AT321990B - Feldeffekttransistor mit einer isolierschicht und einer darauf aufgebrachten schutzschicht zwischen der torelektrode und dem halbleiterkörper
- Google Patents
Feldeffekttransistor mit einer isolierschicht und einer darauf aufgebrachten schutzschicht zwischen der torelektrode und dem halbleiterkörper
Info
Publication number
AT321990B
AT321990BAT702371AAT702371AAT321990BAT 321990 BAT321990 BAT 321990BAT 702371 AAT702371 AAT 702371AAT 702371 AAT702371 AAT 702371AAT 321990 BAT321990 BAT 321990B
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AgfiledCriticalSiemens Ag
Application grantedgrantedCritical
Publication of AT321990BpublicationCriticalpatent/AT321990B/de
H10D30/69—IGFETs having charge trapping gate insulators, e.g. MNOS transistors
H10W72/00—
H10W74/40—
H10W74/43—
H10W72/07554—
H10W72/536—
AT702371A1970-08-221971-08-11Feldeffekttransistor mit einer isolierschicht und einer darauf aufgebrachten schutzschicht zwischen der torelektrode und dem halbleiterkörper
AT321990B
(de)
Method of manufacturing a semiconductor device having at least one insulated gate field effect transistor, and semiconductor device manufactured by using the method
Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterbauelement, das einen mindestens teilweise mit einer Isolierschicht überzogenen Halbleiterkörper aufweist, in dem ein Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode angeordnet ist
Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van een eerste soort en van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van de voor de eerste soort complementaire tweede soort.
Halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleiderlichaam aangebrachte isolerende laag van siliciumdioxyde en een beschermende laag van siliciumcarbide.