AT321990B - Feldeffekttransistor mit einer isolierschicht und einer darauf aufgebrachten schutzschicht zwischen der torelektrode und dem halbleiterkörper - Google Patents

Feldeffekttransistor mit einer isolierschicht und einer darauf aufgebrachten schutzschicht zwischen der torelektrode und dem halbleiterkörper

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AT321990B
AT321990B AT702371A AT702371A AT321990B AT 321990 B AT321990 B AT 321990B AT 702371 A AT702371 A AT 702371A AT 702371 A AT702371 A AT 702371A AT 321990 B AT321990 B AT 321990B
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/69—IGFETs having charge trapping gate insulators, e.g. MNOS transistors
    • H10W72/00—
    • H10W74/40—
    • H10W74/43—
    • H10W72/07554—
    • H10W72/536—
AT702371A 1970-08-22 1971-08-11 Feldeffekttransistor mit einer isolierschicht und einer darauf aufgebrachten schutzschicht zwischen der torelektrode und dem halbleiterkörper AT321990B (de)

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FR2103446A1 (en) 1972-04-14
NL7110325A (oth) 1972-02-24
BE771571A (fr) 1971-12-31
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