AT146907B

AT146907B - Abschirmungsvorrichtung für Hochfrequenz führende Leiter.

Info

Publication number: AT146907B
Authority: AT
Inventors: Emil Dr Huber
Original assignee: Emil Dr Huber
Priority date: 1934-05-04
Filing date: 1934-10-17
Publication date: 1936-09-10

Description

Abschirmungsvomchtung für Hochfrequenz führende Leiter.
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und dem Hochfrequenz führenden Leiter angeordnet. Bei dieser Anordnung, beispielsweise gemäss Fig. 1, werden Störungen, wenn auch in beschränktem Masse, noch aus folgenden Gründen auftreten : Die von aussen auf die Metallschicht 4 auftreffenden Strahlen und die dadurch in der Schicht entstehenden Hochfrequenzschwingungen erzeugen im Innern des als Solenoid mit einer Windung aufzufassenden Metallzylinders 4 ein elektromagnetisches Schwingungsfeld, welches irgendwo den im Innern des Zylinders angeordneten Leiter 1 schneidet und in ihm elektrische Hochfrequenzschwingungen erzeugt.

Um auch diesen Mangel auszuschalten, ist bei der Ausführungsform gemäss Fig. 5 eine Hochfrequenz absorbierende, nicht reflektierende Schicht auf beiden Seiten des metallischen Absehirmungskörpers angeordnet.

Auf dem Hochfrequenz führenden Leiter 1 (Fig. 5) sind mit einer Durchbohrung versehene Isolatorglieder 14 kettenartig aufgereiht. Die nach aussen gekehrten Flächen der Isolatorglieder 14 sind mit einer
Schicht 15 aus einem Halbleiter, z. B. Kupferoxydul, belegt, welche auf der Zeichnung durch eine dicke Linie angedeutet ist. Diese Halbleiterschichten reichen an jedem Isolatorglied so weit, dass sich die Halbleiterschichten von je zwei aufeinanderfolgenden Isolatorgliedern etwas übergreifen, so dass auch bei Krümmungen des Leiters und entsprechender Verschiebung der Isolatorglieder gegeneinander die senkrecht zum Leiter auftreffenden Strahlen noch auf eine Halbleiterschicht fallen, ehe sie an den abzuschirmenden Leiter gelangen.

Der mit der Kette von Isolatorgliedern versehene abzuschirmende Leiter 1 ist in einer zylindrischen Abschirmungswand eingebaut, welche von innen nach aussen zunächst eine Schicht 16 aus einem Isolator, z. B. aus Jute, eine Schicht 17 aus einem Leiter, z. B. Stanniol, eine weitere Schicht 18 aus einem Isolator und aussen eine Schicht 19 aus einem Halbleiter aufweist.

Durch die Halbleiterschicht 19 werden die von aussen auf die zylindrische Absehirmungswand 16-19 auftreffenden Strahlen absorbiert, ehe sie an die Metallschicht 17 gelangen können. Hiedurch wird die Entstehung der Hochfrequenzschwingungen in dem zylindrischen Leiter 17 und des durch diese Schwingungen induzierten elektromagnetischen Feldes im Innern des Zylinders j ! ? und die Induktionwirkung dieses Feldes auf den Leiter 1 verhindert.

Die Schichten 15 und 19 können aus jedem geeigneten Hochfrequenz absorbierenden, jedoch nicht reflektierenden Material hergestellt und gegebenenfalls in einer der oben beschriebenen Arten künstlich aufgebaut sein.

Claims

PATENT-ANSPRÜCHE : 1. Abschirmungsvorrichtung für Hochfrequenz führende Leiter nach dem Anspruch 1 des Hauptpatentes, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochfrequenz absorbierende, jedoch nicht reflektierende Schicht durch eine künstlich aufgebaute Schicht gebildet ist.

2. Abschirmungsvorrichtung nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass dieselbe auf der dem Hochfrequenz führenden Leiter zugekehrten Seite eine Schicht aus einem Halbisolator aufweist, welche nach aussen an eine Schicht aus einem Halbleiter grenzt, die ihrerseits von einer Schicht aus einem Leiter umgeben ist.

3. Abschirmungsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbisolatorschicht durch ein Gemisch eines Isolators mit Metallstaub gebildet ist.

4. Abschirmungsvorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Gehalt der Halbisolatorschicht an Metallstaub nach aussen zunimmt.

5. Abschirmungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenneeichnet, dass die Hochfrequenz absorbierende, jedoch nicht reflektierende Schicht durch eine durch Ionisation halbleitend gemachte Gasschicht gebildet ist.

6. Abschirmungsvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Ionisation der Gasschicht durch Bestrahlung des Innenraumes eines metallischen Abschirmbechers durch eine Lichtquelle bewirkt ist.

7. Abschirmungsvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Ionisation der Gasschicht durch eine auf der Innenseite eines metallischen Abschirmbechers angebrachte radioaktive Schicht bewirkt ist.

8. Absehirmungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochfrequenz absorbierende, jedoch nicht reflektierende Schicht aus einer kolloidalen Substanz besteht.

9. Abschirmungsvorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus einer kolloidalen Suspension von Metall in einer nicht leitenden Flüssigkeit besteht.

10. Abschirmungsvorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus einer kolloidalen Suspension einer Metallverbindung in einer nicht leitenden Flüssigkeit besteht.

11. Abschirmungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochfrequenz absorbierende, nicht reflektierende Schicht auf der Oberfläche von auf dem abzuschirmenden Leiter kettenartig aufgereihten, mit einer Durchbohrung versehenen Isolatorgliedern angebracht ist.

12. Abschirmungsvorrichtung nach Anspruch 1 des Hauptpatentes, dadurch gekennzeichnet, dass sie auf beiden Seiten eines metallischen Abschirmungskörpers eine Hochfrequenz absorbierende, nicht reflektierende Schicht aufweist.