BR112018000454B1

BR112018000454B1 - Bandeja de cartão, método para preparar bandeja de cartão, e terminal móvel

Info

Publication number: BR112018000454B1
Application number: BR112018000454-5A
Authority: BR
Inventors: Ming Cai
Original assignee: Huawei Technologies Co., Ltd
Priority date: 2015-07-17
Filing date: 2016-03-15
Publication date: 2023-01-10
Also published as: CN106356673A; CN106356673B; EP3319181B1; EP3319181A4; US10348013B2; US20180145433A1; BR112018000454A2; EP3319181A1; WO2017012357A1

Abstract

BANDEJA DE CARTÃO, MÉTODO PARA PREPARAR BANDEJA DE CARTÃO, E TERMINAL MÓVEL. Uma bandeja de cartão, um método para preparar uma bandeja de cartão e um terminal móvel são revelados. A bandeja de cartão (10) inclui uma base de bandeja de cartão (11), uma primeira camada isolante (12) disposta sobre a base de bandeja de cartão (11) e uma segunda camada isolante (13) cobrindo a primeira camada isolante (12), onde a dureza da primeira camada isolante (12) é superior à da segunda camada isolante (13). Duas camadas isolantes estão dispostas sobre a base de bandeja de cartão (11) para proteger a base de bandeja de cartão (11), e a dureza da primeira camada isolante (12) é definida para ser mais alta que aquela da segunda camada isolante (13). Quando rebarbas ou partes cortantes em um cartão perfuram a segunda camada isolante (13), a primeira camada isolante (12) pode bloquear as rebarbas ou as partes cortantes, impedindo que um revestimento isolante sobre a base de bandeja de cartão (11) seja arranhado pelas rebarbas.

Description

CAMPO DA TÉCNICA

[001]A presente invenção refere-se ao campo das tecnologias dos dispositivos de comunicação e, em particular, a uma bandeja de cartão, um método para preparar uma bandeja de cartão e um terminal móvel.

ANTECEDENTES

[002] Hoje em dia, as tecnologias de smartphones estão se desenvolvendo rapidamente. Uma das causas que afetam os sinais de um smartphone é: um revestimento isolante superficial de uma bandeja de cartão (ou referido como uma fenda de cartão) está danificado e, consequentemente, ocorre um fenômeno de condução elétrica sobre a bandeja de cartão. Como resultado, esse fenômeno de condução elétrica afeta os sinais de comunicação do telefone móvel, levando a uma má qualidade do sinal ou mesmo a que o celular não reconheça um cartão SIM.

SUMÁRIO

[003]A presente invenção fornece uma bandeja de cartão, um método para preparar uma bandeja de cartão e um terminal móvel para melhorar um efeito isolante da bandeja de cartão e melhorar um efeito de reconhecimento de uma placa pelo terminal móvel.

[004] De acordo com um primeiro aspecto, é fornecida uma bandeja de cartão, em que a bandeja de cartão inclui uma base de bandeja de cartão, uma primeira camada isolante disposta sobre a base de bandeja de cartão e uma segunda camada isolante cobrindo a primeira camada isolante, onde a dureza da primeira camada isolante é superior à da segunda camada isolante.

[005] Com referência ao primeiro aspecto, em uma primeira implantação possível, a primeira camada isolante é um revestimento isolante que inclui um material de carbono semelhante a um diamante.

[006] Com referência ao primeiro aspecto ou à primeira implantação possível do primeiro aspecto, em uma segunda implantação possível, a primeira camada isolante inclui uma camada de base metálica disposta sobre a base de bandeja de cartão, uma camada intermediária disposta sobre a camada de base metálica e um revestimento isolante disposto sobre a camada intermediária, onde a camada intermediária é uma camada mista de um metal e um composto químico do metal e o revestimento isolante é uma camada mista de um metal, um composto químico do metal e um material de carbono semelhante a diamante.

[007] Com referência à segunda implantação possível do primeiro aspecto, em uma terceira implantação possível, no revestimento isolante, o teor do metal e do composto químico do metal é mais alto em uma posição mais próxima da camada intermediária; e o teor do material de carbono semelhante a diamante é maior em uma posição mais afastada da camada intermediária.

[008] Com referência à segunda implantação possível do primeiro aspecto, em uma quarta implantação possível, o composto químico do metal na camada mista do metal e do composto químico do metal pode ser um óxido metálico, um nitreto metálico, um carboneto metálico, um sulfeto metálico, um boreto metálico, um oxinitreto metálico, um carbonitreto metálico ou um oxinitreto de carbono metálico

[009] Com referência ao primeiro aspecto, em uma quinta implantação possível, um material da base de bandeja de cartão inclui pelo menos um dos seguintes materiais: um material metálico, um material de liga metálica, um material compósito de base metálica ou um material não metálico inorgânico.

[010] Com referência ao primeiro aspecto, em uma sexta implantação possível, uma espessura da primeira camada isolante está entre 0,3 micrômetros e 7 micrômetros.

[011] Com referência à sexta implantação possível do primeiro aspecto, em uma sétima implantação possível, uma espessura da segunda camada isolante está entre 3 micrômetros e 100 micrômetros.

[012] Com referência ao primeiro aspecto, em uma oitava implantação possível, uma espessura da primeira camada isolante está entre 0,3 micrômetros e 3 micrômetros.

[013] Com referência à oitava implantação possível do primeiro aspecto, em uma nona implantação possível, uma espessura da segunda camada isolante está entre 10 micrômetros e 25 micrômetros.

[014] Com referência ao primeiro aspecto, à primeira implantação possível do primeiro aspecto, à segunda implantação possível do primeiro aspecto, à terceira implantação possível do primeiro aspecto, à quarta implantação possível do primeiro aspecto, à quinta implantação possível do primeiro aspecto, à sexta implantação possível do primeiro aspecto, à sétima implantação possível do primeiro aspecto, à oitava implantação possível do primeiro aspecto ou à nona implantação possível do primeiro aspecto, na décima implantação possível, a segunda camada isolante é um revestimento de polímero.

[015] Com referência à décima implantação possível do primeiro aspecto, em uma décima primeira implantação possível, um material da segunda camada isolante inclui pelo menos um dos seguintes materiais: um revestimento de politetrafluoretileno, um revestimento de tinta ou um revestimento de tinta para impressão.

[016] De acordo com um segundo aspecto, é fornecido um método para preparar uma bandeja de cartão, em que o método inclui as seguintes etapas: formar uma primeira camada isolante sobre uma base de bandeja de cartão; e formar uma segunda camada isolante sobre a primeira camada isolante formada, onde a dureza da primeira camada isolante formada é mais alta do que aquela da segunda camada isolante.

[017] Com referência ao segundo aspecto, em uma primeira implantação possível, a formação de uma primeira camada isolante sobre uma base de bandeja de cartão inclui especificamente: formar uma camada de base metálica sobre a base de bandeja de cartão; formar uma camada intermediária sobre a camada de base metálica; e formar um revestimento isolante sobre a camada intermediária, onde a camada intermediária é uma camada mista de um metal e um composto químico do metal, e o revestimento isolante é uma camada mista de um metal, um composto químico do metal e um material de carbono semelhante a diamante.

[018] Com referência à primeira implantação possível do segundo aspecto, em uma segunda implantação possível, à medida que uma espessura da camada intermediária aumenta, o teor do metal na camada intermediária diminui gradualmente e à medida que a espessura da camada intermediária aumenta, o teor do composto químico do metal na camada intermediária aumenta gradualmente.

[019] Com referência à segunda implantação possível do segundo aspecto, em uma terceira implantação possível, à medida que a espessura do revestimento isolante aumenta, o teor do metal e do composto químico do metal no revestimento isolante diminui gradualmente e, à medida que a espessura do revestimento isolante aumenta, o teor de um filme de carbono semelhante a diamante no revestimento isolante aumenta gradualmente.

[020] Com referência ao primeiro aspecto, à primeira implantação possível do segundo aspecto, à segunda implantação possível do segundo aspecto, ou à terceira implantação possível do segundo aspecto, em uma quarta implantação possível, o método inclui ainda: antes de formar uma primeira camada isolante sobre uma base de bandeja de cartão, realizar limpeza de íon sobre a base de bandeja de cartão em um estado de vácuo.

[021] Com referência à quarta implantação possível do segundo aspecto, em uma quinta implantação possível, o método inclui ainda: depois de formar uma segunda camada isolante sobre a primeira camada isolante formada, endurecer por cozimento a segunda camada isolante a uma temperatura alta.

[022] Com referência à quarta implantação possível do segundo aspecto, em uma sexta implantação possível, uma espessura da primeira camada isolante formada está entre 0,3 micrômetros e 7 micrômetros, e uma espessura da segunda camada isolante formada está entre 3 micrômetros e 100 micrômetros.

[023] De acordo com um terceiro aspecto, é fornecido um terminal móvel, onde o terminal móvel inclui um corpo de terminal móvel, uma bandeja de cartão disposta do lado de dentro do corpo do terminal móvel e um cartão fixo na bandeja de cartão, onde a bandeja de cartão é qualquer uma das bandejas de cartões supracitadas.

[024] De acordo com a bandeja de cartão fornecida pelo primeiro aspecto, o método para preparar uma bandeja de cartão fornecida pelo segundo aspecto, e o terminal móvel fornecido pelo terceiro aspecto, duas camadas isolantes estão dispostas sobre uma base de bandeja de cartão para proteger a base de bandeja de cartão, e a dureza de uma primeira camada isolante é definida como sendo mais alta do que aquela de uma segunda camada isolante. Quando as rebarbas ou partes cortantes em um cartão perfuram a segunda camada isolante, a primeira camada isolante pode bloquear as rebarbas ou as partes cortantes, impedindo assim que um revestimento isolante sobre a base de bandeja de cartão seja arranhado pelas rebarbas. Portanto, as propriedades isolantes da bandeja de cartão são aperfeiçoadas efetivamente e, além disso, é aperfeiçoado um efeito de reconhecer o cartão pelo terminal móvel; e casos em que o terminal móvel não pode reconhecer o cartão devido a arranhões no revestimento isolante da bandeja de cartão e à condução elétrica da bandeja de cartão são reduzidos efetivamente.

BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS

[025]A Figura 1 é um diagrama estrutural esquemático de uma bandeja de cartão de acordo com uma modalidade da presente invenção;

[026]A Figura 2 é um diagrama estrutural esquemático de uma primeira camada isolante em uma bandeja de cartão de acordo com uma modalidade da presente invenção;

[027]A Figura 3 é um fluxograma de um método para preparar uma bandeja de cartão de acordo com uma modalidade da presente invenção; e

[028]A Figura 4 é um diagrama estrutural esquemático de um terminal móvel de acordo com uma modalidade da presente invenção.

[029] Referências numéricas nos desenhos: 10 -Bandeja de cartão 11 Base de bandeja de cartão 12-Primeira camada isolante 121-Camada de base metálica 122-Camada intermediária 123-revestimento isolante 13-Segunda camada isolante 20-Corpo de terminal móvel 30-Cartão

DESCRIÇÃO DAS MODALIDADES

[030]A seguir são descritas as modalidades específicas da presente invenção em detalhe com referência aos desenhos anexos. Deve ser entendido que as modalidades específicas descritas no presente documento são meramente usadas para explicar a presente invenção, mas não se destinam a limitar a presente invenção.

[031] Conforme mostrado na Figura 1, a Figura 1 é um diagrama estrutural esquemático de uma bandeja de cartão de acordo com uma modalidade da presente invenção.

[032] Uma modalidade da presente invenção fornece uma bandeja de cartão 10. A bandeja de cartão 10 inclui uma base de bandeja de cartão 11, uma primeira camada isolante 12 disposta sobre a base de bandeja de cartão 11 e uma segunda camada isolante 13 cobrindo a primeira camada isolante 12, onde a dureza da primeira camada isolante 12 é superior àquela da segunda camada isolante 13.

[033] Nesta modalidade, as duas camadas isolantes 123 estão dispostos sobre a base da bandeja de cartão 11 para proteger a base de bandeja de cartão 11, e a dureza da primeira camada isolante 12 é definida para ser mais alta que aquela da segunda camada isolante 13. Quando as rebarbas ou partes cortantes em um cartão perfuram a segunda camada isolante 13, a segunda camada isolante 13 pode sacrificar o seu próprio revestimento para consumir algumas rebarbas ou partes de canto cortantes sobre a placa e, portanto, rebarbas e peças de canto cortantes remanescentes são muito reduzidas. Quando as rebarbas ou cantos cortantes restantes continuam a perfurar a primeira camada isolante 12, a integridade de um revestimento isolante da primeira camada isolante 12 pode ser mantida em sua maior parte, a condução elétrica da bandeja de cartão 10 causada pelo dano da primeira camada isolante 12 é evitado, e um caso em que um terminal móvel não pode reconhecer o cartão é evitado.

[034] Para facilitar o entendimento desta modalidade da presente invenção, uma estrutura da bandeja de cartão 10 fornecida por esta modalidade da presente invenção é descrita a seguir em detalhe com referência aos desenhos anexos e modalidades específicas.

[035] Primeiro, a bandeja de cartão 10 fornecida por esta modalidade é qualquer bandeja para alojar um cartão SIM, uma bandeja para alojar um cartão SD, ou uma bandeja exigida por um cartão usado para transmissão de sinal, identificação de número, armazenamento e semelhantes, por exemplo, um smartphone, um relógio inteligente, uma banda inteligente, um computador tipo tablet ou um dispositivo que pode ser vestido em outra forma.

[036]A base de bandeja de cartão 11 da bandeja de cartão 10 fornecida por esta modalidade pode ser feita de diferentes materiais. Por exemplo, um material da base de bandeja de cartão 11 inclui pelo menos um dos seguintes materiais: um material metálico, um material de liga metálica, um material compósito de base metálica ou um material não metálico inorgânico. Especificamente, a bandeja de cartão 10 é feita de um substrato de aço inoxidável, ou pode ser feita de outros materiais de ferro e aço, uma liga de alumínio, uma liga de magnésio, uma liga de titânio, uma liga amorfa, uma liga de zinco, uma liga de cobre, um material compósito de base metálica, ou semelhante, ou pode ser feito de cerâmicos ou outros substratos não metálicos inorgânicos tais como cerâmica, vidro, safira, vidro nucleado ou espinélio. A base de bandeja de cartão 11 pode ser feita de diferentes materiais de acordo com diferentes exigências.

[037] Durante a preparação específica, a primeira camada isolante 12 e a segunda camada isolante 13 formadas sobre a base de bandeja de cartão 11 estão localizadas em uma área que está sobre a base de bandeja de cartão 11 e que é usada para colocar um cartão. Isto é, a primeira camada isolante 12 e a segunda camada isolante 13 são formadas nas paredes laterais de uma fenda de cartão para alojar o cartão sobre a bandeja de cartão 10. Deste modo, quando o cartão está em contato com a bandeja de cartão 10, um caso em que as camadas isolantes sobre a bandeja de cartão 10 são arranhadas é evitado e, além disso, um caso em que o terminal móvel não pode reconhecer informações de cartão devido à condução elétrica da bandeja de cartão 10 porque a bandeja de cartão 10 é arranhada pelo cartão é aperfeiçoado. Para atingir o efeito anterior, as camadas isolantes fornecidas por esta modalidade precisam ter uma espessura particular. Especificamente, uma espessura da primeira camada isolante 12 está entre 0,3 micrômetros e 7 micrômetros, e uma espessura da segunda camada isolante 13 está entre 3 micrômetros e 100 micrômetros. A espessura da primeira camada isolante 12 pode ser qualquer espessura entre 0,3 micrômetros e 7 micrômetros, tal como 0,3 micrômetros, 1 micrômetro, 2 micrômetros, 3 micrômetros, 4 micrômetros, 5 micrômetros, 6 micrômetros ou 7 micrômetros. A espessura da segunda camada isolante 13 pode ser qualquer espessura entre 3 micrômetros e 100 micrômetros, tal como 3 micrômetros, 10 micrômetros, 20 micrômetros, 30 micrômetros, 40 micrômetros, 50 micrômetros, 60 micrômetros, 70 micrômetros, 80 micrômetros, 90 micrômetros ou 100 micrômetros. Em uma solução, preferencialmente, a espessura da primeira camada isolante 12 é entre 0,3 micrômetros e 3 micrômetros, e a espessura da segunda camada isolante 13 é entre 10 micrômetros e 25 micrômetros. Por exemplo, a espessura da primeira camada isolante 12 é qualquer espessura entre 0,3 micrômetros e 3 micrômetros, tal como 0,3 micrômetros, 0,5 micrômetros, 1 micrômetro, 1,5 micrômetros, 2 micrômetros, 2,5 micrômetros ou 3 micrômetros e a espessura da segunda camada isolante 13 é de qualquer espessura entre 10 micrômetros e 25 micrômetros, tal como 10 micrômetros, 15 micrômetros, 20 micrômetros ou 25 micrômetros.

[038]Além disso, durante a preparação das camadas isolantes sobre a base de bandeja de cartão 11, a dureza da primeira camada isolante 12 é mais alta do que aquela da segunda camada isolante 13. Por exemplo, a dureza do lápis da primeira camada isolante 12 é geralmente muito superior a 9H, e a dureza do lápis da segunda camada isolante 13 é aproximadamente 3H, de modo que a primeira camada isolante 12 possa efetivamente impedir que a bandeja de cartão 10 seja arranhada pelo cartão.

[039] Conforme mostrado na Figura 2, a Figura 2 mostra uma estrutura da primeira camada isolante 12 na estrutura da bandeja de cartão 10. Durante a preparação específica, a primeira camada isolante 12 é um revestimento isolante 123 que inclui um material de carbono semelhante a diamante, por exemplo, um filme de DLC (carbono semelhante a diamante, Diamond-like carbon) tendo dureza relativamente alta. O material de DLC assegura que a dureza da primeira camada isolante 12 seja muito superior a aquela da segunda camada isolante 13. A primeira camada isolante 12 inclui pelo menos três camadas. Isto é, a primeira camada isolante 12 inclui uma camada de base metálica 121 disposta sobre a base de bandeja de cartão 11, uma camada intermediária 122 disposta sobre a camada de base metálica 121 e o revestimento isolante 123 disposto sobre a camada intermediária 122. A camada intermediária 122 é uma camada mista de um metal e um composto químico do metal. O revestimento isolante 123 é uma camada mista de um metal, um composto químico do metal e um material de carbono semelhante a um diamante.

[040] Durante a preparação da camada intermediária 122, o composto químico do metal na camada mista do metal e o composto químico do metal pode ser um óxido metálico, um nitreto metálico, um carboneto metálico, um sulfeto metálico, um revestimento de boreto metálico, um oxinitreto metálico, um carbonitreto metálico ou um oxinitreto de carbono metálico. Uma razão de um metal puro para um composto químico pode não ser limitada, e pode ser ajustada. Uma percentagem de peso do composto químico pode ser de 0% a 100%, ajustável a partir de 0%. Uma percentagem de peso do metal puro pode ser de 100% a 0%, ajustável a partir de 100%. Especificamente, partindo de um lado que é da camada intermediária 122 e que está voltado para a camada de base metálica 121, em uma direção de afastamento da camada de base metálica 121, o teor do metal puro diminui gradualmente, e o teor do composto químico do metal aumenta gradualmente. Os dois assumem uma mudança gradual correspondente. Isto é, um lado que é da camada intermediária 122 e que está voltado para a camada de base metálica 121 é o metal puro, e um lado que está voltado para o revestimento isolante 123 é o composto químico do metal.

[041] Durante a preparação do revestimento isolante 123, o revestimento isolante 123 pode ser um revestimento misto usando o material da camada intermediária 122 e o DLC (isto é, o metal, o composto químico do metal e o material de DLC), ou pode ser um revestimento misto usando apenas o composto químico do metal na segunda camada metálica e o material de DLC. Além disso, uma razão do DLC para o revestimento misto pode não ser limitada, e pode ser ajustada. Uma percentagem de peso do DLC pode ser de 0% a 100%, e pode ser ajustada de 0% até 100%. Uma percentagem de peso do composto químico do metal pode ser de 100% a 0%, e pode ser ajustada de 100% até 0%. Isto é, no revestimento isolante 123, o teor do metal e do composto químico do metal é mais alto em uma posição mais próxima da camada intermediária 122; e o teor do material de carbono semelhante a um diamante é mais alto em uma posição mais afastada da camada intermediária 122. Além disso, no revestimento isolante formado 123, um lado que é do revestimento isolante 123 e que está voltado para a camada intermediária 122 é uma camada do composto químico do metal, e um lado distante da camada intermediária 122 é um filme de DLC puro.

[042]A primeira camada isolante 12 fornecida por esta modalidade utiliza um filme de DLC. Embora o DLC possa não ser facilmente arranhado, os cantos e as rebarbas cortantes do cartão SIM podem perfurar o filme de DLC sob pressão de uma mão humana. Portanto, sobre a bandeja de cartão 10 fornecida por esta modalidade, a segunda camada isolante 13 é adicionada na primeira camada isolante 12. A segunda camada isolante 13 é um revestimento de polímero. Especificamente, um material da segunda camada isolante 13 inclui pelo menos um dos seguintes materiais: um revestimento de politetrafluoretileno, um revestimento de tinta ou um revestimento de tinta para impressão. Além disso, a segunda camada isolante pode ser qualquer revestimento de polímero ou um revestimento tendo uma mistura de polímeros e outros materiais inorgânicos, ou pode ser revestimentos sobrepostos de maneira complexa sobre o revestimento anterior. Além disso, quando uma camada mista é usada, uma razão de vários componentes não é limitada, e qualquer razão pode ser usada para misturar. Depois dos revestimentos serem processados, o processamento a uma alta temperatura é exigido. Em geral, o politetrafluoretileno é processado a uma temperatura à altura de 160 °C a 320 °C por uma duração de 15 minutos a 60 minutos; tinta para impressão ou tinta comum é processado(a) a uma temperatura de 50 °C a 200 °C por uma duração de 15 minutos a 120 minutos. Os revestimentos supracitados podem ser sobrepostos de forma complexa, e depois de cada revestimento ser pulverizado, o processo de endurecimento correspondente precisa ser realizado. Por exemplo, e pulverização única e endurecimento único, isto é, pulverizar uma vez e endurecer por cozimento uma vez; ou pulverização dupla e endurecimento duplo, isto é, pulverizar uma vez, e endurecer por cozimento uma vez, e depois pulverizar mais uma vez, e endurecer por cozimento mais uma vez; ou mais revestimentos são sobrepostos.

[043] Como pode ser aprendido a partir da descrição anterior, a bandeja de cartão 10 fornecida por esta modalidade usa duas camadas isolantes de dureza diferente. Isso pode efetivamente impedir que as camadas isolantes sobre a bandeja de cartão 10 sejam arranhadas por cantos ou rebarbas cortantes sobre um cartão, aperfeiçoar as propriedades isolante da bandeja de cartão 10 e evitar um caso no qual um terminal móvel não possa reconhecer as informações do cartão porque a bandeja de cartão 10 está arranhada pelo cartão.

[044] Uma modalidade da presente invenção fornece ainda um método para preparar uma bandeja de cartão 10. O método inclui: formar uma primeira camada isolante sobre uma base de bandeja de cartão; e formar uma segunda camada isolante sobre a primeira camada isolante formada, onde a dureza da primeira camada isolante formada é mais alta do que aquela da segunda camada isolante.

[045] Nesta modalidade, duas camadas isolantes de dureza diferente são formadas sobre uma bandeja de cartão 10. Isto impede efetivamente que as camadas isolantes sobre a bandeja de cartão 10 sejam arranhadas por cantos ou rebarbas pontudos sobre um cartão, aperfeiçoa as propriedades isolantes da bandeja de cartão 10 e evita um caso em que um terminal móvel não pode reconhecer informações do cartão porque a bandeja de cartão 10 é arranhada pelo cartão.

[046] Para facilitar o entendimento do método para preparar a bandeja de cartão 10 fornecido por esta modalidade da presente invenção, o método é descrito a seguir detalhadamente com referência a uma modalidade específica.

[047] Conforme mostrado na Figura 3, a Figura 3 é um fluxograma de um método para preparar uma bandeja de cartão de acordo com uma modalidade da presente invenção. A bandeja de cartão é a bandeja de cartão na supracitada modalidade específica. O método específico para preparar a bandeja de cartão inclui as etapas a seguir.

[048] Etapa 001: Preparar uma base de bandeja de cartão.

[049] Especificamente, a bandeja de cartão pode ser feita de diferentes materiais. Por exemplo, a base de bandeja de cartão é uma base de bandeja de cartão feita de um material metálico, um material de liga metálica, um material compósito de base metálica ou um material não metálico inorgânico. Especificamente, a bandeja de cartão é feita de um substrato de aço inoxidável, ou pode ser feita de outros materiais de ferro e aço, uma liga de alumínio, uma liga de magnésio, uma liga de titânio, uma liga amorfa, uma liga de zinco, uma liga de cobre, um material compósito de base metálica, ou semelhante, ou pode ser feito de cerâmica ou outros substratos não metálicos inorgânicos tais como cerâmica, vidro, safira, vidro nucleado ou espinélio. Além disso, durante a preparação, diferentes métodos de preparação podem ser selecionados de acordo com diferentes materiais usados pela bandeja de cartão. Por exemplo, a bandeja de cartão é formada usando-se diferentes processos, tais como um processo de moldagem por injeção de metal, fundição de matriz a vácuo e fundição de matriz normal. Os processos são processos consolidados na técnica anterior, e não são descritos em detalhes no presente documento.

[050] Etapa 002: Realizar limpeza de íon sobre a base de bandeja de cartão em um estado de vácuo.

[051] Especificamente, uma superfície da base de bandeja de cartão é desidratada, tem o óleo retirado e limpa usando-se ondas ultrassônicas e água pura e, então, a base de bandeja de cartão é endurecida e carregada em um acessório relacionado para entrar em uma câmara de forno de PVD. Além disso, a limpeza de íons é realizada de acordo com uma condição de grau de vácuo especificada e uma condição de tensão de polarização negativa.

[052] Etapa 003: formar uma camada de base metálica sobre a base de bandeja de cartão.

[053] Especificamente, a camada de base metálica é feita de um material metálico que pode ser combinado com a base de bandeja de cartão. O metal da camada de base metálica deve ser capaz de se prender apropriadamente à base de bandeja de cartão. Durante a preparação específica da camada de base metálica, podem ser usados processos tais como galvanoplastia, PVD e CVD. Os processos são processos consolidados na técnica anterior, e não são descritos em detalhes no presente documento.

[054] Etapa 004: Formar uma camada intermediária sobre a camada de base metálica.

[055] Especificamente, a camada intermediária inclui um metal e um composto químico do metal. O composto químico do metal em uma mistura do metal e do composto químico do metal pode ser um óxido metálico, um nitreto metálico, um carboneto metálico, um sulfeto metálico, um revestimento de boreto metálico, um oxinitreto metálico, um carbonitreto metálico, ou um oxinitreto de carbono metálico. Uma razão de um metal puro para um composto químico pode não ser limitada e pode ser ajustada. Uma percentagem de peso do composto químico pode ser de 0% a 100%, ajustável a partir de 0%. Uma percentagem de peso do metal puro pode ser de 100% a 0%, ajustável a partir de 100%. Especificamente, à medida que uma espessura da camada intermediária aumenta, o teor do metal na camada intermediária diminui gradualmente, e à medida que a espessura da camada intermediária aumenta, o teor do composto químico do metal na camada intermediária aumenta gradualmente. O metal e o composto químico do metal assumem uma mudança gradual correspondente. Isto é, um lado que é da camada intermediária e que está voltado para a camada de base metálica é o metal puro, e um lado que está voltado para um revestimento isolante é o composto químico do metal. Durante a preparação específica da camada intermediária, podem ser usados processos tais como galvanoplastia, PVD e CVD. Os processos são processos consolidados na técnica anterior, e não são descritos em detalhes no presente documento.

[056] Etapa 005: Formar um revestimento isolante sobre a camada intermediária.

[057] Especificamente, o revestimento isolante pode ser um revestimento misto usando o material da camada intermediária e DLC (isto é, o metal, o composto químico do metal e um material de DLC), ou pode ser um revestimento misto usando apenas o composto químico do metal na segunda camada metálica e um material de DLC. Além disso, uma razão do DLC para o revestimento misto pode não ser limitada e pode ser ajustada. Uma percentagem de peso do DLC pode ser de 0% a 100% e pode ser ajustada de 0% até 100%. Uma percentagem de peso do composto químico do metal pode ser de 100% a 0% e pode ser ajustada de 100% até 0%. Isto é, à medida que uma espessura do revestimento isolante aumenta, o teor do metal e do composto químico do metal no revestimento isolante diminui gradualmente e, à medida que a espessura do revestimento isolante aumenta, o teor de um filme de carbono semelhante a diamante no revestimento isolante aumenta gradualmente. Além disso, no revestimento isolante formado, um lado que é do revestimento isolante e que está voltado para a camada intermediária é uma camada do composto químico do metal, e um lado distante da camada intermediária é um filme de DLC puro. Durante a preparação específica do revestimento isolante, podem ser usados processos tais como galvanoplastia, PVD e CVD. Os processos são processos consolidados na técnica anterior, e não são descritos em detalhes no presente documento. A camada de base metálica, camada intermediária e revestimento isolante formados constituem uma primeira camada isolante e uma espessura da primeira camada isolante formada está entre 0,3 micrômetros e 7 micrômetros.

[058] Etapa 006: Formar uma segunda camada isolante sobre o revestimento isolante.

[059] Especificamente, uma espessura da segunda camada isolante formada está entre 3 micrômetros e 100 micrômetros. Durante a preparação específica, a segunda camada isolante é um revestimento de polímero. Por exemplo, a segunda camada isolante é um revestimento de politetrafluoretileno, um revestimento de tinta ou um revestimento de tinta para impressão, ou pode ser qualquer revestimento polimérico ou um revestimento tendo uma mistura de polímeros e outros materiais inorgânicos, ou pode ser revestimentos complexamente sobrepostos no supracitado revestimento. Além disso, quando uma camada mista é usada, uma razão de vários componentes não é limitada, e qualquer razão pode ser usada para a mistura. Durante a preparação específica, o método para preparar a segunda camada isolante não é limitado, e qualquer maneira de revestimento pode ser usada para implantação.

[060] Etapa 007: Endurecer por cozimento a segunda camada isolante a uma temperatura alta.

[061] Especificamente, quando a segunda camada isolante é preparada da maneira descrita na etapa 006, depois dos revestimentos serem processados, é exigido o processamento de alta temperatura. Geralmente, o politetrafluoretileno é processado a uma temperatura à altura de 160 °C a 320 °C durante 15 minutos a 60 minutos; a tinta para impressão ou tinta comum é processada(o) a uma temperatura de 50 °C a 200 °C durante 15 minutos a 120 minutos. Os revestimentos supracitados podem ser complexamente sobrepostos, e depois de cada revestimento ser pulverizado, o processo de endurecimento correspondente precisa ser realizado. Por exemplo, pulverização única e endurecimento único, isto é, pulverizar uma vez e endurecer por cozimento uma vez; ou pulverização dupla e endurecimento duplo, isto é, pulverizar uma vez, e endurecer por cozimento uma vez, e depois pulverizar mais uma vez, e endurecer por cozimento mais uma vez; ou mais revestimentos são sobrepostos.

[062] Para entender adicionalmente o método para preparar uma bandeja de cartão fornecida por esta modalidade da presente invenção, a seguir se usa uma bandeja de cartão específica como um exemplo para a descrição.

Modalidade 1

[063] Nesta modalidade, uma bandeja de cartão para um cartão nano SIM é usada como um exemplo para a descrição. Um material de uma base de bandeja de cartão é um aço inoxidável tipo 17-4. Um método específico para preparar a bandeja de cartão é o seguinte:

[064] Etapa 1: Formar uma base de bandeja de cartão por meio de um processo de moldagem por injeção de metal.

[065] Etapa 2: Preparar um filme de DLC em uma área especificada sobre a base de bandeja de cartão formada.

[066]As etapas específicas do método são as seguintes:

[067] (A) Tirar o óleo e tirar a graxa de uma superfície da base de bandeja de cartão de aço inoxidável, limpar a superfície usando ondas ultrassônicas e água pura, depois endurecer por cozimento a base de bandeja de cartão, e carregar a base de bandeja de cartão em um acessório relacionado para entrar em uma câmara de forno de PVD.

[068] (B) Supondo que um alvo de pulverização catódica em magnetron seja usado nesta modalidade, criar um vácuo na câmara de forno de PVD, onde um grau de vácuo é melhor do que 6,5 x 10-3 Pa; então, injetar argônio, manter o grau de vácuo entre 0,1 Pa e 1 Pa, ativar uma tensão de polarização negativa -800 V, e realizar uma limpeza de íon em um substrato de aço inoxidável.

[069] (C) Ativar o nitrogênio, ativar um alvo de titânio de pulverização catódica em magnetron, primeiro depositar uma camada de Ti pura (camada de base metálica) combinada com a base de aço inoxidável, e depois preparar uma camada mista (camada intermediária) de TiN e Ti pelo ajuste de uma potência alvo de titânio e uma taxa de fluxo de gás; então, ativar um alvo de grafite, injetar acetileno, reduzir gradualmente a taxa de fluxo de gás nitrogênio e a potência alvo de titânio para 0, e preparar uma camada mista de TiN, TiC e DLC; então, quando apenas o alvo de grafite, acetileno e argônio permanecerem, preparar um filme de DLC puro, onde uma espessura total de um filme de PVD é de 2,8 micrômetros.

[070] (D) Pulverizar um revestimento de politetrafluoretileno no filme de DLC, endurecer por cozimento a uma temperatura à altura de 260 °C por 20 minutos depois de pulverizar pela primeira vez, e endurecer por cozimento a uma temperatura à altura de 260 °C durante 20 minutos depois de pulverizar pela segunda vez, onde uma espessura total é de 25 micrômetros.

[071] Em um teste, um multímetro é usado para testar a resistência de superfície no DLC e a resistência de superfície é superior a 20 MQ (20 milhões de ohms). Depois de politetrafluoretileno ser pulverizado, a resistência de superfície pode ser superior a 20 milhões de ohms. Depois de um cartão micro SIM ser reduzido a um cartão nano SIM, o cartão nano SIM é disposto em uma fenda de cartão, e um teste de inserção e remoção é realizado usando-se um telefone celular real. O teste é repetido ciclicamente. Depois de 60 testes, o telefone celular ainda pode reconhecer o cartão SIM e a qualidade de sinal é boa.

Modalidade 2

[072] Nesta modalidade, é usada uma bandeja de cartão para um cartão nano SIM como um exemplo para descrição. Uma base de bandeja de cartão é uma base de bandeja de cartão feita de um material de liga amorfa. Um método específico para preparar a bandeja de cartão é o seguinte:

[073] (A) Formar uma base de bandeja de cartão usando um método de fundição de matriz a vácuo.

[074] (B) Preparar um filme de DLC em uma área especificada sobre a base de bandeja de cartão.

[075] O método de preparação específico é como a seguir:

[076] Etapa 1: Tirar o óleo e tirar a graxa de uma superfície da base de bandeja de cartão, limpar a superfície usando ondas ultrassônicas e água pura, então endurecer por cozimento a base de bandeja de cartão, e carregar a base de bandeja de cartão em um acessório relacionado para entrar em uma câmara de forno de PVD.

[077] Etapa 2: Supondo que um alvo de pulverização catódica em magnetron seja usado nesta modalidade, criar um vácuo na câmara de forno de PVD, onde um grau de vácuo é melhor do que 6 x 10-3 Pa; então, injetar argônio, manter o grau de vácuo entre 0,1 Pa e 0,8 Pa, ativar uma tensão de polarização negativa -700 V e realizar limpeza de íons em um substrato.

[078] Etapa 3: Ativar o acetileno, ativar um alvo de cromo de pulverização catódica em magnetron e primeiro depositar uma camada de cromo puro combinada com o substrato; então, preparar uma camada mista de CrC e Cr ajustando uma potência alvo de cromo e uma taxa de fluxo de gás; então, ativar um alvo de grafite, reduzir gradualmente a potência alvo de cromo para 0, e preparar uma camada mista de CrC e DLC; então, quando apenas o alvo de grafite, acetileno e argônio permanecem, preparar um filme de DLC puro, onde uma espessura total de um filme de PVD é de 2,6 micrômetros.

[079] Etapa 4: Pulverizar um revestimento de politetrafluoretileno tendo uma espessura de 22 micrômetros sobre o filme de DLC, endurecer por cozimento a uma temperatura à altura de 160 °C por 30 minutos depois de pulverizar pela primeira vez, e endurecer por cozimento a uma temperatura à altura de 160 °C por 30 minutos depois de pulverizar pela segunda vez.

[080] Em um teste, um multímetro é usado para testar a resistência de superfície no DLC, e a resistência de superfície é superior a 2 MQ (2 milhões de ohms). Depois de politetrafluoretileno ser pulverizado, a resistência de superfície pode ser superior a 20 milhões de ohms. Depois de um cartão micro SIM ser reduzido a um cartão nano SIM, o cartão nano SIM é posto em uma fenda de cartão, e um teste de inserção e remoção é realizado usando-se um telefone celular real. O teste é repetido ciclicamente. Depois de 46 testes, o telefone móvel ainda pode reconhecer o cartão SIM e a qualidade de sinal é boa.

Modalidade 3

[081] Nesta modalidade, é usada uma bandeja de cartão para um cartão nano SIM como um exemplo para a descrição. Uma base de bandeja de cartão é uma base de bandeja de cartão feita de um material de liga de zinco. Um método específico para preparar a bandeja de cartão é o seguinte:

[082] (A) Formar uma base de bandeja de cartão usando-se um método de fundição de matriz comum.

[083] (B) Preparar um filme de DLC em uma área especificada sobre a base de bandeja de cartão.

[084] O método específico para preparar a bandeja de cartão é o seguinte:

[085] Etapa 1: Tirar o óleo e tirar a graxa de uma superfície da base de bandeja de cartão, limpar a superfície usando ondas ultrassônicas e água pura, depois endurecer por cozimento a base de bandeja de cartão, e carregar a base de bandeja de cartão em um acessório relacionado para entrar em uma câmara de forno de PVD.

[086] Etapa 2: Supondo que um alvo de pulverização catódica em magnetron seja usado nesta modalidade, criar um vácuo na câmara de forno de PVD, onde um grau de vácuo é melhor que 5 x 10-3 Pa; então, injetar argônio, manter o grau de vácuo entre 0,3 Pa e 0,8 Pa, ativar uma tensão de polarização negativa de -500 V e realizar limpeza de íon em um substrato.

[087] Etapa 3: Ativar acetileno, ativar um alvo de tungstênio de pulverização catódica em magnetron, primeiro depositar uma camada de tungstênio puro combinada com o substrato e, então, preparar uma camada mista de WC e W ajustando-se uma potência alvo de tungstênio e uma taxa de fluxo de gás; então ativar um alvo de grafite, reduzir gradualmente a potência alvo W para 0, e preparar uma camada mista de WC e DLC; então, quando apenas o alvo de grafite, acetileno e argônio permanecerem, preparar um filme de DLC puro, onde uma espessura total de um filme de PVD é de 2,9 micrômetros.

[088] Etapa 4: Pulverizar um revestimento de politetrafluoretileno tendo uma espessura de 20 micrômetros sobre o filme de DLC; depois de pulverizar, endurecer por cozimento a uma temperatura à altura de 320 °C por 30 minutos.

[089] Em um teste, um multímetro é usado para testar a resistência de superfície no DLC, e a resistência de superfície é superior a 2 MQ (2 milhões de ohms). Depois de politetrafluoretileno ser pulverizado, a resistência de superfície pode ser superior a 20 milhões de ohms. Depois de um cartão micro SIM ser reduzido a um cartão nano SIM, o cartão nano SIM é posto em uma fenda de cartão, e um teste de inserção e remoção é realizado usando um telefone celular real. O teste é repetido ciclicamente. Depois de 52 testes, o telefone celular ainda pode reconhecer o cartão SIM e a qualidade de sinal é boa.

Modalidade 4

[091] Nesta modalidade, uma bandeja de cartão para um cartão macro SIM é usado como um exemplo para descrição. Uma base de bandeja de cartão é uma base de bandeja de cartão feita de um material de aço inoxidável tipo 316. Um método específico para preparar a bandeja de cartão é como a seguir:

[092] (A) Formar uma base de bandeja de cartão por meio de moldagem por injeção metálica.

[093] (B) Preparar um filme de DLC em uma área especificada sobre a base de bandeja de cartão.

[094] Etapas específicas do método são como a seguir:

[095] Etapa 1: Tirar o óleo e tirar a graxa de uma superfície da base de bandeja de cartão, limpar a superfície usando ondas ultrassônicas e água pura, então endurecer por cozimento a base de bandeja de cartão, e carregar a base de bandeja de cartão em um acessório associado para entrar em uma câmara de forno de PVD.

[096] Etapa 2: Supondo que um alvo de chapeamento de íon de arco seja usado nesta modalidade, criar um vácuo na câmara de forno de PVD, onde um grau de vácuo é melhor do que 6,5 x 10-3 Pa; a seguir, injetar argônio, manter o grau de vácuo entre 0,4 Pa e 0,9 Pa, ativar uma tensão de polarização negativa -800 V e realizar limpeza de íon em um substrato.

[097] Etapa 3: Ativar oxigênio, ativar um alvo de alumínio e primeiro depositar uma camada de alumínio puro combinada com o substrato; então preparar uma camada mista de um óxido de alumínio e alumínio, ajustando-se uma potência alvo de alumínio e uma taxa de fluxo de gás; então ativar um alvo de grafite, reduzir gradualmente a potência de alvo de alumínio para 0, reduzir a taxa de fluxo de gás oxigênio para 0 e preparar uma camada mista de um óxido de alumínio e DLC; então, quando apenas o alvo de grafite, acetileno e argônio permanecerem, preparar um filme de DLC puro, onde uma espessura total de um filme de PVD é de 2,5 micrômetros.

[098] Etapa 4: Pulverizar um revestimento de tinta comum tendo uma espessura de 15 micrômetros no filme de DLC; depois de pulverizar, endurecer por cozimento a uma temperatura à altura de 80 °C durante 40 minutos.

[099] Em um teste, um multímetro é usado para testar resistência de superfície no DLC, e a resistência de superfície é superior a 2 MQ (2 milhões de ohms). Depois de politetrafluoretileno ser pulverizado, a resistência de superfície pode ser superior a 20 milhões de ohms. Depois de um cartão micro SIM ser reduzido a um cartão nano SIM, o cartão nano SIM é disposto em uma fenda de cartão, e um teste de inserção e remoção é realizado usando um telefone celular real. O teste é repetido ciclicamente. Depois de 45 testes, o telefone móvel ainda pode reconhecer o cartão SIM, e a qualidade de sinal é boa.

Modalidade 5

[0100] Nesta modalidade, uma bandeja de cartão para um cartão nano SIM é usada como um exemplo para descrição. Uma base de bandeja de cartão é uma base de bandeja de cartão feita de uma liga amorfa. Um método específico para preparar a bandeja de cartão é como a seguir:

[0101] (A) Preparar uma base de bandeja de cartão usando um método de vazamento por vazio.

[0102] (B) Preparar um filme de DLC em uma área especificada sobre a base de bandeja de cartão.

[0103] As etapas específicas do método são as seguintes:

[0104] Etapa 1: Deitar e desengordurar uma superfície da base de bandeja de cartão, limpar a superfície usando ondas ultrassônicas e água pura, depois endurecer por cozimento a base de bandeja de cartão e carregar a base de bandeja de cartão em um acessório relacionado para entrar em uma câmara de forno de PVD.

[0105] Etapa 2: Supondo que um alvo de chapeamento de íons de arco seja usado nesta modalidade, criar um vácuo na câmara de forno de PVD, onde um grau de vácuo é melhor do que 6,5 x 10-3 Pa; então, injetar argônio, manter o grau de vácuo entre 0,4 Pa e 0,9 Pa, ativar uma tensão de polarização negativa de -800 V e realizar limpeza de íons em um substrato.

[0106] Etapa 3: Ativar nitrogênio, ativar um alvo de titânio e primeiro depositar uma camada de titânio puro combinada com o substrato; então, preparar uma camada mista de TiN e Ti ajustando-se uma potência alvo de titânio e uma taxa de fluxo de gás; então, ativar um alvo de grafite, reduzir gradualmente a potência de alvo de titânio para 0, reduzir a taxa de fluxo de gás nitrogênio para 0 e preparar uma camada mista de nitreto de titânio e DLC; então, quando apenas o alvo de grafite, acetileno e argônio permanecerem, preparar um filme de DLC puro, onde uma espessura total de um filme de PVD é de 3 micrômetros.

[0107] Etapa 4: Imprimir tinta para impressão comum tendo uma espessura de 26 micrômetros no filme de DLC; Depois de imprimir, endurecer por cozimento a uma temperatura à altura de 80 °C por 40 minutos.

[0108] Em um teste, um multímetro é usado para testar a resistência de superfície no DLC, e a resistência de superfície é superior a 2 MQ (2 milhões de ohms). Depois de politetrafluoretileno ser pulverizado, a resistência de superfície pode ser superior a 20 milhões de ohms. Depois de um cartão micro SIM ser reduzido a um cartão nano SIM, o cartão nano SIM é posto em uma fenda de cartão, e um teste de inserção e remoção é realizado usando um telefone celular real. O teste é repetido ciclicamente. Depois de 50 testes, o telefone celular ainda pode reconhecer o cartão SIM e a qualidade de sinal é boa.

Modalidade 6

[0109] Nesta modalidade, uma bandeja de cartão para um cartão nano SIM é usado como um exemplo para a descrição. Um material de uma base de bandeja de cartão é aço inoxidável tipo 17-4. Um método específico para preparar a bandeja de cartão é como a seguir:

[0110] Etapa 1: formar uma base de bandeja de cartão por meio de um processo de moldagem por injeção de metal.

[0111] Etapa 2: Preparar um filme de DLC em uma área especificada sobre a base de bandeja de cartão formada.

[0112] As etapas específicas do método são as seguintes:

[0113] (A) Tirar o óleo e tirar a graxa de uma superfície de base de bandeja de cartão de aço inoxidável, limpar a superfície usando-se ondas ultrassônicas e água pura, então endurecer por cozimento a base de bandeja de cartão e carregar a base de bandeja de cartão em um acessório relacionado para entrar em uma câmara de forno PVD.

[0114] (B) Supondo que um alvo de pulverização catódica em magnetron seja usado nesta modalidade, criar um vácuo na câmara de forno de PVD, onde um grau de vácuo é melhor do que 6,5 x 10-3 Pa; então, injetar argônio, manter o grau de vácuo entre 0,1 Pa e 1 Pa, ativar uma tensão de polarização negativa -600 V e realizar limpeza de íon em um substrato de aço inoxidável.

[0115] (C) Ativar um alvo de Ti de pulverização catódica em magnetron, primeiro depositar uma camada de Ti pura (camada de base metálica) combinada com a base de aço inoxidável, e então preparar uma camada mista (camada intermediária) de WC e Ti ajustando uma potência do alvo de carboneto de tungstênio e uma taxa de fluxo de gás; então ativar um alvo de grafite, reduzir gradualmente uma taxa de fluxo de nitrogênio e a potência alvo de titânio para 0, injetar acetileno e aumentar continuamente uma taxa de fluxo de gás e obter uma camada mista de WC e DLC, onde uma espessura total de um filme PVD é de 3,2 micrômetros.

[0116] [D) Pulverizar um revestimento de politetrafluoretileno sobre o filme de DLC, endurecer por cozimento a uma temperatura à altura de 160 °C por 30 minutos depois de pulverizar pela primeira vez, e endurecer por cozimento a uma temperatura à altura de 160 °C por 30 minutos depois de pulverizar pela segunda vez, onde uma espessura total é de 28 micrômetros.

[0117] Em um teste, um multímetro é usado para testar a resistência de superfície no DLC, e a resistência de superfície é superior a 2 MQ (2 milhões de ohms). Depois de politetrafluoretileno ser pulverizado, a resistência de superfície pode ser superior a 20 milhões de ohms. Depois de um cartão micro SIM ser reduzido a um cartão nano SIM, o cartão nano SIM é posto em uma fenda de cartão, e um teste de inserção e remoção é realizado usando-se um telefone celular real. O teste é repetido ciclicamente. Depois de 60 testes, o telefone celular ainda pode reconhecer o cartão SIM e a qualidade de sinal é boa.

[0118] Conforme mostrado na Figura 4, a Figura 4 é um diagrama estrutural esquemático de um terminal móvel de acordo com uma modalidade da presente invenção.

[0119] Uma modalidade da presente invenção fornece adicionalmente um terminal móvel. O terminal móvel inclui um corpo de terminal móvel 20, uma bandeja de cartão 10 disposta no lado de dentro do corpo de terminal móvel 20 e um cartão 30 fixo na bandeja de cartão 10. A bandeja de cartão 10 é qualquer uma das supracitadas placas de cartão 10.

[0120] Nesta modalidade, duas camadas isolantes estão dispostas sobre uma base de bandeja de cartão para proteger a base de bandeja de cartão, e a dureza de uma primeira camada isolante é definida para ser mais alta que aquela de uma segunda camada isolante. Quando rebarbas ou partes cortantes em um cartão perfuram a segunda camada isolante, a primeira camada isolante pode bloquear as rebarbas ou as partes cortantes, impedindo assim que um revestimento isolante sobre a base de bandeja de cartão seja arranhado pelas rebarbas. Portanto, as propriedades isolantes de uma bandeja de cartão 10 são aperfeiçoadas efetivamente e, portanto, um efeito de reconhecimento do cartão por um terminal móvel é aperfeiçoado. Casos nos quais o terminal móvel não pode reconhecer o cartão devido a arranhões no revestimento isolante da bandeja de cartão 10 e à condução elétrica da bandeja de cartão 10 são reduzidos efetivamente.

[0121] Obviamente, um especialista na técnica pode fazer várias modificações e variações na presente invenção sem se afastar do escopo da presente invenção. A presente invenção destina-se a cobrir estas modificações e variações desde que estejam abrangidas pelo escopo de proteção definido pelas reivindicações a seguir e as suas tecnologias equivalentes.

Claims

1. Bandeja de cartão (10), CARACTERIZADA pelo fato de que compreende uma base de bandeja de cartão (11), uma primeira camada isolante (12) disposta sobre a base de bandeja de cartão (11), e uma segunda camada isolante (13) cobrindo a primeira camada isolante (12), em que a dureza da primeira camada isolante (12) é mais alta do que aquela da segunda camada isolante (13), a primeira camada isolante (12) compreende uma camada de base metálica (121) disposta sobre a base de bandeja de cartão (11), uma camada intermediária (122) disposta sobre a camada de base metálica (121), e um revestimento isolante (123) disposto sobre a camada intermediária (122), em que a camada intermediária (122) é uma camada mista de um metal e um composto químico do metal, e o revestimento isolante (123) é uma camada mista de um metal, um composto químico do metal, e um material de carbono semelhante a diamante.

2. Bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADA pelo fato de que no revestimento isolante (123), o teor do metal e do composto químico do metal é mais alto em uma posição mais próxima da camada intermediária (122); e o teor do material de carbono semelhante a diamante é mais alto em uma posição mais afastada da camada intermediária (122).

3. Bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADA pelo fato de que o composto químico do metal na camada mista do metal e do composto químico do metal é um óxido metálico, um nitreto metálico, um carboneto metálico, um sulfeto metálico, um boreto metálico, um oxinitreto metálico, um carbonitreto metálico ou um oxinitreto de carbono metálico.

4. Bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADA pelo fato de que um material da base de bandeja de cartão (11) compreende pelo menos um dos seguintes materiais: um material metálico, um material de liga metálica, um material compósito de base metálica, ou um material inorgânico não metálico.

5. Bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADA pelo fato de que uma espessura da primeira camada isolante (12) está entre 0,3 micrômetros e 7 micrômetros.

6. Bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 5, CARACTERIZADA pelo fato de que uma espessura da segunda camada isolante (13) está entre 3 micrômetros e 100 micrômetros.

7. Bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 1, CARACTERIZADA pelo fato de que uma espessura da primeira camada isolante (12) está entre 0,3 micrômetros e 3 micrômetros.

8. Bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 7, CARACTERIZADA pelo fato de que uma espessura da segunda camada isolante (13) está entre 10 micrômetros e 25 micrômetros.

9. Bandeja de cartão (10), de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 8, CARACTERIZADA pelo fato de que a segunda camada isolante (13) é um revestimento de polímero.

10. Bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 9, CARACTERIZADA pelo fato de que um material da segunda camada isolante (13) compreende pelo menos um dos seguintes materiais: um revestimento de politetrafluoretileno, um revestimento de tinta ou um revestimento de tinta para impressão.

11. Método para preparar uma bandeja de cartão (10), CARACTERIZADO pelo fato de que compreende as seguintes etapas: formar uma primeira camada isolante (12) sobre uma base de bandeja de cartão (11); e formar uma segunda camada isolante (13) sobre a primeira camada isolante (12) formada, em que a dureza da primeira camada isolante (12) formada é mais alta que aquela da segunda camada isolante (13); a formação de uma primeira camada isolante (12) sobre uma base de bandeja de cartão (11) compreende especificamente: formar uma camada de base metálica (121) sobre a base de bandeja de cartão (11); formar uma camada intermediária (122) sobre a camada de base metálica (121); e formar um revestimento isolante (123) sobre a camada intermediária (122), em que a camada intermediária (122) é uma camada mista de um metal e um composto químico do metal, e o revestimento isolante (123) é uma camada mista de um metal, um composto químico do metal e um material de carbono semelhante a diamante.

12. Método para preparar uma bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 11, CARACTERIZADO pelo fato de que à medida que uma espessura da camada intermediária (122) aumenta, o teor do metal na camada intermediária (122) diminui gradualmente, e à medida que a espessura da camada intermediária (122) aumenta, o teor do composto químico do metal na camada intermediária (122) aumenta gradualmente.

13. Método para preparar uma bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 12, CARACTERIZADO pelo fato de que à medida que uma espessura do revestimento isolante (123) aumenta, o teor do metal e do composto químico do metal no revestimento isolante (123) diminui gradualmente e, à medida que a espessura do revestimento isolante (123) aumenta, o teor de um filme de carbono semelhante a diamante no revestimento isolante (123) aumenta gradualmente.

14. Método para preparar uma bandeja de cartão (10), de acordo com qualquer uma das reivindicações 11 a 13, CARACTERIZADO pelo fato de que compreende adicionalmente: antes de formar uma primeira camada isolante (12) sobre uma base de bandeja de cartão (11), realizar limpeza de íon sobre a base de bandeja de cartão (11) em um estado de vácuo.

15. Método para preparar uma bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 14, CARACTERIZADO pelo fato de que compreende adicionalmente: depois de formar uma segunda camada isolante (13) sobre a primeira camada isolante (12) formada, cozer a segunda camada isolante (13) a uma temperatura alta.

16. Método para preparar uma bandeja de cartão (10), de acordo com a reivindicação 14, CARACTERIZADO pelo fato de que uma espessura da primeira camada isolante (12) formada está entre 0,3 micrômetros e 7 micrômetros e uma espessura da segunda camada isolante (13) formada está entre 3 micrômetros e 100 micrômetros.

17. Terminal móvel, CARACTERIZADO pelo fato de que compreende um corpo de terminal móvel (20), uma bandeja de cartão (10) disposta dentro do corpo de terminal móvel (20) e um cartão (30) fixo na bandeja de cartão (10), em que a bandeja de cartão (10) é a bandeja de cartão (10) conforme definida em qualquer uma das reivindicações 1 a 10.