KR101795051B1 - 발광소자 패키지 - Google Patents

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Abstract

실시예는 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패기키는 상호 이격된 제1 전극층과 제2 전극층을 구비하는 전극층; 상기 제1 전극층의 일부 영역에 형성된 오목부; 상기 제1 전극층의 오목부에 배치되는 발광다이오드 칩; 상기 제1 전극층의 오목부의 상기 발광다이오드 칩 상에 형광체를 포함하여 형성된 수지층; 상기 수지층 및 상기 전극층 상에 렌즈; 및 상기 전극층 하측에 배치되는 절연막 패턴;을 포함한다.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시예는 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
발광소자(LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체소자로서, 화합물 반도체의 조성을 제어하여 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장(색)의 빛을 구현할 수 있으며, 형광물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 빛을 구현할 수 있다.
발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성 등의 장점이 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광다이오드 조명장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용범위가 확대되고 있다.
백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 직하(direct) 방식과 에지(edge) 방식의 두 종류가 있다. 에지 방식은 평판 측면에 광원을 배치한 것으로서, 광원으로부터 발광된 광을 도광판을 이용하여 액정표시 패널 전체의 면으로 조사한다.
한편, 직하 방식은 액정표시패널의 배면에 다수의 광원을 배치하여 액정표시패널의 직하에서 광을 직접 조사하는 방식으로 에지 방식과 비교하여 다수의 광원에 의해 휘도를 높일 수 있고, 발광 면을 넓게 할 수 있는 장점이 있다.
직하 방식의 백라이트 유닛(BLU)에 적용되는 LED 패키지(PKG)는 지향각을 제어하기 위하여 렌즈를 사용하는데 BLU에서의 휘도감소 또는 무라(Mura)현상 등이 발생한다. 무라(Mura)는 불균일한 배광 분포에 따른 광 간섭이 일어나는 것으로 패널의 화면상태가 균일하지 않고 얼룩처럼 되어진 상태를 의미할 수 있다.
무라현상을 결정하는 중요한 요소 중의 하나는 LED PKG에서 형광체의 면적(크기)이며, 형광체의 면적에 따라 형광체(Phosphor) 침전에 의한 옐오우 링(Yellow ring) 현상 등이 발생하여 색편차가 크게 발생하기 때문이다.
또한, 종래기술에 의하면 열응력에 의해 옐오우 링(Yellow ring) 현상 등이 발생할 수 있다.
옐오우 링(Yellow ring) 등이 발생되면 LED 어레이(Array)와 확산판의 거리를 증가시켜야 하기 때문에 색편차를 개선하는 것은 LED PKG에서 중요하다.
실시예는 색편차를 개선할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 상호 이격된 제1 전극층과 제2 전극층을 구비하는 전극층; 상기 제1 전극층의 일부 영역에 형성된 오목부; 상기 제1 전극층의 오목부에 배치되는 발광다이오드 칩; 상기 제1 전극층의 오목부의 상기 발광다이오드 칩 상에 형광체를 포함하여 형성된 수지층; 상기 수지층 및 상기 전극층 상에 렌즈; 및 상기 전극층 하측에 배치되는 절연막 패턴;을 포함한다.
실시예는 색편차를 개선할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 발광다이오드 칩 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 무라현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.
또한, 실시예는 형광체의 너비를 약 800㎛~약 1000㎛, 높이를 약 300㎛~400㎛범위로 최적화하고, 형상도 돔형태를 가짐에 따라 직하방식 백라이트 유닛에 있어서 매우 유리한 구조이다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도.
도 3는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 색편차 개선도.
도 4 내지 도 12는 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 공정 단면도.
도 13은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 14는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 사시도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 단면도이며, 도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 분해 사시도이다.
실시예는 색편차를 개선할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 상호 이격된 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)을 구비하는 전극층(220)과, 상기 제1 전극층(221)의 일부 영역에 형성된 오목부(C)와, 상기 제1 전극층의 오목부(C)에 배치되는 발광다이오드 칩(250)과, 상기 제1 전극층의 오목부(C)의 상기 발광다이오드 칩(250) 상에 형광체를 포함하여 형성된 수지층(270)과, 상기 수지층(270) 및 상기 전극층(220) 상에 렌즈(280) 및 상기 전극층(220) 하측에 배치되는 절연막 패턴(210)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극층의 오목부(C)는 상기 제1 전극층의 일부 영역에 대해 다운 셋(down-set) 영역 또는 절곡부 영역 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 의하면 전극층(220)에 다운셋 하여 오목부(C)를 형성하고, 발광다이오드 칩을 실장함으로써 구조적인 안정성을 높일 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 전극층(220) 상에 오목부(C)을 형성한 후 , 발광다이오드 칩 실장 및 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(Encapsulate) 형성시 돔 형상으로 형성할 수 있어 균일한 색온도를 연출할 수 있어 색편차를 개선할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 발광다이오드 칩 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 무라현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 전극층(220) 상에 오목부(C)을 형성한 후 발광다이오드를 실장함으로써 발광다이오드 칩이 안착 되는 위치가 낮아져서 와이어 본딩시 와이어의 높이를 낮출 수 있어 열응력의 영향을 최소화함으로써 열응력에 의한 옐오우 링(Yellow ring) 현상을 개선할 수 있다.
실시예에서 상기 형광체를 포함하는 수지층(270)의 너비는 약 800㎛~ 약 1000㎛, 높이는 약 300㎛~약 400㎛범위로 최적화하고, 형상도 돔형태를 가짐에 따라 직하방식 백라이트 유닛에 있어서 매우 유리한 구조이다.
도 3는 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 색편차 개선 예시도이다.
종래기술(B)에 의하면 형광체(Phosphor) 침전에 의한 옐오우 링(Yellow ring) 현상 등이 발생하여 색편차가 크게 발생한다.
이에 실시예(A)는 형광체를 포함하는 수지층(270)의 너비를 약 800㎛~ 약 1000㎛, 높이를 약 300㎛~약 400㎛범위로 최적화하고, 형상도 돔형태를 가짐에 따라 색편차가 종래기술에 비해 약 50% 수준으로 감소함으로써 형광체(Phosphor) 침전에 의한 옐오우 링(Yellow ring) 현상 등이 발생하지 않게 된다.
도 1을 참조하면, 실시예는 상기 수지층(270) 외곽 둘레의 상기 제1 전극층의 오목부(C)에 홈(H)이 형성됨으로써 형광체를 포함하는 수지층(270)을 돔(dome) 형상으로 형성하여 색편차를 줄일 수 있다.
실시예에서 상기 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)은 제2 전극분리선(232)에 의해 전기적으로 분리될 수 있으며, 상기 제1 전극층(221)에 제1 전극분리선(231)이 상기 제2 전극분리선(232)과 대칭되는 위치에 형성되어 열응력에 대해 안정적일 수 있다. 상기 제1 전극분리선(231) 및 제2 전극분리선(232)은 전극분리선(230)을 구성할 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(250)은 상기 오목부(C)의 실장영역에 실리콘 에폭시 등의 다이 접착제(미도시)를 형성한 후 실장될 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(250)은 제1 와이어(261)에 의해 상기 제1 전극층(221)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 와이어(262)에 의해 제2 전극층(222)과 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예에 의하면 발광다이오드 칩 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 무라현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.
또한, 실시예는 형광체의 너비를 약 800㎛~약 1000㎛, 높이를 약 300㎛~400㎛범위로 최적화하고, 형상도 돔형태를 가짐에 따라 직하방식 백라이트 유닛에 있어서 매우 유리한 구조이다.
이에 따라 실시예에 의하면 색편차를 개선할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
도 4 내지 도 12는 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 제조방법의 공정 단면도이다.
우선, 도 4 내지 도 9를 참조하여 오목부(C)을 포함하는 전극층(220) 형성공정을 설명한다.
도 4와 같이, 절연막층(210a)을 준비하고, 도 5와 같이 절연막 패턴(210)을 형성한다. 상기 절연막 패턴(210)은 펀칭 공정에 의해 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 절연막 패턴(210)은 이후 형성되는 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)의 각각의 하측에 부착되는 제1 절연막 패턴(211) 및 제2 절연막 패턴(212)을 포함할 수 있고, 상기 절연막 패턴(210)은 두 전극층의 간격을 유지시켜 주고 인접한 두 전극층을 지지 및 고정하는 역할을 수행하게 된다.
또한, 상기 절연막 패턴(210)은 인접한 두 전극층 사이에 배치된 제1 전극분리선(231), 제2 전극분리선(232) 영역을 커버하며, 이 경우 전극 분리선영역을 통해 수지층(270)을 형성하는 과정에서 액상의 수지물이 누설되는 것을 방지할 수 있다.
상기 절연막 패턴(210)은 투광성 또는 비 투광성 필름을 포함하며, 예컨대 PI(폴리 이미드) 필름, PET(폴리에틸렌텔레프탈레이트) 필름, EVA(에틸렌비닐아세테이트)필름, PEN(폴리에틸렌나프탈레이트) 필름, TAC(트라아세틸셀룰로오스)필름, PAI(폴리아마이드-이미드), PEEK(폴리에테리-에테르-케톤), 퍼플루오로알콕시(PFA), 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 수지 필름(PE, PP, PET) 등을 포함할 수 있다.
다음으로, 도 6과 같이 상기 절연막 패턴(210) 상에 전극층(220)을 형성한다. 예를 들어, 상기 전극층(220)은 구리(Cu), Cu-Ni, Cu-Mg-Sn와 같이 구리(Cu)를 포함하는 합금, Fe-Ni와 같이 철(Fe)을 포함하는 합금(alloy), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄을 포함하는 합금류로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전극층(220)은 15㎛~300㎛ 정도의 두께로 형성될 수 있으며, 이러한 두께는 바람직하게 15㎛~35㎛ 범위로 형성될 수 있고 발광다이오드 칩을 지지하는 지지 프레임으로 기능하며, 또한 발광다이오드 칩으로부터 발생된 열을 전도하는 방열 부재로 동작할 수 있다.
다음으로, 도 7과 같이 상기 전극층(220)에 식각을 통해 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)으로 분리할 수 있다.
실시예에서 상기 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)은 제2 전극분리선(232)에 의해 전기적으로 분리될 수 있으며, 상기 제1 전극층(221)에 제1 전극분리선(231)이 상기 제2 전극분리선(232)과 대칭되는 위치에 형성되어 열응력에 대해 안정적일 수 있다. 상기 제1 전극분리선(231), 제2 전극분리선(232)은 상기 전극층에 대한 식각공정에 의해 형성될 수 있다.
또한, 실시예는 이후 형성되는 수지층 외곽 둘레에 대응되는 상기 제1 전극층(221)에 홈(H)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(270)을 돔(dome) 형상으로 형성하여 색편차를 줄일 수 있다.
상기 제1 전극층(221)에 형성되는 홈(H)은 해프 에칭(half ethching)에 의해 제1 전극층(221)을 관통하지 않도록 식각을 진행하여 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 8과 같이 전극층(220)에 대해 오목부(C) 형성공정을 진행한다.
예를 들어, 제1 전극층에 오목부(C)가 형성될 수 있으며, 상기 오목부(C)는 상기 제1 전극층(221)의 일부 영역에 대해 다운 셋(down-set) 공정 또는 펀치 공정 등에 의해 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 의하면 전극층(220)에 다운셋 하여 오목부(C)를 형성하고, 발광다이오드 칩을 실장함으로써 구조적인 안정성을 높일 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 전극층(220) 상에 오목부(C)을 형성한 후 , 발광다이오드 칩 실장 및 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(Encapsulate) 형성시 돔 형상으로 형성할 수 있어 균일한 색온도를 연출할 수 있어 색편차를 개선할 수 있다.
다음으로, 도 9와 같이 상기 전극층(220) 상에 반사층(240)을 형성할 수 있다. 상기 반사층(240)은 제1 전극층(221) 상에 제1 반사층(241), 상기 제2 전극층(222) 상에 제2 반사층(242)을 포함할 수 있다.
상기 반사층(240)은 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 또는 그 합금 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 10과 같이 상기 제1 전극층의 오목부(C)에 발광다이오드 칩(250)을 실장한다. 예를 들어, 상기 오목부(C)의 실장영역에 실리콘 에폭시 등의 다이 접착제(미도시)를 형성한 후 발광다이오드 칩(250)을 실장할 수 있다.
이후, 상기 발광다이오드 칩(250)은 제1 와이어(261)에 의해 상기 제1 전극층(221)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 와이어(262)에 의해 제2 전극층(222)과 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예에 의하면 전극층(220) 상에 오목부(C)을 형성한 후 발광다이오드를 실장함으로써 발광다이오드 칩이 안착 되는 위치가 낮아져서 와이어 본딩시 와이어의 높이를 낮출 수 있어 열응력의 영향을 최소화함으로써 열응력에 의한 옐오우 링(Yellow ring) 현상을 개선할 수 있다.
다음으로, 도 11과 같이 상기 제1 전극층의 오목부(C)의 상기 발광다이오드 칩(250) 상에 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성한다.
실시예에 의하면 전극층(220) 상에 오목부(C)을 형성한 후 , 발광다이오드 칩 실장 및 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(Encapsulate) 형성시 돔 형상으로 형성할 수 있어 균일한 색온도를 연출할 수 있어 색편차를 개선할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 발광다이오드 칩 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 무라현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.
실시예에서 상기 형광체를 포함하는 수지층(270)의 너비는 약 800㎛~ 약 1000㎛, 높이는 약 300㎛~약 400㎛범위로 최적화하고, 형상도 돔형태를 가짐에 따라 직하방식 백라이트 유닛에 있어서 매우 유리한 구조이다.
종래기술에 의하면 형광체(Phosphor) 침전에 의한 옐오우 링(Yellow ring) 현상 등이 발생하여 색편차가 크게 발생한다.
이에 실시예는 형광체를 포함하는 수지층(270)의 너비를 약 800㎛~ 약 1000㎛, 높이를 약 300㎛~약 400㎛범위로 최적화하고, 형상도 돔형태를 가짐에 따라 색편차가 종래기술에 비해 약 50% 수준으로 감소함으로써 형광체(Phosphor) 침전에 의한 옐오우 링(Yellow ring) 현상 등이 발생하지 않게 된다(도 3 참조).
다음으로, 도 12와 같이 상기 수지층(270) 및 상기 전극층(220) 상에 렌즈(280)를 형성한다.
실시예에서의 렌즈(280)는 중심부가 오목하고 주변부가 원형을 나타낼 수 있다. 상기 렌즈(280)는 상기 수지층(270)의 물질과 유사한 물성을 물질로 형성하여 열응력에 따른 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다. 예를 들어, 상기 렌즈(280)는 실리콘(Silicone) 물질로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예는 색편차를 개선할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 발광다이오드 칩 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 무라현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.
도 13은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지(202)의 단면도이다.
다른 실시예(202)는 상기 실시예의 발광소자의 패키지(200)의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.
다른 실시예(202)에서는 상기 형광체를 포함하는 수지층(270) 상에 광학필터(290)를 더 포함하여 열응력이 완화되어 열응력에 의한 옐오우 링(Yellow ring) 현상을 개선할 수 있다.
상기 광학필터(290)는 글라스(glass) 물질일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 광학필터(290)의 형상은 돔 형상, 직사각형 형상 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 14는 실시예에 따른 표시 장치(1100)를 나타낸 도면이다.
도 14를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자 패키지(200)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 상기 발광소자 패키지(200)에 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지(202)도 채용가능하다.
상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다.
상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원화 하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
실시예는 색편차를 개선할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 발광다이오드 칩 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 무라현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (6)

  1. 제1전극층;
    상기 제1전극층과 소정의 갭으로 이격된 제2전극층;
    상기 제1전극층 및 상기 제2전극층 상에 배치되는 반사층;
    상기 제1 전극층의 일부 영역에 형성된 오목부;
    상기 제1 전극층의 오목부에 배치되는 발광다이오드 칩;
    상기 제1 전극층의 오목부의 상기 발광다이오드 칩 상에 형광체를 포함하여 돔 형상으로 형성된 수지층;
    상기 수지층 및 상기 제1전극층, 상기 제2전극층과 상기 반사층 상에 렌즈; 및
    상기 제1전극층과 상기 제2전극층 하측에 배치되는 절연막패턴을 포함하고,
    상기 제1전극층에는 상기 갭에 대응되는 위치에 상기 갭과 나란한 방향으로 장축을 갖는 홀이 형성되고,
    상기 오목부는 상기 갭과 상기 홀 사이에 위치하고,
    상기 렌즈는 중심부가 상기 렌즈에서 상기 발광다이오드칩 방향으로 오목한 오목부를 포함하며 상기 오목부 주위에 원형을 갖는 발광소자 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전극층의 오목부는
    상기 제1 전극층의 일부 영역에 대해 다운 셋(down-set) 영역인 발광소자 패키지.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 수지층 외곽 둘레의 상기 제1 전극층의 오목부에 홈이 형성된 발광소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈의 오목부는 상기 수지층과 수직적으로 중첩되는 발광소자 패키지.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 형광체를 포함하는 수지층의 너비는 800㎛~1000㎛, 높이는 300㎛~400㎛범위인 발광소자 패키지.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 형광체를 포함하는 수지층 상에 광학필터를 더 포함하는 발광소자 패키지.
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