BE771571A - Transistor a effet de champ et procede pour sa realisation - Google Patents

Transistor a effet de champ et procede pour sa realisation

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/69—IGFETs having charge trapping gate insulators, e.g. MNOS transistors
    • H10W72/00—
    • H10W74/40—
    • H10W74/43—
    • H10W72/07554—
    • H10W72/536—
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FR2103446B1 (oth) 1974-05-10

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