JP6439520B2 - 半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法 - Google Patents
半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6439520B2 JP6439520B2 JP2015052328A JP2015052328A JP6439520B2 JP 6439520 B2 JP6439520 B2 JP 6439520B2 JP 2015052328 A JP2015052328 A JP 2015052328A JP 2015052328 A JP2015052328 A JP 2015052328A JP 6439520 B2 JP6439520 B2 JP 6439520B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- metal
- compound
- composition
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 110
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 71
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 119
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 119
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 89
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 62
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 56
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 33
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 28
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 28
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 26
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 23
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 17
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 17
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- -1 formyloxy group Chemical group 0.000 description 82
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 46
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 24
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 21
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 21
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 14
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 13
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 10
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 10
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 9
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 8
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 8
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 7
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 7
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 7
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 7
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 6
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 6
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 5
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OMQHDIHZSDEIFH-UHFFFAOYSA-N 3-Acetyldihydro-2(3H)-furanone Chemical compound CC(=O)C1CCOC1=O OMQHDIHZSDEIFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 4
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 4
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 4
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003951 lactams Chemical group 0.000 description 3
- 150000003903 lactic acid esters Chemical class 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VKDGCPFTXXDWQJ-UHFFFAOYSA-N 3-acetyl-3-methyldihydrofuran-2(3H)-one Chemical compound CC(=O)C1(C)CCOC1=O VKDGCPFTXXDWQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSOHKPVFCOWKPU-UHFFFAOYSA-N 3-methylpentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C)C(C)=O GSOHKPVFCOWKPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical group C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHRWWRDRBPCWTF-OLQVQODUSA-N captafol Chemical group C1C=CC[C@H]2C(=O)N(SC(Cl)(Cl)C(Cl)Cl)C(=O)[C@H]21 JHRWWRDRBPCWTF-OLQVQODUSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical compound C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 2
- 125000005186 naphthyloxy group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)O* 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 150000000000 tetracarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KQTIIICEAUMSDG-UHFFFAOYSA-N tricarballylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)CC(O)=O KQTIIICEAUMSDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003628 tricarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- VMSGKWPBDUHCHC-UHFFFAOYSA-N 1,2,2-trihydroxycyclohexane-1-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(O)CCCCC1(O)O VMSGKWPBDUHCHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)CC1 PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJEGHEMJVNQWOJ-UHFFFAOYSA-N 1-heptoxyheptane Chemical compound CCCCCCCOCCCCCCC UJEGHEMJVNQWOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 1-pentoxypentane Chemical compound CCCCCOCCCCC AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRUPAECKEMZZQF-UHFFFAOYSA-N 2,2-dihydroxycyclohexane-1-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1(O)O ZRUPAECKEMZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOHIYESEPVZKHS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5-tetrahydrooxepine Chemical group C1CCC=COC1 SOHIYESEPVZKHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZDWGFJBGUGKMY-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5-tetrahydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1O OZDWGFJBGUGKMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPIJQSOTBSSVTP-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxybutanoic acid Chemical compound OCC(O)C(O)C(O)=O JPIJQSOTBSSVTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQRAQUMNKLKKFA-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(hydroxymethyl)benzoic acid Chemical compound OCC1=CC=CC(C(O)=O)=C1CO CQRAQUMNKLKKFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKTCBAGSMQIFNL-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrofuran Chemical group C1CC=CO1 JKTCBAGSMQIFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFGKRVUGMGQLCR-UHFFFAOYSA-N 2,3-diisocyanatopropanoic acid Chemical compound OC(=O)C(CN=C=O)N=C=O FFGKRVUGMGQLCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=CC=C1O WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 2-dodecanoyloxyethyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCC ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLHGFJMGWQXPBW-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-(1h-imidazol-5-ylmethyl)benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC(CC=2NC=NC=2)=C1O RLHGFJMGWQXPBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUNUEHNODIYGOL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-(2-hydroxyethoxy)propanoic acid Chemical compound OCCOCC(O)C(O)=O SUNUEHNODIYGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNKAANHOVFZAMR-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxycyclohexanecarboxylic acid Chemical compound OC1CCCCC1C(O)=O SNKAANHOVFZAMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JTPVNMBBUIYGCH-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-triamino-2-methylpropanoic acid Chemical compound C(=O)(O)C(C(N)(N)N)C JTPVNMBBUIYGCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFVWMKRJLLIUOK-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4-tetraaminopentanoic acid Chemical compound C(=O)(O)CC(C(C)(N)N)(N)N VFVWMKRJLLIUOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylnonan-2-one Chemical compound CCCCC(C)C(C)C(C)C(C)=O PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZBQJHYTCAQGMA-UHFFFAOYSA-N 3,5,7-trioxooctanoic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(=O)CC(O)=O PZBQJHYTCAQGMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRBJCTHMAXSQQA-UHFFFAOYSA-N 3-acetyloxan-2-one Chemical compound CC(=O)C1CCCOC1=O DRBJCTHMAXSQQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SODLWOAYEVXVMZ-UHFFFAOYSA-N 3-acetylthian-2-one Chemical compound C(C)(=O)C1C(SCCC1)=O SODLWOAYEVXVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDJLOYXZPKXSAR-UHFFFAOYSA-N 3-benzoyl-1-methylpyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1N(C)CCC1C(=O)C1=CC=CC=C1 NDJLOYXZPKXSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLVDVIXDYDGVLS-UHFFFAOYSA-N 3-oxabicyclo[2.2.1]heptane Chemical group C1C2CCC1OC2 JLVDVIXDYDGVLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQLZBFDISXGMOK-UHFFFAOYSA-N 4-acetyl-3-hydroxy-2h-furan-5-one Chemical compound CC(=O)C1=C(O)COC1=O CQLZBFDISXGMOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBRGWYHSVYKUQT-UHFFFAOYSA-N 5-oxabicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical group C1C2COC1C=C2 RBRGWYHSVYKUQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 5-valerolactone Chemical group O=C1CCCCO1 OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORHYXQSHTBKJCB-UHFFFAOYSA-N C(C(=C)C)(=O)OCCC[Zr](OC)(CCCOC(C(=C)C)=O)CCCOC(C(=C)C)=O Chemical compound C(C(=C)C)(=O)OCCC[Zr](OC)(CCCOC(C(=C)C)=O)CCCOC(C(=C)C)=O ORHYXQSHTBKJCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQLKIHZAISMEAT-UHFFFAOYSA-N C(C)[Zr](OC)(OC)OC Chemical group C(C)[Zr](OC)(OC)OC DQLKIHZAISMEAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVKMCDXAROIRTL-UHFFFAOYSA-N C(C)[Zr](OCCC)(OCCC)OCCC Chemical group C(C)[Zr](OCCC)(OCCC)OCCC IVKMCDXAROIRTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNUKMUNCNAJQJN-UHFFFAOYSA-N C(C)[Zr](OCCCC)(OCCCC)OCCCC Chemical group C(C)[Zr](OCCCC)(OCCCC)OCCCC QNUKMUNCNAJQJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDXUPQNIQZEZEK-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OCCC[Zr](OC)(CCCOC(C=C)=O)CCCOC(C=C)=O Chemical compound C(C=C)(=O)OCCC[Zr](OC)(CCCOC(C=C)=O)CCCOC(C=C)=O YDXUPQNIQZEZEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXKAIJAYHKCRRA-HERZVMAMSA-N C([C@H]([C@H](C(C(=O)O)O)O)O)O Chemical compound C([C@H]([C@H](C(C(=O)O)O)O)O)O QXKAIJAYHKCRRA-HERZVMAMSA-N 0.000 description 1
- AXVMCDWHDVXMAE-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(O[Ti])(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(O[Ti])(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 AXVMCDWHDVXMAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBFKIJODLRBPQZ-UHFFFAOYSA-N CC(=O)C(C(=O)C)C(=O)C(C(=O)C)C(=O)O Chemical compound CC(=O)C(C(=O)C)C(=O)C(C(=O)C)C(=O)O PBFKIJODLRBPQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTJQECXXYCDYKE-UHFFFAOYSA-N CCCC[Ti](OC)(OC)OC Chemical group CCCC[Ti](OC)(OC)OC VTJQECXXYCDYKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITJHDXSUEINCDE-UHFFFAOYSA-N CCO[Ti](C)(OCC)OCC Chemical group CCO[Ti](C)(OCC)OCC ITJHDXSUEINCDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQZRIHABPZTYJN-UHFFFAOYSA-N CCO[Ti](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 Chemical compound CCO[Ti](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 PQZRIHABPZTYJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLEMSPCLROKULC-UHFFFAOYSA-N CCO[Zr](CC)(OCC)OCC Chemical group CCO[Zr](CC)(OCC)OCC XLEMSPCLROKULC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSSJBGNOJJETTC-UHFFFAOYSA-N COC1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=2C3(C4=CC(=CC=C4C=2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC=C(C=C1)OC Chemical compound COC1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=2C3(C4=CC(=CC=C4C=2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC=C(C=C1)OC KSSJBGNOJJETTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUWTUQVATYZAIT-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](C)(C)OC Chemical compound CO[Ti](C)(C)OC GUWTUQVATYZAIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSUKUOGKYJEUPO-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](C)(OC)OC Chemical group CO[Ti](C)(OC)OC ZSUKUOGKYJEUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBQNJCCMGOPPQJ-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 Chemical group CO[Ti](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 BBQNJCCMGOPPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCKJDVIQGQNAPR-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](OC)(OC)CCCN Chemical compound CO[Ti](OC)(OC)CCCN CCKJDVIQGQNAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGKWTLHIAUCLJB-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](OC)(c1ccccc1)c1ccccc1 Chemical compound CO[Ti](OC)(c1ccccc1)c1ccccc1 UGKWTLHIAUCLJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJPIBCYETOGAPH-UHFFFAOYSA-N CO[Zr] Chemical group CO[Zr] HJPIBCYETOGAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKNNKKIXOGBXGM-UHFFFAOYSA-N CO[Zr](CCC1CCC2OC2C1)(OC)OC Chemical compound CO[Zr](CCC1CCC2OC2C1)(OC)OC NKNNKKIXOGBXGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBPZLIKXZXLHIE-UHFFFAOYSA-N C[Ti+3].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] Chemical group C[Ti+3].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] IBPZLIKXZXLHIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFMNXBGIGYGHLU-UHFFFAOYSA-N C[Ti](OC)(C)C Chemical compound C[Ti](OC)(C)C WFMNXBGIGYGHLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAWMRHLQZJKAIZ-UHFFFAOYSA-N C[Zr](OCCCC)(OCCCC)OCCCC Chemical group C[Zr](OCCCC)(OCCCC)OCCCC KAWMRHLQZJKAIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N Dihydropyran Chemical group C1COC=CC1 BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N Diisoamyl ether Chemical compound CC(C)CCOCCC(C)C AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Natural products OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBJFQUCMXXPEEQ-UHFFFAOYSA-N NCCC[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical compound NCCC[Zr](OCC)(OCC)OCC SBJFQUCMXXPEEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 1
- FLRQOWAOMJMSTP-JJTRIOAGSA-N [(2s)-2-[(2r)-3,4-dihydroxy-5-oxo-2h-furan-2-yl]-2-hydroxyethyl] (6z,9z,12z)-octadeca-6,9,12-trienoate Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCC(=O)OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O FLRQOWAOMJMSTP-JJTRIOAGSA-N 0.000 description 1
- VFFJGRABRBMKGA-UHFFFAOYSA-N [N+](#[C-])CCC[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound [N+](#[C-])CCC[Zr](OC)(OC)OC VFFJGRABRBMKGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXADSYKADBCHDI-UHFFFAOYSA-N [N+](#[C-])CCC[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical compound [N+](#[C-])CCC[Zr](OCC)(OCC)OCC WXADSYKADBCHDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JABXMSSGPHGCII-UHFFFAOYSA-N acetic acid;propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)CO JABXMSSGPHGCII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N acetoacetic acid Chemical class CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical group C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBVBDLCCWCJXFA-UHFFFAOYSA-N adamantane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(C(=O)O)C2(C(O)=O)C3 LBVBDLCCWCJXFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 125000005075 adamantyloxy group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)O* 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005133 alkynyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000051 benzyloxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- CJYIPJMCGHGFNN-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.1]heptane-2,3,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound C1C2C(C(O)=O)C(C(=O)O)C1C(C(O)=O)C2C(O)=O CJYIPJMCGHGFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYQRDNYMKKJUTH-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.1]heptane-3,4-dicarboxylic acid Chemical compound C1CC2(C(O)=O)C(C(=O)O)CC1C2 KYQRDNYMKKJUTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- RMGJBHYVRQUMMZ-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC(O)=O RMGJBHYVRQUMMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTBRWBUKPWVGFA-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] LTBRWBUKPWVGFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N cis-aconitic acid Chemical compound OC(=O)C\C(C(O)=O)=C\C(O)=O GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 150000003950 cyclic amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000005676 cyclic carbonates Chemical group 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical group 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004465 cycloalkenyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001047 cyclobutenyl group Chemical group C1(=CCC1)* 0.000 description 1
- 125000001352 cyclobutyloxy group Chemical group C1(CCC1)O* 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMEJCQZFRMVYGC-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)C(C(O)=O)C1C(O)=O SMEJCQZFRMVYGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000000298 cyclopropenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 125000000131 cyclopropyloxy group Chemical group C1(CC1)O* 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 150000001990 dicarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N diethylazanide Chemical compound CC[N-]CC UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide Chemical compound C[N-]C QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012972 dimethylethanolamine Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical group O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N ethanol;titanium Chemical compound [Ti].CCO.CCO.CCO.CCO XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N ethanol;zirconium Chemical compound [Zr].CCO.CCO.CCO.CCO UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N ethenone Chemical compound C=C=O CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 125000005290 ethynyloxy group Chemical group C(#C)O* 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229960005219 gentisic acid Drugs 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N glyceric acid Chemical compound OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILPNRWUGFSPGAA-UHFFFAOYSA-N heptane-2,4-dione Chemical compound CCCC(=O)CC(C)=O ILPNRWUGFSPGAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N hexamethylbenzene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C1C YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical group 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N methanol;titanium Chemical compound [Ti].OC.OC.OC.OC ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006261 methyl amino sulfonyl group Chemical group [H]N(C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N methylazanide Chemical compound [NH-]C MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFWSQSCIDYBUOU-UHFFFAOYSA-N methylcyclopentadiene Chemical compound CC1=CC=CC1 NFWSQSCIDYBUOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLRHPCKWSXWKBG-UHFFFAOYSA-N n-(2-azaniumylethyl)carbamate Chemical compound NCCNC(O)=O RLRHPCKWSXWKBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N n-methylpropanamide Chemical compound CCC(=O)NC QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTHGHFBUGBTINV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3,6-tricarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 BTHGHFBUGBTINV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPUMVKJOWWJPRK-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,7-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC(C(O)=O)=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 WPUMVKJOWWJPRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N norbornadiene Chemical compound C1=CC2C=CC1C2 SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical group C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 125000005295 norbornyloxy group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)O* 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- UHHKSVZZTYJVEG-UHFFFAOYSA-N oxepane Chemical group C1CCCOCC1 UHHKSVZZTYJVEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- WQIQNKQYEUMPBM-UHFFFAOYSA-N pentamethylcyclopentadiene Chemical compound CC1C(C)=C(C)C(C)=C1C WQIQNKQYEUMPBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- XUWHAWMETYGRKB-UHFFFAOYSA-N piperidin-2-one Chemical group O=C1CCCCN1 XUWHAWMETYGRKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical group O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003902 salicylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008053 sultones Chemical group 0.000 description 1
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical group O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
当該半導体デバイス製造用組成物は、例えば半導体デバイス製造における多層レジストプロセス等で形成される金属含有膜を得るために用いることができる。
[A]化合物は、[a]錯体又は[b]加水分解縮合物である。[b]加水分解縮合物は、[a]錯体を加水分解縮合して得られたものである。「加水分解縮合」とは、[a]錯体が有する加水分解性基が水の作用により加水分解して−OHに変換され、生成した2個の−OHから水分子が脱離して縮合し−O−を形成する反応をいう。
[a]錯体は、[X]金属含有化合物と[Y]有機化合物とを混合して得られる錯体である。[X]金属含有化合物と[Y]有機化合物とを混合することにより、[X]金属含有化合物を構成する金属原子に、[Y]有機化合物が有する2〜4個の特定基がキレート配位、金属原子間の架橋等をすることにより[a]錯体を形成すると考えられる。[a]錯体は、金属原子を1種又は2種以上含んでいてもよい。
[X]金属含有化合物は、金属化合物(I)、金属化合物(I)の加水分解物又はこれらの組み合わせである。
金属化合物(I)は、加水分解性基を有する金属化合物である。金属化合物(I)が加水分解性基を有することで、その加水分解及び加水分解縮合により、金属原子が−O−により連結された金属化合物を含む[A]化合物を形成することができ、その結果、金属含有膜のエッチング耐性をより向上させることができる。
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基;
フェノキシ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基等のアリールオキシ基;
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;
ホルミルオキシ基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基等のアシロキシ基;
イソシアネート基等が挙げられる。これらの中で、アルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びブトキシ基がより好ましい。
エチレン、プロピレン等の鎖状オレフィン;
シクロペンテン、シクロヘキセン、ノルボルネン等の環状オレフィン;
ブタジエン、イソプレン等の鎖状ジエン;
シクロペンタジエン、メチルシクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、ノルボルナジエン等の環状ジエン;
ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサメチルベンゼン、ナフタレン、インデン等の芳香族炭化水素などが挙げられる。
メチルトリメトキシチタン、メチルトリエトキシチタン、メチルトリ−i−プロポキシチタン、メチルトリブトキシジルコニウム、エチルトリメトキシジルコニウム、エチルトリエトキシジルコニウム、エチルトリ−i−プロポキシジルコニウム、エチルトリブトキシジルコニウム、ブチルトリメトキシチタン、フェニルトリメトキシチタン、ナフチルトリメトキシチタン、フェニルトリエトキシチタン、ナフチルトリエトキシチタン、アミノプロピルトリメトキシチタン、アミノプロピルトリエトキシジルコニウム、2−(3,4―エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシジルコニウム、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシジルコニウム、3−イソシアノプロピルトリメトキシジルコニウム、3−イソシアノプロピルトリエトキシジルコニウム、トリエトキシモノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−n−プロポキシモノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−i−プロポキシモノ(アセチルアセトナート)チタン、トリエトキシモノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−n−プロポキシモノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−i−プロポキシモノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、チタントリブトキシモノステアレート等の加水分解性基を3個有する金属化合物;
ジメチルジメトキシチタン、ジフェニルジメトキシチタン、ジブチルジメトキシジルコニウム、ジ−i−プロポキシビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−i−プロポキシビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−n−ブトキシビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−n−ブトキシビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム等の加水分解性基を2個有する金属化合物;
トリメチルメトキシチタン、トリフェニルメトキシチタン、トリブチルメトキシチタン、トリ(3−メタクリロキシプロピル)メトキシジルコニウム、トリ(3−アクリロキシプロピル)メトキシジルコニウム等の加水分解性基を1個有する金属化合物などが挙げられる。
[Y]有機化合物は、化合物(I)、化合物(II)及び化合物(III)のうちの少なくとも1種であり、かつ合計2〜4個の−OH、−COOH、−NCO、−NRARB又は−CORC−の特定基を有する化合物である。上記RA及びRBは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。上記RCは、炭素数1〜20の2価の有機基である。
化合物(I)は、アルカリ可溶性を有する化合物である。化合物(I)は、アルカリ可溶部位を有することが好ましい。「アルカリ可溶部位」とは、アルカリ液に対して高い溶解性を示す部位である。
化合物(II)は、アルカリ液の作用により分解してアルカリ液に対する溶解度が増大する化合物である。化合物(II)は、アルカリ液の作用により分解してアルカリ液に対する溶解度が増大する部位(以下、「アルカリ分解部位」ともいう)を有することが好ましい。[Y]有機化合物は、アルカリ分解部位を有することで、アルカリ液と接触することによりこの部位が分解してアルカリ可溶部位となり、その結果、アルカリ液に対する溶解性が高まる。
ラクトン構造を含む部位、ラクタム構造を含む部位等の環構造中に−CO−Y−(Yは、−O−、−S−、−NR’−又は−PR’−である。R’は、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。)を含む部位、スルトン構造を含む部位、環状カーボネート構造を含む部位、酸イミド構造等の環構造を含み、この環構造がアルカリ液の作用により分解して−COOHを生じる部位;
酸無水物構造を有する部位などが挙げられる。
ブチロラクトン構造、バレロラクトン構造、カプロラクトン構造等の単環のラクトン構造;
ノルボルナンラクトン構造等の多環のラクトン構造などが挙げられる。
ノルボルナンラクタム構造等の多環のラクタム構造などが挙げられる。
化合物(III)は、酸の作用により分解してアルカリ液に対する溶解度が増大する化合物である。化合物(III)は、酸の作用により分解してアルカリ液に対する溶解度が増大する部位(以下、「酸分解部位」ともいう)を有することが好ましい。[Y]有機化合物は、酸分解部位を有することで、例えば当該半導体デバイス製造用組成物が酸発生体等を含有する場合、この酸発生体等から発生する酸の作用によりこの分解してアルカリ可溶部位を生じ、その結果、アルカリ液に対する溶解性が高まる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基;
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基;
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等のアルキニル基などの鎖状炭化水素基、
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基;
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基等のシクロアルケニル基などの脂環式炭化水素基、
フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基;
ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基などの芳香族炭化水素基などが挙げられる。
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基;
エテニルオキシ基、プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;
エチニルオキシ基、プロピニルオキシ基、ブチニルオキシ基等のアルキニルオキシ基などのオキシ鎖状炭化水素基、
シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基;
シクロペンテニルオキシ基、シクロヘキセニルオキシ基、ノルボルネニルオキシ基等のシクロアルケニルオキシ基などのオキシ脂環式炭化水素基、
フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基等のアリールオキシ基;
ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基、ナフチルメトキシ基等のアラルキルオキシ基などのオキシ芳香族炭化水素基などが挙げられる。
シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロヘキサン構造、ノルボルナン構造、アダマンタン構造等のシクロアルカン構造;
シクロプロペン構造、シクロブテン構造、シクロペンテン構造、シクロヘキセン構造、ノルボルネン構造等のシクロアルケン構造などの脂環構造、
オキサシクロペンタン構造、オキサシクロヘキサン構造、オキサシクロヘプタン構造、オキサノルボルナン構造等のオキサシクロアルカン構造;
オキサシクロペンテン構造、オキサシクロヘキセン構造、オキサシクロヘプテン構造、オキサノルボルネン構造等のオキサシクロアルケン構造などの酸素原子を環構成原子として有する脂肪族複素環構造などが挙げられる。
[Y]有機化合物は、合計2〜4個の−OH、−COOH、−NCO、−NRARB又は−CORC−を有する。RA及びRBは、それぞれ独立して、炭素数1〜20の1価の有機基である。RCは、炭素数1〜20の2価の有機基である。[Y]有機化合物が上記特定基を上記特定数有することで、[X]金属含有化合物と[Y]有機化合物とから錯体を形成することができる。その結果、当該半導体デバイス製造用組成物から形成される金属含有膜がエッチング耐性を発揮することができる。なお、特定基と上記特定部位とは構造上重複する部分を有していてもよい。
nが2のものとして、カルボキシエチレングリコール、カルボキシジエチレングリコール、カルボキシシクロヘキサンジオール、カルボキシベンゼンジメタノール等の特定部位を有する2価アルコール;カルボキシハイドロキノン、カルボキシビスフェノール等の特定部位を有する2価フェノールなどが挙げられ、
nが3のものとして、カルボキシグリセリン、カルボキシシクロヘキサントリオール等の特定部位を有する3価アルコール;カルボキシピロガロール等の特定部位を有する3価フェノールなどが挙げられ、
nが4のものとして、カルボキシエリスリトール等の特定部位を有する3価アルコール;カルボキシベンゼンテトラオール等の特定部位を有する3価フェノール等などが挙げられる。
nが2のものとして、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸等の鎖状飽和ジカルボン酸;マレイン酸、フマル酸等の鎖状不飽和ジカルボン酸;1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、ノルボルナンジカルボン酸、アダマンタンジカルボン酸等の脂環式ジカルボン酸;フタル酸、テレフタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、2,7−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸などが挙げられ、
nが3のものとして、1,2,3−プロパントリカルボン酸等の鎖状飽和トリカルボン酸;1,2,3−プロペントリカルボン酸等の鎖状不飽和トリカルボン酸;1,2,4−シクロヘキサントリカルボン酸等の脂環式トリカルボン酸;トリメリット酸、2,3,7−ナフタレントリカルボン酸等の芳香族トリカルボン酸などが挙げられ、
nが4のものとして、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸等の鎖状飽和テトラカルボン酸;1,2,3,4−ブタジエンテトラカルボン酸等の鎖状不飽和テトラカルボン酸;1,2,5,6−シクロヘキサンテトラカルボン酸、2,3,5,6−ノルボルナンテトラカルボン酸等の脂環式テトラカルボン酸;ピロメリット酸、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸等の芳香族テトラカルボン酸などが挙げられる。
nが2のものとして、カルボキシエチレンイソシアネート等の特定部位を有するジイソシアネートなどが挙げられ、
nが3のものとして、カルボキシトリメチレントリイソシアネート等の特定部位を有するトリイソシアネートなどが挙げられ、
nが4のものとして、カルボキシテトラメチレンテトライソシアネート等の特定部位を有するテトライソシアネートなどが挙げられる。
nが2のものとして、カルボキシエチレンジアミン等の特定部位を有するジアミンなどが挙げられ、
nが3のものとして、カルボキシトリアミノプロパン等の特定部位を有するトリアミンなどが挙げられ、
nが4のものとして、カルボキシテトラアミノブタン等の特定部位を有するテトラアミンなどが挙げられる。
nが2のものとして、カルボキシアセチルアセトン等の特定部位を有するジケトンなどが挙げられ、
nが3のものとして、カルボキシアセチルアセチルアセトン等の特定部位を有するトリケトンなどが挙げられ、
nが4のものとして、カルボキシジアセチルアセチルアセトン等の特定部位を有するテトラケトンなどが挙げられる。
当該半導体デバイス製造用組成物は、通常[B]溶媒を含有する。[B]溶媒は、少なくとも[A]化合物及び所望により含有される[C]架橋促進剤及びその他の任意成分等を溶解又は分散させることができるものであれば特に限定されない。
4−メチル−2−ペンタノール、n−ヘキサノール等の炭素数1〜18の脂肪族モノアルコール系溶媒;
シクロヘキサノール等の炭素数3〜18の脂環式モノアルコール系溶媒;
1,2−プロピレングリコール等の炭素数2〜18の多価アルコール系溶媒;
プロピレングリコールモノメチルエーテル等の炭素数3〜19の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジヘプチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒;
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒;
ジフェニルエーテル、アニソール等の芳香環含有エーテル系溶媒などが挙げられる。
アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−iso−ブチルケトン、2−ヘプタノン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−iso−ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒;
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒;
2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
N,N’−ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒;
N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒などが挙げられる。
酢酸n−ブチル、乳酸エチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒;
プロピレングリコールアセテート等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒;
シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒;
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
n−ペンタン、n−ヘキサン等の炭素数5〜12の脂肪族炭化水素系溶媒;
トルエン、キシレン等の炭素数6〜16の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
[C]架橋促進剤は光又は熱によって酸又は塩基を発生する化合物である。当該半導体デバイス製造用組成物は、[C]架橋促進剤を含有することで、有機溶媒耐性及びエッチング耐性をより向上させることができる。[C]架橋促進剤としては、例えばスルホニウム塩、ヨードニウム塩等のオニウム塩化合物、N−スルホニルオキシイミド化合物等が挙げられる。[C]架橋促進剤としては、熱によって酸又は塩基を発生する熱架橋促進剤が好ましく、オニウム塩化合物がより好ましく、ヨードニウム塩及びアンモニウム塩がさらに好ましい。当該半導体デバイス製造用組成物は、[C]架橋促進剤を1種又は2種以上含有していてもよい。
当該半導体デバイス製造用組成物は、上記[A]〜[C]成分以外にもその他の任意成分を含有することができる。その他の任意成分としては、例えば界面活性剤等が挙げられる。当該半導体デバイス製造用組成物は、その他の任意成分を1種又は2種以上含有していてもよい。
界面活性剤は塗布性、ストリエーション等を改良する作用を示す成分である。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤などが挙げられる。界面活性剤の市販品としては、KP341(信越化学工業社)、ポリフローNo.75、同No.95(以上、共栄社化学社)、エフトップEF301、同EF303、同EF352(以上、トーケムプロダクツ社)、メガファックF171、同F173(以上、DIC社)、フロラードFC430、同FC431(以上、住友スリーエム社)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(以上、旭硝子社)等が挙げられる。
当該半導体デバイス製造用組成物は、例えば[A]化合物及び[B]溶媒、並びに必要に応じて[C]架橋促進剤等の任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは得られた混合物を孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することにより調製することができる。
当該加工基板の製造方法は、基板の一方の面側に金属含有膜を形成する工程(以下、「金属含有膜形成工程」ともいう)、上記金属含有膜の基板と反対の面側にレジストパターンを形成する工程(以下、「レジストパターン形成工程」ともいう)、上記レジストパターンをマスクとした1又は複数回のドライエッチングにより基板パターンを形成する工程(以下、「基板パターン形成工程」ともいう)、及び残存する上記金属含有膜をアルカリ液を用いて除去する工程(以下、「除去工程」ともいう)を備える。当該加工基板の製造方法は、上記金属含有膜を当該半導体デバイス製造用組成物により形成する。
本工程では、レジスト下層膜形成組成物を用い基板上に、当該半導体デバイス製造用組成物から形成される金属含有膜とは異なるレジスト下層膜を形成する。上記レジスト下層膜は、有機膜であっても無機膜であってもよい。上記レジスト下層膜形成組成物としては、従来公知のものを使用できるが、例えばJSR社の「NFC HM8005」等が挙げられる。上記レジスト下層膜は、基板上にレジスト下層膜形成組成物を塗布することにより塗膜を形成し、この塗膜を加熱処理、又は紫外光の照射及び加熱処理を行うことにより硬化させることで形成できる。レジスト下層膜形成組成物を塗布する方法としては、例えばスピンコート法、ロールコート法、ディップ法等が挙げられる。
本工程では、基板の一方の面側に金属含有膜を形成する。この金属含有膜を当該半導体デバイス製造用組成物により形成する。レジスト下層膜形成工程を備えない場合、金属含有膜は基板上に形成され、レジスト下層膜形成工程を備える場合、金属含有膜はレジスト下層膜上に形成される。基板としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ポリシロキサン等の絶縁膜、並びに市販品であるAMAT社の「ブラックダイヤモンド」、ダウケミカル社の「シルク」、JSR社の「LKD5109」等の低誘電体絶縁膜で被覆したウェハ等が挙げられる。また、この基板としては、配線講(トレンチ)、プラグ溝(ビア)等のパターン化された基板を用いてもよい。金属含有膜は、当該半導体デバイス製造用組成物を基板の表面に塗布することにより塗膜を形成し、この塗膜を加熱処理、又は紫外光の照射及び加熱処理を行うことにより硬化させることで形成できる。当該半導体デバイス製造用組成物を塗布する方法としては、例えばスピンコート法、ロールコート法、ディップ法等が挙げられる。
本工程では、金属含有膜形成工程で形成した金属含有膜の基板と反対の面側にレジストパターンを形成する。このレジストパターンを形成する方法としては、例えばレジスト組成物を用いる方法等が挙げられる。このレジスト組成物を用いる方法では、レジストパターン形成工程は、レジスト組成物で上記金属含有膜の上面側にレジスト膜を形成する工程(以下、「レジスト膜形成工程」ともいう)、上記レジスト膜を露光する工程(以下、「露光工程」ともいう)、及び上記露光されたレジスト膜を現像する工程(以下、「現像工程」ともいう)を備える。
以下、各工程について説明する。
本工程では、レジスト組成物を上記金属含有膜の上面側に塗布することで塗膜を形成し、この塗膜をプレベーク(PB)等することにより、塗膜中の溶媒を揮発させレジスト膜を形成する。上記レジスト組成物としては、例えば酸解離性基を有する重合体と感放射線性酸発生剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とを含有するポジ型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂と架橋剤とを含有するネガ型レジスト組成物等が挙げられる。このようなレジスト組成物として、市販品のレジスト組成物を使用することもできる。
本工程では、上記形成されたレジスト膜を露光する。この露光は、通常フォトマスクを介してレジスト膜に選択的に放射線を照射することにより行う。露光に用いる放射線としては、レジスト組成物に使用されている酸発生剤の種類に応じて、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、極端紫外線(EUV)、X線、γ線等の電磁波;電子線、分子線、イオンビーム等の粒子線などから適切に選択されるが、遠紫外線、EUV及び電子線が好ましく、KrFエキシマレーザー光(248nm)、ArFエキシマレーザー光(193nm)、EUV及び電子線がより好ましい。また、液浸露光法も採用することができる。この場合、レジスト膜上に液浸上層膜形成組成物を用いて液浸上層膜を形成してもよい。
本工程では、上記露光されたレジスト膜を現像する。現像に用いる現像液としては、使用されるレジスト組成物の種類に応じて適宜選択することができる。上記化学増幅型レジスト組成物及びポジ型レジスト組成物の場合、上記現像液としてアルカリ性水溶液を用いることができる。このようにアルカリ性水溶液を用いることで、ポジ型のレジストパターンを形成できる。
本工程では、レジストパターン形成工程で形成したレジストパターンをマスクとした1又は複数回のドライエッチングにより基板パターンを形成する。当該加工基板の製造方法における基板パターン形成工程においては、通常複数回のドライエッチングを行う。すなわち、レジストパターンをマスクとした1又は複数回のドライエッチングによる転写を行うことによって金属含有膜パターンを形成し、次に、この金属含有膜パターンをマスクとした1又は複数回のドライエッチングによる転写を行うことによって最終的に基板パターンを形成する。上記レジスト下層膜を形成していない場合、レジストパターンをマスクとして、例えば金属含有膜及び基板を順次ドライエッチングすることにより基板パターンを得る。上記レジスト下層膜を形成している場合は、レジストパターンをマスクとして金属含有膜、レジスト下層膜及び基板を順次ドライエッチングして基板パターンを形成する。マスクとして用いた金属含有膜パターンは、この基板パターン形成工程後に基板、レジスト下層膜等の上に残存する。
本工程では、残存する金属含有膜をアルカリ液を用いて除去する。当該加工基板の製造方法によれば、金属含有膜を上述の当該半導体デバイス製造用組成物により形成しているので、基板パターン形成工程後に残存して金属含有膜をアルカリ液を用いて除去することができる。その結果、フッ酸等による金属含有膜の通常の除去方法のように、基板パターンが除去液により悪影響を受けることが少なく、品質の良い基板パターンを得ることができる。
[実施例1]
n−ブタノール100gとハフニウムテトラ−n−ブトキシド18gとの混合液中にイオン交換水0.3gをゆっくりと滴下し、室温で120分攪拌した後、さらにα−アセチル−γ−ブチロラクトン3.5gを加え、65℃に加温して180分攪拌した。この混合液を減圧で濃縮し、ハフニウム含有化合物(A1−1)のn−ブタノール溶液を得た。この溶液を0.1μmのPTFEフィルターで濾過することで、半導体デバイス製造用組成物(J−1)を得た。
エタノール100gとジルコニウムトリブトキシモノエチルアセトアセテート13gとα−アセチル−δ−バレロラクトン5.1gとの混合液中にイオン交換水1.1gをゆっくりと滴下し、室温で60分攪拌した後、さらに50℃に加温して120分攪拌した。この混合液にプロピレングリコールモノエチルエーテル100gを加えた後に減圧で濃縮して、ジルコニウム含有化合物(A1−2)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。この溶液を0.1μmのPTFEフィルターで濾過することで、半導体デバイス製造用組成物(J−2)を得た。
ジルコニウムトリブトキシモノアセチルアセトナート30gに3−ベンゾイル−1−メチル−2−ピロリジノン9.4gを添加し、60℃で2時間撹拌混合した。この混合物10gを、プロピレングリコールモノエチルエーテル40g、酢酸ブチル10g、アセト酢酸エチル20g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20gの混合液に加えて希釈し、ジルコニウム含有化合物(A1−3)の溶液を得た。この溶液を0.1μmのPTFEフィルターで濾過することで、半導体デバイス製造用組成物(J−3)を得た。
タンタルペンタエトキサイド15gを乾燥窒素雰囲気下にてテトラヒドロフラン88.5g中に溶解し、ジエチレングリコール9gを加えて12時間室温にて撹拌した。この混合液にα−アセチル−γ−ブチロラクトン1.5gを加え、さらに45℃で2時間撹拌混合した。得られたタンタル含有ポリマー溶液に、プロピレングリコールモノメチルエーテル50gを加えた後、減圧濃縮することで、タンタル含有化合物(A1−4)のプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液を得た。この溶液を0.1μmのPTFEフィルターで濾過することで、半導体デバイス製造用組成物(J−4)を得た。
tert−ブタノール45gとチタニウムトリブトキシモノステアレート5gとを混合し、この混合液をtert−ブタノール47.8gと水0.8gと3−アセチルテトラヒドロチオピラン−2−オン1.4gとの混合液中にゆっくりと滴下した。得られた溶液を70℃で150分間撹拌した後、減圧濃縮を行わずに室温まで冷却し、界面活性剤(日信化学社の「サーフィノール104H」)0.3gを添加して、チタン含有化合物(A1−5)のtert−ブタノール溶液を得た。この溶液を0.1μmのPTFEフィルターで濾過することで、半導体デバイス製造用組成物(J−5)を得た。
イソプロパノール88gとチタンテトライソプロポキシド11gとの混合液中にα−アセチル−α−メチル−γ−ブチロラクトン11gをゆっくりと滴下した。得られた混合溶液中に、さらに水6.3gをゆっくりと滴下し、75℃で3時間撹拌した。この混合溶液にプロピレングリコールモノプロピルエーテル100gを加えた後に減圧濃縮し、チタン含有化合物(A1−6)のプロピレングリコールモノプロピルエーテル溶液を得た。この溶液を0.1μmのPTFEフィルターで濾過することで、半導体デバイス製造用組成物(J−6)を得た。
プロピレングリコールモノエチルエーテル75.5g中に、ジルコニウムテトラ−n−ブトキシド12.5gを加え、さらに水1.2gを加えて常温で14時間撹拌を行った。この溶液を減圧濃縮し、さらに2−アセチルテトロン酸3.5gを加えることで、ジルコニウム化合物(A1−7)のプロピレングリコールモノエチルエーテル溶液を得た。この溶液を0.1μmのPTFEフィルターで濾過することで、半導体デバイス製造用組成物(J−7)を得た。
実施例1において、α−アセチル−γ−ブチロラクトンの代わりに、アセチルアセトンを用いた以外は実施例1と同様の操作を行い、ハフニウム含有化合物(A2−1)を含有する半導体デバイス製造用組成物(CJ−1)を得た。
実施例4において、α−アセチル−γ−ブチロラクトンを加えなかった以外は、実施例4と同様の操作を行い、タンタル含有化合物(A2−2)を含有する半導体デバイス製造用組成物(CJ−2)を得た。
実施例6において、α−アセチル−α−メチル−γ−ブチロラクトンの代わりに、アセト酢酸エチルを用いた以外は実施例6と同様の操作を行い、チタン含有化合物(A2−3)を含有する半導体デバイス製造用組成物(CJ−3)を得た。
塗布・現像装置(東京エレクトロン社の「Clean Track Act8」)を使用して、シリコンウェハ上に各半導体デバイス製造用組成物を回転塗布し、150℃、200℃及び250℃の各温度でそれぞれ1分間焼成した。塗布の際には焼成後の膜厚が50nmとなるよう回転数を適宜調整した。このようにして、金属含有膜が形成された基板を得た。
上記形成した金属含有膜について、下記方法に従い、アルカリ現像液による剥離性、SC−1剥離液による剥離性及び有機溶媒に対する耐性の評価を行った。評価結果を下記表1〜3に示す。
上記金属含有膜が形成された基板を、アルカリ現像液(JSR社の「PD523」、2.38%TMAH水溶液)に室温にて5分間浸漬し、その後十分量の超純水にて洗浄、乾燥することで金属含有膜の剥離を行った。剥離後の金属含有膜の膜厚を分光エリプソメーターM2000−D(J.A.Woollam社製)を用いて測定し、残膜が3nm未満である場合は「○」(良好)と、3nm以上45nm未満である場合は「△」(やや良好)と、45nm以上である場合は「×」(不良)と評価した。この結果を表1に示す。各実施例で形成した金属含有膜は比較例のものと比べて、アルカリ現像液により常温でも良好な剥離性を示すことが分かる。
28%アンモニア水溶液と30%過酸化水素水と超純水を混合比1:2:10で混合し、SC−1剥離液を調製した。このSC−1剥離液を用いて、上記金属含有膜が形成された基板を室温にて3分間浸漬し、その後十分量の超純水にて洗浄、乾燥することで金属含有膜の剥離を行った。剥離後の金属含有膜の膜厚を分光エリプソメーターM2000−D(J.A.Woollam社製)を用いて測定し、残膜が3nm未満である場合は「○」(良好)と、3nm以上45nm未満である場合は「△」(やや良好)と、45nm以上である場合は「×」(不良)と評価した。この結果を表2に示す。各実施例で形成した金属含有膜は比較例のものと比べて、SC−1剥離液により常温でも良好な剥離性を示すことが分かる。
上記金属含有膜が形成された基板を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに室温にて5分間浸漬した。浸漬後の金属含有膜の膜厚を分光エリプソメーターM2000−D(J.A.Woollam社製)を用いて測定し、浸漬前と比べて膜厚の変化が1nm未満であった場合は「○」(良好)と、1nm以上3nm未満であった場合は「△」(やや良好)と、3nm以上であった場合は「×」(不良)と評価した。各実施例で形成された金属含有膜は、比較例のものと比べて十分に有機溶媒に対する耐性を持つことが分かる。
Claims (5)
- 加水分解性基を有する金属化合物、上記金属化合物の加水分解縮合物若しくはこれらの組み合わせを含む金属含有化合物と、少なくとも1種の有機化合物とを混合して得られる錯体又はこの錯体を加水分解縮合して得られたものを含有し、
上記有機化合物がアルカリ液の作用により分解してアルカリ液に対する溶解度が増大する化合物であり、かつ上記有機化合物が合計2〜4個の−OH、−COOH、−NCO、−NRARB又は−CORC−を有し、
上記RA及びRBがそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基、上記RCが炭素数1〜20の2価の有機基であり、
上記有機化合物が1,3−ジカルボニル構造を有する化合物を含み、
上記1,3−ジカルボニル構造を有する化合物が下記式(1)で表される半導体デバイス製造用組成物。
- 上記金属含有化合物が、第3族、第4族、第5族、第6族、第7族、第8族、第9族、第10族、第11族、第12族若しくは第13族の金属原子又はこれらの組み合わせを含む請求項1に記載の半導体デバイス製造用組成物。
- 上記金属原子が、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、コバルト又はこれらの組み合わせである請求項2に記載の半導体デバイス製造用組成物。
- 基板の一方の面側に金属含有膜を形成する工程、
上記金属含有膜の基板と反対の面側にレジストパターンを形成する工程、
上記レジストパターンをマスクとした1又は複数回のドライエッチングにより基板パターンを形成する工程、及び
残存する上記金属含有膜をアルカリ液を用いて除去する工程
を備え、
上記金属含有膜を、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体デバイス製造用組成物により形成する加工基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015052328A JP6439520B2 (ja) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015052328A JP6439520B2 (ja) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016173406A JP2016173406A (ja) | 2016-09-29 |
JP6439520B2 true JP6439520B2 (ja) | 2018-12-19 |
Family
ID=57008153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015052328A Active JP6439520B2 (ja) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6439520B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6740469B2 (en) * | 2002-06-25 | 2004-05-25 | Brewer Science Inc. | Developer-soluble metal alkoxide coatings for microelectronic applications |
US7094709B2 (en) * | 2004-06-15 | 2006-08-22 | Braggone Oy | Method of synthesizing hybrid metal oxide materials and applications thereof |
KR102126437B1 (ko) * | 2013-03-25 | 2020-06-24 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 다층 레지스트 프로세스용 무기 막 형성 조성물 및 패턴 형성 방법 |
-
2015
- 2015-03-16 JP JP2015052328A patent/JP6439520B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016173406A (ja) | 2016-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI531865B (zh) | A multilayer photoresist process pattern forming method and an inorganic film forming composition for a multilayer photoresist process | |
JP6399083B2 (ja) | 多層レジストプロセス用組成物および該多層レジストプロセス用組成物を用いたパターン形成方法 | |
TWI649624B (zh) | Pattern forming method, resin and photoresist underlayer film forming composition | |
JPWO2013080929A1 (ja) | 多層レジストプロセスに用いられるレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法 | |
JP6311702B2 (ja) | 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法 | |
TW201213467A (en) | A composition for coating over a photoresist pattern | |
JP5938989B2 (ja) | 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法 | |
TWI598694B (zh) | 用於形成光阻下層膜之化合物及組成物,以及使用該化合物及組成物形成光阻下層膜之方法 | |
KR102351281B1 (ko) | 다층 레지스트 프로세스용 무기 막 형성 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
JP5970933B2 (ja) | パターン形成方法 | |
US20170362412A1 (en) | Composition for film formation, and pattern-forming method | |
WO2017204090A1 (ja) | 感放射線性組成物及びパターン形成方法 | |
JP6390427B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP6413333B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP6439520B2 (ja) | 半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法 | |
JP6288090B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP6741957B2 (ja) | レジストプロセス用膜形成材料及びパターン形成方法 | |
KR20150114900A (ko) | 막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
JP7405147B2 (ja) | 組成物、膜、膜形成方法、パターン形成方法、有機下層膜反転パターン形成方法及び組成物の製造方法 | |
JP2016177203A (ja) | パターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170721 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181023 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6439520 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |