WO2025173530A1

WO2025173530A1 - プローブ装置およびその製造方法

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Publication number: WO2025173530A1
Application number: PCT/JP2025/002533
Authority: WO
Inventors: 雄二齋藤; 和也塩尻; 健二安生
Original assignee: V Technology Co Ltd
Current assignee: V Technology Co Ltd
Priority date: 2024-02-14
Filing date: 2025-01-28
Publication date: 2025-08-21
Anticipated expiration: 2026-08-14
Also published as: TW202601126A

Abstract

微細化ならび狭ピッチ化に対応して低コストで確実な測定・検査を可能にするプローブ装置を提供するため、プローブ装置基板と、第1弾性材料層と、第１配線パターンと、第２弾性材料層と、第２配線パターンと、前記第２弾性材料層を貫通して、互いに対応する前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続するスルーホールと、を備え、前記プローブが前記第２配線パターンの上に、前記第２弾性材料層の上面に対して直角をなす方向へ突出するように形成されている。

Description

プローブ装置およびその製造方法

　本発明は、被検査基板の表面に形成された電極に接触させて、被検査基板の電気的な測定・検査を可能とするプローブ装置およびその製造方法に関する。

　フリップチップ技術を用いたフリップチップパッケージ（半導体パッケージ）が開発されている。フリップチップパッケージは、半導体チップと、この半導体チップを搭載するためのパッケージ基板と、を備える。パッケージ基板の表面には、多数の電極パッド部が形成されている。それぞれの電極パッド部には、はんだバンプが形成されている。はんだバンプは、半導体チップとの接続部となるものであり、電極パッド部のメタル層の上に例えばめっき技術などによって形成されている。

　このようなパッケージ基板の電気特性の測定・検査には、複数のプローブを備えるプローブ装置が用いられる。プローブ装置では、はんだバンプの高さにばらつきがあっても、複数のプローブが同時にはんだバンプに接触することが要求される。従来のプローブ装置としては、プローブの先端が進退（出没）動作可能となるように、スプリングコイルで付勢された機械構造のものを２次元的に配置したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この従来のプローブ装置では、４端子検査方法により、被測定対象基板の電気特性が測定される。この他のプローブとしては、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて製造された多数のカンチレバー構造のものを２次元的に配置するものなどが知られている。

特開２００５－３１５７７５号公報

　近年、半導体チップは、製造プロセス技術の向上により益々高集積化が進んでいる。これに伴い、この半導体チップを搭載するためのパッケージ基板の表面においては、はんだバンプが形成された電極パッド部の数が増加して、電極パッド部の微細化および狭ピッチ化も進んでいる。しかし、上述のスプリングコイルを備える機械構造のプローブや、ＭＥＭＳ技術を用いて作製されるプローブなどは、パッケージ基板の表面において微細化および狭ピッチ化が進んだ電極パッド部に対向するように、２次元的に集積・配置させることが困難である。

　本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、微細化ならびに狭ピッチ化に対応して確実な測定・検査を可能にするプローブ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

　上述した課題を解決するために、本発明の態様は、複数のプローブを有し、電気特性の測定・検査を行うプローブ装置であって、プローブ装置基板と、前記プローブ装置基板の基板面上に設けられた第１弾性材料層と、前記第１弾性材料層の上面に形成され、前記第１弾性材料層の周縁部に配置された第１配線パッド部を有し、それぞれの前記プローブと対応する複数の第１配線パターンと、前記第１弾性材料層の上に積層された第２弾性材料層と、前記第２弾性材料層の上に形成され、それぞれの前記プローブに接続された第２配線パターンと、前記第２弾性材料層を貫通して、互いに対応する前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続するスルーホールと、を備え、前記プローブが前記第２配線パターンの上に、前記第２弾性材料層の上面に対して直角をなす方向へ突出するように形成されていることを特徴とする。

　上記態様としては、複数の前記プローブは、前記第２弾性材料層の上に集約して配置され、前記スルーホール同士は、前記プローブ同士の間隔よりも長い間隔で配置され、前記第２配線パターンは、それぞれの対応する前記スルーホールに向けて互いに間隔が広がるように形成されていることが好ましい。

　上記態様としては、前記第２弾性材料層は、感光性を有するポリイミドを用いて形成されていることが好ましい。

　上記態様としては、前記プローブは、ニッケルまたはニッケルコバルト合金で形成されていることが好ましい。

　上記態様としては、前記プローブ装置基板は、ガラスからなることが好ましい。

　上記態様としては、前記プローブは、前記第２配線パターンにおける電極パッド部に設けられていることが好ましい。

　上記態様としては、前記第１配線パッド部には、ソケットまたはフレキシブル回路基板が接続されていることが好ましい。

　上記態様としては、前記第２配線パターンの下地に、シード層が形成されていることが好ましい。

　上記態様としては、前記第２弾性材料層の上面は、保護膜が形成され、前記プローブが前記保護膜を貫通して突出していることが好ましい。

　本発明の他の態様は、プローブ装置の製造方法であって、プローブ装置基板の基板面上に第１弾性材料層を成膜する工程と、前記第１弾性材料層の上に、前記第1弾性材料層の周縁部に配置される第１配線パッド部を有する複数の第１配線パターンを形成する工程と、前記第１弾性材料層の上に第２弾性材料層を積層する工程と、前記第２弾性材料層に、それぞれが前記第１配線パターンに接続する複数のスルーホールを形成する工程と、前記第２弾性材料層の上に、それぞれの前記スルーホールに接続する複数の第２配線パターンを形成する第２配線パターン形成工程と、それぞれの前記第２配線パターンの電極パッド部に、前記第２弾性材料層の上面に対して直角をなす方向に突出する複数のプローブを電鋳加工により形成するプローブ形成工程と、を備えることを特徴とする。

　上記態様としては、複数の前記プローブを前記第２弾性材料層の上に集約するように配置させ、前記スルーホール同士は、前記プローブ同士の間隔よりも長い間隔で配置させ、前記第２配線パターンを、それぞれの対応する前記スルーホールに向けて互いに間隔が広がるように形成することが好ましい。

　上記態様としては、前記第２弾性材料層は、感光性を有するポリイミドを用いて形成することが好ましい。

　上記態様としては、前記第１配線パッド部には、ソケットまたはフレキシブル回路基板を接続することが好ましい。

　上記態様としては、前記第２配線パターンの下地に、シード層を形成する工程を備え、前記第２配線パターン形成工程では、前記第２配線パターンにおける前記電極パッド部の中央に前記シード層を露出させる露出開口部を形成し、前記プローブ形成工程では、前記プローブが前記シード層から前記露出開口部を経て突出するように電鋳加工する前記露出部から前記電極パッド部の上方に向けて突出するように電鋳加工することが好ましい。

　上記態様としては、前記第２弾性材料層の上面全体に、保護膜を覆い、前記プローブが前記保護膜を貫通して突出することが好ましい。

　本発明に係るプローブ装置およびその製造方法によれば、微細化ならびに狭ピッチ化に対応して確実な測定・検査を可能にするという効果がある。

図１は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の概略構成を示す平面図である。図２は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の概略構成を示す断面図である。図３は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の要部を示す部分破断斜視図である。図４－１は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法における第1弾性材料層の形成工程を示す工程断面図である。図４－２は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法における第１配線層を形成する工程を示す工程断面図である。図４－３は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法における第１配線パターンを形成する工程を示す工程断面図である。図５－１は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法における第２弾性材料層に接続用開口部のパターン露光を行う工程を示す工程断面図である。図５－２は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法における接続用開口部を形成する加工を示す工程断面図である。図６－１は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法におけるスルーホールの形成工程を示す工程断面図である。図６－２は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法における第２配線パターンを形成するためのレジストパターンを形成する露光工程を示す工程断面図である。図７－１は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法における第２配線パターンを形成するためのレジストパターンを現像した状態を示す工程断面図である。図７－２は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法における第２配線パターンを形成する工程を示す工程断面図である。図８－１は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法におけるプローブ形成工程を示す工程断面図である。図８－２は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法におけるプローブ形成工程（第２の電鋳工程）を示す工程断面図である。図９－１は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法におけるフォトレジストの除去およびシード層のエッチングを行う工程を示す工程断面図である。図９－２は、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置の製造方法における保護膜形成工程を示す工程断面図である。図１０は、本発明の第２の実施の形態に係るプローブ装置の概略構成を示す平面図である。図１１は、本発明の第２の実施の形態に係るプローブ装置の概略構成を示す断面図である。

　以下に、本発明の実施の形態に係るプローブ装置およびその製造方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各部材の数、各部材の寸法、寸法の比率、形状などは現実のものと異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率や形状が異なる部分が含まれている。

　本実施の形態では、被検査基板として、例えば表面または裏面に多数のバンプが設けられているパッケージ基板、プリント配線基板、フレキシブル基板、多層配線基板、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの電極板、およびフィルムキャリアなど種々の基板に適用可能である。また、本実施の形態に係るプローブ装置は、ウェハやＬＳＩチップと呼ばれる半導体素子の電気特性を測定する場合にも適用できる。

［第１の実施の形態］

（プローブ装置の概略構成）
　図１から図３を用いて、本発明の第１の実施の形態に係るプローブ装置２０の構成、作用、および効果について説明する。

　図１から図３に示すように、本実施の形態に係るプローブ装置２０は、プローブ装置基板１と、第１弾性材料層２と、第１配線パターン３Ａと、第２弾性材料層４と、第２配線パターン１０と、第２弾性材料層４を貫通するスルーホール６と、第２弾性材料層４の中央に集約して配置された複数のプローブ１２と、を備える。

　プローブ装置基板１は、長方形のガラス板からなり、例えば、５００μｍの厚さを有する。プローブ装置基板１の大きさは、図示しない被測定基板の大きさ、バンプの数、バンプの配置構造などに応じて、適宜設定される。

　第１弾性材料層２は、クッション性、可撓性などを有するポリイミドからなり、プローブ装置基板１の一方の基板面の全体に亘って積層されている。すなわち、第１弾性材料層２もプローブ装置基板１と同様に長方形に形成されている。第１弾性材料層２の厚さ寸法として、例えば３．０～５０．０μｍに設定可能であるが、これに限定されるものではない。本実施の形態では、第１弾性材料層２の厚さ寸法が５μｍに設定されている。

　図２に示すように、第１弾性材料層２の上面（図２においては下面）には、複数の第１配線パターン３Ａが形成されている。これら第１配線パターン３Ａは、銅（Ｃｕ）からなり、膜厚が例えば６μｍに設定されている。図１に示すように、第１配線パターン３Ａは、Ｘ方向に沿って延在し、第１弾性材料層２の一辺の周縁部近傍に互いに間隔を隔てて略平行をなすように配置されている。図１に示すように、これら第１配線パターン３ＡにおけるＸ方向における周縁側に位置する端部には、平面長方形状の第１配線パッド部３Ｂが形成されている。本実施の形態では、Ｙ方向に沿って、第１配線パッド部３ＢがＸ方向に互い違いに配置され、Ｙ方向に並ぶ第１配線パッド部３Ｂが２列になるような配置に設定されている。このため、それぞれのＹ方向に沿った列における第１配線パッド部３Ｂ同士の間隔が、大きくなるように設定されている。なお、本実施の形態では、第１配線パッド部３Ｂの列を２列に設定したが、第１配線パターン３Ａの数（プローブ１２の数）に応じて、適宜列数を設定してもよい。

　図２に示すように、本実施の形態では、第１弾性材料層２の上面側（図２においては下面側）に対して、この第１弾性材料層２の輪郭内に収まる小さな領域に第２弾性材料層４を積層している。第２弾性材料層４におけるＹ方向の辺の長さは、第１弾性材料層２のＹ方向の辺の長さに近い寸法に設定されている。図１および図２に示すように、上記第１配線パターン３Ａにおける第１弾性材料層２の周縁側に設けられた第１配線パッド部３Ｂと反対側の端部は、第２弾性材料層４の輪郭内に入る位置まで延在されている。

　本実施の形態では、第２弾性材料層４は、感光性を有するポリイミドからなり、膜厚が例えば１０μｍに設定されている。図１に示すように、上記した複数のスルーホール６は、第１弾性材料層２において第１配線パッド部３Ｂが配置されている領域に近い、第２弾性材料層４（保護膜１３の下地層）の周縁部の近傍に、Ｙ方向に沿って配置されている。スルーホール６同士の間隔は、後述するプローブ１２同士の間隔よりも大きくなるように設定されている。

　スルーホール６は、第２弾性材料層４に所定パターンが設定されたフォトマスクを介して光照射を行い、光照射された領域が除去されるように現像して形成された接続用開口部４Ａ（図５-２参照）内に無電解めっきおよびＣｕめっきにより形成されている。

　第２弾性材料層４の上面（図２においては下面）には、シード層７を下地とする第２配線パターン１０が形成されている。図１および図３に示すように、それぞれの第２配線パターン１０（シード層７を含む）の一端は、スルーホール６の上端面に接続されている。複数の第２配線パターン１０は、それぞれの端部に形成された電極パッド部１０Ａが、第２弾性材料層４の中央部にマトリクス状に集束するように引き回されている。

　図２および図３に示すように、この電極パッド部１０Ａには、プローブ１２が、第２弾性材料層４に直角をなす方向に突出するように設けられている。このプローブ１２には、ニッケルまたはニッケルコバルト合金を用いることができ、本実施の形態では、ニッケルコバルト合金を用いている。具体的には、図９－１に示すように、電極パッド部１０Ａの中央に露出したシード層７から露出開口部１１Ｂを経てプローブ１２が成長するように電鋳加工して形成されている。

　スルーホール６同士は、プローブ１２同士の間隔よりも長い間隔で配置され、第２配線パターン１０は、それぞれの対応するスルーホール６に向けて互いに間隔が広がるように形成されている。

　プローブ１２が設けられた第２弾性材料層４の上には、保護膜１３が形成されている。保護膜１３としては、レジストもしくは感光性を有するポリイミドを用いることが好ましい。本実施の形態では、保護膜１３の厚さとしては、例えば２０μｍに設定されているが、これに限定されるものではない。この保護膜１３からは、プローブ１２が突出している。

　図１および図２に示すように、本実施の形態では、第１弾性材料層２における第１配線パッド部３Ｂが形成された周縁部に、フレキシブル回路基板１４が接続されている。図２に示すように、フレキシブル回路基板１４は、一端側の表面に、第１配線パッド部３Ｂに接続する接続パッド部１４Ａが形成され、他端側の裏面に接続パッド部１４Ｂが設けられている。この接続パッド部１４Ｂは、テスタなどへの接続に用いることができる。なお、本実施の形態では、フレキシブル回路基板１４を用いたが、この他にソケットを用いることも可能である。

　また、本実施の形態では、第１弾性材料層２および第２弾性材料層４として、ポリイミドを用いたが、それ以外の材料として、ポリアミド、ポリエステル、ポリエチレン、ポリビニルアルコール、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリスチレン等を挙げることができる。

　本実施の形態では、第２弾性材料層４として感光性のポリイミドを用いたが、感光性を有しないポリイミドを用い、スルーホール６のための接続用開口部４Ａをレーザ照射で加工することにより開口させる構成としてもよい。

［本実施の形態の作用・効果］
　本実施の形態では、マトリクス状に配置された複数のプローブ１２が、被検査基板側のバンプ同士の間隔などに応じて短い間隔に設定されている。しかし、それぞれのプローブ１２に接続された第２配線パターン１０は、間隔が長く設定されたスルーホール６の上端面に向けて、引き回せばよいため、微細化ならびに狭ピッチ化されたプローブ１２であっても、確実に測定・検査を可能にすることができる。

　上述のように、本実施の形態に係るプローブ装置２０では、微細化ならびに狭ピッチ化されたプローブ１２であっても、第１配線パターン３Ａ同士の間隔を広く設定することが可能となるため、配線接続ミスを回避できるという効果がある。

　本実施の形態では、第１弾性材料層２の上に、第２弾性材料層４を積層し、さらに、第２弾性材料層４からプローブ１２を突出させる構成であるため、フレキシブル回路基板１４やソケットを接続した場合に、これらフレキシブル回路基板１４やソケットがプローブ１２側へ突出することがないため、配線接続の自由度を向上できる。

　本実施の形態では、第１弾性材料層２および第２弾性材料層４を積層した構成により、プローブ１２を被測定基板側へ接触させた際に、被測定基板側からの反力を吸収するクッション性が得られるため、配線接続自由度の向上に加えて、プローブ１２や、被測定基板側へダメージが発生することを防止できるという効果がある。このため、本実施の形態によれば、従来のようなスプリングコイルで付勢された機械構造を有するプローブを用いる必要がなく、検査の安定性および精密性を向上できる。

　すなわち、本実施の形態では、第１弾性材料層２および第２弾性材料層４により、被検査基板側の複数のバンプ間の高さにばらつきがあった場合に、ばらつきを吸収できるため、測定精度が高く、安定した測定を可能となる。

　本実施の形態では、スルーホール６が、無電解めっきと、Ｃｕめっきと、で形成されたものであるため、第２弾性材料層４に対してスルーホール６の密着性を向上できる。このため、本実施の形態によれば、電気的な安定性を確保できる。

（プローブ装置の製造方法）
　以下、図４－１から図９－２を用いて、本実施の形態に係るプローブ装置２０の製造方法について説明する。

（第１弾性材料層形成工程）
　まず、図４－１に示すように、プローブ装置基板１の上にポリイミドからなる第１弾性材料層２を、例えば膜厚が３．０～５０μｍとなるように塗布する。

（第１配線パターン形成工程）
　次に、図示しないフォトレジストを用いてパターニングを行い、パターニングされたフォトレジストを用いて、図４－３に示すような第１配線パターン３Ａを電鋳成膜する。なお、この第１配線パターン形成工程は、図４－２に示すように、第１弾性材料層２の上に、Ｃｕからなる第１配線層３を形成し、図示しないフォトレジストを用いて、周知のフォトリソグラフィー技術を行い、図４－３に示すような第１配線パターン３Ａを形成してもよい。このような第１配線パターン３Ａの形成工程においては、第１弾性材料層２の周縁部に図１に示すような第１配線パッド部３Ｂが配置されるようにパターン形成する。

（第２弾性材料層形成工程）
　次に、図５－１に示すように、第１配線パターン３Ａが形成された第１弾性材料層２の上に第２弾性材料層４を、例えば膜厚が１０μｍとなるように塗布する。第２弾性材料層４としては、感光性を有するポリイミドを用いる。

（スルーホール形成工程）
　そして、図５－１に示すように、フォトマスク５を用いて、スルーホール６を充填する接続用開口部４Ａを形成するための露光を行う。第２弾性材料層４は感光性を有するため、図５－２に示すように、露光された部分が現像により除去されて、接続用開口部４Ａが形成される。なお、接続用開口部４Ａは、スルーホール６を形成するため、下地の第１配線パターン３Ａが露呈される。

　次に、図６－１に示すように、無電解めっきおよびＣｕめっきを行って、接続用開口部４Ａ内にスルーホール６を形成する。

（第２配線パターン形成工程）
　次に、図６－２に示すように、スルーホール６が形成された第２弾性材料層４の上に、ニッケルコバルト合金からなるシード層７を無電解めっきで形成する。なお、シード層７としては、ニッケル（Ｎｉ）を無電解めっきしてもよい。また、シード層７の形成方法としては、無電解めっきの他に、スパッタリング、蒸着などを行ってもよい。

　その後、シード層７の上にポジ型のフォトレジスト８を塗布、プリベークし、フォトマスク９を用いて露光を行う。なお、本実施の形態では、ポジ型のフォトレジスト８を用いたが、ネガ型のフォトレジストを用いることも可能である。なお、上記の露光において、フォトマスク９を用いずに、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）等を用いた直描露光で動的にパターンを作成してもよい。

　次に、図７－１に示すように、現像を行ってフォトレジスト８の残存部８Ａを形成する。なお、残存部８Ａが形成されない部分は、露出部８Ｂとなる。次いで、図７－２に示すように、電鋳加工を行って電極パッド部１０Ａを含む第２配線パターン１０を形成し、残存部８Ａを除去する

（プローブ形成工程）
　次に、図８－１に示すように、フォトレジスト１１を塗布した後、フォトレジスト１１に所定のフォトマスクを用いて露光を行い、その後、現像を行う。これにより、フォトレジスト１１は、残存部１１Ａと、シード層７を露出させる露出開口部１１Ｂとが形成される。図８－２に示すように、それぞれの第２配線パターン１０の電極パッド部１０Ａに、第２弾性材料層４の上面に対して直角をなす方向に突出する複数のプローブ１２を電鋳加工によりニッケルコバルト合金を成長させて形成する。その後、図９－１に示すように、フォトレジスト１１を除去する。

　なお、本実施の形態では、複数のプローブ１２は、第２弾性材料層４の中央部上に集約するようにパターン設定し、スルーホール６同士は、プローブ１２同士の間隔よりも長い間隔に設定する。そして、第２配線パターン１０は、それぞれの対応するスルーホール６に向けて互いに間隔が広がるようにパターン設定しておく。

（保護膜形成工程）
　その後、図９－２に示すように、レジストもしくは感光性ポリイミドからなる保護膜１３を周知の方法で形成する。なお、保護膜１３としては、ＣＶＤ法による窒化膜、酸化膜、ＳＯＧ（Spin-On-Glass）膜、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）などを形成して、プローブ１２が露出するようにエッチバックして形成することができる。

　以上で説明したプローブ装置２０の製造方法では、プローブ装置基板１上に第１弾性材料層２を形成し、その上に第２弾性材料層４を積層し、さらに、第２弾性材料層４からプローブ１２を形成することでプローブ装置２０を形成していたが、異なる方法で製造することも可能である。具体的には、エッチングによりシリコン基板上にプローブ１２と同形状の穴部を形成し、その上にめっきでプローブ１２を形成する。さらに、第２弾性材料層４、第１弾性材料層２の順に形成し、プローブ装置基板１を貼り合わせることでも、プローブ装置２０を製造することが可能である。しかしながら、本実施の形態で説明した製造方法と比べると、シリコン基板のエッチングを行うなど、プロセスが複雑化するため、本実施の形態の製造方法が、より好ましい。

［第２の実施の形態］
　図１０および図１１は、本発明の第２の実施の形態に係るプローブ装置２０Ａの概略構成を示す。以下、本実施の形態に係るプローブ装置２０Ａは、上述の第１の実施の形態に係るプローブ装置２０においてプローブ１２の数を増やし、４つのフレキシブル回路基板１４を接続する構成である。以下、本実施の形態の構成において、上記第１の実施の形態に係るプローブ装置２０の異なる部分を説明し、同様の構成については説明を省略する。

　本実施の形態では、プローブ装置基板１の基板面上に第１弾性材料層２が形成され、第１弾性材料層２の４辺の近傍には、Ｘ方向またはＹ方向に延びる、それぞれ２列の第１配線パッド部３Ｂの列が形成されている。図１０および図１１に示すように、それぞれの列の第１配線パッド部３Ｂから延在される第１配線パターン３Ａは、第２弾性材料層４の領域内に向けて略平行をなすように延在されている。第２弾性材料層４および保護膜１３は、第１弾性材料層２の中央の領域に配置されている。

　さらに、第２弾性材料層４の４辺の近傍には、それぞれＸ方向またはＹ方向に沿って配列されたスルーホール６が設けられている。第２弾性材料層４の中央には、多数のプローブ１２が集約されて配置されている。それぞれのプローブ１２からは、対応するスルーホール６へ向けて第２配線パターン１０が形成されている。これら複数の第２配線パターン１０は、互いに干渉しないように、スルーホール６に向けて互いに離れるようにパターン形成されている。

　本実施の形態では、プローブ１２の数が多い場合でも、第２配線パターン１０を第２弾性材料層４の上面における４辺に向けて分散させて形成できる。また、第２配線パターン１０は、対応するスルーホール６を介して対応する第１配線パターン３Ａに接続される。このため、第１配線パターン３Ａの第１配線パッド部３Ｂ同士の間隔も長くすることができる。したがって、本実施の形態に係るプローブ装置２０Ａでは、プローブ１２の微細化ならび狭ピッチ化に対応でき、従来のようなスプリングコイルで付勢された機械構造を有するプローブを用いる必要がなく、検査の安定性および精密性を向上できる。

［その他の実施の形態］
　以上、本発明の第１および第２実施の形態について説明したが、実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。

　例えば、上記の実施の形態では、フレキシブル回路基板１４を１辺または４辺の周縁部で接続する構成としたが、２辺または３辺の周縁部にフレキシブル回路基板１４などの接続手段を接続してもよい。

　１　プローブ装置基板
　２　第１弾性材料層
　３　第１配線層
　３Ａ　第１配線パターン
　３Ｂ　第１配線パッド部
　４　第２弾性材料層
　４Ａ　接続用開口部
　５　フォトマスク
　６　スルーホール
　７　シード層
　８　フォトレジスト
　８Ａ　残存部
　８Ｂ　露出部
　９　フォトマスク
　１０　第２配線パターン
　１０Ａ　電極パッド部
　１０Ｂ　第２配線接続パッド部
　１１　フォトレジスト
　１１Ａ　残存部
　１１Ｂ　露出開口部
　１２　プローブ
　１３　保護膜
　１４　フレキシブル回路基板
　１４Ａ，１４Ｂ　接続パッド部
　２０，２０Ａ　プローブ装置

Claims

　複数のプローブを有し、電気特性の測定・検査を行うプローブ装置であって、
　プローブ装置基板と、
　前記プローブ装置基板の基板面上に設けられた第１弾性材料層と、
　前記第１弾性材料層の上面に形成され、前記第１弾性材料層の周縁部に配置された第１配線パッド部を有し、それぞれの前記プローブと対応する複数の第１配線パターンと、
　前記第１弾性材料層の上に積層された第２弾性材料層と、
　前記第２弾性材料層の上に形成され、それぞれの前記プローブに接続された第２配線パターンと、
　前記第２弾性材料層を貫通して、互いに対応する前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接続するスルーホールと、を備え、
　前記プローブが前記第２配線パターンの上に、前記第２弾性材料層の上面に対して直角をなす方向へ突出するように形成されていることを特徴とするプローブ装置。
　複数の前記プローブは、前記第２弾性材料層の上に集約して配置され、前記スルーホール同士は、前記プローブ同士の間隔よりも長い間隔で配置され、前記第２配線パターンは、それぞれの対応する前記スルーホールに向けて互いに間隔が広がるように形成されている、
　請求項１に記載のプローブ装置。
　前記第２弾性材料層は、感光性を有するポリイミドを用いて形成されている、
　請求項１に記載のプローブ装置。
　前記プローブは、ニッケルまたはニッケルコバルト合金で形成されている、
　請求項１に記載のプローブ装置。
　前記プローブ装置基板は、ガラスからなる、
　請求項１に記載のプローブ装置。
　前記プローブは、前記第２配線パターンにおける電極パッド部に設けられている、
　請求項１に記載のプローブ装置。
　前記第１配線パッド部には、ソケットまたはフレキシブル回路基板が接続されている、
　請求項１に記載のプローブ装置。
　前記第２配線パターンの下地に、シード層が形成されている、
　請求項１に記載のプローブ装置。
　前記第２弾性材料層の上面は、保護膜が形成され、前記プローブが前記保護膜を貫通して突出している、
　請求項１に記載のプローブ装置。
　プローブ装置基板の基板面上に第１弾性材料層を成膜する工程と、
　前記第１弾性材料層の上に、前記第1弾性材料層の周縁部に配置される第１配線パッド部を有する複数の第１配線パターンを形成する工程と、
　前記第１弾性材料層の上に第２弾性材料層を積層する工程と、
　前記第２弾性材料層に、それぞれが前記第１配線パターンに接続する複数のスルーホールを形成する工程と、
　前記第２弾性材料層の上に、それぞれの前記スルーホールに接続する複数の第２配線パターンを形成する第２配線パターン形成工程と、
　それぞれの前記第２配線パターンの電極パッド部に、前記第２弾性材料層の上面に対して直角をなす方向に突出する複数のプローブを電鋳加工により形成するプローブ形成工程と、
　を備えることを特徴とするプローブ装置の製造方法。
　複数の前記プローブを前記第２弾性材料層の上に集約するように配置させ、前記スルーホール同士は、前記プローブ同士の間隔よりも長い間隔で配置させ、前記第２配線パターンを、それぞれの対応する前記スルーホールに向けて互いに間隔が広がるように形成する、
　請求項１０に記載のプローブ装置の製造方法。
　前記第２弾性材料層は、感光性を有するポリイミドを用いて形成する、
　請求項１０に記載のプローブ装置の製造方法。
　前記プローブは、ニッケルまたはニッケルコバルト合金で形成されている、
　請求項１０に記載のプローブ装置の製造方法。
　前記プローブ装置基板は、ガラスからなる、
　請求項１０に記載のプローブ装置の製造方法。
　前記第１配線パッド部には、ソケットまたはフレキシブル回路基板を接続する、
　請求項１０に記載のプローブ装置の製造方法。
　前記第２配線パターンの下地に、シード層を形成する工程を備え、
　前記第２配線パターン形成工程では、前記第２配線パターンにおける前記電極パッド部の中央に前記シード層を露出させる露出開口部を形成し、
　前記プローブ形成工程では、前記プローブが前記シード層から前記露出開口部を経て突出するように電鋳加工する、
　請求項１０に記載のプローブ装置の製造方法。
　前記第２弾性材料層の上面を保護膜で覆い、前記プローブが前記保護膜を貫通して突出する、
　請求項１０に記載のプローブ装置の製造方法。