AT16646U1 - Vorrichtung und Verfahren zum Bonden - Google Patents

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AT16646U1
AT16646U1 ATGM8036/2019U AT80362019U AT16646U1 AT 16646 U1 AT16646 U1 AT 16646U1 AT 80362019 U AT80362019 U AT 80362019U AT 16646 U1 AT16646 U1 AT 16646U1
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Burggraf Jürgen
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Ev Group E Thallner Gmbh
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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bonden eines zweiten Substrats (5) auf ein erstes Substrat (2) mit folgenden Merkmalen: - einer Aufnahmeeinrichtung (1) zur Aufnahme des mit einer Bondschicht (3) beschichteten ersten Substrats (2) und des auf der Bondschicht (3) aufgenommenen zweiten Substrats (5), - einer Beaufschlagungseinrichtung zur Beaufschlagung des zweiten Substrats (5) an einer zur Bondschicht (3) abgewandten Beaufschlagungsseite (5o) des zweiten Substrats (5) mit einer Bondkraft ausgehend von einer innerhalb einer Randzone R der Beaufschlagungsseite (5o) liegenden Ausgangszone A bis zur Beaufschlagung der ganzen Beaufschlagungsseite (5o). Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung ein korrespondierendes Verfahren.

Description

Beschreibung
VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BONDEN [0001] Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bonden gemäß Anspruch 1.
[0002] In der Halbleiterindustrie werden Produktwafer immer häufiger mit Trägerwafern temporär verklebt. Der Kleber, das sogenannte Bondingadhäsiv, wird dabei auf dem Produktwafer und/oder den Trägerwafer, in Form einer Schicht mit möglichst homogener Schichtdicke, aufgebracht. Nach dem Beschichtungsvorgang müssen beide Wafer allerdings mit hohen Kräften aneinander gedrückt werden. Dieser Vorgang ist unter dem Begriff Bonden bekannt. Die verwendeten Druckplatten, welche die beiden Wafer mit Druck beaufschlagen, sollten, nach dem heutigen Stand der Technik, eben sein, um überall eine möglichst gleichmäßige Bondkraft aufzubringen. Dementsprechend exakt werden die Druckplatten auch gefertigt. Die untere Platte ist als Auflageteil eines Bondchucks, also eines Probenträgers, gefertigt. Die obere Platte wird als Druckplatte bezeichnet und entsprechend an der Oberseite der Bondkammer montiert.
[0003] Die Druckschrift US 2012/0103533 A1 offenbart eine Bondvorrichtung mit einer oberen und einer unteren Aufnahmeeinrichtung. Die obere Aufnahmeeinrichtung wird in einem mittleren Bereich konvex gebogen, wenn sie mit Druck beaufschlagt wird.
[0004] Nachdem ein Produkt und/oder Trägerwafer mit einem gängigen Schleuderbelackungsverfahren (Spin-Belackung) belackt wurde, stellt sich am Schichtrand aufgrund rheologischer und fluiddynamischer Eigenschaften meistens ein sogenannter „edge-bead“ ein. Bei diesem „edge-bead“ handelt es sich um eine Materialanhäufung, welche an einem kreisrunden Substrat, einem Wafer, entlang des gesamten Randes zu finden ist. Die Differenz zwischen der Materialdicke im Zentrum und der Materialdicke am Rand beträgt nur wenige Mikrometer, manchmal sogar nur einige Nanometer. Beim Bonden, also bei der Beaufschlagung mit der Bondkraft, ergibt sich hieraus sehr oft das Problem einer ungleichmäßigen Bondkraft und/oder eines Herausdrückens des überstehenden oder überschüssigen Klebers.
[0005] Im Idealfall besitzt eine Schicht für den erfindungsgemäßen Bondvorgang eine homogene Dicke. Homogene Dicke bedeutet in dem Zusammenhang, dass die Dicke der Bondschicht an jeder Position gleich ist bzw. innerhalb einer akzeptablen Toleranz liegt. Die Erfahrung zeigt allerdings, dass selbst unter idealen Bondbedingungen, also im Falle einer homogenen Schichtdicke einer perfekt eben gearbeiteten Druckplatte, eines perfekt eben gearbeiteten Bondchucks, sowie einer homogenen, gleichmäßigen Druckbeaufschlagung, nach dem Bondvorgang eine Schicht mit inhomogener Dicke vorliegen kann. Der Grund hierfür sind die rheologischen und fluiddynamischen Eigenschaften der Schicht sowie die vorherrschenden Anfangsund Randbedingungen des physikalischen Problems. Da das Material sich im Zentrum nicht gleich schnell in der Ebene ausbreiten kann, wie das Material am Rand des Substrats, kommt es zu einer erhöhten Fließgeschwindigkeit in Randnähe. Man könnte sagen, dass sich das Material im Zentrum selbst behindert, wohingegen das Randmaterial nach Außen hin frei abfließen kann. Für eine Schicht mit entsprechendem „edge-bead“ würde sich die Situation entsprechend verschlimmern, da in diesem Fall pro Einheitsfläche sogar mehr Material am Rand vorhanden ist als im Zentrum.
[0006] Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, die gattungsgemäßen Vorrichtungen und Verfahren zum Bonden derart weiterzubilden, dass die genannten Probleme der inhomogenen Schichtdicke verhindert oder zumindest reduziert werden.
[0007] Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
[0008] Im weiteren Verlauf wird zwischen einem Produktsubstrat und einem Substrat unterschieden um die erfindungsgemäße Ausführung zu veranschaulichen. Produktsubstrat und Substrat können beliebig gegeneinander ausgetauscht und/oder kombiniert werden, sodass beispielsweise auch Substrat-Substrat, Produktsubstrat-Produktsubstrat, Substrat-Produktsub /10
AT 16 646 U1 2020-04-15 österreichisches patentamt strat oder Produktsubstrat-Substrat Kombinationen denkbar sind. Des Weiteren ist auch eine Belackung des Trägersubstrats denkbar. Ein erstes Substrat kann das Substrat, beispielsweise ein Trägersubstrat sein. Ein zweites Substrat kann das Produktsubstrat sein.
[0009] Grundgedanke der vorliegenden Erfindung ist es, die Beaufschlagung des Produktsubstrats mit einer Bondkraft an einer zur Bondschicht abgewandten Beaufschlagungsseite des Produktsubstrats ausgehend von einer innerhalb einer Randzone R der Beaufschlagungsseite liegenden Ausgangszone A durchzuführen. Mit anderen Worten: Zunächst wird das Produktsubstrat, insbesondere bedingt durch die Form einer Druckübertragungsseite der Beaufschlagungseinrichtung, innerhalb der Ausgangszone A auf die Bondschicht gedrückt (wobei das Produktsubstrat im Bereich der Randzone zumindest teilweise schon auf einem durch Aufbringen der Bondschicht entstandenen Wulst - sogenannter „edge-bead“ - der Bondschicht aufliegen kann, sofern dieser Wulst vorhanden ist).
[0010] Ein Erfindungsgedanke besteht darin, die Druckbeaufschlagung im Zentrum der Bondschicht zu initiieren, wo das Material der Bondschicht zur Seite hin vollständig von weiterem Material der Bondschicht umgeben ist, so dass das Material im Zentrum auf Grund der vorherrschenden Randbedingungen einer Fließbehinderung unterliegt. Dadurch ergibt sich erfindungsgemäß eine optimale Möglichkeit, die beiden Wafer miteinander zu verbinden, da ein sogenannter „squeeze-out“, also ein (unkontrolliertes und übermäßiges) Hinausdrücken des Bondmaterials, verhindert oder zumindest reduziert wird. Bei einem vorhandenen „edge-bead“ wird der auf der Bondschicht abgelegte Produktwafer erfindungsgemäß durch die Beaufschlagungseinrichtung zum Zentrum der Bondschicht gebogen und verhindert damit durch seine elastische Verformung die frühzeitige Kraftübertragung von der Beaufschlagungseinrichtung auf den „edge-bead“.
[0011] Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine konstruktionstechnische Lösung für eine Druckplatte (pressure disc) vorzusehen, mit der es erfindungsgemäß möglich ist, die Krafteinleitung im Zentrum, in welchem sich das, auf Grund der Randbedingungen, schwer fließende Material befindet, zu konzentrieren und zu beginnen.
[0012] Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist vorgesehen, die Beaufschlagungseinrichtung mit einer Druckplatte mit einer konvex gekrümmten Druckübertragungsseite auszurüsten. Mit einer, insbesondere vollflächig geschlossenen, Druckübertragungsseite ist eine gleichmäßige Druckbeaufschlagung möglich. Dabei ist die Druckplatte an ihrer Druckübertragungsseite insbesondere nichthaftend ausgebildet.
[0013] Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn die Tangentialebene der erfindungsgemäß gekrümmten Druckübertragungsseite mindestens um 5 nm und/oder maximal um 500 μm, insbesondere mindestens um 20 nm und/oder maximal um 200 μm, vorzugsweise mindestens um 50 nm und/oder maximal um 50 μm, mit größerem Vorzug mindestens 100 nm und/oder maximal 5 μm in Normalrichtung zu einer gedachten Ebene einer ideal planaren Druckübertragungsseite beabstandet ist. Dabei ist besonders vorteilhaft, wenn die Krümmung konzentrisch ausgebildet ist. Denn auf diese Weise kann die Druckplatte einerseits starr und bei der angewendeten Bondkraft unnachgiebig ausgebildet sein, wobei durch die sehr geringe Krümmung mit einem sehr großen Krümmungsradius nur eine minimale Auswölbung vorgesehen ist, durch die einerseits eine Verebnung beziehungsweise Panarisierung der Bondschicht von innen nach außen erfolgt und andererseits auch in der Bondschicht eine entsprechende konkave, leichte Krümmung entsteht.
[0014] Indem die Ausgangszone A konzentrisch zur Produktsubstratseite angeordnet ist, ist ein möglichst gleichmäßiges Bondergebnis erzielbar.
[0015] Besonders bevorzugt ist eine Ausführungsform, bei der die Beaufschlagungseinrichtung einen die Bondkraft gesteuert von einer Steuerungseinrichtung aufbringenden Stempel aufweist. Der Stempel ist mit der Druckplatte, vorzugsweise auswechselbar, verbunden, so dass verschiedene Druckplatten für die jeweiligen Anforderungen eingesetzt werden können. Mit Vorteil kann es dabei erfindungsgemäß vorgesehen sein, dass die Ausformung der Bond
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Figure AT16646U1_D0001
AT 16 646 U1 2020-04-15 österreichisches patentamt schicht, insbesondere an der Randzone R, gemessen wird, um eine passende Druckplatte auszuwählen.
[0016] Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Druckplatte aus einer die Druckübertragungsseite umfassenden unteren Platte und aus einer die Druckplatte, insbesondere im Bereich einer Peripherie P über Fixiermittel, fixierenden Halteplatte gebildet ist. Auf diese Weise ist eine Druckplatte mit den oben beschriebenen Eigenschaften, insbesondere einer nur geringfügigen Krümmung, auf besonders einfache und exakte Art und Weise herstellbar.
[0017] Besonders vorteilhaft ist es dabei, wenn die untere Platte im Bereich der Ausgangszone A dicker als an der Peripherie P ausgestaltet ist.
[0018] Alternativ dazu ist zwischen der unteren Platte und der Halteplatte im Bereich der Ausgangszone A ein Abstandselement angeordnet, so dass in diesem Fall auch die untere Platte zwei parallele Flachseiten aufweisen kann und somit leichter herstellbar ist. Die untere Platte ist elastischer als die obere Halteplatte, die insbesondere starr ausgebildet ist.
[0019] In einer weiteren alternativen Ausgestaltung ist ein die untere Platte gegenüber der Halteplatte im Bereich der Ausgangszone A beaufschlagendes, insbesondere von der Steuerungseinrichtung gesteuertes, Krümmungselement zur Einstellung der Krümmung der Druckübertragungsseite angeordnet. Auf diese Weise kann nicht nur die Krümmung einmalig eingestellt werden, sondern sogar eine aktive Steuerung der Krümmung während der Annäherung und während des Bondens erfolgen.
[0020] Dabei ist es erfindungsgemäß insbesondere vorgesehen, den Krümmungsradius der Druckplatte einzustellen oder eine für den Wafer geeignete Druckplatte mit bestimmtem Krümmungsradius auszuwählen.
[0021] Die erfindungsgemäße Druckplatte kann aus jedem beliebigen Material hergestellt werden. Es hat sich allerdings gezeigt, dass Materialien mit hohen E-Moduli und hohen Härtewerten besonders gute Bondresultate zeigen. Für die Druckplatte werden mit Vorzug folgende Materialien verwendet • Keramiken, insbesondere Siliziumnitrid (Si3N4), Siliziumkarbid (SiC) und/oder Bornitrid (BN) und/oder • Metalle und deren Legierungen im Allgemeinen, Refraktärmetalle im Besonderen Stähle und/oder andere Eisenbasiswerkstoffe und/oder • Graphit und/oder • Glas und/oder • Glas und/oder • Polymere und/oder • Verbundwerkstoffe [0022] Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnungen. Diese zeigen in:
[0023] Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines ersten Schritts einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens,
[0024] Fig. 2 eine Querschnittsansicht eines zweiten Schritts einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens,
[0025] Fig. 3 eine Querschnittsansicht eines dritten Schritts einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens,
[0026] Fig. 4 eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens beim Beginn des Bondens,
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Figure AT16646U1_D0002
AT 16 646 U1 2020-04-15 österreichisches patentamt
[0027] Fig. 5 eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens beim Bonden,
[0028] Fig. 6 eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens am Ende des Bondens,
[0029] Fig. 7 eine Querschnittsansicht einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Druckplatte,
[0030] Fig. 8 eine Querschnittsansicht einer zweiten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Druckplatte,
[0031] Fig. 9 eine Querschnittsansicht einer dritten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Druckplatte,
[0032] In den Figuren sind gleiche oder gleichwirkende Bauteile mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.
[0033] Im Folgenden wird ein erfindungsgemäßer Prozess beschrieben, der eine erfindungsgemäße Druckplatte verwendet, um einen kontrollierten Bondvorgang durchzuführen. Der erfindungsgemäße Prozess wird an einer Bondschicht mit „edge-bead“ dargestellt. Der erfindungsgemäße Prozess kann allerdings auch an einer Bondschicht mit homogener Schichtdicke, also ohne „edge-bead“, durchgeführt werden. Die Steuerung erfolgt über eine nicht dargestellte, insbesondere softwaregestützte, Steuerungseinrichtung.
[0034] In einem ersten Schritt (Fig. 1) wird ein Beschichtungsmaterial (insbesondere temporärer Kleber) als Bondschicht 3 auf einem Substrat 2 (insbesondere Wafer) aufgebracht. Die Beschichtung erfolgt in einer industrieüblichen Beschichtungsanlage. Bei der Herstellung der Bondschicht 3 durch einen Schleuderbeschichtungsprozess (Spin-Coating) entsteht in einer Randzone R häufig ein umlaufender Wulst 3w, welcher sich durch eine, im Gegensatz zur mittleren Schichtdicke D1; erhöhte Dicke D2 auszeichnet.
[0035] In einem zweiten Prozessschritt wird der mit der Bondschicht 3 belackte Wafer 2 in eine Bondinganlage transportiert und auf einer Aufnahmeeinrichtung 1, insbesondere einem Probenhalter (Bondchuck), abgelegt. Das mit dem Substrat 2 zu verbondende Produktsubstrat 5 (zweiter Wafer) wird mit der Bondschicht 3 in Kontakt gebracht (Fig. 2). In einer nicht dargestellten Bondkammer werden beispielsweise (nicht dargestellte) Abstandhalter, sogenannte „flags“ verwendet, um das Produktsubstrat 5 von der Oberfläche 3o der Schicht 3 zunächst separiert zu halten, bis eine vollständige Evakuierung des Bondraumes durch eine nicht dargestellte, an die Bondkammer angeschlossene Vakuumanlage erfolgt ist.
[0036] In einem erfindungsgemäßen weiteren Schritt erfolgt das Schließen der Bondkammer. Dadurch wird eine, insbesondere am Deckel der Bondkammer angebrachte, Druckplatte 6 über dem Produktsubstrat 5 positioniert. Die erfindungsgemäße Druckplatte 6 besitzt eine dem Produktsubstrat 5 zugewandte, konvexe Krümmung mit einem Krümmungsradius r. Für die Druckplatte 6 sind mehrere erfindungsgemäße Ausführungsformen in den Figuren 7 bis 9 dargestellt.
[0037] In einem erfindungsgemäßen vierten Prozessschritt nach Fig. 4 wird das Produktsubstrat 5 durch die erfindungsgemäße konvexe Druckplatte 6 zuerst in einer, insbesondere punktförmigen, Ausgangszone A, mit Vorzug genau im Zentrum des Produktsubstrats 5, berührt und entsprechend mit einer Bondkraft beaufschlagt. Durch die erfindungsgemäße konvexe Form der Druckplatte 6 wird in diesem Prozessschritt die Randzone R der Schicht 3 mit keinem nennenswerten Druck (allenfalls über eine vernachlässigbare Spannung sowie Gewicht des Produktsubstrats 5) beaufschlagt. Die Druckbeaufschlagung auf das Zentrum des Wafers 5 führt, bei Vorhandensein eines „edge-beads“, zuerst nur zu einer Durchbiegung des Produktsubstrats 5 in Richtung der Bondschicht 3.
[0038] Durch eine kontinuierliche Relativbewegung der Druckplatte 6, insbesondere normal, zur Aufnahmeeinrichtung 1 hin wird das Zentrum des Produktsubstrats 5 immer näher an die Oberfläche 3o der Bondschicht 3 geführt, und zwar ohne eine nennenswerte Steigerung der Druckbeanspruchung der Randzone R. Erst mit dem Kontakt der konvex gekrümmten Druckplatte 6
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AT 16 646 U1 2020-04-15 österreichisches patentamt mit einer Peripherie P des Produktsubstrats 5 erfolgt eine Druckübertragung mit einer Bondkraft auf die Randzone R der Bondschicht 3.
[0039] Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn die Tangentialebene der Druckübertragungsseite 6u mindestens um 5 nm und/oder maximal um 500 μm, insbesondere mindestens um 20 nm und/oder maximal um 200 μm, vorzugsweise mindestens um 50 nm und/oder maximal um 50 μm, mit größerem Vorzug mindestens 100 nm und/oder maximal 5 μm in Normalrichtung zur Tangentialebene beabstandet ist. Vorzugsweise wird die Druckplatte 6, insbesondere nach einer Bestimmung der Höhe des Wulstes 3w, so ausgewählt oder eingestellt, dass der Abstand der Tangentialebene zu der Druckübertragungsseite 6u an einem Umfangsrand der Druckplatte 6 der (insbesondere mittleren) Höhe (H = D2 - D^ des Wulstes entspricht.
[0040] Im Falle eines nicht vorhandenen „edge-beads“ liegt der Produktwafer 5 eben auf der Bondschicht 3 auf und die Krafteinleitung und Kraftübertragung von der Druckplatte 6 auf den Produktwafer 5 erfolgt ohne vorherige Durchbiegung des Produktwafers 5.
[0041] Durch eine weitere Druckerhöhung kontaktiert ein immer größerer Teil der Druckplatte 6 das Produktsubstrat 5 und verteilt somit bei fortschreitender Annäherung die Kraft über die gesamte Beaufschlagungsseite 5o.
[0042] In beiden Fällen wird das Material im Zentrum allerdings stärker am Fließen gehindert, als das Material am Rand. Die reduzierte Fließfähigkeit des Materials im Zentrum wird dadurch erklärt, dass seine Fließfähigkeit in Radialrichtung durch weiter außen liegendes Material und in Normalenrichtung durch die Druckplatte behindert wird. Anders ausgedrückt: Da die Beaufschlagungsseite 5o, zuerst im Zentrum mit einer entsprechenden Kraft beaufschlagt wird, wird zwar eine Kraft übertragen, die aber zu einem nicht nennenswerten Fließen des Materials im Zentrum führt. Der Rand ist zu diesem Zeitpunkt noch gar nicht im Fließen begriffen, da die entsprechende Kraft noch nicht über die gesamte Beaufschlagungsseite 5o verteilt wurde.
[0043] Durch den erfindungsgemäßen Prozessfluss bildet sich eine fast vollständig verebnete Oberfläche 3o’ aus, welche keinen Wulst 3w mehr aufweist, aber gleichzeitig auch kein vorzeitig und unkontrolliert verdrängtes Material am Rand aufweist. Das durch die konvexe Druckplatte 6 erzeugte, konkave Negativ der Schicht 3’ weist eine im Vergleich zur unbehandelten Bondschicht 3 kleine, wenn nicht sogar verschwindend geringe, Abweichung der Planarität auf. Diese Abweichung von der Planarität ist allerdings auf Grund des sehr großen Krümmungsradius r der erfindungsgemäßen Druckplatte 6 vernachlässigbar und für die weitere Prozessierung praktisch nicht von Relevanz, zumal der Vorteil der erfindungsgemäßen Einebnung der Bondschicht 3 überwiegt.
[0044] Des Weiteren werden folgende Ausführungsformen der Druckplatte 6 gemäß Figuren 7 bis 9 offenbart.
[0045] Allen drei Ausführungsformen gemein ist die Ausgestaltung der Druckplatte 6 aus mehreren Bestandteilen, nämlich:
- einer die Druckübertragungsseite 6u aufweisenden unteren Platte 9 und
- einer Halteplatte 4 zur Halterung/Fixierung der unteren Platte 9 über im Bereich der Peripherie P verortete Fixiermittel 8.
[0046] In einer ersten Ausführungsform wird die Druckplatte 6 bereits konvex ausgeformt und über die Fixiermittel 8 an ihrer Oberseite 9o mit einem Halteelement 4 verbunden.
[0047] In einer zweiten Ausführungsform wird eine planare untere Platte 9, die durch die Fixiermittel 8 an Ihrer Oberseite 9o mit der Halteplatte 4 verbunden ist, durch ein Abstandselement 7 in eine entsprechend konvexe Form gebracht, indem die untere Platte 9 biegsamer ausgebildet ist als die, insbesondere starre, Halteplatte 4. Das Abstandselement 7 ist mit Vorzug kreisrund. Es besitzt eine Dicke von weniger als 5 mm, mit Vorzug weniger als 1 mm, mir größerem Vorzug weniger als 100 μm, mit noch größerem Vorzug weniger als 1gm, mit allergrößtem Vorzug weniger als 100 nm.
[0048] In einer dritten Ausführungsform wird ein Krümmungselement 10 verwendet, um das
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Zentrum der unteren Platte 9, die über Fixiermittel 8 an ihrer Oberseite 9o mit dem Halteelement 4 verbunden ist, mit Druck zu beaufschlagen. Durch die Druckbeaufschlagung des Zentrums der Druckplatte 6 mit einem Krümmungsdruck kann die konvexe Krümmung der Druckplatte 6 kontinuierlich geändert oder einmalig eingestellt werden. Mit Vorzug ist die Elastizität der Druckplatte 6 so groß, dass bei einer Entlastung des Zentrums der Druckplatte 6 durch Wegnahme des Krümmungselements 10 die Druckplatte 6 automatisch in eine planare Ausgangsposition zurückverformt. Erfindungsgemäß denkbar ist eine entsprechende Ausführungsform, in der das Krümmungselement 10 mit der unteren Platte 9 verbunden ist und eine endsprechende aktive Steuerung des Krümmungsradius der Druckplatte 6 erlaubt.
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BEZUGSZEICHENLISTE
1 Aufnahmeeinrichtung
2 Substrat
3 Bondschicht
3o, 3o’ Oberfläche
3w Wulst
4 Halteplatte
5 Produktsubstrat
5o Beaufschlagungsseite
6 Druckplatte
6u Druckübertragungsseite
6o Oberseite
7 Abstandselement
8 Fixiermittel
9 untere Platte
10 Krümmungselement
A Ausgangszone
Di, D2 Dicke
R Randzone
P Peripherie
r Krümmungsradius
H Höhe
Z Zentrum
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Claims (7)

  1. Ansprüche
    1. Vorrichtung zum Bonden eines zweiten Substrats (5) auf ein erstes Substrat (2) mit folgenden Merkmalen:
    - einer Aufnahmeeinrichtung (1) zur Aufnahme des mit einer Bondschicht (3) beschichteten ersten Substrats (2) und des auf der Bondschicht (3) aufgenommenen zweiten Substrats (5),
    - einer Beaufschlagungseinrichtung zur Beaufschlagung des zweiten Substrats (5) an einer zur Bondschicht (3) abgewandten Beaufschlagungsseite (5o) des zweiten Substrats (5) mit einer Bondkraft ausgehend von einer innerhalb einer Randzone R der Beaufschlagungsseite (5o) liegenden Ausgangszone A bis zur Beaufschlagung der ganzen Beaufschlagungsseite (5o), wobei die Beaufschlagungseinrichtung eine starre Druckplatte (6) mit einer konvex gekrümmten Druckübertragungsseite (6u) aufweist, wobei die Druckplatte aus einer die Druckübertragungsseite (6u) umfassenden unteren Platte (9) und einer die Druckplatte (6), insbesondere im Bereich einer Peripherie P über Fixiermittel (8), fixierenden Halteplatte (4) gebildet ist.
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Tangentialebene der Druckübertragungsseite (6u) mindestens um 5 nm und/oder maximal um 500 μm, insbesondere mindestens um 20 nm und/oder maximal um 200 μm, vorzugsweise mindestens um 50 nm und/oder maximal um 50 μm, mit größerem Vorzug mindestens 100 nm und/oder maximal 5 μm in Normalrichtung zu einer gedachten Ebene einer ideal planaren Druckübertragungsseite beabstandet ist.
  3. 3. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Ausgangszone A konzentrisch zur Beaufschlagungsseite (5o) angeordnet ist.
  4. 4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Beaufschlagungseinrichtung einen die Bondkraft gesteuert von einer Steuerungseinrichtung aufbringenden Stempel aufweist.
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die untere Platte (9) im Bereich der Ausgangszone A dicker als an der Peripherie P ausgestaltet ist.
  6. 6. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der zwischen der unteren Platte (9) und der Halteplatte (4) im Bereich der Ausgangszone A ein Abstandselement (7) angeordnet ist.
  7. 7. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der ein die untere Platte (9) gegenüber der Halteplatte (4) im Bereich der Ausgangszone A mit einem Krümmungsdruck beaufschlagendes, insbesondere von der Steuerungseinrichtung gesteuertes, Krümmungselement (10) zur Einstellung der Krümmung der Druckübertragungsseite (6u) angeordnet ist.
ATGM8036/2019U 2012-11-21 2013-11-05 Vorrichtung und Verfahren zum Bonden AT16646U1 (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012111246.0A DE102012111246A1 (de) 2012-11-21 2012-11-21 Vorrichtung und Verfahren zum Bonden
ATA9382/2013A AT517639A5 (de) 2012-11-21 2013-11-05 Vorrichtung und Verfahren zum Bonden

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230167447A (ko) 2016-03-22 2023-12-08 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판을 결합하기 위한 방법 및 장치
US10872874B2 (en) * 2018-02-26 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bonding apparatus and method of bonding substrates
US10770421B2 (en) * 2018-12-29 2020-09-08 Micron Technology, Inc. Bond chucks having individually-controllable regions, and associated systems and methods
TWI802956B (zh) * 2021-08-11 2023-05-21 日商雅馬哈智能機器控股股份有限公司 部材間接合裝置以及接合部材製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0256150A1 (de) * 1986-08-13 1988-02-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparat zum Zusammenfügen von Halbleiterscheiben
JPH0582493A (ja) * 1991-03-11 1993-04-02 Hitachi Ltd ウエハ接着装置およびその装置を用いたウエハの接着方法
EP0899778A2 (de) * 1997-08-27 1999-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Vorrichtung und Verfahren zur Zusammenpressung von zwei Substraten
US20080279659A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Lintec Corporation Transferring device and transferring method
US20120103533A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 Tokyo Electron Limited Bonding apparatus and bonding method
US20120186741A1 (en) * 2011-01-26 2012-07-26 Aptina Imaging Corporation Apparatus for wafer-to-wafer bonding

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2945089B2 (ja) * 1990-07-05 1999-09-06 古河電気工業株式会社 ウエハへのテープ貼付装置
JP2910334B2 (ja) 1991-07-22 1999-06-23 富士電機株式会社 接合方法
JP2678161B2 (ja) 1991-10-30 1997-11-17 九州電子金属 株式会社 半導体ウエーハの真空貼着装置
JPH09320913A (ja) 1996-05-30 1997-12-12 Nec Kansai Ltd ウェーハ貼り付け方法及びその装置
SG71182A1 (en) * 1997-12-26 2000-03-21 Canon Kk Substrate processing apparatus substrate support apparatus substrate processing method and substrate manufacturing method
JP4051125B2 (ja) * 1998-03-25 2008-02-20 不二越機械工業株式会社 ウェーハの接着装置
JP4614626B2 (ja) 2003-02-05 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 薄肉半導体チップの製造方法
JP5281739B2 (ja) * 2006-07-18 2013-09-04 新光電気工業株式会社 陽極接合装置
JP4841412B2 (ja) 2006-12-06 2011-12-21 日東電工株式会社 基板貼合せ装置
DE102006058493B4 (de) * 2006-12-12 2012-03-22 Erich Thallner Verfahren und Vorrichtung zum Bonden von Wafern
JP2008182016A (ja) 2007-01-24 2008-08-07 Tokyo Electron Ltd 貼り合わせ装置、貼り合わせ方法
KR20100043478A (ko) * 2008-10-20 2010-04-29 삼성전기주식회사 정전 척 및 이를 구비한 기판 접합 장치
DE102008044200B4 (de) * 2008-11-28 2012-08-23 Thin Materials Ag Bonding-Verfahren
DE102009018977A1 (de) 2009-04-25 2010-11-04 Ev Group Gmbh Vorrichtung zur Ausrichtung und Vorfixierung eines Wafers
EP2290679B1 (de) 2009-09-01 2016-05-04 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats (z.B. eines Halbleiterwafers) von einem Trägersubstrat durch Verformung eines auf einem Filmrahmen montierten flexiblen Films

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0256150A1 (de) * 1986-08-13 1988-02-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparat zum Zusammenfügen von Halbleiterscheiben
JPH0582493A (ja) * 1991-03-11 1993-04-02 Hitachi Ltd ウエハ接着装置およびその装置を用いたウエハの接着方法
EP0899778A2 (de) * 1997-08-27 1999-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Vorrichtung und Verfahren zur Zusammenpressung von zwei Substraten
US20080279659A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Lintec Corporation Transferring device and transferring method
US20120103533A1 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 Tokyo Electron Limited Bonding apparatus and bonding method
US20120186741A1 (en) * 2011-01-26 2012-07-26 Aptina Imaging Corporation Apparatus for wafer-to-wafer bonding

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