JP5023183B2 - マイクロエレクトロニクスの用途のための現像液に可溶なアルコキシド金属塗布膜 - Google Patents
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Description
発明の分野
本発明は、マイクロエレクトロニクス・デバイスの製造に用いる新規な反射防止組成物に関する。本発明の組成物は、高分子アルコキシド金属を含み、且つ、ウェットのフォトレジスト現像液において現像可能である。
集積回路の製造業者は、歩留りの向上、ユニットケースの小型化、およびオンチップの計算能力の増加のために、基板ウェハサイズを大口径化し、かつデバイスの構造寸法(feature dimension)を最小化することを絶えず求めている。シリコンまたは他のチップ上のデバイス構造寸法(feature size)は、現在、高性能な遠紫外光(DUV)のマイクロリソグラフィック・プロセスの出現によりサブミクロンのサイズである。
本発明は、マイクロエレクトロニクス・デバイスの製造において有用な新規なマイクロリソグラフィ組成物を広く含む。
本発明の組成物は、上述のプロセスが、コンタクトまたはビア・ホールおよびトレンチのサイドウォールやボトムウォールの劣化や侵食が起こるのを防止するため、特に有効である。つまり、従来技術の組成物を用いるとサイドウォールは、反射防止膜の除去中に一般的に侵食されるので、サイドウォールは、直線でも垂直でもなくなる。これは、しばしば、回路の欠陥を招く。
以下の例により、本発明に従う好適な方法を説明する。ただし、これらの例は、説明のために用意されたもので、本発明のすべての範囲を限定すべきものではないことを理解するべきである。
1.光学特性
実施例2〜4の調合剤の各々の屈折率を表Aに示す。
実施例2の組成物からなる膜を、上記に示す手順に従ってスピンボウル安定性についてテストした。組成物が少なくとも約90%の溶解度を有する場合には、スピンボウル安定性を有すると見なした。これらのテストの結果を表Bに示す。
Claims (21)
- フォトリソグラフィック・プロセスにおけるバリヤー膜または反射防止膜に使用するための組成物であって、該組成物は、溶媒と、前記溶媒中に拡散または溶解されたポリマーとを含み、該ポリマーは、有機化合物と高分子アルコキシド金属とが反応することにより生成され、前記高分子アルコキシド金属は、下記式を有する連鎖ユニットを含むことを特徴とする組成物。
- 前記組成物は、更に、ポリマーの結合剤を含む請求項1に記載の組成物。
- 各Lは、各々、下記式を有する請求項1に記載の組成物。
- 少なくとも一つのLは、エチルアセトアセテートの一部分である請求項3に記載の組成物。
- 前記官能基は、アルコール、フェノール、およびカルボニル基からなる群から選択される請求項1に記載の組成物。
- 表面を有する基板と、フォトリソグラフィック・プロセスにおいて、バリヤー膜または反射防止膜として用いる硬化膜とを含み、該硬化膜は、前記表面に隣接し、交互に結合する金属原子と酸素原子とを含み、365nmの波長における少なくとも1.4の屈折率を有し、ウェット現像が可能であり、
前記硬化膜は、溶媒と、前記溶媒中に拡散または溶解され、有機化合物と下記式を有する連鎖ユニットを含む高分子アルコキシド金属とが反応することより生成されるポリマーとを含むことを特徴とする組合物。
- 該組合物は、さらに、前記硬化膜に隣接するフォトレジスト膜を有する請求項6に記載の組合物。
- 前記金属原子は、チタン、ジルコニウム、シリコン、およびアルミニウムからなる群から選択される請求項6に記載の組合物。
- 前記硬化膜は、ウェット現像液に少なくとも95%が溶解するものである請求項6に記載の組合物。
- フォトリソグラフィック・プロセスにおけるバリヤー膜用または反射防止膜用組成物の使用方法であって、基板に一定量の組成物を塗布して該基板上に塗布膜を形成する工程を含み、前記組成物が、溶媒と、前記溶媒中に拡散または溶解され、有機化合物と下記式を有する連鎖ユニットを含む高分子アルコキシド金属とが反応することにより生成されるポリマーとを含み、前記塗布工程は、前記基板表面上に前記組成物をスピン‐コートすることを含むことを特徴とする方法。
- 前記塗布工程の後に、更に、100〜250℃の温度で前記膜を加熱して硬化膜を形成する工程を有する請求項10に記載の方法。
- 更に、前記加熱された膜上にフォトレジストを塗布する工程を有する請求項11に記載の方法。
- 集積回路の前駆構造を形成する方法であって、基板上に組成物の塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜にフォトレジストを塗布して該塗布膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜および前記塗布膜の一部分を選択的に除去して前記基板上に83〜90度の角度“a”を有するライン構造を形成する工程とを有し、前記基板は、シリコンウェハおよびイオン注入膜からなる群から選択され、前記組成物は、溶媒と、前記溶媒中に拡散または溶解され、有機化合物と下記式を有する連鎖ユニットを含む高分子アルコキシド金属とが反応することより生成されるポリマーとを含むことを特徴とする方法。
- 前記除去工程は、ウェット現像液を用いて前記一部分を除去することを含む請求項13に記載の方法。
- 集積回路の前駆構造を形成する方法であって、基板上に組成物の塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜にフォトレジストを塗布して該塗布膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジストおよび前記塗布膜の一部分を選択的に除去して前記基板上に15%未満の浸食度のライン構造を形成する工程とを有し、前記組成物は、溶媒と、前記溶媒中に拡散または溶解され、有機化合物と下記式を有する連鎖ユニットを含む高分子アルコキシド金属とが反応することより生成されるポリマーとを含むことを特徴とする方法。
- 前記除去工程は、ウェット現像液を用いて前記一部分を除去することを含む請求項15に記載の方法。
- 表面を有する基板と、フォトリソグラフィック・プロセスにおいて、バリヤー膜または反射防止膜として用いる硬化膜とを含み、
前記硬化膜は、溶媒と、前記溶媒中に拡散または溶解され、有機化合物と下記式を有する連鎖ユニットを含む高分子アルコキシド金属とが反応することより生成されるポリマーとを含むことを特徴とする組合物。
- 表面を有する基板と、フォトリソグラフィック・プロセスにおいて、バリヤー膜または反射防止膜として用いる硬化膜とを含み、該硬化膜は、前記表面に隣接し、交互に結合する金属原子と酸素原子とを含み、365nmの波長における少なくとも1.4の屈折率を有し、ウェット現像が可能であることを特徴とする組合物。
- 前記硬化膜は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートが溶媒である場合、少なくとも75%の溶解度を有する請求項18に記載の組合物。
- 前記金属原子は、チタン、ジルコニウム、シリコン、およびアルミニウムからなる群から選択される請求項18に記載の組合物。
- 前記硬化膜は、ウェット現像液に少なくとも95%が溶解するものである請求項18に記載の組合物。
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