WO2025239285A1 - 絶縁基板、及び回路基板 - Google Patents

絶縁基板、及び回路基板

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WO2025239285A1
WO2025239285A1 PCT/JP2025/017021 JP2025017021W WO2025239285A1 WO 2025239285 A1 WO2025239285 A1 WO 2025239285A1 JP 2025017021 W JP2025017021 W JP 2025017021W WO 2025239285 A1 WO2025239285 A1 WO 2025239285A1
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WO
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glass
mol
film
main surface
less
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PCT/JP2025/017021
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English (en)
French (fr)
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圭介 中尾
生 永井
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
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    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits

Definitions

  • This disclosure relates to insulating substrates and circuit boards.
  • Patent Document 1 discloses a technique for forming a manganese oxide layer on the surface of a glass substrate to improve the adhesion of a Cu film to the glass substrate.
  • the manganese oxide layer supports a catalyst.
  • the catalyst promotes the formation of a Cu film by electroless plating. Electrolytic plating may be performed after electroless plating.
  • the glass substrate has a SiO2 content of 50 mol% to 100 mol%.
  • a metal film that transmits electrical signals is provided on the surface of the glass substrate.
  • electrical signals have become increasingly high frequency, creating a need for reduced transmission loss.
  • Transmission loss is the degree to which an electrical signal attenuates over distance. Generally, the higher the frequency, the greater the transmission loss.
  • Dielectric loss is the phenomenon in which, when an AC electric field is applied to a dielectric, some of the energy is lost as heat inside the dielectric. Dielectric loss depends on the dielectric properties of the glass substrate. The smaller the relative permittivity and dielectric dissipation factor of the glass substrate, the smaller the dielectric loss and transmission loss.
  • the silica glass (glass with an SiO2 content of 100 mol%) described in Patent Document 1 can reduce transmission loss, but since it is produced by a special manufacturing method, it is not suitable for mass production of glass substrates.
  • alkali-free borosilicate glass has, for example, a total content of SiO2 and B2O3 of 80 mol% or more, a B2O3 content of 10 mol% or more, and a total content of alkali metal oxides of 0.5 mol% or less, expressed in mole percent on an oxide basis.
  • Alkali-free borosilicate glass can reduce transmission loss and is suitable for mass production of glass substrates.
  • alkali-free borosilicate glass has low acid resistance and poor adhesion to metals. Acid resistance is required when forming or patterning metal films.
  • One embodiment of the present disclosure provides technology that can reduce transmission loss, improve acid resistance, and improve adhesion to metals.
  • An insulating substrate includes a glass substrate having a first main surface and a second main surface facing opposite to the first main surface, and a glass film covering at least a portion of at least one of the first and second main surfaces of the glass substrate.
  • the glass substrate is made of a first glass, which has a total content of SiO2 and B2O3 of 80 mol% or more, a B2O3 content of 10 mol% or more, and a total content of alkali metal oxides of 0.5 mol% or less, expressed as mol% on an oxide basis.
  • the glass film is made of a second glass, which has a total content of SiO2 and B2O3 of less than 80 mol% and a B2O3 content lower than that of the glass substrate, expressed as mol% on an oxide basis .
  • the thickness of the glass film is 0.05 times or less the thickness of the glass substrate.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view showing an insulating substrate according to one embodiment
  • FIG. 1B is a cross-sectional view showing an insulating substrate according to a first modified example
  • FIG. 1C is a cross-sectional view showing an insulating substrate according to a second modified example
  • FIG. 2A is a cross-sectional view showing a circuit board according to one embodiment
  • FIG. 2B is a cross-sectional view showing a circuit board according to a first modified example
  • FIG. 2C is a cross-sectional view showing a circuit board according to a second modified example
  • FIG. 3A is a cross-sectional view showing a circuit board according to a third modified example
  • FIG. 3B is a cross-sectional view showing a circuit board according to a fourth modified example.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing a circuit board according to an embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a method for measuring transmission loss.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of the measurement results of peel strength.
  • the insulating substrate 10 comprises a glass substrate 11 and a glass film 12.
  • the glass substrate 11 has a first major surface 11a and a second major surface 11b facing opposite the first major surface 11a. That is, the first major surface 11a and the second major surface 11b of the glass substrate 11 face each other.
  • the glass film 12 covers at least a portion (in this embodiment, the entirety) of at least one of the first major surface 11a and the second major surface 11b of the glass substrate 11 (in this embodiment, both surfaces).
  • the glass substrate 11 is made of a first glass.
  • the first glass is a so-called alkali-free borosilicate glass.
  • the first glass has a total content of SiO2 and B2O3 of 80 mol % or more, a B2O3 content of 10 mol% or more, and a total alkali metal oxide content of 0.5 mol% or less.
  • the total alkali metal oxide content refers to the sum of the contents of Li2O , Na2O , and K2O .
  • the glass film 12 is made of a second glass.
  • the second glass is silicate glass, but the total content of SiO2 and B2O3 is less than 80 mol%, and the content of B2O3 is less than that of the glass substrate 11.
  • the thickness t2 of the glass film 12 is 0.05 times or less the thickness t1 of the glass substrate 11.
  • the first glass constituting the glass substrate 11 has a higher B2O3 content than the second glass constituting the glass film 12 , and therefore has a smaller relative permittivity, dielectric loss tangent, and transmission loss.
  • the second glass has a lower B2O3 content than the first glass, and therefore has higher acid resistance.
  • the second glass has a lower B2O3 content than the first glass, and therefore has higher adhesion to metals.
  • the glass film 12 By protecting the glass substrate 11, which is made of the first glass, with the glass film 12, which is made of the second glass, it is possible to improve the acid resistance of the insulating substrate 10 and improve the adhesion between the insulating substrate 10 and metal. Furthermore, by limiting the film thickness t2 of the glass film 12 to 0.05 times or less the plate thickness t1 of the glass substrate 11 and limiting the amount of second glass used, it is possible to reduce transmission loss.
  • the first glass has a total content of SiO2 and B2O3 of 80 mol% or more, a B2O3 content of 10 mol% or more, and a total content of alkali metal oxides of 0.5 mol% or less.
  • the first glass preferably satisfies one or more of the following conditions (A1) to (A11), more preferably satisfies any combination of multiple conditions, and most preferably satisfies all of the conditions.
  • the total content of alkali metal oxides is 0.001 mol % or more.
  • the ratio (molar ratio) of the content of Na 2 O to the total content of Na 2 O and K 2 O is 0.01 to 0.99. The molar ratio is more preferably 0.50 or more.
  • the molar ratio is also preferably 0.95 or less, more preferably 0.90 or less.
  • the SiO2 content is 40 mol% to 75 mol%.
  • the SiO2 content is more preferably 55 mol% or more.
  • the SiO2 content is more preferably 65 mol% or less.
  • the B 2 O 3 content is 13 mol % to 36 mol %.
  • the B 2 O 3 content is more preferably 18 mol % or more.
  • the B 2 O 3 content is more preferably 28 mol % or less.
  • the total content of SiO 2 and B 2 O 3 is 82 mol % to 90 mol %.
  • the content of Al 2 O 3 is 0.5 mol % to 15 mol %.
  • the content of Al 2 O 3 is more preferably 6 mol % or more.
  • the content of Al 2 O 3 is more preferably 10 mol % or less.
  • the content of MgO is 0 mol % to 10 mol %, more preferably 0.1 mol % or more, and more preferably 5 mol % or less.
  • the CaO content is 0 mol % to 10 mol %.
  • the CaO content is more preferably 0.1 mol % or more.
  • the CaO content is more preferably 5 mol % or less.
  • the SrO content is 0 mol % to 10 mol %.
  • the SrO content is more preferably 5 mol % or more.
  • the SrO content is more preferably 8 mol % or less.
  • the BaO content is 0 mol % to 10 mol %.
  • the BaO content is more preferably 1 mol % or more.
  • the BaO content is more preferably 5 mol % or less.
  • the total content of alkaline earth metal oxides (the total content of MgO, CaO, SrO, and BaO) is 3 mol% to 12 mol%.
  • the total content of alkaline earth metal oxides is more preferably 7 mol% or more.
  • the total content of alkaline earth metal oxides is more preferably 10 mol% or less.
  • the composition of the first glass is measured by XRF (X-ray fluorescence analysis) after removing the metal film 21 by etching with a chemical solution and then removing the second glass by polishing.
  • the second glass has a total content of SiO 2 and B 2 O 3 of less than 80 mol %, and the content of B 2 O 3 is lower than that of the first glass.
  • the second glass preferably satisfies one or more of the following conditions (B1) to (B10), more preferably satisfies any combination of multiple conditions, and particularly preferably satisfies all of the conditions.
  • B1 The SiO2 content is 55 mol% to 78 mol%.
  • the SiO2 content is more preferably 60 mol% or more.
  • the SiO2 content is more preferably 70 mol% or less.
  • B2 The content of B 2 O 3 is 0 mol % to 12 mol %.
  • the content of B 2 O 3 is more preferably 1 mol % or more.
  • the content of B 2 O 3 is more preferably 8 mol % or less.
  • the total content of SiO2 and B2O3 is 60 mol% to less than 80 mol%.
  • the total content of SiO2 and B2O3 is more preferably 65 mol% or more .
  • the total content of SiO2 and B2O3 is more preferably 78 mol% or less.
  • the content of Al 2 O 3 is 5 mol % to 18 mol %.
  • the content of Al 2 O 3 is more preferably more than 10 mol %.
  • the content of Al 2 O 3 is more preferably 15 mol % or less.
  • the content of MgO is 0 mol % to 15 mol %, more preferably 1 mol % or more, and more preferably 12 mol % or less.
  • the CaO content is 0 mol% to 15 mol%.
  • the CaO content is more preferably 1 mol% or more.
  • the CaO content is more preferably 10 mol% or less.
  • the SrO content is 0 mol % to 10 mol %.
  • the SrO content is more preferably 1 mol % or more.
  • the SrO content is more preferably 8 mol % or less.
  • the content of BaO is 0 mol % to 10 mol %, and the content of BaO is more preferably 5 mol % or less.
  • the total content of alkaline earth metal oxides (the total content of MgO, CaO, SrO, and BaO) is 8 mol% to 25 mol%.
  • the total content of alkaline earth metal oxides is more preferably 15 mol% or more.
  • the total content of alkaline earth metal oxides is more preferably 20 mol% or less.
  • the total content of alkali metal oxides (total content of Li 2 O, Na 2 O, and K 2 O) is 0 mol % to 11 mol %.
  • the total content of alkali metal oxides is preferably 5 mol % or less, and more preferably 0.5 mol % or less.
  • the composition of the second glass is measured by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy). If a metal film is present on the surface, the metal film 21 is removed with a chemical solution, and the surface of the second glass is etched by 2 nm to 5 nm by Ar sputtering, and the resulting area is then measured by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy).
  • the thickness t1 of the glass substrate 11 is, for example, 0.2 mm to 2.0 mm. Considering the strength of the insulating substrate 10, the thickness t1 of the glass substrate 11 is preferably 0.4 mm or more, more preferably 0.5 mm or more, and even more preferably 0.8 mm or more. Considering the difficulty of machining the through holes 11c, which will be described later, the thickness t1 of the glass substrate 11 is preferably 1.8 mm or less.
  • the thickness t2 of the glass film 12 is, for example, 0.005 ⁇ m to 100 ⁇ m. Considering the dielectric characteristics of the insulating substrate 10, the thickness t2 of the glass film 12 is preferably 80 ⁇ m or less, and more preferably 50 ⁇ m or less. Considering the acid resistance of the insulating substrate 10 and the adhesion between the insulating substrate 10 and metals, the thickness t2 of the glass film 12 is preferably 0.01 ⁇ m or more.
  • the transmission loss will be small.
  • the relative dielectric constant of the first glass is preferably 5.0 or less at a measurement frequency of 10 GHz, more preferably 4.9 or less, and even more preferably 4.8 or less.
  • the relative dielectric constant of the first glass may be 2.0 or more at a measurement frequency of 10 GHz.
  • the transmission loss will be small.
  • the dielectric dissipation factor of the first glass is preferably 0.010 or less, and more preferably 0.004 or less, at a measurement frequency of 10 GHz.
  • the dielectric dissipation factor of the first glass may be 0.001 or more at a measurement frequency of 10 GHz.
  • the transmission loss will be small.
  • the relative dielectric constant of the second glass is preferably 10.0 or less at a measurement frequency of 10 GHz, more preferably 6.0 or less, and even more preferably 5.8 or less.
  • the relative dielectric constant of the second glass may be 2.0 or more at a measurement frequency of 10 GHz.
  • the transmission loss will be small.
  • the dielectric dissipation factor of the second glass is preferably 0.030 or less at a measurement frequency of 10 GHz, more preferably 0.012 or less, and even more preferably 0.008 or less.
  • the dielectric dissipation factor of the second glass may be 0.001 or more at a measurement frequency of 10 GHz.
  • the dielectric constant and dielectric loss tangent are measured in accordance with JIS R1641:2007. Specifically, the dielectric constant and dielectric loss tangent are measured using a cavity resonator and a belt network analyzer.
  • the measurement frequency is 10 GHz, which is the resonant frequency of air in the cavity resonator.
  • the glass substrate 11 has through-holes 11c that penetrate from the first major surface 11a to the second major surface 11b. As will be described in more detail below, the through-holes 11c can be filled with through-electrodes.
  • the through-electrodes electrically connect the first wiring formed on the first major surface 11a and the second wiring formed on the second major surface 11b. There is no particular limit to the number of through-holes 11c.
  • the through hole 11c is a straight hole, for example, as shown in Figure 1 (B).
  • a straight hole has a constant diameter regardless of the depth from the first main surface 11a or the second main surface 11b.
  • the through hole 11c may also be a tapered hole. The diameter of a tapered hole decreases as the depth from the first main surface 11a or the second main surface 11b increases.
  • the through hole 11c may have a constriction in the middle, with two tapered holes on either side of the constriction.
  • the diameter of one tapered hole decreases as the depth from the first major surface 11a increases.
  • the diameter of the other tapered hole decreases as the depth from the second major surface 11b increases.
  • the through hole 11c may also be a combination of a tapered hole and a straight hole.
  • the through-hole 11c can be formed, for example, by ablation.
  • ablation the glass locally evaporates or sublimes at the point of irradiation with the laser beam, removing the glass locally.
  • this method can reduce the occurrence of defects.
  • Defects include, for example, fractures or cracks.
  • the through-hole 11c may be formed by a conventional method.
  • the through-hole 11c may be formed by drilling, etching, or blasting.
  • Laser processing and etching may also be combined. Laser processing forms a modified portion by modifying a portion of the glass substrate, while etching preferentially etches the modified portion.
  • the glass film 12 does not cover the inner wall surface of the through-hole 11c.
  • the through-hole 11c penetrates not only the glass substrate 11 but also the glass film 12, for example.
  • the through-hole 11c may be formed after the glass film 12 is formed.
  • the glass film 12 is formed using a dry process, it is also possible to form the glass film 12 after the through-hole 11c is formed, avoiding the through-hole 11c.
  • the glass film 12 covers the inner wall surface of the through hole 11c.
  • the glass film 12 is formed after the through hole 11c is formed.
  • the glass film 12 is preferably formed by a wet process. If the glass film 12 covers the inner wall surface of the through hole 11c, it is possible to improve the acid resistance of the inner wall surface of the through hole 11c and improve the adhesion between the glass substrate 11 and the through electrode.
  • the circuit board 20 comprises the insulating substrate 10 described above and a metal film 21.
  • the metal film 21 is provided on at least a portion (in this embodiment, the entirety) of at least one of the first main surface 11a and the second main surface 11b (in this embodiment, both surfaces) of the glass substrate 11, with the glass film 12 sandwiched between them.
  • Metal wiring can be formed by patterning the metal film 21.
  • the circuit board 20 has a glass film 12 and a metal film 21, in this order, on only a portion of at least one of the first main surface 11a and the second main surface 11b of the glass substrate 11 (both surfaces in this modified example).
  • the glass film 12 and the metal film 21 have the same pattern. After patterning the metal film 21, the glass film 12 is subsequently patterned, thereby removing the unnecessary glass film 12 and reducing transmission loss.
  • the glass film 12 is larger than the metal film 21, and the thickness of a portion 12A of the glass film 12 that does not overlap the metal film 21 is thinner than the thickness of a portion 12B of the glass film 12 that overlaps the metal film 21. After patterning the metal film 21, the glass film 12 is subsequently thinned at the openings in the metal film 21, thereby removing the unnecessary glass film 12 and reducing transmission loss. Note that "glass film 12 is larger than metal film 21" means that the area of glass film 12 is larger than the area of metal film 21 in a plan view of circuit board 20.
  • a plan view of circuit board 20 refers to a view of circuit board 20 in a direction parallel to its thickness direction, i.e., a direction from the top to the bottom of the paper, or a direction from the bottom to the top of the paper.
  • the glass film 12 on the first main surface 11a of the glass substrate 11 is larger than the metal film 21, and the thickness of the portion 12A of the glass film 12 is smaller than the thickness of the portion 12B.
  • the glass film 12 on the second main surface 11b of the glass substrate 11 is larger than the metal film 21, and the thickness of the portion 12A of the glass film 12 is smaller than the thickness of the portion 12B.
  • the glass substrate 11 has a through hole 11c that penetrates from the first main surface 11a to the second main surface 11b.
  • the glass film 12 does not cover the inner wall surface of the through hole 11c.
  • the circuit board 20 has a through electrode 22 that fills the through hole 11c. The through electrode 22 contacts the inner wall surface of the through hole 11c.
  • the glass substrate 11 has a through hole 11c that penetrates from the first main surface 11a to the second main surface 11b.
  • a glass film 12 covers the inner wall surface of the through hole 11c.
  • the circuit board 20 has a through electrode 22 that fills the through hole 11c.
  • the through electrode 22 is provided on the inner wall surface of the through hole 11c, sandwiching the glass film 12.
  • the method for manufacturing a circuit board 20 includes, for example, steps S101 to S108. Note that the method for manufacturing a circuit board 20 does not necessarily have to include all of steps S101 to S108, and for example, it may not include step S108. Furthermore, the method for manufacturing a circuit board 20 may include only step S106 out of steps S106 and S107. Furthermore, the method for manufacturing a circuit board 20 may include steps not shown. For example, the through electrodes 22 may be formed by via filling plating.
  • Step S101 includes cleaning the glass substrate 11.
  • the cleaning method for the glass substrate 11 may be a conventional method.
  • the glass substrate 11 may or may not have through-holes 11c. Note that the through-holes 11c may be formed after the formation of the glass film 12 (step S102), as described above.
  • Step S102 includes forming a glass film 12.
  • the method for forming the glass film 12 may be a wet process or a dry process.
  • Wet processes include, for example, a sol-gel method or an LPD (Liquid Phase Deposition) method.
  • Dry processes include, for example, a sputtering method or an evaporation method.
  • the sol-gel method is a method of obtaining an oxide by heating a sol solution. There are no particular limitations on the method of coating the sol solution, but dip coating is preferred from the perspective of forming a glass film 12 with a uniform thickness.
  • the sol solution is a mixed liquid containing a glass precursor and a solvent.
  • the solvent contains at least one of water and an organic solvent.
  • the organic solvent is, for example, alcohol.
  • the Si source of the sol solution is, for example, TEOS (Tetraethoxysilane) or TMOS (Tetramethoxylsilane).
  • the Al source of the sol solution is, for example, Al( NO3 ) 3 , AlCl3 , or (Al( OC4H9 ) 3 ).
  • the alkaline earth metal source of the sol solution is, for example , Ca( NO3 ) 2 , Mg( NO3 ) 2 , Ba( NO3 ) 2 , or Sr( NO3 ) 2 .
  • the B source of the sol solution is, for example , B2O3 , or Na2B4O7.10H2O .
  • the mixing ratio of each element source is determined according to the composition of the second glass.
  • the amount (moles) of the Si source added is preferably 0.01 to 0.4 times the amount (moles) of the solvent added.
  • a mixed liquid containing each element source, solvent, and pH adjuster is reacted while stirring to produce a sol solution.
  • the pH adjuster is hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, or the like.
  • the pH adjuster is ammonia water, NaOH aqueous solution, or the like.
  • the stirring time may be 48 hours or less.
  • the stirring temperature is preferably room temperature to 80°C.
  • a uniform coating film can be formed by pulling the glass substrate 11 immersed in the sol solution out of the sol solution.
  • the pulling speed is preferably 0.1 mm/sec to 10 mm/sec. If the pulling speed is within the above range, the surface tension of the sol solution can form a uniform coating film on the first major surface 11a, the second major surface 11b, and the inner wall surfaces of the through-holes 11c.
  • the glass film 12 can be obtained by heating the coating film. Note that an adhesive layer of metal oxide may be further formed on the glass film 12 to improve adhesion to the metal film 21.
  • Step S103 includes a pretreatment for catalyst adsorption (step S104).
  • the pretreatment may include, but is not limited to, a sensitizing treatment or a conditioning treatment.
  • the sensitizing treatment may include, for example, immersing the insulating substrate 10 in an aqueous solution of SnCl2 to adsorb Sn2 + onto the surface of the insulating substrate 10.
  • the conditioning treatment may include, for example, immersing the insulating substrate 10 in an aqueous solution of a cationic polymer to adsorb the polymer onto the surface of the insulating substrate 10.
  • step S103 an acidic aqueous solution (for example, pH 0 to 3) may be used.
  • the glass substrate 11, which has low acid resistance is protected by the glass film 12, which has high acid resistance. Therefore, in step S103, it is possible to prevent the glass from eluting from the surface of the insulating substrate 10, and it is possible to adsorb Sn 2+ or a polymer onto the surface of the insulating substrate 10.
  • Step S104 includes immersing the insulating substrate 10 in an aqueous solution containing a catalyst to adsorb the catalyst onto the surface of the insulating substrate 10.
  • the catalyst includes Pd, Au, or Ag.
  • the Pd is contained in the aqueous solution in the form of, for example, PdCl2 , a composite colloid of Sn and Pd, or Pd ions complexed with amine-based organic molecules.
  • step S104 an acidic aqueous solution (e.g., pH 0 to 3) may be used.
  • the glass substrate 11, which has low acid resistance is protected by the glass film 12, which has high acid resistance. This prevents glass from eluting from the surface of the insulating substrate 10 in step S104, and allows the catalyst to be adsorbed onto the surface of the insulating substrate 10.
  • Step S105 includes activating the catalyst.
  • Activating the catalyst includes, for example, reducing Pd ions to Pd metal.
  • an aqueous solution containing a reducing agent is used.
  • the reducing agent is dimethylammonium borane (DMAB) or sodium hypophosphite, for example.
  • Activating the catalyst may also include removing unwanted substances. For the removal of unwanted substances, sulfuric acid, hydrochloric acid, or an aqueous sodium hydroxide solution, for example, is used.
  • step S105 an acidic aqueous solution (e.g., pH 0 to 3) may be used.
  • the glass substrate 11, which has low acid resistance is protected by the glass film 12, which has high acid resistance. This prevents glass from eluting from the surface of the insulating substrate 10 in step S105, and activates the catalyst.
  • Step S106 involves forming a portion of the metal film 21 by electroless plating.
  • Electroless plating involves immersing the insulating substrate 10 in a plating solution and precipitating a metal (e.g., Cu) on the surface of the insulating substrate 10 by reducing complexed metal ions.
  • the plating solution contains, for example, a metal source, a complexing agent, and a reducing agent.
  • the metal source is not particularly limited, but is, for example, copper sulfate.
  • the complexing agent is not particularly limited, but is, for example, Rochelle salt (potassium sodium tartrate) or EDTA (ethylenediaminetetraacetic acid).
  • the reducing agent is not particularly limited, but is, for example, formaldehyde.
  • step S106 the pH of the plating solution is usually around 11.5 to 13, so acid resistance of the glass is not necessary.
  • Step S107 involves forming the remainder of the metal film 21 by electrolytic plating.
  • Electrolytic plating involves immersing the electrolessly plated insulating substrate 10 in a plating solution as a cathode electrode, and applying a voltage between the cathode electrode and an anode electrode, thereby depositing a metal (e.g., Cu) on the surface of the insulating substrate 10.
  • the plating solution is, for example, an aqueous solution containing copper sulfate and sulfuric acid.
  • step S107 the pH of the plating solution is typically 0 or below.
  • the glass substrate 11, which has low acid resistance is protected by the glass film 12, which has high acid resistance. This prevents glass from leaching from the surface of the insulating substrate 10 through pinholes in the electroless plating film, thereby reducing electrolytic plating defects.
  • Step S108 includes patterning the metal film 21.
  • Patterning the metal film 21 includes etching the metal film 21.
  • the etching solution used is a strong acid aqueous solution such as an iron chloride solution or SPM (a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide).
  • the glass substrate 11, which has low acid resistance is protected by the glass film 12, which has high acid resistance. This prevents glass from eluting from the surface of the insulating substrate 10 in step S108, thereby preventing patterning defects.
  • Table 1 shows the results of simulation of the transmission loss of the circuit board 20 shown in FIG.
  • the simulation analysis was performed using CST Studio Suite (registered trademark) manufactured by Dassault Systemes Simulia.
  • the circuit board 20 was composed of an insulating substrate 10, a linear copper wiring layer 21A provided on the upper surface of the insulating substrate 10, and a ground layer 21B provided over the entire lower surface of the insulating substrate 10.
  • the copper wiring layer 21A and the ground layer 21B were so-called microstrip lines.
  • the sum of the thickness t1 of the glass substrate 11 and the thickness t2 of the glass film 12 was maintained at 500 ⁇ m, while the thickness t2 of the glass film 12 was varied between 0 ⁇ m and 250 ⁇ m.
  • the S-parameter (scattering parameter S21) was calculated from 1 GHz to 100 GHz.
  • the width w of the copper wiring layer 21A was set so that the characteristic impedance of the copper wiring layer 21A was 50 ⁇ .
  • the surface roughness of the copper wiring layer 21A was also set to be sufficiently smooth so that the skin effect was not a problem.
  • Table 1 shows that transmission loss is small when t2 is 0.05 times or less than t1.
  • the glass substrate 11 is made of the first glass shown in Table 2
  • the glass film 12 is made of the second glass shown in Table 2.
  • Table 2 shows the composition of the first glass measured by XRF and the composition of the second glass measured by XPS.
  • Table 2 also shows the measurement results of acid resistance.
  • the acid resistance was evaluated by immersing the glass in a mixed acid aqueous solution ( HNO3 : 6 mass%, H2SO4 : 5 mass%) at 45°C for 170 seconds and measuring the amount of glass components eluted per unit surface area (mg/ cm2 ). The smaller the elution amount, the better the acid resistance. Table 2 shows that the second glass has superior acid resistance compared to the first glass.
  • Table 2 also shows the measurement results for the dielectric constant and dielectric loss tangent.
  • the dielectric constant and dielectric loss tangent were measured using a cavity resonator and belt network analyzer in accordance with JIS R1641:2007.
  • the measurement frequency was 10 GHz, which is the resonant frequency of air in the cavity resonator.
  • the third glass is the first glass coated with the second glass.
  • the second glass constituting the third glass was formed by RF magnetron sputtering under the following film formation conditions.
  • Target Alkali-free glass
  • Sputtering gas a mixed gas of Ar gas and oxygen gas
  • Ar gas flow rate 20 sccm
  • Oxygen gas flow rate 20 sccm
  • RF power supply JS Giken Co., Ltd.
  • Model RF-301 Power 50W
  • Time 30 minutes.
  • Table 2 also shows the results of the electroless plating film deposition test.
  • the entire surfaces of the second and third glasses were covered with an electroless plating film, whereas most of the surface of the first glass was exposed and not covered with an electroless plating film.
  • the conditions for the electroless plating film deposition test (steps S103 to S106) in Table 2 are shown in Table 3.
  • step S104 shown in Table 3 the pH of the aqueous solution was below 0, which is thought to have caused glass components to dissolve from the surface of the first glass, resulting in most of the surface of the first glass being exposed and not covered by the electroless plating film.
  • plating films (film thickness: 20 ⁇ m) were formed on the surfaces of the first glass, second glass, third glass, and soda-lime glass, and the adhesion of the plating films was evaluated.
  • step S106 electroless plating
  • step S107 electrolytic plating
  • a heat treatment was performed at 400°C for 30 minutes.
  • step S107 electrolytic plating
  • a heat treatment was performed at 370°C for 1 hour.
  • peel strength was evaluated by peel strength. The higher the peel strength, the better the adhesion. Peel strength was measured using a Shimadzu Autograph precision universal testing machine (product name: AGX-V). The tensile speed was 50 mm/min, the peel angle was 90°, and the test stroke was 30 mm. The peel strength measurement results are shown in Figure 6.
  • the adhesion of the plating film to the second and third glasses was higher than the adhesion of the plating film to the first glass, and was comparable to the adhesion of the plating film to the soda-lime glass.

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Abstract

絶縁基板は、ガラス基板と、前記ガラス基板の少なくとも一部を覆うガラス膜と、を備える。前記ガラス基板は第１ガラスで構成され、前記第１ガラスはＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８０ｍｏｌ％以上であって、Ｂ２Ｏ３の含有量が１０ｍｏｌ％以上であって、且つアルカリ金属酸化物の合計含有量が０．５ｍｏｌ％以下である。前記ガラス膜は第２ガラスで構成され、前記第２ガラスはＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８０ｍｏｌ％未満であって、Ｂ２Ｏ３の含有量が前記ガラス基板よりも少ない。前記ガラス膜の膜厚が前記ガラス基板の板厚の０．０５倍以下である。

Description

絶縁基板、及び回路基板
　本開示は、絶縁基板、及び回路基板に関する。
　近年、インターポーザと呼ばれる貫通電極を有する基板を用いて、複数の半導体チップを搭載し相互接続した、２．５Ｄデバイス、３Ｄデバイスと呼ばれる半導体の積層デバイスの開発が進んでいる。基板の材料としては、シリコン、ガラス、有機材料、セラミックなどが検討されている。これらの中でも、ガラスは、薄型化のための剛性、孔開けのための加工性、平坦性、及び電気的な絶縁性に優れている。
　特許文献１には、ガラス基板に対するＣｕ膜の密着性を改善すべく、ガラス基板の表面に酸化マンガン層を形成する技術が開示されている。酸化マンガン層は、触媒を担持する。触媒は、無電解めっきによるＣｕ膜の形成を促進する。無電解めっきの後、電解めっきが行われてもよい。ガラス基板は、ＳｉＯ２含有量が５０ｍｏｌ％～１００ｍｏｌ％である。
日本国特表２０２２－５０７１５６号公報
　ガラス基板の表面には、電気信号を伝達する金属膜が設けられる。近年、電気信号の高周波化が進んでおり、伝送損失の低減が求められている。伝送損失とは、電気信号が距離に応じて減衰する度合いのことである。一般的に、周波数が大きいほど、伝送損失が大きくなる。
　伝送損失は、誘電損失を含む。誘電損失とは、誘電体に交流電場を加えた時、そのエネルギーの一部が誘電体内部で熱となって失われる現象である。誘電損失は、ガラス基板の誘電特性に依存する。ガラス基板の比誘電率が小さいほど、また、ガラス基板の誘電正接が小さいほど、誘電損失が小さく、伝送損失が小さい。
　特許文献１に記載の石英ガラス（ＳｉＯ２含有量が１００ｍｏｌ％であるガラス）は、伝送損失を低減できるが、特殊な製法で製造するので、ガラス基板の大量生産に適していない。
　そこで、ガラス基板のガラスとして、無アルカリボロシリケートガラスを採用することが考えられる。無アルカリボロシリケートガラスは、例えば、酸化物基準のモル％表示でＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８０ｍｏｌ％以上であって、Ｂ２Ｏ３の含有量が１０ｍｏｌ％以上であって、且つアルカリ金属酸化物の合計含有量が０．５ｍｏｌ％以下である。
　無アルカリボロシリケートガラスは、伝送損失を低減でき、且つガラス基板の大量生産に適している。但し、無アルカリボロシリケートガラスは、耐酸性が低く、また、金属との密着性が低い。なお、耐酸性は、金属膜の形成時、または金属膜のパターンニング時に求められる。
　本開示の一実施形態は、伝送損失の低減と、耐酸性の向上と、金属との密着性の向上とを図ることができる、技術を提供する。
　本開示の一実施形態に係る絶縁基板は、第１主面と前記第１主面とは反対向きの第２主面を有するガラス基板と、前記ガラス基板の前記第１主面と前記第２主面の少なくとも片面の少なくとも一部を覆うガラス膜と、を備える。前記ガラス基板は第１ガラスで構成され、前記第１ガラスは酸化物基準のモル％表示でＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８０ｍｏｌ％以上であって、Ｂ２Ｏ３の含有量が１０ｍｏｌ％以上であって、且つアルカリ金属酸化物の合計含有量が０．５ｍｏｌ％以下である。前記ガラス膜は第２ガラスで構成され、前記第２ガラスは酸化物基準のモル％表示でＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８０ｍｏｌ％未満であって、Ｂ２Ｏ３の含有量が前記ガラス基板よりも少ない。前記ガラス膜の膜厚が前記ガラス基板の板厚の０．０５倍以下である。
　本開示の一実施形態によれば、伝送損失の低減と、耐酸性の向上と、金属との密着性の向上とを図ることができる。
図１の（Ａ）は一実施形態に係る絶縁基板を示す断面図であり、図１の（Ｂ）は第１変形例に係る絶縁基板を示す断面図であり、図１の（Ｃ）は第２変形例に係る絶縁基板を示す断面図である。 図２の（Ａ）は一実施形態に係る回路基板を示す断面図であり、図２の（Ｂ）は第１変形例に係る回路基板を示す断面図であり、図２の（Ｃ）は第２変形例に係る回路基板を示す断面図である。 図３の（Ａ）は第３変形例に係る回路基板を示す断面図であり、図３の（Ｂ）は第４変形例に係る回路基板を示す断面図である。 図４は、一実施形態に係る回路基板の製造方法を示すフローチャートである。 図５は、伝送損失の測定方法の一例を示す断面図である。 図６は、ピール強度の測定結果の一例を示す図である。
　以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において同一の又は類似の構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。明細書中、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。数値範囲は、四捨五入した範囲を含む。以下において、ガラスの各成分の組成範囲は、酸化物基準のモル％で表示する。
　図１の（Ａ）を参照して、一実施形態に係る絶縁基板１０について説明する。絶縁基板１０は、ガラス基板１１とガラス膜１２とを備える。ガラス基板１１は、第１主面１１ａと、第１主面１１ａとは反対向きの第２主面１１ｂを有する。すなわち、ガラス基板１１において第１主面１１ａと第２主面１１ｂとは、互いに対向している。ガラス膜１２は、ガラス基板１１の第１主面１１ａと第２主面１１ｂの少なくとも片面（本実施形態では両面）の少なくとも一部（本実施形態では全体）を覆う。
　ガラス基板１１は、第１ガラスで構成される。第１ガラスは、いわゆる無アルカリボロシリケートガラスである。第１ガラスは、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８０ｍｏｌ％以上であって、Ｂ２Ｏ３の含有量が１０ｍｏｌ％以上であって、且つアルカリ金属酸化物の合計含有量が０．５ｍｏｌ％以下である。ここで、アルカリ金属酸化物の合計含有量とは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの含有量の合計を表す。
　ガラス膜１２は、第２ガラスで構成される。第２ガラスは、シリケートガラスであるが、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８０ｍｏｌ％未満であって、Ｂ２Ｏ３の含有量がガラス基板１１よりも少ない。ガラス膜１２の膜厚ｔ２がガラス基板１１の板厚ｔ１の０．０５倍以下である。
　ガラス基板１１を構成する第１ガラスは、ガラス膜１２を構成する第２ガラスに比べて、Ｂ２Ｏ３の含有量が多いので、比誘電率と誘電正接が小さく、伝送損失が小さい。一方で、第２ガラスは、第１ガラスに比べて、Ｂ２Ｏ３の含有量が少ないので、耐酸性が高い。また、第２ガラスは、第１ガラスに比べて、Ｂ２Ｏ３の含有量が少ないので、金属との密着性が高い。
　第１ガラスで構成されるガラス基板１１を、第２ガラスで構成されるガラス膜１２で保護することで、絶縁基板１０の耐酸性の向上と、絶縁基板１０と金属との密着性の向上とを図ることができる。また、ガラス膜１２の膜厚ｔ２をガラス基板１１の板厚ｔ１の０．０５倍以下に制限し、第２ガラスの使用量を制限することで、伝送損失の低減を図ることができる。
　第１ガラスは、上記の通り、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８０ｍｏｌ％以上であって、Ｂ２Ｏ３の含有量が１０ｍｏｌ％以上であって、且つアルカリ金属酸化物の合計含有量が０．５ｍｏｌ％以下である。第１ガラスは、下記（Ａ１）～（Ａ１１）のうちの１つ以上の条件を満たすことが好ましく、任意の組み合わせの複数の条件を満たすことがより好ましく、全ての条件を満たすことが最も好ましい。
（Ａ１）アルカリ金属酸化物の合計含有量が０．００１ｍｏｌ％以上である。
（Ａ２）Ｎａ２ＯとＫ２Ｏの合計含有量に対するＮａ２Ｏの含有量の比（モル比）が０．０１～０．９９である。上記モル比は、０．５０以上であることがより好ましい。また、上記モル比は、０．９５以下であることが好ましく、０．９０以下であることがより好ましい。
（Ａ３）ＳｉＯ２の含有量は、４０ｍｏｌ％～７５ｍｏｌ％である。ＳｉＯ２の含有量は、５５ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。ＳｉＯ２の含有量は、６５ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ａ４）Ｂ２Ｏ３の含有量が１３ｍｏｌ％～３６ｍｏｌ％である。Ｂ２Ｏ３の含有量は、１８ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。Ｂ２Ｏ３の含有量は、２８ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ａ５）ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８２ｍｏｌ％～９０ｍｏｌ％である。
（Ａ６）Ａｌ２Ｏ３の含有量が０．５ｍｏｌ％～１５ｍｏｌ％である。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、６ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、１０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ａ７）ＭｇＯの含有量が０ｍｏｌ％～１０ｍｏｌ％である。ＭｇＯの含有量は、０．１ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。ＭｇＯの含有量は、５ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ａ８）ＣａＯの含有量が０ｍｏｌ％～１０ｍｏｌ％である。ＣａＯの含有量は、０．１ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。ＣａＯの含有量は、５ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ａ９）ＳｒＯの含有量が０ｍｏｌ％～１０ｍｏｌ％である。ＳｒＯの含有量は、５ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。ＳｒＯの含有量は、８ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ａ１０）ＢａＯの含有量が０ｍｏｌ％～１０ｍｏｌ％である。ＢａＯの含有量は、１ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。ＢａＯの含有量は、５ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ａ１１）アルカリ土類金属酸化物の合計含有量（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの含有量の合計）が３ｍｏｌ％～１２ｍｏｌ％である。アルカリ土類金属酸化物の合計含有量は、７ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。アルカリ土類金属酸化物の合計含有量は、１０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
第１ガラスの組成は、金属膜２１を薬液によるエッチングで除去し、さらに、第２ガラスを研磨により除去した上で、ＸＲＦ（蛍光Ｘ線分析法）で測定する。
　第２ガラスは、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８０ｍｏｌ％未満であって、Ｂ２Ｏ３の含有量が第１ガラスよりも少ない。第２ガラスは、下記（Ｂ１）～（Ｂ１０）のうちの１つ以上の条件を満たすことが好ましく、任意の組み合わせの複数の条件を満たすことがより好ましく、全ての条件を満たすことが特に好ましい。
（Ｂ１）ＳｉＯ２の含有量は、５５ｍｏｌ％～７８ｍｏｌ％である。ＳｉＯ２の含有量は、６０ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。ＳｉＯ２の含有量は、７０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ｂ２）Ｂ２Ｏ３の含有量が０ｍｏｌ％～１２ｍｏｌ％である。Ｂ２Ｏ３の含有量は、１ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。Ｂ２Ｏ３の含有量は、８ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ｂ３）ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が６０ｍｏｌ％～８０ｍｏｌ％未満である。ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量は、６５ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量は、７８ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ｂ４）Ａｌ２Ｏ３の含有量が５ｍｏｌ％～１８ｍｏｌ％である。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、１０ｍｏｌ％超であることがより好ましい。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、１５ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ｂ５）ＭｇＯの含有量が０ｍｏｌ％～１５ｍｏｌ％である。ＭｇＯの含有量は、１ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。ＭｇＯの含有量は、１２ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ｂ６）ＣａＯの含有量が０ｍｏｌ％～１５ｍｏｌ％である。ＣａＯの含有量は、１ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。ＣａＯの含有量は、１０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ｂ７）ＳｒＯの含有量が０ｍｏｌ％～１０ｍｏｌ％である。ＳｒＯの含有量は、１ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。ＳｒＯの含有量は、８ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ｂ８）ＢａＯの含有量が０ｍｏｌ％～１０ｍｏｌ％である。ＢａＯの含有量は、５ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
（Ｂ９）アルカリ土類金属酸化物の合計含有量（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの含有量の合計）が８ｍｏｌ％～２５ｍｏｌ％である。アルカリ土類金属酸化物の合計含有量は、１５ｍｏｌ％以上であることがより好ましい。アルカリ土類金属酸化物の合計含有量は、２０ｍｏｌ％以下でることがより好ましい。
（Ｂ１０）アルカリ金属酸化物の合計含有量（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏの含有量の合計）が０ｍｏｌ％～１１ｍｏｌ％である。アルカリ金属酸化物の合計含有量は、５ｍｏｌ％以下であることが好ましく、０．５ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
第２ガラスの組成は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定する。金属膜が表面に存在する場合は、金属膜２１を薬液で除去した上で、第２ガラスの表面をＡｒスパッタリングで２ｎｍ～５ｎｍエッチングした箇所をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定する。
　ガラス基板１１の板厚ｔ１は、例えば０．２ｍｍ～２．０ｍｍである。絶縁基板１０の強度を考慮すると、ガラス基板１１の板厚ｔ１は、好ましくは０．４ｍｍ以上であり、より好ましくは０．５ｍｍ以上であり、さらに好ましくは０．８ｍｍ以上である。後述する貫通孔１１ｃの加工の難易度を考慮すると、ガラス基板１１の板厚ｔ１は、好ましくは１．８ｍｍ以下である。
　ガラス膜１２の膜厚ｔ２は、例えば０．００５μｍ～１００μｍである。絶縁基板１０の誘電特性を考慮すると、ガラス膜１２の膜厚ｔ２は、好ましくは８０μｍ以下であり、より好ましくは５０μｍ以下である。絶縁基板１０の耐酸性および絶縁基板１０と金属との密着性を考慮すると、ガラス膜１２の膜厚ｔ２は、好ましくは０．０１μｍ以上である。
　第１ガラスの比誘電率が測定周波数１０ＧＨｚにおいて５．０以下であれば、伝送損失が小さい。第１ガラスの比誘電率は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて５．０以下であることが好ましく、４．９以下であることがより好ましく、４．８以下であることがさらに好ましい。なお、第１ガラスの比誘電率は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて２．０以上であってよい。
　第１ガラスの誘電正接が測定周波数１０ＧＨｚにおいて０．０１０以下であれば、伝送損失が小さい。第１ガラスの誘電正接は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて０．０１０以下であることが好ましく、０．００４以下であることがより好ましい。なお、第１ガラスの誘電正接は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて０．００１以上であってよい。
　第２ガラスの比誘電率が測定周波数１０ＧＨｚにおいて１０．０以下であれば、伝送損失が小さい。第２ガラスの比誘電率は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて１０．０以下であることが好ましく、６．０以下であることがより好ましく、５．８以下であることがさらに好ましい。なお、第２ガラスの比誘電率は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて２．０以上であってよい。
　第２ガラスの誘電正接が測定周波数１０ＧＨｚにおいて０．０３０以下であれば、伝送損失が小さい。第２ガラスの誘電正接は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて０．０３０以下であることが好ましく、０．０１２以下であることがより好ましく、０．００８以下であることがさらに好ましい。なお、第２ガラスの誘電正接は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて０．００１以上であってよい。
　本明細書において、比誘電率と誘電正接は、ＪＩＳ　Ｒ１６４１：２００７に準拠して測定する。具体的には、比誘電率と誘電正接は、空洞共振器およびベルトネットワークアナライザを用いて測定する。測定周波数は、空洞共振器の空気の共振周波数である１０ＧＨｚである。
　図１の（Ｂ）を参照して、第１変形例に係る絶縁基板１０について説明する。以下、上記実施形態との相違点について主に説明する。ガラス基板１１は、第１主面１１ａから第２主面１１ｂまで貫通する貫通孔１１ｃを有する。詳しくは後述するが、貫通孔１１ｃに貫通電極を充填できる。貫通電極は、第１主面１１ａに形成される第１配線と、第２主面１１ｂに形成される第２配線とを電気的に接続する。貫通孔１１ｃの数は特に限定されない。
　貫通孔１１ｃは、例えば図１の（Ｂ）に示すようにストレート孔である。ストレート孔は、第１主面１１ａ又は第２主面１１ｂからの深さに関係なく一定の直径を有する。なお、貫通孔１１ｃは、テーパー孔であってもよい。テーパー孔は、第１主面１１ａ又は第２主面１１ｂからの深さが深くなるほど直径が小さくなる。
　図示しないが、貫通孔１１ｃは途中にくびれを有し、くびれを挟んで２つのテーパー孔を有してもよい。１つのテーパー孔は、第１主面１１ａからの深さが深くなるほど直径が小さくなる。別のテーパー孔は、第２主面１１ｂからの深さが深くなるほど直径が小さくなる。また、貫通孔１１ｃは、テーパー孔とストレート孔を組み合わせた孔であってもよい。
　貫通孔１１ｃの加工方法は、例えばアブレーション加工である。アブレーション加工では、レーザ光線の照射点においてガラスが局所的に蒸発するか昇華し、ガラスが局所的に除去される。ドリル加工の場合に比べて、欠陥の発生を抑制できる。欠陥は、例えば割れ又はクラックである。
　なお、貫通孔１１ｃの加工方法は、一般的な方法であってよい。例えば、貫通孔１１ｃの加工方法は、ドリル加工、エッチング加工、又はブラスト加工であってもよい。レーザ加工とエッチング加工が組み合わされてもよい。レーザ加工はガラス基板の一部を改質することで改質部を形成し、エッチング加工は改質部を優先的にエッチングする。
　本変形例のガラス膜１２は、貫通孔１１ｃの内壁面を覆わない。貫通孔１１ｃは、例えばガラス基板１１のみならずガラス膜１２を貫通する。ガラス膜１２の形成後に、貫通孔１１ｃの形成が行われてよい。但し、ドライプロセスでガラス膜１２を形成する場合、貫通孔１１ｃの形成後に、貫通孔１１ｃを避けてガラス膜１２を形成することも可能である。
　図１の（Ｃ）を参照して、第２変形例に係る絶縁基板１０について説明する。以下、上記実施形態および上記第１変形例との相違点について主に説明する。本変形例のガラス膜１２は貫通孔１１ｃの内壁面を覆う。この場合、貫通孔１１ｃの形成後に、ガラス膜１２の形成が行われる。ガラス膜１２は、ウェットプロセスで形成することが好ましい。ガラス膜１２が貫通孔１１ｃの内壁面を覆えば、貫通孔１１ｃの内壁面における耐酸性の向上と、ガラス基板１１と貫通電極の密着性の向上とを図ることができる。
　図２の（Ａ）を参照して、一実施形態に係る回路基板２０について説明する。回路基板２０は、上記の絶縁基板１０と金属膜２１とを備える。金属膜２１は、ガラス基板１１の第１主面１１ａと第２主面１１ｂの少なくとも片面（本実施形態では両面）の少なくとも一部（本実施形態では全体）に、ガラス膜１２を挟んで設けられる。金属膜２１をパターンニングすることで、金属配線を形成することができる。
　図２の（Ｂ）を参照して、第１変形例に係る回路基板２０について説明する。以下、上記実施形態との相違点について主に説明する。回路基板２０は、ガラス基板１１の第１主面１１ａと第２主面１１ｂの少なくとも片面（本変形例では両面）の一部のみにガラス膜１２と金属膜２１をこの順番で有する。ガラス膜１２と金属膜２１は同じパターンを有する。金属膜２１のパターンニング後、続いてガラス膜１２のパターンニングを行うことで、不要になったガラス膜１２を除去でき、伝送損失を低減することができる。
　図２の（Ｃ）を参照して、第２変形例に係る回路基板２０について説明する。以下、上記実施形態および上記第１変形例との相違点について主に説明する。ガラス膜１２は金属膜２１よりも大きく、ガラス膜１２の金属膜２１に重ならない部位１２Ａの膜厚はガラス膜１２の金属膜２１に重なる部位１２Ｂの膜厚よりも薄い。金属膜２１のパターンニング後、続いて金属膜２１の開口部においてガラス膜１２を薄化することで、不要になったガラス膜１２を除去でき、伝送損失を低減することができる。
　なお、「ガラス膜１２は金属膜２１よりも大きい」とは、回路基板２０の平面視において、ガラス膜１２の面積が金属膜２１の面積よりも大きいことを意味する。ここで、回路基板２０の平面視とは、回路基板２０をその厚み方向に平行な方向、すなわち紙面の上部から下部に向かう方向、又は、紙面の下部から上部に向かう方向から視ることを表す。
　図２の（Ｃ）の例（第２変形例）では、ガラス基板１１の第１主面１１ａ上のガラス膜１２は金属膜２１よりも大きく、該ガラス膜１２における部位１２Ａの膜厚は部位１２Ｂの膜厚よりも薄い。また、ガラス基板１１の第２主面１１ｂ上のガラス膜１２は金属膜２１よりも大きく、該ガラス膜１２における部位１２Ａの膜厚は部位１２Ｂの膜厚よりも薄い。
　図３の（Ａ）を参照して、第３変形例に係る回路基板２０について説明する。以下、上記実施形態および上記変形例との相違点について主に説明する。ガラス基板１１は、第１主面１１ａから第２主面１１ｂまで貫通する貫通孔１１ｃを有する。ガラス膜１２は、貫通孔１１ｃの内壁面を覆わない。回路基板２０は、貫通孔１１ｃを充填する貫通電極２２を備える。貫通電極２２は、貫通孔１１ｃの内壁面に接する。
　図３の（Ｂ）を参照して、第４変形例に係る回路基板２０について説明する。以下、上記実施形態および上記変形例との相違点について主に説明する。ガラス基板１１は、第１主面１１ａから第２主面１１ｂまで貫通する貫通孔１１ｃを有する。ガラス膜１２は、貫通孔１１ｃの内壁面を覆う。回路基板２０は、貫通孔１１ｃを充填する貫通電極２２を備える。貫通電極２２は、貫通孔１１ｃの内壁面に、ガラス膜１２を挟んで設けられる。
　図４を参照して、一実施形態に係る回路基板２０の製造方法について説明する。回路基板２０の製造方法は、例えばステップＳ１０１～Ｓ１０８を有する。なお、回路基板２０の製造方法は、ステップＳ１０１～Ｓ１０８の全てを有しなくてもよく、例えばステップＳ１０８を有しなくてもよい。また、回路基板２０の製造方法は、ステップＳ１０６とＳ１０７のうち、Ｓ１０６のみを有してもよい。また、回路基板２０の製造方法は、図示しないステップを有してもよい。例えば、貫通電極２２は、ビアフィリングめっきで形成してもよい。
　ステップＳ１０１は、ガラス基板１１を洗浄することを含む。ガラス基板１１の洗浄法は、一般的なものであってよい。ガラス基板１１は、貫通孔１１ｃを有してもよいし、貫通孔１１ｃを有しなくてもよい。なお、貫通孔１１ｃは、上記の通り、ガラス膜１２の成膜（ステップＳ１０２）の後に形成してもよい。
　ステップＳ１０２は、ガラス膜１２を成膜することを含む。ガラス膜１２の成膜方法は、ウェットプロセスでもよいし、ドライプロセスでもよい。ウェットプロセスは、例えばゾルゲル法またはＬＰＤ（Liquid Phase Deposition）法を含む。ドライプロセスは、例えばスパッタリング法または蒸着法を含む。
　ゾルゲル法は、ゾル溶液を加熱して酸化物を得る方法である。ゾル溶液のコーティング法は、特に限定されないが、均一な膜厚のガラス膜１２を形成する観点から、ディップコーティング法であることが好ましい。ゾル溶液は、ガラスの前駆体と溶媒とを含む混合液である。溶媒は、水と有機溶媒の少なくとも１つを含む。有機溶媒は、アルコールなどである。
　ゾル溶液のＳｉ源は、例えばＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）又はＴＭＯＳ（Tetramethoxylsilane）である。ゾル溶液のＡｌ源は、例えばＡｌ（ＮＯ３）３、ＡｌＣｌ３、又は（Ａｌ（ＯＣ４Ｈ９）３）などである。ゾル溶液のアルカリ土類金属源は、例えば、Ｃａ（ＮＯ３）２、Ｍｇ（ＮＯ３）２、Ｂａ（ＮＯ３）２、又はＳｒ（ＮＯ３）２などである。ゾル溶液のＢ源は、Ｂ２Ｏ３、又はＮａ２Ｂ４Ｏ７・１０Ｈ２Ｏなどである。
　各元素源の混合比は、第２ガラスの組成に応じて決める。Ｓｉ源の添加量（モル）は、溶媒の添加量（モル）の０．０１倍～０．４倍であることが好ましい。各元素源と溶媒とｐＨ調節剤とを含む混合液を撹拌しながら反応させ、ゾル溶液を作製する。ｐＨが１～６である場合、ｐＨ調節剤は塩酸、硝酸または硫酸などである。ｐＨが８～１３である場合、ｐＨ調節剤はアンモニア水またはＮａＯＨ水溶液などである。撹拌時間は４８時間以下であってよい。撹拌温度は室温～８０℃であることが好ましい。
　ゾル溶液に浸漬したガラス基板１１をゾル溶液から引き上げることで均一なコーティング膜を形成できる。引き上げ速度は、０．１ｍｍ／ｓｅｃ～１０ｍｍ／ｓｅｃであることが好ましい。引き上げ速度が上記範囲内であれば、ゾル溶液の表面張力によって第１主面１１ａと第２主面１１ｂと貫通孔１１ｃの内壁面に均一なコーティング膜を形成できる。コーティング膜を加熱することで、ガラス膜１２を得ることができる。なお、金属膜２１との密着性を高めるために、ガラス膜１２の上に金属酸化物の密着層をさらに形成してもよい。
　ステップＳ１０３は、触媒の吸着（ステップＳ１０４）のための前処理を含む。前処理は、特に限定されないが、例えばセンシタイジング処理またはコンディショニング処理を含む。センシタイジング処理は、例えばＳｎＣｌ２の水溶液に絶縁基板１０を浸漬させ、絶縁基板１０の表面にＳｎ２＋を吸着させることを含む。コンディショニング処理は、例えばカチオン性ポリマーの水溶液に絶縁基板１０を浸漬させ、絶縁基板１０の表面にポリマーを吸着させることを含む。
　ステップＳ１０３において、酸性（例えばｐＨ０～３程度）の水溶液を使用することがある。本実施形態によれば、耐酸性の低いガラス基板１１を耐酸性の高いガラス膜１２で保護する。それゆえ、ステップＳ１０３において絶縁基板１０の表面からガラスが溶出することを抑制でき、絶縁基板１０の表面にＳｎ２＋又はポリマーなどを吸着させることができる。
　ステップＳ１０４は、触媒を含む水溶液に絶縁基板１０を浸漬させ、絶縁基板１０の表面に触媒を吸着させることを含む。触媒は、Ｐｄ、Ａｕ又はＡｇを含む。Ｐｄは、例えば、ＰｄＣｌ２、ＳｎとＰｄの複合コロイド、又はアミン系有機分子で錯体化したＰｄイオンの形態で水溶液に含まれる。
　ステップＳ１０４において、酸性（例えばｐＨ０～３程度）の水溶液を使用することがある。本実施形態によれば、耐酸性の低いガラス基板１１を耐酸性の高いガラス膜１２で保護する。それゆえ、ステップＳ１０４において絶縁基板１０の表面からガラスが溶出することを抑制でき、絶縁基板１０の表面に触媒を吸着させることができる。
　ステップＳ１０５は、触媒を活性化させることを含む。触媒を活性化させることは、例えばＰｄイオンをＰｄ金属に還元することを含む。還元には、還元剤を含む水溶液が用いられる。還元剤は、ジメチルアンモニウムボラン（ＤＭＡＢ）又は次亜リン酸ナトリウムなどである。触媒を活性化させることは、不要物を除去することを含んでもよい。不要物の除去には、硫酸、塩酸または水酸化ナトリウム水溶液などが用いられる。
　ステップＳ１０５において、酸性（例えばｐＨ０～３程度）の水溶液を使用することがある。本実施形態によれば、耐酸性の低いガラス基板１１を耐酸性の高いガラス膜１２で保護する。それゆえ、ステップＳ１０５において絶縁基板１０の表面からガラスが溶出することを抑制でき、触媒を活性化させることができる。
　ステップＳ１０６は、無電解めっきにより金属膜２１の一部を成膜することを含む。無電解めっきは、絶縁基板１０をめっき液に浸漬させ、錯体化した金属イオンの還元によって金属（例えばＣｕ）を絶縁基板１０の表面に析出させることを含む。めっき液は、例えば金属源と錯化剤と還元剤を含む。金属源は、特に限定されないが、例えば硫酸銅である。錯化剤は、特に限定されないが、例えばロッシェル塩（酒石酸ナトリウムカリウム）またはＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）である。還元剤は、特に限定されないが、例えばホルムアルデヒドである。
　ステップＳ１０６において、めっき液のｐＨは通常１１．５～１３程度であるので、ガラスの耐酸性は不要である。
　ステップＳ１０７は、電解めっきにより金属膜２１の残部を成膜することを含む。電解めっきは、無電解めっきを施した絶縁基板１０をカソード電極としてめっき液に浸漬させ、カソード電極とアノード電極の間に電圧を印加することで、絶縁基板１０の表面に金属（例えばＣｕ）を析出させることを含む。めっき液は、例えば硫酸銅と硫酸を含む水溶液である。
　なお、ステップＳ１０７において、めっき液のｐＨは通常０以下である。本実施形態によれば、耐酸性の低いガラス基板１１を耐酸性の高いガラス膜１２で保護する。それゆえ、無電解めっき皮膜のピンホールを介して絶縁基板１０の表面からガラスが溶出することを抑制でき、電解めっきの不良を抑制できる。
　ステップＳ１０８は、金属膜２１のパターンニングを含む。金属膜２１のパターンニングは、金属膜２１のエッチングを含む。エッチング液としては、塩化鉄水溶液、又はＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合液）などの強酸水溶液を使用する。本実施形態によれば、耐酸性の低いガラス基板１１を耐酸性の高いガラス膜１２で保護する。それゆえ、ステップＳ１０８において絶縁基板１０の表面からガラスが溶出することを抑制でき、パターンニングの不良を抑制できる。
　［実施例］
　以下、実験データについて説明する。表１は、図５に示す回路基板２０の伝送損失をシミュレーションで算出した結果を示す。
　シミュレーションの解析には、Dassault Systemes Simulia社製のCST Studio Suite（登録商標）を使用した。回路基板２０は、図５に示すように、絶縁基板１０と、絶縁基板１０の上面に設けられる線状の銅配線層２１Ａと、絶縁基板１０の下面全体に設けられるグランド層２１Ｂとで構成した。銅配線層２１Ａとグランド層２１Ｂは、いわゆるマイクロストリップラインであった。
　シミュレーションでは、ガラス基板１１の板厚ｔ１とガラス膜１２の膜厚ｔ２の合計（ｔ１＋ｔ２×２）を５００μｍに維持しながらガラス膜１２の膜厚ｔ２を０μｍ～２５０μｍの範囲で変化させたときの、１ＧＨｚ～１００ＧＨｚでのＳパラメータ（散乱パラメータＳ２１）を計算した。銅配線層２１Ａの幅ｗは、銅配線層２１Ａの特性インピーダンスが５０Ωになるように設定した。また、銅配線層２１Ａの表面粗度は、表皮効果が問題とならないほど十分に平滑に設定した。
　表１から、ｔ２がｔ１の０．０５倍以下であれば、伝送損失が小さいことが分かる。なお、表１において、ガラス基板１１は表２に示す第１ガラスで構成し、ガラス膜１２は表２に示す第２ガラスで構成した。表２にＸＲＦで測定した第１ガラスの組成とＸＰＳで測定した第２ガラスの組成を示す。
　表２に、耐酸性の測定結果を併せて示す。耐酸性は、４５℃の混酸水溶液（ＨＮＯ３：６質量％、Ｈ２ＳＯ４：５質量％）にガラスを１７０秒浸漬し、単位表面積当たりのガラス成分の溶出量（ｍｇ／ｃｍ２）で評価した。溶出量が少ないほど、耐酸性が良い。表２から、第２ガラスは第１ガラスに比べて耐酸性に優れていることが分かる。
　表２に、比誘電率及び誘電正接の測定結果を併せて示す。比誘電率及び誘電正接はＪＩＳ　Ｒ１６４１：２００７に準拠して、空洞共振器およびベルトネットワークアナライザを用いて測定した。測定周波数は、空洞共振器の空気の共振周波数である１０ＧＨｚとした。
　表２において、第３ガラスは、第１ガラスを第２ガラスでコーティングしたものである。第３ガラスを構成する第２ガラスは、ＲＦマグネトロンスパッタリング法で成膜した。その成膜条件は、下記の通りであった。
ターゲット：無アルカリガラス、
スパッタガス：Ａｒガスと酸素ガスの混合ガス、
Ａｒガスの流量：２０ｓｃｃｍ、
酸素ガスの流量：２０ｓｃｃｍ、
ＲＦ電源：ジェイエス技研社製、MODEL RF-301、
電力：５０Ｗ、
時間：３０分。
　表２に、無電解めっき皮膜の析出試験の結果を併せて示す。第２ガラスと第３ガラスは表面全体が無電解めっき皮膜で覆われたのに対し、第１ガラスは表面のほとんどが無電解めっき皮膜で覆われずに露出していた。表２における無電解めっき皮膜の析出試験（ステップＳ１０３～Ｓ１０６）の条件を表３に示す。
　表３に示すステップＳ１０４において水溶液のｐＨが０以下であったため、第１ガラスの表面からガラス成分が溶出し、その結果、第１ガラスの表面のほとんどが無電解めっき皮膜で覆われずに露出したと考えられる。
　表３とは別の条件（表４に示す条件）でめっき皮膜（膜厚：２０μｍ）を第１ガラス、第２ガラス、第３ガラス及びソーダライムガラスの表面に形成し、めっき皮膜の密着性を評価した。
　表４のステップＳ１０６（無電解めっき）の後であってステップＳ１０７（電解めっき）の前に、４００℃で３０分間、加熱処理を行った。また、表４のステップＳ１０７（電解めっき）の後に、３７０℃で１時間、加熱処理を行った。
　めっき皮膜の密着性は、ピール強度で評価した。ピール強度が高いほど、密着性が良い。ピール強度は、島津製作所社製の精密万能試験機オートグラフ（商品名：AGX－V）で測定した。引張速度は５０ｍｍ／ｍｉｎであって、剥離角度は９０°であって、試験ストロークは３０ｍｍであった。ピール強度の測定結果を図６に示す。
　図６に示すように、第２ガラス及び第３ガラスに対するめっき皮膜の密着性は、第１ガラスに対するめっき皮膜の密着性よりも高く、ソーダライムガラスに対するめっき皮膜の密着性と同程度であった。
　以上、本開示に係る絶縁基板および回路基板について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
　なお、本出願は、２０２４年５月１４日出願の日本特許出願（特願２０２４－０７８８１６）に基づくものであり、その内容は本出願の中に参照として援用される。
１０　絶縁基板
１１　ガラス基板
１１ａ　第１主面
１１ｂ　第２主面
１２　ガラス膜
２０　回路基板
２１　金属膜
２２　貫通電極

Claims (12)

  1. 　第１主面と前記第１主面とは反対向きの第２主面を有するガラス基板と、前記ガラス基板の前記第１主面と前記第２主面の少なくとも片面の少なくとも一部を覆うガラス膜と、を備える、絶縁基板であって、
    　前記ガラス基板は第１ガラスで構成され、前記第１ガラスは酸化物基準のモル％表示でＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８０ｍｏｌ％以上であって、Ｂ２Ｏ３の含有量が１０ｍｏｌ％以上であって、且つアルカリ金属酸化物の合計含有量が０．５ｍｏｌ％以下であり、
    　前記ガラス膜は第２ガラスで構成され、前記第２ガラスは酸化物基準のモル％表示でＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合計含有量が８０ｍｏｌ％未満であって、Ｂ２Ｏ３の含有量が前記第１ガラスよりも少なく、
    　前記ガラス膜の膜厚が前記ガラス基板の板厚の０．０５倍以下である、絶縁基板。
  2. 　前記第１ガラスの比誘電率は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて５．０以下である、請求項１に記載の絶縁基板。
  3. 　前記第１ガラスの誘電正接は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて０．０１０以下である、請求項１に記載の絶縁基板。
  4. 　前記第２ガラスの比誘電率は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて１０．０以下である、請求項１に記載の絶縁基板。
  5. 　前記第２ガラスの誘電正接は、測定周波数１０ＧＨｚにおいて０．０３０以下である、請求項１に記載の絶縁基板。
  6. 　前記ガラス基板は、前記第１主面から前記第２主面まで貫通する貫通孔を有する、請求項１に記載の絶縁基板。
  7. 　前記ガラス膜は、前記貫通孔の内壁面を覆う、請求項６に記載の絶縁基板。
  8. 　請求項１～５のいずれか１項に記載の絶縁基板と、
    　前記ガラス基板の前記第１主面と前記第２主面の少なくとも片面の少なくとも一部に、前記ガラス膜を挟んで設けられる金属膜と、
    を備える、回路基板。
  9. 　前記ガラス基板の前記第１主面と前記第２主面の少なくとも片面の一部のみに前記ガラス膜と前記金属膜をこの順番で有し、
    　前記ガラス膜と前記金属膜は同じパターンを有する、請求項８に記載の回路基板。
  10. 　前記ガラス膜は前記金属膜よりも大きく、前記ガラス膜の前記金属膜に重ならない部位の膜厚は前記ガラス膜の前記金属膜に重なる部位の膜厚よりも薄い、請求項８に記載の回路基板。
  11. 　前記ガラス基板は、前記第１主面から前記第２主面まで貫通する貫通孔を有し、
    　前記ガラス膜は、前記貫通孔の内壁面を覆わず、
    　前記回路基板は、前記貫通孔を充填する貫通電極を備え、
    　前記貫通電極は、前記貫通孔の内壁面に接する、請求項８に記載の回路基板。
  12. 　前記ガラス基板は、前記第１主面から前記第２主面まで貫通する貫通孔を有し、
    　前記ガラス膜は、前記貫通孔の内壁面を覆い、
    　前記回路基板は、前記貫通孔を充填する貫通電極を備え、
    　前記貫通電極は、前記貫通孔の内壁面に、前記ガラス膜を挟んで設けられる、請求項８に記載の回路基板。
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