JP2000223051A - Manufacture of image forming device - Google Patents

Manufacture of image forming device

Info

Publication number
JP2000223051A
JP2000223051A JP11024248A JP2424899A JP2000223051A JP 2000223051 A JP2000223051 A JP 2000223051A JP 11024248 A JP11024248 A JP 11024248A JP 2424899 A JP2424899 A JP 2424899A JP 2000223051 A JP2000223051 A JP 2000223051A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
airtight container
image forming
getter
cover
evaporable getter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11024248A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisanori Tsuda
尚徳 津田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP11024248A priority Critical patent/JP2000223051A/en
Publication of JP2000223051A publication Critical patent/JP2000223051A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an image forming device with no crack generated during getter-heating and with high yield. SOLUTION: In this method for manufacturing an image forming device provided with an electron emitting device, an image forming member, an exhaust pipe, a nonevaporation-type getter or/and a evaporation-type getter, when a getter 1 is activated, a cover 4 for blocking an airtight container 7 from outside air is disposed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子を用
いた画像形成装置の製造方法に関し、特に、気密容器の
ゲッタ処理工程に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an image forming apparatus using an electron-emitting device, and more particularly to a gettering process for an airtight container.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、電子放出素子としては大別し
て熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子を用いた2種類
のものが知られている。冷陰極電子放出素子には電界放
出型(以下、「FE型」という。)、金属/絶縁層/金
属型(以下、「MIM型」という。)や表面伝導型電子
放出素子等がある。FE型の例としてはW.P.Dyk
e & W.W.Dolan,“Field emis
sion”,Advance in Electoro
n Physics,8,89(1956)あるいは
C.A.Spindt,“PHYSICAL Prop
erties ofthin−film field
emission cathodes with mo
lybdenium cones”,J.Appl.P
hys.,47,5248(1976)等に開示された
ものが知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, two types of electron-emitting devices using a thermionic electron-emitting device and a cold-cathode electron-emitting device have been known. The cold cathode electron emitting device includes a field emission type (hereinafter, referred to as “FE type”), a metal / insulating layer / metal type (hereinafter, referred to as “MIM type”), a surface conduction type electron emitting device, and the like. As an example of the FE type, W. P. Dyk
e & W. W. Dolan, "Field emis
Ssion ", Advance in Electroro
n Physics, 8, 89 (1956) or C.I. A. Spindt, “PHYSICAL Prop
arts ofthin-film field
emission cathodes with mo
lybdenium cones ", J. Appl. P
hys. , 47, 5248 (1976).

【0003】MIM型の例としてはC.A.Mead,
“Operation of Tunnel−Emis
sion Devices”,J.Apply.Phy
s.,32,646(1961)等に開示されたものが
知られている。
As an example of the MIM type, C.I. A. Mead,
“Operation of Tunnel-Emis
site Devices, ”J. Apply. Phys.
s. , 32, 646 (1961).

【0004】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
M.I.Elinson,Recio Eng.Ele
ctron Phys.,10,1290(1965)
等に開示されたものがある。
Examples of the surface conduction electron-emitting device type include:
M. I. Elinson, Recio Eng. Ele
ctron Phys. , 10, 1290 (1965)
And the like.

【0005】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より、電子放出が生ずる現象を利用するものである。こ
の表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等
によりSnO2薄膜を用いたもの、Au薄膜によるもの
[G.Dittmer:“Thin Solid Fi
lms”,9,317(1972)],In23/Sn
2薄膜によるもの[M.Hartwell and
C.G.Fonstad:“IEEE Trans.E
D Conf.”519(1975)]、カーボン薄膜
によるもの[荒木久 他:真空、第26巻、第1号、2
2頁(1983)]等が報告されている。
[0005] The surface conduction electron-emitting device utilizes a phenomenon in which an electron is emitted when a current flows in a small-area thin film formed on a substrate in parallel with the film surface. Examples of the surface conduction electron-emitting device include a device using a SnO 2 thin film by Elinson et al. And a device using an Au thin film [G. Dittmer: “Thin Solid Fi
lms ", 9,317 (1972)] , In 2 O 3 / Sn
O 2 due to the thin film [M. Hartwell and
C. G. FIG. Fonstad: "IEEE Trans. E
D Conf. "519 (1975)], using a carbon thin film [Hisashi Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, 2
2 (1983)].

【0006】これら冷陰極電子放出素子から発生した電
子ビームにより蛍光体を発光させるフラットパネルの表
示装置の開発が行われている。
[0006] A flat panel display device which emits a phosphor by an electron beam generated from these cold cathode electron-emitting devices has been developed.

【0007】前記表示装置は、冷陰極電子放出素子を安
定に長時間動作させるために、超高真空を必要とするた
め、複数の電子放出素子を有する基板とこれに対向する
位置に蛍光体を有する基板を枠を挟んで後述する方法で
封着し、真空機密容器を形成したものである。
The display device requires an ultra-high vacuum in order to stably operate the cold cathode electron-emitting device for a long time. Therefore, a substrate having a plurality of electron-emitting devices and a phosphor at a position facing the substrate are provided. The substrate is sealed by a method described later with a frame interposed therebetween to form a vacuum confidential container.

【0008】実際に、前述したように電子放出素子を気
密容器内に作成し、画像形成装置として維持するために
は、気密容器内を気密容器に接続されている排気管によ
って、真空装置によって、真空に排気し、気密容器内の
電子源を形成する手段あるいは活性化処理を施した後、
気密容器を300℃〜350℃の高温に数時間以上保持
するベーキング工程により、気密容器内の脱ガス処理を
十分に行った後、前記気密容器を室温迄降温した後、気
密容器内の画像表示領域外に配置されたBaを主成分と
する蒸発型ゲッタを高周波あるいは通電加熱することに
より、Ba材を蒸発させゲッタ膜を形成(以下ゲッタフ
ラッシュと呼ぶ)し、その後、排気管を加熱溶融するこ
とにより封止し、排気装置と分離する。気密容器内の真
空は、ゲッタ膜により維持されている。また、非蒸発型
ゲッタを用いることにより、封止後の気密容器の排気装
置として働かせることが出来るため、駆動時の放出ガス
等を吸着排気し、気密容器内の真空を維持させることが
できる。
In fact, as described above, in order to form an electron-emitting device in an airtight container and maintain it as an image forming apparatus, the inside of the airtight container is evacuated by an exhaust pipe connected to the airtight container by a vacuum device. After evacuating to a vacuum and applying means or activation to form an electron source in the airtight container,
After the degassing process in the hermetic container is sufficiently performed by a baking process of maintaining the hermetic container at a high temperature of 300 ° C. to 350 ° C. for several hours or more, the temperature of the hermetic container is lowered to room temperature, and then the image display in the hermetic container is performed. The evaporating getter containing Ba as a main component disposed outside the region is heated or heated at a high frequency to evaporate the Ba material to form a getter film (hereinafter referred to as getter flash), and then heat and melt the exhaust pipe. This seals and separates from the exhaust device. The vacuum in the airtight container is maintained by the getter film. In addition, by using the non-evaporable getter, it is possible to function as an exhaust device for the hermetically sealed container after sealing, so that the discharge gas and the like at the time of driving can be sucked and exhausted, and the vacuum in the hermetic container can be maintained.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
上記のような蒸発型ゲッタ又は非蒸発型ゲッタによる真
空を維持させるための真空プロセスには以下の問題点が
発生する。
However, conventionally,
The following problems occur in the vacuum process for maintaining the vacuum by the evaporable getter or the non-evaporable getter as described above.

【0010】蒸発型ゲッタとして例えばBaを蒸発させ
る場合、局部的に1000℃近い温度に加熱する必要が
有る。また、非蒸発型ゲッタを活性化する場合も、75
0〜900℃に加熱する必要が有る。
When evaporating Ba, for example, as an evaporable getter, it is necessary to locally heat it to a temperature close to 1000 ° C. Also, when activating the non-evaporable getter, 75%
It is necessary to heat to 0-900 ° C.

【0011】電界放出型電子源を利用した平板型画像表
示では、蒸発型ゲッタあるいは非蒸発型ゲッタを加熱す
る際の局部的な熱により、気密容器の一部に急激な温度
勾配を生じることが有る。特に気密容器のパネルを構成
するガラス板にストレスがかかりクラックが発生するこ
とが有った。特に排気管を接続するために穴を空けた部
分、あるいはガラス板に接着されたものが存在する部分
でクラックが発生することが多かった。
In a flat panel image display using a field emission type electron source, a local temperature when heating an evaporable getter or a non-evaporable getter may cause a rapid temperature gradient in a part of an airtight container. Yes. In particular, the glass plate constituting the panel of the airtight container was stressed, and cracks were sometimes generated. In particular, cracks often occurred at a portion where a hole was made to connect an exhaust pipe, or at a portion where an adhesive was attached to a glass plate.

【0012】前記ゲッタを活性化する際に、ゲッター部
は350℃から1200℃まで加熱することになる。そ
のために、気密容器を構成するガラス部材のように熱伝
導率の悪い材料に破損を導くような急激な温度差を生じ
ることが有る。たとえば、1mmあたり50℃以上の温
度差を生じ、かつ熱膨張が出来ないように固定化されて
いる場合、ガラスもしくは接着剤にクラックが発生する
ことが有る。また、ゲッタ部を加熱する際、気密容器の
外部に冷たい空気などが接すると、より大きな温度差を
発生させ、ガラスにクラックなどが発生することが有る
という問題がある。
When activating the getter, the getter is heated from 350 ° C. to 1200 ° C. For this reason, a sudden temperature difference may be caused to cause damage to a material having poor thermal conductivity, such as a glass member constituting an airtight container. For example, when a temperature difference of 50 ° C. or more per mm is generated and the fixing is performed so that thermal expansion cannot be performed, cracks may occur in the glass or the adhesive. Further, when the getter portion is heated, if cold air or the like comes into contact with the outside of the airtight container, there is a problem that a larger temperature difference is generated and a crack or the like may be generated in the glass.

【0013】[発明の目的]本発明の目的は、上記のよ
うなゲッタ加熱時にクラックを生じることがなく歩留ま
りの高い画像形成装置の製造方法を提供することにあ
る。
It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an image forming apparatus having a high yield without generating cracks when the getter is heated as described above.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、電子放出素子
と蛍光体(画像形成部材)と排気管と非蒸発型ゲッタ又
は/かつ非蒸発型ゲッタを有する気密容器を有する画像
形成装置の製造方法は、前記ゲッタを活性化する際に、
カバーを設置することを特徴とする。
According to the present invention, there is provided an image forming apparatus having an electron-emitting device, a phosphor (image forming member), an exhaust pipe, a non-evaporable getter and / or an airtight container having a non-evaporable getter. The method comprises activating the getter:
It is characterized by installing a cover.

【0015】また、本発明では、該ゲッタを透視可能な
窓を設置することを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that a window through which the getter can be seen is provided.

【0016】また、該気密容器接と該カバーが接しても
同様の効果が得られる。
The same effect can be obtained even when the cover comes into contact with the airtight container.

【0017】特に、該気密容器に接している該カバー
が、熱伝導率が1W/m/k以上の材料で形成されてい
ることを特徴とする。
In particular, the present invention is characterized in that the cover in contact with the airtight container is formed of a material having a thermal conductivity of 1 W / m / k or more.

【0018】さらには、複数のゲッタを同時に活性化さ
せることが、カバーを設置することにより可能になると
いう特徴を有する。
Further, the present invention has a feature that a plurality of getters can be simultaneously activated by providing a cover.

【0019】[作用]本発明の画像形成装置の製造方法
によれば、電子放出素子と蛍光体と排気管と非蒸発型ゲ
ッタ又は/かつ非蒸発型ゲッタを有する気密容器を有す
る画像形成装置の製造方法において、前記ゲッタを活性
化する際に、気密容器にカバーを設置することにより、
気密容器に外部の冷たい空気が直接接触することを防止
でき、気密容器の構成材料に1mmあたり、50℃以上
の温度差を生じることを防止できる。したがって、ガラ
ス、接着剤などを破損に導くような急激な温度差を生じ
ることなく、クラック等の発生を防止できる。
According to the method of manufacturing an image forming apparatus of the present invention, an image forming apparatus having an airtight container having an electron-emitting device, a phosphor, an exhaust pipe, and a non-evaporable getter or / and a non-evaporable getter is provided. In the manufacturing method, when activating the getter, by installing a cover in an airtight container,
It is possible to prevent external cold air from directly contacting the airtight container and prevent a temperature difference of 50 ° C. or more per 1 mm from the material of the airtight container. Therefore, the occurrence of cracks and the like can be prevented without causing a sharp temperature difference that may lead to breakage of the glass, the adhesive, and the like.

【0020】また、熱伝導率の良いカバーを気密容器に
接するように設置することにより、気密容器表面の温度
が上がっても速やかに熱が周りに拡散するため、急激な
気密容器の局部的な温度差を生じることを予防出来る。
そのためにガラス、接着剤などを破損に導くような急激
な温度差を生じることなく、クラック等の発生を防止で
きる。
Further, by providing a cover having good thermal conductivity so as to be in contact with the airtight container, even if the temperature of the surface of the airtight container rises, the heat is quickly diffused around, so that a local The occurrence of a temperature difference can be prevented.
For this reason, the occurrence of cracks and the like can be prevented without generating a sudden temperature difference that may lead to breakage of the glass, the adhesive, and the like.

【0021】さらに、ゲッタ上部のカバー部の一部また
は全部に光透過性の窓を設けることによりゲッタを加熱
する際の異常などを、すみやかに発見することが出来、
歩留まり向上に寄与することになる。
Further, by providing a light-transmitting window in a part or the whole of the cover portion above the getter, it is possible to quickly detect an abnormality or the like when heating the getter,
This will contribute to improving the yield.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態を説明する。一
例として非蒸発型ゲッタ活性化工程を以下に示す。本発
明の一例としては、図1に示すような構成のカバー4を
気密容器7を覆うように設置した。図中1は非蒸発型ゲ
ッタ、4はカバー、5は透明な窓であり、25はリアプ
レート、26は支持枠、27はフェースプレートであ
る。本実施例では、冷たい外気が直接気密容器に触れな
いように気密容器7の外側をAl製のカバー4で覆っ
た。また、非蒸発型ゲッター1の加熱状態が見れるよう
に透明なアクリル製の窓5を設けた。ここで、カバー4
は、外気を遮断できれば良いもので、金属製、プラスチ
ック製、セラミックス製などなんでも良い。また、窓5
に用いる材料は、光を透過するものであればなんでも良
いことは無論である。また、外部より高周波を用いて加
熱する場合は、高周波を透過するガラス材料などが望ま
しい。また、周辺部分はなるべく開口部を少なくするこ
とが望ましいが、外から冷たい外気が進入しにくい形態
であれば、それほど気をつかう必要はない。
Embodiments of the present invention will be described. As an example, a non-evaporable getter activation step will be described below. As an example of the present invention, a cover 4 configured as shown in FIG. In the figure, 1 is a non-evaporable getter, 4 is a cover, 5 is a transparent window, 25 is a rear plate, 26 is a support frame, and 27 is a face plate. In this embodiment, the outside of the airtight container 7 was covered with the cover 4 made of Al so that cold outside air did not directly touch the airtight container. Also, a transparent acrylic window 5 was provided so that the heating state of the non-evaporable getter 1 could be seen. Here, cover 4
Is only required to be able to block the outside air, and may be made of metal, plastic, ceramics or the like. In addition, window 5
It goes without saying that any material may be used as long as it transmits light. In the case where heating is performed using a high frequency from the outside, a glass material that transmits the high frequency is desirable. In addition, it is desirable to reduce the number of openings in the peripheral portion as much as possible.

【0023】また、カバーを用いる他の例としては、図
5に示す構成のカバー54を気密容器7に近接するよう
に設置してもよい。54はカバーであり、55は窓であ
る。窓55は気密容器内のゲッタ1の加熱状態が異常で
ないかをチェックするための窓として機能する。
As another example of using a cover, a cover 54 having the structure shown in FIG. 5 may be installed so as to be close to the airtight container 7. 54 is a cover, and 55 is a window. The window 55 functions as a window for checking whether or not the heating state of the getter 1 in the airtight container is abnormal.

【0024】ここで、カバーは外気を遮断できる材料で
あればなんでも用いることが出来るが、熱伝導率が1W
/m/k以上の材料を用いることが好ましい。ガラス板
を用いる場合はそのままで良いが、不透明な熱伝導性シ
ート(シリコンゴム系)のような材料を用いる場合はゲ
ッタ部上部に穴をあけ透明な窓材を用いることが望まし
い。また、蒸発型ゲッタなどを高周波で加熱活性化する
ような場合は、透明でかつ高周波を透過する材料を用い
ることが望ましい。
Here, the cover can be made of any material that can block the outside air.
/ M / k or more is preferably used. When a glass plate is used, it may be used as it is, but when a material such as an opaque heat conductive sheet (silicone rubber) is used, it is desirable to make a hole in the upper part of the getter and use a transparent window material. In the case where the evaporable getter or the like is activated by heating at a high frequency, it is desirable to use a material that is transparent and transmits a high frequency.

【0025】さらに、前記のようなカバーを用いること
により、複数あるいは大面積のゲッタを一度に活性化す
ることもできるようになる。
Further, by using the cover as described above, it is possible to activate a plurality of or large-area getters at a time.

【0026】[0026]

【実施例】[実施例1]本発明の第1の実施例におい
て、図2に示す構成の画像形成装置を作成した本実施例
では、リアプレート25上には、表面伝導型電子放出素
子22が、N×M個形成されている。本実施例では、N
は240、Mは720とした。
[Embodiment 1] In the first embodiment of the present invention, in which an image forming apparatus having the structure shown in FIG. 2 is formed, a surface conduction electron-emitting device 22 is provided on a rear plate 25. Are formed N × M. In this embodiment, N
Was 240 and M was 720.

【0027】前記240×720個の表面伝導型電子放
出素子は、720本の行方向配線23(下配線とも呼
ぶ)と240本の列方向配線24(上配線とも呼ぶ)に
より単純マトリクス配線されている。
The 240 × 720 surface conduction electron-emitting devices are arranged in a simple matrix by 720 row-direction wirings 23 (also called lower wirings) and 240 column-direction wirings 24 (also called upper wirings). I have.

【0028】続いて図3を用いて説明する。図3は、表
面伝導型電子放出素子の構成を示す模式図であり、図3
(a)は平面図、図3(b)は断面図である。図3にお
いて31は基板、32と33は素子電極、34は導電性
薄膜、35は電子放出部である。
Next, description will be made with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the surface conduction electron-emitting device.
3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view. In FIG. 3, 31 is a substrate, 32 and 33 are device electrodes, 34 is a conductive thin film, and 35 is an electron emitting portion.

【0029】気密容器を排気管11を通して真空に排気
しながら、素子電極32,33を通じて、導電性薄膜3
4にフォーミング処理を施すことによって、導電性薄膜
を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高
抵抗な状態にした電子放出部35を形成し、さらに、気
密容器内の圧力が1×10-3Pa以下になったら、気密
容器内に排気管11を通して活性化ガスとしてベンゾニ
トリルを0.1Pa程度導入し、放出電流を著しく改善
する活性化工程を該表面伝導型電子放出素子の上述した
素子電極32,33に電圧を印可し、素子に電流を流す
ことによって、上述の電子放出部35の活性化を行う。
While the airtight container is evacuated to a vacuum through the exhaust pipe 11, the conductive thin film 3 is passed through the device electrodes 32 and 33.
By subjecting the conductive thin film 4 to a forming treatment, the conductive thin film is locally destroyed, deformed, or altered to form an electron emitting portion 35 in an electrically high-resistance state. When the pressure becomes 10 −3 Pa or less, benzonitrile is introduced as an activating gas into the airtight container through the exhaust pipe 11 by about 0.1 Pa, and an activation step for significantly improving the emission current is performed. A voltage is applied to the device electrodes 32 and 33 thus formed, and a current flows through the device, thereby activating the above-described electron-emitting portion 35.

【0030】また、フェイスプレート27の下面には、
蛍光体(画像形成部材)28が形成されている。本実施
例ではカラー表示装置であるため、蛍光膜28の部分に
はCRTの分野で用いられている赤、緑、青の3原色の
蛍光体が塗り分けられている。
On the lower surface of the face plate 27,
A phosphor (image forming member) 28 is formed. Since the present embodiment is a color display device, phosphors of three primary colors of red, green, and blue used in the field of CRT are separately applied to a portion of the fluorescent film 28.

【0031】また、蛍光膜28のリアプレート側の面に
は、CRTの分野では公知のメタルバック29を設けて
ある。メタルバック29を設けた目的は、蛍光膜28が
発する光の一部を鏡面反射させて光効率を向上させるこ
とや、負イオンの衝突から蛍光膜28を保護すること
や、電子ビーム加速電圧を印可するための電極として用
いることや、蛍光膜28を励起した電子の導電路として
作用させること等である。メタルバック29は蛍光膜2
8をフェイスプレート基板27上に形成した後、蛍光膜
28を平滑化処理し、その上にAlを真空蒸着する方法
により形成した。なお、蛍光膜28には低電圧用の蛍光
膜を用いた場合には、メタルバック29は用いない。
A metal back 29 known in the field of CRTs is provided on the surface of the fluorescent film 28 on the rear plate side. The purpose of providing the metal back 29 is to improve the light efficiency by mirror-reflecting a part of the light emitted from the fluorescent film 28, to protect the fluorescent film 28 from negative ion collision, and to reduce the electron beam acceleration voltage. It is used as an electrode for application, or acts as a conductive path for the excited electrons of the fluorescent film 28. Metal back 29 is fluorescent film 2
8 was formed on the face plate substrate 27, the fluorescent film 28 was smoothed, and Al was formed thereon by vacuum evaporation. When a low-voltage fluorescent film is used as the fluorescent film 28, the metal back 29 is not used.

【0032】また、本実施例では用いなかったが、加速
電圧の印可方法や蛍光膜の導電性向上を目的として、フ
ェイスプレート基板27と蛍光膜28の間に、例えばI
TO等の透明導電膜を設けても良い。
Although not used in this embodiment, for the purpose of applying an accelerating voltage and improving the conductivity of the fluorescent film, for example, an I.D.
A transparent conductive film such as TO may be provided.

【0033】また、Dox1〜Doxm及びDoy1〜
DoynならびにHvは、当該表示パネルと不図示の電
気回路とを電気的に接続するために設けられた気密容器
の電気接続用端子である。Dox1〜Doxmはマルチ
電子ビーム源の行方向配線23と、Doy1〜Doyn
はマルチ電子ビーム源の列方向配線24と、Hvはフェ
イスプレートのメタルバック29と、それぞれ電気的に
接続されている。
Dox1 to Doxm and Doy1 to Dox1
Doyn and Hv are electric connection terminals of an airtight container provided for electrically connecting the display panel to an electric circuit (not shown). Dox1 to Doxm are connected to the row wiring 23 of the multi-electron beam source and Doy1 to Doyn.
Is electrically connected to the column direction wiring 24 of the multi-electron beam source, and Hv is electrically connected to the metal back 29 of the face plate.

【0034】以上、本発明の製造方法を適用した画像形
成装置の構造について説明した。
The structure of the image forming apparatus to which the manufacturing method of the present invention is applied has been described.

【0035】次に、図1を用いて本発明の画像形成装置
の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the image forming apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.

【0036】(リアプレートの作成) (R−1) 青板ガラスを洗浄し、シリコン酸化膜をス
パッタ法で形成したリアプレート上に下配線23をスク
リーン印刷で形成した。次に、下配線23と上配線24
間に層間絶縁膜を形成する。さらに、上配線24を形成
した。次に、下配線23と上配線24とに接続された素
子電極32,33を形成した。
(Preparation of Rear Plate) (R-1) The blue plate glass was washed, and the lower wiring 23 was formed by screen printing on the rear plate on which a silicon oxide film was formed by a sputtering method. Next, the lower wiring 23 and the upper wiring 24
An interlayer insulating film is formed therebetween. Further, the upper wiring 24 was formed. Next, device electrodes 32 and 33 connected to the lower wiring 23 and the upper wiring 24 were formed.

【0037】(R−2) 次いで、PdOからなる導電
性薄膜34をスパッタ法で形成した後、パターニング
し、所望の形態とした。
(R-2) Next, a conductive thin film 34 made of PdO was formed by a sputtering method and then patterned to obtain a desired form.

【0038】(R−3) 支持枠を固定するためのフリ
ットガラスを印刷によって所望の位置に形成した。
(R-3) Frit glass for fixing the support frame was formed at a desired position by printing.

【0039】以上の工程により、単純マトリクス配線し
た表面伝導型放出素子、支持枠用の接着材等が形成され
たリアプレートを作成した。
Through the above steps, a rear plate on which a surface conduction type emission device having a simple matrix wiring, an adhesive for a support frame, and the like were formed was prepared.

【0040】(フェイスプレートの作成) (F−1) 青板ガラス基板に蛍光体、黒色導電体を印
刷法により形成した。蛍光膜の内面側表面の平滑性処理
を行い、その後Alを真空蒸着法等を用いて堆積させメ
タルバックを形成した。
(Preparation of Face Plate) (F-1) A phosphor and a black conductor were formed on a blue plate glass substrate by a printing method. A smoothing treatment was performed on the inner surface of the fluorescent film, and then Al was deposited by using a vacuum evaporation method or the like to form a metal back.

【0041】(F−2) 支持枠を固定するためのフリ
ットガラスを印刷法により所望の位置に形成した。
(F-2) Frit glass for fixing the support frame was formed at a desired position by a printing method.

【0042】以上の工程により、3原色の蛍光体がスト
ライプ状に配設された蛍光体、及び支持枠用の接着材等
をフェイスプレートに形成した。
Through the above steps, a phosphor having three primary color phosphors arranged in stripes, an adhesive for a support frame, and the like were formed on the face plate.

【0043】(リアプレート及びフェイスプレート封着
による気密容器作成) (FR−1) リアプレートをX,Y,θの調整ステー
ジ上のホットプレート上に保持し、フェイスプレートの
位置合わせを行いながら封着温度までリアプレート及び
フェイスプレートを昇温させる。封着温度はフリットガ
ラスによって決定されるが本実施例では、封着温度は4
10℃であった。封着温度まで昇温させた段階で、X,
Y,θの調整ステージにより、リアプレートとフェイス
プレートの位置合わせを行いながら支持枠を接触させ、
加圧させながら10分間保持した後、毎分3℃で温度を
下げていき、封着温度から100℃下げたところで位置
合わせを中止して、ステージをフリーにし、室温まで下
げた。
(Preparation of Airtight Container by Sealing Rear Plate and Face Plate) (FR-1) The rear plate is held on a hot plate on an X, Y, and θ adjustment stage, and sealed while performing face plate alignment. The temperature of the rear plate and the face plate is raised to the arrival temperature. The sealing temperature is determined by the frit glass, but in this embodiment, the sealing temperature is 4
It was 10 ° C. When the temperature is raised to the sealing temperature, X,
The support frame is brought into contact with the rear plate and face plate while adjusting the position using the Y and θ adjustment stages.
After holding for 10 minutes while applying pressure, the temperature was lowered at 3 ° C./min. When the temperature was lowered by 100 ° C. from the sealing temperature, the alignment was stopped, the stage was freed, and the temperature was lowered to room temperature.

【0044】(真空プロセスによる電子放出素子の作
成) (S−1) 前述したように作成された気密容器のフェ
イスプレート上にある排気管11,12を真空排気装置
に接続し、気密容器内を真空に排気する。
(Preparation of Electron-Emitting Element by Vacuum Process) (S-1) The exhaust pipes 11 and 12 on the face plate of the airtight container prepared as described above are connected to a vacuum exhaust device, and the inside of the airtight container is evacuated. Evacuate to vacuum.

【0045】(S−2) 気密容器内の圧力が0.1P
a以下になったら、容器外端子Dox1〜DoxmとD
oy1〜Doynを通じ電子放出素子に図4(a)に示
すような電圧を印可し、導電性薄膜34にフォーミング
工程を行った。
(S-2) The pressure in the airtight container is 0.1 P
a, the external terminals Dox1 to Doxm and D
A voltage as shown in FIG. 4A was applied to the electron-emitting device through oy1 to Doyn, and a forming process was performed on the conductive thin film 34.

【0046】(S−3) 続いて、気密容器内の圧力が
1×10-3Pa以下になったら、活性化ガスとしてベン
ゾニトリルを排気管11を通して気密容器内に1Pa導
入し、容器外端子Dox1〜DoxmsとDoy1〜D
oynを通じ電子放出素子に図4(b)に示すような電
圧を印可し活性化処理を行った。
(S-3) Subsequently, when the pressure in the hermetic container becomes 1 × 10 −3 Pa or less, 1 Pa of benzonitrile as an activating gas is introduced into the hermetic container through the exhaust pipe 11 and a terminal outside the container is provided. Dox1-Doxms and Doy1-D
A voltage as shown in FIG. 4B was applied to the electron-emitting device through Oyn to perform an activation process.

【0047】(気密容器内の脱ガス工程)気密容器内の
脱ガス工程を以下に示す。
(Degassing Step in Airtight Container) The degassing step in the airtight container will be described below.

【0048】(D−1) 活性化ガスを十分に排気した
後、次に、気密容器のベーキング脱ガス処理行をう。ベ
ーキング温度は300℃とした。昇温速度は毎分2℃と
した。
(D-1) After the activation gas has been sufficiently exhausted, the airtight container is subjected to baking degassing. The baking temperature was 300 ° C. The heating rate was 2 ° C. per minute.

【0049】(D−3) 気密容器の温度が300℃に
10時間保持された段階で、排気管11の一部を加熱溶
融して、封止を行った。
(D-3) At the stage where the temperature of the airtight container was maintained at 300 ° C. for 10 hours, a part of the exhaust pipe 11 was heated and melted, and sealing was performed.

【0050】(D−4) 封止終了後、気密容器を毎分
2℃で降温し、室温まで冷却する。
(D-4) After the sealing is completed, the temperature of the airtight container is lowered at a rate of 2 ° C. per minute and cooled to room temperature.

【0051】(非蒸発型ゲッタ活性化工程)非蒸発型ゲ
ッタ活性化工程を以下に示す。本発明の第1の実施例に
おいては、図1に示す構成のカバーを気密容器を覆うよ
うに設置した。図中1は非蒸発型ゲッタ、4はカバー、
5は透明な窓である。本実施例では、冷たい外気が直接
気密容器に触れないように気密容器の外側をAl製のカ
バー4で覆った。また、非蒸発型ゲッター1の加熱状態
が見れるように透明なアクリル製の窓5を設けた。
(Non-evaporable getter activation step) The non-evaporable getter activation step will be described below. In the first embodiment of the present invention, a cover having the structure shown in FIG. 1 was installed so as to cover the airtight container. In the figure, 1 is a non-evaporable getter, 4 is a cover,
5 is a transparent window. In this embodiment, the outside of the airtight container is covered with an Al cover 4 so that cold outside air does not directly touch the airtight container. Also, a transparent acrylic window 5 was provided so that the heating state of the non-evaporable getter 1 could be seen.

【0052】このような状況で非蒸発型ゲッター1に、
図2に示す電流導入端子2,3から電流を流して非蒸発
型ゲッター1を600℃10分続いて900℃10分加
熱を行った。いずれも気密容器の構成部材にクラックな
どの発生は認められなかった。
Under these circumstances, the non-evaporable getter 1
A current was supplied from the current introduction terminals 2 and 3 shown in FIG. 2 to heat the non-evaporable getter 1 at 600 ° C. for 10 minutes and then at 900 ° C. for 10 minutes. No cracks or the like were found in any of the components of the airtight container.

【0053】[実施例2]本実施例でも、表面伝導型電
子放出素子を用いた画像形成装置の例である。画像形成
装置に関しては図2,図3及び図4を参照。また、画像
形成装置の製造方法についても、(気密容器内の脱ガス
工程)までは、実施例1と同様に行った。
[Embodiment 2] This embodiment is also an example of an image forming apparatus using a surface conduction electron-emitting device. See FIGS. 2, 3 and 4 for the image forming apparatus. The method of manufacturing the image forming apparatus was the same as in Example 1 up to (the degassing step in the airtight container).

【0054】(非蒸発型ゲッタ活性化工程)次に、図5
に示す構成のカバーを気密容器7に近接するように設置
した。本実施例では、54はAl製のカバーであり、5
5はガラス板である。ガラス板55は気密容器内の非蒸
発型ゲッタ1の加熱状態が異常でないかをチェックする
ための窓として機能する。
(Non-evaporable getter activation step) Next, FIG.
The cover having the structure shown in FIG. In the present embodiment, reference numeral 54 denotes a cover made of Al.
5 is a glass plate. The glass plate 55 functions as a window for checking whether the heating state of the non-evaporable getter 1 in the airtight container is abnormal.

【0055】このような構成のカバーでも、非蒸発型ゲ
ッタ1を1000℃10分間加熱しても、気密容器にク
ラックなどの発生は認められなかった。
Even with the cover having such a structure, even if the non-evaporable getter 1 was heated at 1000 ° C. for 10 minutes, no crack was observed in the airtight container.

【0056】[実施例3]本発明の第3の実施例におい
て、実施例2と同様に画像形成装置を製造した。本実施
例では、熱伝導性シートを気密容器に接するように載せ
た。また、非蒸発型ゲッタ上に穴をあけ、透明なサファ
イヤガラスを載せた。
[Embodiment 3] An image forming apparatus was manufactured in the same manner as in Embodiment 2 in Embodiment 3 of the present invention. In this example, the heat conductive sheet was placed so as to be in contact with the airtight container. Further, a hole was made on the non-evaporable getter, and a transparent sapphire glass was placed thereon.

【0057】このような構成のカバーでも、非蒸発型ゲ
ッタ1を900℃10分間加熱しても、気密容器にクラ
ックなどの発生は認められなかった。
Even with the cover having such a configuration, even if the non-evaporable getter 1 was heated at 900 ° C. for 10 minutes, no crack was observed in the airtight container.

【0058】[実施例4]本発明の第4の実施例におい
て、ゲッターを非蒸発型ゲッタの替わりに蒸発型ゲッタ
を用いた以外は実施例2と同様に画像形成装置を製造し
た。
Embodiment 4 An image forming apparatus was manufactured in the same manner as in Embodiment 2 except that an evaporable getter was used instead of a non-evaporable getter in the fourth embodiment of the present invention.

【0059】本実施例では、ガラス板を気密容器に接す
るように載せた。蒸発型ゲッタはNi製のリング上にB
aが乗っており、高周波加熱装置で330kHz200
Wで加熱して、Baを蒸発させた。
In this example, the glass plate was placed in contact with the airtight container. Evaporable getter is B on Ni ring
a is on board, 330kHz 200
Ba was evaporated by heating with W.

【0060】この際、1つのリング状蒸発型ゲッタの場
合10秒ほどで、活性化が終了する。
At this time, in the case of one ring-shaped evaporable getter, activation is completed in about 10 seconds.

【0061】Niリングは1200℃に加熱されたが、
気密容器にクラックなどの発生は認められなかった。
The Ni ring was heated to 1200 ° C.
No cracks were observed in the airtight container.

【0062】[実施例5]本発明の第5の実施例におい
て、ゲッタとして非蒸発型ゲッタ1と蒸発型ゲッタ6を
図6のように配置して用いた以外は実施例1および実施
例4と同様に画像形成装置を製造した。
[Embodiment 5] In the fifth embodiment of the present invention, the non-evaporable getter 1 and the evaporable getter 6 are arranged and used as shown in FIG. An image forming apparatus was manufactured in the same manner as described above.

【0063】本実施例では、蒸発型ゲッタの活性化の際
は、ガラス板を気密容器に接するように載せた。蒸発型
はNi製のリング上にBaが乗っており、高周波加熱装
置で330kHz200Wで加熱して、Baを蒸発させ
た。
In this embodiment, when activating the evaporable getter, the glass plate was placed in contact with the airtight container. In the evaporating type, Ba is placed on a ring made of Ni, and Ba was evaporated by heating at a frequency of 330 kHz and 200 W with a high frequency heating device.

【0064】また実施例1で用いたカバーを用いて、3
辺に配置した非蒸発型ゲッタ1を3本同時に、900℃
10分間加熱しても、気密容器にクラックなどの発生は
認められなかった。
Using the cover used in Example 1, 3
At the same time, three non-evaporable getters 1
Even after heating for 10 minutes, no cracks or the like were observed in the airtight container.

【0065】[0065]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
気密容器にクラックなどを発生させないで非蒸発型ゲッ
タを高温で加熱することができるようになった。
As described above, according to the present invention,
The non-evaporable getter can be heated at a high temperature without causing cracks or the like in the airtight container.

【0066】また、非蒸発型ゲッタを高温で加熱するこ
とができることにより、非蒸発型ゲッタの吸着特性が数
倍向上するため、より早く劣化ガスを除去することが可
能となる。
Further, since the non-evaporable getter can be heated at a high temperature, the adsorption characteristics of the non-evaporable getter are improved several times, so that the deteriorated gas can be removed more quickly.

【0067】また、カバーを用いて蒸発型ゲッタを蒸発
させると、高パワーで、短時間に活性化することが出来
るようになる。
When the evaporable getter is evaporated by using the cover, it can be activated with high power in a short time.

【0068】さらに多数のゲッターを同時に活性化でき
るようになるため、スループットも向上する。
Further, since a large number of getters can be activated simultaneously, the throughput is also improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例1のカバーを示す模式断面図。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a cover according to a first embodiment.

【図2】表面伝導型電子放出素子を利用した画像形成装
置の概略斜視図。
FIG. 2 is a schematic perspective view of an image forming apparatus using a surface conduction electron-emitting device.

【図3】表面伝導型電子放出素子の構成を示す概略図。FIG. 3 is a schematic view showing a configuration of a surface conduction electron-emitting device.

【図4】フォーミング及び活性化の電圧プロファイル。FIG. 4 is a voltage profile of forming and activation.

【図5】実施例2のカバーを示す模式断面図。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a cover according to a second embodiment.

【図6】実施例5のゲッター配置図。FIG. 6 is a getter arrangement diagram of a fifth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 非蒸発型ゲッタ 2,3 電流導入端子 4,54 カバー 5,55 窓 6 蒸発型ゲッター 7 気密容器 22 表面伝導型電子放出素子 23 行方向配線(下配線) 24 列方向配線(上配線) 25 リアプレート 26 支持枠 27 フェイスプレート 32,33 素子電極 34 導電性薄膜 35 電子放出部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Non-evaporable getter 2,3 Current introduction terminal 4,54 Cover 5,55 Window 6 Evaporable getter 7 Airtight container 22 Surface conduction electron-emitting device 23 Row-direction wiring (lower wiring) 24 Column-direction wiring (upper wiring) 25 Rear plate 26 Support frame 27 Face plate 32, 33 Device electrode 34 Conductive thin film 35 Electron emission part

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子放出素子と画像形成部材と排気管と
非蒸発型ゲッタ又は/かつ蒸発型ゲッタを有する気密容
器を備えた画像形成装置の製造方法において、 前記ゲッタを活性化する際に、該気密容器を外気から遮
断するカバーを設置することを特徴とする画像形成装置
の製造方法。
1. A method of manufacturing an image forming apparatus comprising an air-tight container having an electron-emitting device, an image forming member, an exhaust pipe, a non-evaporable getter and / or an evaporable getter, wherein, when the getter is activated, A method for manufacturing an image forming apparatus, comprising: providing a cover for shielding the airtight container from outside air.
【請求項2】 上記カバーに、該ゲッタを透視可能な窓
を設けることを特徴とする請求項1記載の画像形成装置
の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein a window through which the getter can be seen is provided in the cover.
【請求項3】 該気密容器と該カバーが接していること
を特徴とする請求項1記載の画像形成装置の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the airtight container and the cover are in contact with each other.
【請求項4】 該気密容器に接している該カバーが、熱
伝導率が1W/m/k以上の材料で形成されていること
を特徴とする請求項3記載の画像形成装置の製造方法。
4. The method according to claim 3, wherein the cover in contact with the airtight container is formed of a material having a thermal conductivity of 1 W / m / k or more.
【請求項5】 複数のゲッターを同時に活性化させるこ
とを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の画像形
成装置の製造方法。
5. The method of manufacturing an image forming apparatus according to claim 1, wherein a plurality of getters are activated simultaneously.
【請求項6】 熱伝導性シートを該気密容器に接するよ
うに設置することを特徴とする請求項3又は4記載の画
像形成装置の製造方法。
6. The method for manufacturing an image forming apparatus according to claim 3, wherein a heat conductive sheet is provided so as to be in contact with said airtight container.
【請求項7】 ガラス板を該気密容器に接するように設
置することを特徴とする請求項3記載の画像形成装置の
製造方法。
7. The method according to claim 3, wherein a glass plate is provided so as to be in contact with the airtight container.
JP11024248A 1999-02-01 1999-02-01 Manufacture of image forming device Pending JP2000223051A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11024248A JP2000223051A (en) 1999-02-01 1999-02-01 Manufacture of image forming device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11024248A JP2000223051A (en) 1999-02-01 1999-02-01 Manufacture of image forming device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000223051A true JP2000223051A (en) 2000-08-11

Family

ID=12132955

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11024248A Pending JP2000223051A (en) 1999-02-01 1999-02-01 Manufacture of image forming device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000223051A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6506089B2 (en) Manufacturing method of image forming apparatus, manufacturing apparatus of image forming apparatus, and manufacturing method of panel apparatus
EP1126496B1 (en) Method and apparatus for manufacturing image displaying apparatus
US6821174B2 (en) Method of manufacturing image display apparatus
JP3057081B2 (en) Method for manufacturing airtight container and method for manufacturing image forming apparatus using airtight container
JP3647289B2 (en) Manufacturing method of glass envelope
JP2000138029A (en) Manufacture of glass envelope and its device
JP3454499B2 (en) Method of manufacturing image display device
JP2000223051A (en) Manufacture of image forming device
JP2000143262A (en) Heating element, frit sintered compact and production of glass enclosure using the same
JP2000251722A (en) Sealing method of image display method
JP3332906B2 (en) Method of manufacturing image forming apparatus
JP3639762B2 (en) Image forming apparatus manufacturing apparatus
JP3639774B2 (en) Manufacturing method of image forming apparatus
JP2000251720A (en) Sealing method and manufacturing device for image display device
JPH0883579A (en) Image forming device and its manufacture
JP2000195424A (en) Manufacture of image forming device
JP2000195425A (en) Manufacture of image forming device
JPH1064429A (en) Manufacture of image display device
JPH11233002A (en) Image forming apparatus and manufacture thereof
JP2000260324A (en) Method and device for sealing image display device
JPH10302676A (en) Image forming device
JP3740489B2 (en) Glass envelope
JP2000251652A (en) Image display device and manufacture thereof
JP2000133165A (en) Fluorescent surface member and image forming device using the same
JP2000251651A (en) Image forming device and its sealing method