ATE305172T1 - Verfahren zur ansteuerung eines feldeffekttransistors - Google Patents

Verfahren zur ansteuerung eines feldeffekttransistors

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ATE305172T1
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Holger Sedlak
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JPS599990B2 (ja) * 1978-07-25 1984-03-06 超エル・エス・アイ技術研究組合 半導体記憶装置
KR930003929B1 (ko) * 1990-08-09 1993-05-15 삼성전자 주식회사 데이타 출력버퍼
JPH0812754B2 (ja) * 1990-08-20 1996-02-07 富士通株式会社 昇圧回路
US5220528A (en) * 1990-11-19 1993-06-15 Intel Corporation Compensation circuit for leakage in flash EPROM

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