BE627914A - - Google Patents
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- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N AI2O3 Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 5
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N HF Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000003197 catalytic Effects 0.000 claims description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N edta Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N silicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001235 sensitizing Effects 0.000 claims 4
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims 3
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims 3
- 230000001464 adherent Effects 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000000881 depressing Effects 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxyl anion Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 230000002147 killing Effects 0.000 claims 1
- 230000000873 masking Effects 0.000 claims 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims 1
- 231100000202 sensitizing Toxicity 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000001187 sodium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- LJCNRYVRMXRIQR-UHFFFAOYSA-L Potassium sodium tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AVTYONGGKAJVTE-UHFFFAOYSA-L Potassium tartrate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O AVTYONGGKAJVTE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940111695 Potassium tartrate Drugs 0.000 description 1
- HELHAJAZNSDZJO-UHFFFAOYSA-L Sodium tartrate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O HELHAJAZNSDZJO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N Zirconium(IV) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- WEXGAARVZYPLSN-UHFFFAOYSA-N azanium;copper;hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-].[Cu] WEXGAARVZYPLSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000016693 dipotassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000001472 potassium tartrate Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- YOQDYZUWIQVZSF-UHFFFAOYSA-N sodium borohydride Substances [BH4-].[Na+] YOQDYZUWIQVZSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001476 sodium potassium tartrate Substances 0.000 description 1
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001433 sodium tartrate Substances 0.000 description 1
- 235000011004 sodium tartrates Nutrition 0.000 description 1
- ODGROJYWQXFQOZ-UHFFFAOYSA-N sodium;boron(1-) Chemical compound [B-].[Na+] ODGROJYWQXFQOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052846 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by chemical deposition
- H01C17/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by chemical deposition without using electric current
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1862—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
- C23C18/1865—Heat
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
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- H—ELECTRICITY
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Description
<Desc/Clms Page number 1> "Placage de cuivre sans électricité sur matière céramique" La présente invention a pour objet des perfectionne* ; monta au placage sans électricité, ou dépôt chimique, du cuivre sur des surfaces céramiques vitreuses. Dans des applications telles, par exemple, que dos berces de résistance comprenant un film électroconducteur formé sur une substance coranique, il a été constaté que l'adhérence de quivre déponsépar les procédés sans électricité ou'dépôt chi- <Desc/Clms Page number 2> mique connus jusqu'ici est peu satisfaisante. En outre, les mé- thodes utilisées jusqu'à présent ne permettent que le dépôt de couches de cuivre très fines qui n'assurent qu'un mauvais contact électrique avec les pellicules métalliques ou d'oxydes métalli- ques électroconductrices. Ces couches ont également une mauvaise aptitude à la soudure. De plus, les solutions de placage utilisées jusqu'à présent étant rapidement épuisées n'avaient que de mauvais rendements en cuivre. L'objet principal de cette invention est un procédé perfectionne de placage sans électricité par dépôt chimique, de cuivre sur des supports en céramique permettant de remédier aux inconvénients mentionnés-ci-dessus. Elle a également pour objet un procédé où le placage de cuivre sur des matières céramiques adhère solidement à la sur- face et l'obtention d'une couche de cuivre relativement épaisse. Le procédé permet aussi d'obtenir un bon contact ulec- trique entre le cuivre déposé et les pellicules électrocenductri- ces métalliques ou d'oxydes métalliques. De plus, ce procédé permet d'obtenir des solutions d' une durée relativement longue et un dépôt de cuivre réalisant éco- nomiquement les bornes des résistances. La description suivante permettra de mieux comprendra les différente avantages et caractéristiques de la présent inven- tion. La demanderesse a établi que la mauvaise adhérenc des pellicules de cuivre déposées sur les surfaces céramiques, confor- mément aux méthodes utilisées jusqu'à présent, est due à une mau- vaise fixation du métal sur la céramique du fait de l'absence d'un ancrage efficace dans la surface de céramique. Pour obtenir un ancrage suffisamment solide la demanderesse a constatv que 'la sur- face de la céramique devait être lessivée afin d'obtenir une sur- face poreuse à pores sub-microscopiques au lieu d'êt d'sinriment <Desc/Clms Page number 3> rendue rugueuse par attaque chimique. Un tel lessivage est réalisé, conformément à l'inven- tion, en faisant bouillir le support dans un acide approprié. Les acides les meilleurs varient avec la matière support, on utilisera par exemple de l'acide orthoposphorique avec de l'alumine, de 1' acide fluorhydrique avec des céramiques vitreuses aux silicates. zircon, berylium, stéatite, tels que ceux décrits dans les brevets français n 1.177.799 du 28 mai 1957 et 1.271.932 du 25 octobre 1960. La demanderesse a également établi que la mauvaise aptitude à la soudure des pellicules de cuivre produites par les méthodes anciennes est due non seulement au manque d'adhérence de ces pellicules mais aussi à leur finesse. Il a été impossible d' obtenir des pellicules de cuivre épaisses en utilisant les bains de placage ordinaires parce que les bains s'épuisaient rapidement en raison de la reconbinaison rapide des ions de cuivre et de la précipitation ultérieure du cuivre métallique dans le bain rendant le cuivre inutilisable pour le placage bien avant qu'une pellicule de cuivre suffisamment épaisse ait pu être déposée. La demande- resse a constaté qu'en ajoutant un agent séquestrant ou complexant aux solutions habituelles de bains de placage en vue de retarder d'une façon importante la recombinaison des ions de cuivre et ain- si d'éviter la précipitation du cuivre métallique dans le bain de placage, il était possible de conserver une plus grande quantité de cuivre disponible pour le placage pendant un temps notablement plus long. Conformément aux procédés habituels de placage de cui- vre sans électricité, le support est nettoyé et ensuite eensibili- sé par immersions successves dans une solution aqueuse de métal catalytique et dans une solution aqueuse d'un agent oxydant tel par exemple qu'une solution d'hydroxyde d'ammonium cuprique et de boro- hydrure de sodium ou similaire et rincé à l'eau après chaque immer- <Desc/Clms Page number 4> sion, Le support est ensuite immergé dans le bain de placqge com- prenant par exemple une solution aqueuse contenant un sel de cui- vre et un hydroxyde de métal alcalin en présence de sels tels que le tartrate de sodium et de potassium et/ou de carbonate de sodium. Après une immersion d'environ 15 à 30 minutes, lu bainest prati- m/m quement épuisé et une pellicule de cuivra variant d'envrron 0,0013 (0,000005 pouce) à environ 0,0005 m/m (0,00002 ponve) en épais- ,saur a été déposée sur le support. La présente invention peut être mise en ovvre en uti- lisant toutes les solutions habituelles de bains 'le ple age de qui- vre sans électricité. Un bain convenant dans le cas prede .t est donné par l'exemple ci-après. On prépare un concentré comprenant 79 gr de tartrate de sodium-potassium, 28 gr de sulfate de quire. 20 gr d'hydroxyde de sodium et 32 gr de carbonate de sodium tat litre d'eau distillée. Le bain de pla cage est alors préparé en mélangeant 2 parties de ce concentré avec une partie d'eau distil- lée et en ajoutant de 1 à 6 car de formaldéhyde pour 100 cm3 du concentré. Un exemple typique de mise en oeuvre de l'invention est exposé ci-après. Un suppor de 2 cm2 environ (5/16 de pouce darré) pressé à chaud, ayant une épaisseur d'environ 0,25 m/m (0,010 pouce) a été convenablement nettoyé par immersion dans un bain d'acétone agité ultrasoniquement. Le support d'alumine a été alors plongé dans un bain de lessivage d'acide orthophosphorique à 85% bouillant et mis à bouillir pendant 3 minutes environ. Un .lessivage satisfaisant est obtenu en maintenant la céramique dans ''le baih de lessivage pendant untemps variant de 1 minute 1/2 à 5 minutes environ, bien que des durées de lessivage plus longues soient possibles si un pré-placage partiel du support n'est pas Affecté par ce lessivage. L'ensemble est alors rincé à l'eau puis ..placé dans une solution de peroxyde d'hydrogène à 5 % environ pen- dant 5 minutes environ puis mis à bouillir dans l'eau pendant 10 <Desc/Clms Page number 5> minutes environ et ensuite séché à l'air. Le support d'alumine est ensuite sensibilisé par im- EMI5.1 morsion dans une solution de chlorure d'Alain A'390 % pendant bzz minutes environ, rincé à l'oau, immergé dans une solution de chlo- rure de palladium à 0,01 % pendant 3 minutes environ et finalement soigneusement rincé à l'eau. , @ EMI5.2 Au bain de placage tel que celui décria ci-deaauâ'1 été ajouté un agent séquestrant, un sol t4trasodique de 11: éthylénediaminetétra-acétique, à raison de 2 partiea pour 10p¯p;r,.;J tiea en volume du concentré du bain de placage. Des r6sultats'ëk-tisfaisnnta ont pu être obtenus en a,outantlaetit séquestrant j complètent au bain de placage en quantité variât d'environ une pactie à 10 parties en volume pour 100 partie du bain de placage. **ATTENTION** fin du champ DESC peut contenir debut de CLMS **.
Claims (1)
- Le support d'alumine a été placé dans un bain de pla- ' cage contenant l'agent séquestrant ou complexant et y a été main- . EMI5.3 tenu pendant 3 heures environ. On a constaté que le revôtemonfrj de cuivre déposé sur l'alumine avait une bonne adhérence et une EMI5.4 tisseur de 0,02 (0,00075 pouce) environ d'paicieur. On a 6j:a?..pr.nt conataté que ce revttement de cuivre était soudable aiins fisiculté. ' EMI5.5 Lr cuivre peut titre également du'pos4 sélectivement pr¯, w .-rcZd4 de l':.-vontion.Dans les applications telles que le -.<,3 o r'z;4 ntance où un il4mzit de résistance est formé sur z -:# y'.-''t pr un Elu'.e::;nc, .lectroconducteur, le procu'd4 d6cnt ..ssu peut dtre utill..s6 pour former les bornes de cette ésist.a'n;3. c i masquant d'une façon appropriée les portions sur losquelle': li placage de cuivre ne doit pas ttre effectua. bzz lier aun l présente invention ait été décrite à l'a', de l-w r.od.- particulier, il est .vident que les '# z lu ##ljr*a<is 1-icitert en rin l'étendue de 'invention. V, Ji UJLL CATIONS. # ,i EMI5.6 . pro c6d de dupôt par voie chimique de cuivre ,.J':;:!j <Desc/Clms Page number 6> sur une surface support en céramique comprenant successivement le nettoyage de ce support, sa sensibilisation par immersions successi- ves dans une solution aqueuse d'un mtal catalytique et dans une aolution aqueuse d'un agent oxydant, son finçage dans l'eau et son immersion dans un bain do placage, le perfectionnement consistant à rendre poreuse la surface de ce support en céramique par lessi- vage dans un bain acide après le nettoyage puis à l'immerger après sa sensibilisation dans un bain do placage contenant un sel do cui- vre auquel ur. sel tétrasodique de l'acide éthylènediaminetétra- acétique peut être ajoute.2. Un procède do dépôt par voie chimique d'une couche de cuivre fortement adhérente sur la surface d'un support cérami- que comprenant la formation d'une surface poreuse microscopique par lessivage dans un bain acide pendant au moins 1 minute, le rin- çage de la surface lessivée par de l'eau, la sensibilisation de cette surface lessivée par immersions successives dans un* selu- tion aqueuse d'un métal catalytique et dans une seltion .;tueuse d'un agent oxydant pendant 3 minutes environ, le rinçage de ce support à l'eau puis son immersion dans un bain de planaire ordi- maire contenant un sel de cuivre auquel un sel tétrasodique de *.' acide éthylènediaminetétra-acétique a été ajouté en une @@ité minimum de 0,5% en volume. EMI6.13. Un procédé do dépfit chimique d'une co de ,",.1... vre fortement adhérente ayant une épaisseur d'au moi; ,! 1 n (0,00002 pouce) sur la surface en céramique d'un $UP}lH"1;, rc ?.-.<:.#* tant la formation d'une surface poreuse sub-microscopique par lea< sivage dans un bain acide pendant 1 minute au moins, le rinça') de ce support à l'eau, la mise en place dans une solution de perrxyde d'hydrogène à si pednant 5 minutes environ, l'ébullition dut ce support dans l'eau pendant 10 minutes environ, le séchage ù e-iir ! de ce cupport, la sensibilisation de la surface le'-tvo .ar r- IPJIFr.!.:.;.:1 S\c(:c331ves dans une solution .:\q""'..:, je ''1 m . '''1.. . <Desc/Clms Page number 7> et dans une solution aqueuse de chlorure de palladium pendant 3 minutes environ, le rinçage de ce support à l'eau puis l'immersion de ce support dans un bain de placage contenant une solution a- queuse d'un sel de cuivre, un hydroxyde de métal alcalin et un sel tétrasodique de l'acide éthylènediaminetétra-acéti que pendant 20 minutes au moins.4. Un objet comportant une couche de cuivre déposé par le procédé suivait l'une des revendications précédentes.5. Procédé suivant l'une quelconque des revendica- tions 1 à 3. dans lequel le support de céramique est de l'alumine.6. Procédé suivant l'une quelconque des revendica- tions 1 à 3, dans lequel le bain acide contient environ 85% d'une solution aqueuse d'acide orthophosphorique.7. Procédé suivant l'une quelconque des revendi- cations 1 à 3. dans lequel le support en céramique est une céra- mique vitreuse aux silicates.8. Procède suivant l'une quelconque des revendica- tions 1 à 3, dans lequel le bain acide comprend une solution a- queuse d'acide fluorhydrique.9. Un bain de placage de cuivre sans électricité contenant une solution aqueuse d'un sel de cuivre et un sel té- trasodique de l'acide éthylènediaminet6tra-acétique.
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---|---|
BE627914A true BE627914A (fr) |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BE627914D BE627914A (fr) |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE627914A (fr) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0279432A2 (fr) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Nokia (Deutschland) GmbH | Méthode de fabrication d'une couche métallique déposée sans courant |
-
0
- BE BE627914D patent/BE627914A/fr unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0279432A2 (fr) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Nokia (Deutschland) GmbH | Méthode de fabrication d'une couche métallique déposée sans courant |
EP0279432A3 (en) * | 1987-02-19 | 1990-05-09 | Nokia Unterhaltungselektronik (Deutschland) Gmbh | Method of the production of a currentlessly deposited solderable metal layer |
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