BRPI0721144A2 - Dispositivo - Google Patents
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Description
I “DISPOSITIVO”
Esta invenção é relativa a dispositivos emissores de luz semicondutores que incluem um filtro.
Dispositivos emissores de luz semicondutores tais como diodos emissores de luz (LEDs) estão entre as fontes de luz as mais eficientes atualmente disponíveis. Sistemas de materiais atualmente de interesse na fabricação de LEDs alto brilho capazes de operação através do espectro visível incluem semicondutores do grupo III-V, particularmente ligas binárias, temárias e quaternárias de gálio, alumínio, índio e nitrogênio, também referidos como materiais nitreto-III; e ligas binárias, temárias e quaternárias áreas de gálio, alumínio, índio, arsênico e fósforo. Muitas vezes dispositivos nitreto-III são crescidos de maneira epitaxial sobre substratos de safira, carbureto de silício ou de nitreto-III e dispositivos fosfeto-III são crescidos de maneira epitaxial sobre arsenieto de gálio por meio de epitaxia de feixe molecular (MBE) por meio de deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD), ou outras técnicas epitaxiais. Muitas vezes uma região de tipo n é depositada sobre o substrato, então uma região ativa é depositada na região tipo n, então uma região tipo p é depositada sobre a região ativa. A ordem das camadas pode ser invertida de tal modo que a região de tipo p seja adjacente ao substrato.
A cor de luz emitida a partir de um chip dispositivo emissor de luz semicondutor, tal como um diodo emissor de luz, pode ser alterada colocando um material de conversão de comprimento de onda no trajeto da luz que deixa o chip. O material de conversão de comprimento de onda pode ser, por exemplo, um fósforo. Fósforos são materiais luminescentes que podem absorver uma energia de excitação, usualmente energia de radiação, e armazenar esta energia por um período de tempo. A energia armazenada é então emitida como radiação de uma energia diferente da energia de excitação inicial. Por exemplo, a “conversão descendente” se refere a uma situação onde a radiação emitida tem menos energia quântica do que a radiação de excitação inicial. O comprimento de onda de energia efetivamente aumenta deslocando a cor da luz no sentido de vermelho.
Um método comum de fazer um dispositivo emissor de luz que emite luz branca é combinar um fósforo, tal como Y3A15012;Ce3+ que emite luz amarela, com um chip LED azul que emite luz azul. A combinação de luz amarela convertida de fósforo e luz azul não convertida que vaza através da camada de fósforo aparece branca. As características de cor da luz combinada são controladas selecionando somente LEDs que emitem luz azul de um comprimento de onda particular e variando a espessura da camada de fósforo para controlar a quantidade de vazamento de luz azul e a quantidade de conversão de fósforo. Esta abordagem é ineficiente em um grande número de LEDs que emitem luz azul em um comprimento de onda fora da faixa desejada e não são utilizáveis, e resultam em grandes variações na temperatura de cor correlacionada (CCT) da luz, uma vez que é difícil controlar de maneira precisa a quantidade de vazamento de azul e conversão de fósforo. A CCT de LEDs de fósforo convertido vendidos hoje pode variar desde 5500 K até 8500 K. Diferenças de cor discemíveis dependem da CCT da luz combinada. A 6500 K diferenças tão pequenas quanto 300 K são evidentes para o observador. A grande variação em CCT entre partes é inaceitável para diversas aplicações.
De acordo com configurações da invenção, uma estrutura semicondutora que inclui uma região emissora de luz disposta entre uma região tipo n e uma região tipo p é fornecida. A região emissora de luz é 25 configurada para emitir primeira luz, luz branca em algumas configurações. Um material de conversão de comprimento de onda configurado para absorver uma porção da primeira luz e emitir segunda luz, luz amarela em algumas configurações, é disposta em um trajeto da primeira luz. Um filtro é disposto em um trajeto das primeira e segunda luzes. Em algumas configurações o filtro absorve ou reflete uma fração da primeira luz em uma intensidade maior do que uma intensidade predeterminada. Em algumas configurações o filtro absorve ou reflete uma porção da segunda luz. Em algumas configurações uma quantidade de material filtro é disposta no trajeto 5 das primeira e segunda luzes, então a CCT da primeira e da segunda luzes que passam através do filtro é detectada. Mais material filtro pode ser adicionado ou material filtro pode ser removido para corrigir a CCT detectada até uma CCT predeterminada.
Filtros de acordo com configurações da invenção podem ser utilizados para corrigir a CCT de luz branca formada combinando um dispositivo emissor de luz semicondutor emissor de azul com um fósforo emissor de amarelo.
A figura 1 é uma plotagem de densidade de intensidade de CCT como uma função de espessura de fósforo para a luz emitida azul e amarela em um dispositivo que combina um LED emissor de azul como um fósforo emissor de amarelo.
A figura 2 é uma plotagem de fluência de saída como uma função de fluência de entrada para o material filtro de acordo com configurações da invenção.
A figura 3 ilustra uma camada de conversão de comprimento
de onda conformai de uma camada de filtro conformai disposta sobre um dispositivo emissor de luz semicondutor de filme fino montado em um chip flip (chip dobrado).
A figura 4 ilustra uma camada conversora de comprimento de onda cerâmica e uma camada de filtro disposta sobre um dispositivo emissor de luz semicondutor de filme fino montado em chip flip.
A figura 5 ilustra uma camada de filtro disposta sobre uma lente disposta sobre um dispositivo emissor de luz semicondutor convertido de fósforo. A figura 6 ilustra um material filtro disposto em um encapsulamento disposto sobre um dispositivo emissor de luz semicondutor convertido de fósforo.
De acordo com configurações da invenção um dispositivo emissor de luz inclui um filtro para filtrar qualquer luz não desejada a partir do espectro emitido pelo dispositivo. A utilização de um filtro pode oferecer controle melhorado sobre a CCT da luz combinada emitida por um dispositivo emissor de luz semicondutor convertido de fósforo.
A CCT da luz combinada emitida por um dispositivo emissor de luz que emite azul combinado com um fósforo que emite amarelo pode ser alterada alterando o comprimento de onda da luz azul emitida pelo dispositivo, a quantidade de luz azul na luz combinada e a quantidade de luz amarela na luz combinada.
Em algumas configurações, o material filtro altera a CCT da luz combinada limitando a quantidade de luz azul na luz combinada. Os inventores observaram que a intensidade de luz emitida pelo fósforo varia de maneira linear com a espessura de fósforo, enquanto a intensidade de luz não convertida que vaza através do fósforo varia de maneira exponencial com a espessura de fósforo. A figura 1 é uma plotagem de intensidade e CCT como uma função da espessura de camada de fósforo para a ambos, azul (losangos na figura 1) e amarelo (quadrados na figura 1) em um dispositivo emissor de luz convertido de fósforo. Os triângulos ilustram a CCT da luz combinada. Como ilustrado na figura 1, quando aumenta a espessura de fósforo a intensidade de luz amarela na luz combinada cai de maneira linear. Quando a espessura de fósforo aumenta a intensidade de luz azul na luz combinada cai de maneira exponencial. A relação não linear entre e espessura de fósforo e intensidade de luz toma particularmente difícil objetivar a intensidade desejada de luz azul.
A figura 2 ilustra o comportamento de um material filtro capaz de captar a intensidade de luz azul. A figura 2 é uma plotagem de fluência de saída como uma função de fluência de entrada para um material filtro. O material filtro ilustrado na figura 2 é transparente abaixo de um dado limiar de intensidade de entrada. Uma vez que o limiar de intensidade de entrada é alcançado, o material filtro se toma opaco para qualquer luz além do limiar de intensidade. Assim, o material filtro limita a intensidade de luz azul emitida a partir do dispositivo no nível limiar, muitas vezes por meio de um processo referido como absorção saturável reversa.
Materiais filtro apropriados capazes de captar a intensidade de luz azul a um dado nível limiar podem ser orgânicos ou inorgânicos e incluírem fulerenos, cristais hidrotermais de óxido de zinco e porfirinas decoradas com dendritos.
A camada conversora de comprimento de onda de um dispositivo que emprega um material filtro capaz de captar a intensidade de luz azul em um dado nível limiar pode ser projetada de tal modo que a camada conversora de comprimento de onda opera em rendimento de pico a despeito da quantidade de vazamento de luz azul através da camada conversora de comprimento de onda. Em geral, o rendimento de dispositivos emissores de luz convertidos de fósforo em termos de lumens de luz extraídos por unidade de energia elétrica fornecida, aumenta quando a quantidade de luz azul que vaza através da camada de fósforo aumenta, ao mesmo tempo, porque o fósforo gera luz de maneira mais eficiente em absorção mais baixa e, porque a camada de fósforo é mais fina de tal modo que menos luz é perdida para a dispersão reversa e absorção posterior pela camada de fósforo ou o dispositivo semicondutor. Em tal dispositivo com uma camada de fósforo fina que permite vazamento significativo de luz azul, um material filtro capaz de captar a intensidade de luz azul em um dado nível limiar pode ser utilizado para remover excesso, luz azul não desejada, a partir do espectro de tal modo que a luz combinada transmitida pelo material filtro tem a CCT desejada. Um material filtro capaz de captar a intensidade da luz azul em um dado nível limiar pode também ser utilizado para linearizar a relação entre a espessura da camada de fósforo e a intensidade de luz azul que vaza através do fósforo mostrado na figura 1. Quando tal material filtro é utilizado, a CCT 5 da luz combinada pode ser controlada mais facilmente por meio da espessura da camada de fósforo, uma vez que a intensidade de luz azul e portanto a CCT é menos sensível a pequenas variações de espessura de camada de fósforo quando a relação entre a espessura de camada de fósforo e a intensidade de luz azul é linear ao invés de exponencial.
Em algumas configurações o material filtro altera a CCT da
luz combinada alterando o comprimento de onda da luz azul, ou alterando as quantidades relativas de luz azul e amarela na luz combinada. Em tais configurações o material filtro pode ser um ou mais corantes e pigmentos dispostos em um material transparente. Em alguns exemplos o material filtro 15 inclui um ou mais pigmentos inorgânicos que são genericamente estáveis em calor elevado e fluxo elevado a partir do dispositivo emissor de luz. Pigmentos adequados podem incluir a Bayferrox® ou pigmentos de óxido de cromo disponíveis de Lanxess, ou pigmentos Heucodur® disponíveis de Heubach. A espessura da camada de material filtro e a concentração de 20 corante ou pigmento na camada determina quanta luz é absorvida. Em algumas configurações a camada de filtro é configurada para limitar a absorção pelo filtro. Por exemplo, o filtro pode ser configurado para transmitir no mínimo 50% de Iuz incidente sobre o filtro, mais preferivelmente no mínimo 70% de luz incidente sobre o filtro. Em contraste, 25 um filtro típico projetado para isolar luz vermelha, verde ou azul em um mostrador RGB genericamente transmite apenas 30% de luz incidente sobre o filtro.
Em um exemplo, uma vez que o material de conversão de comprimento de onda está disposto sobre o dispositivo, a CCT da combinação de luz convertida em comprimento de onda e luz não convertida a partir do dispositivo é medida, então os tipos requeridos e quantidades de pigmentos são calculadas. Uma camada de filtro com as quantidades requeridas e tipos de pigmentos e então formada, por exemplo, por impressão com jato de tinta. Tal processo pode ser realizado em dispositivos individuais, porém a produção seria aumentada realizando o processo em bateladas. Por exemplo, as CCTs podem ser medidas e camadas de filtro formadas antes de singularizar os dispositivos semicondutores individuais em uma bolacha ou antes de singularizar uma bolacha de montagens sobre a qual dispositivos semicondutores individuais são dispostos.
Em outro exemplo, a camada de filtro é inicialmente formada muito espessa para produzir a CCT desejada. A CCT do dispositivo é medida pela primeira vez depois de formar a camada de filtro, então material filtro é removido em uma maneira controlada para produzir a CCT desejada. Alternativamente, uma camada de filtro pode ser inicialmente formada muito fina para produzir a CCT desejada, e então a CCT medida e mais material filtro adicionado em uma maneira controlada para produzir a CCT desejada.
Em qualquer dos exemplos acima a CCT pode ser medida diversas vezes, e material filtro adicionado ou removido depois de cada medição até que a CCT desejada seja alcançada.
Um processo de aparar com laser controlado por computador pode ser utilizado para submeter à ablação o material filtro para produzir a CCT desejada. Onde os dispositivos são testados em batelada, o laser controlado por computador pode submeter à ablação a camada de filtro em cada dispositivo por uma quantidade especificamente sob medida para aquele dispositivo, dependendo da CCT individual para aquele dispositivos.
Cada dispositivo pode ser testado e o material filtro removido em um processo interativo, uma vez que o sistema esteja calibrado, isto é, a quantidade de material filtro que deve ser removida para produzir uma mudança específica na CCT é conhecida, cada dispositivo pode ser medido uma vez e a quantidade apropriada de material filtro removida. Dependendo da quantidade de material a ser removida, pode ser necessário submeter à ablação o material filtro utilizando diversos passes, onde cada passe remove apenas uma pequena quantidade de material. A utilização de diversos passes reduz o risco de carbonizar a resina no material filtro se ela é removida com um laser.
Ablação com laser pode envolver remover uma série de linhas ou pontos de material filtro, de tal modo que a espessura da camada de material filtro depois da ablação é mais fina em algumas regiões e mais espessa em algumas regiões ao invés de reduzida de maneira uniforme sobre toda a extensão do material filtro. Em uma configuração pode haver uma redução em espessura em uma localização e um aumento na espessura em uma outra localização que corresponde a um único dispositivo. O material filtro pode ser parcialmente ou completamente removido em áreas localizadas, de tal modo que a espessura média do material filtro é reduzida a despeito da espessura do material filtro em algumas regiões que permanecem não modificadas. Desenhos diferentes de linhas e pontos podem ser utilizados para alterar a espessura do elemento de conversão de comprimento de onda.
Um mapa espacial da CCT pode ser gerado quando a CCT de cada dispositivo é medida. O mapa espacial da CCT pode ser fornecido para o controle por computador e pontos elevados no material filtro podem ser submetidos à ablação, de modo que não apenas é obtida a CCT desejada, mas também a CCT é feita mais uniforme espacialmente.
Processos diferentes de ablação com laser podem ser utilizados para remover o material filtro. Por exemplo, o material filtro pode ser removido utilizando técnicas tais como gravação mecânica e/ou química, feixe de íons, ou ablação por feixe de elétrons.
Os filtros descritos acima podem ser utilizados com qualquer configuração adequada de dispositivo emissor de luz, e com qualquer configuração adequada de camadas conversoras de comprimento de onda. Deve ser entendido que a invenção não está limitada aos materiais e orientações de dispositivos, ou outros detalhes discutidos nos exemplos abaixo. Por exemplo, as configurações da invenção podem ser aplicadas a quaisquer sistemas de materiais de dispositivos emissores de luz adequados, inclusive por exemplo, materiais III-V, materiais nitreto III, materiais fosfito III e materiais II-VI. Configurações da invenção podem ser aplicadas a qualquer geometria de dispositivo, inclusive dispositivos de filme fino dos quais o substrato de crescimento foi removido, dispositivos com contatos em lados opostos das camadas semicondutoras e dispositivos com contatos do mesmo lado das camada semicondutoras, tais como chips flip onde luz é extraída através de um substrato e estruturas de epitaxia para cima onde luz é extraída através dos contatos. Configurações da invenção podem ser aplicadas a qualquer tipo de camada conversora de comprimento de onda, inclusive materiais conversores de comprimento de onda dispostos em resmas, como descrito na Patente US 6.351.069; substratos luminescentes de cristal único sobre os quais as camadas do dispositivo emissor de luz são crescidos como descrito na Patente US 6.630.691; camadas de fósforo de filme fino como descrito na Patente US 6.696.703; e camadas conformais depositadas por meio de deposição eletroforética como descrito na Patente US 6.576.488, ou com estêncil como descrito na Patente US 6.650.044; e camadas de cerâmica luminescente como descrito no Pedido de Patente US publicado 2005- 0269582. Cada uma das Patentes US 6.630.691, 6.696.703, 6.576.488 e 6.650.044, bem como o Pedido de Patente US publicado 2005-0269582 são aqui com isto incorporados para referência.
Além disto, as configurações particulares de material filtro não estão limitadas às configurações particulares de materiais conversores de comprimento de onda ou dispositivos emissores de luz semicondutores com os quais eles estão mostrados nas configurações descritas abaixo. Qualquer configuração de filtro apropriada, configuração da camada conversora de comprimento de onda, e configuração de dispositivo, pode ser combinada de acordo com configurações da invenção.
5 As figuras 3-6 ilustram exemplos de configurações adequadas
de dispositivos emissores de luz semicondutores, camadas conversoras de comprimento de onda e camadas de filtro. A figura 3 ilustra um dispositivo emissor de luz de nitreto III montado em chip flip, do qual o substrato foi removido, inclusive uma camada conversora de comprimento de onda 10 conformai e uma camada de filtro conformai. Uma estrutura semicondutora de nitreto III 10 que inclui uma região emissora de luz 12 é disposta entre uma região tipo n e uma região tipo p. Cada uma da região tipo p, região emissora de luz e região tipo p pode incluir diversas camadas de diferentes composições e concentração de verniz (dopante). Por exemplo, as regiões tipo 15 n e tipo p podem incluir camadas de tipo de condutividade oposta a camadas que não são intencionalmente envemizadas, camadas de preparação tal como camadas de acumulação ou camadas de nucleação, camadas de liberação projetadas para facilitar a liberação posterior de substrato de crescimento ou afinamento da estrutura semicondutora depois da remoção de substrato e 20 camadas de dispositivos projetadas para propriedades particulares óticas ou elétricas desejáveis para que a região emissora de luz emita luz de maneira eficiente. A região emissora de luz pode ser uma camada emissora de luz cônica espessa ou fina, ou diversas camadas finas de poço quântico separadas por camadas barreira de composição diferente.
Depois do crescimento da estrutura semicondutora 10 sobre
um substrato de crescimento, uma porção da região tipo de condutividade crescida por último, muitas vezes a região tipo p, e a região emissora de luz, são gravadas (raspadas) para revelar a região de tipo de condutividade de primeiro crescimento, muitas vezes a região tipo n. Contatos metálicos 13 e 14 são formados sobre as porções expostas das regiões tipo n e p. A estrutura semicondutora é conectada eletricamente e fisicamente a uma montagem 18 por interconexões nep 15 e 16. Depois da montagem na montagem 18 o substrato de crescimento (não mostrado na figura 3) pode ser removido por 5 um processo apropriado para o material substrato de crescimento, tal como fundição a laser ou esmerilhamento por um substrato de safira ou gravação ou esmerilhamento por um substrato composto ou de SiC. Um sub-enchimento, que suporta a estrutura semicondutora IO para impedir ou reduzir a rachadura durante a remoção do substrato de crescimento, pode ser disposto em espaços IO abertos e entre a estrutura semicondutora IOea montagem 18 antes, durante ou depois que a estrutura semicondutora 10 é conectada à montagem 18. A superfície de topo da estrutura semicondutora 10 na orientação mostrada na figura 3, que é exposta pela remoção do substrato de crescimento, pode ser afinada por exemplo por meio de gravação fotoeletroquímica e pode ser 15 tomada áspera ou texturizada com aspectos tais como um cristal fotônico para aprimorar a extração de luz a partir da estrutura semicondutora 10.
Uma camada conversora de comprimento de onda conformai 20 é formada sobre o topo e laterais da estrutura semicondutora 10. A camada conversora de comprimento de onda 20 pode ser, por exemplo, uma camada 20 de fósforo formada por deposição eletroforética ou com estêncil. Uma camada de filtro conformai 22 que pode incluir o um ou mais dos materiais filtro descritos acima é formada sobre a camada conversora de comprimento de onda 20. A camada de filtro 22 pode ser formada, por exemplo, por impressão com jato de tinta ou com estêncil para um material filtro disposto em um 25 portador transparente, tal como epóxi ou silicone.
A figura 4 ilustra um dispositivo emissor de luz de nitreto III montado em chip flip, do qual o substrato de crescimento foi removido, que inclui uma camada conversora de comprimento de onda cerâmica e uma camada de filtro. A estrutura semicondutora 10 é um chip flip de dispositivo de filme fino montado na montagem 18 como descrito acima na referência à figura 3. A camada conversora de comprimento de onda 24 é um fósforo cerâmico disposto sobre a superfície de topo exposta da estrutura semicondutora 10. A camada de fósforo cerâmico 24 pode ser presa à estrutura semicondutora 10, por exemplo, por meio de um adesivo orgânico tal como epóxi ou silicone e, um ou mais adesivos inorgânicos de índice elevado, ou um vidro de sol-gel. A camada de filtro 26 pode incluir um ou mais dos materiais filtro descritos acima, e é formada sobre a camada conversora de comprimento de onda 24. A camada de filtro 26 pode ser formada, por exemplo, por impressão com jato de tinta ou pode ser um elemento fabricado de maneira separada tal como um material filtro disposto em vidro silicone ou um outro sólido transparente que é ligado à camada de fósforo cerâmico 24 por meio de, por exemplo, um adesivo orgânico tal como epóxi ou silicone um ou mais adesivos inorgânicos de índice elevado ou um vidro sol-gel.
A figura 5 ilustra um filtro formado sobre uma lente disposta sobre uma estrutura semicondutora emissora de luz convertida de comprimento de onda. Qualquer estrutura semicondutora adequada 10 e camada conversora de comprimento de onda 27 são embaladas em uma embalagem que inclui uma lente 30. Um material transparente 28 tal como silicone pode ser disposto no espaço entre a lente 30 e a estrutura semicondutora 10 e a camada conversora de comprimento de onda 27. A camada de filtro 32 que pode incluir um ou mais dos materiais filtro descritos acima, pode ser revestida como mostrado na figura 5 sobre a superfície exterior da lente 30, que pode ser vidro, plástico ou qualquer outro material transparente adequado. Alternativamente, a camada de filtro 32 pode ser formada sobre a superfície interior da lente 30 ou partículas de material filtro podem ser misturadas no material utilizado para formar a lente 30.
A figura 6 ilustra um filtro misturado em um material transparente que reveste uma estrutura semicondutora emissora de luz conversora de comprimento de onda. Qualquer estrutura semicondutora adequada IOe camada conversora de comprimento de onda 27 são dispostas em uma estrutura embalada 36 tal como uma taça refletora como estrutura condutora. A camada de filtro 34 inclui um ou mais dos materiais filtro descritos acima misturados com um material transparente e revestida sobre a estrutura semicondutora 10 e a camada conversora de comprimento de onda 27.
As camadas de filtro ilustradas nos exemplos mostrados nas figuras 3-6 podem ser ajustadas adicionando mais material ou removendo materiais por ablação como descrito acima. Em algumas configurações diferentes materiais conversores de comprimento de onda formados em diferentes configurações e materiais filtro diferentes formados em diferentes configurações podem ser combinados em um único dispositivo.
Tendo descrito a invenção em detalhe, aqueles versados na técnica irão apreciar que dada a presente divulgação, modificações podem ser feitas à invenção sem se afastar do espírito do conceito inovador nela descrito. Portanto, não é intenção que o escopo da invenção esteja limitado às configurações específicas ilustradas e descritas.
Claims (9)
1. Dispositivo, caracterizado pelo fato de compreender: uma estrutura semicondutora (10) que inclui uma região emissora de luz (12) disposta entre uma região tipo n e uma região tipo p, a região emissora de luz sendo configurada para emitir primeira luz; um material conversor de comprimento de onda (20, 24, 27) disposto em um trajeto da primeira luz, o material conversor de comprimento de onda sendo configurado para absorver uma porção da primeira luz e emitir segunda luz; e um filtro (22, 26, 32, 34) disposto em um trajeto da primeira luz, o filtro sendo configurado para absorver ou refletir uma fração da primeira luz em uma fluência de entrada maior do que uma fluência de entrada que não seja zero.
2. Dispositivo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de a estrutura semicondutora (10) compreender uma pluralidade de camadas de nitreto III.
3. Dispositivo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de a primeira luz compreender luz azul e a segunda luz compreender luz amarela.
4. Dispositivo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de o material conversor de comprimento de onda (20, 24, 27) compreender um fósforo.
5. Dispositivo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de ainda compreender uma lente (30) disposta sobre a estrutura semicondutora (10), no qual o filtro (32) é revestido sobre uma superfície da lente.
6. Dispositivo, caracterizado pelo fato de compreender: uma estrutura semicondutora (10) que inclui uma região emissora de luz (12) disposta entre uma região tipo n e uma região tipo p, a região emissora de luz sendo configurada para emitir primeira luz; um material conversor de comprimento de onda (20, 24, 27) disposto em um trajeto da primeira luz, o material conversor de comprimento de onda sendo configurado para absorver uma porção da primeira luz e emitir segunda luz; e um filtro (22, 26, 32, 34) disposto em um trajeto da primeira luz e da segunda luz, no qual o filtro é configurado para absorver ou refletir uma porção da segunda luz, no qual o filtro é configurado para transmitir no mínimo 50% de luz incidente sobre o filtro; e que o material de conversão do comprimento de onda é disposto entre a estrutura semicondutora e o filtro.
7. Dispositivo de acordo com a reivindicação 6, caracterizado pelo fato de o filtro ser um primeiro filtro, o dispositivo ainda compreendendo um segundo filtro disposto em um trajeto da primeira luz e da segunda luz, no qual o segundo filtro é configurado para absorver ou refletir uma porção da primeira luz.
8. Dispositivo de acordo com a reivindicação 6, caracterizado pelo fato de a primeira luz compreender luz azul e a segunda luz compreender luz amarela.
9. Dispositivo de acordo com a reivindicação 6, caracterizado pelo fato de depois de passar através do filtro a luz composta que compreende a primeira luz e a segunda luz aparecer branca.
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