WO2025142153A1

WO2025142153A1 - 基板処理装置および基板処理方法

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Abstract

基板処理装置は、処理液を吐出するノズルと、ノズルに接続された第１の配管を含み、第１の配管を通してノズルに第１の液を供給する第１の液供給系と、ノズルおよび第１の配管により形成される液流路のうち互いに異なる複数の部分にそれぞれ接続された複数の第２の副配管を含み、それらの副配管のいずれかを通して液流路に第２の液を供給する第２の液供給系と、基板上に形成された膜の除去処理時に、複数の動作条件に基づいて第１の液供給系および第２の液供給系を制御する制御部とを備える。複数の動作条件は、基板の複数の部分の各々にそれぞれ対応付けられている。

Description

基板処理装置および基板処理方法

　本発明は、基板の一面上に形成された不要な膜を除去する基板処理装置および基板処理方法に関する。

　半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられる。

　特許文献１に記載された基板処理装置においては、基板（ウェハ）の一面上に形成された不要なレジスト膜がＳＰＭ（Sulfuric acid hydrogen peroxide mixture）を用いて除去される。より具体的には、レジスト膜を有する基板がスピンチャックにより水平姿勢で保持され、鉛直軸の周りで回転される。この状態で、回転する基板の上方の位置にＳＰＭノズルが配置され、当該ＳＰＭノズルから基板の回転中心に向かってＳＰＭが供給される。ＳＰＭは、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）と過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）との混合液であり、強い酸化力を有する。それにより、基板上のレジスト膜が、ＳＰＭの酸化力により基板の一面から剥離され、除去される。

特開２００８－４８１９号公報

　ところで、レジスト膜を有する基板上にＳＰＭが供給される場合、レジスト膜の複数の部分は、必ずしも均一に除去されるわけではない。例えば、基板上に形成されるレジスト膜は、レジスト膜の厚さのばらつきおよび基板とレジスト膜との間の密着力のばらつき等の要因により、基板の一面から除去されやすい部分と、基板の一面から除去されにくい部分とを含む場合がある。そこで、レジスト膜のうち基板の一面から除去されにくい部分を確実に除去するために、基板に対するＳＰＭの供給時間を長くすることが考えられる。

　しかしながら、レジスト膜のうち基板の一面から除去されやすい部分に、長時間に渡ってＳＰＭが供給されると、レジスト膜が除去された後、露出する基板の部分にＳＰＭが長時間に渡って供給されることになる。この場合、基板の一部がＳＰＭの酸化力により損傷を受ける可能性がある。また、長時間に渡るＳＰＭの供給は、基板１枚当たりのＳＰＭの使用量を増大させる。

　本発明の目的は、基板に損傷を与えることなく基板の一面上に形成された不要な膜を除去するとともに処理液の使用量を低減することを可能にする基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

　本発明の一局面に従う基板処理装置は、カロ酸を含む処理液により基板の一面上に形成された不要な膜を除去する除去処理を行う基板処理装置であって、前記カロ酸は、硫酸および過酸化水素水のうち一方を第１の液とし、硫酸および過酸化水素水のうち他方を第２の液とした場合に、前記第１の液と前記第２の液とを混合することにより生成され、前記基板処理装置は、前記基板の前記一面の複数の部分に衝突するように前記処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに接続された第１の配管を含み、前記第１の配管を通して前記ノズルに前記第１の液を供給する第１の液供給系と、前記ノズルおよび前記第１の配管により形成される液流路のうち互いに異なる複数の部分にそれぞれ接続された複数の第２の配管を含み、前記複数の第２の配管のうちいずれかを通して前記液流路に前記第２の液を供給する第２の液供給系と、前記除去処理時に、予め定められた複数の動作条件に基づいて前記第１の液供給系および前記第２の液供給系を制御する制御部とを備え、前記複数の動作条件は、前記基板の前記一面の複数の部分の各々に当該部分に対応する膜除去能力を有する処理液が衝突するように、前記基板の複数の部分にそれぞれ対応付けられた条件である。

　本発明の他の局面に従う基板処理方法は、カロ酸を含む処理液により基板の一面上に形成された不要な膜を除去する除去処理を行う基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記カロ酸は、硫酸および過酸化水素水のうち一方を第１の液とし、硫酸および過酸化水素水のうち他方を第２の液とした場合に、前記第１の液と前記第２の液とを混合することにより生成され、前記基板処理装置は、前記基板の前記一面の複数の部分に衝突するように前記処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに接続された第１の配管を含み、前記第１の配管を通して前記ノズルに前記第１の液を供給する第１の液供給系と、前記ノズルおよび前記第１の配管により形成される液流路のうち互いに異なる複数の部分にそれぞれ接続された複数の第２の配管を含み、前記複数の第２の配管のうちいずれかを通して前記第１の配管内に前記第２の液を供給する第２の液供給系とを備え、前記基板処理方法は、前記基板の前記一面の前記複数の部分の各々について、当該部分に供給されるべき処理液の膜除去能力に関する情報を取得するステップと、取得された前記情報に基づいて、前記基板の前記一面の前記複数の部分にそれぞれ対応する膜除去能力を有する処理液が衝突するように、前記基板の複数の部分の各々に対応する前記第１の液供給系および前記第２の液供給系の動作条件を設定するステップと、設定された前記第１の液供給系および前記第２の液供給系の動作条件に基づいて前記第１の液供給系および前記第２の液供給系を制御するステップとを含む。

　本発明によれば、基板に損傷を与えることなく基板の一面上に形成された不要な膜を除去するとともに処理液の使用量を低減することが可能になる。

図１は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。図２は図１のノズル支持部およびノズル移動装置の機能を説明するための基板処理装置の平面図である。図３は図１の基板処理装置の制御系統の構成を示すブロック図である。図４は除去処理時におけるレジスト膜の剥離状態の時系列変化の一例を示す図である。図５は除去処理時におけるレジスト膜の剥離状態の時系列変化の他の例を示す図である。図６は基板Ｗの複数の部分にそれぞれ対応して設定される複数の動作条件の第１の具体例を示す図である。図７は基板Ｗの複数の部分にそれぞれ対応して設定される複数の動作条件の第２の具体例を示す図である。図８は図１の制御部による膜除去処理の一例を示すフローチャートである。図９は他の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。図１０は他の実施の形態に係る３つの処理液供給装置の構成の一例を示す図である。

　以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。

　また、以下に説明する基板処理装置は、基板の一面（主面）上に形成された不要な膜（本例では、レジスト膜）を除去する除去処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。本実施の形態に係る除去処理においては、一面に不要な膜が形成された基板が水平姿勢で回転される。その基板の一面に、処理液としてＳＰＭ（Sulfuric acid hydrogen peroxide mixture）が供給される。ＳＰＭは、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）と過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）との混合液であり、カロ酸（Ｈ_２ＳＯ_５）を含む。カロ酸は、硫酸と過酸化水素水との間で化学反応が生じることにより生成され、強い酸化力を有し、不要な膜と反応することにより当該膜を溶解する。それにより、基板の一面から不要な膜が剥離され、除去される。

　＜１＞基板処理装置の構成
　図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、主としてスピンチャック１、カップ２、カップ昇降装置２Ｄ、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃ、ノズル支持部４、ノズル移動装置５、制御部６および操作部９を備える。

　基板処理装置１００は、少なくとも一部が図示しないチャンバ内に設けられる。スピンチャック１は、スピンモータ１ａ、スピンベース１ｂおよびチャックピン１ｃを有する。スピンモータ１ａは、回転軸が上方に向かって突出するように、チャンバの底部に設けられる。スピンベース１ｂは、円板形状を有し、スピンモータ１ａの回転軸の上端部に水平姿勢で取り付けられる。複数のチャックピン１ｃは、スピンベース１ｂの上面上に設けられ、基板Ｗの周縁部を保持する。複数のチャックピン１ｃが基板Ｗを保持する状態でスピンモータ１ａが動作する。それにより、基板Ｗが鉛直軸の周りで回転する。

　上記のように、本例では、基板Ｗの周縁部を保持する機械式のスピンチャック１が用いられる。これに限らず、機械式のスピンチャックに代えて、基板Ｗの下面を吸着保持する吸着式のスピンチャックが用いられてもよい。

　スピンチャック１を取り囲むように、カップ２が設けられている。カップ２は、カップ昇降装置２Ｄにより昇降可能に支持される。カップ昇降装置２Ｄは、エアシリンダ等を含み、予め定められた２つの高さ位置（後述する上位置および下位置）の間でカップ２を移動させる。

　３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、基本的に同じ構成を有する。図１では、処理液供給装置３Ｃのみ構成の詳細が示される。３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃを代表して、処理液供給装置３Ｃの構成を説明する。

　処理液供給装置３Ｃは、主として第１の液供給系１０、第２の液供給系２０およびノズル３０から構成される。第１の液供給系１０は、第１の液供給源１１、第１の配管１２、バルブ１２ａ、調整部１２ｂおよび攪拌部１２ｃを含む。第１の液供給源１１は、硫酸の供給源であり、工場の用力設備または液貯留部を含む送液装置等で構成される。第１の配管１２の上流端は、第１の液供給源１１に接続されている。第１の配管１２の下流端は、ノズル３０に接続されている。バルブ１２ａ、調整部１２ｂおよび攪拌部１２ｃは、この順で第１の液供給源１１の上流端から下流端に向かって並ぶように、第１の液供給源１１に設けられている。

　バルブ１２ａは、例えばボールバルブであり、開状態であるときに第１の配管１２内の液体の流通を許容し、閉状態であるときに第１の配管１２内の液体の流通を遮断する。調整部１２ｂは、モータニードルバルブまたはレギュレータ等の流量調整器を含み、第１の配管１２を流れる液体の流量を調整する。本例では、調整部１２ｂは、モータニードルバルブである。攪拌部１２ｃは、例えばインラインミキサであり、第１の配管１２内で渦流等を生じさせることにより第１の配管１２を流れる複数種類の液体（本例では、硫酸および過酸化水素水）を混合する。

　本実施の形態においては、第１の配管１２およびノズル３０により形成される液流路において、調整部１２ｂと攪拌部１２ｃとの間に位置する部分を第１の部分ＭＰ１と呼ぶ。また、攪拌部１２ｃとノズル３０との間に位置する部分を第２の部分ＭＰ２と呼び、ノズル３０に位置する部分を第３の部分ＭＰ３と呼ぶ。

　第２の液供給系２０は、第２の液供給源２１、第２の主配管２２、複数（本例では３つ）の第２の副配管２３，２４，２５、複数（本例では３つ）のバルブ２３ａ，２４ａ，２５ａおよび複数の（本例では３つ）の調整部２３ｂ，２４ｂ，２５ｂを含む。第２の液供給源２１は、過酸化水素水の供給源であり、第１の液供給源１１の例と同様に、工場の用力設備または液貯留部を含む送液装置等で構成される。

　第２の主配管２２の上流端は、第２の液供給源２１に接続されている。第２の主配管２２は、上流から下流に向かって並ぶ複数（本例では２つ）の分岐部を有する。第２の副配管２３，２４，２５の上流端は、第２の主配管２２の上流側の分岐部、第２の主配管２２の下流側の分岐部、および第２の主配管２２の下流端にそれぞれ接続されている。一方、第２の副配管２３，２４，２５の下流端は、上記の液流路の第１の部分ＭＰ１、第２の部分ＭＰ２および第３の部分ＭＰ３にそれぞれ接続されている。

　第２の副配管２３には、バルブ２３ａおよび調整部２３ｂがこの順で上流から下流に向かって並ぶように設けられている。第２の副配管２４には、バルブ２４ａおよび調整部２４ｂがこの順で上流から下流に向かって並ぶように設けられている。第２の副配管２５には、バルブ２５ａおよび調整部２５ｂがこの順で上流から下流に向かって並ぶように設けられている。

　バルブ２３ａ，２４ａ，２５ａは、バルブ１２ａと同じ構成を有する。また、調整部２３ｂ，２４ｂ，２５ｂは、調整部１２ｂと同じ構成を有する。なお、バルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａのうち一部のバルブは、他のバルブと異なる構成を有してもよい。また、調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂのうち一部の調整部は、他の調整部と異なる構成を有してもよい。

　上記の３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの各々においては、第１の液供給系１０のうちの一部の構成および第２の液供給系２０のうちの一部の構成が、例えば硬質な樹脂製のアーム部材７（図２）により支持される。

　図２は、図１のノズル支持部４およびノズル移動装置５の機能を説明するための基板処理装置１００の平面図である。図２の上段に示すように、平面視でスピンチャック１およびカップ２の側方には、チャンバの底部にレール５ｒが設けられている。レール５ｒは、スピンチャック１およびカップ２に近接する位置で、一方向に延びるように設けられている。以下の説明では、平面視でレール５ｒが延びる方向をレール方向と呼ぶ。また、平面視で、スピンチャック１により保持される基板Ｗの中心を通りかつレール方向に延びる直線を仮想線ＶＬと呼ぶ。

　３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの各々に対応するアーム部材７は、例えば棒形状を有し、先端部分でノズル３０を支持する。ノズル支持部４は、３つのノズル３０が仮想線ＶＬ上に並ぶように３本のアーム部材７を支持するとともに、レール方向に移動可能にレール５ｒ上に設けられている。ノズル支持部４には、ノズル移動装置５の一部を構成するモータが取り付けられている。これにより、ノズル支持部４は、ノズル移動装置５が動作することにより、レール５ｒ上を移動する。

　基板処理装置１００には、平面視で、スピンチャック１およびカップ２からずれた仮想線ＶＬ上の位置に待機位置ＷＰが設定されている。また、平面視で、スピンチャック１に重なる仮想線ＶＬ上の位置に処理位置ＰＰが設定されている。基板処理装置１００が、除去処理を行わない待機状態にある場合、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの３つのノズル３０は、図２の上段に示すように、平面視で待機位置ＷＰに保持される。一方、基板処理装置１００が、除去処理を行う場合、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの３つのノズル３０は、図２の下段に示すように、平面視で処理位置ＰＰに保持される。

　本実施の形態においては、除去処理時に３つのノズル３０が処理位置ＰＰに保持された状態で、３つのノズル３０が、スピンチャック１により保持される基板Ｗに対して予め定められた位置に位置決めされる。

　具体的には、処理液供給装置３Ａのノズル３０は、平面視で、基板Ｗの中心部分（後述する内部分Ｒ１（図４等））に重なるように位置決めされる。また、処理液供給装置３Ｂのノズル３０は、平面視で、基板Ｗの中心と基板Ｗの外周端部との間の中間部分（後述する中部分Ｒ２（図４等））に重なるように位置決めされる。また、処理液供給装置３Ｃのノズル３０は、平面視で、基板Ｗの周縁部分（後述する外部分Ｒ３（図４等））に重なるように位置決めされる。このように位置決めされた状態で、各ノズル３０は、当該ノズル３０の吐出口が基板Ｗの一面に対向するように支持される。これにより、除去処理時には、各ノズル３０の吐出口から基板Ｗの一面における３つの部分に向かってそれぞれ処理液が吐出される。吐出された処理液は、基板Ｗの一面（正確には、基板Ｗの一面または基板Ｗの一面を覆うレジスト膜）に衝突する。

　なお、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、図示しないリンスノズルと、リンスノズルにリンス液を供給する図示しないリンス液供給系とを含む。リンスノズルは、処理液によりレジスト膜が除去された後、処理液が残留する基板Ｗの一面に向けてリンス液を吐出する。これにより、基板Ｗ上の処理液が除去される（リンス処理）。制御部６および操作部９についての詳細は後述する。

　＜２＞基板処理装置の制御系
　基板処理装置１００の制御系について、図１の制御部６および操作部９の構成とともに説明する。図３は、図１の基板処理装置１００の制御系統の構成を示すブロック図である。図３に示すように、制御部６は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）６１、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）６２、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）６３および記憶装置６４を含む。

　ＲＡＭ６２は、ＣＰＵ６１の作業領域として用いられる。ＲＯＭ６３には、システムプログラムが記憶される。記憶装置６４は、ハードディスクまたは半導体メモリ等の記憶媒体を含み、除去処理を行うための膜除去プログラムを記憶する。さらに、記憶装置６４は、除去処理に関する基板処理装置１００の複数の動作条件を記憶する。複数の動作条件は、除去処理の対象となる基板Ｗの複数の部分にそれぞれ対応付けられた条件である。複数の動作条件の詳細は後述する。

　なお、膜除去プログラムは、ＣＤ－ＲＯＭ６５等の記録媒体に格納された状態で提供され、ＲＯＭ６３または記憶装置６４にインストールされてもよい。あるいは、膜除去プログラムは、通信網を介して基板処理装置１００の外部のサーバから配信され、ＲＯＭ６３または記憶装置６４にインストールされてもよい。

　ＣＰＵ６１が膜除去プログラムを実行することにより、除去処理時に基板処理装置１００の各部の動作が制御される。具体的には、制御部６は、基板Ｗがスピンベース１ｂ上に載置され、複数のチャックピン１ｃにより保持された状態で、スピンモータ１ａを制御することにより基板Ｗを回転させる。

　また、制御部６は、スピンチャック１上に基板Ｗが載置される時、スピンチャック１から基板Ｗが取り出される時、および除去処理が行われない時に、カップ２が下位置で保持されるようにカップ昇降装置２Ｄを制御する。ここで、下位置とは、カップ２の上端部がスピンチャック１により保持される基板Ｗよりも下方にある時のカップ２の位置である。

　また、制御部６は、除去処理が行われる間、カップ２が上位置で保持されるようにカップ昇降装置２Ｄを制御する。ここで、上位置とは、カップ２の上端部がスピンチャック１により保持される基板Ｗよりも上方にありかつカップ２の内周面が水平面内において基板Ｗの外周端部に対向する時のカップ２の位置である。この場合、除去処理中に基板Ｗから飛散する処理液がカップ２の内周面で受け止められる。カップ２により受け止められる処理液は、排液管を通して廃棄される。

　また、制御部６は、除去処理が行われる間、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの３つのノズル３０が処理位置ＰＰで保持されるように、ノズル移動装置５を制御する。また、制御部６は、除去処理が行われない間、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの３つのノズル３０が待機位置ＷＰで保持されるように、ノズル移動装置５を制御する。

　上記のように、制御部６の記憶装置６４には、除去処理に関する基板処理装置１００の複数の動作条件が記憶されている。複数の動作条件には、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの複数のバルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａおよび複数の調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂの各々の動作に関する情報が含まれる。

　制御部６は、除去処理時に、複数の動作条件に基づいて３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの複数のバルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａおよび複数の調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂを制御する。この場合、各処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃにおいては、第１の配管１２に硫酸が流れる状態で、液流路の第１の部分ＭＰ１、第２の部分ＭＰ２および第３の部分ＭＰ３のうち少なくとも２つの部分に第２の液供給系２０から過酸化水素水が供給される。それにより、液流路内で複数回に渡って硫酸と過酸化水素水とが混合され、処理液（ＳＰＭ）が生成される。

　図１の操作部９は、キーボードおよびポインティングデバイスを含み、使用者により操作可能に構成される。使用者は、操作部９を操作することにより、上記の複数の動作条件を入力することができる。操作部９において複数の動作条件についての入力があると、制御部６は、入力された動作条件を記憶装置６４に記憶する。

　＜３＞膜の除去容易性および処理液の膜除去能力
　以下の説明では、除去処理時におけるレジスト膜の除去のされやすさの程度を除去容易性と呼ぶ。「除去容易性が高い」とは、レジスト膜が除去されやすいことを意味し、「除去容易性が低い」とは、レジスト膜が除去されにくいことを意味するものとする。

　一の基板Ｗについての除去容易性は、一の基板Ｗに形成されたレジスト膜を構成する材料、レジスト膜の厚さ分布、およびレジスト膜と基板Ｗとの間の密着性の分布等に応じて基板Ｗの一面の複数の部分で互いに異なる場合がある。一の基板Ｗの一面における除去容易性の分布は、予め一の基板Ｗと同じ種類のサンプル基板に除去処理を施したり、除去処理のシミュレーションを行うことにより、ある程度把握することができる。

　また、以下の説明では、レジスト膜を除去する処理液の能力を膜除去能力と呼ぶ。膜除去能力の程度は、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜に対する処理液の反応性の高さを表し、主として当該処理液のカロ酸濃度により定まる。

　図４は、除去処理時におけるレジスト膜の剥離状態の時系列変化の一例を示す図である。図４では、基板Ｗの一面の全体に共通の膜除去能力を有する処理液が供給されたときのレジスト膜の状態を示す平面図が、上段、中段および下段の順に時系列で示される。図４の上段、中段および下段の各々においては、基板Ｗ上に存在するレジスト膜がドットパターンで示される。

　なお、図４に示されるようなレジスト膜の剥離状態の時系列変化は、例えば除去処理中の基板Ｗの一面の状態を、所定時間経過するごとにカメラで撮像すること等により取得することができる。

　ここで、基板Ｗの一面に、内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３を定義する。内部分Ｒ１は基板Ｗの中央に位置する。中部分Ｒ２は、円環形状を有し、内部分Ｒ１を取り囲む。外部分Ｒ３は、基板Ｗの外周端部を含む円環形状を有し、中部分Ｒ２を取り囲む。内部分Ｒ１の半径、基板Ｗの半径方向における中部分Ｒ２の幅、および基板Ｗの半径方向における外部分Ｒ３の幅は互いに等しいものとする。

　図４の例では、除去処理が開始された後、基板Ｗの中心部分から基板Ｗの外周端部に向かって、レジスト膜が順次除去されている。そのため、図４の例に対応する基板Ｗは、内部分Ｒ１における除去容易性が高く、中部分Ｒ２における除去容易性が中程度であり、外部分Ｒ３における除去容易性が低いことがわかる。

　したがって、図４の例に対応する基板Ｗに対しては、内部分Ｒ１に膜除去能力が低い処理液を供給することが好ましいことがわかる。この場合、内部分Ｒ１に膜除去能力が低い処理液を供給することで、除去処理中に基板Ｗの一面における内部分Ｒ１が損傷を受けることを抑制することができる。

　また、図４の例に対応する基板Ｗに対しては、外部分Ｒ３に膜除去能力が高い処理液を供給することが好ましいことがわかる。この場合、外部分Ｒ３に膜除去能力が高い処理液を供給することで、除去処理中に外部分Ｒ３上のレジスト膜を効率よく除去することができる。すなわち、外部分Ｒ３上のレジスト膜を除去するための処理時間を低減することができる。

　さらに、図４の例に対応する基板Ｗに対しては、中部分Ｒ２には、中程度の膜除去能力を有する処理液を供給することが好ましいことがわかる。

　図５は、除去処理時におけるレジスト膜の剥離状態の時系列変化の他の例を示す図である。図５では、図４の例と同様に、基板Ｗの一面の全体に共通の膜除去能力を有する処理液が供給されたときのレジスト膜の状態を示す平面図が、上段、中段および下段の順に時系列で示される。図５の上段、中段および下段の各々においては、基板Ｗ上に存在するレジスト膜がドットパターンで示される。

　図５の例では、除去処理が開始された後、基板Ｗの外周端部から基板Ｗの中心部分に向かって、レジスト膜が順次除去されている。そのため、図５の例に対応する基板Ｗは、内部分Ｒ１における除去容易性が低く、中部分Ｒ２における除去容易性が中程度であり、外部分Ｒ３における除去容易性が高いことがわかる。

　したがって、図５の例に対応する基板Ｗに対しては、内部分Ｒ１に膜除去能力が高い処理液を供給することが好ましいことがわかる。また、図５の例に対応する基板Ｗに対しては、外部分Ｒ３に膜除去能力が低い処理液を供給することが好ましいことがわかる。さらに、中部分Ｒ２には、中程度の膜除去能力を有する処理液を供給することが好ましいことがわかる。

　図４および図５に示すような基板Ｗにおけるレジスト膜の除去容易性の分布は、予めサンプルの基板Ｗに除去処理を施したり、シミュレーションを行うことにより、ある程度把握することができる。また、把握された除去容易性の分布に応じて、上記のように、基板Ｗの複数の部分の各々に供給されるべき処理液の膜除去能力を予測することができる。

　本実施の形態では、処理対象となる基板Ｗの一面におけるレジスト膜の除去容易性に応じて、基板Ｗの複数の部分の各々に供給されるべき処理液の膜除去能力が予測される。その上で、基板Ｗの複数の部分の各々と、その部分に対応する好ましい膜除去能力との関係を示す情報が、基板部分情報として取得される。

　図１の基板処理装置１００において、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、基板Ｗの内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３にそれぞれ対応して設けられている。処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの各々のノズル３０から吐出される処理液の膜除去能力は、当該処理液供給装置の第１の液供給系１０および第２の液供給系２０の各部の動作を制御することにより調整することができる。

　そこで、本実施の形態では、取得される基板部分情報に基づいて基板Ｗの内部分Ｒ１に対応する処理液供給装置３Ａの第１の液供給系１０および第２の液供給系２０の動作条件が定められる。また、基板部分情報に基づいて基板Ｗの中部分Ｒ２に対応する処理液供給装置３Ｂの第１の液供給系１０および第２の液供給系２０の動作条件が定められる。さらに、基板部分情報に基づいて基板Ｗの外部分Ｒ３に対応する処理液供給装置３Ｃの第１の液供給系１０および第２の液供給系２０の動作条件が定められる。また、基板Ｗの複数の部分（本例では内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３）にそれぞれ対応する複数の動作条件が、例えば使用者による操作部９の操作により入力され、図３の記憶装置６４に記憶される。

　＜４＞処理液の膜除去能力と処理液供給装置の動作条件との関係
　上記のように、膜除去能力の程度は、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜に対する処理液の反応性の高さを表し、主として当該処理液のカロ酸濃度により定まる。図１の３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの各々においては、複数のバルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａおよび複数の調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂを制御することによりノズル３０から吐出される処理液の膜除去能力を調整することができる。

　ここで、図１を参照しつつ、処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの各々における処理液中のカロ酸の生成メカニズムを説明する。ノズル３０から処理液を吐出するために、まず、バルブ１２ａが開かれる。また、第１の配管１２において硫酸が予め定められた流量で流れるように、調整部１２ｂが制御される。さらに、バルブ２３ａが開かれるとともに、第２の副配管２３において過酸化水素水が予め定められた流量で流れるように、調整部２３ｂが制御される。この場合、第１の配管１２においては、第１の部分ＭＰ１で硫酸と過酸化水素水とが合流し、攪拌部１２ｃに送られる。攪拌部１２ｃにおいては、硫酸と過酸化水素水とが攪拌される。それにより、硫酸と過酸化水素水との間の化学反応が促進され、カロ酸が生成される。

　カロ酸の生成時には熱が発生する。そのため、攪拌部１２ｃを流れる処理液（混合液）の温度は上昇する。処理液の温度が所定温度（例えば、過酸化水素水の沸点程度）を超えると、過酸化水素水の一部（カロ酸の生成に寄与しない過酸化水素水）が水と酸素とに分解されやすくなる。そのため、第１の配管１２のうち第１の部分ＭＰ１から攪拌部１２ｃまでの範囲で生成されるカロ酸の量には、制限がある。

　そこで、上記の処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃにおいては、第１の配管１２を通る液流路のうち攪拌部１２ｃよりも下流の第２の部分ＭＰ２および第３の部分ＭＰ３に新たな過酸化水素水をそれぞれ供給することが可能となっている。

　例えば、上記のように攪拌部１２ｃにおいてカロ酸が生成される状態で、バルブ２４ａを開くとともに、第２の副配管２４において過酸化水素水が予め定められた流量で流れるように、調整部２４ｂを制御する。この場合、第２の部分ＭＰ２において高温化していない新たな過酸化水素水が供給されることにより、新たなカロ酸が生成される。それにより、第２の部分ＭＰ２よりも下流側で第１の配管１２を流れる処理液中のカロ酸の濃度が、攪拌部１２ｃを流れる処理液に比べて上昇する。

　あるいは、上記のように攪拌部１２ｃにおいてカロ酸が生成される状態で、バルブ２５ａを開くとともに、第２の副配管２５において過酸化水素水が予め定められた流量で流れるように、調整部２５ｂを制御する。この場合、第３の部分ＭＰ３において高温化していない新たな過酸化水素水が供給されることにより、新たなカロ酸が生成される。それにより、ノズル３０から吐出される処理液中のカロ酸の濃度が攪拌部１２ｃを流れる処理液に比べて上昇する。

　本発明者は、種々の実験およびシミュレーションを行った結果、処理液のカロ酸濃度は、液流路の複数の部分（ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３）の各々における硫酸と過酸化水素水との混合比率に応じて変化することを確認した。その上で、本発明者は、液流路の複数の部分（ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３）で硫酸と過酸化水素水とを混合する場合、上流に位置する部分よりも下流に位置する部分で硫酸に対する過酸化水素水の混合比率を大きくすることにより、ノズル３０から吐出される処理液のカロ酸濃度は高くなる傾向があるという知見を得た。

　その他、本発明者は、第１の部分ＭＰ１および第２の部分ＭＰ２において予め定められた一の混合比率で硫酸と過酸化水素水とを混合することにより生成される処理液のカロ酸濃度は、第１の部分ＭＰ１および第３の部分ＭＰ３において一の混合比率で硫酸と過酸化水素水とを混合する場合に生成される処理液のカロ酸濃度よりも高くなる傾向があるという知見を得た。つまり、本発明者は、過酸化水素水が追加される部分が液流路においてノズル３０からより離れた位置にあるほど、ノズル３０から吐出される処理液のカロ酸濃度は高くなる傾向があるという知見を得た。

　そこで、本発明者は、得られた知見に基づいて、基板の複数の部分の各々に対応する膜除去能力を有する処理液が生成されるように、処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの動作条件を設定することを考えた。換言すれば、本発明者は、基板の複数の部分の各々に対応するカロ酸濃度を有する処理液が生成されるように、処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの動作条件を設定することを考えた。

　＜５＞複数の動作条件の第１の具体例
　以下の説明では、一の処理液供給装置における複数の第２の副配管２３，２４，２５を区別する場合に、第２の副配管２３を「配管Ａ」と呼び、第２の副配管２４を「配管Ｂ」と呼び、第２の副配管２５を「配管Ｃ」と呼ぶ。

　図６は、基板Ｗの複数の部分にそれぞれ対応して設定される複数の動作条件の第１の具体例を示す図である。図６では、基板Ｗの内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３にそれぞれ設定される３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの動作条件が表を用いて示される。また、表の下には、表の理解を容易にするための、基板Ｗにおける複数の部分の説明図が示される。さらに、表の理解を容易にするための、各処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの構成図が示される。

　図６の第１の具体例は、内部分Ｒ１における除去容易性が高く、中部分Ｒ２における除去容易性がやや高く、外部分Ｒ３における除去容易性が低いレジスト膜の基板Ｗについて設定されるものとする。この場合、当該基板Ｗに対しては、内部分Ｒ１に膜除去能力が低い処理液を供給することが好ましく、中部分Ｒ２に膜除去能力がやや低い処理液を供給することが好ましく、外部分Ｒ３に膜除去能力が高い処理液を供給することが好ましい。

　そこで、本例では、内部分Ｒ１に対応する処理液供給装置３Ａの動作条件として、生成される処理液のカロ酸濃度が低くなるように、第１の配管１２、配管Ａ、配管Ｂおよび配管Ｃを流れる液体の流量の目標比率が１００：１０：０：９０に設定される。

　また、本例では、中部分Ｒ２に対応する処理液供給装置３Ｂの動作条件として、生成される処理液のカロ酸濃度がやや低くなるように、第１の配管１２、配管Ａ、配管Ｂおよび配管Ｃを流れる液体の流量の目標比率が１００：２０：０：８０に設定される。

　さらに、本例では、外部分Ｒ３に対応する処理液供給装置３Ｃの動作条件として、生成される処理液のカロ酸濃度が高くなるように、第１の配管１２、配管Ａ、配管Ｂおよび配管Ｃを流れる液体の流量の目標比率が１００：３０：７０：０に設定される。

　これらの結果、基板処理装置１００が図６の複数の動作条件に従って動作する際には、処理液供給装置３Ａにおいて、バルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａが開状態となる。さらに、第１の配管１２、配管Ａ、配管Ｂおよび配管Ｃを流れる液体の流量の比率が目標比率である１００：１０：０：９０となるように、調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂがそれぞれ制御される。なお、この場合、配管Ｂの目標比率は０であるので、配管Ｂのバルブ２４ａは、閉状態にされてもよい。

　また、処理液供給装置３Ｂにおいて、バルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａが開状態となる。さらに、第１の配管１２、配管Ａ、配管Ｂおよび配管Ｃを流れる液体の流量の比率が目標比率である１００：２０：０：８０となるように、調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂがそれぞれ制御される。なお、この場合、配管Ｂの目標比率は０であるので、配管Ｂのバルブ２４ａは、閉状態にされてもよい。

　また、処理液供給装置３Ｃにおいて、バルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａが開状態となる。さらに、第１の配管１２、配管Ａ、配管Ｂおよび配管Ｃを流れる液体の流量の比率が目標比率である１００：３０：７０：０となるように、調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂがそれぞれ制御される。なお、この場合、配管Ｃの目標比率は０であるので、配管Ｂのバルブ２５ａは、閉状態にされてもよい。

　＜６＞複数の動作条件の第２の具体例
　図７は、基板Ｗの複数の部分にそれぞれ対応して設定される複数の動作条件の第２の具体例を示す図である。図７では、図６の例と同様に、基板Ｗの内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３にそれぞれ設定される３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの動作条件が表を用いて示される。また、表の下には、表の理解を容易にするための、基板Ｗにおける複数の部分の説明図が示される。さらに、表の理解を容易にするための、各処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの構成図が示される。

　図７の第２の具体例は、内部分Ｒ１における除去容易性が高く、中部分Ｒ２における除去容易性が高く、外部分Ｒ３における除去容易性が低いレジスト膜の基板Ｗについて設定されるものとする。この場合、当該基板Ｗに対しては、内部分Ｒ１に膜除去能力が低い処理液を供給することが好ましく、中部分Ｒ２に膜除去能力が低い処理液を供給することが好ましく、外部分Ｒ３に膜除去能力が高い処理液を供給することが好ましい。

　ここで、本例では、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃにおいて、バルブ１２ａが開状態であるときに、第１の配管１２を流れる液体の流量は予め定められているものとする。また、バルブ２３ａ，２４ａ，２５ａが開状態であるときに、配管Ａ、配管Ｂおよび配管Ｃを流れる液体の流量も予め定められているものとする。この場合、ノズル３０から吐出される処理液のカロ酸濃度は、第１の配管１２のバルブ１２ａ、配管Ａのバルブ２３ａ、配管Ｂのバルブ２４ａおよび配管Ｃのバルブ２５ａの開閉状態によって変化する。

　そこで、本例では、内部分Ｒ１に対応する処理液供給装置３Ａの動作条件として、生成される処理液のカロ酸濃度が低くなるように、バルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａの開閉状態が「開」、「開」、「閉」および「開」にそれぞれ設定される。

　また、本例では、中部分Ｒ２に対応する処理液供給装置３Ｂの動作条件として、生成される処理液のカロ酸濃度が低くなるように、バルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａの開閉状態が「開」、「開」、「閉」および「開」にそれぞれ設定される。

　さらに、本例では、外部分Ｒ３に対応する処理液供給装置３Ｃの動作条件として、生成される処理液のカロ酸濃度が高くなるように、バルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａの開閉状態が「開」、「開」、「開」および「閉」にそれぞれ設定される。

　これらの結果、基板処理装置１００が図７の複数の動作条件に従って動作する際には、処理液供給装置３Ａにおいて、バルブ１２ａ，２３ａ，２５ａが開状態となり、バルブ２４ａが閉状態となる。また、処理液供給装置３Ｂにおいて、バルブ１２ａ，２３ａ，２５ａが開状態となり、バルブ２４ａが閉状態となる。さらに、処理液供給装置３Ｃにおいて、バルブ１２ａ，２３ａ，２４ａが開状態となり、バルブ２５ａが閉状態となる。なお、複数の調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂは、第１の配管１２、配管Ａ、配管Ｂおよび配管Ｃについて予め定められた流量にそれぞれ対応する状態となるように制御される。

　＜７＞制御部６による膜除去処理
　図８は、図１の制御部６による膜除去処理の一例を示すフローチャートである。以下に説明する膜除去処理は、制御部６のＣＰＵ６１が記憶装置６４に記憶された膜除去プログラムをＲＡＭ６２上で実行することにより行われる。

　制御部６による膜除去処理は、例えば未処理の基板Ｗ（一面全体にレジスト膜が形成された基板Ｗ）が基板処理装置１００のチャンバ内に搬入され、スピンチャック１上に載置されることに応答して開始される。初期状態で、カップ２は下位置にあり、複数のノズル３０は待機位置ＷＰにあるものとする。また、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの複数のバルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａは全て閉状態に維持されているものとする。さらに、制御部６の記憶装置６４には、処理対象となる基板Ｗの複数の部分（内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３）にそれぞれ対応する３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの複数の動作条件が記憶されているものとする。

　膜除去処理が開始されると、ＣＰＵ６１は、カップ昇降装置２Ｄを制御することにより、カップ２を下位置から上位置に移動させる（ステップＳ１１）。また、ＣＰＵ６１は、スピンモータ１ａを制御することによりスピンベース１ｂ上で複数のチャックピン１ｃにより保持される基板Ｗを回転させる（ステップＳ１２）。さらに、ＣＰＵ６１は、ノズル移動装置５を制御することにより、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの３つのノズル３０を待機位置ＷＰから処理位置ＰＰに移動させる（ステップＳ１３）。

　続いて、ＣＰＵ６１は、記憶装置６４に記憶されている複数の動作条件を読み込む（ステップＳ１４）。次に、ＣＰＵ６１は、読み込んだ複数の動作条件に基づいて３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの複数のバルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａおよび複数の調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂを制御する（ステップＳ１５）。これにより、基板Ｗの内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３に、それぞれ対応する膜除去能力を有する処理液が供給される。

　本例では、レジスト膜を除去するための処理液の供給時間が予め定められているものとする。そこで、ＣＰＵ６１は、ステップＳ１５の処理開始時点からの経過時間を計測する。また、ＣＰＵ６１は、計測された時間が予め定められた供給時間に達したか否かに基づいて、処理液の供給を停止すべきか否かを判定する（ステップＳ１６）。

　処理液の供給を停止すべきでない場合、ＣＰＵ６１は、ステップＳ１６の処理を繰り返す。一方、処理液の供給を停止すべき場合、ＣＰＵ６１は、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの複数のバルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａを閉状態にすることにより、処理液の供給を停止させる（ステップＳ１７）。

　次に、ＣＰＵ６１は、ノズル移動装置５を制御することにより、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの３つのノズル３０を処理位置ＰＰから待機位置ＷＰに移動させる（ステップＳ１８）。また、ＣＰＵ６１は、図示しないリンス液供給系を制御すること、およびスピンモータ１ａを制御することにより、レジスト膜が除去された基板Ｗのリンス処理および乾燥処理を行う（ステップＳ１９）。ステップＳ１９における乾燥処理は、リンス処理後の基板Ｗを高速で回転させて基板Ｗを乾燥させる、いわゆるスピン乾燥処理である。

　ステップＳ１９における乾燥処理の終了後、ＣＰＵ６１は、スピンモータ１ａを制御することにより基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ２０）。また、ＣＰＵ６１は、カップ昇降装置２Ｄを制御することにより、カップ２を上位置から下位置に移動させ（ステップＳ２１）、一連の処理を終了する。

　＜８＞効果
　（ａ）本実施の形態に係る基板処理方法においては、基板Ｗの一面の複数の部分の各々について、当該部分に供給されるべき処理液の膜除去能力に関する情報として、基板部分情報が取得される。基板部分情報に基づいて３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの動作条件が、基板処理装置１００に設定される。

　基板処理装置１００による除去処理時には、基板Ｗの一面の複数の部分（内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３）にそれぞれ対応する複数の動作条件に従うように、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃが制御される。複数の動作条件が適切に設定されることにより、基板Ｗの一面の複数の部分に、レジスト膜を除去するために適切な膜除去能力を有する処理液がそれぞれ供給され、衝突する。処理液の膜除去能力は、ノズル３０から吐出されて基板Ｗ上のレジスト膜に到達するとき（衝突するとき）に最も機能する。それにより、基板Ｗの一面の一部に不要なレジスト膜が残留したり、基板Ｗの一面の一部に損傷が発生することが抑制される。また、基板Ｗのうち除去容易性が低い部分に形成されたレジスト膜を除去するために、当該部分に多量の処理液を供給する必要がなくなる。

　これらの結果、基板Ｗの一面上に損傷を与えることなく基板Ｗの一面上に形成された不要なレジスト膜を除去するとともに処理液の使用量を低減することが可能になる。

　（ｂ）上記の基板処理装置１００においては、基板Ｗの３つの部分にそれぞれ対応するように３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃが用いられている。３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの３つのノズル３０は、ノズル支持部４およびノズル移動装置５により待機位置ＷＰと処理位置ＰＰとの間で移動される。３つのノズル３０が処理位置ＰＰに配置された状態で、３つのノズル３０は、基板Ｗの一面の内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３にそれぞれ対向する。したがって、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃを同時に動作させることにより、３つのノズル３０から基板Ｗの複数の部分（内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３）に同時に処理液を供給することが可能となっている。それにより、１つのノズル３０を用いて基板Ｗの一面の複数の部分に順次処理液を供給する場合に比べて、除去処理に要する時間を短縮することができる。その結果、処理時間が長くなることに起因するパーティクルの付着等の基板Ｗの汚染が防止される。

　＜９＞他の実施の形態
　（ａ）上記実施の形態に係る基板処理装置１００は、基板Ｗの内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３にそれぞれ対応する処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃを備えるが、本発明はこれに限定されない。

　基板処理装置１００は、１つの処理液供給装置のみを有してもよい。図９は、他の実施の形態に係る基板処理装置１００の構成を示す模式図である。図９の基板処理装置１００は、基板Ｗに処理液を供給するための構成として、１つの処理液供給装置３のみを備える。その基板処理装置１００においては、除去処理中に処理液供給装置３のアーム部材７（図２参照）がレール方向に移動される。それにより、１つのノズル３０から吐出される処理液が、基板Ｗの一面の複数の部分に順次供給される。

　ここで、本例においても、除去処理が行われる前には、基板処理装置１００に、基板Ｗの複数の部分にそれぞれ対応する複数の動作条件が設定される。それにより、除去処理時には、ノズル３０が対向する基板Ｗの部分に応じて、処理液供給装置３の各部の動作状態の制御が切り替えられる。

　例えば、図９の基板処理装置１００に図６の複数の動作条件が設定されている場合を想定する。この場合、除去処理の開始後、例えばノズル３０が基板Ｗの内部分Ｒ１に対向するように位置決めされる。この状態で、バルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａが開状態とされる。さらに、第１の配管１２、配管Ａ、配管Ｂおよび配管Ｃを流れる液体の流量の比率が目標比率である１００：１０：０：９０となるように、調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂがそれぞれ制御される。

　次に、基板Ｗの内部分Ｒ１におけるレジスト膜の除去が完了すると、ノズル３０が基板Ｗの中部分Ｒ２に対向するように位置決めされる。この状態で、バルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａが開状態とされる。さらに、第１の配管１２、配管Ａ、配管Ｂおよび配管Ｃを流れる液体の流量の比率が目標比率である１００：２０：０：８０となるように、調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂがそれぞれ制御される。

　次に、基板Ｗの中部分Ｒ２におけるレジスト膜の除去が完了すると、ノズル３０が基板Ｗの外部分Ｒ３に対向するように位置決めされる。この状態で、バルブ１２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａが開状態とされる。さらに、第１の配管１２、配管Ａ、配管Ｂおよび配管Ｃを流れる液体の流量の比率が目標比率である１００：３０：７０：０となるように、調整部１２ｂ，２３ｂ，２４ｂ，２５ｂがそれぞれ制御される。

　上記のように、図９の基板処理装置１００においては、１つの処理液供給装置３を移動させることにより、基板Ｗの内部分Ｒ１、中部分Ｒ２および外部分Ｒ３にそれぞれ適切な膜除去能力を有する処理液が順次供給される。これにより、基板処理装置１００には、複数の処理液供給装置３を設ける必要がない。したがって、図９の基板処理装置１００は、部品点数の増加が抑制され、構成が単純化されている。

　（ｂ）上記実施の形態に係る基板処理装置１００においては、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃはそれぞれ独立した構成を有するが、本発明はこれに限定されない。３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの一部の構成は、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃ間で共通に用いられてもよい。

　図１０は、他の実施の形態に係る３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの構成の一例を示す図である。図１０の３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの構成について、図１の３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの構成と異なる点を説明する。

　図１０の処理液供給装置３Ａにおいては、第１の配管１２のうち攪拌部１２ｃと第２の部分ＭＰ２との間の部分に分岐部ＢＰが設けられている。また、第１の配管１２のうち分岐部ＢＰと第２の部分ＭＰ２との間にバルブ１２ｄが設けられている。第１の配管１２の分岐部ＢＰには、処理液供給装置３Ａの外部に引き出され、処理液供給装置３Ｂおよび処理液供給装置３Ｃにそれぞれ延びる２つの第１の配管１２Ｘ，１２Ｙの上流端が接続されている。さらに、図１０の処理液供給装置３Ａにおいては、第２の主配管２２が、第２の液供給源２１から処理液供給装置３Ａの外部に引き出されている。

　図１０の処理液供給装置３Ｂにおいては、処理液供給装置３Ａから引き出された第１の配管１２Ｘの下流端にノズル３０が接続されている。第１の配管１２Ｘには、処理液供給装置３Ａのバルブ１２ｄと同様に、バルブ１２ｄが設けられている。第１の配管１２Ｘおよびノズル３０により形成される液流路において、バルブ１２ｄとノズル３０との間に位置する部分を第４の部分ＭＰ４と呼ぶ。また、ノズル３０に位置する部分を第５の部分ＭＰ５と呼ぶ。

　処理液供給装置３Ａから引き出された第２の主配管２２の部分は、処理液供給装置３Ｂ内に導かれるとともに、さらに処理液供給装置３Ｂから引き出されている。これにより、第２の主配管２２の一部は、処理液供給装置３Ｂの一部を構成している。処理液供給装置３Ｂの一部を構成する第２の主配管２２の部分には、２つの分岐部が設けられている。第２の主配管２２の２つの分岐部と液流路の第４の部分ＭＰ４および第５の部分ＭＰ５とをそれぞれつなぐように、２つの第２の副配管２６，２７が接続されている。第２の副配管２６にバルブ２６ａおよび調整部２６ｂが設けられ、第２の副配管２７にバルブ２７ａおよび調整部２７ｂが設けられている。

　図１０の処理液供給装置３Ｃにおいては、処理液供給装置３Ａから引き出された第１の配管１２Ｙの下流端にノズル３０が接続されている。第１の配管１２Ｙには、処理液供給装置３Ａのバルブ１２ｄと同様に、バルブ１２ｄが設けられている。第１の配管１２Ｙおよびノズル３０により形成される液流路において、バルブ１２ｄとノズル３０との間に位置する部分を第６の部分ＭＰ６と呼ぶ。また、ノズル３０に位置する部分を第７の部分ＭＰ７と呼ぶ。

　処理液供給装置３Ｂから引き出された第２の主配管２２の部分は、処理液供給装置３Ｃ内に導かれている。第２の主配管２２の下流端は処理液供給装置３Ｃ内に位置する。これにより、第２の主配管２２の下流端を含む部分は、処理液供給装置３Ｃの一部を構成している。処理液供給装置３Ｃの一部を構成する第２の主配管２２の部分には、１つの分岐部が設けられている。第２の主配管２２の１つの分岐部および下流端と液流路の第６の部分ＭＰ６および第７の部分ＭＰ７とをそれぞれつなぐように、２つの第２の副配管２８，２９が接続されている。第２の副配管２８にバルブ２８ａおよび調整部２８ｂが設けられ、第２の副配管２９にバルブ２９ａおよび調整部２９ｂが設けられている。

　上記の構成を有する図１０の３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃにおいては、二点鎖線の枠で示すように、処理液供給装置３Ａの一部の構成が、共通供給系４０として、他の処理液供給装置３Ｂ，３Ｃに共通に用いられている。

　これにより、共通供給系４０内のバルブ１２ａ，２３ａを開状態にすることにより、攪拌部１２ｃで硫酸と過酸化水素水とを混合させることができる。また、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃのバルブ１２ｄを選択的に切り替えることにより、攪拌部１２ｃを通過した処理液（硫酸と過酸化水素水との混合液）を３つのノズル３０に選択的に供給することができる。

　また、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃのバルブ２４ａ，２５ａ，２６ａ，２７ａ，２８ａ，２９ａの開閉状態を切り替えることにより、第２の液供給源２１から各液流路への過酸化水素水の供給および停止を切り替えることができる。図１０の構成によれば、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃのうち一部の構成が共通に用いられることで、基板処理装置１００の部品点数の増加が抑制され、構成が単純化する。

　（ｃ）上記実施の形態に係る基板処理装置１００においては、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、除去処理中に基板Ｗ上の３以上の部分に対向するように水平面内で移動されてもよい。

　例えば、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、３つのノズル３０から基板Ｗ上の３つの部分に処理液を供給した後、３つのノズル３０が基板Ｗ上の他の３つの部分に対向するように水平移動されてもよい。この場合、基板Ｗ上の他の３つの部分にさらに処理液を供給することができる。それにより、基板Ｗ上のより多くの部分に、適切な膜除去能力を有する処理液をそれぞれ供給することができる。

　（ｄ）上記実施の形態に係る基板処理装置１００は、３つの処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃを有するが、本発明はこれに限定されない。基板処理装置１００は、２つの処理液供給装置を有してもよいし、４以上の処理液供給装置を有してもよい。この場合、処理液供給装置の数が多いほど、同時に処理可能な基板Ｗ上の部分が多くなり、基板Ｗの処理効率が向上する。一方、処理液供給装置の数が少ないほど、基板処理装置１００の部品点数の増加が抑制され、構成が単純化される。

　（ｅ）上記実施の形態に係る基板処理装置１００の各処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃにおいては、第１の液供給源１１が硫酸の供給源であり、第２の液供給源２１が過酸化水素水の供給源であるが、本発明はこれに限定されない。上記の処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃにおいては、第１の液供給源１１が過酸化水素水の供給源であり、第２の液供給源２１が硫酸の供給源であってもよい。

　（ｆ）上記実施の形態に係る各処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃの第２の液供給系２０は、硫酸に過酸化水素水を混合するための配管として、３つの第２の副配管２３，２４，２５を有するが本発明はこれに限定されない。第２の液供給系２０は、２つの第２の副配管のみを有してもよいし、４以上の第２の副配管を有してもよい。第２の液供給系２０が４以上の第２の副配管を有する場合には、第１の配管１２およびノズル３０により形成される液流路の４以上の部分で、硫酸と過酸化水素水との混合を行うことができる。それにより、処理液を生成するために設定可能な動作条件の自由度が向上する。

　（ｇ）上記実施の形態では、各処理液供給装置３Ａ，３Ｂ，３Ｃで処理液を生成するために、液流路の第１の部分ＭＰ１、第２の部分ＭＰ２および第３の部分ＭＰ３のうち２つの部分で硫酸と過酸化水素水とを混合する例を説明したが、本発明はこれに限定されない。液流路の第１の部分ＭＰ１、第２の部分ＭＰ２および第３の部分ＭＰ３の全ての部分で硫酸と過酸化水素水とを混合することにより、処理液が生成されてもよい。

　（ｈ）上記実施の形態に係る膜除去処理においては、カロ酸を含む処理液が基板Ｗに供給された後、リンス処理および乾燥処理がこの順で行われるが、本発明はこれに限定されない。基板処理装置１００は、スピンチャック１により保持される基板Ｗに他の処理液として、アンモニア水と過酸化水素水との混合液（ＳＣ１）を供給する供給装置（ＳＣ１供給装置）を備えてもよい。この場合、上記のリンス処理と乾燥処理との間に、ＳＣ１供給装置による基板ＷへのＳＣ１の供給および停止と、基板Ｗ上に残留するＳＣ１を洗い流すための追加のリンス処理が行われてもよい。

　＜１０＞実施の形態の各部と請求項の各構成要素との対応
　以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明する。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

　上記の実施の形態においては、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、ノズル３０がノズルの例であり、第１の配管１２が第１の配管の例であり、第１の液供給系１０が第１の液供給系の例であり、複数の第２の副配管２３，２４，２５が複数の第２の配管の例であり、第２の液供給系２０が第２の液供給系の例であり、制御部６が制御部の例である。

　また、調整部１２ｂが第１の流量調整部の例であり、調整部２３ｂ，２４ｂ，２５ｂが第２の流量調整部の例であり、バルブ２３ａ，２４ａ，２５ａが複数の開閉弁の例であり、３つの処理液供給装置（３Ａ，３Ｂ，３Ｃ）の３つのノズル３０が複数のノズルの例である。

　また、３つの処理液供給装置（３Ａ，３Ｂ，３Ｃ）の３つの第１の液供給系１０が複数の第１の液供給系の例であり、３つの処理液供給装置（３Ａ，３Ｂ，３Ｃ）の３つの第２の液供給系２０が複数の第２の液供給系の例であり、ノズル支持部４がノズル支持部の例であり、ノズル移動装置５がノズル移動部の例であり、基板部分情報が処理液の膜除去能力に関する情報の例である。

　＜１１＞実施の形態の総括
　（第１項）第１項に係る基板処理装置は、
　カロ酸を含む処理液により基板の一面上に形成された不要な膜を除去する除去処理を行う基板処理装置であって、
　前記カロ酸は、硫酸および過酸化水素水のうち一方を第１の液とし、硫酸および過酸化水素水のうち他方を第２の液とした場合に、前記第１の液と前記第２の液とを混合することにより生成され、
　前記基板処理装置は、
　前記基板の前記一面の複数の部分に衝突するように前記処理液を吐出するノズルと、
　前記ノズルに接続された第１の配管を含み、前記第１の配管を通して前記ノズルに前記第１の液を供給する第１の液供給系と、
　前記ノズルおよび前記第１の配管により形成される液流路のうち互いに異なる複数の部分にそれぞれ接続された複数の第２の配管を含み、前記複数の第２の配管のうちいずれかを通して前記液流路に前記第２の液を供給する第２の液供給系と、
　前記除去処理時に、予め定められた複数の動作条件に基づいて前記第１の液供給系および前記第２の液供給系を制御する制御部とを備え、
　前記複数の動作条件は、前記基板の前記一面の複数の部分の各々に当該部分に対応する膜除去能力を有する処理液が衝突するように、前記基板の複数の部分にそれぞれ対応付けられた条件である。

　その基板処理装置においては、第１の液供給系の第１の配管を通して第１の液がノズルに供給される。また、第２の液供給系の複数の第２の配管のうちいずれかの配管を通して第１の配管内に第２の液が供給される。この場合、第１の配管の複数の部分のうちいずれかの部分で、第１の配管を流れる第１の液と第２の液とが混合される。それにより、第１の配管内でカロ酸を含む処理液が生成され、ノズルから吐出される。

　第１の液供給系および第２の液供給系は、除去処理時に、複数の動作条件に従って動作するように制御される。それにより、基板の一面の複数の部分の各々に、当該部分に対応する膜除去能力を有する処理液が衝突する。処理液の膜除去能力の程度は、基板上の膜に対する処理液の反応性の高さを表し、主として当該処理液に含まれるカロ酸の濃度により定まる。

　一方、除去処理時における不要な膜の除去のされやすさの程度（除去容易性）は、膜を構成する材料、膜の厚さ分布、および膜と基板との間の密着性等に応じて基板の一面の複数の部分で互いに異なる場合がある。処理対象となる基板における除去容易性の分布は、予めサンプル基板に除去処理を施したり、シミュレーションを行うことにより、ある程度把握することができる。

　除去容易性の分布が把握できれば、その分布に応じて基板の一面の複数の部分の各々に供給されるべき処理液の膜除去能力を予測することができる。例えば、基板のうち除去容易性が低い（膜が除去されにくい）部分には、膜除去能力が高い処理液を供給する。これにより、当該部分の処理時間を低減しつつ、不要な膜の残留を抑制することができる。一方、基板のうち除去容易性が高い（膜が除去されやすい）部分には、膜除去能力が低い処理液を供給する。これにより、膜の除去とともに膜の下地部分が損傷することを抑制することができる。

　上記の構成によれば、基板の一面の複数の部分にそれぞれ対応する複数の動作条件に従うように、第１の液供給系および第２の液供給系が制御される。複数の動作条件が適切に設定されることにより、基板の一面の複数の部分に、膜を除去するために適切な膜除去能力を有する処理液がそれぞれ供給される。したがって、基板の一面上の一部に不要な膜の一部が残留したり、基板の一面の一部に損傷が発生することが抑制される。また、基板のうち除去容易性が低い部分に形成された膜を除去するために、当該部分に多量の処理液を供給する必要がなくなる。

　これらの結果、基板の一面上に損傷を与えることなく基板の一面上に形成された不要な膜を除去するとともに処理液の使用量を低減することが可能になる。

　（第２項）第１項に係る基板処理装置において、
　前記第１の液供給系は、前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量を調整する第１の流量調整部を含み、
　前記第２の液供給系は、前記複数の第２の配管をそれぞれ流れる前記第２の液の流量をそれぞれ調整する複数の第２の流量調整部を含み、
　前記複数の動作条件は、前記基板の前記一面の前記複数の部分の各々に対応付けられた各第２の配管を流れる第２の液の流量と前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量との間の目標比率を含み、
　前記制御部は、前記除去処理時に、前記ノズルから吐出された処理液が衝突することになる前記基板の部分ごとに、各第２の配管を流れる前記第２の液の流量と前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量との間の比率が、当該部分に対応付けられた前記目標比率となるように、前記第１の流量調整部および前記複数の第２の流量調整部を制御してもよい。

　ノズルから基板に吐出される処理液の膜除去能力の程度は、各第２の配管を流れる第２の液の流量と前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量との間の比率に応じて定まる。したがって、基板の一面の複数の部分に対応する複数の目標比率がそれぞれ適切に設定されることにより、基板の一面の複数の部分に、膜を除去するために適切な膜除去能力を有する処理液がそれぞれ供給される。

　（第３項）第１項に係る基板処理装置において、
　前記第２の液供給系は、前記複数の第２の配管にそれぞれ設けられる複数の開閉弁をさらに含み、
　前記複数の動作条件は、前記基板の前記一面の前記複数の部分の各々に対応付けられた前記複数の開閉弁の開閉状態を含み、
　前記制御部は、前記除去処理時に、前記ノズルから吐出された処理液が衝突することになる前記基板の部分ごとに、前記複数の開閉弁の開閉状態が当該部分に対応する開閉状態となるように、前記複数の開閉弁を制御してもよい。

　ノズルから基板に吐出される処理液の膜除去能力の程度は、複数の第２の配管のいずれの配管から第１の配管に第２の液が供給されたか、に応じて定まる。したがって、基板の一面の複数の部分に対応する複数の開閉状態が適切に設定されることにより、基板の一面の複数の部分に、膜を除去するために適切な膜除去能力を有する処理液がそれぞれ供給される。

　（第４項）第１項～第３項に係る基板処理装置において、
　前記ノズルは、前記基板の前記一面の前記複数の部分にそれぞれ対応する複数のノズルを含み、
　前記第１の液供給系は、前記複数のノズルにそれぞれ対応する複数の第１の液供給系を含み、
　前記第２の液供給系は、前記複数のノズルにそれぞれ対応する複数の第２の液供給系を含み、
　前記基板処理装置は、
　前記複数のノズルの処理液の吐出口が前記基板の前記一面の前記複数の部分にそれぞれ対向するように、前記複数のノズルを支持するノズル支持部をさらに備えてもよい。

　この場合、複数の第１の液供給系および複数の第２の液供給系を同時に動作させることにより、複数のノズルから基板の複数の部分に同時に処理液を供給することが可能になる。それにより、１つのノズルを用いて基板の一面の複数の部分に順次処理液を供給する場合に比べて、除去処理に要する時間を短縮することができる。したがって、処理時間が長くなることに起因するパーティクルの付着等の基板の汚染が防止される。

　（第５項）第１項～第３項に係る基板処理装置において、
　前記基板処理装置は、
　前記基板よりも上方の位置で前記ノズルを支持するとともに、前記ノズルと前記基板とを水平面内で相対的に移動させるノズル移動部とをさらに備え、
　前記制御部は、前記除去処理時に、前記ノズルから吐出される処理液が前記基板の前記一面の複数の部分に順次衝突するように、前記ノズル移動部を制御してもよい。

　この場合、基板の複数の部分に処理液を吐出するために、複数のノズルを用意する必要がない。したがって、基板処理装置の部品点数の増加が抑制され、構成が単純化する。

　（第６項）第６項に係る基板処理方法は、
　カロ酸を含む処理液により基板の一面上に形成された不要な膜を除去する除去処理を行う基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
　前記カロ酸は、硫酸および過酸化水素水のうち一方を第１の液とし、硫酸および過酸化水素水のうち他方を第２の液とした場合に、前記第１の液と前記第２の液とを混合することにより生成され、
　前記基板処理装置は、
　前記基板の前記一面の複数の部分に衝突するように前記処理液を吐出するノズルと、
　前記ノズルに接続された第１の配管を含み、前記第１の配管を通して前記ノズルに前記第１の液を供給する第１の液供給系と、
　前記ノズルおよび前記第１の配管により形成される液流路のうち互いに異なる複数の部分にそれぞれ接続された複数の第２の配管を含み、前記複数の第２の配管のうちいずれかを通して前記第１の配管内に前記第２の液を供給する第２の液供給系とを備え、
　前記基板処理方法は、
　前記基板の前記一面の前記複数の部分の各々について、当該部分に供給されるべき処理液の膜除去能力に関する情報を取得するステップと、
　取得された前記情報に基づいて、前記基板の前記一面の前記複数の部分にそれぞれ対応する膜除去能力を有する処理液が衝突するように、前記基板の複数の部分の各々に対応する前記第１の液供給系および前記第２の液供給系の動作条件を設定するステップと、
　設定された前記第１の液供給系および前記第２の液供給系の動作条件に基づいて前記第１の液供給系および前記第２の液供給系を制御するステップとを含む。

　除去処理時における不要な膜の除去のされやすさの程度（除去容易性）は、膜を構成する材料、膜の厚さ分布、および膜と基板との間の密着性等に応じて基板の一面の複数の部分で互いに異なる場合がある。処理対象となる基板における除去容易性の分布は、予めサンプル基板に除去処理を施したり、シミュレーションを行うことにより、ある程度把握することができる。

　除去容易性の分布が把握できれば、その分布に応じて基板の一面の複数の部分の各々に供給されるべき処理液の膜除去能力を予測することができる。例えば、基板のうち除去容易性が低い（膜が除去されにくい）部分には、膜除去能力が高い処理液を供給する。これにより、当該部分の処理時間を低減しつつ、不要な膜の残留を抑制することができる。一方、基板のうち除去容易性が高い（膜が除去されやすい）部分には、膜除去能力が低い処理液を供給する。これにより、膜の除去とともに膜の下地部分が損傷することを抑制することができる。処理液の膜除去能力の程度は、基板上の膜に対する処理液の反応性の高さを表し、主として当該処理液に含まれるカロ酸の濃度により定まる。

　上記の基板処理方法においては、基板の一面の複数の部分の各々について、当該部分に供給されるべき処理液の膜除去能力に関する情報が取得される。取得された処理液の膜除去能力に関する情報に基づいて、第１の液供給系および第２の液供給系の動作条件が設定される。基板の一面の複数の部分にそれぞれ対応する複数の動作条件に従うように、第１の液供給系および第２の液供給系が制御される。

　第１の液供給系および第２の液供給系の制御時には、第１の液供給系の第１の配管を通して第１の液がノズルに供給される。また、第２の液供給系の複数の第２の配管のうちいずれかの配管を通して第１の配管内に第２の液が供給される。この場合、第１の配管の複数の部分のうちいずれかの部分で、第１の配管を流れる第１の液と第２の液とが混合される。第１の配管内でカロ酸を含む処理液が生成され、ノズルから吐出される。それにより、基板の一面の複数の部分の各々に、当該部分に対応する膜除去能力を有する処理液が衝突する。

　複数の動作条件が適切に設定されることにより、基板の一面の複数の部分に、膜を除去するために適切な膜除去能力を有する処理液がそれぞれ供給される。したがって、基板の一面上の一部に不要な膜の一部が残留したり、基板の一面の一部に損傷が発生することが抑制される。また、基板のうち除去容易性が低い部分に形成された膜を除去するために、当該部分に多量の処理液を供給する必要がなくなる。

　（第７項）第６項に係る基板処理方法において、
　前記複数の動作条件は、前記基板の前記一面の前記複数の部分の各々に対応付けられた各第２の配管を流れる第２の液の流量と前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量との間の目標比率を含み、
　前記第１の液供給系および前記第２の液供給系を制御するステップは、前記除去処理時に、前記ノズルから吐出された処理液が衝突することになる前記基板の部分ごとに、各第２の配管を流れる前記第２の液の流量と前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量との間の比率が、当該部分に対応付けられた前記目標比率となるように、前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量を調整することと、前記複数の第２の配管をそれぞれ流れる前記第２の液の流量をそれぞれ調整することとを含んでもよい。

　（第８項）第６項に係る基板処理方法において、
　前記第２の液供給系は、前記複数の第２の配管にそれぞれ設けられる複数の開閉弁をさらに含み、
　前記複数の動作条件は、前記基板の前記一面の前記複数の部分の各々に対応付けられた前記複数の開閉弁の開閉状態を含み、
　前記第１の液供給系および前記第２の液供給系を制御するステップは、前記除去処理時に、前記ノズルから吐出された処理液が衝突することになる前記基板の部分ごとに、前記複数の開閉弁の開閉状態が当該部分に対応する開閉状態となるように、前記複数の開閉弁を制御することを含んでもよい。

　（第９項）第６項～第８項に係る基板処理方法において、
　前記ノズルは、前記基板の前記一面の前記複数の部分にそれぞれ対応する複数のノズルを含み、
　前記第１の液供給系は、前記複数のノズルにそれぞれ対応する複数の第１の液供給系を含み、
　前記第２の液供給系は、前記複数のノズルにそれぞれ対応する複数の第２の液供給系を含み、
　前記基板処理方法は、
　前記除去処理時に、前記複数のノズルの処理液の吐出口が前記基板の前記一面の前記複数の部分にそれぞれ対向するように、前記複数のノズルを支持することを含んでもよい。

　（第１０項）第６項～第８項に係る基板処理方法において、
　前記基板処理方法は、
　前記除去処理時に、前記ノズルから吐出される処理液が前記基板の前記一面の複数の部分に順次衝突するように、前記基板よりも上方の位置で前記ノズルを支持するとともに、前記ノズルと前記基板とを水平面内で相対的に移動させるステップをさらに含んでもよい。

Claims

　カロ酸を含む処理液により基板の一面上に形成された不要な膜を除去する除去処理を行う基板処理装置であって、
　前記カロ酸は、硫酸および過酸化水素水のうち一方を第１の液とし、硫酸および過酸化水素水のうち他方を第２の液とした場合に、前記第１の液と前記第２の液とを混合することにより生成され、
　前記基板処理装置は、
　前記基板の前記一面の複数の部分に衝突するように前記処理液を吐出するノズルと、
　前記ノズルに接続された第１の配管を含み、前記第１の配管を通して前記ノズルに前記第１の液を供給する第１の液供給系と、
　前記ノズルおよび前記第１の配管により形成される液流路のうち互いに異なる複数の部分にそれぞれ接続された複数の第２の配管を含み、前記複数の第２の配管のうちいずれかを通して前記液流路に前記第２の液を供給する第２の液供給系と、
　前記除去処理時に、予め定められた複数の動作条件に基づいて前記第１の液供給系および前記第２の液供給系を制御する制御部とを備え、
　前記複数の動作条件は、前記基板の前記一面の複数の部分の各々に当該部分に対応する膜除去能力を有する処理液が衝突するように、前記基板の複数の部分にそれぞれ対応付けられた条件である、基板処理装置。
　前記第１の液供給系は、前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量を調整する第１の流量調整部を含み、
　前記第２の液供給系は、前記複数の第２の配管をそれぞれ流れる前記第２の液の流量をそれぞれ調整する複数の第２の流量調整部を含み、
　前記複数の動作条件は、前記基板の前記一面の前記複数の部分の各々に対応付けられた各第２の配管を流れる第２の液の流量と前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量との間の目標比率を含み、
　前記制御部は、前記除去処理時に、前記ノズルから吐出された処理液が衝突することになる前記基板の部分ごとに、各第２の配管を流れる前記第２の液の流量と前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量との間の比率が、当該部分に対応付けられた前記目標比率となるように、前記第１の流量調整部および前記複数の第２の流量調整部を制御する、請求項１記載の基板処理装置。
　前記第２の液供給系は、前記複数の第２の配管にそれぞれ設けられる複数の開閉弁をさらに含み、
　前記複数の動作条件は、前記基板の前記一面の前記複数の部分の各々に対応付けられた前記複数の開閉弁の開閉状態を含み、
　前記制御部は、前記除去処理時に、前記ノズルから吐出された処理液が衝突することになる前記基板の部分ごとに、前記複数の開閉弁の開閉状態が当該部分に対応する開閉状態となるように、前記複数の開閉弁を制御する、請求項１記載の基板処理装置。
　前記ノズルは、前記基板の前記一面の前記複数の部分にそれぞれ対応する複数のノズルを含み、
　前記第１の液供給系は、前記複数のノズルにそれぞれ対応する複数の第１の液供給系を含み、
　前記第２の液供給系は、前記複数のノズルにそれぞれ対応する複数の第２の液供給系を含み、
　前記基板処理装置は、
　前記複数のノズルの処理液の吐出口が前記基板の前記一面の前記複数の部分にそれぞれ対向するように、前記複数のノズルを支持するノズル支持部をさらに備える、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　前記基板よりも上方の位置で前記ノズルを支持するとともに、前記ノズルと前記基板とを水平面内で相対的に移動させるノズル移動部とをさらに備え、
　前記制御部は、前記除去処理時に、前記ノズルから吐出される処理液が前記基板の前記一面の複数の部分に順次衝突するように、前記ノズル移動部を制御する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　カロ酸を含む処理液により基板の一面上に形成された不要な膜を除去する除去処理を行う基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
　前記カロ酸は、硫酸および過酸化水素水のうち一方を第１の液とし、硫酸および過酸化水素水のうち他方を第２の液とした場合に、前記第１の液と前記第２の液とを混合することにより生成され、
　前記基板処理装置は、
　前記基板の前記一面の複数の部分に衝突するように前記処理液を吐出するノズルと、
　前記ノズルに接続された第１の配管を含み、前記第１の配管を通して前記ノズルに前記第１の液を供給する第１の液供給系と、
　前記ノズルおよび前記第１の配管により形成される液流路のうち互いに異なる複数の部分にそれぞれ接続された複数の第２の配管を含み、前記複数の第２の配管のうちいずれかを通して前記第１の配管内に前記第２の液を供給する第２の液供給系とを備え、
　前記基板処理方法は、
　前記基板の前記一面の前記複数の部分の各々について、当該部分に供給されるべき処理液の膜除去能力に関する情報を取得するステップと、
　取得された前記情報に基づいて、前記基板の前記一面の前記複数の部分にそれぞれ対応する膜除去能力を有する処理液が衝突するように、前記基板の複数の部分の各々に対応する前記第１の液供給系および前記第２の液供給系の動作条件を設定するステップと、
　設定された前記第１の液供給系および前記第２の液供給系の動作条件に基づいて前記第１の液供給系および前記第２の液供給系を制御するステップとを含む、基板処理方法。
　前記複数の動作条件は、前記基板の前記一面の前記複数の部分の各々に対応付けられた各第２の配管を流れる第２の液の流量と前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量との間の目標比率を含み、
　前記第１の液供給系および前記第２の液供給系を制御するステップは、前記除去処理時に、前記ノズルから吐出された処理液が衝突することになる前記基板の部分ごとに、各第２の配管を流れる前記第２の液の流量と前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量との間の比率が、当該部分に対応付けられた前記目標比率となるように、前記第１の配管を流れる前記第１の液の流量を調整することと、前記複数の第２の配管をそれぞれ流れる前記第２の液の流量をそれぞれ調整することとを含む、請求項６記載の基板処理方法。
　前記第２の液供給系は、前記複数の第２の配管にそれぞれ設けられる複数の開閉弁をさらに含み、
　前記複数の動作条件は、前記基板の前記一面の前記複数の部分の各々に対応付けられた前記複数の開閉弁の開閉状態を含み、
　前記第１の液供給系および前記第２の液供給系を制御するステップは、前記除去処理時に、前記ノズルから吐出された処理液が衝突することになる前記基板の部分ごとに、前記複数の開閉弁の開閉状態が当該部分に対応する開閉状態となるように、前記複数の開閉弁を制御することを含む、請求項６記載の基板処理方法。
　前記ノズルは、前記基板の前記一面の前記複数の部分にそれぞれ対応する複数のノズルを含み、
　前記第１の液供給系は、前記複数のノズルにそれぞれ対応する複数の第１の液供給系を含み、
　前記第２の液供給系は、前記複数のノズルにそれぞれ対応する複数の第２の液供給系を含み、
　前記基板処理方法は、
　前記除去処理時に、前記複数のノズルの処理液の吐出口が前記基板の前記一面の前記複数の部分にそれぞれ対向するように、前記複数のノズルを支持することを含む、請求項６～８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
　前記除去処理時に、前記ノズルから吐出される処理液が前記基板の前記一面の複数の部分に順次衝突するように、前記基板よりも上方の位置で前記ノズルを支持するとともに、前記ノズルと前記基板とを水平面内で相対的に移動させるステップをさらに含む、請求項６～８のいずれか一項に記載の基板処理方法。