AT311418B - Halbleiterbauelement mit mindestens drei in einer Reihe angeordneten, aufeinanderfolgenden Feldeffekttransistoren mit isolierter Torelektrode - Google Patents

Halbleiterbauelement mit mindestens drei in einer Reihe angeordneten, aufeinanderfolgenden Feldeffekttransistoren mit isolierter Torelektrode

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AT311418B
AT311418B AT1021569A AT1021569A AT311418B AT 311418 B AT311418 B AT 311418B AT 1021569 A AT1021569 A AT 1021569A AT 1021569 A AT1021569 A AT 1021569A AT 311418 B AT311418 B AT 311418B
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