, caracterizada pelo fato de que a razão ponderai do copolímero de olefina (B) , com relação à soma do peso do copolímero polar (A) e do copolímero de olefina (B), não é superior a 20.

12. Composição polimérica semicondutora de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 11, caracterizada pelo fato de que compreende ainda uma carga inorgânica, básica.

13. Cabo de energia, caracterizado pelo fato de que compreende um condutor, uma camada isolante e pelo menos uma camada semicondutora, em que a pelo menos uma camada semicondutora compreende uma composição polimérica semicondutora, como definida em qualquer uma das reivindicações de 1 a 12.

14. Cabo de energia de acordo com a reivindicação 13, caracterizado pelo fato de que a camada isolante compreende um polímero de etileno.

15. Uso de uma composição polimérica semicondutora, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 12, caracterizado pelo fato de que é na preparação de uma camada semicondutora de um cabo de energia.