AT226273B - Hallgenerator mit Verstärkerwirkung - Google Patents

Hallgenerator mit Verstärkerwirkung

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AT226273B
AT226273B AT920261A AT920261A AT226273B AT 226273 B AT226273 B AT 226273B AT 920261 A AT920261 A AT 920261A AT 920261 A AT920261 A AT 920261A AT 226273 B AT226273 B AT 226273B
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hall generator
hall
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AT920261A
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Siemens Ag
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  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Hallgenerator mit Verstärkerwirkung 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 



  Diese bestehen aus den Hallelektroden 5 und 6, den   Steuerstromelektroden   3 und 4 und den Ausgangselektroden 11,12 und 16 der Baueinheit. 



   Fig. 2 zeigt schematisch die durch dieses Herstellungsverfahren auf der Grundplatte erhaltene Schaltung, wobei entsprechende Teile mit den gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 bezeichnet sind. An den Klemmen 3 und 16 wird der Steuergleichstrom Is zugeführt. Das Hallgeneratorplättchen 2 wird senkrecht von einem Magnetfeld durchsetzt, das die steuernde Grösse darstellt und in Fig. 2 durch B angedeutet ist. 



  An den Klemmen 11 und 12 kann die Ausgangsspannung   UA,   nämlich die verstärkte Hallspannung   UH,   abgenommen werden. Betrachtet man nun eine Änderung AB der steuernden Induktion B, so ergibt sich die bekannte Beziehung AUH =   K. Is. AB,   worin K eine Konstante bedeutet, die dem Quotienten aus dem Hallkoeffizient und der Dicke der Halbleiterschicht entspricht. Ferner gilt auch 
 EMI2.1 
 
Darin bedeuten Alu die Änderung des über die Hallelektroden fliessenden Hallstromes   IH'R1S den   Wert des Widerstandes 13 in Fig. 2, der ebenso gross wie der Wert des Widerstandes 14 ist,   und-Rt   den der fallenden Kennlinie der Tunneldiode entsprechenden negativen Widerstand.

   Daraus ergibt sich 
 EMI2.2 
 
Erfüllt man nun die Anpassungsbedingung RH = 2.    (R13 - Rt),. d. h.   macht man den Innenwiderstand des Hallgenerators zwischen den Hallelektroden gleich der doppelten Summe aus dem Wert des Widerstandes 13 und dem Wert des negativen Widerstandes der Tunneldioden, so erhält man 
 EMI2.3 
 Daraus gewinnt man für die Verstärkung den Ausdruck 
 EMI2.4 
 
Um eine hohe Spannungsverstärkung zu erzielen, soll daher der Wert der Widerstände 13 und 14 wesentlich grösser als der Hallinnenwiderstand sein. Man stellt zweckmässig durch geeignete Wahl des Widerstandes 15 den Abeitspunkt der Tunneldioden so ein, dass der Absolutwert des negativen Widerstandes Rt etwa gleich dem Absolutwert der Widerstände 13 und 14 ist. 



   Da die Energie für den Tunneldiodenverstärker mittels des Widerstandes 15 aus dem Steuerstromkreis des Hallgenerators entnommen wird, werden für die gesamte Baueinheit nur vier Anschlüsse benötigt, also ebenso viele wie für einen normalen Hallgenerator erforderlich sind. Die Baueinheit kann daher ohne Änderung der übrigen Schaltung überall da eingesetzt werden, wo bisher ein üblicher Hallgenerator verwendet wurde, liefert jedoch eine wesentlich grössere Ausgangsspannung und-leistung. 
 EMI2.5 
 dere für die Herstellung von Hallgeneratoren und Tunneldioden geeignete Materialien Verwendung finden. Es ist auch nicht erforderlich, Hallgenerator und Tunneldioden aus dem gleichen Halbleitermaterial herzustellen, doch wird dadurch die Fertigung vereinfacht.

   Das beschriebene Herstellungsverfahren eignet sich auch zur Automatisierung, so dass die Fertigungskosten für Baueinheiten nach der Erfindung weiter gesenkt werden können. 



   Ein bevorzugtes Anwendungsgebiet der neuen Baueinheit ist die Abtastung von magnetisch aufgezeichneten Signalen, insbesondere bei kontaktlosen Signalgeber, Endschaltern u. dgl. Dank der hohen Ausgangsleistung der Baueinheit genügt ein magnetisch gespeichertes Signal geringer   Remanenzinduktion,   so dass beispielsweise die Kapazität von Magnetspeichern wesentlich erhöht werden kann. Die neue Baueinheit bringt jedoch auch bei den   übrigen Anwendungsgebieten von Hallgeneratoren Vereinfachungen des   Aufbaues und wesentliche betriebliche Vorteile. 

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Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE : 1. Hallgenerator mit Verstärkerwirkung, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer Grundplatte (1) aus Kontaktwerkstoffen (3,4, 5,6, 11,12, 16) und entsprechend dotiertem Halbleitermaterial (2,7, 8,9, 10) ein Hallgenerator (2) und zwei an die Hallelektrode angrenzende Tunneldioden (7, 8 ; 9,10) als Baueinheit angeordnet sind. <Desc/Clms Page number 3>
    2. Hallgenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die freien Enden der Tunneldiode sowie eins Steuerstromelektrode des Hallgenerators über je einen Widerstand (13, 14,15) an einen Sternpunkt (16) geführt sind, und dass zwischen den Sternpunkt und die andere Steuerstromelektrode (3) eine Steuergleichstromquelle geschaltet ist.
    3. Hallgenerator nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Widerstände (13, 14,15) ebenfalls auf die Grundplatte (1) aufgebracht sind.
    4. Hallgenerator nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Widerstände (13, 14,15) aus dem gleichen Halbleitermaterial wie der Hallgenerator (2) bzw. die Tunneldioden (7, 8, 9, 10) bestehen.
    5. Verfahren zur Herstellung einer Baueinheit nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst Halbleitermaterial auf die Grundplatte aufgebracht wird, z. B. durch Bedampfen einer Keramikplatte mit Indiumantimonid und nachfolgendem Abätzen der überflüssigen Bereiche, dass hierauf EMI3.1
AT920261A 1961-04-08 1961-12-05 Hallgenerator mit Verstärkerwirkung AT226273B (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3305790A (en) * 1962-12-21 1967-02-21 Gen Precision Inc Combination hall-effect device and transistors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3305790A (en) * 1962-12-21 1967-02-21 Gen Precision Inc Combination hall-effect device and transistors

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