AT200668B - Verfahren zur Erhöhung der Leitfähigkeit von Selenschichten für Gleichrichter - Google Patents
Verfahren zur Erhöhung der Leitfähigkeit von Selenschichten für GleichrichterInfo
- Publication number
- AT200668B AT200668B AT200668DA AT200668B AT 200668 B AT200668 B AT 200668B AT 200668D A AT200668D A AT 200668DA AT 200668 B AT200668 B AT 200668B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- conductivity
- increasing
- rectifiers
- selenium
- selenium layers
- Prior art date
Links
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 7
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 7
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- QEBDLIWRLCPLCY-UHFFFAOYSA-N selanylidenebismuth Chemical compound [Bi]=[Se] QEBDLIWRLCPLCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1>
EMI1.1
EMI1.2
<Desc/Clms Page number 2>
Nach den vorliegenden Erfahrungen ist es zweckmässig, 1/4-1/3 der Stärke der Selenschicht an der der Deckelektrode zugewandten Seite von Wismut oder andern leitenden Stoffen freizuhalten.
Im Sinne der Erfindung liegt es auch, ein solches Selen als Ausgangsstoff zu verwenden, das bereits durch Chlorzusätze dotiert ist.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Verfahren zur Erhöhung der Leitfähigkeit von Selenschichten für Gleichrichter, vorzugsweise für solche mit wismutierter Trägerelektrode durch Einbringen von Wismut und bzw. oder Thallium in das jod- oder chlorhaltigeSelen, dadurch gekennzeichnet, dass gleichzeitig mit dem Selen Wismut und bzw. oder Thallium aus getrennten Verdampfern auf die Grundplatte aufgedampft und das Verhältnis der einzelnen Stoffe dabei geregelt wird.
Claims (1)
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die der Deckelektrode zugewandte Oberflächenschicht des Halbleiters von leitfähigkeitserhöhenden Stoffen freigehalten wird.3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Stärke der Oberflächenschicht 1/4 - 1/3 der Gesamtstärke der Halbleiterschicht beträgt.4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil an Wismut im Selen 10-6 bis 5 x 10-2 g pro g Selen beträgt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE200668T | 1954-10-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT200668B true AT200668B (de) | 1958-11-25 |
Family
ID=29556422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT200668D AT200668B (de) | 1954-10-22 | 1955-09-24 | Verfahren zur Erhöhung der Leitfähigkeit von Selenschichten für Gleichrichter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT200668B (de) |
-
1955
- 1955-09-24 AT AT200668D patent/AT200668B/de active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE895339C (de) | Elektrischer Halbleiter aus Selen, insbesondere fuer Trockengleichrichter | |
| AT200668B (de) | Verfahren zur Erhöhung der Leitfähigkeit von Selenschichten für Gleichrichter | |
| DE884847C (de) | Trockenkontakt-Gleichrichter bzw. lichtempfindliches Element | |
| GB468736A (en) | Improvements in electrode systems with unsymmetrical conductivity | |
| DE512817C (de) | Elektrischer Trockengleichrichter | |
| DE727014C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial | |
| AT136815B (de) | Lichtempfindliche Zelle. | |
| DE706980C (de) | Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte auf elektrischen Halbleitern | |
| DE887542C (de) | Elektrodensystem unsymmetrischer Leitfaehigkeit | |
| DE2621731A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer ionenselektiven elektrode | |
| CH337277A (de) | Verfahren zur Erhöhung der Leitfähigkeit von Selenschichten, vorzugsweise für Gleichrichterzwecke | |
| DE857238C (de) | Verfahren zur Erzeugung von Wismutzwischenschichten auf der Grundplatte von Selentrockengleichrichtern | |
| DE497426C (de) | Trockener fester Gleichrichter, der aus Schichten verschiedener Stoffe besteht | |
| DE736806C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydulgleichrichtern | |
| AT247989B (de) | Elektrischer Kondensator | |
| AT117611B (de) | Negative Elektrode für elektrische Zinksammler. | |
| DE872202C (de) | Verfahren zur elektrolytischen Oxydation von Chromsalzloesungen | |
| DE883481C (de) | Verfahren zur Herstellung lichtelektrischer Zellen | |
| DE510581C (de) | Verfahren zur Herstellung von mangannitrathaltigen Depolarisationselektroden | |
| AT153457B (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Sperrschicht-Photozellen. | |
| DE743302C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern und -Photozellen | |
| DE832644C (de) | Aus einer chemischen Metallverbindung bestehendes, lichtelektrisch empfindliches Halbleiterelement | |
| AT149299B (de) | Elektrodensystem mit unsymmetrischer Leitfähigkeit. | |
| DE971697C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
| DE717810C (de) | Lichtelektrische Zelle |