ATE357057T1 - Verfahren zur untersuchung einer anisotropen ätzung in einer mikrostruktur - Google Patents

Verfahren zur untersuchung einer anisotropen ätzung in einer mikrostruktur

Info

Publication number
ATE357057T1
ATE357057T1 AT01996882T AT01996882T ATE357057T1 AT E357057 T1 ATE357057 T1 AT E357057T1 AT 01996882 T AT01996882 T AT 01996882T AT 01996882 T AT01996882 T AT 01996882T AT E357057 T1 ATE357057 T1 AT E357057T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
microstructure
holes
etch
different
investigation
Prior art date
Application number
AT01996882T
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Antaki
Riopel Yan
Original Assignee
Dalsa Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dalsa Semiconductor Inc filed Critical Dalsa Semiconductor Inc
Application granted granted Critical
Publication of ATE357057T1 publication Critical patent/ATE357057T1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
AT01996882T 2000-11-18 2001-11-15 Verfahren zur untersuchung einer anisotropen ätzung in einer mikrostruktur ATE357057T1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0028182A GB2369187A (en) 2000-11-18 2000-11-18 Inspecting etch in a microstructure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE357057T1 true ATE357057T1 (de) 2007-04-15

Family

ID=9903439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT01996882T ATE357057T1 (de) 2000-11-18 2001-11-15 Verfahren zur untersuchung einer anisotropen ätzung in einer mikrostruktur

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6770213B2 (de)
EP (1) EP1340251B1 (de)
AT (1) ATE357057T1 (de)
DE (1) DE60127295T2 (de)
GB (1) GB2369187A (de)
WO (1) WO2002041388A2 (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6872630B1 (en) * 2002-06-12 2005-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Using V-groove etching method to reduce alignment mark asymmetric damage in integrated circuit process
EP1614155A2 (de) * 2003-04-17 2006-01-11 X-FAB Semiconductor Foundries AG Teststruktur zur elektrischen ueberpruefung der tiefen von trench-aetzungen in einem soi wafer und zugehoerige arbeitsverfahren
US7238621B2 (en) * 2005-05-17 2007-07-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Integrated optical MEMS devices
EP1933431A4 (de) * 2005-09-05 2011-06-15 Univ Kyoto Licht emittierende laserlichtquelle mit zweidimensionaler oberfläche aus photonischem kristall
US8021563B2 (en) * 2007-03-23 2011-09-20 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd Etch depth determination for SGT technology
US8828520B2 (en) * 2008-07-01 2014-09-09 Alcatel Lucent Micro-posts having improved uniformity and a method of manufacture thereof
US9042696B2 (en) * 2010-12-20 2015-05-26 Intel Corporation Method and structure combining vertical and angled facets in silicon photonic waveguides
CN103165579A (zh) * 2011-12-13 2013-06-19 无锡华润上华半导体有限公司 一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及监控方法
US9107302B2 (en) * 2013-02-12 2015-08-11 Raytheon Company Dummy structure for visual aid in printed wiring board etch inspection
CN103253626A (zh) * 2013-05-15 2013-08-21 西北工业大学 一种硅材料锥形结构及其制备方法
US10296698B2 (en) * 2016-12-14 2019-05-21 Globalfoundries Inc. Forming multi-sized through-silicon-via (TSV) structures

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4386850A (en) 1980-12-23 1983-06-07 Rca Corporation Calibration device and method for an optical defect scanner
JP2633228B2 (ja) 1984-04-25 1997-07-23 松下電子工業株式会社 半導体装置のエッチング精度検査方法
JPH0669031B2 (ja) 1984-07-17 1994-08-31 日本電気株式会社 半導体装置
JPH0228927A (ja) * 1988-07-18 1990-01-31 Semiconductor Res Found 半導体装置の製造方法及びエッチング液
JPH08255954A (ja) * 1995-03-17 1996-10-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザの構造及びその製造方法
US5561293A (en) * 1995-04-20 1996-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. Method of failure analysis with CAD layout navigation and FIB/SEM inspection
US6012336A (en) * 1995-09-06 2000-01-11 Sandia Corporation Capacitance pressure sensor
JP3268184B2 (ja) * 1995-12-11 2002-03-25 シャープ株式会社 プリント配線基板製造装置
US5702982A (en) * 1996-03-28 1997-12-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for making metal contacts and interconnections concurrently on semiconductor integrated circuits
JPH10125653A (ja) * 1996-10-17 1998-05-15 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH11258266A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Omron Corp 半導体デバイスの製造プロセスにおいて異方性エッチングによるエッチング深さを適正化する方法、その方法を適用して製造された半導体デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
EP1340251B1 (de) 2007-03-14
WO2002041388A3 (en) 2003-04-10
US6770213B2 (en) 2004-08-03
GB2369187A (en) 2002-05-22
EP1340251A2 (de) 2003-09-03
DE60127295T2 (de) 2007-11-29
WO2002041388A2 (en) 2002-05-23
DE60127295D1 (de) 2007-04-26
US20020088769A1 (en) 2002-07-11
GB0028182D0 (en) 2001-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE357057T1 (de) Verfahren zur untersuchung einer anisotropen ätzung in einer mikrostruktur
DK1241930T3 (da) Klæbende mikrostruktur og fremgangsmåde til fremstilling af samme
CN104237871B (zh) 一种基于相位补偿的时延差估计方法
ATE458273T1 (de) Verfahren zur ätzung eines substrats
ATE270427T1 (de) Vorrichtung zur druck-, schall- und vibrationsmessung, sowie verfahren zur strömungsanalyse an bauteiloberflächen
DE602005027102D1 (de) Ätzverfahren mit Verwendung eines Opfersubstrats
DE602004013356D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur durchführung einer signalkorrelation unter verwendung vorgeschichtlicher korrelationsdaten
US20100039893A1 (en) Method for seismic monitoring of a formation hydraulic fracturing
DE60209802D1 (de) Verfahren zum erhalten eines selbsttragenden halbleiterdünnfilms für elektronische schaltungen
DE60102955D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Vorhersage des nächsten Tastenanschlags an Tastaturen, die mittels eines Zeigers bedient werden
MY142148A (en) Semiconductor texturing process
MY144264A (en) Semiconductur texturing process
DE60238892D1 (de) Vorrichtung zum Nachweis einer Feinstruktur an der Oberfläche einer Probe und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
ATE429702T1 (de) Verfahren zur authentifizierung markierter polymere
ATE507537T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der ähnlichkeit zwischen oberflächen
Hamstad et al. Effects of lateral plate dimensions on acoustic emission signals from dipole sources
ATE489618T1 (de) Verfahren zur gewinnung spektraler informationen
ATE290709T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum erzeugen einer kennung für ein audiosignal, zum aufbauen einer instrumentendatenbank und zum bestimmen der art eines musikinstruments
ATE475074T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur gleichzeitigen prüfung einer vielzahl von differenziellen druckmesssensoren
ATE297613T1 (de) Verfahren und einrichtung zum abschätzen des störabstandes eines signals
ATE391840T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur bestimmung mindestens einer verbrennungsgrösse eines verbrennungsvorgangs
ATE457371T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum magnetronsputtern
WO2004055528A3 (en) Apparatus and method for electrical characterization of semiconductors
CN103474083A (zh) 基于正交正弦脉冲序列定位标签的语音时间规整方法
DE602004017304D1 (de) Vorrichtung und verfahren zur bindung und/oder auf einer probe

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties