BE782076A - Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van lagen, die onderling in samenstelling verschillen, op een substraat, voortbrengsels, bevattendedergelijke opeenvolgende lagen en electronische inrichtingen, in het bijzonder halfgeleiderinrichtingen, omvattende zulke voortbrengsels - Google Patents
Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van lagen, die onderling in samenstelling verschillen, op een substraat, voortbrengsels, bevattendedergelijke opeenvolgende lagen en electronische inrichtingen, in het bijzonder halfgeleiderinrichtingen, omvattende zulke voortbrengselsInfo
- Publication number
- BE782076A BE782076A BE782076A BE782076A BE782076A BE 782076 A BE782076 A BE 782076A BE 782076 A BE782076 A BE 782076A BE 782076 A BE782076 A BE 782076A BE 782076 A BE782076 A BE 782076A
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- devices
- substrate
- composition
- products containing
- electronical
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S118/00—Coating apparatus
- Y10S118/90—Semiconductor vapor doping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/067—Graded energy gap
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/072—Heterojunctions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/925—Fluid growth doping control, e.g. delta doping
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7113279A FR2133498B1 (nl) | 1971-04-15 | 1971-04-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BE782076A true BE782076A (nl) | 1972-10-13 |
Family
ID=9075302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BE782076A BE782076A (nl) | 1971-04-15 | 1972-04-13 | Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van lagen, die onderling in samenstelling verschillen, op een substraat, voortbrengsels, bevattendedergelijke opeenvolgende lagen en electronische inrichtingen, in het bijzonder halfgeleiderinrichtingen, omvattende zulke voortbrengsels |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3925118A (nl) |
BE (1) | BE782076A (nl) |
CA (1) | CA994218A (nl) |
CH (1) | CH582753A5 (nl) |
FR (1) | FR2133498B1 (nl) |
GB (1) | GB1387023A (nl) |
IT (1) | IT954659B (nl) |
NL (1) | NL7204858A (nl) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2320774A1 (fr) * | 1974-01-10 | 1977-03-11 | Radiotechnique Compelec | Procede et dispositif de depot de materiau dope |
US4171996A (en) * | 1975-08-12 | 1979-10-23 | Gosudarstvenny Nauchno-Issledovatelsky i Proektny Institut Redkonetallicheskoi Promyshlennosti "Giredmet" | Fabrication of a heterogeneous semiconductor structure with composition gradient utilizing a gas phase transfer process |
JPS5296865A (en) * | 1976-02-04 | 1977-08-15 | Nec Corp | Crystal grown unit for chemical compound semiconductor |
US4410558A (en) * | 1980-05-19 | 1983-10-18 | Energy Conversion Devices, Inc. | Continuous amorphous solar cell production system |
US4400409A (en) * | 1980-05-19 | 1983-08-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making p-doped silicon films |
JPS582294A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Fujitsu Ltd | 気相成長方法 |
US4565905A (en) * | 1982-04-28 | 1986-01-21 | International Jensen Incoporated | Loudspeaker construction |
JPS59156996A (ja) * | 1983-02-23 | 1984-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 化合物結晶膜の製造方法とその装置 |
US4553853A (en) * | 1984-02-27 | 1985-11-19 | International Business Machines Corporation | End point detector for a tin lead evaporator |
US4689094A (en) * | 1985-12-24 | 1987-08-25 | Raytheon Company | Compensation doping of group III-V materials |
JP3023982B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2000-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
US5997588A (en) * | 1995-10-13 | 1999-12-07 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Semiconductor processing system with gas curtain |
CN1904128A (zh) * | 2005-07-29 | 2007-01-31 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 真空室进气调节装置及调节方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL256300A (nl) * | 1959-05-28 | 1900-01-01 | ||
NL262949A (nl) * | 1960-04-02 | 1900-01-01 | ||
US3184348A (en) * | 1960-12-30 | 1965-05-18 | Ibm | Method for controlling doping in vaporgrown semiconductor bodies |
NL288035A (nl) * | 1962-01-24 | |||
US3314393A (en) * | 1962-07-05 | 1967-04-18 | Nippon Electric Co | Vapor deposition device |
DE1521789A1 (de) * | 1964-07-15 | 1969-10-16 | Ibm Deutschland | Verfahren zum chemischen Feinpolieren |
US3441454A (en) * | 1965-10-29 | 1969-04-29 | Westinghouse Electric Corp | Method of fabricating a semiconductor by diffusion |
US3494743A (en) * | 1967-11-01 | 1970-02-10 | Atomic Energy Commission | Vapor phase reactor for producing multicomponent compounds |
US3635771A (en) * | 1968-05-21 | 1972-01-18 | Texas Instruments Inc | Method of depositing semiconductor material |
GB1298667A (en) * | 1969-02-24 | 1972-12-06 | Nat Res Dev | Improvements in the separation of liquids |
BE760041A (fr) * | 1970-01-02 | 1971-05-17 | Ibm | Procede et appareil de transfert de masse gazeuse |
-
1971
- 1971-04-15 FR FR7113279A patent/FR2133498B1/fr not_active Expired
-
1972
- 1972-04-12 IT IT68126/72A patent/IT954659B/it active
- 1972-04-12 NL NL7204858A patent/NL7204858A/xx not_active Application Discontinuation
- 1972-04-12 GB GB1683972A patent/GB1387023A/en not_active Expired
- 1972-04-13 BE BE782076A patent/BE782076A/nl unknown
- 1972-04-13 US US243592A patent/US3925118A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-04-13 CH CH543972A patent/CH582753A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-04-14 CA CA139,688A patent/CA994218A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2217988A1 (de) | 1972-10-19 |
NL7204858A (nl) | 1972-10-17 |
IT954659B (it) | 1973-09-15 |
CA994218A (en) | 1976-08-03 |
CH582753A5 (nl) | 1976-12-15 |
FR2133498A1 (nl) | 1972-12-01 |
US3925118A (en) | 1975-12-09 |
GB1387023A (en) | 1975-03-12 |
DE2217988B2 (de) | 1977-07-07 |
FR2133498B1 (nl) | 1977-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL161305B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
BE782076A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van lagen, die onderling in samenstelling verschillen, op een substraat, voortbrengsels, bevattendedergelijke opeenvolgende lagen en electronische inrichtingen, in het bijzonder halfgeleiderinrichtingen, omvattende zulke voortbrengsels | |
NL161302C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL176818C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL182520C (nl) | Halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type voor het opslaan en in volgorde overdragen van pakketten ladingdragers. | |
NL176742C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van bruistabletten. | |
NL7414007A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL7501102A (nl) | Inrichting voor het automatisch verpakken van in lagen geplaatste voorwerpen in op elkaar volgende dozen, kistjes of dergelijke. | |
NL161617B (nl) | Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL186478B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL176416C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting. | |
NL169250C (nl) | Keten voor het in een blokkerende toestand brengen van een in geleidende toestand verkerende stuurbare halfgeleidergelijkrichter met een halfgeleiderlichaam met vier lagen van afwisselend tegengesteld geleidingstype. | |
NL179571C (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van een stapel uit lagen. | |
NL7413791A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL158022B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL151213B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire halfgeleiderinrichting, voorzien van een vrijwel uitsluitend uit palladium bestaande laag, alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL7509464A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL163063C (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling van het lading- gekoppelde type voor het opslaan en in volgorde over- dragen van pakketten minderheidsladingsdragers. | |
NL173386C (nl) | Werkwijze voor het vormen van een metaaloxydebekleding op een ondergrond. | |
NL166171C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van, uit meerdere lagen opgebouwde, gedrukte schakelingen en inrichting ter realisering van deze werkwijze. | |
NL166074C (nl) | Inrichting voor het epitaxiaal uit vloeibare toestand neerslaan van meerdere halfgeleiderlaagjes op een substraat. | |
NL165084C (nl) | Gietinrichting voor het vervaardigen van een metalen voorwerp. | |
NL181767C (nl) | Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting. | |
BE750088A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting |