AT350681B - Einrichtung zur bildung von steuersignalen fuer die regelung der energiezufuhr elektrischer oefen, insbesondere elektrospeicherheizgeraete - Google Patents

Description

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 EMI1.1 
 

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 EMI2.1 
 

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   Zur   Störwertaufschaltung   dient eine über ein Potentiometer --17-- in den Emitterstromkreis des
Transistors --13-- einspeisbare Spannung, die beispielsweise die Aussentemperatur abbildet und aus einem
Stromkreis gewonnen wird, der eine Brückenschaltung oder einen Spannungsteiler mit temperaturab- hängigen Widerständen mit linearem Temperaturgang der Teilerspannung enthält. 



   Bei der Ausführung nach Fig. 3 sind ähnlich wie bei der Ausführung nach Fig. 1 nur zwei
Transistoren --18 und 19-- vorgesehen. Ein mit dem Transistor --18-- thermisch gekoppelter Heizwider- stand --20-- liegt parallel zu dem mit --21-- bezeichneten Verbraucher des Steuersignals. Die
Transistoren --18 und 19-- sind von ungleichem Leitungstyp und je mit Kollektor und Emitter an einen gemeinsamen Vorwiderstand --22-- angeschlossen. Mit dieser Schaltung ergibt sich die gewünschte gegensinnige Beeinflussung der Spannung am Kollektor des Transistors --19--, an den der Eingang eines   Schaltverstärkers --23-- mit   einer Hysterese zwischen Ein- und Ausschaltpunkt der Ausgangsspannung angeschlossen ist. Dadurch wird eine gewisse Störsicherheit der ganzen Schaltung, insbesondere gegen durch den Netzbrumm verursachte Störungen, erzielt. 



     PATENTANSPRÜCHE   : 
1. Einrichtung zur Bildung von Steuersignalen für die Regelung der Energiezufuhr elektrischer Öfen, insbesondere Elektrospeicherheizgeräte, unter Verwendung mindestens eines temperaturabhängigen, das Steuersignal beeinflussenden ersten Halbleiters, der der den Effektivwert des Steuersignals abbildenden Temperatur eines vom Steuersignal oder einem diesem proportionalen Strom durchflossenen Heizwiderstandes ausgesetzt ist und der zusammen mit einem zweiten, der Umgebungstemperatur ausgesetzten Halbleiter in einer Kompensationsschaltung angeordnet ist, deren Ausgang einen der Einund Ausschaltung des Steuersignals dienenden Schwellenwertschalter bildet,   dadurch ge-     kennzeichnet, dass   als Halbleiter Transistoren dienen, von denen der erste mit seinem Kollektorstrom das Steuersignal bewirkt,

   und dass die Kompensationsschaltung als Differenzverstärker (Fig. 2) ausgebildet ist, in dessen beiden Zweigen je einer der beiden Transistoren (10,11), die gleichen Leitungstyp aufweisen, eingeschaltet ist und der als Kippverstärker mit einer Hysterese zwischen Einund Ausschaltpunkt ausgebildet ist.

Claims (1)

1. 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in den Emitterstromkreis eines der beiden Transistoren (10,11) eine vorzugsweise variable Führungsspannung, insbesondere über ein Stellpotentiometer (17), eingespeist ist.

   3. Einrichtung zur Bildung von Steuersignalen für die Regelung der Energiezufuhr elektrischer Öfen, insbesondere Elektrospeicherheizgeräte, unter Verwendung mindestens eines temperaturabhängigen, das Steuersignal beeinflussenden ersten Halbleiters, der der den Effektivwert des Steuersignals abbildenden Temperatur eines vom Steuersignal oder einem diesem proportionalen Strom durchflossenen Heizwiderstandes ausgesetzt ist und der zusammen mit einem zweiten, der Umgebungstemperatur ausgesetzten Halbleiter in einer Kompensationsschaltung angeordnet ist, deren Ausgang einen der Einund Ausschaltung des Steuersignals dienenden Schwellenwertschalter bildet, dadurch ge- kennzeichnet, dass als Halbleiter Transistoren dienen, von denen der erste mit seinem Kollektorstrom das Steuersignal bewirkt,

   und dass einerseits der der den Effektivwert des Steuersignals abbildenden Temperatur ausgesetzte Transistor (18) und anderseits der der Umgebungstemperatur ausgesetzte Transistor (19) ungleichen Leitungstyp aufweisen und je mit Kollektor und Emitter an einen gemeinsamen Vorwiderstand (22) angeschlossen sind, wobei an den Ausgangsstromkreis eines der beiden Transistoren (19) ein Kippverstärker (23) mit einer Hysterese zwischen Ein- und Ausschaltpunkt als Schwellenwertschalter angeschlossen ist (Fig. 3). EMI3.1 Vorwiderstand (22) eine vorzugsweise variable Führungsspannung, insbesondere über ein Stellpotentiometer eingespeist ist.

   <Desc/Clms Page number 4> EMI4.1 dass mindestens einer der Transistoren (10,11, 18,19) der Wärmeeinwirkung zusätzlicher Heizwiderstände (20), deren Ströme weitere Stör- oder Steuergrössen abbilden, ausgesetzt ist.