JP2000251722A - Sealing method of image display method - Google Patents

Sealing method of image display method

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JP2000251722A
JP2000251722A JP11055473A JP5547399A JP2000251722A JP 2000251722 A JP2000251722 A JP 2000251722A JP 11055473 A JP11055473 A JP 11055473A JP 5547399 A JP5547399 A JP 5547399A JP 2000251722 A JP2000251722 A JP 2000251722A
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Japan
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sealing
temperature
image display
gas
image forming
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Japanese (ja)
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Hidehiko Fujimura
秀彦 藤村
Masaaki Ogura
全昭 小倉
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sealing method of an image display device capable of simply realizing a getter activation at a lower temperature for a shorter time by causing a damage which a non-evaporation getter receives at the time of sealing less and serving as the getter activation step by a vacuum baking step. SOLUTION: The image display device is provided with an electron source; an image display member for an image by an electron released from the electron source; and a non-evaporation getter 18 in an air tight container and a joining of each constitution member of the air tight container is carried out by a heat molten seal material 21. In the sealing method of the device, at least one portion or a whole portion or area at which the non-evaporation getter 18 is accommodated in the image display device is controlled to a temperature below a sealing temperature. A group including at least one kind of gas selected from an inert gas, a nitrogen gas and a hydrogen gas is flowed into the image forming device and the seal material 21 is heated and molten to the sealing temperature to seal it.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、画像形成装置の封
着方法に関し、特に、冷陰極電子放出源を用いた平面型
画像形成装置をフリットガラス(低融点ガラス)を用い
て封着する製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for sealing an image forming apparatus, and more particularly, to a method for sealing a flat type image forming apparatus using a cold cathode electron emission source using frit glass (low melting glass). About the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、内部を真空維持する画像形成装置
を製造する際には、ガラス部材の間にシール状であるフ
リットガラスを塗布または載置して、電気炉等の封着炉
に入れ、またはホットプレートヒーターに載せ(上下か
らホットプレートヒーターで挟む場合もある)画像形成
装置全体を封着温度に加熱して封着部分のガラス部材を
封着ガラスで融着する封着方法が取られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, when manufacturing an image forming apparatus for maintaining the inside of a vacuum, a frit glass having a seal shape is applied or placed between glass members and placed in a sealing furnace such as an electric furnace. Alternatively, a sealing method is adopted in which the entire image forming apparatus is placed on a hot plate heater (in some cases, sandwiched between the hot plate heaters from above and below) to a sealing temperature and the glass member at the sealing portion is fused with sealing glass. Have been.

【0003】また、電子源を用いた平面型画像形成装置
は、冷陰極電子放出素子等を安定に長時間動作させるた
めに、超高真空を必要とするため、複数の電子放出素子
を有する基板とこれに対向する位置に蛍光体を有する基
板を枠を挟んでフリットガラスにより封着され、放出ガ
スを吸着して真空維持するゲッタが具備されている。
Further, a flat type image forming apparatus using an electron source requires an ultra-high vacuum in order to stably operate a cold cathode electron-emitting device or the like for a long time, so that a substrate having a plurality of electron-emitting devices is required. And a getter that seals a substrate having a phosphor at a position opposed thereto with a frit glass with a frame interposed therebetween, adsorbs emitted gas and maintains vacuum.

【0004】上述のゲッタには蒸着型と非蒸発型があ
り、蒸着型ゲッタはBa等を主成分とする合金を、真空
ガラス外囲器内で通電あるいは高周波により加熱し、容
器内壁に蒸着膜を形成(ゲッタフラッシュ)し、活性な
ゲッタ金属面により内部で発生したガスを吸着して高真
空を維持している。非蒸発型ゲッタは、Ti、Zr、
V、Al、Fe等のゲッタ材を配置し、真空中で加熱し
てガス吸着特性を得る「ゲッタ活性化」を行うことによ
り、放出ガスを吸着する様にすることができる。
[0004] There are two types of getters: a vapor deposition type and a non-evaporation type. The vapor deposition type getter heats an alloy containing Ba or the like as a main component in a vacuum glass envelope by energization or high frequency, and deposits a vapor deposition film on the inner wall of the container. Is formed (getter flash), and the gas generated inside is adsorbed by the active getter metal surface to maintain a high vacuum. Non-evaporable getters include Ti, Zr,
By arranging a getter material such as V, Al, Fe or the like and performing “getter activation” to obtain gas adsorption characteristics by heating in a vacuum, the released gas can be adsorbed.

【0005】一般に、平面型画像形成装置は、薄いため
蒸着型ゲッタの設置領域やフラッシュ領域が10分確保
できず画像表示エリア外の支持枠近傍に設置している。
よって、画像表示の中央部とゲッタ設置領域とのコンダ
クタンスが小さくなり、電子放出素子や蛍光体の中央部
での実効排気速度が小さくなってしまう。電子源と画像
表示部材を有する画像形成装置において、ガスを発生さ
せる部分は、主に電子ビームにより照射される画像表示
領域である。そのため、蛍光体及び電子源を高真空で保
持したい場合には放出ガスの発生源である蛍光体や電子
源近傍に非蒸発型ゲッタを配置する必要がある。従来の
CRTの場合、蛍光体とゲッタ膜間のコンダクタンスは
平面型画像形成装置に比べてかなり大きい。そのため、
実効排気速度は平面型画像形成装置に比べてかなり大き
くなる。よって、電子照射により蛍光体から放出された
ガスはCRT内のゲッタ領域によって有効に排気される
ので、蛍光体から放出されるガスが速やかにゲッタによ
り吸着排気され、CRT内の圧力は平面型画像形成装置
に比べ低く維持できる。
In general, a flat-type image forming apparatus is thin and cannot be provided with a deposition area or a flash area for 10 minutes because of the thinness of the vapor deposition type getter, and is installed near a support frame outside an image display area.
Therefore, the conductance between the central portion of the image display and the getter installation region is reduced, and the effective pumping speed at the central portion of the electron-emitting device or the phosphor is reduced. In an image forming apparatus having an electron source and an image display member, a portion for generating a gas is an image display area mainly irradiated by an electron beam. Therefore, when it is desired to maintain the phosphor and the electron source in a high vacuum, it is necessary to arrange a non-evaporable getter in the vicinity of the phosphor and the electron source that are the emission gas generating sources. In the case of a conventional CRT, the conductance between the phosphor and the getter film is considerably larger than that of a flat-type image forming apparatus. for that reason,
The effective pumping speed is considerably higher than that of the flat type image forming apparatus. Therefore, the gas emitted from the phosphor by the electron irradiation is effectively exhausted by the getter region in the CRT, so that the gas emitted from the phosphor is quickly adsorbed and exhausted by the getter, and the pressure in the CRT is reduced to a flat image. It can be kept lower than the forming apparatus.

【0006】また電子源の周りにもゲッタ膜があるた
め、電子源自体から放出されたガスによっても極端な圧
力上昇は生じない。
Further, since there is a getter film around the electron source, an extreme pressure rise does not occur even by the gas emitted from the electron source itself.

【0007】発生したガスは、電子源あるいは蛍光体を
劣化させるため長時間駆動することによって画像形成表
示部の輝度が減少してしまう。また、発生したガスの一
部はイオン化し放電の原因にもなってしまい、電子源を
破壊したりする場合がある。
[0007] The generated gas deteriorates the electron source or the phosphor and is driven for a long time, so that the brightness of the image forming and displaying part is reduced. Further, a part of the generated gas is ionized to cause a discharge, which may destroy the electron source.

【0008】このような事情を考慮して、米国特許5,
453,659号“Anode Plate for
Flat Panel Display having
Integrated Getter”,issur
ed 26 Sept.1995 to Wallac
e et al.では、画像表示部材(アノードプレー
ト)上の、ストライプ状の蛍光体同士の隙間にゲッタ部
材を形成したものが開示されている。この例では、ゲッ
タ材は、蛍光体及びそれと電気的に接続された導電体と
は電気的に分離されており、ゲッタに適当な電位を与え
て電子源の放出した電子を照射・加熱することで、ゲッ
タの活性化を行うものである。
In view of such circumstances, US Pat.
No. 453,659 "Anode Plate for
Flat Panel Display having
Integrated Getter ”, issur
ed 26 Sept. 1995 to Wallac
e et al. Discloses a technique in which a getter member is formed in a gap between stripe-shaped phosphors on an image display member (anode plate). In this example, the getter material is electrically separated from the phosphor and the conductor electrically connected to the phosphor, so that an appropriate potential is applied to the getter to irradiate and heat the electrons emitted from the electron source. Then, the getter is activated.

【0009】また従来より、電子放出素子としては大別
して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子を用いた2種
類のものが知られている。冷陰極電子放出素子には電界
放出型(以下、「FE型」という。)、金属/絶縁層/
金属型(以下、「MIM型」という。)や表面伝導型電
子放出素子等がある。FE型の例としてはW.P.Dy
ke&W.W.Dolan,“Field emiss
ion”,Advance in Electron
Physics,8,89(1956)あるいはC.
A.Spindt,“PHYSICAL Proper
ties ofthin−film field em
ission cathodes with moly
bdenium cones”,J.Appi.Phy
s.,47,5248(1976)等に開示されたもの
が知られている。
Heretofore, two types of electron-emitting devices using a thermionic electron-emitting device and a cold-cathode electron-emitting device have been known. Field emission type (hereinafter, referred to as “FE type”) cold metal electron emitting devices, metal / insulating layer /
There are a metal type (hereinafter, referred to as "MIM type"), a surface conduction electron-emitting device, and the like. As an example of the FE type, W. P. Dy
ke & W. W. Dolan, "Field emiss
ion ", Advance in Electron
Physics, 8, 89 (1956) or C.I.
A. Spindt, “PHYSICAL Proper
ties ofthin-film field em
issue cathodes with molly
bdenium cones ", J. Appi. Phys.
s. , 47, 5248 (1976).

【0010】MIM型の例としてはC.A.Mead,
“Operation of Tunnel−Emis
sion Devices”,J.Apply.Phy
s.,32,646(1961)等に開示されたものが
知られている。
As an example of the MIM type, C.I. A. Mead,
“Operation of Tunnel-Emis
site Devices, ”J. Apply. Phys.
s. , 32, 646 (1961).

【0011】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
M.I.Elinson,Recio Eng.Ele
ctron Phys.,10,1290,(196
5)等に開示されたものがある。
Examples of the surface conduction electron-emitting device type include:
M. I. Elinson, Recio Eng. Ele
ctron Phys. , 10, 1290, (196
5) and the like.

【0012】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より、電子放出が生ずる現象を利用するものである。こ
の表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等
によるSnO2 薄膜を用いたもの、Au薄膜によるもの
[G.Dittmer:“Thin Solid Fi
lms”,9,317(1972)],In23 /S
nO2 薄膜によるもの[M.Hartwell and
C.G.Fontad:“IEEE Trans.E
D Conf.”519(1975)]、カーボン薄膜
によるもの[荒木久 他:真空、第26巻、第1号、2
2頁(1983)]等が報告されている。
The surface conduction electron-emitting device utilizes a phenomenon in which an electron is emitted when a current flows in a small-area thin film formed on a substrate in parallel with the film surface. Examples of the surface conduction electron-emitting device include a device using an SnO 2 thin film by Elinson et al. And a device using an Au thin film [G. Dittmer: “Thin Solid Fi
lms ", 9,317 (1972)] , In 2 O 3 / S
nO 2 thin film [M. Hartwell and
C. G. FIG. Fontad: "IEEE Trans. E
D Conf. "519 (1975)], using a carbon thin film [Hisashi Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, 2
2 (1983)].

【0013】これら冷陰極電子放出素子から発生した電
子ビームにより蛍光体を発光させるフラットパネルの画
像形表示装置の開発が行われている。表面伝導型電子放
出素子は、一部に高抵抗部を有する導電性薄膜に電流を
流すことにより、電子が放出されるもので、本出願人に
よる出願、特開平7−235255号公報にその一例が
示されている。
A flat panel image type display device which emits a phosphor by an electron beam generated from these cold cathode electron-emitting devices has been developed. A surface conduction electron-emitting device emits electrons by passing a current through a conductive thin film having a high resistance part in one part. An example of such a device is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-235255. It is shown.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
画像形成装置の封着方法では、以下の様な欠点があっ
た。
However, the conventional method for sealing an image forming apparatus has the following disadvantages.

【0015】上述の様に、平面型画像形成装置において
は、放出ガスの発生源である蛍光体や電子源近傍に非蒸
発型ゲッタが配置されている。従来の封着部分以外のガ
ラス外囲器全体を封着温度に加熱して封着部分のフリッ
トガラスを融着する封着方法が取られると、非蒸発型ゲ
ッタが封着時に悪影響を受け、後の吸着特性を得るため
の「ゲッタ活性化」条件がより厳しくなるという欠点が
あった。すなわち、非蒸発型ゲッタ具備領域の封着温度
が高温であると、非蒸発型ゲッタがダメージを受け、吸
着特性を得るためには、後により高温の加熱によるゲッ
タ活性化を行わなければならなくなる。この際、例えば
前述の米国特許5,453,659号の様に、ゲッタに
適当な電位を与えて電子源の放出した電子を照射・加熱
したり、非蒸発型ゲッタのみへの通電手段等の加熱手段
や工程を別途設けたりする必要がある。更に活性化温度
が低いゲッタでは、非蒸発型ゲッタ具備領域の封着温度
が高温であると、ゲッタ活性化ができず、殆ど吸着特性
が得られなくなってしまうものもある。
As described above, in the flat-type image forming apparatus, the non-evaporable getter is arranged near the phosphor or the electron source which is the source of the emitted gas. When a conventional sealing method of heating the entire glass envelope other than the sealing portion to the sealing temperature and fusing the frit glass of the sealing portion is taken, the non-evaporable getter is adversely affected at the time of sealing, There was a drawback that the conditions for "getter activation" for obtaining the later adsorption characteristics became more severe. That is, if the sealing temperature of the non-evaporable getter-provided region is high, the non-evaporable getter is damaged, and the getter must be activated by heating at a higher temperature later to obtain the adsorption characteristics. . At this time, for example, as described in the above-mentioned US Pat. No. 5,453,659, an appropriate potential is applied to the getter to irradiate and heat the electrons emitted from the electron source, It is necessary to separately provide a heating means and a step. Further, in some getters having a low activation temperature, if the sealing temperature of the non-evaporable getter area is high, the getter cannot be activated and almost no adsorption characteristics can be obtained.

【0016】[発明の目的]本発明は、上記従来技術の
欠点に鑑み、非蒸発型ゲッタが封着時に受けるダメージ
をより小さくして、簡単により低温またはより短時間の
ゲッタ活性化を可能とし、更に好ましくは、内部を真空
維持するガラス外囲器の製造工程に不可欠な真空ベーキ
ング工程がゲッタ活性化工程を兼ねることができる画像
形成装置の封着方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, the present invention makes it possible to reduce the damage to a non-evaporable getter at the time of sealing, and to easily activate the getter at a lower temperature or for a shorter time. More preferably, it is an object of the present invention to provide a method of sealing an image forming apparatus in which a vacuum baking step indispensable for a manufacturing step of a glass envelope for maintaining a vacuum inside can also serve as a getter activating step.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の画
像表示装置の封着方法の上述の問題点を解決して、本発
明の目的を達成すべく、鋭意研究を重ねた結果、完成に
至ったものである。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems of the conventional sealing method for an image display device and to achieve the object of the present invention. It has been completed.

【0018】すなわち本発明は、 (1)少なくとも蛍光体励起手段である電子放出素子を
配置されたリアプレート、および前記蛍光体励起手段に
より発光する蛍光体が配置されたフェースプレートから
構成される画像表示装置内に非蒸発型ゲッタを具備し、
前記リアプレートと前記フェースプレートとの接合が支
持体およびシール材を介して接合されてなる画像表示装
置の封着方法において、画像表示装置内の非蒸発型ゲッ
タ具備領域の少なくとも一部もしくは全領域を封着温度
未満の温度に制御し、かつ不活性ガス、窒素ガス、水素
ガスから少なくとも一種の選ばれるガスを含むガスを画
像表示装置内にフローし、前記シール材を封着温度に加
熱溶融し封着することを特徴とする画像表示装置の封着
方法; (2)上述(1)記載のシール材が、ガラスフリットで
あることを特徴とする画像表示装置の封着方法; (3)上述(1)において、シール材を封着温度まで加
熱溶融する手段が光学的手段による直接加熱であること
を特徴とする画像表示装置の封着方法; (4)上述(1)において、シール材を封着温度まで加
熱溶融する手段がシール材に直接隣接して配置した金属
箔もしくは金属膜に通電加熱する直接加熱であることを
特徴とする画像表示装置の封着方法; (5)上述(1)において、シール材を封着温度まで加
熱溶融する手段が支持体あるいはフェースプレートもし
くはリアプレートを介しての間接加熱であることを特徴
とする画像表示装置の封着方法; (6)上述(1)において、電子放出素子領域を封着温
度未満に制御することを特徴とする画像表示装置の封着
方法; (7)上述(1)記載の画像表示装置の電子放出素子が
表面伝導型電子放出素子もしくは電界放出型電子放出素
子であることを特徴とする画像表示装置の封着方法; である。
That is, the present invention provides: (1) an image comprising at least a rear plate on which an electron-emitting device serving as a phosphor excitation means is arranged, and a face plate on which a phosphor emitting light by the phosphor excitation means is arranged; A non-evaporable getter is provided in the display device,
In the sealing method for an image display device, wherein the bonding between the rear plate and the face plate is bonded via a support and a sealing material, at least a part or all of the non-evaporable getter-provided region in the image display device Is controlled to a temperature lower than the sealing temperature, and a gas containing at least one gas selected from an inert gas, a nitrogen gas, and a hydrogen gas is flowed into the image display device, and the sealing material is heated and melted to the sealing temperature. (2) A sealing method for an image display device, wherein the sealing material according to the above (1) is a glass frit; (3) (1) The method for sealing an image display device according to (1), wherein the means for heating and melting the sealing material to the sealing temperature is direct heating by optical means; (5) a method of sealing an image display device, wherein the means for heating and melting the sealing material to the sealing temperature is direct heating for energizing and heating a metal foil or a metal film disposed directly adjacent to the sealing material; (6) The method for sealing an image display device according to (1), wherein the means for heating and melting the sealing material to the sealing temperature is indirect heating via a support, a face plate, or a rear plate; (1) The method for sealing an image display device according to (1), wherein the region of the electron-emitting device is controlled to a temperature lower than a sealing temperature; A method of sealing an image display device, wherein the sealing method is an electron-emitting device or a field-emission electron-emitting device.

【0019】また、気密容器内に、電子源と、該電子源
から放出される電子により画像を形成する画像形成部材
と、非蒸発型ゲッタとを具備し、該気密容器の各構成部
材の接合が熱溶融性シール材により接合されて成る画像
形成装置の封着方法において、前記画像形成装置内の非
蒸発型ゲッタ具備領域の少なくとも一部もしくは全領域
を封着温度未満の温度に制御し、かつ不活性ガス、窒素
ガス、水素ガスの内から選ばれる少なくとも一種のガス
を含むガスを画像形成装置内に流入し、前記シール材を
封着温度に加熱溶融し封着することを特徴とする画像形
成装置の封着方法でもある。
The airtight container includes an electron source, an image forming member for forming an image by electrons emitted from the electron source, and a non-evaporable getter. In the sealing method of the image forming apparatus is joined by a heat-fusible sealing material, controlling at least a part or the whole area of the non-evaporable getter provided area in the image forming apparatus to a temperature lower than the sealing temperature, Further, a gas containing at least one gas selected from an inert gas, a nitrogen gas, and a hydrogen gas flows into the image forming apparatus, and the sealing material is heated and melted to a sealing temperature for sealing. It is also a sealing method for the image forming apparatus.

【0020】[0020]

【作用】本発明の画像表示装置の封着方法によれば、非
蒸発型ゲッタの封着時の温度を封着温度より低くするこ
とができるので、それだけ、ダメージを受けなくするこ
とができる。また、非蒸発型ゲッタに対して不活性なガ
ス雰囲気中で工程を行うことにより、いっそう非蒸発型
ゲッタの劣化を抑制できる。さらに、ガスをフローする
ことにより封着時に放出されるガスを速やかに非蒸発型
ゲッタ領域外へ排出できるため非蒸発型ゲッタの雰囲気
を良好にすることが可能となり、非蒸発型ゲッタのダメ
ージを抑制できる。このようにすることにより、後の吸
着特性を得るためのゲッタ活性化条件が易しくなり、簡
単により低温であるいは短時間でゲッタ活性化を行うこ
とができる。それにより、長時間の駆動による輝度の劣
化が押さえられ、安定した画像表示装置を提供できる。
According to the sealing method of the image display device of the present invention, the temperature of the non-evaporable getter at the time of sealing can be made lower than the sealing temperature, so that damage can be prevented. Further, by performing the process in an inert gas atmosphere for the non-evaporable getter, the deterioration of the non-evaporable getter can be further suppressed. Furthermore, since the gas released at the time of sealing can be quickly discharged to the outside of the non-evaporable getter region by flowing the gas, the atmosphere of the non-evaporable getter can be improved, and damage to the non-evaporable getter can be reduced. Can be suppressed. By doing so, the getter activation conditions for obtaining the subsequent adsorption characteristics become easier, and the getter activation can be easily performed at a lower temperature or in a shorter time. As a result, deterioration in luminance due to long-time driving is suppressed, and a stable image display device can be provided.

【0021】[0021]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。なお、本
発明の本質は、画像形成装置の封着方法に関するもので
あるので表面伝導型あるいは電界放出型の電子放出素子
を用いた画像表示装置の封着方法に限らず、電子放出素
子を用いた画像形成装置の封着方法に適応できるのは言
うまでもない。また、画像形成部材としては、画像を表
示する蛍光体や、潜像を形成する画像形成部材を用いる
ことも可能である。
Embodiments of the present invention will be described below. Since the essence of the present invention relates to a sealing method for an image forming apparatus, the present invention is not limited to a sealing method for an image display apparatus using a surface conduction type or field emission type electron emitting element, but uses an electron emitting element. Needless to say, the method can be applied to the sealing method of the image forming apparatus. Further, as the image forming member, a phosphor for displaying an image or an image forming member for forming a latent image can be used.

【0022】[実施例1]本実施例では、冷陰極電子放
出素子である表面伝導型電子放出素子を電子放出素子と
して、複数個リアプレートに形成し、画像形成部材とし
て蛍光面(フェースプレート)を設置し、有効表示エリ
アを対角15インチとする縦と横の比が3:4のカラー
画像表示装置を作成した。まず、本発明の画像表示装置
を図2および図3を用いて説明し、次にその製造方法を
説明する。
[Embodiment 1] In this embodiment, a plurality of surface conduction electron-emitting devices, which are cold cathode electron-emitting devices, are formed on a rear plate as electron-emitting devices, and a fluorescent screen (face plate) is used as an image forming member. Was installed, and a color image display device having an effective display area of 15 inches diagonally and a length to width ratio of 3: 4 was prepared. First, an image display device of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3, and then a method of manufacturing the image display device will be described.

【0023】図2は、本実施例に用いた画像表示装置の
斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を切
り欠いている。
FIG. 2 is a perspective view of the image display device used in the present embodiment, and a part of the panel is cut away to show the internal structure.

【0024】図中、1はフェースプレート、8はリアプ
レート、9は支持枠、であり、1,8,9により表示パ
ネルの内部を真空に維持するための気密容器を形成して
いる。気密容器を組み立てるにあたっては各部材の接合
に十分な強度と気密性を保持させるため封着する必要が
ある。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a face plate, 8 denotes a rear plate, and 9 denotes a support frame. 1, 8 and 9 form an airtight container for maintaining the inside of the display panel at a vacuum. When assembling the airtight container, it is necessary to seal the members in order to maintain sufficient strength and airtightness for joining the members.

【0025】図中7は封着時に不活性ガスをフローする
時のガスの導入側の排気管であり、気密容器内を真空に
排気するときに真空装置に接続するための排気管であ
る。また、これらの排気管はプロセス工程中に発生する
活性化工程での活性化ガスのガス導入管としても利用さ
れる。
In the drawing, reference numeral 7 denotes an exhaust pipe on the gas introduction side when the inert gas flows at the time of sealing, and is an exhaust pipe for connecting to a vacuum device when evacuating the airtight container to a vacuum. Further, these exhaust pipes are also used as a gas introduction pipe for an activation gas in an activation step generated during a process step.

【0026】図中7′は封着時に不活性ガスをフローす
る時のガスの出口側の排気管である。
In the drawing, reference numeral 7 'denotes an exhaust pipe on the gas outlet side when an inert gas flows during sealing.

【0027】図中16は排気管を封止した後の気密容器
内の真空を維持するためのBa蒸発型ゲッタである。B
a蒸発型ゲッタは、高温に加熱することによりBa蒸着
膜を形成する。Ba蒸着膜は、非常に活性な膜であり不
活性ガス以外のガスに対して吸着排気能力を有している
優れた真空ポンプである。
In the figure, reference numeral 16 denotes a Ba evaporation type getter for maintaining a vacuum in the airtight container after sealing the exhaust pipe. B
The a-evaporable getter forms a Ba vapor-deposited film by heating to a high temperature. The Ba vapor deposition film is a very active film and is an excellent vacuum pump having an adsorption / exhaust ability for gases other than the inert gas.

【0028】リアプレート8上には、表面伝導型放出素
子19が、N×M個形成されている。(N,Mは2以上
の正の整数で、目的とする表示画素数に応じ適宜設定さ
れる。) 前記N×M個の表面伝導型放出素子では、M本の列方向
配線12(下配線とも呼ぶ)とN本の行方向配線14
(上配線とも呼ぶ)により単純マトリクス配線されてい
る。
On the rear plate 8, N × M surface conduction electron-emitting devices 19 are formed. (N and M are positive integers of 2 or more and are appropriately set according to the target number of display pixels.) In the N × M surface-conduction emission devices, M column-directional wirings 12 (lower wirings) ) And N row-direction wirings 14
(Also referred to as upper wiring) to form a simple matrix wiring.

【0029】さらに、上配線上に非蒸発型ゲッタ18が
配置されている。
Further, a non-evaporable getter 18 is arranged on the upper wiring.

【0030】続いて図3を用いて説明する。図3は、表
面伝導型電子放出素子の構成を示す模式図であり、図2
中の19を示したものである。図3(a)は平面図、図
3(b)は図3(a)のAA′での断面図である。図3
において8はリアプレート(基板)、11(a)と11
(b)は素子電極、15は導電性薄膜、20は電子放出
部である。
Next, description will be made with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the surface conduction electron-emitting device.
19 is shown. FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. FIG.
8 is a rear plate (substrate), 11 (a) and 11
(B) is an element electrode, 15 is a conductive thin film, and 20 is an electron emitting portion.

【0031】気密容器を排気管7を通して真空に排気し
ながら、素子電極11(a)、11(b)を通じて、導
電性薄膜15にフォーミング処理を施すことによって、
導電性薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、
電気的に高抵抗な状態にした電子放出部20を形成し、
さらに、気密容器内の圧力が1×10-3Pa以下になっ
たら、気密容器内に排気管7を通して活性化ガスとして
アセトンを1Pa程度導入し、放出電流を著しく改善す
る活性化工程を該表面伝導型電子放出素子の上述素子電
極11(a)、11(b)に電圧を印加し、素子に電流
を流すことによって、上述の電子放出部20の活性化を
行う(従来技術で述べた特開平7−235255号公報
の開示例と同様)のものである。
By forming the conductive thin film 15 through the device electrodes 11 (a) and 11 (b) while evacuating the airtight container through the exhaust pipe 7, the forming process is performed.
Locally destroy, deform or alter the conductive thin film,
Forming an electron emitting portion 20 in an electrically high resistance state,
Further, when the pressure in the hermetic container becomes 1 × 10 −3 Pa or less, about 1 Pa of acetone is introduced as an activating gas through the exhaust pipe 7 into the hermetic container to perform an activating step for remarkably improving the emission current. A voltage is applied to the device electrodes 11 (a) and 11 (b) of the conduction electron-emitting device and a current flows through the device, thereby activating the above-described electron-emitting portion 20 (see the description of the prior art). (Similar to the example disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 7-235255).

【0032】また、蛍光面(フェースプレート)1はガ
ラス基板、透明導電膜ITO、蛍光体、アルミニウムの
メタルバックの構成からなっている。なお、本実施例で
は、ITO膜をフェースプレート上に形成してあるが、
必ずしも設けなくとも良い。本実施例ではカラー表示装
置であるため、蛍光体4の部分にはCRTの分野で用い
られている赤、緑、青の3原色の蛍光体が塗り分けられ
ている。また、3原色の蛍光体はブラックストライプで
分離されている。
The phosphor screen (face plate) 1 is composed of a glass substrate, a transparent conductive film ITO, a phosphor, and a metal back of aluminum. In this embodiment, the ITO film is formed on the face plate.
It does not necessarily have to be provided. In this embodiment, since the present embodiment is a color display device, phosphors of three primary colors of red, green and blue used in the field of CRT are separately applied to the portion of the phosphor 4. The phosphors of the three primary colors are separated by black stripes.

【0033】また、Dx1〜Dxm及びDy1〜Dynならびに
Hvは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気的
に接続するために設けられた気密容器の電気接続用端子
である。Dx1〜Dxmはマルチ電子ビーム源の列向配線1
2と、Dy1〜Dynはマルチ電子ビーム源の行向配線14
と、Hvは蛍光面のメタルバック3に電気的に接続され
ている。
Dx1 to Dxm, Dy1 to Dyn, and Hv are terminals for electrical connection of an airtight container provided for electrically connecting the display panel to an electric circuit (not shown). Dx1 to Dxm are column wiring 1 of the multi-electron beam source.
2 and Dy1 to Dyn are the row wirings 14 of the multi-electron beam source.
And Hv are electrically connected to the metal back 3 of the phosphor screen.

【0034】以上、本発明の製造方法を適用した画像表
示装置を説明した。
The image display device to which the manufacturing method of the present invention is applied has been described above.

【0035】次に、本発明の画像表示装置の製造方法に
ついて図1、図2、図3を用いて説明する。尚、図1
は、本実施例の画像表示装置の封着方法を示す図であ
り、図2は、本実施例に用いた画像表示装置の斜視図で
あり、図3は、表面伝導型電子放出素子の構成を示す模
式図である。
Next, a method for manufacturing an image display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 2 is a diagram showing a sealing method of the image display device of the present embodiment, FIG. 2 is a perspective view of the image display device used in the present embodiment, and FIG. 3 is a configuration of a surface conduction electron-emitting device. FIG.

【0036】(リアプレートの作成) (R−1)青板ガラスを洗浄し、シリコン酸化膜17を
スパッタ法で形成したリアプレート8上に素子電極11
(a)、11(b)をオフセット印刷により形成した。
下配線12をスクリーン印刷で形成した。次に、下配線
12と上配線14間に層間絶縁膜13を形成する。さら
に、上配線14を形成した。
(Preparation of Rear Plate) (R-1) The blue plate glass is washed, and the device electrode 11 is formed on the rear plate 8 on which the silicon oxide film 17 is formed by sputtering.
(A) and 11 (b) were formed by offset printing.
The lower wiring 12 was formed by screen printing. Next, an interlayer insulating film 13 is formed between the lower wiring 12 and the upper wiring 14. Further, the upper wiring 14 was formed.

【0037】(R−2)次いで、PdOからなる導電性
薄膜15をスパッタ法で形成した後、パターニングし、
所望の形態とした。
(R-2) Next, a conductive thin film 15 made of PdO is formed by sputtering, and then patterned.
It was in the desired form.

【0038】(R−3)さらに、ニクロムリボン上に非
蒸発型ゲッタが形成済みのゲッタ部材18(リボンゲッ
タ)を上配線上に無機接着剤で固定した。本実施例で
は、非蒸発型ゲッタの主成分はZr、V、Mn等である
がこれに限定されるものではない。
(R-3) Further, a getter member 18 (ribbon getter) having a non-evaporable getter formed on the nichrome ribbon was fixed on the upper wiring with an inorganic adhesive. In this embodiment, the main components of the non-evaporable getter are Zr, V, Mn, and the like, but are not limited thereto.

【0039】以上の工程により、単純マトリクス配線し
た表面伝導型放出素子、非蒸発型ゲッタ等が形成された
リアプレートを作成した。
Through the above steps, a rear plate having a surface conduction type emission element, a non-evaporable type getter, etc., formed by simple matrix wiring was prepared.

【0040】(R−4)リアプレートを真空装置内に入
れ真空排気し、圧力が0.1Pa以下になったら、容器
外端子Dox1 〜Doxm とDoy1 〜Doyn を通じ電子放出
素子に電圧を印加し、導電性薄膜15にフォーミング工
程を行った。
(R-4) Put the rear plate in a vacuum device and evacuate it. When the pressure becomes 0.1 Pa or less, a voltage is applied to the electron-emitting device through the external terminals Dox1 to Doxm and Doy1 to Doyn. The forming step was performed on the conductive thin film 15.

【0041】(支持枠の作成) (W−1)支持枠9のフェースプレートと接触する側面
に支持枠とフェースプレートを接着するためのフリット
ガラス21(a)を印刷法にて形成。
(Preparation of Support Frame) (W-1) A frit glass 21 (a) for bonding the support frame and the face plate is formed on the side surface of the support frame 9 in contact with the face plate by a printing method.

【0042】(フェースプレートの作成) (F−1)青板ガラス基板1にSiO2 層、ITO膜を
スパッタ法で成膜し、蛍光体、黒色導電体を印刷法によ
り形成した。蛍光膜の内面側表面の平滑性処理を行い、
その後Alを真空蒸着法等を用いて堆積させメタルバッ
クを形成した。
(Formation of Face Plate) (F-1) An SiO 2 layer and an ITO film were formed on a blue glass substrate 1 by a sputtering method, and a phosphor and a black conductor were formed by a printing method. Perform the smoothness treatment of the inner surface of the fluorescent film,
Thereafter, Al was deposited using a vacuum deposition method or the like to form a metal back.

【0043】(F−2)フェースプレート上に開けた排
気用の貫通穴に排気管を固着させるためのフリットガラ
ス21(c)を印刷法にて形成。
(F-2) A frit glass 21 (c) for fixing an exhaust pipe to a through hole for exhaust formed on the face plate is formed by a printing method.

【0044】(支持枠、フェースプレート及び排気管の
接着) (WFH−1)支持枠9、フェースプレート1、排気管
7,7′を固定治具(不図示)にアライメント固定す
る。この時フリットガラス21(a)は支持枠9とフェ
ースプレート間になるようにセットする。
(Adhesion of Support Frame, Face Plate, and Exhaust Pipe) (WFH-1) The support frame 9, the face plate 1, and the exhaust pipes 7, 7 'are aligned and fixed to a fixing jig (not shown). At this time, the frit glass 21 (a) is set so as to be between the support frame 9 and the face plate.

【0045】(WFH−2)これを電気炉に入れ、41
0℃まで毎分20℃で昇温し、封着温度410℃で10
分間保持し、その後毎分20℃で室温まで降温した。
(WFH-2) This was put into an electric furnace, and
The temperature was raised to 0 ° C at 20 ° C per minute,
Then, the temperature was lowered to room temperature at 20 ° C./min.

【0046】(WFH−2)再び、支持枠上のリアプレ
ートと接触する側に、リアプレートと封着するためのフ
リットガラス21(b)を印刷法にて形成。
(WFH-2) A frit glass 21 (b) for sealing with the rear plate is formed on the support frame in contact with the rear plate again by a printing method.

【0047】以上の工程により、蛍光体を持つフェース
プレートと支持枠及び排気管が一体となった。
Through the above steps, the face plate having the phosphor, the support frame, and the exhaust pipe are integrated.

【0048】(リアプレートと支持枠/フェースプレー
ト/排気管一体物の封着による気密容器作成)図1を参
照しながら、非蒸発型ゲッタ部18を封着温度未満に制
御するガスフロー封着工程を説明する。
(Preparation of Airtight Container by Sealing Integrated Rear Plate and Supporting Frame / Face Plate / Exhaust Pipe) Referring to FIG. 1, gas flow sealing for controlling the non-evaporable getter section 18 to a temperature lower than the sealing temperature. The steps will be described.

【0049】(FR−1)リアプレートをX、Y、θの
調整ステージ(不図示)上のホットプレート上22に保
持し、一体物(支持枠/フェースプレート/排気管)を
ホットプレート22′に保持する。
(FR-1) The rear plate is held on a hot plate 22 on an X, Y, θ adjustment stage (not shown), and an integrated object (support frame / face plate / exhaust pipe) is placed on a hot plate 22 '. To hold.

【0050】排気管にガスフロー系を接続する。本実施
例では、導入ガスとしてArガスを使用した。ガスフロ
ー系には、導入系に導入ガスを加熱制御するヒータ25
及びマスフローコントローラ26にて流量を制御するも
のを配置した。マスフローメータ27にて、ガスフロー
状態をモニターする。この時、リアプレートと一体物
(支持枠/フェースプレート/排気管)の位置合わせを
X、Y、θの調整ステージにて行い、支持枠とリアプレ
ートを接触させ加圧する。
The gas flow system is connected to the exhaust pipe. In this embodiment, Ar gas was used as the introduction gas. The gas flow system includes a heater 25 for controlling the heating of the gas introduced into the introduction system.
And a device for controlling the flow rate by the mass flow controller 26 are arranged. The gas flow state is monitored by the mass flow meter 27. At this time, the alignment between the rear plate and the integrated object (support frame / face plate / exhaust pipe) is performed on the X, Y, and θ adjustment stages, and the support frame and the rear plate are brought into contact with each other and pressurized.

【0051】(FR−2)画像表示装置内へArガスの
流量が5slmになるようにマスフローコントローラ2
6にて制御し、一体物及びリアプレートを300℃迄ス
テージ上のホットプレート22及び22′にて毎分20
℃で加熱した。このように封着温度(400℃以上で、
フリット種により決定される)未満の温度で画像表示装
置を構成する部材を加熱することをアシスト加熱と呼
ぶ。また、その時の温度をアシスト温度と呼ぶ。アシス
ト加熱は、ガラスが熱歪みによる割れを防止するための
熱分布を抑制するための加熱である。この時、ホットプ
レートの加熱と同時にフローガスをヒータ25にてホッ
トプレートの温度と同期加熱し、300℃迄制御した。
(FR-2) The mass flow controller 2 controls the flow rate of Ar gas into the image display device to be 5 slm.
6. The unit and the rear plate are controlled by the hot plates 22 and 22 'on the stage up to 300.degree.
Heated at ° C. Thus, the sealing temperature (at 400 ° C. or higher,
Heating the members constituting the image display device at a temperature less than (determined by the frit type) is referred to as assist heating. The temperature at that time is called an assist temperature. The assist heating is heating for suppressing heat distribution for preventing the glass from cracking due to thermal strain. At this time, the flow gas was heated by the heater 25 in synchronization with the temperature of the hot plate simultaneously with the heating of the hot plate, and was controlled to 300 ° C.

【0052】(FR−3)画像表示装置が300℃に加
熱制御された後、レーザ23によりレーザ光24をスキ
ャン照射して、フリットガラス21(b)に吸収させて
封着温度まで局所加熱を行う。本発明に用いるレーザに
は、半導体レーザーや炭酸ガスレーザ、YAGレーザ等
があるが、ガラスは透過するが、黒色または灰色のシー
ル材に吸収される波長のレーザであればいずれのレーザ
でも使用可能である。レーザ照射光はガラスを透過し、
フリットガラスを加熱融解させて、ガラス部材が融着さ
れる。フリットガラスによる封着温度は概ね400℃以
上で、フリットガラスの種類によって決定されるが、本
実施例では、封着温度410℃のフリットガラスを用い
た。
(FR-3) After the image display device is controlled to be heated to 300 ° C., the laser light 24 is scanned and irradiated by the laser 23 to be absorbed by the frit glass 21 (b) and locally heated to the sealing temperature. Do. The laser used in the present invention includes a semiconductor laser, a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, and the like. Any laser can be used as long as it has a wavelength that transmits glass but is absorbed by a black or gray sealing material. is there. Laser irradiation light passes through the glass,
The frit glass is heated and melted, and the glass member is fused. The sealing temperature of the frit glass is generally 400 ° C. or higher and is determined by the type of the frit glass. In this embodiment, the frit glass having a sealing temperature of 410 ° C. was used.

【0053】(FR−4)レーザ光24をフリットガラ
ス21(b)を全周囲スキャン照射した後。その後ホッ
トプレートの温度を毎分20℃で室温まで下げた。この
時、導入ガスの温度も同期させて降温した。
(FR-4) After irradiating the frit glass 21 (b) with the laser beam 24 in all around scan. Thereafter, the temperature of the hot plate was lowered to room temperature at 20 ° C. per minute. At this time, the temperature of the introduced gas was also lowered synchronously.

【0054】(FR−5)画像表示装置が室温になった
段階で、導入ガスフローを停止した。
(FR-5) When the temperature of the image display device reached room temperature, the flow of the introduced gas was stopped.

【0055】以上により、非蒸発型ゲッタ具備領域が従
来より低温の加熱で画像表示装置が封着された。
As described above, the image display device was sealed in the non-evaporable getter area by heating at a lower temperature than before.

【0056】(真空プロセスによる電子放出素子の作
成) (S−1)まず、ガスフロー封着で使用した排気管7′
の一部を加熱溶融し、封止した。排気管7を真空排気装
置(不図示)に接続し、画像表示装置内を真空に排気す
る。
(Preparation of Electron Emitting Element by Vacuum Process) (S-1) First, an exhaust pipe 7 'used for gas flow sealing.
Was heated and melted and sealed. The exhaust pipe 7 is connected to a vacuum exhaust device (not shown), and the inside of the image display device is exhausted to a vacuum.

【0057】(S−2)続いて、画像表示装置内の圧力
が1×10-3Pa以下になったら、活性化ガスとしてア
セトンを排気管7を通して気密容器内に1Pa導入し、
容器外端子Dox1 〜Doxm とDoy1 〜Doyn を通じ電子
放出素子に電圧を印加し活性化処理を行った。
(S-2) Subsequently, when the pressure in the image display apparatus becomes 1 × 10 −3 Pa or less, acetone as an activating gas is introduced into the airtight container through the exhaust pipe 7 at 1 Pa.
A voltage was applied to the electron-emitting device through the external terminals Dox1 to Doxm and Doy1 to Doyn to perform an activation process.

【0058】(画像表示装置内の脱ガス工程) (D−1)活性化ガスを十分に排気した後、次に、画像
表示装置のベーキング脱ガス処理行う。ベーキング温度
は300℃とした。昇温速度は毎分2℃とした。
(Degassing Step in Image Display Apparatus) (D-1) After activating gas is sufficiently exhausted, baking degassing processing of the image display apparatus is performed. The baking temperature was 300 ° C. The heating rate was 2 ° C. per minute.

【0059】(D−2)画像表示装置の温度が300℃
に10時間保持した。この真空ベーキング工程は、画像
表示装置内の脱ガス処理のみならず、非蒸発型ゲッタの
活性化処理も兼ねている。その後、室温まで降温し、B
a蒸発型ゲッタ16を画像表示装置外部から高周波加熱
によりフラッシュさせ、Ba蒸着膜を形成した。
(D-2) The temperature of the image display device is 300 ° C.
For 10 hours. This vacuum baking step serves not only for degassing in the image display device but also for activating the non-evaporable getter. Then, the temperature is lowered to room temperature, and B
The evaporable getter 16 was flashed by high-frequency heating from outside the image display device to form a Ba deposited film.

【0060】(D−3)その後、排気管7の一部を溶融
加熱し、封止した。
(D-3) Thereafter, a part of the exhaust pipe 7 was melted and heated and sealed.

【0061】[比較例1]実施例1で作成した画像表示
装置の効果を確認するため、実施例1での(リアプレー
トと支持枠/フェースプレート/排気管一体物の封着に
よる気密容器作成)工程において、ガスフローをせず、
かつ封着はレーザ光による局所加熱をせず上下ホットプ
レート22,22′によって封着温度まで加熱し画像表
示装置の封着工程を実施した。
[Comparative Example 1] In order to confirm the effect of the image display device produced in Example 1, an airtight container was prepared by sealing (integrally of the rear plate and the support frame / face plate / exhaust pipe) in Example 1 In the process, without gas flow,
In addition, the sealing was not performed by local heating with a laser beam, but was heated to the sealing temperature by the upper and lower hot plates 22, 22 'to perform the sealing step of the image display device.

【0062】以上のように、画像表示装置内の非蒸発型
ゲッタ部を封着温度よりも低温で封着工程を実施して
も、真空ベーキング等の高温プロセスを経てもクラック
等が発せず、問題無く真空気密を保つことが確認され
た。さらに、長時間の駆動に対して、画像表示中央部で
の輝度の経時変化を測定した。駆動条件は実施例1及び
比較例1は全く同一条件とした。電子源の駆動条件は、
Dox1 〜Doxm にDCで+7.5V、Doy1 〜Doyn に
電圧−7Vパルス幅30μS、周波数60Hzでスクロ
ールで全画面駆動した。フェースプレートの加速電圧は
6kVである。測定結果を図4に示す。横軸に駆動時
間、縦軸に輝度を初期条件で規格化した値を示してい
る。なお、実施例1及び比較例1の初期の輝度の絶対値
の差は見られなかった。図4より、本実施例で作成され
た画像表示装置は、長時間輝度の劣化が無く安定に動作
させることが出来ることが解った。安定に動作すること
が可能になったのは、画像表示中央部での真空度が改善
されたためである。それは、非蒸発型ゲッタを封着工程
で劣化させること無く真空ベーキング工程で活性化でき
たためである。
As described above, even if the non-evaporable getter portion in the image display device is subjected to the sealing step at a temperature lower than the sealing temperature, cracks do not occur even after a high-temperature process such as vacuum baking. It was confirmed that vacuum tightness was maintained without any problem. Further, with respect to driving for a long time, a temporal change in luminance at the central portion of the image display was measured. The driving conditions of Example 1 and Comparative Example 1 were exactly the same. The driving conditions of the electron source are
The whole screen was driven by scrolling Dox1 to Doxm with DC + 7.5V, Doy1 to Doyn with voltage -7V, pulse width 30μS, and frequency 60Hz. The acceleration voltage of the face plate is 6 kV. FIG. 4 shows the measurement results. The horizontal axis shows the drive time, and the vertical axis shows the luminance normalized under the initial conditions. It should be noted that there was no difference in the absolute value of the initial luminance between Example 1 and Comparative Example 1. From FIG. 4, it was found that the image display device created in this embodiment can be operated stably without deterioration in luminance for a long time. The reason why it is possible to operate stably is that the degree of vacuum at the center of the image display has been improved. This is because the non-evaporable getter could be activated in the vacuum baking step without deteriorating in the sealing step.

【0063】実際に、画像表示装置の中央部で真空度が
どの程度改善されたかを全圧計をフェースプレートの中
央部に設置し駆動時の圧力を測定し確認してみた。圧力
を測定するために以下の検討を行った。実施例1の(フ
ェースプレートの作成)(F−2)において、新たに図
2の画像表示装置のフェースプレートの蛍光体の中央部
に貫通穴を開け、排気管を固着させるためのフリットを
印刷した。さらに、新たに(支持枠、フェースプレート
及び排気管の接着)(WFH−1)全圧計取付け用排気
管を固定治具にアライメント固定する。その後接着工程
後、全圧計取付けよう排気管に全圧計を接続した。それ
以外の工程及び画像表示装置は実施例1、比較例1と同
様にし画像表示装置を作成した。この画像表示装置を、
前述と同様な駆動をした時の全圧の変化をモニターした
結果を図5に示す。図中、横軸は駆動時間を示し非駆動
の測定をバックグランドとして10分間測定し、その後
前述と同一の駆動をした。縦横は非駆動時の比較例の全
圧で規格化した全圧を示している。この図から、本実施
例では非駆動時の圧力も従来例に比べて低く、かつ駆動
時の圧力も低いことが解る。この事から本実施例での非
蒸発型ゲッタが封着工程での劣化が抑制されて、真空ベ
ーキング工程で有効に活性化されていることが解る。
Actually, the total pressure gauge was installed at the center of the face plate to check the degree of vacuum improvement at the center of the image display device by measuring the driving pressure. The following study was performed to measure the pressure. In (Formation of face plate) (F-2) of the first embodiment, a through hole is newly formed in the center of the phosphor of the face plate of the image display device of FIG. 2, and a frit for fixing an exhaust pipe is printed. did. Further, the (weld of the support frame, the face plate, and the exhaust pipe) (WFH-1), the exhaust pipe for mounting the total pressure gauge is newly aligned and fixed to the fixing jig. Thereafter, after the bonding step, the total pressure gauge was connected to the exhaust pipe so as to attach the total pressure gauge. The other steps and the image display device were the same as in Example 1 and Comparative Example 1 to produce an image display device. This image display device
FIG. 5 shows the result of monitoring the change in the total pressure during the same driving as described above. In the figure, the abscissa indicates the driving time, and the non-driving measurement was performed for 10 minutes as a background, and then the same driving as described above was performed. The vertical and horizontal directions show the total pressure normalized by the total pressure of the comparative example when not driven. From this figure, it can be seen that in the present embodiment, the pressure during non-driving is lower than that of the conventional example, and the pressure during driving is also lower. From this fact, it can be seen that the non-evaporable getter in this embodiment is suppressed from deteriorating in the sealing step and is effectively activated in the vacuum baking step.

【0064】[実施例2]本実施例では、実施例1と同
様に冷陰極電子放出素子である表面伝導型電子放出素子
を電子放出素子として、複数個リアプレートに形成し、
蛍光面(フェースプレート)を設置し、有効表示エリア
を対角15インチとする縦と横の比が3:4のカラー画
像表示装置を作成した。
[Embodiment 2] In this embodiment, a plurality of surface conduction electron-emitting devices, which are cold cathode electron-emitting devices, are formed on the rear plate as electron-emitting devices in the same manner as in Embodiment 1.
A color image display device having a fluorescent screen (face plate) and an effective display area of 15 inches diagonally and a length to width ratio of 3: 4 was prepared.

【0065】本発明の画像表示装置の製造方法につい
て、図2、図3、図6を参照しながら説明する。
A method of manufacturing an image display device according to the present invention will be described with reference to FIGS.

【0066】(リアプレートの作成) (R−1)青板ガラスを洗浄し、シリコン酸化膜17を
スパッタ法で形成したリアプレート8上に素子電極11
(a)、11(b)をオフセット印刷により形成した。
下配線12をスクリーン印刷で形成した。次に、下配線
12と上配線14間に層間絶縁膜13を形成する。さら
に、上配線14を形成した。
(Preparation of Rear Plate) (R-1) The blue plate glass is washed, and the device electrode 11 is formed on the rear plate 8 on which the silicon oxide film 17 is formed by sputtering.
(A) and 11 (b) were formed by offset printing.
The lower wiring 12 was formed by screen printing. Next, an interlayer insulating film 13 is formed between the lower wiring 12 and the upper wiring 14. Further, the upper wiring 14 was formed.

【0067】(R−2)次いで、PdOからなる導電性
薄膜15をスパッタ法で形成した後、パターニングし、
所望の形態とした。
(R-2) Next, a conductive thin film 15 made of PdO is formed by sputtering, and then patterned.
It was in the desired form.

【0068】(R−3)さらに、上配線以外をメタルマ
スクで覆い、上配線14上にプラズマ溶射にて非蒸発型
ゲッタ18を50μm程度積層した。本実施例で使用し
た非蒸発型ゲッタの主成分は、Ti、Zr、V、Fe
etc.であるがこれに限定されるものではない。
(R-3) Further, a portion other than the upper wiring was covered with a metal mask, and a non-evaporable getter 18 was laminated on the upper wiring 14 by plasma spraying to a thickness of about 50 μm. The main components of the non-evaporable getter used in this embodiment are Ti, Zr, V, Fe
etc. However, the present invention is not limited to this.

【0069】以上の工程により、単純マトリクス配線し
た表面伝導型放出素子、非蒸発型ゲッタ等が形成された
リアプレートを作成した。
Through the above steps, a rear plate having a surface conduction type emission element, a non-evaporation type getter and the like formed with simple matrix wiring was prepared.

【0070】(R−4)リアプレートを真空装置内に入
れ真空排気し、圧力が0.1Pa以下になったら、容器
外端子Dox1 〜Doxm とDoy1 〜Doyn を通じ電子放出
素子に電圧を印加し、導電性薄膜15にフォーミング工
程を行った。
(R-4) Put the rear plate in a vacuum device and evacuate it. When the pressure becomes 0.1 Pa or less, a voltage is applied to the electron-emitting device through the outer terminals Dox1 to Doxm and Doy1 to Doyn. The forming step was performed on the conductive thin film 15.

【0071】(支持枠の作成) (W−1)支持枠9のフェースプレートと接触する側面
に支持枠とフェースプレートを接着するためのフリット
ガラス21(a)を印刷法にて形成。
(Preparation of Support Frame) (W-1) A frit glass 21 (a) for bonding the support frame and the face plate is formed on the side surface of the support frame 9 in contact with the face plate by a printing method.

【0072】(フェースプレートの作成) (F−1)青板ガラス基板1にSiO2 層、ITO膜を
スパッタ法で成膜し、蛍光体、黒色導電体を印刷法によ
り形成した。蛍光膜の内面側表面の平滑性処理を行い、
その後Alを真空蒸着法等を用いて堆積させメタルバッ
クを形成した。
(Formation of Face Plate) (F-1) An SiO 2 layer and an ITO film were formed on a blue glass substrate 1 by a sputtering method, and a phosphor and a black conductor were formed by a printing method. Perform the smoothness treatment of the inner surface of the fluorescent film,
Thereafter, Al was deposited using a vacuum deposition method or the like to form a metal back.

【0073】(F−2)フェースプレート上に開けた排
気用の貫通穴に排気管を固着させるためのフリットガラ
ス21(c)を印刷法にて形成。
(F-2) A frit glass 21 (c) for fixing an exhaust pipe in a through hole for exhaust formed in the face plate is formed by a printing method.

【0074】(支持枠、フェースプレート及び排気管の
接着) (WFH−1)支持枠9、フェースプレート1、排気管
7,7′を固定治具(不図示)にアライメント固定す
る。この時フリットガラス21(a)は支持枠9とフェ
ースプレート間になるようにセットする。
(Adhesion of Support Frame, Face Plate, and Exhaust Pipe) (WFH-1) The support frame 9, the face plate 1, and the exhaust pipes 7, 7 'are aligned and fixed to a fixing jig (not shown). At this time, the frit glass 21 (a) is set so as to be between the support frame 9 and the face plate.

【0075】(WFH−2)これを電気炉に入れ、45
0℃まで毎分20℃で昇温し、封着温度450℃で10
分間保持し、その後毎分20℃で室温まで降温した。
(WFH-2) This was put into an electric furnace, and
The temperature was raised to 0 ° C at 20 ° C per minute,
Then, the temperature was lowered to room temperature at 20 ° C./min.

【0076】(WFH−3)リアプレートと接触する側
に、シートフリット21(b)を直接加熱するための通
電加熱用の金属箔28を電流導入端子部分を除き、円周
に配置する。
(WFH-3) On the side in contact with the rear plate, a metal foil 28 for electric heating for directly heating the sheet frit 21 (b) is arranged around the circumference except for the current introduction terminal portion.

【0077】(WFH−4)次にこの金属箔28上に金
属箔を覆うように、リアプレートと封着するためのフリ
ットガラス21(b)を印刷法にて形成。
(WFH-4) Next, frit glass 21 (b) for sealing with the rear plate is formed on the metal foil 28 by a printing method so as to cover the metal foil.

【0078】以上の工程により、蛍光体を持つフェース
プレートと支持枠及び排気管が一体となった。
Through the above steps, the face plate having the phosphor, the support frame, and the exhaust pipe are integrated.

【0079】(リアプレートと支持枠/フェースプレー
ト/排気管一体物の封着による気密容器作成)図6を参
照しながら、非蒸発型ゲッタ部18を封着温度未満に制
御するガスフロー封着工程を説明する。
(Preparation of Airtight Container by Sealing Integrated Rear Plate and Supporting Frame / Face Plate / Exhaust Pipe) Referring to FIG. 6, gas flow sealing for controlling the non-evaporable getter section 18 to a temperature lower than the sealing temperature. The steps will be described.

【0080】(FR−1)リアプレートをX、Y、θの
調整ステージ(不図示)上のホットプレート上22に保
持し、一体物(支持枠/フェースプレート/排気管)を
ホットプレート22′に保持する。
(FR-1) The rear plate is held on a hot plate 22 on an X, Y, θ adjustment stage (not shown), and an integrated object (support frame / face plate / exhaust pipe) is placed on a hot plate 22 ′. To hold.

【0081】排気管にガスフロー系を接続する。本実施
例では、導入ガスとしてAr/2%H2 ガスを使用し
た。ガスフロー系には、導入系に導入ガスを加熱制御す
るヒータ25及びマスフローコントローラ26にて流量
を制御するものを配置した。マスフローメータ27に
て、ガスフロー状態をモニターする。この時、リアプレ
ートと一体物(支持枠/フェースプレート/排気管)の
位置合わせをX、Y、θの調整ステージにて行い、支持
枠とリアプレートを接触させ加圧する。
The gas flow system is connected to the exhaust pipe. In this embodiment, Ar / 2% H2 gas was used as the introduced gas. In the gas flow system, a heater 25 for heating and controlling the gas introduced into the introduction system and a device for controlling the flow rate by the mass flow controller 26 are arranged. The gas flow state is monitored by the mass flow meter 27. At this time, the alignment between the rear plate and the integrated object (support frame / face plate / exhaust pipe) is performed on the X, Y, and θ adjustment stages, and the support frame and the rear plate are brought into contact with each other and pressurized.

【0082】(FR−2)画像表示装置内へAr/2%
H2 ガスの流量が5slmになるようにマスフローコン
トローラ26にて制御し、一体物及びリアプレートをア
シスト温度300℃迄ステージ上のホットプレート22
及び22′にて毎分20℃で加熱した。この時、ホット
プレートの加熱と同時にフローガスをヒータ25にてホ
ットプレートの温度と同期加熱し、300℃迄制御し
た。
(FR-2) Ar / 2% into the image display device
The mass flow controller 26 controls the flow rate of the H2 gas to 5 slm, and the unit and the rear plate are heated to an assist temperature of 300 ° C. by a hot plate 22 on the stage.
And at 22 'at 20 ° C per minute. At this time, the flow gas was heated by the heater 25 in synchronization with the temperature of the hot plate simultaneously with the heating of the hot plate, and was controlled to 300 ° C.

【0083】(FR−3)画像表示装置が300℃に加
熱制御された後、通電加熱用配線28の電流導入端子部
(不図示)から通電し、フリットガラス21(b)を4
50℃まで局所加熱させた。本実施例ではフリットガラ
スによる封着温度は450℃のフリットガラスを用い
た。
(FR-3) After the image display device is controlled to be heated to 300 ° C., an electric current is supplied from a current introducing terminal portion (not shown) of the electric heating wire 28 so that the frit glass 21 (b) is turned on.
It was locally heated to 50 ° C. In this embodiment, frit glass having a sealing temperature of 450 ° C. using frit glass was used.

【0084】(FR−4)フリットガラス21(b)を
溶融させた後、徐々に降温し410℃で10分ホールド
し歪み除去工程をした。その後、通電加熱用ヒータへの
投入電力を0まで下げた。その後ホットプレートの温度
を毎分20℃で室温まで下げた。この時、導入ガスの温
度も同期させて降温した。
(FR-4) After the frit glass 21 (b) was melted, the temperature was gradually lowered and held at 410 ° C. for 10 minutes to perform a distortion removing step. Thereafter, the electric power supplied to the heater for energization heating was reduced to zero. Thereafter, the temperature of the hot plate was lowered to room temperature at 20 ° C. per minute. At this time, the temperature of the introduced gas was also lowered synchronously.

【0085】(FR−5)画像表示装置が室温になった
段階で、導入ガスフローを停止した。
(FR-5) When the temperature of the image display device reached room temperature, the flow of the introduced gas was stopped.

【0086】以上により、非蒸発型ゲッタ具備領域が従
来より低温の加熱で画像表示装置が封着された。
As described above, the image display device was sealed in the non-evaporable getter-provided area by heating at a lower temperature than before.

【0087】(真空プロセスによる電子放出素子の作
成) (S−1)まず、ガスフロー封着で使用した排気管7′
の一部を加熱溶融し、封止した。排気管7を真空排気装
置(不図示)に接続し、画像表示装置内を真空に排気す
る。
(Preparation of Electron Emitting Element by Vacuum Process) (S-1) First, the exhaust pipe 7 'used for gas flow sealing.
Was heated and melted and sealed. The exhaust pipe 7 is connected to a vacuum exhaust device (not shown), and the inside of the image display device is exhausted to a vacuum.

【0088】(S−2)続いて、画像表示装置内の圧力
が1×10-3Pa以下になったら、活性化ガスとしてア
セトンを排気管7を通して気密容器内に1Pa導入し、
容器外端子Dox1 〜Doxm とDoy1 〜Doyn を通じ電子
放出素子に電圧を印加し活性化処理を行った。
(S-2) Subsequently, when the pressure in the image display device becomes 1 × 10 −3 Pa or less, acetone as an activating gas is introduced into the airtight container through the exhaust pipe 7 at 1 Pa.
A voltage was applied to the electron-emitting device through the external terminals Dox1 to Doxm and Doy1 to Doyn to perform an activation process.

【0089】(画像表示装置内の脱ガス工程) (D−1)活性化ガスを十分に排気した後、次に、画像
表示装置のベーキング脱ガス処理を行う。ベーキング温
度は350℃とした。昇温速度は毎分2℃とした。
(Degassing Step in Image Display Apparatus) (D-1) After sufficiently activating the activation gas, baking degassing processing of the image display apparatus is performed. The baking temperature was 350 ° C. The heating rate was 2 ° C. per minute.

【0090】(D−2)画像表示装置の温度が350℃
に10時間保持した。この真空ベーキング工程は、画像
表示装置内の脱ガス処理のみならず、非蒸発型ゲッタの
活性化処理も兼ねている。その後、室温まで降温し、B
a蒸発型ゲッタ16を画像表示装置外部から高周波加熱
によりフラッシュさせ、Ba蒸着膜を形成した。
(D-2) The temperature of the image display device is 350 ° C.
For 10 hours. This vacuum baking step serves not only for degassing in the image display device but also for activating the non-evaporable getter. Then, the temperature is lowered to room temperature, and B
The evaporable getter 16 was flashed by high-frequency heating from outside the image display device to form a Ba deposited film.

【0091】(D−3)その後、排気管7の一部を溶融
加熱し、封止した。
(D-3) Thereafter, a part of the exhaust pipe 7 was melted and heated and sealed.

【0092】[比較例2]実施例2で作成した画像表示
装置の効果を確認するため、比較例1での使用フリット
ガラスを封着温度450℃タイプに変更し、それに対応
し(リアプレートと支持枠/フェースプレート/排気管
一体物の封着による気密容器作成)工程において、ホッ
トプレートによる画像表示装置全体を封着温度450℃
迄制御封着する工程に変更し、画像形成装置を形成し
た。
Comparative Example 2 In order to confirm the effect of the image display device produced in Example 2, the frit glass used in Comparative Example 1 was changed to a sealing temperature of 450 ° C. In the step of producing an airtight container by sealing the support frame / face plate / exhaust pipe integrated body), the entire image display apparatus is sealed with a hot plate at a sealing temperature of 450 ° C.
The process was changed to the process of controlling and sealing until the image forming apparatus was formed.

【0093】以上のように、画像表示装置内の非蒸発型
ゲッタ部を封着温度よりも低温で封着工程を実施して
も、真空ベーキング等の高温プロセスを経てクラック等
が発せず、問題無く真空気密を保つことが確認された。
さらに、長時間の駆動に対して、画像表示中央部での電
子放出素子の電子放出の経時変化を測定した。駆動条件
は実施例2及び比較例2は全く同一条件とした。電子源
の長駆動条件は、Dox1〜Doxm にDCで+7.5V、
Doy1 〜Doyn に電圧−7Vパルス幅30μS、周波数
60Hzでスクロールで全画面駆動し、100時間後、
500時間後、1000時間後、2000時間後にそれ
ぞれ、全面スクロールを停止し画像表示中央部10×1
0素子のみ1分間駆動し、電子放出量を測定した。この
時、フェースプレートの加速電圧は8kVである。測定
結果を図7に示す。横軸に駆動時間、縦軸に画像表示装
置中央部10×10素子の電子放出量の平均値を初期値
で規格化した値を示している。なお、実施例2及び比較
例2の初期の平均電子放出量の絶対値の差は見られなか
った。図7より、本実施例で作成された画像表示装置
は、長時間電子源の劣化が少なく安定に動作させること
が出来ることが解った。安定に動作することが可能にな
ったのは、画像表示中央部での真空度が改善されたため
である。それは、非蒸発型ゲッタを封着工程で劣化させ
ること無く真空ベーキング工程で活性化できたためであ
る。また、本実施例では、真空ベーキングが高温である
ためより非蒸発型ゲッタの活性化が良好であったと思わ
れる。
As described above, even if the non-evaporable getter portion in the image display device is subjected to the sealing step at a temperature lower than the sealing temperature, cracks and the like do not occur through a high-temperature process such as vacuum baking. It was confirmed that there was no vacuum tightness.
Further, with respect to driving for a long time, a change with time of electron emission of the electron-emitting device at the central portion of the image display was measured. The driving conditions of Example 2 and Comparative Example 2 were exactly the same. The long drive conditions of the electron source are as follows: Dox1 to Doxm + 7.5V DC,
Doy1 to Doyn are driven with a voltage of -7 V, a pulse width of 30 μS, a frequency of 60 Hz, and the whole screen is driven by scrolling. After 100 hours,
After 500 hours, 1000 hours, and 2,000 hours, the entire scrolling is stopped and the image display central portion 10 × 1
Only the 0 element was driven for 1 minute, and the amount of electron emission was measured. At this time, the acceleration voltage of the face plate is 8 kV. FIG. 7 shows the measurement results. The abscissa indicates the drive time, and the ordinate indicates the value obtained by standardizing the average value of the electron emission amount of the 10 × 10 elements in the central portion of the image display device by the initial value. It should be noted that there was no difference between the absolute values of the initial average electron emission amounts of Example 2 and Comparative Example 2. From FIG. 7, it was found that the image display device manufactured in this example can be operated stably with little deterioration of the electron source for a long time. The reason why it is possible to operate stably is that the degree of vacuum at the center of the image display has been improved. This is because the non-evaporable getter could be activated in the vacuum baking step without deteriorating in the sealing step. In this example, it is considered that the activation of the non-evaporable getter was better because the vacuum baking was at a high temperature.

【0094】[実施例3]本発明の第3の実施例におい
て、図8に示す構成の画像形成装置を作成した。本実施
例では、冷陰極電子放出素子である電界放出素子を電子
放出素子として、複数個リアプレートに形成し、さらに
軽量化を図るために大気圧支持部材としてスペーサ10
8を設置した。フェースプレートには、蛍光体部102
を設置し、有効表示エリアを対角10インチとする縦と
横の比が3:4のカラー画像形成装置を作成した。ま
ず、本発明の画像表示装置の封着方法を図9を用いて説
明する。図8(及び図9)において、103はリアプレ
ート、101はフェースプレート、105は陰極、10
6はゲート電極、107はゲート/陰極間の絶縁層、1
09は非蒸発型ゲッタである。図9においては、110
は、フェースプレート101と支持枠104を接着する
ためのフリットガラスであり、110’は、同様にリア
プレート103と支持枠104を接着するためのフリッ
トガラス110′である。なお、フェースプレート10
1、リアプレート103間の間隙は1.5mmである。
112は非蒸発型ゲッタである。本実施例では、非蒸発
型ゲッタはZr、V及びFeから構成されているものを
使用したが、Tiを主成分とするものでもよく特にこれ
に限定するものではない。
Embodiment 3 In the third embodiment of the present invention, an image forming apparatus having the structure shown in FIG. 8 was prepared. In this embodiment, a plurality of field emission devices, which are cold cathode electron emission devices, are formed on the rear plate as electron emission devices, and spacers 10 are used as atmospheric pressure support members to further reduce the weight.
8 were installed. The phosphor plate 102 is provided on the face plate.
And a color image forming apparatus having an effective display area of 10 inches diagonally and a length to width ratio of 3: 4 was prepared. First, a sealing method of the image display device of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 8 (and FIG. 9), 103 is a rear plate, 101 is a face plate, 105 is a cathode,
6 is a gate electrode, 107 is an insulating layer between the gate and the cathode, 1
09 is a non-evaporable getter. In FIG. 9, 110
Is a frit glass for bonding the face plate 101 and the support frame 104, and 110 'is a frit glass 110' for bonding the rear plate 103 and the support frame 104 similarly. The face plate 10
1. The gap between the rear plates 103 is 1.5 mm.
Reference numeral 112 denotes a non-evaporable getter. In this embodiment, the non-evaporable getter is composed of Zr, V and Fe. However, the non-evaporable getter may be mainly composed of Ti and is not particularly limited thereto.

【0095】次に、図8及び図9を用いて本発明の画像
表示装置の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the image display device of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0096】(リアプレートの作成) (R−1)青板ガラスを洗浄し、公知の方法によって、
図8に示す陰極(エミッタ)105、ゲート電極10
6、配線等を作成した。なお、陰極材料はMoとした。
(Preparation of Rear Plate) (R-1) The blue plate glass was washed, and
The cathode (emitter) 105 and the gate electrode 10 shown in FIG.
6. Wiring and the like were created. The cathode material was Mo.

【0097】(R−2)ゲート電極106上に非蒸発型
ゲッタ109をプラズマ溶射法にて膜厚50μm形成し
た。
(R-2) A non-evaporable getter 109 having a thickness of 50 μm was formed on the gate electrode 106 by plasma spraying.

【0098】(R−3)非蒸発型ゲッタ109及びスペ
ーサ108をリアプレート上に位置合わせを行った後無
機系接着剤で固定した。
(R-3) After the non-evaporable getter 109 and the spacer 108 were positioned on the rear plate, they were fixed with an inorganic adhesive.

【0099】以上の工程により、単純マトリクス配線し
た電界放出型放出素子、非蒸発型ゲッタ、スペーサ等が
形成されたリアプレートを作成した。
Through the above steps, a rear plate on which a field emission type emission device, a non-evaporation type getter, a spacer, and the like formed by simple matrix wiring were formed.

【0100】(支持枠の作成) (W−1)支持枠104のフェースプレートと接触する
側面に(図9中では支持枠の上面)支持枠とフェースプ
レートを接着するためのフリットガラス110を印刷法
にて形成。
(Preparation of Support Frame) (W-1) A frit glass 110 for bonding the support frame and the face plate is printed on the side surface of the support frame 104 that contacts the face plate (the upper surface of the support frame in FIG. 9). Formed by method.

【0101】(W−2)支持枠104のリアプレートと
接触する側面に(図5中では支持枠の下面)支持枠とフ
ェースプレートを接着するためのフリットガラス11
0′をスクリーン印刷法にて形成。
(W-2) Frit glass 11 for bonding the support frame and the face plate to the side surface of the support frame 104 that contacts the rear plate (the lower surface of the support frame in FIG. 5).
0 'is formed by a screen printing method.

【0102】(フェースプレートの作成) (F−1)青板ガラスに蛍光体、黒色導電体を印刷法に
より形成した。蛍光膜の内面側表面の平滑性処理を行
い、その後Alを真空蒸着法等を用いて堆積させメタル
バックを形成した。
(Formation of Face Plate) (F-1) A phosphor and a black conductor were formed on a blue plate glass by a printing method. A smoothing treatment was performed on the inner surface of the fluorescent film, and then Al was deposited by using a vacuum evaporation method or the like to form a metal back.

【0103】(F−2)フェースプレートに排気管を接
着するためのフリットをスクリーン印刷法にて形成。
(F-2) A frit for bonding the exhaust pipe to the face plate is formed by a screen printing method.

【0104】(フェースプレートと排気管の接着) (WFH−1)フェースプレート101、排気管11
1,111′を固定治具(不図示)にアライメント固定
する。
(Adhesion of Faceplate and Exhaust Pipe) (WFH-1) Faceplate 101, Exhaust Pipe 11
1, 111 'is aligned and fixed to a fixing jig (not shown).

【0105】(WFH−2)これを電気炉に入れ、45
0℃まで毎分20℃で昇温し、封着温度450℃で10
分間保持し、その後毎分20℃で室温まで降温した。
(WFH-2) This was put in an electric furnace, and
The temperature was raised to 0 ° C at 20 ° C per minute,
Then, the temperature was lowered to room temperature at 20 ° C./min.

【0106】(リアプレート、支持枠及びフェースプレ
ート封着による気密容器作成)図9を参照しながら、非
蒸発型ゲッタ部109を封着温度未満に制御するガスフ
ロー封着工程を説明する。
(Preparation of Airtight Container by Sealing Rear Plate, Support Frame and Face Plate) A gas flow sealing step for controlling the non-evaporable getter section 109 to a temperature lower than the sealing temperature will be described with reference to FIG.

【0107】(FR−1)リアプレートをX、Y、θの
調整ステージ(不図示)上のホットプレート120′及
び121′上に保持し、リアプレート上に支持枠104
を配置する。排気管付属のフェースプレートを120,
121に保持する。ホットプレートは、上下ともアシス
ト加熱用120,120′と封着加熱用121,12
1′の2構成となっている。アシスト加熱用ヒータ12
0,120′は非蒸発型ゲッタ109の温度を制御し、
封着加熱用ヒータ121,121′はフリットガラス1
10,110′を溶融加熱するためのヒータである。
(FR-1) The rear plate is held on hot plates 120 'and 121' on an X, Y, and θ adjustment stage (not shown), and the support frame 104 is placed on the rear plate.
Place. The faceplate attached to the exhaust pipe is 120,
It is held at 121. The hot plate includes upper and lower 120 and 120 'for assist heating and 121 and 12 for sealing heating.
1 '. Heater for assist heating 12
0, 120 'controls the temperature of the non-evaporable getter 109,
Sealing heaters 121 and 121 'are made of frit glass 1
This is a heater for melting and heating 10,110 '.

【0108】排気管にガスフロー系を接続する。本実施
例では、導入ガスとしてArガスを使用した。ガスフロ
ー系には、導入系に導入ガスを加熱制御するヒータ25
及びマスフローコントローラ26にて流量を制御するも
のを配置した。マスフローメータ27にて、ガスフロー
状態をモニターする。この時、リアプレートとフェース
プレートの位置合わせをX、Y、θの調整ステージにて
行い、フェースプレートと支持枠とリアプレートを接触
させ加圧する。
The gas flow system is connected to the exhaust pipe. In this embodiment, Ar gas was used as the introduction gas. The gas flow system includes a heater 25 for controlling the heating of the gas introduced into the introduction system.
And a device for controlling the flow rate by the mass flow controller 26 are arranged. The gas flow state is monitored by the mass flow meter 27. At this time, the alignment between the rear plate and the face plate is performed on the X, Y, and θ adjustment stages, and the face plate, the support frame, and the rear plate are brought into contact with each other and pressurized.

【0109】(FR−2)画像表示装置内へArガスの
流量が2slmになるようにマスフローコントローラ2
6にて制御し、アシスト加熱として350℃迄ステージ
上のホットプレート120,120′にて毎分20℃で
加熱した。同時に、封着加熱用ヒータ121,121′
も同期させ350℃迄昇温した。この時、ホットプレー
トの加熱と同時にフローガスもヒータ25にてホットプ
レートの温度と同期加熱し、350℃迄制御した。
(FR-2) The mass flow controller 2 was introduced into the image display device so that the flow rate of Ar gas became 2 slm.
The heating was performed at 20 ° C./min on the hot plates 120 and 120 ′ on the stage up to 350 ° C. as assist heating. At the same time, the sealing heaters 121, 121 '
The temperature was also raised to 350 ° C. in synchronization. At this time, at the same time as the heating of the hot plate, the flow gas was also heated by the heater 25 in synchronization with the temperature of the hot plate, and was controlled to 350 ° C.

【0110】(FR−3)画像表示装置が350℃に加
熱制御された後、封着加熱用ヒータ121,121′に
てフリットガラス110,110′を封着温度450℃
迄昇温した。本実施例ではフリットガラスによる封着温
度は450℃のフリットガラスを用いた。
(FR-3) After the heating of the image display apparatus is controlled to 350 ° C., the frit glass 110, 110 ′ is sealed at 450 ° C. by the sealing heaters 121, 121 ′.
The temperature was raised to In this embodiment, frit glass having a sealing temperature of 450 ° C. using frit glass was used.

【0111】(FR−4)フリットガラス110,11
0′を溶融させた後、徐々に降温し410℃で10分ホ
ールドし歪み除去工程をした。その後、封着用ヒータを
アシストヒータと同一の温度迄降温した後、全ホットプ
レートの温度を毎分20℃で室温まで下げた。この時、
導入ガスの温度も同期させて降温した。
(FR-4) Frit glass 110, 11
After melting 0 ′, the temperature was gradually lowered and held at 410 ° C. for 10 minutes to perform a strain removing step. Thereafter, the temperature of the sealing heater was lowered to the same temperature as the assist heater, and then the temperature of all the hot plates was lowered to room temperature at 20 ° C./min. At this time,
The temperature of the introduced gas was also lowered synchronously.

【0112】(FR−5)画像表示装置が室温になった
段階で、導入ガスフローを停止した。
(FR-5) When the temperature of the image display device reached room temperature, the flow of the introduced gas was stopped.

【0113】以上により、非蒸発型ゲッタ具備領域が従
来より低温の加熱で画像表示装置が封着された。
As described above, the non-evaporable getter-provided area was sealed with the image display device by heating at a lower temperature than before.

【0114】(真空プロセス) (S−1)まず、ガスフロー封着で使用した排気管11
1′の一部を加熱溶融し、封止した。排気管111を真
空排気装置(不図示)に接続し、画像表示装置内を真空
に排気する。
(Vacuum Process) (S-1) First, the exhaust pipe 11 used for gas flow sealing is used.
A portion of 1 'was melted by heating and sealed. The exhaust pipe 111 is connected to a vacuum exhaust device (not shown), and the inside of the image display device is exhausted to a vacuum.

【0115】(画像表示装置内の脱ガス工程) (D−1)気密容器内の圧力が1×10-4Pa以下にな
ったら、非蒸発型ゲッタ112を外部の高周波加熱装置
にて加熱し、非蒸発型ゲッタの脱ガス処理及び活性化を
行う。非蒸発型ゲッタの活性化温度は非蒸発型ゲッタに
よって決定されるが本実施例では、500℃、5分間通
電加熱処理を行った。
(Degassing Step in Image Display Apparatus) (D-1) When the pressure in the hermetic container becomes 1 × 10 −4 Pa or less, the non-evaporable getter 112 is heated by an external high-frequency heating device. Degassing and activation of the non-evaporable getter. The activation temperature of the non-evaporable getter is determined by the non-evaporable getter. In the present embodiment, the heating treatment is performed at 500 ° C. for 5 minutes.

【0116】(D−2)次に、気密容器のベーキング脱
ガス処理行う。ベーキング温度は350℃とした。昇温
速度は毎分2℃とした。
(D-2) Next, baking and degassing of the airtight container is performed. The baking temperature was 350 ° C. The heating rate was 2 ° C. per minute.

【0117】(D−3)気密容器の温度が350℃に1
0時間保持された段階で、排気管110の一部を加熱溶
融して、封止を行った。
(D-3) When the temperature of the airtight container is 1
At the stage of holding for 0 hours, a part of the exhaust pipe 110 was heated and melted to seal.

【0118】(D−4)封止終了後、気密容器を毎分2
℃で降温し、室温まで冷却する。
(D-4) After the sealing is completed, the airtight container is set at 2 / min.
Cool at ℃ and cool to room temperature.

【0119】[比較例3]実施例3で作成した画像表示
装置の効果を確認するため、実施例3と同一の構成、工
程にて、(リアプレート、支持枠及びフェースプレート
封着による気密容器作成)アシストヒータと封着用ヒー
タにより、画像表示装置全体を封着温度450℃迄制御
封着する工程に変更し、画像形成装置を形成した。
[Comparative Example 3] In order to confirm the effect of the image display device produced in Example 3, the same structure and steps as those in Example 3 were carried out (the airtight container by sealing the rear plate, the support frame and the face plate). Preparation) An image forming apparatus was formed by changing the process of controlling and sealing the entire image display apparatus to a sealing temperature of 450 ° C. using an assist heater and a sealing heater.

【0120】以上のように、画像表示装置内の非蒸発型
ゲッタ部を封着温度よりも低温で封着工程を実施して
も、真空ベーキング等の高温プロセスを経てもクラック
等が発せず、問題無く真空気密を保つことが確認され
た。また、電子源の初期駆動100時間の放電回数を測
定した。駆動条件は実施例3及び比較例3は全く同一条
件とした。ゲート電圧を+120Vとし、メタルバック
の加速電圧を500Vとした。
As described above, even if the non-evaporable getter portion in the image display device is subjected to the sealing step at a temperature lower than the sealing temperature, no crack or the like is generated even after passing through a high temperature process such as vacuum baking. It was confirmed that vacuum tightness was maintained without any problem. In addition, the number of discharges for 100 hours of the initial driving of the electron source was measured. The driving conditions were the same for Example 3 and Comparative Example 3. The gate voltage was set to +120 V, and the acceleration voltage of the metal back was set to 500 V.

【0121】[0121]

【表1】 表1より、本実施例で作成された画像表示装置は、放電
が少なく安定に動作させることが出来ることが解った。
安定に動作することが可能になったのは、非蒸発型ゲッ
タを封着工程で劣化させること無く真空ベーキング工程
で活性化でき、駆動時の放出ガスを除去できたため放電
回数が減少したものと思われる。
[Table 1] From Table 1, it was found that the image display device manufactured in this example can be stably operated with little discharge.
The reason for the stable operation is that the non-evaporable getter can be activated in the vacuum baking process without deteriorating in the sealing process, and the number of discharges has been reduced because the gas released during driving was removed. Seem.

【0122】[0122]

【発明の効果】本発明の画像表示装置の封着方法によれ
ば、非蒸発型ゲッタの封着時のダメージを抑制すること
が可能となる。これによって、後の吸着特性を得るため
のゲッタ活性化条件が易しくなり、通常の真空ベーキン
グ工程でゲッタ活性化を行うことができる。それによ
り、冷陰極電子源の劣化を抑えかつ蛍光体の劣化をも防
ぐことが可能である。まて、ガスが起因する放電も抑制
し、電子源の放電による破壊も防ぐことが可能である。
それによって、長時間の駆動による輝度の劣化が押さえ
られ、安定した画像表示装置を提供できる。
According to the method of sealing an image display device of the present invention, it is possible to suppress damage at the time of sealing a non-evaporable getter. This facilitates the getter activation conditions for obtaining the subsequent adsorption characteristics, and the getter activation can be performed in a normal vacuum baking process. Thereby, it is possible to suppress the deterioration of the cold cathode electron source and also prevent the deterioration of the phosphor. In addition, it is possible to suppress the discharge caused by the gas and prevent the electron source from being damaged by the discharge.
As a result, deterioration in luminance due to long-time driving can be suppressed, and a stable image display device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施例の画像表示装置の封着方法を示す図で
ある。
FIG. 1 is a diagram illustrating a sealing method of an image display device according to an embodiment.

【図2】本実施例に用いた画像表示装置の斜視図であ
る。
FIG. 2 is a perspective view of the image display device used in the present embodiment.

【図3】表面伝導型電子放出素子の構成を示す模式図で
ある。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration of a surface conduction electron-emitting device.

【図4】実施例1及び比較例1の輝度の経時変化を示す
図である。
FIG. 4 is a diagram showing a change over time in luminance of Example 1 and Comparative Example 1.

【図5】実施例1及び比較例1の画像表示装置の圧力を
示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing pressures of the image display devices of Example 1 and Comparative Example 1.

【図6】本実施例2の画像表示装置の封着方法を示す図
である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a sealing method of the image display device according to the second embodiment.

【図7】実施例2及び比較例2の平均電子放出量の経時
変化を示す図である。
FIG. 7 is a graph showing the change over time in the average electron emission amount in Example 2 and Comparative Example 2.

【図8】電界放出型電子放出素子の構成を示す模式図で
ある。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of a field emission type electron emission element.

【図9】本実施例3の画像表示装置の封着方法を示す図
である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a sealing method of the image display device according to the third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,101 フェースプレート 7,7′,111,111′ 排気管 8,103 リアプレート 9,104 外枠 21(a),21(b),110,110′ フリット
ガラス 16 蒸発型ゲッタ 112 リング型非蒸発型ゲッタ 19 表面伝導型放出素子 12 列方向配線(下配線) 13 下配線と上配線との絶縁層 14 行方向配線(上配線) 102 蛍光体(メタルバック) 11(a),11(b) 素子電極 15 導電性薄膜 20 電子放出部 105 陰極 106 ゲート電極 107 ゲート/陰極間絶縁層 108 スペーサ 18,109 非蒸発型ゲッタ 19,22′,120,120′ アシスト加熱用ホッ
トプレート 23 レーザ光源 24 レーザ光 25 導入ガス用ヒータ 26 マスフローコントローラ 27 マスフローメータ 28 フリット局所加熱用金属箔ヒータ 121,121′ フリット間接加熱用ホットプレート
1,101 Face plate 7,7 ', 111,111' Exhaust pipe 8,103 Rear plate 9,104 Outer frame 21 (a), 21 (b), 110,110 'Frit glass 16 Evaporation type getter 112 Ring type non- Evaporation type getter 19 Surface conduction type emission element 12 Column direction wiring (lower wiring) 13 Insulation layer between lower wiring and upper wiring 14 Row direction wiring (upper wiring) 102 Phosphor (metal back) 11 (a), 11 (b) ) Device electrode 15 Conductive thin film 20 Electron emission section 105 Cathode 106 Gate electrode 107 Gate / cathode insulating layer 108 Spacer 18, 109 Non-evaporable getter 19, 22 ', 120, 120' Assist heating hot plate 23 Laser light source 24 Laser light 25 Inlet gas heater 26 Mass flow controller 27 Mass flow meter 28 Frit Heating metal foil heater 121 and 121 'frit indirect heating for hot plate place

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 気密容器内に、電子源と、該電子源から
放出される電子により画像を形成する画像形成部材と、
非蒸発型ゲッタとを具備し、該気密容器の各構成部材の
接合が熱溶融性シール材により接合されて成る画像形成
装置の封着方法において、 前記画像形成装置内の非蒸発型ゲッタ具備領域の少なく
とも一部もしくは全領域を封着温度未満の温度に制御
し、かつ不活性ガス、窒素ガス、水素ガスの内から選ば
れる少なくとも一種のガスを含むガスを画像形成装置内
に流入し、前記シール材を封着温度に加熱溶融し封着す
ることを特徴とする画像形成装置の封着方法。
1. An electron source in an airtight container, and an image forming member for forming an image by electrons emitted from the electron source,
A non-evaporable getter, wherein the components of the hermetic container are joined by a hot-melt sealing material. Controlling at least a part or the entire region to a temperature lower than the sealing temperature, and flowing into the image forming apparatus a gas containing at least one gas selected from an inert gas, a nitrogen gas, and a hydrogen gas, A sealing method for an image forming apparatus, wherein a sealing material is heated and melted to a sealing temperature and sealed.
【請求項2】 少なくとも蛍光体励起手段である電子放
出素子を配置されたリアプレート、および前記蛍光体励
起手段により発光する蛍光体が配置されたフェースプレ
ートから構成される画像形成装置内に非蒸発型ゲッタを
具備し、前記リアプレートと前記フェースプレートとの
接合が支持体およびシール材を介して接合されてなる画
像形成装置の封着方法において、 画像形成装置内の非蒸発型ゲッタ具備領域の少なくとも
一部もしくは全領域を封着温度未満の温度に制御し、か
つ不活性ガス、窒素ガス、水素ガスの内から選ばれる少
なくとも一種のガスを含むガスを画像形成装置内に流入
し、前記シール材を封着温度に加熱溶融し封着すること
を特徴とする画像形成装置の封着方法。
2. An image forming apparatus comprising at least a rear plate on which an electron-emitting device serving as a phosphor excitation means is disposed and a face plate on which a phosphor emitting light by the phosphor excitation means is disposed. A mold getter, wherein the rear plate and the face plate are joined to each other through a support and a sealant. At least a part or the whole area is controlled to a temperature lower than the sealing temperature, and a gas containing at least one gas selected from an inert gas, a nitrogen gas, and a hydrogen gas flows into the image forming apparatus, and the sealing is performed. A sealing method for an image forming apparatus, wherein a material is heated and melted to a sealing temperature and sealed.
【請求項3】 前記シール材が、フリットガラスである
ことを特徴とする請求項1または2記載の画像形成装置
の封着方法。
3. The sealing method for an image forming apparatus according to claim 1, wherein the sealing material is frit glass.
【請求項4】 前記シール材を封着温度まで加熱溶融す
る手段が、光学的手段による直接加熱であることを特徴
とする請求項1又は2記載の画像形成装置の封着方法。
4. The sealing method for an image forming apparatus according to claim 1, wherein the means for heating and melting the sealing material to a sealing temperature is direct heating by an optical means.
【請求項5】 前記シール材を封着温度まで加熱溶融す
る手段が、シール材に直接隣接して配置した金属箔もし
くは金属膜に通電加熱する直接加熱であることを特徴と
する請求項1又は2記載の画像形成装置の封着方法。
5. The method according to claim 1, wherein the means for heating and melting the sealing material to a sealing temperature is direct heating for energizing and heating a metal foil or a metal film disposed directly adjacent to the sealing material. 3. The method for sealing an image forming apparatus according to item 2.
【請求項6】 前記シール材を封着温度まで加熱溶融す
る手段が、支持体あるいはフェースプレートもしくはリ
アプレートを介しての間接加熱であることを特徴とする
請求項1又は2記載の画像形成装置の封着方法。
6. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the means for heating and melting the sealing material to the sealing temperature is indirect heating via a support, a face plate, or a rear plate. Sealing method.
【請求項7】 前記電子放出素子が、表面伝導型電子放
出素子もしくは電界放出型電子放出素子であることを特
徴とする請求項1又は2記載の画像形成装置の封着方
法。
7. The method according to claim 1, wherein the electron-emitting device is a surface conduction electron-emitting device or a field emission electron-emitting device.
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