AT225430B

AT225430B - Verfahren zur Sekundärrekristallisation

Info

Publication number: AT225430B
Application number: AT142160A
Authority: AT
Original assignee: Vacuumschmelze Ag
Priority date: 1959-06-12
Filing date: 1960-02-24
Publication date: 1963-01-25

Description


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  Verfahren zur Sekundärrekristallisation 
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   5. Ein Gegenversuch zeigte, dass das Gefüge von zwei aufeinanderliegenden Streifen, die beide be- reits in sekundär rekristallisiertem Zustand vorlagen, durch eine gemeinsame Glühung nicht beeinflusst wurde. 



   6. Auf ein 0,5 mm dickes walzhartes Band aus Elektrolytkupfer, dessen Kristallite kubisch flachenzentriert sind und von dem bekannt war, dass in ihm eine Sekundärrekristallisation erzeugt werden könn- te, wurde ein 0, 1 mm walzhartes Kupferband, ebenfalls aus Elektrolytkupfer, gelegt, wobei von dem aufgelegten Kupferband bekannt war, dass in ihm unter den üblichen Bedingungen keine Sekundärrekri- stallisation von praktischer Bedeutung zu erreichen ist. Nach einer gemeinsamen 15stündigen Glühung bei   10000C   in trockenem strömendem Wasserstoff zeigte es sich, dass mehrere grosse, durch Sekundärrekristallisation entstehende Kristalle mit einer (310)-Flächenorientierung vom unteren Band in das obere
Band hineingewachsen waren. 



   7. Auf ein 0, 31 mm dickes, ein hexagonales Kristallgitter aufweisendes Band aus Cadmium mit
Walzgefüge, von dem bekannt war, dass in ihm eine Sekundärrekristallisation erzeugt werden könnte, wurde ein 0,31 mm dickes Cadmiumband mit Walzgefüge aufgelegt, wobei von dem aufgelegten Cadmiumband bekannt war, dass in ihm unter den üblichen Bedingungen keine Sekundärrekristallisation von praktischer Bedeutung eintritt. Beide Bleche wurden auf ihren nicht gemeinsamen Aussenflächen mit Plat- ten aus Sintertonerde abgedeckt und mit einem dünnen Chrom-Nickel-Blech umhüllt. Nach einer ge- meinsamen 300stündigen Glühu. ng bei 2950C in trockenem strömendem Wasserstoff zeigte es sich, dass auch im oberen aufgelegten Blech grössere, durch Sekundärrekristallisation hervorgerufene Kristalle entstanden waren. 



   Das Ausmass der Beeinflussung hängt ausser von den Glühbedingungen (Temperatur, Dauer, Atmo- sphäre) auch von dem Dickenverhältnis der aufeinandergelegten Streifen oder Bleche ab. Die Dicke des an sich nicht oder nur wenig zur Sekundärrekristallisation neigenden Bleches oder Bandes soll im allge- meinen nicht wesentlich grösser, vorzugsweise höchstens gleich gross wie diejenige der zweiten Komponente sein, möglichst geringer. 



   Das erfindungsgemässe Verfahren erlaubt nicht nur, in metallischen Werkstoffen, die nicht ohne weiteres sekundär rekristallisieren, doch ein sekundäres Rekristallisationsgefüge, oft verbunden mit einer
Textur, zu erzeugen, sondern führt auch dazu, Werkstoffe mit sekundärem Rekristallisationsgefüge, wiederum oft mit Textur, in Stärken herzustellen, in denen die Erzeugung der gleichen Gefügeausbildung bisher nicht oder nicht regelmässig möglich war. 



   Es war bekannt, dass man durch elektrolytisches Aufbringen von Metallschichten auf eine metallische
Unterlage, die Textur aufweist, auch in den aufgebrachten Schichten Texturen erhalten kann. Ferner war bekannt, dass man beim Giessen von metallischen Werkstoffen auf eine metallische Unterlage mit Textur auch in den aufgegossenen Metallen Texturen erhalten kann. Die Möglichkeit des Durchwachsens der bei einer Glühung sekundär gebildeten Kristalle in eine Metallschicht, die bei gleichen Glühbedingungen nicht oder nur wenig zur Sekundärrekristallisation fähig ist, war dagegen nicht bekannt. Sie bringt gegen- über den bekannten Arbeitsweisen Vorteile,   z.

   B.   dadurch, dass ein fertig verarbeitetes Blech oder Band, das aus irgendwelchen Ursachen nicht zur sekundären Rekristallisation fähig erscheint, durch das erfin- dungsgemässe Verfahren doch zur Sekundärrekristallisation angeregt und dadurch für den beabsichtigten
Zweck verwendbar gemacht werden kann. 



   PATENTANSPRÜCHE : 
1. Verfahren zur Sekundärrekristallisation in einem Metall, das in einem Zustand vorliegt, in dem es nicht oder nur   in geringem Ausmass   zu einer vorgegebenen Sekundärrekristallisation neigt, dadurch ge- kennzeichnet, dass dieses Metall in Berührung mit einem zweiten, bei Rekristallisationstemperatur die gleiche Kristallstruktur aufweisenden Metall gebracht wird, das sekundär rekristallisiert ist, und dass bei- de Metalle gemeinsam auf eine Temperatur erhitzt werden, die oberhalb der Rekristallisationstempera- tur des ersten Metalles liegt und bei der mindestens ein teilweises Verschweissen der Metalle eintritt.

Claims

2. Abänderung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Metall in Berührung mit einem zweiten, bei Rekristallisationstemperatur die gleiche Kristallstruktur aufweisenden Metall gebracht wird, das weitgehend zur Sekundärrekristallisation fähig ist, und dass beide Metalle ge- meinsam auf eine Temperatur erhitzt werden, die gleich oder höher als die Sekundärrekristallisations- temperatur des zweiten Metalles ist und bei der mindestens ein teilweises Verschweissen beider Metalle stattfindet. <Desc/Clms Page number 4>

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Metalle metallisch miteinander verbunden, gemeinsam einmal, oder gegebenenfalls mit Zwischenglühungen, mehrfach kalt gewalzt und dann auf eine Temperatur erhitzt werden, die gleich oder höher als die Sekundärrekristallisationstemperatur des zweiten Metalles ist.

4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Glühung in einer gegen- über den beiden Metallen chemisch neutralen oder reduzierenden Atmosphäre erfolgt.

5. Anwendung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 4, zur Entwicklung einer gewünschten Textur in Metallen, die nicht oder nur in geringem Masse zur Sekundärrekristallisation neigen.