WO2025013299A1 - 積層セラミック電子部品 - Google Patents

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聡 宮内
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to multilayer ceramic electronic components.
  • Patent Document 1 discloses a multilayer ceramic electronic component in which a plating film is formed on the surface of a frame serving as a metal terminal.
  • a plating film By forming a plating film on the metal terminal, it is possible to improve the bonding strength of the bonding material.
  • the bonding material may flow out excessively along the metal terminal. In this case, the bonding material is likely to come close to the surface of the exterior material, and when the bonding material remelts during reflow during board mounting and expands in volume, a phenomenon known as solder splash may occur, in which solder components spray out from the interface between the exterior material and the metal terminal.
  • the present invention aims to provide a multilayer ceramic electronic component that can appropriately suppress excessive outflow of bonding material and prevent the occurrence of solder splashes.
  • the first metal terminal has a first joint surface that is joined to the joint material and a first contact surface that is in contact with the exterior material
  • the second metal terminal has a second joint surface that is joined to the joint material and a second contact surface that is in contact with the exterior material
  • the first contact surface that is in contact with the exterior material comprises a surface of a first outermost metal film and a first low-wettability surface that is less wettable than the first outermost metal film
  • the second contact surface that is in contact with the exterior material comprises a surface of a second outermost metal film and a second low-wettability surface that is less wettable than the second outermost metal film
  • a first protrusion is disposed at the boundary between the surface of the first outermost metal film and the first low-wettability surface
  • a second protrusion is disposed at the boundary between the surface of the second outermost metal film and the second low-wettability surface.
  • the present invention provides a multilayer ceramic electronic component that can appropriately prevent excessive flow of bonding material and suppress the occurrence of solder splashes.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention
  • 2 is a view of the multilayer ceramic capacitor of FIG. 1 as seen from the direction of arrow II.
  • 3 is a view of the multilayer ceramic capacitor of FIG. 2 as seen in the direction of arrow III.
  • 3 is a view of the multilayer ceramic capacitor of FIG. 2 as seen from the direction of arrow IV.
  • FIG. 2 is a diagram corresponding to FIG. 1 and is a virtual perspective view for explaining the internal structure of the multilayer ceramic capacitor.
  • 6 is a virtual arrow view of the multilayer ceramic capacitor of FIG. 5 as viewed from the direction of arrow VI.
  • FIG. 1 is an external perspective view showing the external appearance of a multilayer ceramic capacitor body before it is covered with an exterior material and before metal terminals are attached; 8 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic capacitor body taken along line VIII-VIII in FIG. 7.
  • 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX of the multilayer ceramic capacitor body of FIG. 8.
  • 9 is a cross-sectional view taken along line XX of the multilayer ceramic capacitor body of FIG. 8.
  • FIG. 5 corresponds to FIG. 4 and shows the metal terminals when the exterior material and the multilayer ceramic capacitor body are removed.
  • FIG. 7 is an enlarged view of a portion XIIA of the multilayer ceramic capacitor shown in FIG. 6 .
  • FIG. 7 is an enlarged view of a portion XIIB of the multilayer ceramic capacitor shown in FIG. 6.
  • FIG. 2 is a partial external perspective view of a first metal terminal; 12B is an enlarged view of a portion R1 of the multilayer ceramic capacitor shown in FIG. 12A. 12B is an enlarged view of a portion R2 of the multilayer ceramic capacitor shown in FIG. 12A. FIG. 12B is an enlarged view of a portion R3 of the multilayer ceramic capacitor shown in FIG. 12A. 12E is an enlarged cross-sectional view of a first protrusion located at a portion R4 of the first metal terminal shown in FIG. 12D.
  • FIG. 12C is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 12G is an enlarged cross-sectional view showing a first convex portion according to a first modified example.
  • FIG. 12C is an enlarged cross-sectional view corresponding to FIG. 12G, showing a low-wettability surface according to a second modified example.
  • FIG. 12C is an enlarged cross-sectional view corresponding to FIG. 12G, showing a low-wettability surface according to a third modified example.
  • 1 is a diagram of an SEM image of a cross section including a surface of an intermetallic compound.
  • FIG. 13B is an elemental mapping image of SEM-EDX based on the SEM image of FIG. 13A.
  • FIG. 13B is a diagram showing a characteristic X-ray spectrum display at the position of measurement point P1 in FIG. 13A.
  • FIG. 2 is a front view of the metal terminal before being bent.
  • FIG. 4 is a diagram showing the opposite surface of the metal terminal before being bent. 4 is a cross-sectional view showing an example of a plurality of protrusions formed on a surface of an intermetallic compound in a first metal terminal.
  • FIG. 1 is an external perspective view showing a mounting structure in which a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention is mounted on a mounting board.
  • 16B is a view corresponding to FIG. 6 and is a virtual arrow view of the mounting structure of the multilayer ceramic capacitor of FIG. 16A as viewed from the direction of arrow XVIB.
  • FIG. 11 is a diagram showing a fourth modified example of the multilayer ceramic capacitor of the present embodiment, and corresponds to FIG. 2 .
  • FIG. 17B is a view of the multilayer ceramic capacitor of FIG. 17A as viewed from the direction of arrow XVIIB.
  • FIG. 1 is a diagram showing a multilayer ceramic capacitor having a double structure.
  • FIG. 1 is a diagram showing a multilayer ceramic capacitor having a triple structure.
  • FIG. 1 is a diagram showing a multilayer ceramic capacitor having a four-row structure.
  • FIG. 1 is an external perspective view of the multilayer ceramic capacitor 1.
  • FIG. 2 is an arrow view of the multilayer ceramic capacitor 1 in FIG. 1 as viewed from the direction of arrow II.
  • FIG. 3 is an arrow view of the multilayer ceramic capacitor 1 in FIG. 2 as viewed from the direction of arrow III.
  • FIG. 4 is an arrow view of the multilayer ceramic capacitor 1 in FIG. 2 as viewed from the direction of arrow IV.
  • FIG. 5 is a view corresponding to FIG. 1, and is a virtual perspective view for explaining the internal structure of the multilayer ceramic capacitor 1.
  • FIG. 6 is a virtual view for explaining the internal structure of the multilayer ceramic capacitor 1, and is a virtual arrow view of the multilayer ceramic capacitor 1 in FIG. 5 as viewed from the direction of arrow VI.
  • the multilayer ceramic capacitor 1 has a multilayer ceramic capacitor body 2 as a multilayer ceramic electronic component body, metal terminals 100, and an exterior material 3.
  • the multilayer ceramic capacitor body 2 is not shown in Figures 1 to 4 because it is covered by the exterior material 3.
  • the multilayer ceramic capacitor body 2 is shown in Figures 5 and 6.
  • Fig. 7 is an external perspective view showing the appearance of the multilayer ceramic capacitor body 2 before it is covered with the exterior material 3 and before the metal terminals 100 are attached.
  • Fig. 8 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic capacitor body 2 taken along line VIII-VIII in Fig. 7.
  • Fig. 9 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic capacitor body 2 taken along line IX-IX in Fig. 8.
  • Fig. 10 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic capacitor body 2 taken along line X-X in Fig. 8.
  • the multilayer ceramic capacitor body 2 has a laminate 10 and an external electrode 40.
  • FIG. 5 to 10 An XYZ orthogonal coordinate system is shown in Figures 5 to 10.
  • the length direction L of the multilayer ceramic capacitor body 2 and the laminate 10 corresponds to the X direction.
  • the width direction W of the multilayer ceramic capacitor body 2 and the laminate 10 corresponds to the Y direction.
  • the height direction T of the multilayer ceramic capacitor body 2 and the laminate 10 corresponds to the Z direction.
  • the cross section shown in Figure 8 is also called the LT cross section.
  • the cross section shown in Figure 9 is also called the WT cross section.
  • the cross section shown in Figure 10 is also called the LW cross section. Note that similar XYZ orthogonal coordinate systems are also shown in Figures 1 to 4, 11, and 16A to 17B.
  • the laminate 10 includes a first main surface TS1 and a second main surface TS2 that face the height direction T, a first side surface WS1 and a second side surface WS2 that face the width direction W that is perpendicular to the height direction T, and a first end surface LS1 and a second end surface LS2 that face the length direction L that is perpendicular to the height direction T and the width direction W.
  • the laminate 10 has a generally rectangular parallelepiped shape.
  • the dimension of the laminate 10 in the length direction L is not necessarily longer than the dimension in the width direction W. It is preferable that the corners and ridges of the laminate 10 are rounded. A corner is a portion where three faces of the laminate intersect, and a ridge is a portion where two faces of the laminate intersect. Incidentally, unevenness may be formed on part or all of the surfaces constituting the laminate 10.
  • the dimensions of the laminate 10 are not particularly limited, but if the dimension L of the laminate 10 in the length direction L is taken as the L dimension, it is preferable that the L dimension be 0.2 mm or more and 10 mm or less. If the dimension T of the laminate 10 in the height direction T is taken as the T dimension, it is preferable that the T dimension be 0.1 mm or more and 10 mm or less. If the dimension W of the laminate 10 in the width direction W is taken as the W dimension, it is preferable that the W dimension be 0.1 mm or more and 10 mm or less.
  • the inner layer portion 11 includes a plurality of dielectric layers 20 as a plurality of ceramic layers, and a plurality of internal electrode layers 30 as a plurality of internal conductor layers. In the height direction T, the inner layer portion 11 includes the internal electrode layer 30 located closest to the first main surface TS1 to the internal electrode layer 30 located closest to the second main surface TS2. In the inner layer portion 11, the multiple internal electrode layers 30 are arranged opposite each other with the dielectric layer 20 interposed therebetween.
  • the inner layer portion 11 is a portion that generates electrostatic capacitance and essentially functions as a capacitor.
  • the plurality of dielectric layers 20 are made of a dielectric material.
  • the dielectric material may be, for example, a dielectric ceramic containing components such as BaTiO 3 , CaTiO 3 , SrTiO 3 , or CaZrO 3 .
  • the dielectric material may also be one in which a subcomponent such as a Mn compound, an Fe compound, a Cr compound, a Co compound, or a Ni compound is added to the main components.
  • the thickness of the dielectric layer 20 is preferably 0.5 ⁇ m or more and 72 ⁇ m or less.
  • the number of dielectric layers 20 to be stacked is preferably 10 or more and 700 or less.
  • the number of dielectric layers 20 is the total number of the dielectric layers in the inner layer portion 11 and the dielectric layers in the first main surface side outer layer portion 12 and the second main surface side outer layer portion 13.
  • the multiple internal electrode layers 30 have multiple first internal electrode layers 31 (first internal conductor layers 31) and multiple second internal electrode layers 32 (second internal conductor layers 32).
  • the multiple first internal electrode layers 31 are arranged on the multiple dielectric layers 20.
  • the multiple second internal electrode layers 32 are arranged on the multiple dielectric layers 20.
  • the multiple first internal electrode layers 31 and the multiple second internal electrode layers 32 are arranged alternately in the height direction T of the laminate 10, with the dielectric layers 20 interposed between them.
  • the first internal electrode layers 31 and the second internal electrode layers 32 are arranged so as to sandwich the dielectric layers 20 between them.
  • the first internal electrode layer 31 has a first opposing portion 31A that faces the second internal electrode layer 32, and a first lead-out portion 31B that is led out from the first opposing portion 31A to the first end surface LS1.
  • the first lead-out portion 31B is exposed to the first end surface LS1.
  • the second internal electrode layer 32 has a second opposing portion 32A that faces the first internal electrode layer 31, and a second lead-out portion 32B that is led out from the second opposing portion 32A to the second end surface LS2.
  • the second lead-out portion 32B is exposed to the second end surface LS2.
  • the first opposing portion 31A and the second opposing portion 32A face each other via the dielectric layer 20, forming a capacitance and exhibiting the characteristics of a capacitor.
  • the shapes of the first opposing portion 31A and the second opposing portion 32A are not particularly limited, but are preferably rectangular. However, the corners of the rectangular shape may be rounded or the corners of the rectangular shape may be formed at an angle.
  • the shapes of the first pull-out portion 31B and the second pull-out portion 32B are not particularly limited, but are preferably rectangular. However, the corners of the rectangular shape may be rounded or the corners of the rectangular shape may be formed at an angle.
  • the dimension in the width direction W of the first opposing portion 31A and the dimension in the width direction W of the first pull-out portion 31B may be the same, or one of the dimensions may be smaller.
  • the dimension in the width direction W of the second opposing portion 32A and the dimension in the width direction W of the second pull-out portion 32B may be the same, or one of the dimensions may be smaller.
  • the first internal electrode layer 31 and the second internal electrode layer 32 are made of an appropriate conductive material, such as a metal such as Ni, Cu, Ag, Pd, or Au, or an alloy containing at least one of these metals. When an alloy is used, the first internal electrode layer 31 and the second internal electrode layer 32 may be made of, for example, an Ag-Pd alloy.
  • each of the first internal electrode layer 31 and the second internal electrode layer 32 is preferably, for example, about 0.2 ⁇ m or more and 3.0 ⁇ m or less.
  • the total number of the first internal electrode layers 31 and the second internal electrode layers 32 is preferably 5 or more and 350 or less.
  • the first main surface side outer layer portion 12 is located on the first main surface TS1 side of the laminate 10.
  • the first main surface side outer layer portion 12 is an assembly of dielectric layers 20 as multiple ceramic layers located between the first main surface TS1 and the internal electrode layer 30 closest to the first main surface TS1.
  • the first main surface side outer layer portion 12 is formed from multiple dielectric layers 20 located between the first main surface TS1 and the internal electrode layer 30 located closest to the first main surface TS1 side among the multiple internal electrode layers 30.
  • the dielectric layer 20 used in the first main surface side outer layer portion 12 may be the same as the dielectric layer 20 used in the internal layer portion 11.
  • the second main surface side outer layer portion 13 is located on the second main surface TS2 side of the laminate 10.
  • the second main surface side outer layer portion 13 is an assembly of dielectric layers 20 as multiple ceramic layers located between the second main surface TS2 and the internal electrode layer 30 closest to the second main surface TS2.
  • the second main surface side outer layer portion 13 is formed from multiple dielectric layers 20 located between the second main surface TS2 and the internal electrode layer 30 located closest to the second main surface TS2 side among the multiple internal electrode layers 30.
  • the dielectric layer 20 used in the second main surface side outer layer portion 13 may be the same as the dielectric layer 20 used in the internal layer portion 11.
  • the laminate 10 has a plurality of laminated dielectric layers 20 and a plurality of internal electrode layers 30 laminated on the dielectric layers 20.
  • the multilayer ceramic capacitor 1 has a laminate 10 in which the dielectric layers 20 and the internal electrode layers 30 are alternately laminated.
  • the laminate 10 has an opposing electrode portion 11E.
  • the opposing electrode portion 11E is a portion where the first opposing portion 31A of the first internal electrode layer 31 and the second opposing portion 32A of the second internal electrode layer 32 face each other.
  • the opposing electrode portion 11E is configured as a part of the inner layer portion 11.
  • Figure 8 shows the range in the length direction L of the opposing electrode portion 11E.
  • Figure 9 shows the range in the width direction W of the opposing electrode portion 11E.
  • Figure 10 shows the range in the width direction W and length direction L of the opposing electrode portion 11E.
  • the opposing electrode portion 11E is also called the effective portion of the capacitor.
  • the laminate 10 has a side surface outer layer portion.
  • the side surface outer layer portion has a first side surface outer layer portion WG1 and a second side surface outer layer portion WG2.
  • the first side surface outer layer portion WG1 is a portion including the dielectric layer 20 located between the opposing electrode portion 11E and the first side surface WS1.
  • the second side surface outer layer portion WG2 is a portion including the dielectric layer 20 located between the opposing electrode portion 11E and the second side surface WS2.
  • Figures 9 and 10 show the range of the width direction W of the first side surface outer layer portion WG1 and the second side surface outer layer portion WG2.
  • the first side surface outer layer portion WG1 and the second side surface outer layer portion WG2 are also called W gaps or side gaps.
  • the laminate 10 has an end surface side outer layer portion.
  • the end surface side outer layer portion has a first end surface side outer layer portion LG1 and a second end surface side outer layer portion LG2.
  • the first end surface side outer layer portion LG1 is a portion including the dielectric layer 20 and the first lead portion 31B located between the counter electrode portion 11E and the first end surface LS1.
  • the second end surface side outer layer portion LG2 is a portion including the dielectric layer 20 and the second lead portion 32B located between the counter electrode portion 11E and the second end surface LS2.
  • FIG. 8 and FIG. 10 the range of the length direction L of the first end surface side outer layer portion LG1 and the second end surface side outer layer portion LG2 is shown.
  • the first end surface side outer layer portion LG1 and the second end surface side outer layer portion LG2 are also called L gaps or end gaps.
  • the external electrode 40 has a first external electrode 40A arranged on the first end face LS1 side and a second external electrode 40B arranged on the second end face LS2 side.
  • the first external electrode 40A may be disposed, for example, extending from the first end face LS1 to a part of the first main surface TS1.
  • the cross-sectional shape of the first external electrode 40A may be L-shaped (not shown).
  • the portion of the first external electrode 40A that is disposed on the first main surface TS1 is connected to the first metal terminal 100A, which will be described later, via a bonding material.
  • the length L1 in the length direction L of the first external electrode 40A provided on the first main surface TS1 is 10% to 40% (e.g., 20 ⁇ m to 4000 ⁇ m) of the L dimension of the laminate.
  • the first external electrode 40A is also provided on the second main surface TS2, the first side surface WS1, and the second side surface WS2, it is preferable that the length L1 in the length direction L of the first external electrode 40A provided on these surfaces is also 10% to 40% (e.g., 20 ⁇ m to 4000 ⁇ m) of the L dimension of the laminate.
  • the length T1 in the height direction T of the first external electrode 40A provided on this portion is approximately equal to the dimension T of the laminate 10 (e.g., 0.1 mm or more and 10 mm or less).
  • the second external electrode 40B is disposed at least on the second end face LS2 side on the first main surface TS1. It is preferable that the second external electrode 40B is disposed at least on the second end face LS2 and a part of the first main surface TS1. In this embodiment, the second external electrode 40B is disposed on the second end face LS2, a part of the first main surface TS1, a part of the second main surface TS2, a part of the first side surface WS1, and a part of the second side surface WS2. In this embodiment, the second external electrode 40B is connected to the second internal electrode layer 32 on the second end face LS2.
  • the second external electrode 40B may be disposed, for example, extending from the second end face LS2 to a part of the first main surface TS1.
  • the cross-sectional shape of the second external electrode 40B may be L-shaped (not shown).
  • the portion of the second external electrode 40B that is disposed on the first main surface TS1 is connected to the second metal terminal 100B, which will be described later, via a bonding material.
  • the length L2 in the length direction L of the second external electrode 40B provided on the first main surface TS1 is 10% to 40% (e.g., 20 ⁇ m to 4000 ⁇ m) of the L dimension of the laminate.
  • the second external electrode 40B is also provided on the second main surface TS2, the first side surface WS1, and the second side surface WS2, the length L2 in the length direction L of the second external electrode 40B provided on these surfaces is also 10% to 40% (e.g., 20 ⁇ m to 4000 ⁇ m) of the L dimension of the laminate.
  • the length W1 in the width direction W of the second external electrode 40B provided on the first main surface TS1 is approximately equal to the dimension W of the laminate 10 (e.g., 0.1 mm or more and 10 mm or less).
  • the second external electrode 40B is also provided on the second main surface TS2
  • the length W1 in the width direction W of the second external electrode 40B provided on the second main surface TS2 is approximately equal to the dimension W of the laminate 10 (e.g., 0.1 mm or more and 10 mm or less).
  • the length T1 in the height direction T of the second external electrode 40B provided on this portion is approximately equal to the dimension T of the laminate 10 (e.g., 0.1 mm or more and 10 mm or less).
  • the length L3 of the portion of the surface of the laminate 10 that is exposed from the external electrode 40 in the longitudinal direction L is preferably 20% to 80% (e.g., 40 ⁇ m to 8000 ⁇ m) of the L dimension of the laminate.
  • the separation distance L3 between the first external electrode 40A and the second external electrode 40B is preferably 20% to 80% (e.g., 40 ⁇ m to 8000 ⁇ m) of the L dimension of the laminate.
  • the first opposing portion 31A of the first internal electrode layer 31 and the second opposing portion 32A of the second internal electrode layer 32 face each other via the dielectric layer 20, forming a capacitance. Therefore, the characteristics of a capacitor are expressed between the first external electrode 40A to which the first internal electrode layer 31 is connected and the second external electrode 40B to which the second internal electrode layer 32 is connected.
  • the first external electrode 40A has a first base electrode layer 50A and a first plating layer 60A disposed on the first base electrode layer 50A.
  • the second external electrode 40B has a second base electrode layer 50B and a second plating layer 60B disposed on the second base electrode layer 50B.
  • the first base electrode layer 50A is disposed on the first end face LS1.
  • the first base electrode layer 50A is connected to the first internal electrode layer 31.
  • the first base electrode layer 50A is formed extending from the first end face LS1 to a portion of the first main surface TS1 and a portion of the second main surface TS2, as well as a portion of the first side surface WS1 and a portion of the second side surface WS2.
  • the second base electrode layer 50B is disposed on the second end face LS2.
  • the second base electrode layer 50B is connected to the second internal electrode layer 32.
  • the second base electrode layer 50B is formed to extend from the second end face LS2 to a portion of the first main surface TS1 and a portion of the second main surface TS2, as well as a portion of the first side surface WS1 and a portion of the second side surface WS2.
  • the first base electrode layer 50A and the second base electrode layer 50B of this embodiment are baked layers.
  • the baked layer preferably contains a metal component and either a glass component or a ceramic component, or both.
  • the metal component includes at least one selected from, for example, Cu, Ni, Ag, Pd, Ag-Pd alloy, Au, etc.
  • the glass component includes at least one selected from, for example, B, Si, Ba, Mg, Al, Li, etc.
  • the ceramic component may be the same type of ceramic material as the dielectric layer 20, or a different type of ceramic material.
  • the ceramic component includes at least one selected from, for example, BaTiO 3 , CaTiO 3 , (Ba, Ca)TiO 3 , SrTiO 3 , CaZrO 3 , etc.
  • the baked layer is, for example, a conductive paste containing glass and metal applied to the laminate and baked.
  • the baked layer may be a layer formed by simultaneously baking a laminated chip having an internal electrode layer and a dielectric layer and a conductive paste applied to the laminated chip, or a layer formed by simultaneously baking a laminated chip having an internal electrode layer and a dielectric layer and a conductive paste applied to the laminated chip, and then applying the conductive paste to the laminate and baking it.
  • the baked layer may be a multi-layered layer.
  • the thickness in the longitudinal direction of the first base electrode layer 50A located on the first end surface LS1 is preferably, for example, about 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less at the center in the height direction T and width direction W of the first base electrode layer 50A.
  • the thickness in the longitudinal direction of the second base electrode layer 50B located on the second end surface LS2 is preferably, for example, about 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less at the center in the height direction T and width direction W of the second base electrode layer 50B.
  • the thickness in the height direction of the first base electrode layer 50A provided on this portion is preferably, for example, about 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less at the center in the length direction L and width direction W of the first base electrode layer 50A provided on this portion.
  • the widthwise thickness of the first base electrode layer 50A provided on this portion is preferably, for example, about 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less at the center in the length direction L and height direction T of the first base electrode layer 50A provided on this portion.
  • the widthwise thickness of the second base electrode layer 50B provided on this portion is preferably, for example, about 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less at the center in the length direction L and height direction T of the second base electrode layer 50B provided on this portion.
  • the first base electrode layer 50A and the second base electrode layer 50B are not limited to baked layers, and may be thin film layers.
  • the thin film layer is a layer in which metal particles are deposited, formed by a thin film formation method such as sputtering or vapor deposition.
  • the thin film layer preferably contains at least one metal selected from the group consisting of Mg, Al, Ti, W, Cr, Cu, Ni, Ag, Co, Mo, and V. This can increase the adhesive strength of the external electrode 40 to the laminate 10.
  • the thin film layer may be a single layer, or may be formed of multiple layers. For example, it may be formed of a two-layer structure of a NiCr layer and a NiCu layer.
  • the sputter electrode is preferably formed on a part of the first main surface TS1 and a part of the second main surface TS2 of the laminate 10.
  • the sputter electrode preferably contains at least one metal selected from, for example, Ni, Cr, Cu, etc.
  • the thickness of the sputter electrode is preferably 50 nm or more and 400 nm or less, and more preferably 50 nm or more and 130 nm or less.
  • a sputtered electrode may be formed on a part of the first main surface TS1 and a part of the second main surface TS2 of the laminate 10, while a baked layer may be formed on the first end face LS1 and the second end face LS2.
  • a plating layer (described later) may be formed directly on the laminate 10 without forming a base electrode layer on the first end face LS1 and the second end face LS2.
  • the baked layer may be arranged to extend not only on the first end face LS1 and the second end face LS2, but also on a part of the first main surface TS1 and a part of the second main surface TS2.
  • the sputtered electrode may be arranged so as to overlap the baked layer.
  • the first plating layer 60A is arranged to cover the first base electrode layer 50A.
  • the first plating layer 60A is disposed so as to cover the first base electrode layer 50A.
  • the first plating layer 60A has a first Ni plating layer 61A and a first Sn plating layer 62A located on the first Ni plating layer 61A.
  • the Ni plating layer prevents the first base electrode layer 50A and the second base electrode layer 50B from being eroded by the solder serving as the bonding material 5 that bonds the multilayer ceramic capacitor body 2 and the metal terminal 100.
  • the Sn plating layer also improves the wettability of the solder serving as the bonding material 5 that bonds the multilayer ceramic capacitor body 2 and the metal terminal 100. This facilitates bonding of the multilayer ceramic capacitor body 2 and the metal terminal 100.
  • the first plating layer 60A and the second plating layer 60B each have a two-layer structure of a Ni plating layer and a Sn plating layer, it is preferable that the thickness of each of the Ni plating layer and the Sn plating layer is 1 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less.
  • the metal constituting the conductive particles may be Ag, Cu, Ni, Sn, Bi, or an alloy containing these.
  • the conductive particles preferably contain Ag.
  • the conductive particles are, for example, Ag metal powder. Ag has the lowest resistivity of all metals, making it suitable as an electrode material. In addition, Ag is a precious metal, so it is resistant to oxidation and has high weather resistance. Therefore, Ag metal powder is suitable as a conductive particle.
  • the conductive particles may also be metal powder with an Ag coating on the surface.
  • the metal powder is preferably a powder of Cu, Ni, Sn, Bi or an alloy thereof. In order to make the base metal less expensive while maintaining the properties of Ag, it is preferable to use Ag-coated metal powder.
  • the conductive particles may be Cu or Ni that has been subjected to an anti-oxidation treatment.
  • the conductive particles may also be metal powder with a surface coating of Sn, Ni, or Cu.
  • the metal powder is Ag, Cu, Ni, Sn, Bi, or an alloy powder of these.
  • the shape of the conductive particles is not particularly limited.
  • the conductive particles may be spherical, flat, or the like, but it is preferable to use a mixture of spherical metal powder and flat metal powder.
  • the conductive particles contained in the conductive resin layer are primarily responsible for ensuring the electrical conductivity of the conductive resin layer. Specifically, when multiple conductive particles come into contact with each other, a conductive path is formed inside the conductive resin layer.
  • the resin constituting the conductive resin layer may contain at least one selected from various known thermosetting resins, such as epoxy resin, phenol resin, urethane resin, silicone resin, and polyimide resin.
  • thermosetting resins such as epoxy resin, phenol resin, urethane resin, silicone resin, and polyimide resin.
  • epoxy resin which has excellent heat resistance, moisture resistance, and adhesion, is one of the most suitable resins.
  • the resin of the conductive resin layer contains a hardener in addition to the thermosetting resin.
  • the hardener of the epoxy resin may be various known compounds such as phenol-based, amine-based, acid anhydride-based, imidazole-based, active ester-based, and amide-imide-based compounds.
  • the conductive resin layer may be formed of multiple layers.
  • the thickness of the thickest part of the conductive resin layer is preferably 10 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the multilayer ceramic capacitor 1 may have a configuration including plating layers that are directly and electrically connected to the first internal electrode layer 31 and the second internal electrode layer 32.
  • the plating layers may be formed after a catalyst is disposed on the surface of the laminate 10 as a pretreatment.
  • each plating layer that is placed without providing an underlying electrode layer is preferably 2 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. It is preferable that the plating layer does not contain glass.
  • the metal ratio per unit volume of the plating layer is preferably 99 volume % or more.
  • the thickness of the base electrode layer can be reduced. Therefore, the dimension in the height direction T of the multilayer ceramic capacitor body 2 can be reduced by the amount of the reduction in the thickness of the base electrode layer, thereby making it possible to reduce the height of the multilayer ceramic capacitor body 2.
  • the thickness of the dielectric layer 20 sandwiched between the first internal electrode layer 31 and the second internal electrode layer 32 can be increased by the amount of the reduction in the thickness of the base electrode layer, thereby improving the thickness of the element. In this way, by forming the plating layer directly on the laminate 10, the design freedom of the multilayer ceramic capacitor can be improved.
  • L dimension lengthwise dimension of the multilayer ceramic capacitor body 2 including the laminate 10 and the external electrodes 40
  • L dimension is 0.2 mm or more and 10 mm or less.
  • T dimension is 0.1 mm or more and 10 mm or less.
  • W dimension is 0.1 mm or more and 10 mm or less.
  • the first surface S1 on the first end face LS1 side of the multilayer ceramic capacitor body 2 is formed by the surface of the first external electrode 40A arranged on the first end face LS1.
  • the second surface S2 on the second end face LS2 side of the multilayer ceramic capacitor body 2 is formed by the surface of the second external electrode 40B arranged on the second end face LS2.
  • the metal terminal 100 has a first metal terminal 100A and a second metal terminal 100B.
  • the first metal terminal 100A and the second metal terminal 100B are metal terminals mounted on the mounting surface of a mounting board (see mounting board 310 in Figures 16A and 16B) to be described later on, on which the multilayer ceramic capacitor 1 is to be mounted.
  • the first metal terminal 100A and the second metal terminal 100B are, for example, plate-shaped lead frames.
  • the first main surface TS1 of the laminate 10 is the surface opposite to the mounting surface of the mounting board on which the multilayer ceramic capacitor 1 is to be mounted.
  • the first metal terminal 100A has a first joint 110A facing the first main surface TS1 and connected to the first external electrode 40A, a first rising portion 120A connected to the first joint 110A, extending away from the mounting surface of the mounting board, and facing the first end surface LS1, a first extension portion 130A connected to the first rising portion 120A and extending in the length direction L away from the multilayer ceramic capacitor body 2, a first falling portion 140A connected to the first extension portion 130A and extending toward the mounting surface side of the mounting board, and a first mounting portion 150A connected to the first falling portion 140A and extending in a direction along the mounting surface of the mounting board.
  • a gap portion G exists between the first rising portion 120A and the first surface S1 on the first end surface LS1 side of the multilayer ceramic capacitor body 2. Details about the first metal terminal 100A will be described later.
  • the second metal terminal 100B has a second joint 110B facing the first main surface TS1 and connected to the second external electrode 40B, a second rising portion 120B connected to the second joint 110B, extending away from the mounting surface of the mounting board, and facing the second end face LS2, a second extension portion 130B connected to the second rising portion 120B and extending in the length direction L away from the multilayer ceramic capacitor body 2, a second falling portion 140B connected to the second extension portion 130B and extending toward the mounting surface side of the mounting board, and a second mounting portion 150B connected to the second falling portion 140B and extending in a direction along the mounting surface of the mounting board.
  • a gap portion G exists between the second rising portion 120B and the second surface S2 on the second end face LS2 side of the multilayer ceramic capacitor body 2. Details about the second metal terminal 100B will be described later.
  • first falling portion 140A and the second falling portion 140B extend toward the mounting surface of the mounting board to an extent that allows a gap to be provided between the exterior material 3 of the multilayer ceramic capacitor 1 and the mounting surface of the mounting board.
  • the distance between the mounting substrate and the multilayer ceramic electronic component body 2 can be increased, which has the effect of alleviating stress from the mounting substrate.
  • the thickness of the exterior material 3 provided on the mounting substrate side can be increased, ensuring insulation.
  • the separation distance L4 between the first mounting portion 150A of the first metal terminal 100A and the second mounting portion 150B of the second metal terminal 100B is longer than the separation distance L3 between the first external electrode 40A and the second external electrode 40B of the multilayer ceramic capacitor body 2.
  • the bonding material 5 bonds the multilayer ceramic capacitor body 2 to the metal terminal 100.
  • the bonding material 5 has a first bonding material 5A and a second bonding material 5B.
  • the first metal terminal 100A is connected to the first external electrode 40A via a first bonding material 5A.
  • the second metal terminal 100B is connected to the second external electrode 40B via a second bonding material 5B.
  • the bonding material 5 is preferably a solder.
  • it may be a Pb-free solder.
  • a lead-free solder such as Sn-Sb, Sn-Ag-Cu, Sn-Cu, or Sn-Bi is preferable.
  • Sn-10Sb to Sn-15Sb solder can be used.
  • the exterior material 3 will be explained using Figures 1 to 6.
  • the exterior material 3 includes a first main surface MTS1 and a second main surface MTS2 facing the height direction T, a first side surface MWS1 and a second side surface MWS2 facing the width direction W perpendicular to the height direction T, and a first end surface MLS1 and a second end surface MLS2 facing the length direction L perpendicular to the height direction T and the width direction W.
  • the first end surface MLS1 of the exterior material 3 is the surface of the exterior material 3 facing the first end surface LS1 of the laminate 10.
  • the second end surface MLS2 of the exterior material 3 is the surface of the exterior material 3 facing the second end surface LS2 of the laminate 10.
  • the first side surface MWS1, the second side surface MWS2, the first end surface MLS1, and the second end surface MLS2 of the exterior material 3 have a parting line PL in the center in the height direction T.
  • the parting line PL is a line that corresponds to the parting surface of the mold used when molding the exterior material 3.
  • the surface of the exterior material 3 has a draft angle with the parting line PL as the boundary.
  • the first side surface MWS1 of the exterior material 3 has a surface MWS1A on the first main surface side and a surface MWS1B on the second main surface side.
  • the second side surface MWS2 of the exterior material 3 has a surface MWS2A on the first main surface side and a surface MWS2B on the second main surface side.
  • the first end surface MLS1 of the exterior material 3 has a surface MLS1A on the first main surface side and a surface MLS1B on the second main surface side.
  • the second end surface MLS2 of the exterior material 3 has a surface MLS2A on the first main surface side and a surface MLS2B on the second main surface side.
  • Each of the surfaces MWS1A, MWS2A, MLS1A, and MLS2A on the first main surface side has a draft angle such that the cross-sectional area of the LW cross section of the exterior material 3 decreases as it approaches the first main surface TS1 from the parting line PL.
  • Each of the surfaces MWS1B, MWS2B, MLS1B, and MLS2B on the second main surface side has a draft angle such that the cross-sectional area of the LW cross section of the exterior material 3 decreases as it approaches the second main surface TS2 from the parting line PL.
  • the exterior material 3 covers the multilayer ceramic capacitor body 2, the bonding material 5 that connects the multilayer ceramic capacitor body 2 and the metal terminal 100, and a portion of the metal terminal 100. Specifically, the exterior material 3 is arranged to cover the entire multilayer ceramic capacitor body 2, the entire first bonding material 5A and the second bonding material 5B, a portion of the first metal terminal 100A, and a portion of the second metal terminal 100B.
  • the exterior material 3 is arranged to cover the entire first joint portion 110A, the entire first rising portion 120A, and at least a part of the first extension portion 130A of the first metal terminal 100A. Also, the exterior material 3 is arranged to cover the entire second joint portion 110B, the entire second rising portion 120B, and at least a part of the second extension portion 130B of the second metal terminal 100B.
  • the second main surface MTS2 of the exterior material 3 is preferably configured to be planar with a predetermined degree of flatness. This makes it possible to prevent poor adhesion of the mounter of the mounting machine used when mounting the multilayer ceramic capacitor 1 on the mounting board. This makes it possible to reliably mount the multilayer ceramic capacitor 1 on the mounting board. As a result, it becomes possible to suppress the occurrence of mounting defects.
  • the minimum distance from the second side surface MWS2 of the exterior material 3 to the surface of the multilayer ceramic capacitor body 2 is 100 ⁇ m or more and 4000 ⁇ m or less. It is preferable that the minimum distance from the first end surface MLS1 of the exterior material 3 to the surface of the multilayer ceramic capacitor body 2 is 300 ⁇ m or more and 5000 ⁇ m or less. The minimum distance from the second end face MLS2 of the exterior material 3 to the surface of the multilayer ceramic capacitor body 2 is preferably 300 ⁇ m or more and 5000 ⁇ m or less.
  • the exterior material 3 is preferably made of resin.
  • the exterior material 3 may be formed by molding an engineering plastic by a transfer molding method, an injection molding method, or the like.
  • the material of the exterior material 3 is preferably made of a thermosetting epoxy resin. This ensures adhesion between the exterior material 3 and the multilayer ceramic capacitor body 2 and the metal terminals 100, and improves the withstand voltage and moisture resistance.
  • the exterior material 3 may be formed, for example, by painting with a liquid or powdered silicone-based or epoxy-based resin.
  • the exterior material 3 covers a wide range of the conductor metal parts, such as the external electrode 40 and the metal terminal 100, thereby ensuring the insulating surface distance (creepage distance) between the conductors.
  • the risk of surface discharge can be avoided.
  • the shape of the exterior material 3 is not particularly limited. For example, it may be a truncated pyramid, such as a pyramid.
  • the shape of the corners of the exterior material 3 is not particularly limited and may be rounded.
  • Figures 12A to 12F will be used to explain the structure around the joint between the external electrode 40 of the multilayer ceramic capacitor body 2 and the metal terminal 100, as well as the details of the metal terminal 100.
  • FIG. 12A is an enlarged view of portion XIIA of the multilayer ceramic capacitor 1 shown in FIG. 6, and is a diagram for explaining the configuration around the joint between the first external electrode 40A and the first metal terminal 100A, and the details of the first metal terminal 100A.
  • FIG. 12B is an enlarged view of portion XIIB of the multilayer ceramic capacitor 1 shown in FIG. 6, and is a diagram for explaining the configuration around the joint between the second external electrode 40B and the second metal terminal 100B, and the details of the second metal terminal 100B.
  • FIG. 12C is a partial external perspective view of the first metal terminal 100A.
  • a gap G exists between the first rising portion 120A of the first metal terminal 100A and the first surface S1 on the first end face LS1 side of the multilayer ceramic capacitor body 2, and the exterior material 3 is filled in the gap G.
  • the first surface S1 is formed by the surface of the first external electrode 40A arranged on the first end face LS1. That is, in this embodiment, a gap G exists between the first rising portion 120A and the first surface S1 of the first external electrode 40A arranged on the first end face LS1, and the exterior material 3 is filled in the gap G.
  • the average distance in the length direction L of this gap G is preferably 50 ⁇ m or more and 1500 ⁇ m or less.
  • the exterior material 3 can be appropriately filled into the gap G, which can prevent problems such as solder splash during reflow when mounting on the board.
  • the first rising portion 120A is inclined away from the first surface S1 on the first end face LS1 side of the multilayer ceramic capacitor body 2 as it moves from the connection portion with the first joint portion 110A to the connection portion with the first extension portion 130A.
  • the distance in the length direction L of the gap G becomes longer as it moves from a position closer to the mounting surface of the mounting board to a position farther away.
  • the distance G2 in the length direction L at a position farther away from the mounting surface of the gap G is longer than the distance G1 in the length direction L at a position closer to the mounting surface of the gap G.
  • the angle ⁇ between the first rising portion 120A and the first surface S1 on the first end face LS1 side of the multilayer ceramic capacitor body 2 is preferably 1° or more and 40° or less.
  • the surface MLS1A on the first main surface side that forms the first end surface MLS1 of the exterior material 3 and is closer to the mounting surface side than the portion where the first extension portion 130A protrudes constitutes the first inclined surface of the exterior material 3.
  • the first inclined surface MLS1A is inclined so as to move away from the first surface S1 of the multilayer ceramic capacitor body 2 as it moves from a position closer to the mounting surface to a position farther away.
  • the draft angle ⁇ of this first inclined surface MLS1A is preferably 1° or more and 20° or less.
  • the angle between the first rising portion 120A and the first inclined surface MLS1A is preferably 30° or less.
  • the distance from the first inclined surface MLS1A of the exterior material 3 to the first rising portion 120A of the first metal terminal 100A can be made approximately constant. This ensures strength around the first rising portion 120A, which is more susceptible to force.
  • the exterior material 3 can be appropriately filled into the gap G, which can prevent problems such as solder splash during reflow when mounting on the board.
  • the second rising portion 120B is inclined away from the second surface S2 on the second end face LS2 side of the multilayer ceramic capacitor body 2 as it moves from the connection portion with the second joint portion 110B to the connection portion with the second extension portion 130B.
  • the distance in the length direction L of the gap G becomes longer as it moves from a position closer to the mounting surface of the mounting board to a position farther away.
  • the distance G2 in the length direction L at a position farther away from the mounting surface of the gap G is longer than the distance G1 in the length direction L at a position closer to the mounting surface of the gap G.
  • the angle ⁇ between the second rising portion 120B and the second surface S2 on the second end face LS2 side of the multilayer ceramic capacitor body 2 is preferably 1° or more and 40° or less.
  • the surface MLS2A on the first main surface side that forms the second end surface MLS2 of the exterior material 3 and is closer to the mounting surface than the portion where the second extension portion 130B protrudes constitutes the second inclined surface of the exterior material 3.
  • the second inclined surface MLS2A is inclined so as to move away from the second surface S2 of the multilayer ceramic capacitor body 2 as it moves from a position closer to the mounting surface to a position farther away.
  • the draft angle ⁇ of this second inclined surface MLS2A is preferably 1° or more and 20° or less.
  • the angle between the second rising portion 120B and the second inclined surface MLS2A is preferably 30° or less.
  • the distance from the second inclined surface MLS2A of the exterior material 3 to the second rising portion 120B of the second metal terminal 100B can be made approximately constant. This ensures strength around the second rising portion 120B, which is more susceptible to force.
  • the average distance in the length direction L of the measurement target part is measured by the following method.
  • the multilayer ceramic capacitor 1 is cross-polished to a position of about half the W dimension to expose a specific LT cross section where the cross section of the metal terminal 100 can be confirmed.
  • the LT cross section of the multilayer ceramic capacitor 1 exposed by polishing is then observed with an SEM.
  • 10 lines extending in the length direction L are drawn at equal intervals in the height T direction in the measurement target part, and the average distance of these 10 lines is taken as the average distance in the length direction L of the measurement target part in this embodiment.
  • FIG. 12C is an external perspective view showing a portion of the external appearance of the first metal terminal 100A, representing the metal terminals 100.
  • the first metal terminal 100A and the second metal terminal 100B are generally plane-symmetrical with respect to the WT cross section at the center of the longitudinal direction L of the multilayer ceramic capacitor 1. Therefore, an external perspective view (not shown) of the second metal terminal 100B is basically the same as the external perspective view of the first metal terminal 100A.
  • the first metal terminal 100A has a first notch 160A, a first opening 170A, and a third notch 180A.
  • the first notch 160A extends continuously from the end of the first joint 110A to a position midway through the first rising portion 120A.
  • the resin constituting the exterior material 3 flows through the first notch 160A, making it easier to fill the gap G with resin.
  • the resin constituting the exterior material 3 flows through the first notch 160A, making it easier to fill the gap G with resin.
  • the resin constituting the exterior material 3 in the first notch 160A by arranging the resin constituting the exterior material 3 in the first notch 160A, the resin on one side of the first rising portion 120A of the first metal terminal 100A and the resin on the other side are connected by the resin in the first notch 160A, making the structure stronger.
  • the cut-out portion of the first notch 160A extends to a position midway through the first rising portion 120A, so the strength of the first metal terminal 100A is ensured.
  • the first rising portion 120A in this embodiment is inclined as described above, for example, when molding the exterior material 3, the resin that constitutes the exterior material 3 easily enters
  • the rising height T3 in the height direction T of the first notch 160A is less than half the rising height T2 in the height direction T of the first rising portion 120A. This makes it possible to ensure the strength of the first metal terminal 100A while ensuring the flowability of the resin that constitutes the exterior material 3, for example, when molding the exterior material 3.
  • the first joint portion 110A has a first joint piece 111A on the first side surface WS1 side and a second joint piece 112A on the second side surface WS2 side, which are separated by a first cutout 160A.
  • the first opening 170A is disposed in the first extension 130A.
  • the flowability of the resin constituting the exterior material 3 can be further increased, for example, when molding the exterior material 3.
  • the resin constituting the exterior material 3 by disposing the resin constituting the exterior material 3 in the first opening 170A, the resin on one side of the first extension 130A of the first metal terminal 100A and the resin on the other side are connected by the resin in the first opening 170A, making the structure stronger.
  • the same material constituting the exterior material 3 is disposed in the portion of the first notch 160A formed in the first rising portion 120A and the first opening 170A. This makes the structure of the multilayer ceramic capacitor 1 stronger.
  • the length W4 of the width direction W of the first cutout 160A may be approximately the same as the length W5 of the width direction W of the first opening 170A.
  • the rising height T3 of the first cutout 160A in the height direction T may be approximately the same as the length L6 of the length direction L of the first opening 170A.
  • the area of the first cutout 160A formed in the first rising portion 120A may be within a range of 50% to 200% of the area of the first opening 170A. This allows the resin that constitutes the exterior material 3 to flow in a balanced manner, for example, when the exterior material 3 is molded.
  • the second metal terminal 100B has a second notch 160B, a second opening 170B, and a fourth notch 180B.
  • the second notch 160B extends continuously from the end of the second joint 110B to a position midway along the second rising portion 120B.
  • the resin constituting the exterior material 3 flows through the second notch 160B, making it easier to fill the gap G with resin.
  • the resin constituting the exterior material 3 flows through the second notch 160B, making it easier to fill the gap G with resin.
  • the resin constituting the exterior material 3 in the second notch 160B by arranging the resin constituting the exterior material 3 in the second notch 160B, the resin on one side of the second rising portion 120B of the second metal terminal 100B and the resin on the other side are connected by the resin in the second notch 160B, making the structure stronger.
  • the cut-out portion of the second notch 160B extends to a position midway along the second rising portion 120B, ensuring the strength of the second metal terminal 100B.
  • the second rising portion 120B in this embodiment is inclined as described above, for example, when molding the exterior material 3, the resin that constitutes the exterior material 3 easily enters the gap
  • the rising height T3 of the second cutout 160B in the height direction T is preferably less than half the rising height T2 of the second rising portion 120B in the height direction T. This ensures the flowability of the resin that constitutes the exterior material 3 while also ensuring the strength of the second metal terminal 100B, for example, when molding the exterior material 3.
  • the second joint portion 110B has a third joint piece 111B on the first side surface WS1 side and a fourth joint piece 112B on the second side surface WS2 side, which are separated by the second notch 160B.
  • the second opening 170B is disposed in the second extension 130B.
  • the flowability of the resin constituting the exterior material 3 can be further increased, for example, when molding the exterior material 3.
  • the resin constituting the exterior material 3 in the second opening 170B, the resin on one side of the second extension 130B of the second metal terminal 100B and the resin on the other side are connected by the resin in the second opening 170B, making the structure stronger.
  • the same material constituting the exterior material 3 is disposed in the part of the second notch 160B formed in the second rising portion 120B and the second opening 170B. This makes the structure of the multilayer ceramic capacitor 1 stronger.
  • the fourth notch 180B extends continuously from the end of the second mounting portion 150B to a position midway along the second falling portion 140B.
  • the widthwise length W2 of the second bonding portion 110B of the second metal terminal 100B is longer than the widthwise length W3 of the second rising portion 120B. This allows a wide bonding area between the second external electrode 40B and the second metal terminal 100B by the second bonding material 5B to be secured. In particular, even when the second notch 160B is provided as described above, a wide bonding area between the second external electrode 40B and the second metal terminal 100B by the second bonding material 5B can be secured.
  • the length W4 in the width direction W of the second cutout 160B may be approximately the same as the length W5 in the width direction W of the second opening 170B.
  • the rising height T3 in the height direction T of the second cutout 160B may be approximately the same as the length L6 in the length direction L of the second opening 170B.
  • the area of the second cutout 160B formed in the second rising portion 120B may be within a range of 50% to 200% of the area of the second opening 170B. This allows the resin that constitutes the exterior material 3 to flow in a balanced manner, for example, when the exterior material 3 is molded.
  • the first mounting portion 150A may extend parallel to the mounting surface along the mounting surface, but may extend at an incline away from the mounting surface as it approaches the connection with the first falling portion 140A.
  • the second mounting portion 150B may extend parallel to the mounting surface along the mounting surface, but may extend at an incline away from the mounting surface as it approaches the connection with the second falling portion 140B. This allows the bonding material to be drawn into this portion when mounting the multilayer ceramic capacitor 1 to the mounting board, increasing the mounting strength.
  • the inclination angle ⁇ is preferably 1° or more and 10° or less.
  • L dimension the lengthwise dimension of the multilayer ceramic capacitor 1 including the exterior material 3 and the metal terminals 100 is taken as L dimension, then it is preferable that L dimension is 3.2 mm or more and 20 mm or less. If the dimension in the stacking direction of the multilayer ceramic capacitor 1 is taken as T dimension, then it is preferable that T dimension is 1.0 mm or more and 10 mm or less. If the widthwise dimension of the multilayer ceramic capacitor 1 is taken as W dimension, then it is preferable that W dimension is 1.5 mm or more and 20 mm or less.
  • Figure 12D is an enlarged view of the R1 portion of the first metal terminal 100A of the multilayer ceramic capacitor 1 shown in Figure 12A.
  • Figure 12E is an enlarged view of the R2 portion of the first metal terminal 100A of the multilayer ceramic capacitor 1 shown in Figure 12A.
  • Figure 12F is an enlarged view of the R3 portion of the first metal terminal 100A of the multilayer ceramic capacitor 1 shown in Figure 12A.
  • the first metal terminal 100A and the second metal terminal 100B are roughly plane-symmetrical with respect to the WT cross section at the center of the longitudinal direction L of the multilayer ceramic capacitor 1. Therefore, the enlarged view of the second metal terminal 100B has the same shape as the enlarged view of the first metal terminal 100A, and is symmetrical on the left and right sides of the paper.
  • the first metal terminal 100A of this embodiment has a first bonding surface 110A1 bonded to the first bonding material 5A and a first contact surface CS1 in contact with the outer casing material 3, and the first contact surface CS1 in contact with the outer casing material 3 has a surface of a first outermost surface plating film 100Ab2 as a first outermost surface metal film, and surfaces E1a, E1b, E1c of a first intermetallic compound 100Ab3 as a first low-wettability surface having lower wettability than the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2.
  • the second metal terminal 100B has a second bonding surface 110B1 that is bonded to the second bonding material 5B and a second contact surface CS2 that is in contact with the exterior material 3, and the second contact surface CS2 that is in contact with the exterior material 3 has a surface of a second outermost surface plating film 100Bb2 as a second outermost surface metal film, and surfaces E2a, E2b, and E2c of a second intermetallic compound 100Bb3 as a second low-wettability surface that has lower wettability than the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2. Details of this will be described below.
  • the first metal terminal 100A is a plate-like member including a first front surface FS1 as a first surface on the first bonding surface 110A1 side to which the first external electrode 40A is bonded, a first opposite surface BS1 as a first back surface that is the surface opposite to the first front surface FS1, and a first terminal side surface TSS1 connecting the first front surface FS1 and the first opposite surface BS1.
  • the first bonding portion 110A of the first metal terminal 100A has a first bonding surface 110A1 that is bonded to the first bonding material 5A on the first front surface FS1.
  • the portion of the surface of the first metal terminal 100A that is embedded in the exterior material 3, excluding the first bonding surface 110A1, is composed of a first contact surface CS1 that is in contact with the exterior material 3.
  • the first metal terminal 100A has a first bonding surface 110A1 that is bonded to the first bonding material 5A, and a first contact surface CS1 that is in contact with the exterior material 3.
  • the second metal terminal 100B is a plate-like member including a second front surface FS2 as a second surface on the second bonding surface 110B1 side to which the second external electrode 40B is bonded, a second opposite surface BS2 as a second back surface that is the surface opposite to the second front surface FS2, and a second terminal side surface TSS2 connecting the second front surface FS2 and the second opposite surface BS2.
  • the second bonding portion 110B of the second metal terminal 100B has a second bonding surface 110B1 that is bonded to the second bonding material 5B on the second front surface FS2.
  • the portion of the surface of the second metal terminal 100B that is embedded in the exterior material 3, excluding the second bonding surface 110B1, is composed of a second contact surface CS2 that is in contact with the exterior material 3.
  • the second metal terminal 100B has a second bonding surface 110B1 that is bonded to the second bonding material 5B, and a second contact surface CS2 that is in contact with the exterior material 3.
  • the first metal terminal 100A includes a first base material 100Aa that constitutes the terminal body, and a first plating film 100Ab formed on the surface of the first base material 100Aa.
  • the first plating film 100Ab of the first metal terminal 100A is disposed at least on the portion of the first bonding portion 110A where the first bonding material 5A is disposed, and on the portion of the first mounting portion 150A that faces the mounting surface of the mounting board.
  • the second metal terminal 100B includes a second base material 100Ba that constitutes the terminal body, and a second plating film 100Bb formed on the surface of the second base material 100Ba.
  • the second plating film 100Bb of the second metal terminal 100B is disposed at least on the portion of the second bonding portion 110B where the second bonding material 5B is disposed, and on the portion of the second mounting portion 150B that faces the mounting surface of the mounting board.
  • the plating film preferably has an outermost surface plating film as an upper layer plating film disposed on the outermost surface of the plating film, and a lower layer plating film as a base plating film disposed below the outermost surface plating film.
  • the plating film may have a two-layer structure in which the outermost surface plating film is formed on the lower layer plating film.
  • the first plating film 100Ab of this embodiment includes a first outermost surface plating film 100Ab2 constituting the first outermost surface metal film, and a first lower layer plating film 100Ab1 disposed below the first outermost surface plating film 100Ab2.
  • the first plating film 100Ab of this embodiment includes a first lower layer plating film 100Ab1 as a base plating film covering the surface of the first base material 100Aa, and a first outermost surface plating film 100Ab2 as an upper layer plating film covering the surface of the first lower layer plating film 100Ab1.
  • the first outermost surface plating film 100Ab2 includes at least the outermost surface portion of the first plating film 100Ab.
  • the second plating film 100Bb of this embodiment includes a second outermost surface plating film 100Bb2 constituting the second outermost surface metal film, and a second lower layer plating film 100Bb1 disposed below the second outermost surface plating film 100Bb2.
  • the second plating film 100Bb of this embodiment includes a second lower layer plating film 100Bb1 as a base plating film covering the surface of the second base material 100Ba, and a second outermost surface plating film 100Bb2 as an upper layer plating film covering the surface of the second lower layer plating film 100Bb1.
  • the second outermost surface plating film 100Bb2 includes at least the outermost surface portion of the second plating film 100Bb.
  • the outermost surface plating film has a surface that is more wettable to solder than the surface of the base metal of the terminal body. In addition, in the plating film structure, the outermost surface plating film has a surface that is more wettable to solder than the surface of the lower layer plating film. In addition, in the plating film structure, the outermost surface plating film has a surface that is more wettable to solder than the surface of the intermetallic compound described below.
  • the first contact surface CS1 of the first metal terminal 100A which is in contact with the exterior material 3, comprises a surface of the first outermost surface plating film 100Ab2 as the first outermost surface metal film, and surfaces E1a, E1b, and E1c of the first intermetallic compound 100Ab3 as a first low-wettability surface that has lower solder wettability than the first outermost surface plating film 100Ab2.
  • the first intermetallic compound 100Ab3 may be arranged in a layered form as a first intermetallic compound layer on the first lower layer plating film 100Ab1.
  • the first intermetallic compound 100Ab3 is composed of an intermetallic compound between the metal constituting the first outermost surface plating film 100Ab2 and the metal constituting the first lower layer plating film 100Ab1.
  • the second contact surface CS2 of the second metal terminal 100B which is in contact with the exterior material 3, comprises a surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 as the second outermost surface metal film, and surfaces E2a, E2b, and E2c of the second intermetallic compound 100Bb3 as a second low-wettability surface that has lower solder wettability than the second outermost surface plating film 100Bb2.
  • the second intermetallic compound 100Bb3 may be arranged in a layered form as a second intermetallic compound layer on the second lower layer plating film 100Bb1.
  • the second intermetallic compound 100Bb3 is composed of an intermetallic compound between the metal constituting the second outermost surface plating film 100Bb2 and the metal constituting the second lower layer plating film 100Bb1.
  • the lower layer plating film is preferably made of Ni, Fe, Cu, Ag, Cr, or an alloy containing one or more of these metals as a main component. More preferably, the lower layer plating film is made of Ni, Fe, Cr, or an alloy containing one or more of these metals as a main component.
  • the heat resistance of the metal terminal can be improved by forming the lower plating film from high-melting point Ni, Fe, Cr, or an alloy containing one or more of these metals as its main component.
  • the first lower layer plating film 100Ab1 is a Ni plating film.
  • the thickness of the first lower layer plating film 100Ab1 is preferably about 0.2 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less.
  • the second lower layer plating film 100Bb1 is a Ni plating film.
  • the thickness of the second lower layer plating film 100Bb1 is preferably about 0.2 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less.
  • the outermost surface plating film is preferably made of Sn, Ag, Au, or an alloy containing one or more of these metals as a main component. More preferably, the outermost surface plating film is made of Sn or an alloy containing Sn as a main component. By forming the outermost surface plating film from Sn or an alloy containing Sn as a main component, the solderability between the external electrode and the metal terminal can be improved.
  • the first outermost surface plating film 100Ab2 is a Sn plating film.
  • the thickness of the first outermost surface plating film 100Ab2 is preferably about 1.0 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less.
  • the second outermost surface plating film 100Bb2 is a Sn plating film.
  • the thickness of the second outermost surface plating film 100Bb2 is preferably about 1.0 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less.
  • the first intermetallic compound 100Ab3 and the second intermetallic compound 100Bb3 are intermetallic compounds of Ni and Sn. That is, in this embodiment, the first outermost surface plating film 100Ab2 and the second outermost surface plating film 100Bb2 are Sn plating films, the first lower layer plating film 100Ab1 and the second lower layer plating film 100Bb1 are Ni plating films, and the surfaces E1a, E1b, and E1c of the first intermetallic compound 100Ab3 and the surfaces E2a, E2b, and E2c of the second intermetallic compound 100Bb3 are composed of an intermetallic compound of Ni and Sn.
  • An example of the intermetallic compound of Ni and Sn is Ni 3 Sn 4. However, the intermetallic compound of Ni and Sn is not limited to this.
  • the intermetallic compound may be formed by forming two or more layers of plating film on the terminal body and then subjecting the plating film to heat treatment.
  • the laminated structure of Ni plating film and Sn plating film is subjected to heat treatment by laser irradiation to form an intermetallic compound of Ni and Sn.
  • the laser irradiation conditions are adjusted to a low output so that the Sn plating film as the outermost surface plating film is not evaporated and removed.
  • the terminal body is preferably made of Ni, Fe, Cu, Ag, Cr, or an alloy containing one or more of these metals as a main component.
  • the base metal of the terminal body can be an Fe-42Ni alloy, an Fe-18Cr alloy, or a Cu-8Sn alloy.
  • the base metal of the terminal body can be oxygen-free copper or a Cu-based alloy, which has high thermal conductivity. In this way, by using a copper-based material with good thermal conductivity for the terminal body, it is possible to achieve low ESR and low thermal resistance.
  • the base metal of the terminal body can be stainless steel or aluminum, which has low solder wettability. At least the surface of the base metal of the terminal body has a surface with lower solder wettability than the plating film on the outermost surface.
  • the thickness of the terminal body is preferably about 0.05 mm to 0.5 mm.
  • the first metal terminal 100A has a first contact surface CS1 that is in contact with the exterior material 3.
  • the first contact surface CS1 of the first metal terminal 100A includes, as surfaces that are in contact with the exterior material 3, the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2, the surfaces E1a, E1b, E1c of the first intermetallic compound 100Ab3, and the surface of the first base material 100Aa.
  • FIG. 12A shows an example of the arrangement position of the first intermetallic compound 100Ab3 of the first metal terminal 100A.
  • the first contact surface CS1 in contact with the exterior material 3 has a plurality of first intermetallic compounds 100Ab3 surfaces as surfaces of a metal different from the first outermost surface plating film 100Ab2 as the first outermost surface metal film.
  • the surfaces of the first intermetallic compounds 100Ab3 include, for example, intermetallic compound surface E1a, intermetallic compound surface E1b, and intermetallic compound surface E1c.
  • the surfaces E1b and E1a of the first intermetallic compound 100Ab3 provided on the first contact surface CS1 are provided on the first front surface FS1, spaced apart from at least a portion of the surface between the center of the first rising portion 120A and the first joint portion 110A, and from the first extension portion 130A.
  • the surfaces E1c and E1a of the first intermetallic compound 100Ab3 provided on the first contact surface CS1 are provided on the first opposite surface BS1, spaced apart from the first joint portion 110A and from the first extension portion 130A, respectively.
  • the surface E1a of the first intermetallic compound 100Ab3 provided on the first contact surface CS1 is provided on the first front surface FS1 and the first opposite surface BS1 of the first extension portion 130A, as shown in FIG. 12D.
  • the surface E1a of the first intermetallic compound 100Ab3 is provided on the first rising portion 120A side of the first extension portion 130A.
  • the surface E1a of the first intermetallic compound 100Ab3 is covered by the exterior material 3. In other words, the surface E1a of the first intermetallic compound 100Ab3 is not exposed from the exterior material 3.
  • the first contact surface CS1 includes the surface E1a of the first intermetallic compound 100Ab3 located on the first front surface FS1 in the first extension portion 130A, the surface E1a of the first intermetallic compound 100Ab3 located on the first opposite surface BS1, and the surface of the first base material 100Aa located on the first terminal side surface TSS1.
  • the surface E1b of the first intermetallic compound 100Ab3 provided on the first contact surface CS1 is provided on the first front surface FS1 of the first rising portion 120A of the first metal terminal 100A, as shown in FIG. 12E.
  • the surface E1b of the first intermetallic compound 100Ab3 is provided on the connection side of the first rising portion 120A with the first joint portion 110A.
  • the first contact surface CS1 includes, in at least a portion of the surface between the center of the first rising portion 120A and the first joint portion 110A, a surface E1b of the first intermetallic compound 100Ab3 located on the first front surface FS1, a surface of the first outermost surface plating film 100Ab2 located on the first opposite surface BS1, and a surface of the first base material 100Aa located on the first terminal side surface TSS1.
  • the surface E1c of the first intermetallic compound 100Ab3 provided on the first contact surface CS1 is provided on the first opposite surface BS1 of the first joint portion 110A, as shown in FIG. 12F.
  • the surface E1c of the first intermetallic compound 100Ab3 is provided on the first contact surface CS1 on the first opposite surface BS1 of the first joint portion 110A.
  • the first contact surface CS1 includes the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2 located on the first front surface FS1, the surface E1c of the first intermetallic compound 100Ab3 located on the first opposite surface BS1, and the surface of the first base material 100Aa located on the first terminal side surface TSS1 at the first joint portion 110A.
  • the surfaces E1a, E1b, and E1c of the first intermetallic compound 100Ab3 provided on the first contact surface CS1 are separated in the width direction by holes or notches formed in the first metal terminal 100A. Specifically, the surface E1a of the first intermetallic compound 100Ab3 is separated in the width direction by the first opening 170A. The surface E1b of the first intermetallic compound 100Ab3 is separated in the width direction by the first notch 160A. The surface E1c of the first intermetallic compound 100Ab3 is separated in the width direction by the first notch 160A.
  • the second metal terminal 100B has a second contact surface CS2 that is in contact with the exterior material 3.
  • the second contact surface CS2 of the second metal terminal 100B includes, as surfaces that are in contact with the exterior material 3, the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2, the surfaces E2a, E2b, E2c of the second intermetallic compound 100Bb3, and the surface of the second base material 100Ba.
  • FIG. 12B shows an example of the arrangement position of the second intermetallic compound 100Bb3 of the second metal terminal 100B.
  • the second contact surface CS2 in contact with the exterior material 3 has a surface of a plurality of second intermetallic compounds 100Bb3 as a surface of a metal different from the second outermost surface plating film 100Bb2 as the second outermost surface metal film.
  • the surfaces of the second intermetallic compounds 100Bb3 include, for example, intermetallic compound surface E2a, intermetallic compound surface E2b, and intermetallic compound surface E2c.
  • the surfaces E2b and E2a of the second intermetallic compound 100Bb3 provided on the second contact surface CS2 are provided on the second front surface FS2, spaced apart from at least a portion of the surface between the center of the second rising portion 120B and the second joint portion 110B, and from the second extension portion 130B.
  • the surfaces E2c and E2a of the second intermetallic compound 100Bb3 provided on the second contact surface CS2 are provided on the second opposite surface BS2, spaced apart from the second joint portion 110B and from the second extension portion 130B, respectively.
  • the second contact surface CS2 includes the surface E2a of the second intermetallic compound 100Bb3 located on the second front surface FS2 in the second extension portion 130B, the surface E2a of the second intermetallic compound 100Bb3 located on the second opposite surface BS2, and the surface of the second base material 100Ba located on the second terminal side surface TSS2.
  • it is preferable that at least one of the surface of the intermetallic compound and the surface of the base material is formed over the entire circumference of the second metal terminal 100B in a part of the extension direction of the second metal terminal 100B. This causes the second outermost surface plating film 100Bb2 to be divided halfway in the extension direction of the second metal terminal 100B.
  • the surface E2b of the second intermetallic compound 100Bb3 provided on the second contact surface CS2 is provided on the second front surface FS2 of the second rising portion 120B of the second metal terminal 100B, as shown in FIG. 12E.
  • the surface E2b of the second intermetallic compound 100Bb3 is provided on the connection side of the second rising portion 120B with the second joint portion 110B.
  • the second contact surface CS2 includes, in at least a portion of the surface between the center of the second rising portion 120B and the second joint portion 110B, a surface E2b of the second intermetallic compound 100Bb3 located on the second front surface FS2, a surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 located on the second opposite surface BS2, and a surface of the second base material 100Ba located on the second terminal side surface TSS2.
  • the surface E2c of the second intermetallic compound 100Bb3 provided on the second contact surface CS2 is provided on the second opposite surface BS2 of the second joint 110B, as shown in FIG. 12F.
  • the surface E2c of the second intermetallic compound 100Bb3 is provided on the second contact surface CS2 on the second opposite surface BS2 of the second joint 110B.
  • the second contact surface CS2 includes, at the second joint 110B, the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 located on the second front surface FS2, the surface E2c of the second intermetallic compound 100Bb3 located on the second opposite surface BS2, and the surface of the second base material 100Ba located on the second terminal side surface TSS2.
  • the surfaces E2a, E2b, and E2c of the second intermetallic compound 100Bb3 provided on the second contact surface CS2 are separated in the width direction by holes or notches formed in the second metal terminal 100B.
  • the surface E2a of the second intermetallic compound 100Bb3 is separated in the width direction by the second opening 170B.
  • the surface E2b of the second intermetallic compound 100Bb3 is separated in the width direction by the second notch 160B.
  • the surface E2c of the second intermetallic compound 100Bb3 is separated in the width direction by the second notch 160B.
  • FIG. 13A is a diagram of an image of a part of the cross section (cross section parallel to the LT cross section) of the first metal terminal 100A of this embodiment observed by a scanning electron microscope (SEM). More specifically, FIG. 13A is a diagram of an SEM image of a cross section including a part of the first front FS1 side of the surface E1a of the first intermetallic compound 100Ab3 in FIG. 12A.
  • FIG. 13B is an element mapping image of SEM-EDX based on the SEM image of FIG. 13A, which is an image in which the distribution of Ni and the distribution of Sn are mapped. More specifically, of the two images shown on the left and right in FIG.
  • FIG. 13B is a diagram showing a characteristic X-ray spectrum display at the position of the measurement point P1 in FIG. 13A.
  • a Ni plating film is formed as the first lower layer plating film 100Ab1 so as to cover the surface of the first base material 100Aa, and a layer of an intermetallic compound of Ni and Sn is formed as the layer of the first intermetallic compound 100Ab3 so as to cover the surface of the first lower layer plating film 100Ab1.
  • the layer of the first intermetallic compound 100Ab3 shown in FIG. 13A is formed by heating and melting a part of the metal that constitutes the plating film by laser irradiation, and then cooling and solidifying it.
  • Ni elements are distributed not only in the region of the first lower layer plating film 100Ab1 in FIG. 13A, but also in the region above the first lower layer plating film 100Ab1. That is, in the layered region (region indicated by reference symbol 100Ab3) above the first lower layer plating film 100Ab1, not only Sn elements but also Ni elements are diffused and present. This layered region becomes the first intermetallic compound 100Ab3.
  • the layered region described above contains a large amount of Ni and Sn elements.
  • the results of a quantitative analysis based on the spectrum to confirm the composition of this layered region of the first intermetallic compound 100Ab3 are shown in Table 1.
  • the composition of the intermetallic compound in this layered region can be identified as Ni3Sn4 .
  • the intermetallic compound in this embodiment is an intermetallic compound mainly composed of Ni3Sn4 .
  • the first convex portion 100Ac is disposed at the boundary between the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2, which serves as the first outermost surface metal film, and the surfaces E1a, E1b, and E1c of the first intermetallic compound 100Ab3, which serves as the first low-wettability surface.
  • the first convex portion 100Ac is preferably disposed at all boundaries, but it is sufficient that it is disposed at at least one boundary. This makes it possible to appropriately prevent the bonding material from flowing out excessively.
  • the first protrusion 100Ac is preferably a long, thin protrusion extending in the width direction of the first metal terminal 100A. That is, the protrusion as the first protrusion 100Ac is arranged so as to extend in the depth direction of the paper of Figures 12D to 12F.
  • the first protrusion 100Ac is arranged as a protrusion extending in the width direction of the first metal terminal 100A at each boundary between the surface E1a of the first intermetallic compound 100Ab3 and the first outermost surface plating film 100Ab2 in Figure 12C. This makes it possible to more appropriately stop excessive outflow of the bonding material.
  • the second convex portion 100Bc is disposed at the boundary between the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2, which serves as the surface of the second outermost surface metal film, and the surfaces E2a, E2b, and E2c of the second intermetallic compound 100Bb3, which serves as the second low-wettability surface.
  • the second protrusion 100Bc is preferably a long, thin protrusion extending in the width direction of the second metal terminal 100B. That is, the protrusion serving as the second protrusion 100Bc is arranged to extend in the depth direction of the paper of FIGS. 12D to 12F.
  • the second protrusion 100Bc is arranged as a protrusion extending in the width direction of the second metal terminal 100B at each boundary between the surface E2a of the second intermetallic compound 100Bb3 and the second outermost surface plating film 100Bb2. This makes it possible to more appropriately stop excess outflow of the bonding material.
  • the vertical direction of the figure corresponds to the direction perpendicular to the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2 (second outermost surface plating film 100Bb2).
  • the imaginary line Va in FIG. 12G is a line parallel to the vertical direction of the figure, and is a line passing through the portion where the first convex portion 100Ac (second convex portion 100Bc) bends to rise from the first outermost surface plating film 100Ab2 (second outermost surface plating film 100Bb2).
  • the first convex portion 100Ac may have an undercut shape.
  • an undercut shape refers to a protrusion shape having a space Hb that is hidden by a part of the first convex portion 100Ac when the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2 is viewed in a direction perpendicular to the surface.
  • the space Hb surrounded by the imaginary line Vb, a fourth surface uc described below, and the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2 is hidden by a part Ha of the first convex portion 100Ac when viewed in a direction perpendicular to the surface.
  • the first convex portion 100Ac has a first surface ua, a second surface ub, a third surface ud, and a fourth surface uc, as shown in FIG. 12G.
  • the first surface ua is an imaginary reference surface that is approximately parallel to the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2 in its cross-sectional shape.
  • the second surface ub is a surface that rises from the surface side of the first intermetallic compound 100Ab3 as the first low-wettability surface.
  • the third surface ud is a surface that continues from the second surface ub, extends in a direction approximately parallel to the first outermost surface plating film 100Ab2 and toward the first outermost surface plating film 100Ab2 side, and forms the upper part of the first convex portion 100Ac.
  • the fourth surface uc extends so as to connect one end of the third surface ud to the first outermost surface plating film 100Ab2. Note that the angle ⁇ between the first surface ua and the fourth surface uc may be an obtuse angle.
  • the space Hb between the imaginary line Va and the imaginary line Vb formed by the first outermost surface plating film 100Ab2 and the first convex portion 100Ac may be configured so as to be hidden by a portion Ha of the first convex portion 100Ac and cannot be seen.
  • an anchor effect is generated between the first protrusion 100Ac and the exterior material 3, increasing the adhesion between the first metal terminal 100A and the exterior material 3.
  • the molded resin that constitutes the exterior material 3 penetrates into the space that is shaded by the undercut shape, thereby achieving a high anchor effect.
  • the distance from the surface of the first outermost surface plating layer 100Ab2 to the upper surface of the first convex portion 100Ac in a direction perpendicular to the surface of the first outermost surface plating layer 100Ab2 is defined as the protruding height d1 of the first convex portion 100Ac.
  • the protruding height d1 of the first convex portion 100Ac may be greater than the thickness d2 of the first lower layer plating film 100Ab1. This makes it possible to more appropriately prevent the excessive outflow of the bonding material.
  • the protruding height d1 of the first protruding portion 100Ac may be greater than the thickness d3 of the first outermost surface plating film 100Ab2. This makes it possible to more appropriately prevent the bonding material from flowing out excessively.
  • the protruding height d1 of the first protruding portion 100Ac may be greater than the thickness d4 of the first intermetallic compound 100Ab3. This makes it possible to more appropriately prevent the bonding material from flowing out excessively.
  • the second convex portion 100Bc may have an undercut shape.
  • an undercut shape refers to a protrusion shape having a space Hb that is hidden by a part of the second convex portion 100Bc when the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 is viewed in a direction perpendicular to the surface.
  • the space Hb surrounded by the virtual line Vb, the fourth surface uc, and the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 is hidden by a part Ha of the second convex portion 100Bc when viewed in a direction perpendicular to the surface.
  • the second convex portion 100Bc has a first surface ua, a second surface ub, a third surface ud, and a fourth surface uc, as shown in FIG. 12G.
  • the first surface ua is an imaginary reference surface that is approximately parallel to the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 in its cross-sectional shape.
  • the second surface ub is a surface that rises from the surface side of the second intermetallic compound 100Bb3 as the second low-wettability surface.
  • the third surface ud is a surface that continues from the second surface ub, extends in a direction approximately parallel to the second outermost surface plating film 100Bb2 and toward the second outermost surface plating film 100Bb2 side, and forms the upper part of the second convex portion 100Bc.
  • the fourth surface uc extends to connect one end of the third surface ud to the second outermost surface plating film 100Bb2.
  • the angle ⁇ between the first surface ua and the fourth surface uc may be an obtuse angle.
  • the space Hb between the imaginary line Va and the imaginary line Vb formed by the second outermost surface plating film 100Bb2 and the second convex portion 100Bc may be configured so as to be hidden by a portion Ha of the second convex portion 100Bc and cannot be seen.
  • the distance from the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 to the upper surface of the second convex portion 100Bc in a direction perpendicular to the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 is defined as the protruding height d1 of the second convex portion 100Bc.
  • the protruding height d1 of the second convex portion 100Bc may be greater than the thickness d2 of the second lower layer plating film 100Bb1. This makes it possible to more appropriately prevent the bonding material from flowing out excessively.
  • the protruding height d1 of the second convex portion 100Bc may be greater than the thickness d3 of the second outermost surface plating film 100Bb2. This makes it possible to more appropriately prevent the bonding material from flowing out excessively.
  • the protruding height d1 of the second protruding portion 100Bc may be greater than the thickness d4 of the second intermetallic compound 100Bb3. This makes it possible to more appropriately prevent the bonding material from flowing out excessively.
  • the method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor 1 of this embodiment is not limited as long as it satisfies the above-mentioned requirements.
  • a suitable manufacturing method includes the following steps. First, a method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor body 2 will be described.
  • a dielectric sheet for the dielectric layer 20 and a conductive paste for the internal electrode layer 30 are prepared.
  • the dielectric sheet and the conductive paste for the internal electrodes contain a binder and a solvent.
  • the binder and the solvent may be publicly known.
  • a conductive paste for the internal electrode layer 30 is printed in a predetermined pattern on the dielectric sheet, for example by screen printing or gravure printing. This prepares a dielectric sheet on which the pattern of the first internal electrode layer 31 is formed, and a dielectric sheet on which the pattern of the second internal electrode layer 32 is formed.
  • a predetermined number of dielectric sheets that do not have the pattern of the internal electrode layer printed on them are stacked to form the portion that will become the first main surface side outer layer portion 12 on the first main surface TS1 side.
  • a dielectric sheet that has the pattern of the first internal electrode layer 31 printed on it and a dielectric sheet that has the pattern of the second internal electrode layer 32 printed on it are stacked in order on top of it to form the portion that will become the inner layer portion 11.
  • a predetermined number of dielectric sheets that do not have the pattern of the internal electrode layer printed on them are stacked on top of the portion that will become the inner layer portion 11 to form the portion that will become the second main surface side outer layer portion 13 on the second main surface TS2 side. In this way, a laminated sheet is produced.
  • the laminated sheets are pressed in the stacking direction using a means such as a hydrostatic press to produce a laminated block.
  • the laminated block is cut to a specified size to produce laminated chips.
  • the corners and edges of the laminated chips may be rounded by barrel polishing or the like.
  • the laminated chip is fired to produce the laminate 10.
  • the firing temperature depends on the materials of the dielectric layer 20 and the internal electrode layer 30, but is preferably 900°C or higher and 1400°C or lower.
  • a conductive paste that will become the first and second base electrode layers 50A and 50B is applied to both end surfaces of the laminate 10.
  • the first and second base electrode layers 50A and 50B are baked layers.
  • a conductive paste containing a glass component and a metal is applied to the laminate 10 by a method such as dipping.
  • a baking process is then performed to form the first and second base electrode layers 50A and 50B.
  • the temperature of the baking process at this time is preferably 700°C or higher and 900°C or lower.
  • the fired layer When the unfired laminated chip and the conductive paste applied to the laminated chip are fired at the same time, it is preferable to form the fired layer by adding a ceramic material instead of a glass component and firing it. In this case, it is particularly preferable to use the same type of ceramic material as the dielectric layer 20 as the added ceramic material. In this case, the conductive paste is applied to the unfired laminated chip, and the laminated chip and the conductive paste applied to the laminated chip are fired at the same time to form the laminate 10 with the fired layer.
  • the thin film layers may be formed on a part of the first main surface TS1 and a part of the second main surface TS2 of the laminate 10.
  • the thin film layers may be sputtered electrodes formed by a sputtering method, for example.
  • a baked layer may be formed on the first end surface LS1 and the second end surface LS2.
  • a plating layer which will be described later, may be formed directly on the laminate 10 without forming a base electrode layer on the first end surface LS1 and the second end surface LS2.
  • a first plating layer 60A is formed on the surface of the first base electrode layer 50A.
  • a second plating layer 60B is formed on the surface of the second base electrode layer 50B.
  • a Ni plating layer and a Sn plating layer are formed as the plating layers.
  • the Ni plating layer and the Sn plating layer are formed in sequence, for example, by barrel plating.
  • the multilayer ceramic capacitor body 2 is produced.
  • Figure 14A is a diagram showing the front side of the metal terminal before being bent.
  • Figure 14B is a diagram showing the opposite side of the metal terminal before being bent.
  • a plating film is applied to the terminal body constituting the first metal terminal 100A and the second metal terminal 100B.
  • Ni plating film and Sn plating film are formed as the plating film.
  • the plating film is applied to the surface of the base material of the terminal body, it is cut along the shape of the metal terminal by shearing using a punching die or the like. This forms an exposed surface on the side of the metal terminal body, where the surface of the base material of the terminal body is exposed.
  • surfaces E1a, E1b, E2a, and E2b of a first intermetallic compound are formed as low-wettability surfaces with low solder wettability in desired regions of the surfaces of the metal terminal (first front surface FS1 and second front surface FS2).
  • surfaces E1a, E1c, E2a, and E2c of a second intermetallic compound are formed as low-wettability surfaces with low solder wettability in desired regions of the rear surface of the metal terminal (first opposite surface BS1 and second opposite surface BS2).
  • the processing of the intermetallic compound surface is performed by heat treatment of the plating film.
  • the surface of the intermetallic compound as a low wettability surface may be formed while simultaneously forming the convex portions 100Ac and 100Bc of the present disclosure.
  • the Ni-Sn intermetallic compound is formed while simultaneously forming the convex portions 100Ac and 100Bc of the present disclosure by performing laser irradiation on the laminated structure of the Ni plating film and the Sn plating film. The conditions of the laser irradiation are adjusted to a low output so that the Sn plating film as the outermost surface plating film is not evaporated and removed.
  • the convex portions 100Ac and 100Bc can be formed at the boundary between the surface of the outermost surface metal film and the low wettability surface while forming the surface of the intermetallic compound as a low wettability surface.
  • the protruding portions 100Ac and 100Bc may be formed of the same material as the Sn plating film of the outermost surface plating film. However, this is not limited to this, and the protruding portions 100Ac and 100Bc may, for example, partially contain an intermetallic compound of Ni and Sn, or may partially contain the same material as the Ni plating film.
  • the first external electrode 40A and the first metal terminal 100A are joined by a first bonding material 5A.
  • the second external electrode 40B and the second metal terminal 100B are joined by a second bonding material 5B.
  • the first bonding material 5A and the second bonding material 5B are solder.
  • the first bonding material 5A and the second bonding material 5B are heated, for example, at a temperature of 270°C or higher and 290°C or lower for 30 seconds or more.
  • the heating during reflow melts the first bonding material 5A and the second bonding material 5B.
  • the first bonding material 5A is unlikely to wet up along the rising portion 120A of the first metal terminal 100A.
  • the surface E2b of the intermetallic compound is disposed on the surface of the second rising portion 120B of the second metal terminal 100B that faces the second surface S2 of the laminated ceramic electronic component body 2, the second bonding material 5B is unlikely to wet up along the rising portion 120B of the second metal terminal 100B.
  • the surface E1a of the intermetallic compound and the surface E2a of the intermetallic compound have the function of preventing the solder from spreading during reflow.
  • the surface E1c of the intermetallic compound and the surface E2c of the intermetallic compound have a function of preventing the solder from spreading during reflow.
  • the surface of the first base material 100Aa located on the first terminal side surface TSS1 and the surface of the second base material 100Ba located on the second terminal side surface TSS2 have a function of preventing the solder from spreading during reflow.
  • the convex portions 100Ac and 100Bc are arranged at the boundary between the surface of the outermost surface metal film and the low wettability surface.
  • the protruding height of the convex portions 100Ac and 100Bc is greater than, for example, the thickness of the lower layer plating film, the effect is further enhanced.
  • the convex portions 100Ac and 100Bc may have an undercut shape.
  • the protrusions 100Ac and 100Bc may be shaped such that their upper surfaces are biased toward the multilayer ceramic capacitor body 2 in the longitudinal direction of the metal terminal. By including such protrusions 100Ac and 100Bc, it is possible to more appropriately prevent the bonding material from flowing out excessively.
  • the first bonding material 5A solidifies while leaving a gap G between the first rising portion 120A of the first metal terminal 100A and the first surface S1 on the first end face LS1 side of the multilayer ceramic capacitor body 2, bonding the multilayer ceramic capacitor body 2 to the first metal terminal 100A.
  • the second bonding material 5B solidifies while leaving a gap G between the second rising portion 120B of the second metal terminal 100B and the second surface S2 on the second end face LS2 side of the multilayer ceramic capacitor body 2, bonding the multilayer ceramic capacitor body 2 to the second metal terminal 100B. This allows the exterior material 3 to be filled into the gap G more reliably in the subsequent process.
  • the exterior material 3 is formed, for example, by a transfer molding method. Specifically, the multilayer ceramic capacitor before being covered with the exterior material 3, i.e., the multilayer ceramic capacitor body 2 to which the metal terminal 100 is joined via the bonding material 5, is placed in a mold, and then the resin of the exterior material 3 is filled into the mold and the resin is hardened. As a result, the exterior material 3 is provided so as to cover the multilayer ceramic capacitor body 2, the first bonding material 5A and the second bonding material 5B, a part of the first metal terminal 100A, and a part of the second metal terminal 100B. At this time, the exterior material 3 can also be filled into the gap G.
  • the bonding property of the bonding material can be improved, but since the surface of the plating film formed on the metal terminal is smooth, there is a possibility that it may easily peel off at the interface between the metal terminal and the exterior material. In this case, external steam may penetrate into the interior of the exterior material, which may reduce the reliability of the electronic component.
  • the convex portions 100Ac, 100Bc are disposed at the boundary between the surface of the outermost surface metal film and the low wettability surface. This improves the bonding between the metal terminal and the exterior material, suppresses peeling at the interface between the metal terminal and the exterior material, and makes it possible to suppress a decrease in the reliability of the electronic component.
  • the effect is further enhanced when the convex portions have an undercut shape. Furthermore, the effect is further enhanced when the protruding height of the convex portions 100Ac, 100Bc is greater than, for example, the thickness of the underlying plating film.
  • the unnecessary portion is cut off using a punching die or the like. Then, the metal terminal 100 is bent into the desired shape using a bending die or the like. In this manner, the metal terminal 100 may be formed by bending. That is, each connection portion of the metal terminal 100 that is bent may be formed by bending. Note that some bending is performed before molding the exterior material 3.
  • the multilayer ceramic capacitor 1 of this embodiment is manufactured using the above manufacturing method.
  • FIGS. 16A and 16B show a mounting structure 300 of a multilayer ceramic capacitor 1.
  • FIG. 16A is an external perspective view showing a mounting structure 300 in which a multilayer ceramic capacitor 1 of this embodiment is mounted on a mounting substrate 310.
  • FIG. 16B corresponds to FIG. 6 and is a virtual arrow view of the mounting structure 300 of the multilayer ceramic capacitor 1 of FIG. 16A as viewed from the direction of the arrow XVIB.
  • the multilayer ceramic capacitor 1, which is now a finished product covered with the exterior material 3, is then reflow-mounted as a component onto the mounting substrate 310 via the substrate mounting bonding material 320.
  • first metal terminal 100A and the second metal terminal 100B are joined to the wiring member 312 arranged on the mounting surface 311 of the mounting substrate 310 via the substrate mounting bonding material 320.
  • the second metal terminal 100B is joined to the wiring member 312 arranged on the mounting surface 311 of the mounting substrate 310 via the substrate mounting bonding material 320.
  • convex portions 100Ac and 100Bc are further disposed at the boundary between the surface of the outermost surface metal film and the low wettability surface. This makes it possible to more appropriately prevent problems such as solder splash.
  • a plurality of protrusions U may be formed on the surface of the intermetallic compound serving as a low-wettability surface (surfaces E1a to E1c of the first intermetallic compound 100Ab3 and surfaces E2a to E2c of the second intermetallic compound 100Bb3) as shown in FIG. 15.
  • the plurality of protrusions U may have an undercut shape.
  • the protrusion U when the surface of the intermetallic compound is viewed in a direction perpendicular to the surface of the intermetallic compound, a part of the raised shape of the protrusion U is hidden by the protrusion U itself.
  • the protrusion U may be formed such that when viewed in a direction perpendicular to each surface on the surfaces E1a, E1b, and E1c of the first intermetallic compound and the surfaces E2a, E2b, and E2c of the second intermetallic compound, a part of the protrusion U hides another part of the protrusion U and cannot be seen.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing an example of a plurality of protrusions formed on the surface of the intermetallic compound in the first metal terminal. Note that the plurality of protrusions formed on the surface of the intermetallic compound in the second metal terminal are similar to those in the first metal terminal, and therefore will not be described.
  • the vertical direction of the figure corresponds to the direction perpendicular to the surface of the intermetallic compound.
  • imaginary line V1 in FIG. 15 is parallel to the vertical direction of the figure and passes through the boundary point between adjacent protrusions U.
  • imaginary line V2 in FIG. 15 is parallel to the vertical direction of the figure and passes through the apex of protrusion U.
  • the undercut shape of the protrusion U is formed to have a first side u1 that is approximately parallel to the surface (e.g., the surface of the first intermetallic compound and the surface of the second intermetallic compound of the metal terminal) and serves as a reference line in its cross-sectional shape, a second side u2 that extends from the first side u1 at a rise angle exceeding a right angle, and a third side u3 that extends from the second side u2 to connect to the first side u1.
  • a first side u1 that is approximately parallel to the surface (e.g., the surface of the first intermetallic compound and the surface of the second intermetallic compound of the metal terminal) and serves as a reference line in its cross-sectional shape
  • a second side u2 that extends from the first side u1 at a rise angle exceeding a right angle
  • a third side u3 that extends from the second side u2 to connect to the first side u1.
  • the cross-sectional shape of the protrusion U is an approximately obtuse triangle in which the angle ⁇ between the first side u1 that serves as the reference line of the surface and the second side u2 that forms one of the rising parts of the protrusion U is an obtuse angle.
  • the approximately obtuse triangle referred to here does not need to be an exact obtuse triangle, and also includes, for example, a shape in which the second side u2 has a base shape that gradually becomes closer to parallel to the first side u1 as it approaches the first side u1 that is the reference line.
  • a portion H2 surrounded by imaginary lines V1 and V2 of the adjacent protrusion U on the right side of the figure may be configured to be hidden from view by a portion H1 surrounded by imaginary lines V1 and V2 of the adjacent protrusion U on the left side of the figure.
  • an anchor effect is created between the multiple protrusions formed on the surface of the intermetallic compound of the metal terminal and the exterior material, increasing the adhesion between the metal terminal and the exterior material.
  • the molded resin that makes up the exterior material penetrates into the spaces behind the protrusions in the undercut shape, resulting in a high anchor effect.
  • a number of protrusions are arranged in succession on the surface of the intermetallic compound of the metal terminal.
  • at least a portion of the multiple protrusions is composed of multiple protrusions arranged in a regular pattern.
  • the multiple protrusions are arranged in a regular pattern for each processing mark.
  • the arithmetic mean height Sa of the surface of the intermetallic compound having multiple protrusions U is preferably 0.5 ⁇ m or more. This further increases the adhesion between the metal terminal and the exterior material.
  • the skewness Ssk of the surface of the intermetallic compound having multiple protrusions U is a positive value. This further increases the adhesion between the metal terminal and the exterior material.
  • the RSm in the roughness curve in a second direction perpendicular to the first direction may be at least twice as large as the RSm in the roughness curve in the first direction (laser scanning direction).
  • the RSm in the roughness curve in the first direction (laser scanning direction) may be, for example, 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the method for measuring the surface roughness parameter of the surface of the metal terminal is as follows. First, the exterior material is dissolved with a solvent to expose the surface of the metal terminal. When the exterior material is an epoxy resin, for example, a hydrocarbon-based release agent is used as the solvent. The surface roughness parameter of the surface of the intermetallic compound on the exposed surface of the metal terminal is measured using a laser microscope.
  • the measurement method When measuring roughness parameters related to line roughness such as RSm, the measurement method complies with JIS B0601-2001 (2013). When measuring roughness parameters related to surface roughness such as Sa and Ssk, the measurement method complies with ISO 25178. Note that the arithmetic mean height Sa etc. when measuring surface roughness is an extension of the arithmetic mean height Ra (arithmetic mean height of lines) etc. to a surface. Note that the average value of the roughness parameters measured at five locations is taken as the measured value of the roughness parameter in this embodiment.
  • the laser irradiation conditions may be appropriately determined so that at least a portion of the multiple protrusions U are composed of a large number of regularly arranged protrusions U.
  • the laser may be irradiated so that the laser spot spacing is 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the multiple protrusions U arranged in large numbers in succession are regularly arranged at intervals of 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • Fig. 12H corresponds to Fig. 12G and is an enlarged view showing the first convex portion of the first modified example.
  • Fig. 12I corresponds to Fig. 12G and is an enlarged view showing the low wettability surface of the second modified example.
  • Fig. 12J corresponds to Fig. 12G and is an enlarged view showing the low wettability surface of the third modified example.
  • the first metal terminal 100A and the second metal terminal 100B are generally plane symmetrical with respect to the WT cross section at the center of the length direction L of the multilayer ceramic capacitor 1. Therefore, an enlarged view of the second metal terminal 100B has the same shape as the enlarged view of the first metal terminal 100A, and is bilaterally symmetrical on the page. Therefore, in Figures 12H to 12J, in addition to the reference numerals given to each component of the first metal terminal 100A, the reference numerals of the second metal terminal 100B are also given, and Figures 12H to 12J are used as enlarged views to explain the first metal terminal 100A and the second metal terminal 100B.
  • the first convex portion 100Ac and the second convex portion 100Bc have an undercut shape, but this is not limited thereto, and they do not have to have an undercut shape.
  • the first convex portion 100AcB according to the first modified example does not have an undercut shape, as shown in FIG. 12H.
  • the second convex portion 100BcB according to the first modified example does not have an undercut shape, as shown in FIG. 12H.
  • the convex portion is formed at the boundary between the surface of the outermost metal film and the low-wettability surface by irradiating a laser onto the laminated structure of the Ni plating film and the Sn plating film, while forming a surface of an intermetallic compound of Ni and Sn as a low-wettability surface.
  • the convex portion may be formed by other methods, for example, by stripe plating. In stripe plating, the surface is masked with a resist or the like, except for the part where the plating film is to be formed, and then plating is performed. This results in the plating film being formed partially.
  • the material of the plating film forming the convex portion may be the same as the material of the other plating films, and may be, for example, Sn.
  • the surfaces E1a, E1b, and E1c of the first intermetallic compound 100Ab3 and the surfaces E2a, E2b, and E2c of the second intermetallic compound 100Bb3 are formed as low-wettability surfaces, but this is not limited thereto.
  • the Ni-plated surface of the first underlayer plating film 100Ab1 or the second underlayer plating film 100Bb1 may be disposed as the low-wettability surface.
  • the surface of the first base material 100Aa or the second base material 100Ba may be disposed as the low-wettability surface.
  • the low-wettability surface may be formed, for example, by laser trimming, which removes part or all of the plating film, or by stripe plating.
  • stripe plating plating is performed on the terminal body with part of the surface masked with a resist or the like. This results in the formation of a low-wettability surface with low solder wettability.
  • Fig. 17A is a diagram showing a modified example of the multilayer ceramic capacitor 1 of this embodiment, and corresponds to Fig. 2.
  • Fig. 17B is a diagram showing the multilayer ceramic capacitor 1 of Fig. 17A as viewed from the direction of the arrow XVIIB, and corresponds to Fig. 4.
  • the configuration of the metal terminal is different from that of the above embodiment.
  • the metal terminal in this modified example has a first metal terminal 200A and a second metal terminal 200B.
  • the configuration of the portion of the first metal terminal 200A that is disposed inside the exterior material 3 is the same as the configuration of the first metal terminal 100A in the above embodiment.
  • the configuration of the portion of the second metal terminal 200B that is disposed inside the exterior material 3 is the same as the configuration of the second metal terminal 100B in the above embodiment.
  • the first metal terminal 200A has a first extension 230A, a first falling portion 240A, and a first mounting portion 250A.
  • the first extension 230A is connected to the first falling portion 240A immediately after protruding from the surface MLS1 on the first end face LS1 side of the exterior material 3.
  • the connection portion between the first extension 230A and the first falling portion 240A is formed by bending at a substantially right angle.
  • the first falling portion 240A extends toward the mounting surface in a direction substantially perpendicular to the mounting surface.
  • the first mounting portion 250A extends along the mounting surface toward the center of the length direction L of the multilayer ceramic capacitor 1.
  • the second metal terminal 200B has a second extension 230B, a second falling portion 240B, and a second mounting portion 250B.
  • the second extension 230B is connected to the second falling portion 240B immediately after protruding from the surface MLS2 on the second end face LS2 side of the exterior material 3.
  • the connection portion between the second extension 230B and the second falling portion 240B is formed by bending at a substantially right angle.
  • the second falling portion 240B extends toward the mounting surface in a direction substantially perpendicular to the mounting surface.
  • the second mounting portion 250B extends along the mounting surface toward the center of the length direction L of the multilayer ceramic capacitor 1.
  • the separation distance L7 between the end of the first mounting portion 250A of the first metal terminal 200A and the end of the second mounting portion 250B of the second metal terminal 200B is longer than the separation distance L3 between the first external electrode 40A and the second external electrode 40B of the multilayer ceramic capacitor body 2 shown in FIG. 7.
  • the first mounting portion 250A may extend parallel to the mounting surface along the mounting surface, but may extend at an angle away from the mounting surface as it approaches the center of the length direction L of the multilayer ceramic capacitor 1.
  • the second mounting portion 250B may extend parallel to the mounting surface along the mounting surface, but may extend at an angle away from the mounting surface as it approaches the center of the length direction L of the multilayer ceramic capacitor 1. This allows the bonding material to be drawn into this portion when the multilayer ceramic capacitor 1 is mounted on the mounting board, increasing the mounting strength. Also, the multilayer ceramic capacitor 1 can be stably placed on the mounting surface of the mounting board.
  • the angle of inclination ⁇ is preferably 1° or more and 40° or less.
  • the metal terminal may further have an intermetallic compound surface at a position different from that of the first embodiment.
  • FIG. 17A shows an example of the position of the additional intermetallic compound surface ES3 of the first metal terminal 200A and the position of the additional intermetallic compound surface ES4 of the second metal terminal 200B.
  • the surface ES3 of the additional intermetallic compound is disposed on the surface of the first falling portion 240A of the first metal terminal 200A that faces the first inclined surface MLS1A of the exterior material 3 of the multilayer ceramic electronic component 1.
  • the surface ES3 of the additional intermetallic compound may also be disposed on the surface of the first mounting portion 250A opposite the mounting surface, i.e., the surface that faces the first main surface MTS1 of the exterior material 3.
  • the surface ES4 of the additional intermetallic compound is disposed on the surface of the third falling portion 240B of the second metal terminal 200B that faces the second inclined surface MLS2A of the exterior material 3 of the multilayer ceramic capacitor 1.
  • the surface ES4 of the additional intermetallic compound may also be disposed on the surface of the second mounting portion 250B opposite the mounting surface, i.e., the surface that faces the first main surface MTS1 of the exterior material 3.
  • the surface E1b of the intermetallic compound is disposed on the surface of the first rising portion 120A of the first metal terminal 100A that faces the first surface S1 of the laminated ceramic electronic component body 2, so the first bonding material 5A is unlikely to wet up along the rising portion 120A of the first metal terminal 100A.
  • the surface E2b of the intermetallic compound is disposed on the surface of the second rising portion 120B of the second metal terminal 100B that faces the second surface S2 of the laminated ceramic electronic component body 2, so the second bonding material 5B is unlikely to wet up along the rising portion 120B of the second metal terminal 100B.
  • the surfaces E1a and E2a of the intermetallic compound also have the function of preventing the solder from spreading during reflow.
  • the intermetallic compound surfaces E1c and E2c have the function of preventing the solder from spreading during reflow.
  • the surface of the first base material 100Aa located on the first terminal side surface TSS1 and the surface of the second base material 100Ba located on the second terminal side surface TSS2 have the function of preventing the solder from spreading during reflow.
  • the multiple first internal electrode layers 31 and the multiple second internal electrode layers 32 are arranged alternately in the height direction T of the laminate 10, but the configuration of the multilayer ceramic capacitor body 2 is not limited to this.
  • the multiple first internal electrode layers 31 and the multiple second internal electrode layers 32 may be arranged alternately in the width direction W of the laminate 10.
  • the first extension portion of the first internal electrode layer 31 may be extended to the first main surface TS1 on the first end surface LS1 side, and the first external electrode 40A may be disposed only on the first end surface LS1 side on the first main surface TS1. That is, the first external electrode 40A may not be provided on the first end surface LS1.
  • the first surface S1 on the first end surface LS1 side of the multilayer ceramic capacitor body 2 is formed by the first end surface LS1 of the laminate 10.
  • the second extension portion of the second internal electrode layer 32 may be extended to the first main surface TS1 on the second end surface LS2 side, and the second external electrode 40B may be disposed only on the second end surface LS2 side on the first main surface TS1.
  • the second external electrode 40B may not be provided on the second end surface LS2.
  • the first surface S1 on the second end surface LS2 side of the multilayer ceramic capacitor body 2 is formed by the second end surface LS2 of the laminate 10.
  • the bonding material 5 is less likely to wet up into the gap G.
  • a multilayer ceramic capacitor body 2 as a multilayer ceramic electronic component body may be covered with an exterior material 3 to form the multilayer ceramic capacitor 1 as a multilayer ceramic electronic component.
  • a multilayer ceramic capacitor body 2 arranged in parallel may be covered with an exterior material 3 to form the multilayer ceramic capacitor 1.
  • a multilayer ceramic capacitor body 2 stacked in two or more stages may be covered with an exterior material 3 to form the multilayer ceramic capacitor 1.
  • the configuration of the multilayer ceramic capacitor body is not limited to the configurations shown in Figures 7 to 10.
  • the multilayer ceramic capacitor body may be a multilayer ceramic capacitor with a double structure, triple structure, or quadruple structure, as shown in Figures 18A, 18B, and 18C.
  • the laminated ceramic capacitor body 2 of FIG. 18A is a laminated ceramic capacitor body 2 of a double structure, and includes, as the internal electrode layer 30, a first internal electrode layer 33 and a second internal electrode layer 34, as well as a floating internal electrode layer 35 that is not drawn out to either the first end surface LS1 or the second end surface LS2.
  • the laminated ceramic capacitor body 2 of FIG. 18B is a laminated ceramic capacitor body 2 of a triple structure, including a first floating internal electrode layer 35A and a second floating internal electrode layer 35B as the floating internal electrode layer 35.
  • the laminated ceramic capacitor body 2 is a laminated ceramic capacitor body 2 of a quadruple structure, including a first floating internal electrode layer 35A, a second floating internal electrode layer 35B, and a third floating internal electrode layer 35C as the floating internal electrode layer 35.
  • the laminated ceramic capacitor body 2 has a structure in which the opposing electrode portion is divided into multiple parts.
  • multiple capacitor components are formed between the opposing internal electrode layers 30, and these capacitor components are connected in series. This reduces the voltage applied to each capacitor component, and the multilayer ceramic capacitor body 2 can withstand high voltages.
  • the multilayer ceramic capacitor body 2 of this embodiment may have a multi-row structure of four or more rows.
  • the multilayer ceramic capacitor body 2 may be a two-terminal type having two external electrodes, or a multi-terminal type having multiple external electrodes.
  • the multilayer ceramic capacitor 1 of this embodiment provides the following advantages:
  • a multilayer ceramic capacitor 1 (multilayer ceramic electronic component 1) according to one embodiment of the present invention includes a laminate 10 including a plurality of laminated dielectric layers 20 (ceramic layers 20) and a plurality of laminated internal electrode layers 30 (internal conductor layers 30), a first main surface TS1 and a second main surface TS2 facing in a height direction T, a first side surface WS1 and a second side surface WS2 facing in a width direction W perpendicular to the height direction T, and a first end surface LS1 and a second end surface LS2 facing in a length direction L perpendicular to the height direction T and the width direction W, a first external electrode 40A disposed on the first end surface LS1 side, and a second end surface LS2 facing in a length direction L perpendicular to the height direction T and the width direction W.
  • a laminate 10 including a plurality of laminated dielectric layers 20 (ceramic layers 20) and a plurality of laminated internal electrode layers 30 (inter
  • first metal terminal 100A connected to the first external electrode 40A via a bonding material 5 (first bonding material 5A), a second metal terminal 100B connected to the second external electrode 40B via a bonding material 5 (second bonding material 5B), and an exterior material 3 covering the multilayer ceramic capacitor body 2, a part of the first metal terminal 100A, and a part of the second metal terminal 100B
  • the second metal terminal 100B has a first bonding surface 110A1 bonded to a bonding material 5 (second bonding material 5B) and a second contact surface CS2 in contact with the exterior material 3, and the first contact surface CS1 in contact with the exterior material 3 comprises a surface of a first outermost surface plating film 100Ab2 (first outermost surface metal film 100Ab2) and surfaces E1a, E1b, E1c of a first intermetallic compound as a first low-wettability surface having lower wettability than the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2, and the second contact surface CS1 in contact with the exterior material 3 comprises a
  • CS2 has a surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 (second outermost surface metal film 100Bb2) and surfaces E2a, E2b, and E2c of a second intermetallic compound as a second low-wettability surface having lower wettability than the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2, and a first convex portion 100Ac is disposed at the boundary between the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2 and the surfaces E1a, E1b, and E1c of the first intermetallic compound 100Ab3, and a second convex portion 100Bc is disposed at the boundary between the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 and the surfaces E2a, E2b, and E2c of the second intermetallic compound 100Bb3.
  • the plating film formed on the metal terminal can improve the bonding strength of the bonding material
  • the plating film formed on the metal terminal has a smooth surface, which may cause it to peel off easily at the interface between the metal terminal and the exterior material. In this case, external steam may penetrate into the interior of the exterior material, reducing the reliability of the electronic component.
  • the present disclosure by arranging a convex portion at the boundary between the surface of the outermost surface metal film and the low-wettability surface, it is possible to improve the adhesion between the metal terminal and the exterior material, suppress peeling at the interface between the metal terminal and the exterior material, and suppress a decrease in the reliability of the electronic component.
  • the first protrusion 100Ac has an undercut shape
  • the second protrusion 100Bc has an undercut shape. This makes it possible to more appropriately prevent the solder from flowing out excessively while ensuring the wettability of the solder in the necessary areas. It also makes it possible to further improve the bond between the metal terminal and the exterior material.
  • the first metal terminal 100A includes a first base material 100Aa and a first plating film 100Ab formed on the surface of the first base material 100Aa
  • the second metal terminal 100B includes a second base material 100Ba and a second plating film 100Bb formed on the surface of the second base material 100Ba
  • the first outermost surface plating film 100Ab2 includes at least the outermost surface portion of the first plating film
  • the second outermost surface plating film 100Bb2 includes at least the outermost surface portion of the second plating film.
  • the first plating film 100Ab includes a first outermost surface plating film 100Ab2 constituting the first outermost surface metal film and a first lower layer plating film 100Ab1 disposed below the first outermost surface plating film 100Ab2, and the second plating film 100Bb includes a second outermost surface plating film 100Bb2 constituting the second outermost surface metal film and a second lower layer plating film 100Bb1 disposed below the second outermost surface plating film 100Bb2.
  • the protruding height d1 of the first protruding portion 100Ac is greater than the thickness d2 of the first lower-layer plating film 100Ab1
  • the protruding height d1 of the second protruding portion 100Bc is greater than the thickness d2 of the second lower-layer plating film 100Bb1.
  • the first outermost surface plating film 100Ab2 and the second outermost surface plating film 100Bb2 are Sn plating films
  • the first lower layer plating film 100Ab1 and the second lower layer plating film 100Bb1 are Ni plating films.
  • the first low-wettability surface is the surface E1a, E1b, and E1c of the first intermetallic compound 100Ab3 composed of the metal constituting the first outermost surface plating film 100Ab2 and the metal constituting the first lower layer plating film 100Ab1
  • the second low-wettability surface is the surface E2a, E2b, and E2c of the second intermetallic compound 100Bb3 composed of the metal constituting the second outermost surface plating film 100Bb2 and the metal constituting the second lower layer plating film 100Bb1.
  • the first intermetallic compound 100Ab3 and the second intermetallic compound 100Bb3 are composed of an intermetallic compound of Ni and Sn. This makes it possible to provide a multilayer ceramic electronic component that can appropriately suppress excessive solder flow while ensuring the wettability of the solder in the necessary areas and suppress the occurrence of solder splashes.
  • the first low-wettability surface is the surface of the first lower-layer plating film 100Ab1 of the first metal terminal 100A
  • the second low-wettability surface is the surface of the second lower-layer plating film 100Bb1 of the second metal terminal 100B.
  • the first low-wettability surface is the surface of the first base material 100Aa of the first metal terminal 100A
  • the second low-wettability surface is the surface of the second base material 100Ba of the second metal terminal 100B.
  • the first metal terminal 100A and the second metal terminal 100B are metal terminals mounted on a mounting surface 311 of a mounting substrate 310 on which the multilayer ceramic capacitor 1 is to be mounted
  • the first main surface TS1 of the laminate 10 is a surface facing the mounting surface 311
  • the first external electrode 40A is disposed at least on the first end surface LS1 side of the first main surface TS1
  • the second external electrode 40B is disposed at least on the second end surface LS2 side of the first main surface TS1
  • the first metal terminal 100A faces the first main surface TS1
  • a first joint 11 connected to the first external electrode 40A is disposed at least on the first end surface LS2 side of the first main surface TS1.
  • the first metal terminal 100A is a plate-like member including a first front surface FS1 on the first bonding surface 110A1 side to which the first external electrode 40A is bonded, a first opposite surface BS1 which is the surface opposite to the first front surface FS1, and a first terminal side surface TSS1 connecting the first front surface FS1 and the first opposite surface BS1, and the second metal terminal 100B is a plate-like member including a second front surface FS2 on the second bonding surface 110B1 side to which the second external electrode 40B is bonded, a second opposite surface BS2 which is the surface opposite to the second front surface FS2, and a second terminal side surface TSS2 connecting the second front surface FS2 and the second opposite surface BS2.
  • the surface of the intermetallic compound can be easily formed by processing such as laser irradiation.
  • an intermetallic compound surface as a low-wettability surface by processing such as laser irradiation
  • the amount of processing required to form the intermetallic compound surface can be reduced while appropriately suppressing excessive outflow of the bonding material and suppressing the occurrence of solder splash.
  • the surface E1a of the first intermetallic compound as the first low-wettability surface provided on the first contact surface CS1 is provided on the first front surface FS1 and the first opposite surface BS1 of the first extension 130A
  • the surface E2a of the second intermetallic compound as the second low-wettability surface provided on the second contact surface CS2 is provided on the second front surface FS2 and the second opposite surface BS2 of the second extension 130B.
  • a surface E1c of a first intermetallic compound is provided on the first opposite surface BS1 of the first bonding portion 110A as a first low-wettability surface provided on the first contact surface CS1
  • a surface E2c of a second intermetallic compound is provided on the second opposite surface BS2 of the second bonding portion 110B as a second low-wettability surface provided on the second contact surface CS2.
  • the first contact surface CS1 includes, as the surfaces in contact with the exterior material 3, the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2, the surfaces E1a, E1b, E1c of the first intermetallic compound as the first low-wettability surface, and the surface of the first base material 100Aa
  • the second contact surface CS2 includes, as the surfaces in contact with the exterior material 3, the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2, the surfaces E2a, E2b, E2c of the second intermetallic compound as the second low-wettability surface, and the surface of the second base material 100Ba.
  • the first contact surface CS1 includes the surface of the first outermost surface plating film 100Ab2 located on the first front surface FS1 in the first joint 110A, the surface E1c of the first intermetallic compound as the first low-wettability surface located on the first opposite surface BS1, and the surface of the first base material 100Aa located on the side
  • the second contact surface CS2 includes the surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 located on the second front surface FS2 in the second joint 110B, the surface E2c of the second intermetallic compound as the second low-wettability surface located on the second opposite surface BS2, and the surface of the second base material 100Ba located on the side.
  • the first contact surface CS1 of the multilayer ceramic capacitor 1 includes, in at least a portion of the surface between the center of the first rising portion 120A and the first joint 110A, a surface E1b of a first intermetallic compound as a first low-wettability surface located on the first front surface FS1, a surface of the first outermost surface plating film 100Ab2 located on the first opposite surface BS1, and a surface of the first base material 100Aa located on the side; and the second contact surface CS2 includes, in at least a portion of the surface between the center of the second rising portion 120B and the second joint 110B, a surface E2b of a second intermetallic compound as a second low-wettability surface located on the second front surface FS2, a surface of the second outermost surface plating film 100Bb2 located on the second opposite surface BS2, and a surface of the second base material 100Ba located on the side.
  • the surfaces E1a, E1b, and E1c of the first intermetallic compound as the first low-wettability surface provided on the first contact surface CS1 are separated in the width direction by holes or notches formed in the first metal terminal 100A, and the surfaces E2a, E2b, and E2c of the second intermetallic compound as the second low-wettability surface provided on the second contact surface CS2 are separated in the width direction by holes or notches formed in the second metal terminal 100B.
  • a multilayer ceramic capacitor using a dielectric ceramic is exemplified as a multilayer ceramic electronic component, but the multilayer ceramic electronic component of the present invention is not limited to this and can be applied to various multilayer ceramic electronic components such as piezoelectric components using piezoelectric ceramics, thermistors using semiconductor ceramics, and inductors using magnetic ceramics.
  • piezoelectric ceramics include PZT (lead zirconate titanate) ceramics
  • examples of semiconductor ceramics include spinel ceramics
  • magnetic ceramics include ferrite.
  • the present invention is not limited to the configurations of the above embodiments, and can be modified as appropriate within the scope of the present invention. Note that the present invention also includes a combination of two or more of the individual desirable configurations described in the above embodiments.
  • Multilayer ceramic capacitors multilayer ceramic electronic components
  • Multilayer ceramic capacitor body multilayer ceramic electronic component body
  • Exterior material 5 Bonding material 5A Bonding material 5B Bonding material
  • Laminate 20 Dielectric layer (ceramic layer) 30 Internal electrode layer (internal conductor layer)
  • 100B Second metal terminal 110B1: Second bonding surface 100Bb2: Second outermost surface plating film (second outermost surface metal film)
  • 100Bc second convex portion
  • E1a surface of first intermetallic compound (first low-wettability surface)
  • E1b Surface of the first intermetallic compound (first low-wettability surface)
  • E1c Surface of the first intermetallic compound (first low-wettability surface)
  • E2a Surface of the second intermetallic compound (second low-wettability surface)
  • E2b Surface of second intermetallic compound (second low

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Abstract

接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供すること。　積層セラミックコンデンサ１は、積層セラミックコンデンサ本体２と接合材５を介して外部電極（４０Ａ、４０Ｂ）に接続される金属端子（１００Ａ、１００Ｂ）と積層セラミックコンデンサ本体２等を覆う外装材３とを備え、金属端子（１００Ａ、１００Ｂ）は、接合材５と接合する接合面（１１０Ａ１、１１０Ｂ１）と外装材３と接触する接触面（ＣＳ１、ＣＳ２）とを有し、接触面（ＣＳ１、ＣＳ２）は、最外表面金属膜（１００Ａｂ２、１００Ｂｂ２）の表面とそれよりもぬれ性の低い低ぬれ性表面（Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃ、Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃ）とを備え、最外表面金属膜（１００Ａｂ２、１００Ｂｂ２）の表面と低ぬれ性表面（Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃ、Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃ）との境に凸部（１００Ａｃ、１００Ｂｃ）が配置されている。

Description

積層セラミック電子部品
　本発明は、積層セラミック電子部品に関する。
　従来、外装材としての樹脂に覆われている積層セラミック電子部品が知られている。このような積層セラミック電子部品は、外装材の外部に引き出される金属端子と、積層セラミック電子部品本体の表面に配置される外部電極とが、外装材の内部において、はんだなどの金属を含む接合材により接合されている。
特開２０１９－１４５７６７号公報
　特許文献１には、金属端子としてのフレームの表面に、めっき膜が形成されている積層セラミック電子部品が開示されている。金属端子にめっき膜が形成されていることにより、接合材による接合性を高めることができる。しかしながら、金属端子の表面の全体にぬれ性の高いめっき膜が形成されていると、接合材が、金属端子を伝わって過剰に流れ出してしまう場合がある。この場合、接合材が外装材の表面に近づいた状態となりやすく、基板実装時のリフロー中に接合材が再溶融して接合材の体積が膨張した際に、外装材と金属端子の界面からはんだ成分が噴出するはんだスプラッシュという現象が生じてしまう可能性がある。
　本発明は、接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
　本発明に係る積層セラミック電子部品は、積層された複数のセラミック層と積層された複数の内部導体層とを含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、前記第１の端面側に配置される第１の外部電極と、前記第２の端面側に配置される第２の外部電極と、を有する積層セラミック電子部品本体と、接合材を介して前記第１の外部電極に接続される第１の金属端子と、接合材を介して前記第２の外部電極に接続される第２の金属端子と、前記積層セラミック電子部品本体と、前記第１の金属端子の一部と、前記第２の金属端子の一部と、を覆う外装材と、を備える、積層セラミック電子部品であって、前記第１の金属端子は、前記接合材と接合している第１の接合面と、前記外装材と接触している第１の接触面と、を有し、前記第２の金属端子は、前記接合材と接合している第２の接合面と、前記外装材と接触している第２の接触面と、を有し、前記外装材と接触している第１の接触面は、第１の最外表面金属膜の表面と、前記第１の最外表面金属膜よりもぬれ性の低い第１の低ぬれ性表面と、を備え、前記外装材と接触している第２の接触面は、第２の最外表面金属膜の表面と、前記第２の最外表面金属膜よりもぬれ性の低い第２の低ぬれ性表面と、を備え、前記第１の最外表面金属膜の表面と前記第１の低ぬれ性表面との境界部に、第１の凸部が配置され、前記第２の最外表面金属膜の表面と前記第２の低ぬれ性表面との境界部に、第２の凸部が配置されている。
　本発明によれば、接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供できる。
本実施形態の積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。 図１の積層セラミックコンデンサを矢印ＩＩの方向から見たときの矢視図である。 図２の積層セラミックコンデンサを矢印ＩＩＩの方向から見たときの矢視図である。 図２の積層セラミックコンデンサを矢印ＩＶの方向から見たときの矢視図である。 図１に対応する図であり、積層セラミックコンデンサの内部の構造を説明するための仮想的な斜視図である。 図５の積層セラミックコンデンサを矢印ＶＩの方向から見たときの仮想的な矢視図である。 外装材に覆われる前であって、金属端子が取り付けられる前の、積層セラミックコンデンサ本体の外観を示す外観斜視図である。 図７の積層セラミックコンデンサ本体のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。 図８の積層セラミックコンデンサ本体のＩＸ－ＩＸ線に沿った断面図である。 図８の積層セラミックコンデンサ本体のＸ－Ｘ線に沿った断面図である。 図４に対応する図であって、外装材および積層セラミックコンデンサ本体を除外した際の、金属端子を示す図である。 図６に示す積層セラミックコンデンサのＸＩＩＡ部拡大図である。 図６に示す積層セラミックコンデンサのＸＩＩＢ部拡大図である。 第１の金属端子の部分外観斜視図である。 図１２Ａに示す積層セラミックコンデンサのＲ１部の拡大図である。 図１２Ａに示す積層セラミックコンデンサのＲ２部の拡大図である。 図１２Ａに示す積層セラミックコンデンサのＲ３部の拡大図である。 図１２Ｄに示す第１の金属端子のＲ４部に位置する第１の凸部の拡大断面図である。 図１２Ｇに対応する図であって、第１の変形例に係る第１の凸部を示す拡大断面図である。 図１２Ｇに対応する図であって、第２の変形例に係る低ぬれ性表面を示す拡大断面図である。 図１２Ｇに対応する図であって、第３の変形例に係る低ぬれ性表面を示す拡大断面図である。 金属間化合物の表面を含む断面のＳＥＭ画像を図面化したものである。 図１３ＡのＳＥＭ画像に基づくＳＥＭ－ＥＤＸの元素マッピング画像である。 図１３Ａの測定ポイントＰ１の位置における特性Ｘ線スペクトル表示を示す図である。 折り曲げられる前の金属端子の正面を示す図である。 折り曲げられる前の金属端子の反対面を示す図である。 第１の金属端子における金属間化合物の表面に形成される複数の突起部の一例を示す断面図である。 本実施形態の積層セラミックコンデンサが実装基板に実装された実装構造を示す外観斜視図である。 図６に対応する図であって、図１６Ａの積層セラミックコンデンサの実装構造を矢印ＸＶＩＢの方向から見たときの仮想的な矢視図である。 本実施形態の積層セラミックコンデンサの第４の変形例を示す図であり、図２に対応する図である。 図１７Ａの積層セラミックコンデンサを矢印ＸＶＩＩＢの方向から見たときの矢視図である。 ２連構造の積層セラミックコンデンサを示す図である。 ３連構造の積層セラミックコンデンサを示す図である。 ４連構造の積層セラミックコンデンサを示す図である。
　以下、本発明の実施形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ１について説明する。図１は、積層セラミックコンデンサ１の外観斜視図である。図２は図１の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＩＩの方向から見たときの矢視図である。図３は図２の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＩＩＩの方向から見たときの矢視図である。図４は図２の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＩＶの方向から見たときの矢視図である。図５は、図１に対応する図であり、積層セラミックコンデンサ１の内部の構造を説明するための仮想的な斜視図である。図６は、積層セラミックコンデンサ１の内部の構造を説明するための仮想的な図であり、図５の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＶＩの方向から見たときの仮想的な矢視図である。
　積層セラミックコンデンサ１は、積層セラミック電子部品本体としての積層セラミックコンデンサ本体２と、金属端子１００と、外装材３と、を有する。積層セラミックコンデンサ本体２は、外装材３によって覆われているため、図１～図４には図示されていない。図５および図６に、積層セラミックコンデンサ本体２が示されている。
　図５、図６に加えて、図７～図１０を用いて、積層セラミックコンデンサ本体２について説明する。図７は、外装材３に覆われる前であって、金属端子１００が取り付けられる前の、積層セラミックコンデンサ本体２の外観を示す外観斜視図である。図８は、図７の積層セラミックコンデンサ本体２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。図９は、図８の積層セラミックコンデンサ本体２のＩＸ－ＩＸ線に沿った断面図である。図１０は、図８の積層セラミックコンデンサ本体２のＸ－Ｘ線に沿った断面図である。
　積層セラミックコンデンサ本体２は、積層体１０と、外部電極４０と、を有する。
　図５～図１０には、ＸＹＺ直交座標系が示されている。図５、図７に示すように、積層セラミックコンデンサ本体２および積層体１０の長さ方向Ｌは、Ｘ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ本体２および積層体１０の幅方向Ｗは、Ｙ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ本体２および積層体１０の高さ方向Ｔは、Ｚ方向と対応している。ここで、図８に示す断面はＬＴ断面とも称される。図９に示す断面はＷＴ断面とも称される。図１０に示す断面はＬＷ断面とも称される。なお、図１～図４、図１１、図１６Ａ～図１７Ｂにおいても、同様のＸＹＺ直交座標系が示されている。
　図５～図１０に示すように、積層体１０は、高さ方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、高さ方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む。
　図７に示すように、積層体１０は、略直方体形状を有している。なお、積層体１０の長さ方向Ｌの寸法は、幅方向Ｗの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。積層体１０の角部および稜線部には、丸みがつけられていることが好ましい。角部は、積層体の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体の２面が交わる部分である。なお、積層体１０を構成する表面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
　積層体１０の寸法は、特に限定されないが、積層体１０の長さ方向Ｌの寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層体１０の高さ方向Ｔの寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層体１０の幅方向Ｗの寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
　図８および図９に示すように、積層体１０は、内層部１１と、高さ方向Ｔにおいて内層部１１を挟み込むように配置された第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３と、を有する。なお、内層部１１は、有効層部ともいう。
　内層部１１は、複数のセラミック層としての複数の誘電体層２０と、複数の内部導体層としての複数の内部電極層３０と、を含む。内層部１１は、高さ方向Ｔにおいて、最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極層３０から最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極層３０までを含む。内層部１１では、複数の内部電極層３０が誘電体層２０を介して対向して配置されている。内層部１１は、静電容量を発生させ実質的にコンデンサとして機能する部分である。
　複数の誘電体層２０は、誘電体材料により構成される。誘電体材料は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、またはＣａＺｒＯ３などの成分を含む誘電体セラミックであってもよい。また、誘電体材料は、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものであってもよい。
　誘電体層２０の厚みは、０．５μｍ以上７２μｍ以下であることが好ましい。積層される誘電体層２０の枚数は、１０枚以上７００枚以下であることが好ましい。なお、この誘電体層２０の枚数は、内層部１１の誘電体層の枚数と第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３の誘電体層の枚数との総数である。
　複数の内部電極層３０（内部導体層３０）は、複数の第１の内部電極層３１（第１の内部導体層３１）および複数の第２の内部電極層３２（第２の内部導体層３２）を有する。複数の第１の内部電極層３１は、複数の誘電体層２０上に配置されている。複数の第２の内部電極層３２は、複数の誘電体層２０上に配置されている。複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２は、積層体１０の高さ方向Ｔに誘電体層２０を介して交互に配置されている。第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、誘電体層２０を挟むようにして配置されている。
　第１の内部電極層３１は、第２の内部電極層３２に対向する第１の対向部３１Ａと、第１の対向部３１Ａから第１の端面ＬＳ１に引き出される第１の引き出し部３１Ｂとを有している。第１の引き出し部３１Ｂは、第１の端面ＬＳ１に露出している。
　第２の内部電極層３２は、第１の内部電極層３１に対向する第２の対向部３２Ａと、第２の対向部３２Ａから第２の端面ＬＳ２に引き出される第２の引き出し部３２Ｂとを有している。第２の引き出し部３２Ｂは、第２の端面ＬＳ２に露出している。
　本実施形態では、第１の対向部３１Ａと第２の対向部３２Ａが誘電体層２０を介して対向することにより容量が形成され、コンデンサの特性が発現する。
　第１の対向部３１Ａおよび第２の対向部３２Ａの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。第１の引出き出し部３１Ｂおよび第２の引き出し部３２Ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。
　第１の対向部３１Ａの幅方向Ｗの寸法と第１の引き出し部３１Ｂの幅方向Ｗの寸法は、同じ寸法で形成されていてもよく、どちらか一方の寸法が小さく形成されていてもよい。第２の対向部３２Ａの幅方向Ｗの寸法と第２の引き出し部３２Ｂの幅方向Ｗの寸法は、同じ寸法で形成されていてもよく、どちらか一方の寸法が狭く形成されていてもよい。
　第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成される。合金を用いる場合、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、例えばＡｇ－Ｐｄ合金等により構成されてもよい。
　第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２のそれぞれの厚みは、例えば、０．２μｍ以上３．０μｍ以下程度であることが好ましい。第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の枚数は、合わせて５枚以上３５０枚以下であることが好ましい。
　第１の主面側外層部１２は、積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に位置する。第１の主面側外層部１２は、第１の主面ＴＳ１と最も第１の主面ＴＳ１に近い内部電極層３０との間に位置する複数のセラミック層としての誘電体層２０の集合体である。すなわち、第１の主面側外層部１２は、第１の主面ＴＳ１と、複数の内部電極層３０のうち最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極層３０との間に位置する複数の誘電体層２０から形成されている。第１の主面側外層部１２で用いられる誘電体層２０は、内層部１１で用いられる誘電体層２０と同じものであってもよい。
　第２の主面側外層部１３は、積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に位置する。第２の主面側外層部１３は、第２の主面ＴＳ２と最も第２の主面ＴＳ２に近い内部電極層３０との間に位置する複数のセラミック層としての誘電体層２０の集合体である。すなわち、第２の主面側外層部１３は、第２の主面ＴＳ２と、複数の内部電極層３０のうち最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極層３０との間に位置する複数の誘電体層２０から形成されている。第２の主面側外層部１３で用いられる誘電体層２０は、内層部１１で用いられる誘電体層２０と同じものであってもよい。
　以上のように、積層体１０は、積層された複数の誘電体層２０と、誘電体層２０上に積層された複数の内部電極層３０と、を有する。すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２０と内部電極層３０とが交互に積層された積層体１０を有する。
　なお、積層体１０は、対向電極部１１Ｅを有する。対向電極部１１Ｅは、第１の内部電極層３１の第１の対向部３１Ａと第２の内部電極層３２の第２の対向部３２Ａが対向する部分である。対向電極部１１Ｅは、内層部１１の一部として構成されている。図８には、対向電極部１１Ｅの長さ方向Ｌの範囲が示されている。図９には、対向電極部１１Ｅの幅方向Ｗの範囲が示されている。図１０には、対向電極部１１Ｅの幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、対向電極部１１Ｅは、コンデンサ有効部ともいう。
　なお、積層体１０は、側面側外層部を有する。側面側外層部は、第１の側面側外層部ＷＧ１と、第２の側面側外層部ＷＧ２を有する。第１の側面側外層部ＷＧ１は、対向電極部１１Ｅと第１の側面ＷＳ１との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。第２の側面側外層部ＷＧ２は、対向電極部１１Ｅと第２の側面ＷＳ２との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。図９および図１０には、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２の幅方向Ｗの範囲が示されている。なお、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２は、Ｗギャップまたはサイドギャップともいう。
　なお、積層体１０は、端面側外層部を有する。端面側外層部は、第１の端面側外層部ＬＧ１と、第２の端面側外層部ＬＧ２を有する。第１の端面側外層部ＬＧ１は、対向電極部１１Ｅと第１の端面ＬＳ１との間に位置する誘電体層２０および第１の引き出し部３１Ｂを含む部分である。第２の端面側外層部ＬＧ２は、対向電極部１１Ｅと第２の端面ＬＳ２との間に位置する誘電体層２０および第２の引き出し部３２Ｂを含む部分である。図８および図１０には、第１の端面側外層部ＬＧ１および第２の端面側外層部ＬＧ２の長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、第１の端面側外層部ＬＧ１および第２の端面側外層部ＬＧ２は、Ｌギャップまたはエンドギャップともいう。
　外部電極４０は、第１の端面ＬＳ１側に配置された第１の外部電極４０Ａと、第２の端面ＬＳ２側に配置された第２の外部電極４０Ｂと、を有する。
　第１の外部電極４０Ａは、少なくとも第１の主面ＴＳ１上の第１の端面ＬＳ１側に配置されている。第１の外部電極４０Ａは、少なくとも、第１の端面ＬＳ１上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、に配置されていることが好ましい。本実施形態においては、第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、第２の主面ＴＳ２上の一部と、第１の側面ＷＳ１上の一部と、第２の側面ＷＳ２上の一部と、に配置されている。また、本実施形態においては、第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上において、第１の内部電極層３１に接続されている。なお、第１の外部電極４０Ａは、例えば、第１の端面ＬＳ１から第１の主面ＴＳ１の一部まで延びて配置されていてもよい。言い換えれば、第１の外部電極４０Ａの断面形状がＬ字状（不図示）であってもよい。第１の外部電極４０Ａのうち、第１の主面ＴＳ１上に配置されている部分は、接合材を介して、後述の第１の金属端子１００Ａと接続される。
　なお、第１の主面ＴＳ１に設けられた第１の外部電極４０Ａの長さ方向Ｌの長さＬ１は、積層体のＬ寸法の１０％以上４０％以下（例えば、２０μｍ以上４０００μｍ以下）であることが好ましい。第２の主面ＴＳ２、第１の側面ＷＳ１、および第２の側面ＷＳ２にも第１の外部電極４０Ａを設ける場合には、これらの面に設けられた第１の外部電極４０Ａの長さ方向Ｌの長さＬ１も、積層体のＬ寸法の１０％以上４０％以下（例えば、２０μｍ以上４０００μｍ以下）であることが好ましい。
　また、第１の主面ＴＳ１に設けられた第１の外部電極４０Ａの幅方向Ｗの長さＷ１は、積層体１０のＷ寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。第２の主面ＴＳ２にも第１の外部電極４０Ａを設ける場合には、第２の主面ＴＳ２に設けられた第１の外部電極４０Ａの幅方向Ｗの長さＷ１は、積層体１０のＷ寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。また、第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくとも一方の面に第１の外部電極４０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の外部電極４０Ａの高さ方向Ｔの長さＴ１は、積層体１０のＴ寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。
　第２の外部電極４０Ｂは、少なくとも第１の主面ＴＳ１上の第２の端面ＬＳ２側に配置されている。第２の外部電極４０Ｂは、少なくとも、第２の端面ＬＳ２上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、に配置されていることが好ましい。本実施形態においては、第２の外部電極４０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、第２の主面ＴＳ２上の一部と、第１の側面ＷＳ１上の一部と、第２の側面ＷＳ２上の一部と、に配置されている。また、本実施形態においては、第２の外部電極４０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上において、第２の内部電極層３２に接続されている。なお、第２の外部電極４０Ｂは、例えば、第２の端面ＬＳ２から第１の主面ＴＳ１の一部まで延びて配置されていてもよい。言い換えれば、第２の外部電極４０Ｂの断面形状がＬ字状（不図示）であってもよい。第２の外部電極４０Ｂのうち、第１の主面ＴＳ１上に配置されている部分は、接合材を介して、後述の第２の金属端子１００Ｂと接続される。
　なお、第１の主面ＴＳ１に設けられた第２の外部電極４０Ｂの長さ方向Ｌの長さＬ２は、積層体のＬ寸法の１０％以上４０％以下（例えば、２０μｍ以上４０００μｍ以下）であることが好ましい。第２の主面ＴＳ２、第１の側面ＷＳ１、および第２の側面ＷＳ２にも第２の外部電極４０Ｂを設ける場合には、これらの面に設けられた第２の外部電極４０Ｂの長さ方向Ｌの長さＬ２も、積層体のＬ寸法の１０％以上４０％以下（例えば、２０μｍ以上４０００μｍ以下）であることが好ましい。
　また、第１の主面ＴＳ１に設けられた第２の外部電極４０Ｂの幅方向Ｗの長さＷ１は、積層体１０のＷ寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。第２の主面ＴＳ２にも第２の外部電極４０Ｂを設ける場合には、第２の主面ＴＳ２に設けられた第２の外部電極４０Ｂの幅方向Ｗの長さＷ１は、積層体１０のＷ寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。また、第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくとも一方の面に第２の外部電極４０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の外部電極４０Ｂの高さ方向Ｔの長さＴ１は、積層体１０のＴ寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。
　なお、図７に示すように、本実施形態においては、積層体１０の表面のうち、外部電極４０から露出している部分の長さ方向Ｌの長さＬ３は、積層体のＬ寸法の２０％以上８０％以下（例えば、４０μｍ以上８０００μｍ以下）であることが好ましい。言い換えると、第１の外部電極４０Ａと、第２の外部電極４０Ｂの離間距離Ｌ３は、積層体のＬ寸法の２０％以上８０％以下（例えば、４０μｍ以上８０００μｍ以下）であることが好ましい。
　前述のとおり、積層体１０内においては、第１の内部電極層３１の第１の対向部３１Ａと第２の内部電極層３２の第２の対向部３２Ａとが誘電体層２０を介して対向することにより容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層３１が接続された第１の外部電極４０Ａと第２の内部電極層３２が接続された第２の外部電極４０Ｂとの間でコンデンサの特性が発現する。
　第１の外部電極４０Ａは、第１の下地電極層５０Ａと、第１の下地電極層５０Ａ上に配置された第１のめっき層６０Ａと、を有する。
　第２の外部電極４０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂと、第２の下地電極層５０Ｂ上に配置された第２のめっき層６０Ｂと、を有する。
　第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上に配置されている。第１の下地電極層５０Ａは、第１の内部電極層３１に接続されている。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
　第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上に配置されている。第２の下地電極層５０Ｂは、第２の内部電極層３２に接続されている。本実施形態においては、第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
　本実施形態の第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層である。焼付け層は、金属成分と、ガラス成分もしくはセラミック成分のどちらか一方を含んでいるか、その両方を含んでいることが好ましい。金属成分は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。ガラス成分は、例えば、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。セラミック成分は、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いてもよいし、異なる種のセラミック材料を用いてもよい。セラミック成分は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３等から選ばれる少なくとも１つを含む。
　焼き付け層は、例えば、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体に塗布して焼き付けたものである。焼き付け層は、内部電極層および誘電体層を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時焼成したものでもよく、内部電極層および誘電体層を有する積層チップを焼成して積層体を得た後に積層体に導電性ペーストを塗布して焼き付けたものでもよい。なお、内部電極層および誘電体層を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。この場合、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。焼き付け層は、複数層であってもよい。
　第１の端面ＬＳ１に位置する第１の下地電極層５０Ａの長さ方向の厚みは、第１の下地電極層５０Ａの高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。
　第２の端面ＬＳ２に位置する第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向の厚みは、第２の下地電極層５０Ｂの高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。
　第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２の少なくも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの高さ方向の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
　第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの幅方向の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌおよび高さ方向Ｔの中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
　第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２の少なくも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの高さ方向の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
　第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの幅方向の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌおよび高さ方向Ｔの中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
　なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層に限らず、薄膜層であってもよい。薄膜層は、スパッタリング法または蒸着法等の薄膜形成法により形成された、金属粒子が堆積された層である。薄膜層は、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｏ、ＭｏおよびＶからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。これにより、積層体１０に対する外部電極４０の固着力を高めることができる。薄膜層は、単層であってもよいし、複数層によって形成されていてもよい。例えば、ＮｉＣｒの層と、ＮｉＣｕの層の２層構造によって形成されていてもよい。
　下地電極としての薄膜層を、スパッタリング法によるスパッタ電極により形成する場合、このスパッタ電極は、積層体１０の第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部に形成されることが好ましい。スパッタ電極は、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。スパッタ電極の厚みは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　下地電極層として、積層体１０の第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部にスパッタ電極を形成し、その一方、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には焼き付け層を形成してもよい。あるいは、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には下地電極層を形成せずに、後述するめっき層を積層体１０に直接形成してもよい。なお、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上に焼き付け層を形成する場合、焼き付け層は、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２だけでなく、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部にも延びて配置されていてもよい。この場合、スパッタ電極は、焼き付け層上にオーバーラップするように配置されてもよい。
　第１のめっき層６０Ａは、第１の下地電極層５０Ａを覆うように配置されている。
　第２のめっき層６０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂを覆うように配置されている。
　第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、それぞれ複数層により形成されていてもよい。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、Ｎｉめっき層の上にＳｎめっき層が形成された２層構造が好ましい。
　第１のめっき層６０Ａは、第１の下地電極層５０Ａを覆うように配置されている。本実施形態においては、第１のめっき層６０Ａは、第１のＮｉめっき層６１Ａと、第１のＮｉめっき層６１Ａ上に位置する第１のＳｎめっき層６２Ａと、を有する。
　第２のめっき層６０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂを覆うように配置されている。本実施形態においては、第２のめっき層６０Ｂは、第２のＮｉめっき層６１Ｂと、第２のＮｉめっき層６１Ｂ上に位置する第２のＳｎめっき層６２Ｂと、を有する。
　Ｎｉめっき層は、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂが、積層セラミックコンデンサ本体２と金属端子１００とを接合する接合材５としてのはんだによって侵食されることを防止する。また、Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサ本体２と金属端子１００とを接合する接合材５としてのはんだのぬれ性を向上させる。これにより、積層セラミックコンデンサ本体２と金属端子１００の接合を容易にする。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０ＢのそれぞれをＮｉめっき層とＳｎめっき層との２層構造とする場合、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層それぞれの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
　なお、本実施形態の第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂは、例えば導電性粒子と熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層を有していてもよい。下地電極層（第１の下地電極層５０Ａ、第２の下地電極層５０Ｂ）として導電性樹脂層を設ける場合、導電性樹脂層は、焼き付け層を覆うように配置されてもよいし、焼き付け層を設けずに積層体１０上に直接配置されてもよい。導電性樹脂層が焼き付け層を覆うように配置される場合、導電性樹脂層は、焼き付け層とめっき層（第１のめっき層６０Ａ、第２のめっき層６０Ｂ）との間に配置される。導電性樹脂層は、焼き付け層上を完全に覆っていてもよいし、焼き付け層の一部を覆っていてもよい。
　熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層は、例えばめっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層は、緩衝層として機能する。よって、導電性樹脂層は、積層セラミックコンデンサ１のクラック発生を抑制する。
　導電性粒子を構成する金属は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたは、それらを含む合金であってもよい。導電性粒子は、好ましくはＡｇを含む。導電性粒子は、例えばＡｇの金属粉である。Ａｇは、金属の中でもっとも比抵抗が低いため、電極材料に適している。また、Ａｇは貴金属であるため、酸化しにくく、対候性が高い。よって、Ａｇの金属粉は、導電性粒子として好適である。
　また、導電性粒子は、金属粉の表面にＡｇコーティングされた金属粉であってもよい。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には、金属粉は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたはそれらの合金粉であることが好ましい。Ａｇの特性は保ちつつ、母材の金属を安価なものにするために、Ａｇコーティングされた金属粉を用いることが好ましい。
　さらに、導電性粒子は、Ｃｕ、Ｎｉに酸化防止処理を施したものであってもよい。また、導電性粒子は、金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングした金属粉であってもよい。金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングされたものを使用する際には、金属粉は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたはそれらの合金粉であることが好ましい。
　導電性粒子の形状は、特に限定されない。導電性粒子は、球形状、扁平状などのものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いることが好ましい。
　導電性樹脂層に含まれる導電性粒子は、主に導電性樹脂層の通電性を確保する役割を担う。具体的には、複数の導電性粒子どうしが接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。
　導電性樹脂層を構成する樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は、最も適切な樹脂のひとつである。また、導電性樹脂層の樹脂は、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤は、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系、活性エステル系、アミドイミド系など公知の種々の化合物であってもよい。
　なお、導電性樹脂層は、複数層で形成されていてもよい。導電性樹脂層の最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
　なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂを設けずに、積層体１０上に後述の第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂが直接配置される構成であってもよい。すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、第１の内部電極層３１と、第２の内部電極層３２とに、直接電気的に接続されるめっき層を含む構成であってもよい。このような場合、前処理として積層体１０の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。
　この場合においても、めっき層は、複数層であることが好ましい。下層めっき層および上層めっき層はそれぞれ、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉまたはＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属またはこれらの金属を含む合金を含むことが好ましい。下層めっき層は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いて形成されることがより好ましい。上層めっき層は、はんだ濡れ性が良好なＳｎまたはＡｕを用いて形成されることがより好ましい。なお、例えば、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２がＮｉを用いて形成される場合は、下層めっき層は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき層は必要に応じて形成されればよく、外部電極４０は、下層めっき層のみで構成されてもよい。また、めっき層は、上層めっき層を最外層としてもよいし、上層めっき層の表面にさらに他のめっき層を形成してもよい。
　下地電極層を設けずに配置するめっき層の１層あたりの厚みは、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。なお、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９体積％以上であることが好ましい。
　なお、めっき層を積層体１０上に直接形成する場合は、下地電極層の厚みを削減することができる。よって、下地電極層の厚みを削減した分、積層セラミックコンデンサ本体２の高さ方向Ｔの寸法を低減させて、積層セラミックコンデンサ本体２の低背化を図ることができる。あるいは、下地電極層の厚みを削減した分、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の間に挟まれる誘電体層２０の厚みを厚くし、素体厚みの向上を図ることができる。このように、めっき層を積層体１０上に直接形成することで、積層セラミックコンデンサの設計自由度を向上させることができる。
　なお、積層体１０と外部電極４０を含む積層セラミックコンデンサ本体２の長さ方向の寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ本体２の高さ方向の寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ本体２の幅方向の寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
　なお、本実施形態においては、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の端面ＬＳ１側の第１の表面Ｓ１は、第１の端面ＬＳ１上に配置された第１の外部電極４０Ａの表面によって構成されている。積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２は、第２の端面ＬＳ２上に配置された第２の外部電極４０Ｂの表面によって構成されている。
　図１～図６に加えて、図１１を用いて、金属端子１００について説明する。図１１は、図４に対応する図であって、第２の主面ＴＳ２から第１の主面ＴＳ１に向かって高さ方向に見たときの矢視図であり、外装材３および積層セラミックコンデンサ本体２を除外した際の、金属端子１００を示す図である。なお、図１１においては、積層セラミックコンデンサ本体２の積層体１０および外部電極４０の輪郭形状が二点鎖線で示されている。
　金属端子１００は、第１の金属端子１００Ａと、第２の金属端子１００Ｂと、を有する。
　第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、積層セラミックコンデンサ１が実装されるべき後述の実装基板（図１６Ａおよび図１６Ｂの実装基板３１０を参照）の実装面に実装される金属端子である。第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、例えば板状のリードフレームである。なお、本実施形態においては、積層体１０の第１の主面ＴＳ１は、積層セラミックコンデンサ１が実装されるべき実装基板の実装面と対向する面である。
　第１の金属端子１００Ａは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第１の外部電極４０Ａに接続される第１の接合部１１０Ａと、第１の接合部１１０Ａに接続され、実装基板の実装面から遠ざかるように延び、第１の端面ＬＳ１と対向する第１の立ち上がり部１２０Ａと、第１の立ち上がり部１２０Ａに接続され、積層セラミックコンデンサ本体２から遠ざかるように長さ方向Ｌに延びる第１の延長部１３０Ａと、第１の延長部１３０Ａに接続され、実装基板の実装面側に向かって延びる第１の立ち下がり部１４０Ａと、第１の立ち下がり部１４０Ａに接続され、実装基板の実装面に沿う方向に延びる第１の実装部１５０Ａと、を有する。図６に示すように、第１の立ち上がり部１２０Ａと、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の端面ＬＳ１側の第１の表面Ｓ１との間には、隙間部Ｇが存在している。第１の金属端子１００Ａついての詳細は、後述する。
　第２の金属端子１００Ｂは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第２の外部電極４０Ｂに接続される第２の接合部１１０Ｂと、第２の接合部１１０Ｂに接続され、実装基板の実装面から遠ざかるように延び、第２の端面ＬＳ２と対向する第２の立ち上がり部１２０Ｂと、第２の立ち上がり部１２０Ｂに接続され、積層セラミックコンデンサ本体２から遠ざかるように長さ方向Ｌに延びる第２の延長部１３０Ｂと、第２の延長部１３０Ｂに接続され、実装基板の実装面側に向かって延びる第２の立ち下がり部１４０Ｂと、第２の立ち下がり部１４０Ｂに接続され、実装基板の実装面に沿う方向に延びる第２の実装部１５０Ｂと、を有する。図６に示すように、第２の立ち上がり部１２０Ｂと、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２との間には、隙間部Ｇが存在している。第２の金属端子１００Ｂについての詳細は、後述する。
　なお、第１の立ち下がり部１４０Ａおよび第２の立ち下がり部１４０Ｂは、積層セラミックコンデンサ１の外装材３と実装基板の実装面との間に隙間を設けることが可能な程度に、装基板の実装面に向かって延びていることが好ましい。
　なお、このような第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂを採用することにより、実装基板と積層セラミック電子部品本体２との距離を長くすることができ、実装基板からの応力を緩和する効果が得られる。また、実装基板側に設けられる外装材３の厚みを厚くすることができ、絶縁性を確保することができる。
　なお、図１１に示すように、第１の金属端子１００Ａの第１の実装部１５０Ａと第２の金属端子１００Ｂの第２の実装部１５０Ｂとの離間距離Ｌ４は、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂとの離間距離Ｌ３よりも長い。
　接合材５は、積層セラミックコンデンサ本体２と、金属端子１００とを接合する。接合材５は、第１の接合材５Ａと、第２の接合材５Ｂと、を有する。
　図６に示すように、第１の金属端子１００Ａは、第１の接合材５Ａを介して第１の外部電極４０Ａに接続される。第２の金属端子１００Ｂは、第２の接合材５Ｂを介して第２の外部電極４０Ｂに接続される。
　接合材５は、はんだであることが好ましい。例えば、Ｐｂフリーはんだであってもよい。Ｐｂフリーはんだとしては、例えばＳｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｂｉ系などの鉛フリーはんだが好ましい。例えば、Ｓｎ－１０Ｓｂ～Ｓｎ－１５Ｓｂはんだを用いることができる。
　図１～図６を用いて、外装材３について説明する。
　外装材３は、高さ方向Ｔに相対する第１の主面ＭＴＳ１および第２の主面ＭＴＳ２と、高さ方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＭＷＳ１および第２の側面ＭＷＳ２と、高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＭＬＳ１および第２の端面ＭＬＳ２と、を含む。外装材３の第１の端面ＭＬＳ１は、外装材３の表面における、積層体１０の第１の端面ＬＳ１側の表面である。外装材３の第２の端面ＭＬＳ２は、外装材３の表面における、積層体１０の第２の端面ＬＳ２側の表面である。
　外装材３の第１の側面ＭＷＳ１、第２の側面ＭＷＳ２、第１の端面ＭＬＳ１、および第２の端面ＭＬＳ２には、高さ方向Ｔの中央部に、パーティングラインＰＬを有する。パーティングラインＰＬは、外装材３を成型する際に用いられる金型の分割面に対応するラインである。外装材３の表面には、パーティングラインＰＬを境界にした抜き勾配が設けられている。
　外装材３の第１の側面ＭＷＳ１は、第１の主面側の表面ＭＷＳ１Ａと、第２の主面側の表面ＭＷＳ１Ｂと、を有する。外装材３の第２の側面ＭＷＳ２は、第１の主面側の表面ＭＷＳ２Ａと、第２の主面側の表面ＭＷＳ２Ｂと、を有する。外装材３の第１の端面ＭＬＳ１は、第１の主面側の表面ＭＬＳ１Ａと、第２の主面側の表面ＭＬＳ１Ｂと、を有する。外装材３の第２の端面ＭＬＳ２は、第１の主面側の表面ＭＬＳ２Ａと、第２の主面側の表面ＭＬＳ２Ｂと、を有する。これらの第１の主面側の表面と第２の主面側の表面は、パーティングラインＰＬを境界として分かれて配置されている。
　第１の主面側の表面ＭＷＳ１Ａ、ＭＷＳ２Ａ、ＭＬＳ１Ａ、ＭＬＳ２Ａそれぞれは、パーティングラインＰＬから第１の主面ＴＳ１に近づくにつれて外装材３のＬＷ断面の断面積が小さくなるような抜き勾配が設けられている。第２の主面側の表面ＭＷＳ１Ｂ、ＭＷＳ２Ｂ、ＭＬＳ１Ｂ、ＭＬＳ２Ｂそれぞれは、パーティングラインＰＬから第２の主面ＴＳ２に近づくにつれて、外装材３のＬＷ断面の断面積が小さくなるような抜き勾配が設けられている。
　外装材３は、積層セラミックコンデンサ本体２と、積層セラミックコンデンサ本体２と金属端子１００とを接続する接合材５と、金属端子１００の一部と、を覆う。具体的には、外装材３は、積層セラミックコンデンサ本体２の全体と、第１の接合材５Ａおよび第２の接合材５Ｂの全体と、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部と、を覆うように配置されている。
　例えば、外装材３は、第１の金属端子１００Ａのうち、第１の接合部１１０Ａの全体と、第１の立ち上がり部１２０Ａの全体と、第１の延長部１３０Ａの少なくとも一部と、を覆うように配置されている。また、外装材３は、第２の金属端子１００Ｂのうち、第２の接合部１１０Ｂの全体と、第２の立ち上がり部１２０Ｂの全体と、第２の延長部１３０Ｂの少なくとも一部と、を覆うように配置されている。
　なお、本実施形態においては、第１の金属端子１００Ａの第１の延長部１３０Ａは、外装材３の第１の端面ＭＬＳ１から突出して一部が露出している。第２の金属端子１００Ｂの第２の延長部１３０Ｂは、外装材３の第２の端面ＭＬＳ２から突出して一部が露出している。より具体的には、第１の金属端子１００Ａの第１の延長部１３０Ａは、外装材３の第１の端面ＭＬＳ１のパーティングラインＰＬから突出して一部が露出している。第２の金属端子１００Ｂの第２の延長部１３０Ｂは、外装材３の第２の端面ＭＬＳ２のパーティングラインＰＬから突出して一部が露出している。
　外装材３の第２の主面ＭＴＳ２は所定の平坦度を有する平面状に構成されていることが好ましい。これにより、実装基板に積層セラミックコンデンサ１を搭載する際に用いる実装機のマウンターの吸着不良を防止することができる。よって、確実に実装基板に積層セラミックコンデンサ１を搭載することが可能となる。その結果、実装不良の発生を抑制することが可能となる。
　外装材３の第２の主面ＭＴＳ２から積層セラミックコンデンサ本体２の表面までの最小距離は、１００μｍ以上４０００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第１の主面ＭＴＳ１から第１の金属端子１００Ａの第１の接合部１１０Ａまでの最小距離は、１００μｍ以上４０００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第１の側面ＭＷＳ１から積層セラミックコンデンサ本体２の表面までの最小距離は、１００μｍ以上４０００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第２の側面ＭＷＳ２から積層セラミックコンデンサ本体２の表面までの最小距離は、１００μｍ以上４０００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第１の端面ＭＬＳ１から積層セラミックコンデンサ本体２の表面までの最小距離は、３００μｍ以上５０００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第２の端面ＭＬＳ２から積層セラミックコンデンサ本体２の表面までの最小距離は、３００μｍ以上５０００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第１の端面ＭＬＳ１の第１の主面側の表面ＭＬＳ１Ａから第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａまでの長さ方向Ｌの平均距離は、２００μｍ以上４９００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第２の端面ＭＬＳ２の第１の主面側の表面ＭＬＳ２Ａから第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂまでの長さ方向Ｌの平均距離は、２００μｍ以上４９００μｍ以下であることが好ましい。
　外装材３は、樹脂により形成されることが好ましい。例えば、トランスファーモールド法やインジェクションモールド法等によってエンジニアリングプラスチックがモールドされることにより、外装材３が形成されてもよい。特に、外装材３の材料は、熱硬化型エポキシ樹脂からなることが好ましい。これにより、外装材３と、積層セラミックコンデンサ本体２および金属端子１００との密着性を確保し、耐電圧および耐湿性能の向上効果を得ることができる。外装材３は、例えば、液状や粉状のシリコーン系やエポキシ系などの樹脂が塗装されることにより形成されてもよい。
　このように、外装材３が、外部電極４０および金属端子１００といった導体金属部分を広い範囲で覆うことにより、導体間の絶縁表面距離（沿面距離）を確保することができる。また、外装材３によって導体金属部分を広い範囲で覆うことにより、表面放電リスクを回避することができる。
　なお、外装材３の形状は特に限定されない。例えば、角錐台等の切頭錐体であってもよい。なお、外装材３の角部の形状は、特に限定されることなく、丸められていてもよい。
　図５、図６、図１１に加えて、図１２Ａ～図１２Ｆを用いて、積層セラミックコンデンサ本体２の外部電極４０と金属端子１００の接合部の周辺の構成および、金属端子１００の詳細を説明する。
　図１２Ａは、図６に示す積層セラミックコンデンサ１のＸＩＩＡ部拡大図であって、第１の外部電極４０Ａと第１の金属端子１００Ａとの接合部の周辺の構成および、第１の金属端子１００Ａの詳細を説明するための図である。図１２Ｂは、図６に示す積層セラミックコンデンサ１のＸＩＩＢ部拡大図であって、第２の外部電極４０Ｂと第２の金属端子１００Ｂとの接合部の周辺の構成および、第２の金属端子１００Ｂの詳細を説明するための図である。図１２Ｃは、第１の金属端子１００Ａの部分外観斜視図である。
　図１２Ａに示すように、第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａと、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の端面ＬＳ１側の第１の表面Ｓ１との間には、隙間部Ｇが存在し、隙間部Ｇ内には外装材３が充填されている。本実施形態においては、第１の表面Ｓ１は、第１の端面ＬＳ１上に配置された第１の外部電極４０Ａの表面により形成されている。すなわち、本実施形態においては、第１の立ち上がり部１２０Ａと、第１の端面ＬＳ１上に配置された第１の外部電極４０Ａの第１の表面Ｓ１との間に、隙間部Ｇが存在し、隙間部Ｇ内には外装材３が充填されている。この隙間部Ｇの長さ方向Ｌの平均距離は、５０μｍ以上１５００μｍ以下であることが好ましい。これにより、積層セラミックコンデンサ１の寸法を大きくすることなく、第１の外部電極４０Ａと第１の立ち上がり部１２０Ａとの接触を確実に防止することができる。また、隙間部Ｇ内に適切に外装材３を充填することができ、基板実装時のリフロー中に、はんだスプラッシュ等の問題が発生することを抑制することができる。
　第１の立ち上がり部１２０Ａは、第１の接合部１１０Ａとの接続部から、第１の延長部１３０Ａとの接続部に向かうにつれて、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の端面ＬＳ１側の第１の表面Ｓ１から離れるように傾斜している。これにより、隙間部Ｇの長さ方向Ｌの距離は、実装基板の実装面に近い位置から遠い位置に向かうにつれて長くなっている。すなわち、隙間部Ｇの実装面から遠い位置における長さ方向Ｌの距離Ｇ２は、隙間部Ｇの実装面に近い位置における長さ方向Ｌの距離Ｇ１よりも長い。なお、第１の立ち上がり部１２０Ａと、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の端面ＬＳ１側の第１の表面Ｓ１とのなす角αは、１°以上４０°以下であることが好ましい。
　ここで、外装材３の第１の端面ＭＬＳ１を形成する表面であって、第１の延長部１３０Ａが突出している部分よりも実装面側の第１の主面側の表面ＭＬＳ１Ａは、外装材３の第１の傾斜面を構成する。第１の傾斜面ＭＬＳ１Ａは、実装面に近い位置から遠い位置に向かうにつれて、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の表面Ｓ１から離れるように傾斜している。この第１の傾斜面ＭＬＳ１Ａの抜き勾配角度βは、１°以上２０°以下であることが好ましい。そして、第１の立ち上がり部１２０Ａと、第１の傾斜面ＭＬＳ１Ａとのなす角は３０°以内であることが好ましい。このように、第１の立ち上がり部１２０Ａと第１の傾斜面ＭＬＳ１Ａが同じ方向に傾斜し、かつ両者の傾き角度の差を小さくすることにより、外装材３の第１の傾斜面ＭＬＳ１Ａから第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａまでの距離を、略一定とすることができる。これにより、力のかかりやすい第１の立ち上がり部１２０Ａ周辺の強度を確保することができる。
　図１２Ｂに示すように、第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂと、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２との間には、隙間部Ｇが存在し、隙間部Ｇ内には外装材３が充填されている。本実施形態においては、第２の表面Ｓ２は、第２の端面ＬＳ２上に配置された第２の外部電極４０Ｂの表面により形成されている。すなわち、本実施形態においては、第２の立ち上がり部１２０Ｂと、第２の端面ＬＳ２上に配置された第２の外部電極４０Ｂの第２の表面Ｓ２との間に、隙間部Ｇが存在し、隙間部Ｇ内には外装材３が充填されている。この隙間部Ｇの長さ方向Ｌの平均距離は、５０μｍ以上１５００μｍ以下であることが好ましい。これにより、積層セラミックコンデンサ１の寸法を大きくすることなく、第２の外部電極４０Ｂと第２の立ち上がり部１２０Ｂとの接触を確実に防止することができる。また、隙間部Ｇ内に適切に外装材３を充填することができ、基板実装時のリフロー中に、はんだスプラッシュ等の問題が発生することを抑制することができる。
　第２の立ち上がり部１２０Ｂは、第２の接合部１１０Ｂとの接続部から、第２の延長部１３０Ｂとの接続部に向かうにつれて、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２から離れるように傾斜している。これにより、隙間部Ｇの長さ方向Ｌの距離は、実装基板の実装面に近い位置から遠い位置に向かうにつれて長くなっている。すなわち、隙間部Ｇの実装面から遠い位置における長さ方向Ｌの距離Ｇ２は、隙間部Ｇの実装面に近い位置における長さ方向Ｌの距離Ｇ１よりも長い。なお、第２の立ち上がり部１２０Ｂと、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２とのなす角αは、１°以上４０°以下であることが好ましい。
　ここで、外装材３の第２の端面ＭＬＳ２を形成する表面であって、第２の延長部１３０Ｂが突出している部分よりも実装面側の第１の主面側の表面ＭＬＳ２Ａは、外装材３の第２の傾斜面を構成する。第２の傾斜面ＭＬＳ２Ａは、実装面に近い位置から遠い位置に向かうにつれて、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の表面Ｓ２から離れるように傾斜している。この第２の傾斜面ＭＬＳ２Ａの抜き勾配角度βは、１°以上２０°以下であることが好ましい。そして、第２の立ち上がり部１２０Ｂと、第２の傾斜面ＭＬＳ２Ａとのなす角は３０°以内であることが好ましい。このように、第２の立ち上がり部１２０Ｂと第２の傾斜面ＭＬＳ２Ａが同じ方向に傾斜し、かつ両者の傾き角度の差を小さくすることにより、外装材３の第２の傾斜面ＭＬＳ２Ａから第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂまでの距離を、略一定とすることができる。これにより、力のかかりやすい第２の立ち上がり部１２０Ｂ周辺の強度を確保することができる。
　なお、外装材３の第１の端面ＭＬＳ１の第１の主面側の表面ＭＬＳ１Ａから第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａまでの長さ方向Ｌの平均距離は、隙間部Ｇの長さ方向Ｌの平均距離の０．１３３倍以上であることが好ましい。より好ましくは、４倍以上９８倍以下である。さらに好ましくは、６倍以上９８倍以下である。これにより、力のかかりやすい第１の立ち上がり部１２０Ａ周辺の強度を確保することができる。また、耐湿性を向上させることができる。
　なお、外装材３の第２の端面ＭＬＳ２の第１の主面側の表面ＭＬＳ２Ａから第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂまでの長さ方向Ｌの平均距離は、隙間部Ｇの長さ方向Ｌの平均距離の０．１３３倍以上であることが好ましい。より好ましくは、４倍以上９８倍以下である。さらに好ましくは、６倍以上９８倍以下である。これにより、力のかかりやすい第２の立ち上がり部１２０Ｂ周辺の強度を確保することができる。また、耐湿性を向上させることができる。
　なお、上述の隙間部Ｇや外装材３の所定の部分といった測定対象部の長さ方向Ｌの平均距離の測定は、以下の方法により行われる。まず、積層セラミックコンデンサ１をＷ寸法の１／２の位置程度まで断面研磨し、金属端子１００の断面が確認できる特定のＬＴ断面を露出させる。そして、研磨により露出させた積層セラミックコンデンサ１のＬＴ断面をＳＥＭにて観察する。次に、測定対象部において、長さ方向Ｌに延びる線を、高さＴ方向に等間隔に１０本引き、この１０本の線の距離の平均を、本実施形態における測定対象部の長さ方向Ｌの平均距離とする。
　図１２Ｃは、金属端子１００を代表して、第１の金属端子１００Ａの外観の一部を示す外観斜視図である。なお、第１の金属端子１００Ａと、第２の金属端子１００Ｂは、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央のＷＴ断面に対して概ね面対称である。よって、第２の金属端子１００Ｂの外観斜視図（不図示）は、第１の金属端子１００Ａの外観斜視図と基本的に同じとなる。
　第１の金属端子１００Ａは、第１の切り欠き１６０Ａと、第１の開口部１７０Ａと、第３の切り欠き１８０Ａと、を有する。
　第１の切り欠き１６０Ａは、第１の接合部１１０Ａの端部から第１の立ち上がり部１２０Ａの途中の位置まで連続して延びる。これにより、例えば外装材３のモールド時に、外装材３を構成する樹脂が、第１の切り欠き１６０Ａを通じて流通するため、隙間部Ｇ内に樹脂が充填されやすくなる。また、外装材３を構成する樹脂が第１の切り欠き１６０Ａに配置されることにより、第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａの一面側の樹脂と他面側の樹脂が第１の切り欠き１６０Ａ内の樹脂により接続されるため、より構造が強固となる。なお、第１の切り欠き１６０Ａの切りかかれている部分は第１の立ち上がり部１２０Ａの途中の位置までとなっているため、第１の金属端子１００Ａの強度は確保される。なお、本実施形態の第１の立ち上がり部１２０Ａは、前述のとおり傾斜しているため、例えば外装材３のモールド時に、外装材３を構成する樹脂が、隙間部Ｇ内に入り込み、第１の切り欠き１６０Ａを通じて流通しやすい。
　図１２Ｃに示すように、第１の切り欠き１６０Ａの高さ方向Ｔの立ち上がり高さＴ３は、第１の立ち上がり部１２０Ａの高さ方向Ｔの立ち上がり高さＴ２の半分以下の寸法であることが好ましい。これにより、例えば外装材３のモールド時に、外装材３を構成する樹脂の流通性を確保しつつ、第１の金属端子１００Ａの強度を確保することができる。
　なお、第１の接合部１１０Ａは、第１の切り欠き１６０Ａにより分断された、第１の側面ＷＳ１側の第１の接合片１１１Ａと、第２の側面ＷＳ２側の第２の接合片１１２Ａと、を有する。
　第１の開口部１７０Ａは、第１の延長部１３０Ａに配置されている。このように、第１の金属端子１００Ａに、前述の第１の切り欠き１６０Ａに加えて、第１の開口部１７０Ａを設けることにより、例えば外装材３のモールド時に、外装材３を構成する樹脂の流通性をより高めることができる。また、外装材３を構成する樹脂が第１の開口部１７０Ａに配置されることにより、第１の金属端子１００Ａの第１の延長部１３０Ａの一面側の樹脂と他面側の樹脂が第１の開口部１７０Ａ内の樹脂により接続されるため、より構造が強固となる。以上の構成によって、第１の切り欠き１６０Ａのうち、第１の立ち上がり部１２０Ａに形成された部分と、第１の開口部１７０Ａには、外装材３を構成する同一の材料が配置されることが好ましい。これにより、積層セラミックコンデンサ１の構造が強固となる。
　第３の切り欠き１８０Ａは、第１の実装部１５０Ａの端部から第１の立ち下がり部１４０Ａの途中の位置まで連続して延びる。
　図１１および図１２Ｃに示すように、第１の金属端子１００Ａの第１の接合部１１０Ａの幅方向の長さＷ２は、第１の立ち上がり部１２０Ａの幅方向の長さＷ３よりも長い。これにより、第１の接合材５Ａによる、第１の外部電極４０Ａと、第１の金属端子１００Ａの接合領域を広く確保することができる。特に、上述のように第１の切り欠き１６０Ａを設けた場合であっても、第１の接合材５Ａによる、第１の外部電極４０Ａと、第１の金属端子１００Ａの接合領域を広く確保することができる。
　なお、第１の切り欠き１６０Ａの幅方向Ｗの長さＷ４は、第１の開口部１７０Ａの幅方向Ｗの長さＷ５と同程度であってもよい。第１の切り欠き１６０Ａの高さ方向Ｔの立ち上がり高さＴ３は、第１の開口部１７０Ａの長さ方向Ｌの長さＬ６と同程度であってもよい。例えば、第１の立ち上がり部１２０Ａに形成されている第１の切り欠き１６０Ａの面積は、第１の開口部１７０Ａの面積の５０％以上２００％以下の範囲内であってもよい。これにより、例えば外装材３のモールド時に、外装材３を構成する樹脂がバランスよく流通する。
　第２の金属端子１００Ｂは、第２の切り欠き１６０Ｂと、第２の開口部１７０Ｂと、第４の切り欠き１８０Ｂと、を有する。
　第２の切り欠き１６０Ｂは、第２の接合部１１０Ｂの端部から第２の立ち上がり部１２０Ｂの途中の位置まで連続して延びる。これにより、例えば外装材３のモールド時に、外装材３を構成する樹脂が、第２の切り欠き１６０Ｂを通じて流通するため、隙間部Ｇ内に樹脂が充填されやすくなる。また、外装材３を構成する樹脂が第２の切り欠き１６０Ｂに配置されることにより、第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂの一面側の樹脂と他面側の樹脂が第２の切り欠き１６０Ｂ内の樹脂により接続されるため、より構造が強固となる。なお、第２の切り欠き１６０Ｂの切りかかれている部分は第２の立ち上がり部１２０Ｂの途中の位置までとなっているため、第２の金属端子１００Ｂの強度は確保される。なお、本実施形態の第２の立ち上がり部１２０Ｂは、前述のとおり傾斜しているため、例えば外装材３のモールド時に、外装材３を構成する樹脂が、隙間部Ｇ内に入り込み、第２の切り欠き１６０Ｂを通じて流通しやすい。
　第２の切り欠き１６０Ｂの高さ方向Ｔの立ち上がり高さＴ３は、第２の立ち上がり部１２０Ｂの高さ方向Ｔの立ち上がり高さＴ２の半分以下の寸法であることが好ましい。これにより、例えば外装材３のモールド時に、外装材３を構成する樹脂の流通性を確保しつつ、第２の金属端子１００Ｂの強度を確保することができる。
　なお、第２の接合部１１０Ｂは、第２の切り欠き１６０Ｂにより分断された、第１の側面ＷＳ１側の第３の接合片１１１Ｂと、第２の側面ＷＳ２側の第４の接合片１１２Ｂと、を有する。
　第２の開口部１７０Ｂは、第２の延長部１３０Ｂに配置されている。このように、第２の金属端子１００Ｂに、前述の第２の切り欠き１６０Ｂに加えて、第２の開口部１７０Ｂを設けることにより、例えば外装材３のモールド時に、外装材３を構成する樹脂の流通性をより高めることができる。また、外装材３を構成する樹脂が第２の開口部１７０Ｂに配置されることにより、第２の金属端子１００Ｂの第２の延長部１３０Ｂの一面側の樹脂と他面側の樹脂が第２の開口部１７０Ｂ内の樹脂により接続されるため、より構造が強固となる。以上の構成によって、第２の切り欠き１６０Ｂのうち、第２の立ち上がり部１２０Ｂに形成された部分と、第２の開口部１７０Ｂには、外装材３を構成する同一の材料が配置されることが好ましい。これにより、積層セラミックコンデンサ１の構造が強固となる。
　第４の切り欠き１８０Ｂは、第２の実装部１５０Ｂの端部から第２の立ち下がり部１４０Ｂの途中の位置まで連続して延びる。
　図１１に示すように、第２の金属端子１００Ｂの第２の接合部１１０Ｂの幅方向の長さＷ２は、第２の立ち上がり部１２０Ｂの幅方向の長さＷ３よりも長い。これにより、第２の接合材５Ｂによる、第２の外部電極４０Ｂと、第２の金属端子１００Ｂの接合領域を広く確保することができる。特に、上述のように第２の切り欠き１６０Ｂを設けた場合であっても、第２の接合材５Ｂによる、第２の外部電極４０Ｂと、第２の金属端子１００Ｂの接合領域を広く確保することができる。
　なお、第２の切り欠き１６０Ｂの幅方向Ｗの長さＷ４は、第２の開口部１７０Ｂの幅方向Ｗの長さＷ５と同程度であってもよい。第２の切り欠き１６０Ｂの高さ方向Ｔの立ち上がり高さＴ３は、第２の開口部１７０Ｂの長さ方向Ｌの長さＬ６と同程度であってもよい。例えば、第２の立ち上がり部１２０Ｂに形成されている第２の切り欠き１６０Ｂの面積は、第２の開口部１７０Ｂの面積の５０％以上２００％以下の範囲内であってもよい。これにより、例えば外装材３のモールド時に、外装材３を構成する樹脂がバランスよく流通する。
　なお、第１の実装部１５０Ａは、実装面に沿って、実装面と平行に延びていてもよいが、第１の立ち下がり部１４０Ａとの接続部に近づくにつれて、実装面から離れる方向に傾斜して延びていてもよい。第２の実装部１５０Ｂは、実装面に沿って、実装面と平行に延びていてもよいが、第２の立ち下がり部１４０Ｂとの接続部に近づくにつれて、実装面から離れる方向に傾斜して延びていてもよい。これにより、実装基板への積層セラミックコンデンサ１の実装時に接合材をこの部分によび込むことができ、取り付け強度を高めることができる。なお、この傾斜角度θは、１°以上１０°以下であることが好ましい。
　なお、外装材３および金属端子１００を含む積層セラミックコンデンサ１の長さ方向の寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、３．２ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の積層方向の寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、１．０ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の幅方向の寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、１．５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。
　次に、図１２Ａ、図１２Ｂに加えて、図１２Ｄ～図１２Ｆを用いて、金属端子１００のさらなる詳細として、金属端子１００の表面の状態等について説明する。
　図１２Ｄは、図１２Ａに示す積層セラミックコンデンサ１の第１の金属端子１００ＡのＲ１部の拡大図である。図１２Ｅは、図１２Ａに示す積層セラミックコンデンサ１の第１の金属端子１００ＡのＲ２部の拡大図である。図１２Ｆは、図１２Ａに示す積層セラミックコンデンサ１の第１の金属端子１００ＡのＲ３部の拡大図である。なお、前述のとおり、第１の金属端子１００Ａと、第２の金属端子１００Ｂは、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央のＷＴ断面に対して概ね面対称である。よって、第２の金属端子１００Ｂの拡大図は、第１の金属端子１００Ａの拡大図と紙面左右対称の同じ形状となる。そこで、図１２Ｄ～１２Ｆにおいて、第１の金属端子１００Ａの各構成に付される符号に加えて、第２の金属端子１００Ｂにおける符号を併記し、図１２Ｄ～図１２Ｆを、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂを説明するための拡大図として用いる。
　本実施形態の第１の金属端子１００Ａは、第１の接合材５Ａと接合している第１の接合面１１０Ａ１と、外装材３と接触している第１の接触面ＣＳ１と、を有し、外装材３と接触している第１の接触面ＣＳ１は、第１の最外表面金属膜としての第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面よりもぬれ性の低い第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃと、を備える。第２の金属端子１００Ｂは、第２の接合材５Ｂと接合している第２の接合面１１０Ｂ１と、外装材３と接触している第２の接触面ＣＳ２と、を有し、外装材３と接触している第２の接触面ＣＳ２は、第２の最外表面金属膜としての第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面よりもぬれ性の低い第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃと、を備える。以下、その詳細について説明する。
　第１の金属端子１００Ａは、図１２Ａに示されるように、第１の外部電極４０Ａが接合される第１の接合面１１０Ａ１側の第１の表面としての第１の正面ＦＳ１と、第１の正面ＦＳ１とは反対側の面である第１の裏面としての第１の反対面ＢＳ１と、第１の正面ＦＳ１と第１の反対面ＢＳ１とを繋ぐ第１の端子側面ＴＳＳ１と、を含む板状部材である。
　第１の金属端子１００Ａの第１の接合部１１０Ａは、第１の正面ＦＳ１において、第１の接合材５Ａと接合している第１の接合面１１０Ａ１を有する。第１の金属端子１００Ａの表面のうち、外装材３に埋設されている部分は、第１の接合面１１０Ａ１を除き、外装材３と接触している第１の接触面ＣＳ１により構成される。このように、第１の金属端子１００Ａは、第１の接合材５Ａと接合している第１の接合面１１０Ａ１と、外装材３と接触している第１の接触面ＣＳ１と、を有する。
　第２の金属端子１００Ｂは、図１２Ｂに示されるように、第２の外部電極４０Ｂが接合される第２の接合面１１０Ｂ１側の第２の表面としての第２の正面ＦＳ２と、第２の正面ＦＳ２とは反対側の面である第２の裏面としての第２の反対面ＢＳ２と、第２の正面ＦＳ２と第２の反対面ＢＳ２とを繋ぐ第２の端子側面ＴＳＳ２と、を含む板状部材である。
　第２の金属端子１００Ｂの第２の接合部１１０Ｂは、第２の正面ＦＳ２において、第２の接合材５Ｂと接合している第２の接合面１１０Ｂ１を有する。第２の金属端子１００Ｂの表面のうち、外装材３に埋設されている部分は、第２の接合面１１０Ｂ１を除き、外装材３と接触している第２の接触面ＣＳ２により構成される。このように、第２の金属端子１００Ｂは、第２の接合材５Ｂと接合している第２の接合面１１０Ｂ１と、外装材３と接触している第２の接触面ＣＳ２と、を有する。
　第１の金属端子１００Ａは、図１２Ｄ～１２Ｆに示されるように、端子本体を構成する第１の母材１００Ａａと、第１の母材１００Ａａの表面に形成された第１のめっき膜１００Ａｂを含む。
　第１の金属端子１００Ａの第１のめっき膜１００Ａｂは、少なくとも、第１の接合部１１０Ａにおける、第１の接合材５Ａが配置される部分と、第１の実装部１５０Ａにおける、実装基板の実装面に対向する部分に配置されている。
　第２の金属端子１００Ｂは、図１２Ｄ～１２Ｆに示されるように、端子本体を構成する第２の母材１００Ｂａと、第２の母材１００Ｂａの表面に形成された第２のめっき膜１００Ｂｂを含む。
　第２の金属端子１００Ｂの第２のめっき膜１００Ｂｂは、少なくとも、第２の接合部１１０Ｂにおける、第２の接合材５Ｂが配置される部分と、第２の実装部１５０Ｂにおける、実装基板の実装面に対向する部分に配置されている。
　めっき膜は、めっき膜の最外表面に配置された上層めっき膜としての最外表面めっき膜と、最外表面めっき膜よりも下層に配置された下地めっき膜としての下層めっき膜と、を有していることが好ましい。例えば、めっき膜は、下層めっき膜の上に最外表面めっき膜が形成された２層構造であってもよい。
　本実施形態の第１のめっき膜１００Ａｂは、第１の最外表面金属膜を構成する第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２と、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の下層に配置された第１の下層めっき膜１００Ａｂ１と、を含む。具体的には、本実施形態の第１のめっき膜１００Ａｂは、第１の母材１００Ａａの表面を覆う下地めっき膜としての第１の下層めっき膜１００Ａｂ１と、第１の下層めっき膜１００Ａｂ１の表面を覆う上層めっき膜としての第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２と、を含む。言い換えると、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２は、第１のめっき膜１００Ａｂの少なくとも最外表面部分を含む。
　本実施形態の第２のめっき膜１００Ｂｂは、第２の最外表面金属膜を構成する第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２と、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の下層に配置された第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１と、を含む。具体的には、本実施形態の第２のめっき膜１００Ｂｂは、第２の母材１００Ｂａの表面を覆う下地めっき膜としての第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１と、第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１の表面を覆う上層めっき膜としての第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２と、を含む。言い換えると、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２は、第２のめっき膜１００Ｂｂの少なくとも最外表面部分を含む。
　めっき膜の構造のうち、最外表面めっき膜は、端子本体の母材の金属の表面よりも、はんだのぬれ性が高い表面となっている。また、めっき膜の構造のうち、最外表面めっき膜は、下層めっき膜の表面よりもはんだのぬれ性が高い表面となっている。また、めっき膜の構造のうち、最外表面めっき膜は、後述の金属間化合物の表面よりもはんだのぬれ性が高い表面となっている。
　本実施形態においては、第１の金属端子１００Ａにおける、外装材３と接触している第１の接触面ＣＳ１は、第１の最外表面金属膜としての第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２よりもはんだのぬれ性の低い第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃと、を備える。
　第１の金属間化合物１００Ａｂ３は、第１の下層めっき膜１００Ａｂ１上に第１の金属間化合物層として層状に配置されていてもよい。第１の金属間化合物１００Ａｂ３は、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２を構成する金属と第１の下層めっき膜１００Ａｂ１を構成する金属との金属間化合物により構成されている。
　本実施形態においては、第２の金属端子１００Ｂにおける、外装材３と接触している第２の接触面ＣＳ２は、第２の最外表面金属膜としての第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２よりもはんだのぬれ性の低い第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃと、を備える。
　第２の金属間化合物１００Ｂｂ３は、第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１上に第２の金属間化合物層として層状に配置されていてもよい。第２の金属間化合物１００Ｂｂ３は、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２を構成する金属と第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１を構成する金属との金属間化合物により構成されている。
　下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。
　下層めっき膜を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、金属端子の耐熱性を向上させることができる。
　本実施形態に係る第１の金属端子１００Ａでは、第１の下層めっき膜１００Ａｂ１は、Ｎｉめっき膜である。なお、第１の下層めっき膜１００Ａｂ１の厚みは０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。本実施形態に係る第２の金属端子１００Ｂでは、第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１は、Ｎｉめっき膜である。なお、第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１の厚みは０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。
　最外表面めっき膜は、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、最外表面めっき膜は、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなる。最外表面めっき膜をＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金により形成することにより、外部電極と、金属端子とのはんだ付け性を向上させることができる。
　本実施形態に係る第１の金属端子１００Ａでは、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２は、Ｓｎめっき膜である。なお、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。本実施形態に係る第２の金属端子１００Ｂでは、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２は、Ｓｎめっき膜である。なお、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。
　本実施形態においては、第１の金属間化合物１００Ａｂ３および第２の金属間化合物１００Ｂｂ３は、ＮｉとＳｎの金属間化合物である。すなわち、本実施形態においては、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２および第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２はＳｎめっき膜であり、第１の下層めっき膜１００Ａｂ１および第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１はＮｉめっき膜であり、第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃおよび第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃは、ＮｉとＳｎの金属間化合物により構成されている。ＮｉとＳｎの金属間化合物は、例えば、Ｎｉ３Ｓｎ４が挙げられる。ただし、ＮｉとＳｎの金属間化合物は、これに限定されない。
　なお、金属間化合物は、端子本体に二層以上のめっき膜を形成後、めっき膜に対して熱処理を施すことにより形成されてもよい。本実施形態においては、Ｎｉめっき膜とＳｎめっき膜の積層構造に対して、レーザー照射による熱処理が施されることにより、ＮｉとＳｎの金属間化合物が形成される。レーザー照射の条件は、最外表面めっき膜としてのＳｎめっき膜が蒸発して除去されないよう、低い出力で調整される。
　端子本体は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。例えば、端子本体の母材の金属を、Ｆｅ－４２Ｎｉ合金やＦｅ－１８Ｃｒ合金やＣｕ－８Ｓｎ合金とすることができる。また、放熱性の観点からは、端子本体の母材の金属を、熱伝導率の高い無酸素銅やＣｕ系合金とすることができる。このように、端子本体の材料を熱伝導の良い銅系にすることで、低ＥＳＲ化や低熱抵抗化を実現することができる。また、本実施形態においては、端子本体の母材の金属を、はんだのぬれ性が低いステンレスやアルミとすることもできる。少なくとも、端子本体の母材の金属の表面は、最外表面のめっき膜よりも、はんだのぬれ性が低い表面となっている。端子本体の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下程度であることが好ましい。
　第１の金属端子１００Ａは、前述のとおり、外装材３と接触している第１の接触面ＣＳ１を有する。本実施形態に係る第１の金属端子１００Ａの第１の接触面ＣＳ１は、外装材３に接触する表面として、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と、第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃと、第１の母材１００Ａａの表面と、を含む。
　図１２Ａには、第１の金属端子１００Ａの第１の金属間化合物１００Ａｂ３の配置位置の一例が示される。
　本実施形態においては、外装材３と接触している第１の接触面ＣＳ１は、第１の最外表面金属膜としての第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２とは異なる金属の表面としての複数の第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面を備える。第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面として、例えば金属間化合物表面Ｅ１ａ、金属間化合物表面Ｅ１ｂ、金属間化合物表面Ｅ１ｃが備えられる。
　第１の接触面ＣＳ１に設けられた第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ｂ、Ｅ１ａは、第１の正面ＦＳ１において、第１の立ち上がり部１２０Ａの中央と第１の接合部１１０Ａの間の表面の少なくとも一部と、第１の延長部１３０Ａと、に離間して設けられる。また、第１の接触面ＣＳ１に設けられた第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ｃ、Ｅ１ａは、第１の反対面ＢＳ１において、それぞれ、第１の接合部１１０Ａと、第１の延長部１３０Ａと、に離間して設けられる。
　より具体的には、第１の接触面ＣＳ１に設けられた第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａは、図１２Ｄに示されるように、第１の延長部１３０Ａの第１の正面ＦＳ１および第１の反対面ＢＳ１に設けられる。また、第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａは、第１の延長部１３０Ａにおいて第１の立ち上がり部１２０Ａ側に設けられる。なお、本実施形態においては、第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａは、外装材３に覆われている。すなわち、第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａは、外装材３から露出していない。
　別の観点では、第１の接触面ＣＳ１は、第１の延長部１３０Ａにおいて、第１の正面ＦＳ１に位置する第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａと、第１の反対面ＢＳ１に位置する第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａと、第１の端子側面ＴＳＳ１に位置する第１の母材１００Ａａの表面とを含む。このように、第１の金属端子１００Ａの延在方向の一部において、第１の金属端子１００Ａの全周に亘って金属間化合物の表面および母材の表面の少なくともいずれかが形成されている部分を有することが好ましい。これにより、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２が、第１の金属端子１００Ａの延在方向の途中で分断される。
　また、第１の接触面ＣＳ１に設けられた第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ｂは、図１２Ｅに示されるように、第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａの第１の正面ＦＳ１に設けられる。例えば、第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ｂは、第１の立ち上がり部１２０Ａにおいて第１の接合部１１０Ａとの接続部分側に設けられる。
　別の観点では、第１の接触面ＣＳ１は、第１の立ち上がり部１２０Ａの中央と第１の接合部１１０Ａの間の表面の少なくとも一部において、第１の正面ＦＳ１に位置する第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ｂと、第１の反対面ＢＳ１に位置する第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と、第１の端子側面ＴＳＳ１に位置する第１の母材１００Ａａの表面とを含む。
　また、第１の接触面ＣＳ１に設けられた第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ｃは、図１２Ｆに示されるように、第１の接合部１１０Ａの第１の反対面ＢＳ１に設けられる。例えば、第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ｃは、第１の接合部１１０Ａの第１の反対面ＢＳ１における第１の接触面ＣＳ１に設けられる。
　別の観点では、第１の接触面ＣＳ１は、第１の接合部１１０Ａにおいて、第１の正面ＦＳ１に位置する第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と、第１の反対面ＢＳ１に位置する第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ｃと、第１の端子側面ＴＳＳ１に位置する第１の母材１００Ａａの表面を含む。
　なお、第１の接触面ＣＳ１に設けられた第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃは、第１の金属端子１００Ａに形成された穴または切り欠きにより、幅方向に分離されている。具体的には、第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａは第１の開口部１７０Ａにより、幅方向に分離されている。第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ｂは第１の切り欠き１６０Ａにより、幅方向に分離されている。第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ｃは第１の切り欠き１６０Ａにより、幅方向に分離されている。
　第２の金属端子１００Ｂは、前述のとおり、外装材３と接触している第２の接触面ＣＳ２を有する。本実施形態に係る第２の金属端子１００Ｂの第２の接触面ＣＳ２は、外装材３に接触する表面として、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と、第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃと、第２の母材１００Ｂａの表面と、を含む。
　図１２Ｂには、第２の金属端子１００Ｂの第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の配置位置の一例が示される。
　本実施形態においては、外装材３と接触している第２の接触面ＣＳ２は、第２の最外表面金属膜としての第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２とは異なる金属の表面としての複数の第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面を備える。第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面として、例えば金属間化合物表面Ｅ２ａ、金属間化合物表面Ｅ２ｂ、金属間化合物表面Ｅ２ｃが備えられる。
　第２の接触面ＣＳ２に設けられた第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ｂ、Ｅ２ａは、第２の正面ＦＳ２において、第２の立ち上がり部１２０Ｂの中央と第２の接合部１１０Ｂの間の表面の少なくとも一部と、第２の延長部１３０Ｂと、に離間して設けられる。また、第２の接触面ＣＳ２に設けられた第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ｃ、Ｅ２ａは、第２の反対面ＢＳ２において、それぞれ、第２の接合部１１０Ｂと、第２の延長部１３０Ｂと、に離間して設けられる。
　より具体的には、第２の接触面ＣＳ２に設けられた第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａは、図１２Ｄに示されるように、第２の延長部１３０Ｂの第２の正面ＦＳ２および第２の反対面ＢＳ２に設けられる。また、第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａは、第２の延長部１３０Ｂにおいて第２の立ち上がり部１２０Ｂ側に設けられる。なお、本実施形態においては、第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａは、外装材３に覆われている。すなわち、第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａは、外装材３から露出していない。
　別の観点では、第２の接触面ＣＳ２は、第２の延長部１３０Ｂにおいて、第２の正面ＦＳ２に位置する第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａと、第２の反対面ＢＳ２に位置する第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａと、第２の端子側面ＴＳＳ２に位置する第２の母材１００Ｂａの表面とを含む。このように、第２の金属端子１００Ｂの延在方向の一部において、第２の金属端子１００Ｂの全周に亘って金属間化合物の表面および母材の表面の少なくともいずれかが形成されている部分を有することが好ましい。これにより、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２が、第２の金属端子１００Ｂの延在方向の途中で分断される。
　また、第２の接触面ＣＳ２に設けられた第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ｂは、図１２Ｅに示されるように、第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂの第２の正面ＦＳ２に設けられる。例えば、第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ｂは、第２の立ち上がり部１２０Ｂにおいて第２の接合部１１０Ｂとの接続部分側に設けられる。
　別の観点では、第２の接触面ＣＳ２は、第２の立ち上がり部１２０Ｂの中央と第２の接合部１１０Ｂの間の表面の少なくとも一部において、第２の正面ＦＳ２に位置する第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ｂと、第２の反対面ＢＳ２に位置する第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と、第２の端子側面ＴＳＳ２に位置する第２の母材１００Ｂａの表面とを含む。
　また、第２の接触面ＣＳ２に設けられた第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ｃは、図１２Ｆに示されるように、第２の接合部１１０Ｂの第２の反対面ＢＳ２に設けられる。例えば、第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ｃは、第２の接合部１１０Ｂの第２の反対面ＢＳ２における第２の接触面ＣＳ２に設けられる。
　別の観点では、第２の接触面ＣＳ２は、第２の接合部１１０Ｂにおいて、第２の正面ＦＳ２に位置する第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と、第２の反対面ＢＳ２に位置する第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ｃと、第２の端子側面ＴＳＳ２に位置する第２の母材１００Ｂａの表面を含む。
　なお、第２の接触面ＣＳ２に設けられた第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃは、第２の金属端子１００Ｂに形成された穴または切り欠きにより、幅方向に分離されている。具体的には、第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａは第２の開口部１７０Ｂにより、幅方向に分離されている。第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ｂは第２の切り欠き１６０Ｂにより、幅方向に分離されている。第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ｃは第２の切り欠き１６０Ｂにより、幅方向に分離されている。
　図１３Ａは、本実施形態の第１の金属端子１００Ａの断面（ＬＴ断面と平行な断面）の一部を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した画像を図面化したものである。より詳細には、図１３Ａは、図１２Ａにおける、第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａのうち第１の正面ＦＳ１側の部分を含む断面のＳＥＭ画像を図面化したものである。図１３Ｂは、図１３ＡのＳＥＭ画像に基づくＳＥＭ－ＥＤＸの元素マッピング画像であり、Ｎｉの分布およびＳｎの分布をマッピングした画像である。より詳細には、図１３Ｂに示される左右２つの画像のうち、左側の画像がＮｉの分布をマッピングした画像であり、右側の画像がＳｎの分布をマッピングした画像である。なお、厚み方向におけるＮｉの分布およびＳｎの分布の比較のため、２つの画像の縮尺、角度および厚さ方向の位置は、合わせて示されている。図１３Ｃは、図１３Ａの測定ポイントＰ１の位置における特性Ｘ線スペクトル表示を示す図である。
　図１３ＡのＳＥＭ画像に示されるように、第１の金属間化合物１００Ａｂ３が形成されている部分においては、第１の母材１００Ａａの表面を覆うように第１の下層めっき膜１００Ａｂ１としてのＮｉめっき膜が形成され、第１の下層めっき膜１００Ａｂ１の表面を覆うように第１の金属間化合物１００Ａｂ３の層としてのＮｉとＳｎの金属間化合物の層が形成されている。図１３Ａに示される第１の金属間化合物１００Ａｂ３の層は、レーザー照射によりめっき膜を構成する金属の一部を加熱および溶融した後、冷却および固化させることにより形成されている。
　図１３Ｂのマッピング画像に示されるように、Ｎｉ元素は、図１３Ａにおける第１の下層めっき膜１００Ａｂ１の領域に加えて、第１の下層めっき膜１００Ａｂ１よりも上層側の領域にまで広がって分布している。すなわち、第１の下層めっき膜１００Ａｂ１よりも上層側の、層状の領域（符号１００Ａｂ３で示される領域）においては、Ｓｎ元素だけではなく、Ｎｉ元素も拡散して存在している。この層状の領域は、第１の金属間化合物１００Ａｂ３となっている。
　図１３Ｃの特性Ｘ線スペクトル表示によると、上述の層状の領域は、Ｎｉ元素およびＳｎ元素を多く含む。この層状の第１の金属間化合物１００Ａｂ３の領域の組成の確認のために当該スペクトルに基づいて定量分析を行った結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示される原子百分率（Ａｔｏｍ％）の結果より、Ｎｉ元素とＳｎ元素の比率は、概ね３：４であった。よって、この層状の領域の金属間化合物の組成は、Ｎｉ３Ｓｎ４と同定することができる。これにより、本実施形態における金属間化合物は、Ｎｉ３Ｓｎ４を主体とする金属間化合物であることが確認された。
（以下、本件特徴部分となります）
　以下、図１２Ｄ～図１２Ｆに加えて、図１２Ｇも用いて、本開示の第１の凸部１００Ａｃおよび第２の凸部１００Ｂｃについて説明する。
　図１２Ｄ～図１２Ｆに示されるように、第１の最外表面金属膜としての第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と、第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃとの境界部に、第１の凸部１００Ａｃが配置されている。
　第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と第１の金属間化合物の表面との境界部が複数ある場合、第１の凸部１００Ａｃは、全ての境界部に配置されていることが好ましいが、少なくとも１つの境界部に配置されていればよい。これにより、接合材の過剰な流れ出しを適切にくい止めることができる。
　第１の凸部１００Ａｃは、第１の金属端子１００Ａの幅方向に細長い筋状に延びる突条であることが好ましい。すなわち、第１の凸部１００Ａｃとしての突条は、図１２Ｄ～１２Ｆの紙面奥行方向に延びるように配置されている。例えば、第１の凸部１００Ａｃは、図１２Ｃにおける、第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａと、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２との各境界部において、第１の金属端子１００Ａの幅方向に延びる突条として配置されている。これにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。
　図１２Ｄ～図１２Ｆに示されるように、第２の最外表面金属膜の表面としての第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と、第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃとの境界部に、第２の凸部１００Ｂｃが配置されている。
　第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と第２の金属間化合物の表面との境界部が複数ある場合、第２の凸部１００Ｂｃは、全ての境界部に配置されていることが好ましいが、少なくとも１つの境界部に配置されていればよい。これにより、接合材の過剰な流れ出しを適切にくい止めることができる。
　第２の凸部１００Ｂｃは、第２の金属端子１００Ｂの幅方向に細長い筋状に延びる突条であることが好ましい。すなわち、第２の凸部１００Ｂｃとしての突条は、図１２Ｄ～１２Ｆの紙面奥行方向に延びるように配置されている。例えば、第２の凸部１００Ｂｃは、第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａと、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２との各境界部において、第２の金属端子１００Ｂの幅方向に延びる突条として配置されている。これにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。
　図１２Ｇは、図１２Ｄに示される第１の金属端子１００ＡのＲ４部に位置する第１の凸部１００Ａｃの拡大断面図であり、第１の凸部１００ＡｃのＬＴ断面図である。なお、第１の凸部１００Ａｃが複数ある場合、複数の第１の凸部１００Ａｃは、同様の形状であってもよい。そこで、図１２Ｇに示される第１の凸部１００Ａｃを、複数の第１の凸部１００Ａｃの代表として説明する。また、前述のとおり、第２の金属端子１００Ｂの拡大図は、第１の金属端子１００Ａの拡大図と紙面左右対称の同じ形状となる。そこで、図１２Ｇにおいて、第１の金属端子１００Ａの各構成に付される符号に加えて、第２の金属端子１００Ｂにおける符号を併記し、図１２Ｇを、第１の金属端子１００Ａの第１の凸部１００Ａｃおよび第２の金属端子１００Ｂの第２の凸部１００Ｂｃを説明するための拡大図として用いる。
　図１２Ｇにおいて、図の上下方向は、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２（第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２）の表面に直交する方向に相当する。図１２Ｇにおける仮想線Ｖａは、図の上下方向と平行な線であり、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２（第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２）から第１の凸部１００Ａｃ（第２の凸部１００Ｂｃ）が隆起するために屈曲する部分を通過する線である。図１２Ｇにおける仮想線Ｖｂは、図の上下方向と平行な線であり、第１の凸部１００Ａｃ（第２の凸部１００Ｂｃ）のうち、第１の金属端子１００Ａ（第２の金属端子１００Ｂ）の長手方向において、第１の低ぬれ性表面１００Ａｂ３（第２の低ぬれ性表面１００Ｂｂ３）から最も離れた部分を通過する線である。
　図１２Ｄ～図１２Ｆおよび、図１２Ｇに示されるように、第１の凸部１００Ａｃは、アンダカット形状を有してもよい。ここで、アンダカット形状とは、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面を、表面と直交する方向で見たときに、第１の凸部１００Ａｃの一部によって隠れて見えなくなる空間Ｈｂを有する突起形状をいう。例えば、図１２Ｇにおいては、仮想線Ｖｂ、後述の第４の面ｕｃおよび第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面に囲われる空間Ｈｂは、表面と直交する方向で見たときに、第１の凸部１００Ａｃの一部Ｈａによって隠れて見えなくなる。
　さらに、このアンダカット形状においては、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と直交する方向で第１の凸部１００Ａｃの付近を見た場合に、第１の凸部１００Ａｃのうちの立ち上がり形状部の一部が、第１の凸部１００Ａｃ自体によって隠れて見えなくなる。また、例えば、図１２Ｇにおいては、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と直交する方向で第１の凸部１００Ａｃの付近を見た場合に、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の一部が、第１の凸部１００Ａｃの一部Ｈａによって隠れて見えなくなるように形成されていてもよい。
　以下、第１の凸部１００Ａｃの形状について、より詳細に説明する。本実施形態においては、第１の凸部１００Ａｃは、図１２Ｇに示されるように、第１の面ｕａと、第２の面ｕｂと、第３の面ｕｄと、第４の面ｕｃと、を有する。第１の面ｕａは、その断面形状において、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と略平行の仮想的な基準面である。第２の面ｕｂは、第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面側から立ち上がる面である。第３の面ｕｄは、第２の面ｕｂから連続して、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２に略平行な方向に、かつ、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２側に延びる面であり、第１の凸部１００Ａｃの上部を形成する面である。第４の面ｕｃは、第３の面ｕｄの一端と第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２とを接続するように延びる面である。なお、第１の面ｕａと第４の面ｕｃとのなす角αは鈍角であってもよい。
　このため、図１２Ｇに記載の例においては、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面に直交する方向から第１の凸部１００Ａｃの付近を見た場合に、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２のうちの仮想線Ｖｂよりも図の左側に位置する一部は、第１の凸部１００Ａｃの一部Ｈａに遮られて見ることができない。
　別の観点では、図１２Ｇに記載の例において、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面に直交する方向から第１の凸部１００Ａｃの付近を見た場合に、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２と第１の凸部１００Ａｃとによって形成される、仮想線Ｖａおよび仮想線Ｖｂの間にある空間Ｈｂは、第１の凸部１００Ａｃの一部Ｈａによって隠れて見ることができないように構成されていてもよい。
　これにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。さらに、第１の凸部１００Ａｃと外装材３との間でアンカー効果が発生し、第１の金属端子１００Ａと外装材３の密着力が高まる。具体的には、外装材３を構成するモールド樹脂が、アンダカット形状における陰となる空間に入り込むことにより、高いアンカー効果が得られる。
　また、図１２Ｇに示されるように、第１の最外表面めっき層１００Ａｂ２の表面に垂直な方向において、第１の最外表面めっき層１００Ａｂ２の表面から第１の凸部１００Ａｃにおける上面までの距離を、第１の凸部１００Ａｃの隆起高さｄ１とする。この場合、第１の凸部１００Ａｃの隆起高さｄ１は、第１の下層めっき膜１００Ａｂ１の厚みｄ２よりも大きくてもよい。これにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。
　また、第１の凸部１００Ａｃの隆起高さｄ１は、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の厚みｄ３よりも大きくてもよい。これにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。
　また、第１の凸部１００Ａｃの隆起高さｄ１は、第１の金属間化合物１００Ａｂ３の厚みｄ４よりも大きくてもよい。これにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。
　図１２Ｄ～図１２Ｆおよび、図１２Ｇに示されるように、第２の凸部１００Ｂｃは、アンダカット形状を有してもよい。ここで、アンダカット形状とは、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面を、表面と直交する方向で見たときに、第２の凸部１００Ｂｃの一部によって隠れて見えなくなる空間Ｈｂを有する突起形状をいう。例えば、図１２Ｇにおいては、仮想線Ｖｂ、第４の面ｕｃおよび第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面に囲われる空間Ｈｂは、表面と直交する方向で見たときに、第２の凸部１００Ｂｃの一部Ｈａによって隠れて見えなくなる。
　さらに、このアンダカット形状においては、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と直交する方向で第２の凸部１００Ｂｃの付近を見た場合に、第２の凸部１００Ｂｃのうちの立ち上がり形状部の一部が、第２の凸部１００Ｂｃ自体によって隠れて見えなくなる。また、例えば、図１２Ｇにおいては、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と直交する方向で第２の凸部１００Ｂｃの付近を見た場合に、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の一部が、第２の凸部１００Ｂｃの一部Ｈａによって隠れて見えなくなるように形成されていてもよい。
　以下、第２の凸部１００Ｂｃの形状について、より詳細に説明する。本実施形態においては、第２の凸部１００Ｂｃは、図１２Ｇに示されるように、第１の面ｕａと、第２の面ｕｂと、第３の面ｕｄと、第４の面ｕｃと、を有する。第１の面ｕａは、その断面形状において、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と略平行の仮想的な基準面である。第２の面ｕｂは、第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面側から立ち上がる面である。第３の面ｕｄは、第２の面ｕｂから連続して、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２に略平行な方向に、かつ、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２側に延びる面であり、第２の凸部１００Ｂｃの上部を形成する面である。第４の面ｕｃは、第３の面ｕｄの一端と第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２とを接続するように延びる面である。なお、第１の面ｕａと第４の面ｕｃとのなす角αは鈍角であってもよい。
　このため、図１２Ｇに記載の例においては、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面に直交する方向から第２の凸部１００Ｂｃの付近を見た場合に、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２のうちの仮想線Ｖｂよりも図の左側に位置する一部は、第２の凸部１００Ｂｃの一部Ｈａに遮られて見ることができない。
　別の観点では、図１２Ｇに記載の例において、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面に直交する方向から第２の凸部１００Ｂｃの付近を見た場合に、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２と第２の凸部１００Ｂｃとによって形成される、仮想線Ｖａおよび仮想線Ｖｂの間にある空間Ｈｂは、第２の凸部１００Ｂｃの一部Ｈａによって隠れて見ることができないように構成されていてもよい。
　これにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。さらに、第２の凸部１００Ｂｃと外装材３との間でアンカー効果が発生し、第２の金属端子１００Ｂと外装材３の密着力が高まる。具体的には、外装材３を構成するモールド樹脂が、アンダカット形状における陰となる空間に入り込むことにより、高いアンカー効果が得られる。
　また、図１２Ｇに示されるように、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面に垂直な方向において、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面から第２の凸部１００Ｂｃにおける上面までの距離を、第２の凸部１００Ｂｃの隆起高さｄ１とする。この場合、第２の凸部１００Ｂｃの隆起高さｄ１は、第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１の厚みｄ２よりも大きくてもよい。これにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。
　また、第２の凸部１００Ｂｃの隆起高さｄ１は、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の厚みｄ３よりも大きくてもよい。これにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。
　また、第２の凸部１００Ｂｃの隆起高さｄ１は、第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の厚みｄ４よりも大きくてもよい。これにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。
　次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、上述した要件を満足する限り、その製造方法は限定されない。しかしながら好適な製造方法は、以下の工程を備える。まず、積層セラミックコンデンサ本体２の製造方法について説明する。
　誘電体層２０用の誘電体シートおよび内部電極層３０用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートおよび内部電極用の導電性ペーストは、バインダおよび溶剤を含む。バインダおよび溶剤は、公知のものであってもよい。
　誘電体シート上に、内部電極層３０用の導電性ペーストが、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで印刷される。これにより、第１の内部電極層３１のパターンが形成された誘電体シートおよび、第２の内部電極層３２のパターンが形成された誘電体シートが準備される。
　内部電極層のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第１の主面ＴＳ１側の第１の主面側外層部１２となる部分が形成される。その上に、第１の内部電極層３１のパターンが印刷された誘電体シートおよび第２の内部電極層３２のパターンが印刷された誘電体シートが順次積層されることにより、内層部１１となる部分が形成される。この内層部１１となる部分の上に、内部電極層のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面ＴＳ２側の第２の主面側外層部１３となる部分が形成される。これにより、積層シートが作製される。
　積層シートが静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスされることにより、積層ブロックが作製される。
　積層ブロックが所定のサイズにカットされることにより、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みがつけられてもよい。
　積層チップが焼成されることにより、積層体１０が作製される。焼成温度は、誘電体層２０や内部電極層３０の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。
　積層体１０の両端面に第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂとなる導電性ペーストが塗布される。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層である。ガラス成分と金属とを含む導電性ペーストが、例えばディッピングなどの方法により、積層体１０に塗布される。その後、焼き付け処理が行われ、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂが形成される。この時の焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
　なお、焼成前の積層チップと、積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。このとき、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。この場合は、焼成前の積層チップに対して、導電性ペーストを塗布し、積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストを同時に焼き付けて、焼き付け層が形成された積層体１０を形成する。
　なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂとして薄膜層を形成する場合は、積層体１０の第１の主面ＴＳ１上の一部および第２の主面ＴＳ２上の一部に、薄膜層を形成してもよい。薄膜層は、例えば、スパッタリング法によりスパッタ電極であってもよい。第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂとして、積層体１０の第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部にスパッタ電極を形成する場合は、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には焼き付け層を形成してもよい。あるいは、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には下地電極層を形成せずに、後述するめっき層を積層体１０に直接形成してもよい。
　その後、第１の下地電極層５０Ａの表面に、第１のめっき層６０Ａが形成される。また、第２の下地電極層５０Ｂの表面に、第２のめっき層６０Ｂが形成される。本実施形態では、めっき層として、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層が形成される。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、例えばバレルめっき法により、順次形成される。
　このような製造工程により、積層セラミックコンデンサ本体２が製造される。
　次に、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂの製造方法について、図１４Ａ、１４Ｂを参照しながら説明する。図１４Ａは、折り曲げられる前の金属端子の正面を示す図である。図１４Ｂは、折り曲げられる前の金属端子の反対面を示す図である。
　第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂを構成する端子本体にめっき膜が施される。本実施形態では、めっき膜として、Ｎｉめっき膜およびＳｎめっき膜が形成される。端子本体の母材の表面にめっき膜が施された後、打ち抜き金型等を用いて、せん断加工によって金属端子の形状に沿ってカットされる。これにより、金属端子本体の側面に、端子本体の母材の表面が露出する露出面が形成される。
　その後、図１４Ａに示すように金属端子の表面（第１の正面ＦＳ１および第２の正面ＦＳ２）の所望の領域について、はんだのぬれ性が低い低ぬれ性表面として第１の金属間化合物の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ２ａ、Ｅ２ｂが形成される。さらに、図１４Ｂに示すように金属端子の裏面（第１の反対面ＢＳ１および第２の反対面ＢＳ２）の所望の領域について、はんだのぬれ性が低い低ぬれ性表面として第２の金属間化合物の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｃ、Ｅ２ａ、Ｅ２ｃが形成される。
　金属間化合物の表面の形成の加工は、めっき膜に対する熱処理により行われる。このとき、例えばレーザー処理を行うことにより、低ぬれ性表面としての金属間化合物の表面を形成しつつ、本開示の凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃも同時に形成してもよい。本実施形態においては、Ｎｉめっき膜とＳｎめっき膜の積層構造に対して、レーザー照射を施すことにより、ＮｉとＳｎの金属間化合物を形成しつつ、本開示の凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃも同時に形成する。レーザー照射の条件は、最外表面めっき膜としてのＳｎめっき膜が蒸発して除去されないよう、低い出力で調整される。なお、レーザーとしては、出力の調整が容易なパルスレーザーを用いることが好ましい。そして、レーザーの出力等の条件を調整し、さらにレーザーの走査方向を調整することにより、低ぬれ性表面として金属間化合物の表面を形成しつつ、最外表面金属膜の表面と低ぬれ性表面との境界部に凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃを形成することができる。凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃは、最外表面めっき膜のＳｎめっき膜と同じ材料により形成されてもよい。ただし、これに限らず、凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃは、例えば、ＮｉとＳｎの金属間化合物を一部含んでいてもよく、Ｎｉめっき膜と同じ材料を一部含んでいてもよい。
　次に、積層セラミックコンデンサ本体２と、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂとを接合する工程について説明する。
　第１の外部電極４０Ａと第１の金属端子１００Ａは、第１の接合材５Ａによって接合される。第２の外部電極４０Ｂと第２の金属端子１００Ｂは、第２の接合材５Ｂによって接合される。本実施形態においては、第１の接合材５Ａおよび第２の接合材５Ｂは、はんだである。例えば、リフローによるはんだ付けで接合される場合、第１の接合材５Ａおよび第２の接合材５Ｂは、例えば２７０℃以上２９０℃以下の温度で３０秒以上加熱される。
　このリフロー時の加熱により、第１の接合材５Ａおよび第２の接合材５Ｂが溶融する。このとき、金属間化合物の表面Ｅ１ｂが、第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａにおける、積層セラミック電子部品本体２の第１の表面Ｓ１と対向する面に配置されているため、第１の接合材５Ａが、第１の金属端子１００Ａの立ち上がり部１２０Ａを伝わってぬれ上がりにくい。また、金属間化合物の表面Ｅ２ｂが、第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂにおける、積層セラミック電子部品本体２の第２の表面Ｓ２と対向する面に配置されているため、第２の接合材５Ｂが、第２の金属端子１００Ｂの立ち上がり部１２０Ｂを伝わってぬれ上がりにくい。金属間化合物の表面Ｅ１ａ、金属間化合物の表面Ｅ２ａも同様に、リフロー時のはんだのぬれ広がりを防止する機能を有する。金属間化合物の表面Ｅ１ｃ、金属間化合物の表面Ｅ２ｃも同様に、リフロー時のはんだのぬれ広がりを防止する機能を有する。第１の端子側面ＴＳＳ１に位置する第１の母材１００Ａａの表面および、第２の端子側面ＴＳＳ２に位置する第２の母材１００Ｂａの表面も同様に、リフロー時のはんだのぬれ広がりを防止する機能を有する。本実施形態においては、さらに、最外表面金属膜の表面と低ぬれ性表面との境界部に凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃが配置されている。これにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。また、凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃの隆起高さが、例えば下層めっき膜の厚みよりも大きい場合、よりその効果が高まる。さらに凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃは、アンダカット形状を有していてもよい。また、凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃは、金属端子の長手方向において、その上面が積層セラミックコンデンサ本体２側に偏って配置された形状であってもよい。このような凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃを含むことにより、より適切に、接合材の過剰な流れ出しをくい止めることができる。
　加熱後、第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａと、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の端面ＬＳ１側の第１の表面Ｓ１との間には、隙間部Ｇが残存した状態で、第１の接合材５Ａが固化し、積層セラミックコンデンサ本体２と、第１の金属端子１００Ａとが接合される。また、第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂと、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２との間には、隙間部Ｇが残存した状態で、第２の接合材５Ｂが固化し、積層セラミックコンデンサ本体２と、第２の金属端子１００Ｂとが接合される。これにより、その後の工程において、より確実に、隙間部Ｇに外装材３を充填することができる。
　次に、積層セラミックコンデンサ本体２と、第１の接合材５Ａおよび第２の接合材５Ｂと、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部とを、外装材３で覆う工程について説明する。
　外装材３は、例えば、トランスファーモールド工法によって形成される。具体的には、外装材３で覆う前の積層セラミックコンデンサ、すなわち、接合材５を介して金属端子１００が接合された積層セラミックコンデンサ本体２を金型内に配置し、その後、金型内に外装材３の樹脂を充填し、樹脂を硬化させる。これにより、積層セラミックコンデンサ本体２と、第１の接合材５Ａおよび第２の接合材５Ｂと、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部とを覆うように、外装材３が設けられる。このとき、隙間部Ｇにも外装材３を充填することができる。なお、金属端子にめっき膜が形成されていることにより、接合材による接合性を高めることができるが、金属端子上に形成されためっき膜の表面は平滑であるため、金属端子と外装材との間の界面で剥離しやすくなる可能性がある。この場合、外部の蒸気が外装材の内部に浸入し、電子部品の信頼性が低下してしまう可能性がある。本実施形態においては、最外表面金属膜の表面と低ぬれ性表面との境界部に凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃが配置されている。これにより、金属端子と外装材との間の接合性が高まり、金属端子と外装材との間の界面での剥離を抑制し、電子部品の信頼性の低下を抑制することが可能となる。凸部が、アンダカット形状を有する場合、よりその効果が高まる。また、凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃの隆起高さが、例えば下層めっき膜の厚みよりも大きい場合、よりその効果が高まる。
　最後に、金属端子１００に不要部分がある場合、打ち抜き金型等を用いて、不要部分がカットされる。そして、曲げ金型等を用いて、金属端子１００が所望の形状に折り曲げられる。このように、金属端子１００は、曲げ加工により形成されていてもよい。すなわち、屈曲形成されている金属端子１００の各接続部は、曲げ加工により形成されていてもよい。なお、一部の曲げ加工は、外装材３のモールド前に行われる。
　以上の製造方法により、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１が製造される。
　図１６Ａおよび図１６Ｂに、積層セラミックコンデンサ１の実装構造３００を示す。図１６Ａは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１が実装基板３１０に実装された実装構造３００を示す外観斜視図である。図１６Ｂは、図６に対応する図であって、図１６Ａの積層セラミックコンデンサ１の実装構造３００を矢印ＸＶＩＢの方向から見たときの仮想的な矢視図である。
　外装材３に覆われて完成品となった積層セラミックコンデンサ１は、その後、部品として、基板実装用接合材３２０を介して、実装基板３１０にリフロー実装される。
　具体的には、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、実装基板３１０の実装面３１１に配置されている配線部材３１２に対して、基板実装用接合材３２０を介して接合される。第２の金属端子１００Ｂは、実装基板３１０の実装面３１１に配置されている配線部材３１２に対して、基板実装用接合材３２０を介して接合される。
　このとき、接合材５が溶融して、接合材５の体積が膨張するおそれがあるが、本実施形態に示される複数の金属間化合物の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃ、Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃを備える構成により、はんだスプラッシュ等の問題の発生を抑制することができる。本実施形態においては、さらに、最外表面金属膜の表面と低ぬれ性表面との境界部に凸部１００Ａｃ、１００Ｂｃが配置されている。これにより、はんだスプラッシュ等の問題の発生をより適切に抑制することができる。
　なお、低ぬれ性表面としての金属間化合物の表面（第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａ～Ｅ１ｃおよび第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａ～Ｅ２ｃ）には、図１５に示されるように複数の突起部Ｕが形成されてもよい。また、複数の突起部Ｕは、アンダカット形状を有してもよい。
　換言すると、このアンダカット形状においては、金属間化合物の表面と直交する方向で金属間化合物の表面を見た場合に、突起部Ｕのうちの立ち上がり形状部の一部が、突起部Ｕ自体によって見えない。例えば、突起部Ｕは、第１の金属間化合物の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃ、第２の金属間化合物の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃの表面において、それぞれの表面に直交する方向で見た場合に、突起部Ｕを構成する一部により突起部Ｕを構成する他の一部が隠れて見えなくなるように形成されていてもよい。以下に本実施形態に係る突起部Ｕのアンダカット形状の一例について図１５を用いて説明する。図１５は、第１の金属端子における金属間化合物の表面に形成される複数の突起部の一例を示す断面図である。なお、第２の金属端子における金属間化合物の表面に形成される複数の突起部は、第１の金属端子におけるものと同様であるため、説明を省略する。
　また、図１５において、図の上下方向が金属間化合物の表面に直交する方向に相当する。また、図１５における仮想線Ｖ１は、図の上下方向に平行であり、隣接する突起部Ｕの間の境目の点を通過する。また、図１５における仮想線Ｖ２は、図の上下方向に平行であり、突起部Ｕの頂点を通過する。
　本実施形態においては、突起部Ｕのアンダカット形状は、図１５に示されるように、その断面形状において、表面（例えば、金属端子の第１の金属間化合物の表面および第２の金属間化合物の表面）と略平行かつ基準線となる第１の辺ｕ１と、第１の辺ｕ１から直角を超える立ち上がり角度で延びる第２の辺ｕ２と、第２の辺ｕ２から第１の辺ｕ１に接続するように延びる第３の辺ｕ３と、を有するように形成される。すなわち、突起部Ｕの断面形状は、表面の基準線となる第１の辺ｕ１と、突起部Ｕの立ち上がり部の一方を形成する第２の辺ｕ２との間の角度φが鈍角となる略鈍角三角形である。なお、ここでいう略鈍角三角形とは、正確な鈍角三角形である必要はなく、例えば、第２の辺ｕ２が、基準線である第１の辺ｕ１に近づくにつれて次第に第１の辺ｕ１と平行に近い角度となるような裾野状となっている形状も含まれる。
　このため、図１５に記載の例においては、金属間化合物の表面に直交する方向から金属間化合物の表面を見た場合に、隣接する突起部Ｕのうち図の右側の突起部Ｕでは、仮想線Ｖ２よりも図の左側に位置する一部が図の左側の突起部Ｕの一部に遮られて見ることができない。
　別の観点では、図１５に記載の例において、金属間化合物の表面に直交する方向から金属間化合物の表面を見た場合に、隣接する突起部Ｕのうち図の右側の突起部Ｕにおける仮想線Ｖ１およびＶ２に囲われた一部Ｈ２は、隣接する突起部Ｕのうち図の左側の突起部Ｕにおける仮想線Ｖ１およびＶ２に囲われた一部Ｈ１によって隠れて見ることができないように構成されていてもよい。
　これにより、金属端子の金属間化合物の表面に形成された複数の突起部と外装材との間でアンカー効果が発生し、金属端子と外装材の密着力が高まる。具体的には、外装材を構成するモールド樹脂が、アンダカット形状における突起部の陰となる空間に入り込むことにより、高いアンカー効果が得られる。
　また、金属端子の金属間化合物の表面には、複数の突起部が連続して多数配置されている。好ましくは、複数の突起部のうち少なくとも一部は、規則的に配置された多数の突起部により構成されている。例えば、複数の突起部は、加工目ごとに規則的に配置される。
　複数の突起部Ｕを有する金属間化合物の表面（第１の金属間化合物の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃ、第２の金属間化合物の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃ）の算術平均高さＳａは、０．５μｍ以上であることが好ましい。これにより、金属端子と外装材の密着力がより高まる。
　また、複数の突起部Ｕを有する金属間化合物の表面のスキューネスＳｓｋは、正の値であることが好ましい。これにより、金属端子と外装材の密着力がより高まる。
　第１の方向（レーザーの走査方向）の粗さ曲線におけるＲＳｍに対して、第１の方向と直交する第２の方向の粗さ曲線におけるＲＳｍは２倍以上であってもよい。第１の方向（レーザーの走査方向）の粗さ曲線におけるＲＳｍは、例えば、３μ以上１０μｍ以下であってもよい。
＜粗さパラメータの測定方法＞
　金属端子の表面の表面粗さパラメータの測定方法は以下のとおりである。まず、外装材を溶剤により溶かして、金属端子の表面を露出させる。外装材がエポキシ樹脂の場合、溶剤としては、例えば炭化水素系剥離剤が用いられる。露出した金属端子の表面の金属間化合物の表面の表面粗さパラメータを、レーザー顕微鏡を用いて測定する。
　ＲＳｍ等の線粗さに関する粗さパラメータ測定時は、ＪＩＳ　Ｂ０６０１－２００１（２０１３）に準拠した測定方法により測定される。Ｓａ、Ｓｓｋ等の面粗さに関する粗さパラメータ測定時は、ＩＳＯ　２５１７８に準拠した測定方法により測定される。なお、面粗さ測定時の算術平均高さＳａ等は、算術平均高さＲａ（線の算術平均高さ）等を面に拡張したものである。なお、５か所で測定された粗さパラメータの平均値を、本実施形態の粗さパラメータの測定値とする。
・レーザー顕微鏡：形状解析レーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ１００（株式会社キーエンス社製）
・ピッチ：０．０８μｍ
・視野範囲：１５０μｍ×１５０μｍ
・線粗さ測定時の基準長さ：ＶＫ－Ｘでの標準基準長さ
・カットオフ：無し
　なお、金属間化合物において図１５のような凸形状を形成したい場合は、さらに、レーザーの照射角度の調整、レーザー出力等の条件の調整を行うことにより、アンダカット形状を有する複数の突起部が形成された金属間化合物の表面（第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃ、第２の金属間化合物Ｂｂ３の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃ）を形成することができる。
　また、複数の突起部Ｕのうち少なくとも一部を、規則的に配置された多数の突起部Ｕにより構成するために、レーザーの照射条件を適切に決定してもよい。例えば、レーザーのスポット間隔が３μｍ以上１０μｍ以下となるようにレーザーを照射してもよい。この場合、連続して多数配置されている複数の突起部Ｕは、３μｍ以上１０μｍ以下の間隔で規則的に配置される。
　以下、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。
　まず、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第１～３の変形例について、図１２Ｈ～図１２Ｊを用いて説明する。図１２Ｈは、図１２Ｇに対応する図であって、第１の変形例に係る第１の凸部を示す拡大図である。図１２Ｉは、図１２Ｇに対応する図であって、第２の変形例に係る低ぬれ性表面を示す拡大図である。図１２Ｊは、図１２Ｇに対応する図であって、第３の変形例に係る低ぬれ性表面を示す拡大図である。
　なお、前述のとおり、第１の金属端子１００Ａと、第２の金属端子１００Ｂは、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央のＷＴ断面に対して概ね面対称である。よって、第２の金属端子１００Ｂの拡大図は、第１の金属端子１００Ａの拡大図と紙面左右対称の同じ形状となる。そこで、図１２Ｈ～１２Ｊにおいて、第１の金属端子１００Ａの各構成に付される符号に加えて、第２の金属端子１００Ｂにおける符号を併記し、図１２Ｈ～図１２Ｊを、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂを説明するための拡大図として用いる。
　上述の実施形態では、第１の凸部１００Ａｃおよび第２の凸部１００Ｂｃは、アンダカット形状を有していたが、これに限らず、アンダカット形状を有さなくてもよい。例えば、第１の変形例に係る第１の凸部１００ＡｃＢは、図１２Ｈに示されるように、アンダカット形状を有していない。また、第１の変形例に係る第２の凸部１００ＢｃＢは、図１２Ｈに示されるように、アンダカット形状を有していない。
　このような形状でも、接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制できる。
　なお、上述の実施形態では、凸部は、Ｎｉめっき膜とＳｎめっき膜の積層構造に対して、レーザー照射を施すことにより、低ぬれ性表面としてのＮｉとＳｎの金属間化合物の表面を形成しつつ、最外表面金属膜の表面と低ぬれ性表面との境界部に凸部を形成していた。しかしながら、凸部は他の方法で形成してもよく、例えばストライプめっきにより形成してもよい。ストライプめっきにおいては、レジスト等により、めっき膜を形成したい部分を除く表面をマスキングした上でめっき処理を施す。これにより、部分的にめっき膜が形成される。凸部を形成するめっき膜の材料は、他のめっき膜の材料と同じであってもよく、例えばＳｎであってもよい。
　また、上述の実施形態の積層セラミックコンデンサ１では、低ぬれ性表面として第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃ、および第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃが形成されていたが、これに限らない。例えば、図１２Ｉに示されるように、第２の変形例に係る積層セラミックコンデンサ１では、低ぬれ性表面として第１の下層めっき膜１００Ａｂ１または第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１のＮｉめっきの表面を配置してもよい。あるいは、図１２Ｊに示されるように、第３の変形例に係る積層セラミックコンデンサ１では、低ぬれ性表面として第１の母材１００Ａａまたは第２の母材１００Ｂａの表面を配置してもよい。
　このような構成でも、接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制できる。
　なお、この場合の低ぬれ性表面は、例えば、めっき膜の一部または全部を除去するレーザートリミングにより形成してもよく、ストライプめっきにより形成してもよい。ストライプめっきにおいては、レジスト等で一部の表面をマスキングした状態の端子本体に対してめっき処理が施される。これにより、はんだのぬれ性が低い低ぬれ性表面が形成される。
　次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第４の変形例について、図１７Ａ、図１７Ｂを用いて説明する。図１７Ａは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の変形例を示す図であり、図２に対応する図である。図１７Ｂは、図１７Ａの積層セラミックコンデンサ１を矢印ＸＶＩＩＢの方向から見たときの矢視図であり、図４に対応する図である。
　本変形例においては、金属端子の構成が、上記実施形態とは異なる。本変形例の金属端子は、第１の金属端子２００Ａと、第２の金属端子２００Ｂと、を有する。
　第１の金属端子２００Ａのうち、外装材３の内部に配置されている部分の構成は、上記実施形態の第１の金属端子１００Ａの構成と同じである。第２の金属端子２００Ｂのうち、外装材３の内部に配置されている部分の構成は、上記実施形態の第２の金属端子１００Ｂの構成と同じである。
　第１の金属端子２００Ａは、第１の延長部２３０Ａと、第１の立ち下がり部２４０Ａと、第１の実装部２５０Ａと、を有する。第１の延長部２３０Ａは、外装材３の第１の端面ＬＳ１側の表面ＭＬＳ１から突出してすぐに、第１の立ち下がり部２４０Ａに接続されている。第１の延長部２３０Ａと第１の立ち下がり部２４０Ａの接続部は、略直角に曲げられることにより形成されている。第１の立ち下がり部２４０Ａは、実装面に向かって、実装面に略直交する方向に延びる。第１の実装部２５０Ａは、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央側に向かって、実装面に沿って延びる。
　第２の金属端子２００Ｂは、第２の延長部２３０Ｂと、第２の立ち下がり部２４０Ｂと、第２の実装部２５０Ｂと、を有する。第２の延長部２３０Ｂは、外装材３の第２の端面ＬＳ２側の表面ＭＬＳ２から突出してすぐに、第２の立ち下がり部２４０Ｂに接続されている。第２の延長部２３０Ｂと第２の立ち下がり部２４０Ｂの接続部は、略直角に曲げられることにより形成されている。第２の立ち下がり部２４０Ｂは、実装面に向かって、実装面に略直交する方向に延びる。第２の実装部２５０Ｂは、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央側に向かって、実装面に沿って延びる。
　これにより、第１の金属端子２００Ａおよび第２の金属端子２００Ｂを含む積層セラミックコンデンサ１の長さ方法の寸法Ｌ８を短くすることができる。よって、積層セラミックコンデンサ１を実装基板に実装する際に必要となる実装面積を小さくすることができる。
　なお、この場合においても、第１の金属端子２００Ａの第１の実装部２５０Ａの端部と第２の金属端子２００Ｂの第２の実装部２５０Ｂの端部との離間距離Ｌ７は、図７に示される積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂとの離間距離Ｌ３よりも長いことが好ましい。
　なお、第１の実装部２５０Ａは、実装面に沿って、実装面と平行に延びていてもよいが、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央側に向かうにつれて、実装面から離れるように傾斜して延びていてもよい。第２の実装部２５０Ｂは、実装面に沿って、実装面と平行に延びていてもよいが、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央側に向かうにつれて、実装面から離れるように傾斜して延びていてもよい。これにより、実装基板への積層セラミックコンデンサ１の実装時に接合材をこの部分によび込むことができ、取り付け強度を高めることができる。また、積層セラミックコンデンサ１を実装基板の実装面に安定して配置することができる。なお、この傾斜角度θは、１°以上４０°以下であることが好ましい。
　なお、金属端子は、第１の実施形態とは異なる位置にさらに金属間化合物の表面を有していてもよい。図１７Ａには、第１の金属端子２００Ａの追加の金属間化合物の表面ＥＳ３の配置位置および、第２の金属端子２００Ｂの追加の金属間化合物の表面ＥＳ４の配置位置の一例が示される。
　追加の金属間化合物の表面ＥＳ３は、第１の金属端子２００Ａの第１の立ち下がり部２４０Ａにおける、積層セラミック電子部品１の外装材３の第１の傾斜面ＭＬＳ１Ａと対向する面に配置される。また、追加の金属間化合物の表面ＥＳ３は、第１の実装部２５０Ａにおける、実装面と反対側の面、すなわち、外装材３の第１の主面ＭＴＳ１と対向する面にも配置されていてもよい。
　追加の金属間化合物の表面ＥＳ４は、第２の金属端子２００Ｂの第３の立ち下がり部２４０Ｂにおける、積層セラミックコンデンサ１の外装材３の第２の傾斜面ＭＬＳ２Ａと対向する面に配置される。また、追加の金属間化合物の表面ＥＳ４は、第２の実装部２５０Ｂにおける、実装面と反対側の面、すなわち、外装材３の第１の主面ＭＴＳ１と対向する面にも配置されていてもよい。
　本実施形態でも、このリフロー時の加熱により、第１の接合材５Ａおよび第２の接合材５Ｂが溶融しても、金属間化合物の表面Ｅ１ｂが、第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａにおける、積層セラミック電子部品本体２の第１の表面Ｓ１と対向する面に配置されているため、第１の接合材５Ａが、第１の金属端子１００Ａの立ち上がり部１２０Ａを伝わってぬれ上がりにくい。また、金属間化合物の表面Ｅ２ｂが、第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂにおける、積層セラミック電子部品本体２の第２の表面Ｓ２と対向する面に配置されているため、第２の接合材５Ｂが、第２の金属端子１００Ｂの立ち上がり部１２０Ｂを伝わってぬれ上がりにくい。金属間化合物の表面Ｅ１ａ、金属間化合物の表面Ｅ２ａも同様に、リフロー時のはんだのぬれ広がりを防止する機能を有する。金属間化合物の表面Ｅ１ｃ、金属間化合物の表面Ｅ２ｃも同様に、リフロー時のはんだのぬれ広がりを防止する機能を有する。第１の端子側面ＴＳＳ１に位置する第１の母材１００Ａａの表面および、第２の端子側面ＴＳＳ２に位置する第２の母材１００Ｂａの表面も同様に、リフロー時のはんだのぬれ広がりを防止する機能を有する。
　さらに、積層セラミックコンデンサ１の実装時において、はんだが第１の金属端子２００Ａと外装材３の間および、第２の金属端子２００Ｂと外装材３の間に入り込むのを防止することができる。
　なお、本実施形態の積層セラミックコンデンサ本体２は、複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２が、積層体１０の高さ方向Ｔに交互に配置されていたが、積層セラミックコンデンサ本体２の構成は、これに限らない。複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２は、積層体１０の幅方向Ｗに交互に配置されていてもよい。
　この場合、第１の内部電極層３１の第１の引き出し部を、第１の端面ＬＳ１側の第１の主面ＴＳ１に引き出し、第１の外部電極４０Ａを、第１の主面ＴＳ１上の第１の端面ＬＳ１側のみに配置してもよい。すなわち、第１の端面ＬＳ１には、第１の外部電極４０Ａを設けなくてもよい。この場合、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の端面ＬＳ１側の第１の表面Ｓ１は、積層体１０の第１の端面ＬＳ１によって構成される。また、第２の内部電極層３２の第２の引き出し部を、第２の端面ＬＳ２側の第１の主面ＴＳ１に引き出し、第２の外部電極４０Ｂを、第１の主面ＴＳ１上の第２の端面ＬＳ２側のみに配置してもよい。すなわち、第２の端面ＬＳ２には、第２の外部電極４０Ｂを設けなくてもよい。この場合、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第１の表面Ｓ１は、積層体１０の第２の端面ＬＳ２によって構成される。この場合、隙間部Ｇ内を、接合材５が、よりぬれ上がりにくくなる。
　なお、本実施形態においては、１つの積層セラミックコンデンサ本体２が外装材３に覆われて、積層セラミックコンデンサ１が構成されている例を説明したが、これに限らない。複数の積層セラミック電子部品本体としての積層セラミックコンデンサ本体２が外装材３に覆われて、積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ１が構成されていてもよい。例えば、並列に配置された複数の積層セラミックコンデンサ本体２が外装材３に覆われて、積層セラミックコンデンサ１が構成されていてもよい。例えば、２段以上積み重ねられた積層セラミックコンデンサ本体２が外装材３に覆われて、積層セラミックコンデンサ１が構成されていてもよい。
　なお、積層セラミックコンデンサ本体の構成は、図７～図１０に示す構成に限定されない。例えば、積層セラミックコンデンサ本体は、図１８Ａ、図１８Ｂ、図１８Ｃに示すような、２連構造、３連構造、４連構造の積層セラミックコンデンサであってもよい。
　図１８Ａに示す積層セラミックコンデンサ本体２は、２連構造の積層セラミックコンデンサ本体２であり、内部電極層３０として、第１の内部電極層３３および第２の内部電極層３４に加えて、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２のどちらにも引き出されない浮き内部電極層３５を備える。図１８Ｂに示す積層セラミックコンデンサ本体２は、浮き内部電極層３５として、第１の浮き内部電極層３５Ａおよび第２の浮き内部電極層３５Ｂを備えた、３連構造の積層セラミックコンデンサ本体２である。図１８Ｃに示す積層セラミックコンデンサ本体２は、浮き内部電極層３５として、第１の浮き内部電極層３５Ａ、第２の浮き内部電極層３５Ｂおよび第３の浮き内部電極層３５Ｃを備えた、４連構造の積層セラミックコンデンサ本体２である。このように、内部電極層３０として、浮き内部電極層３５を設けることにより、積層セラミックコンデンサ本体２は、対向電極部が複数に分割された構造となる。これにより、対向する内部電極層３０間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。よって、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くなり、積層セラミックコンデンサ本体２の高耐圧化を図ることができる。なお、本実施形態の積層セラミックコンデンサ本体２は、４連以上の多連構造であってもよいことはいうまでもない。
　なお、積層セラミックコンデンサ本体２は、２個の外部電極を備える２端子型のものであってもよいし、多数の外部電極を備える多端子型のものであってもよい。
　ここで、はんだスプラッシュの発生を抑制するために、レーザートリミングによりめっき膜を完全に除去して、金属端子の母材を部分的に露出させることなども考えられる。しかしながら、例えばレーザートリミングによりめっき膜を完全に除去するためには、長時間のレーザートリミング加工が必要となるため、これを量産工程に組み込むと、この工程がネックとなって設備全体の生産性が落ちてしまうという問題があった。また、高出力のレーザーによりレーザートリミング加工を行うことによって、めっき膜を完全に除去することも考えられるが、この場合、高価な、より高い能力のレーザー加工機を導入する必要性が生じてしまう。その結果、設備価格が高くなり、加工費が上昇するという問題がある。また、最外表面めっき膜としての例えばＳｎめっき膜を完全に除去する場合においても、同様の問題があった。本実施形態であれば、生産性を高めつつ、はんだの過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することができる。
　本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、以下の効果を奏する。
　（１）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１（積層セラミック電子部品１）は、積層された複数の誘電体層２０（セラミック層２０）と積層された複数の内部電極層３０（内部導体層３０）とを含み、高さ方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、高さ方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む積層体１０と、第１の端面ＬＳ１側に配置される第１の外部電極４０Ａと、第２の端面ＬＳ２側に配置される第２の外部電極４０Ｂと、を有する積層セラミックコンデンサ本体２（積層セラミック電子部品本体２）と、接合材５（第１の接合材５Ａ）を介して第１の外部電極４０Ａに接続される第１の金属端子１００Ａと、接合材５（第２の接合材５Ｂ）を介して第２の外部電極４０Ｂに接続される第２の金属端子１００Ｂと、積層セラミックコンデンサ本体２と、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部と、を覆う外装材３と、を備える、積層セラミックコンデンサ１であって、第１の金属端子１００Ａは、接合材５（第１の接合材５Ａ）と接合している第１の接合面１１０Ａ１と、外装材３と接触している第１の接触面ＣＳ１と、を有し、第２の金属端子１００Ｂは、接合材５（第２の接合材５Ｂ）と接合している第２の接合面１１０Ｂ１と、外装材３と接触している第２の接触面ＣＳ２と、を有し、外装材３と接触している第１の接触面ＣＳ１は、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２（第１の最外表面金属膜１００Ａｂ２）の表面と、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面よりもぬれ性の低い第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃと、を備え、外装材３と接触している第２の接触面ＣＳ２は、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２（第２の最外表面金属膜１００Ｂｂ２）の表面と、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面よりもぬれ性の低い第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃと、を備え、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃとの境界部に、第１の凸部１００Ａｃが配置され、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃとの境界部に、第２の凸部１００Ｂｃが配置される。
　最外表面金属膜の表面と低ぬれ性表面との境界部に凸部が配置されていることにより、接合材の過剰な流れ出しをより適切にくい止めることができる。よって、本開示によれば、接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供できる。
　なお、金属端子にめっき膜が形成されていることにより、接合材による接合性を高めることができるが、金属端子上に形成されためっき膜の表面は平滑であるため、金属端子と外装材との間の界面で剥離しやすくなる可能性がある。この場合、外部の蒸気が外装材の内部に浸入し、電子部品の信頼性が低下してしまう可能性がある。
　本開示によれば、最外表面金属膜の表面と低ぬれ性表面との境界部に凸部が配置されていることにより、金属端子と外装材との間の接合性が高まり、金属端子と外装材との間の界面での剥離を抑制し、電子部品の信頼性の低下を抑制することが可能となる。
　（２）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の凸部１００Ａｃは、アンダカット形状を有し、第２の凸部１００Ｂｃは、アンダカット形状を有する。これにより、必要な部分のはんだのぬれ性を確保しつつ、はんだの過剰な流れ出しをより適切に抑制することができる。また、金属端子と外装材との間の接合性をより高めることができる。
　（３）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の金属端子１００Ａは、第１の母材１００Ａａと、第１の母材１００Ａａの表面に形成された第１のめっき膜１００Ａｂを含み、第２の金属端子１００Ｂは、第２の母材１００Ｂａと、第２の母材１００Ｂａの表面に形成された第２のめっき膜１００Ｂｂを含み、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２は、第１のめっき膜の少なくとも最外表面部を含み、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２は、第２のめっき膜の少なくとも最外表面部を含む。これにより、必要な部分のはんだのぬれ性を確保しつつ、はんだの過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供できる。
　（４）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１のめっき膜１００Ａｂは、第１の最外表面金属膜を構成する第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２と、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の下層に配置された第１の下層めっき膜１００Ａｂ１と、を含み、第２のめっき膜１００Ｂｂは、第２の最外表面金属膜を構成する第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２と、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の下層に配置された第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１と、を含む。これにより、必要な部分のはんだのぬれ性を確保しつつ、はんだの過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供できる。
　（５）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の凸部１００Ａｃの隆起高さｄ１は、第１の下層めっき膜１００Ａｂ１の厚みｄ２よりも大きく、第２の凸部１００Ｂｃの隆起高さｄ１は、第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１の厚みｄ２よりも大きい。これにより、必要な部分のはんだのぬれ性を確保しつつ、はんだの過剰な流れ出しをより適切に抑制することができる。
　（６）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２および第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２はＳｎめっき膜であり、第１の下層めっき膜１００Ａｂ１および第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１はＮｉめっき膜である。これにより、必要な部分のはんだのぬれ性を確保しつつ、はんだの過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供できる。
　（７）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の低ぬれ性表面は、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２を構成する金属と第１の下層めっき膜１００Ａｂ１を構成する金属とにより構成される第１の金属間化合物１００Ａｂ３の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃであり、第２の低ぬれ性表面は、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２を構成する金属と第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１を構成する金属とにより構成される第２の金属間化合物１００Ｂｂ３の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃである。これにより、必要な部分のはんだのぬれ性を確保しつつ、はんだの過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供できる。また、レーザートリミングによりめっき膜を完全に除去するよりも、短い時間でぬれ性の低い金属間化合物を形成することが可能であるため、設備全体の生産性を向上させることができる。また、レーザー照射処理に必要なレーザーの出力を抑えることができるため、生産コストも低減することができる。
　（８）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の金属間化合物１００Ａｂ３および第２の金属間化合物１００Ｂｂ３は、ＮｉとＳｎの金属間化合物により構成されている。これにより、必要な部分のはんだのぬれ性を確保しつつ、はんだの過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供できる。
　（９）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の低ぬれ性表面は、第１の金属端子１００Ａの第１の下層めっき膜１００Ａｂ１の表面であり、第２の低ぬれ性表面は、第２の金属端子１００Ｂの第２の下層めっき膜１００Ｂｂ１の表面である。これにより、必要な部分のはんだのぬれ性を確保しつつ、はんだの過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供できる。
　（１０）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の低ぬれ性表面は、第１の金属端子１００Ａの第１の母材１００Ａａの表面であり、第２の低ぬれ性表面は、第２の金属端子１００Ｂの第２の母材１００Ｂａの表面である。これにより、必要な部分のはんだのぬれ性を確保しつつ、はんだの過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することが可能な積層セラミック電子部品を提供できる。
　（１１）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、積層セラミックコンデンサ１が実装されるべき実装基板３１０の実装面３１１に実装される金属端子であり、積層体１０の第１の主面ＴＳ１は、実装面３１１と対向する面であり、第１の外部電極４０Ａは、少なくとも第１の主面ＴＳ１上の第１の端面ＬＳ１側に配置され、第２の外部電極４０Ｂは、少なくとも第１の主面ＴＳ１上の第２の端面ＬＳ２側に配置され、第１の金属端子１００Ａは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第１の外部電極４０Ａに接続される第１の接合部１１０Ａと、第１の接合部１１０Ａに接続され、実装面３１１から遠ざかるように延びる第１の立ち上がり部１２０Ａと、第１の立ち上がり部１２０Ａに接続され、積層セラミックコンデンサ本体２から遠ざかるように延びる第１の延長部１３０Ａと、を含み、第２の金属端子１００Ｂは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第２の外部電極４０Ｂに接続される第２の接合部１１０Ｂと、第２の接合部１１０Ｂに接続され、実装面３１１から遠ざかるように延びる第２の立ち上がり部１２０Ｂと、第２の立ち上がり部１２０Ｂに接続され、積層セラミックコンデンサ本体２から遠ざかるように延びる第２の延長部１３０Ｂと、を含む。これにより、はんだのぬれ上がりの経路を長くすることができ、不必要なはんだの流れ出しを適切に防止することができる。
　（１２）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の金属端子１００Ａは、第１の外部電極４０Ａが接合される第１の接合面１１０Ａ１側の第１の正面ＦＳ１と、第１の正面ＦＳ１とは反対側の面である第１の反対面ＢＳ１と、第１の正面ＦＳ１と第１の反対面ＢＳ１とを繋ぐ第１の端子側面ＴＳＳ１と、を含む板状部材であり、第２の金属端子１００Ｂは、第２の外部電極４０Ｂが接合される第２の接合面１１０Ｂ１側の第２の正面ＦＳ２と、第２の正面ＦＳ２とは反対側の面である第２の反対面ＢＳ２と、第２の正面ＦＳ２と第２の反対面ＢＳ２とを繋ぐ第２の端子側面ＴＳＳ２と、を含む板状部材である。これにより、低ぬれ性表面を容易に形成することが可能となる。例えばレーザー照射処理等による加工により容易に金属間化合物の表面を形成することができる。
　（１３）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第１の接触面ＣＳ１に設けられた第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂは、第１の正面ＦＳ１において、第１の立ち上がり部１２０Ａの中央と第１の接合部１１０Ａの間の表面の少なくとも一部と、第１の延長部１３０Ａと、に離間して設けられ、第２の接触面ＣＳ２に設けられた第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂは、第２の正面ＦＳ２において、第２の立ち上がり部１２０Ｂの中央と第２の接合部１１０Ｂの間の表面の少なくとも一部と、第２の延長部１３０Ｂと、に離間して設けられている。これにより、例えばレーザー照射処理等の加工により低ぬれ性表面としての金属間化合物の表面を形成する場合において、金属間化合物の表面を形成する加工量を減らしつつ、接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することができる。
　（１４）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第１の接触面ＣＳ１に設けられた第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物の表面Ｅ１ａは、第１の延長部１３０Ａの第１の正面ＦＳ１におよび第１の反対面ＢＳ１に設けられ、第２の接触面ＣＳ２に設けられた第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物の表面Ｅ２ａは、第２の延長部１３０Ｂの第２の正面ＦＳ２におよび第２の反対面ＢＳ２に設けられている。これにより、接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することができる。
　（１５）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第１の接合部１１０Ａの第１の反対面ＢＳ１に、第１の接触面ＣＳ１に設けられた第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物の表面Ｅ１ｃが設けられ、第２の接合部１１０Ｂの第２の反対面ＢＳ２に、第２の接触面ＣＳ２に設けられた第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物の表面Ｅ２ｃが設けられている。これにより、接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することができる。
　（１６）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第１の接触面ＣＳ１は、外装材３に接触する表面として、第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と、第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃと、第１の母材１００Ａａの表面と、を含み、第２の接触面ＣＳ２は、外装材３に接触する表面として、第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と、第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃと、第２の母材１００Ｂａの表面と、を含む。これにより、はんだぬれ性等を確保しつつ、接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することができる。
　（１７）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第１の接触面ＣＳ１は、第１の接合部１１０Ａにおいて、第１の正面ＦＳ１に位置する第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と、第１の反対面ＢＳ１に位置する第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物の表面Ｅ１ｃと、側面に位置する第１の母材１００Ａａの表面と、を含み、第２の接触面ＣＳ２は、第２の接合部１１０Ｂにおいて、第２の正面ＦＳ２に位置する第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と、第２の反対面ＢＳ２に位置する第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物の表面Ｅ２ｃと、側面に位置する第２の母材１００Ｂａの表面と、を含む。これにより、はんだぬれ性等を確保しつつ、接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することができる。
　（１８）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第１の接触面ＣＳ１は、第１の立ち上がり部１２０Ａの中央と第１の接合部１１０Ａの間の表面の少なくとも一部において、第１の正面ＦＳ１に位置する第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物の表面Ｅ１ｂと、第１の反対面ＢＳ１に位置する第１の最外表面めっき膜１００Ａｂ２の表面と、側面に位置する第１の母材１００Ａａの表面と、を含み、第２の接触面ＣＳ２は、第２の立ち上がり部１２０Ｂの中央と第２の接合部１１０Ｂの間の表面の少なくとも一部において、第２の正面ＦＳ２に位置する第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物の表面Ｅ２ｂと、第２の反対面ＢＳ２に位置する第２の最外表面めっき膜１００Ｂｂ２の表面と、側面に位置する第２の母材１００Ｂａの表面と、を含む。これにより、はんだぬれ性等を確保しつつ、接合材の過剰な流れ出しを適切に抑制し、はんだスプラッシュの発生を抑制することができる。
　（１９）本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第１の接触面ＣＳ１に設けられた第１の低ぬれ性表面としての第１の金属間化合物の表面Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ１ｃは、第１の金属端子１００Ａに形成された穴または切り欠きにより、幅方向に分離され、第２の接触面ＣＳ２に設けられた第２の低ぬれ性表面としての第２の金属間化合物の表面Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ２ｃは、第２の金属端子１００Ｂに形成された穴または切り欠きにより、幅方向に分離されている。これにより、例えばレーザー照射処理等の加工により低ぬれ性表面としての金属間化合物の表面を形成する場合において、低ぬれ性表面としての金属間化合物の表面を形成する加工量を少なくしつつ、効果的にはんだの流れ出だしを抑制することができる。
　なお、上述した実施形態では、積層セラミック電子部品として、誘電体セラミックを用いた積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明の積層セラミック電子部品はこれに限定されず、圧電体セラミックを用いた圧電部品、半導体セラミックを用いたサーミスタ、磁性体セラミックを用いたインダクタ等の種々の積層セラミック電子部品にも適用可能である。圧電体セラミックとしてはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック等が挙げられ、半導体セラミックとしてはスピネル系セラミック等が挙げられ、磁性体セラミックとしてはフェライト等が挙げられる。
　本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、上記実施形態において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
　１　積層セラミックコンデンサ（積層セラミック電子部品）
　２　積層セラミックコンデンサ本体（積層セラミック電子部品本体）
　３　外装材
　５　接合材
　５Ａ　接合材
　５Ｂ　接合材
　１０　積層体
　２０　誘電体層（セラミック層）
　３０　内部電極層（内部導体層）
　１００Ａ　第１の金属端子
　１１０Ａ１　第１の接合面
　１００Ａｂ２　第１の最外表面めっき膜（第１の最外表面金属膜）
　１００Ａｃ　第１の凸部
　１００Ｂ　第２の金属端子
　１１０Ｂ１　第２の接合面
　１００Ｂｂ２　第２の最外表面めっき膜（第２の最外表面金属膜）
　１００Ｂｃ　第２の凸部
　Ｅ１ａ　第１の金属間化合物の表面（第１の低ぬれ性表面）
　Ｅ１ｂ　第１の金属間化合物の表面（第１の低ぬれ性表面）
　Ｅ１ｃ　第１の金属間化合物の表面（第１の低ぬれ性表面）
　Ｅ２ａ　第２の金属間化合物の表面（第２の低ぬれ性表面）
　Ｅ２ｂ　第２の金属間化合物の表面（第２の低ぬれ性表面）
　Ｅ２ｃ　第２の金属間化合物の表面（第２の低ぬれ性表面）
　ＣＳ１　第１の接触面
　ＣＳ２　第２の接触面
　Ｌ　長さ方向
　ＬＳ１　第１の端面
　ＬＳ２　第２の端面
　Ｔ　高さ方向
　ＴＳ１　第１の主面
　ＴＳ２　第２の主面
　Ｕ　突起部
　Ｗ　幅方向
　ＷＳ１　第１の側面
　ＷＳ２　第２の側面

Claims (19)

  1. 　積層された複数のセラミック層と積層された複数の内部導体層とを含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、前記第１の端面側に配置される第１の外部電極と、前記第２の端面側に配置される第２の外部電極と、を有する積層セラミック電子部品本体と、
    　接合材を介して前記第１の外部電極に接続される第１の金属端子と、
    　接合材を介して前記第２の外部電極に接続される第２の金属端子と、
    　前記積層セラミック電子部品本体と、前記第１の金属端子の一部と、前記第２の金属端子の一部と、を覆う外装材と、
    を備える、積層セラミック電子部品であって、
    　前記第１の金属端子は、前記接合材と接合している第１の接合面と、前記外装材と接触している第１の接触面と、を有し、
    　前記第２の金属端子は、前記接合材と接合している第２の接合面と、前記外装材と接触している第２の接触面と、を有し、
    　前記外装材と接触している第１の接触面は、第１の最外表面金属膜の表面と、前記第１の最外表面金属膜よりもぬれ性の低い第１の低ぬれ性表面と、を備え、
    　前記外装材と接触している第２の接触面は、第２の最外表面金属膜の表面と、前記第２の最外表面金属膜よりもぬれ性の低い第２の低ぬれ性表面と、を備え、
    　前記第１の最外表面金属膜の表面と前記第１の低ぬれ性表面との境界部に、第１の凸部が配置され、
    　前記第２の最外表面金属膜の表面と前記第２の低ぬれ性表面との境界部に、第２の凸部が配置されている、積層セラミック電子部品。
  2. 　前記第１の凸部は、アンダカット形状を有し、
    　前記第２の凸部は、アンダカット形状を有する、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
  3. 　前記第１の金属端子は、第１の母材と、前記第１の母材の表面に形成された第１のめっき膜を含み、
    　前記第２の金属端子は、第２の母材と、前記第２の母材の表面に形成された第２のめっき膜を含み、
    　前記第１の最外表面金属膜は、前記第１のめっき膜の少なくとも最外表面部を含み、
    　前記第２の最外表面金属膜は、前記第２のめっき膜の少なくとも最外表面部を含む、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
  4. 　前記第１のめっき膜は、前記第１の最外表面金属膜を構成する第１の最外表面めっき膜と、前記第１の最外表面めっき膜の下層に配置された第１の下層めっき膜と、を含み、
    　前記第２のめっき膜は、前記第２の最外表面金属膜を構成する第２の最外表面めっき膜と、前記第２の最外表面めっき膜の下層に配置された第２の下層めっき膜と、を含む、請求項３に記載の積層セラミック電子部品。
  5. 　前記第１の凸部の隆起高さは、前記第１の下層めっき膜の厚みよりも大きく、
    　前記第２の凸部の隆起高さは、前記第２の下層めっき膜の厚みよりも大きい、請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
  6. 　前記第１の最外表面めっき膜および前記第２の最外表面めっき膜はＳｎめっき膜であり、
    　前記第１の下層めっき膜および前記第２の下層めっき膜はＮｉめっき膜である、請求項４または請求項５に記載の積層セラミック電子部品。
  7. 　前記第１の低ぬれ性表面は、前記第１の最外表面めっき膜を構成する金属と前記第１の下層めっき膜を構成する金属とにより構成される第１の金属間化合物の表面であり、
    　前記第２の低ぬれ性表面は、前記第２の最外表面めっき膜を構成する金属と前記第２の下層めっき膜を構成する金属とにより構成される第２の金属間化合物の表面である、請求項４～６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
  8. 　前記第１の金属間化合物および前記第２の金属間化合物は、ＮｉとＳｎの金属間化合物により構成されている、請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
  9. 　前記第１の低ぬれ性表面は、前記第１の金属端子の前記第１の下層めっき膜の表面であり、
    　前記第２の低ぬれ性表面は、前記第２の金属端子の前記第２の下層めっき膜の表面である、請求項４～６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
  10. 　前記第１の低ぬれ性表面は、前記第１の金属端子の前記第１の母材の表面であり、
    　前記第２の低ぬれ性表面は、前記第２の金属端子の前記第２の母材の表面である、請求項３～６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
  11. 　前記第１の金属端子および前記第２の金属端子は、前記積層セラミック電子部品が実装されるべき実装基板の実装面に実装される金属端子であり、
    　前記積層体の前記第１の主面は、前記実装面と対向する面であり、
    　前記第１の外部電極は、少なくとも前記第１の主面上の前記第１の端面側に配置され、
    　前記第２の外部電極は、少なくとも前記第１の主面上の前記第２の端面側に配置され、
    　前記第１の金属端子は、
    　前記第１の主面と対向し、前記第１の外部電極に接続される第１の接合部と、
    　前記第１の接合部に接続され、前記実装面から遠ざかるように延びる第１の立ち上がり部と、
    　前記第１の立ち上がり部に接続され、前記積層セラミック電子部品本体から遠ざかるように延びる第１の延長部と、を含み、
    　前記第２の金属端子は、
    　前記第１の主面と対向し、前記第２の外部電極に接続される第２の接合部と、
    　前記第２の接合部に接続され、前記実装面から遠ざかるように延びる第２の立ち上がり部と、
    　前記第２の立ち上がり部に接続され、前記積層セラミック電子部品本体から遠ざかるように延びる第２の延長部と、を含む、請求項４～６のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
     
  12. 　前記第１の金属端子は、前記第１の外部電極が接合される前記第１の接合面側の第１の正面と、前記第１の正面とは反対側の面である第１の反対面と、前記第１の正面と前記第１の反対面とを繋ぐ第１の端子側面と、を含む板状部材であり、
    　前記第２の金属端子は、前記第２の外部電極が接合される前記第２の接合面側の第２の正面と、前記第２の正面とは反対側の面である第２の反対面と、前記第２の正面と前記第２の反対面とを繋ぐ第２の端子側面と、を含む板状部材である、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品。
  13. 　前記第１の接触面に設けられた前記第１の低ぬれ性表面は、前記第１の正面において、前記第１の立ち上がり部の中央と前記第１の接合部の間の表面の少なくとも一部と、前記第１の延長部と、に離間して設けられ、
    　前記第２の接触面に設けられた前記第２の低ぬれ性表面は、前記第２の正面において、前記第２の立ち上がり部の中央と前記第２の接合部の間の表面の少なくとも一部と、前記第２の延長部と、に離間して設けられている、請求項１２に記載の積層セラミック電子部品。
  14. 　前記第１の接触面に設けられた前記第１の低ぬれ性表面は、前記第１の延長部の前記第１の正面におよび前記第１の反対面に設けられ、
    　前記第２の接触面に設けられた前記第２の低ぬれ性表面は、前記第２の延長部の前記第２の正面におよび前記第２の反対面に設けられている、請求項１２または請求項１３に記載の積層セラミック電子部品。
  15. 　前記第１の接合部の前記第１の反対面に、前記第１の接触面に設けられた前記第１の低ぬれ性表面が設けられ、
    　前記第２の接合部の前記第２の反対面に、前記第２の接触面に設けられた前記第２の低ぬれ性表面が設けられている、請求項１２～１４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
  16. 　前記第１の接触面は、前記外装材に接触する表面として、前記第１の最外表面金属膜の表面と、前記第１の低ぬれ性表面と、前記第１の母材の表面と、を含み、
    　前記第２の接触面は、前記外装材に接触する表面として、前記第２の最外表面金属膜の表面と、前記第２の低ぬれ性表面と、前記第２の母材の表面と、を含む、請求項１２に記載の積層セラミック電子部品。
  17. 　前記第１の接触面は、前記第１の接合部において、前記第１の正面に位置する前記第１の最外表面金属膜の表面と、前記第１の反対面に位置する前記第１の低ぬれ性表面と、側面に位置する前記第１の母材の表面と、を含み、
    　前記第２の接触面は、前記第２の接合部において、前記第２の正面に位置する前記第２の最外表面金属膜の表面と、前記第２の反対面に位置する前記第２の低ぬれ性表面と、側面に位置する前記第２の母材の表面と、を含む、請求項１６に記載の積層セラミック電子部品。
  18. 　前記第１の接触面は、前記第１の立ち上がり部の中央と前記第１の接合部の間の表面の少なくとも一部において、前記第１の正面に位置する前記第１の低ぬれ性表面と、前記第１の反対面に位置する前記第１の最外表面金属膜の表面と、側面に位置する前記第１の母材の表面と、を含み、
    　前記第２の接触面は、前記第２の立ち上がり部の中央と前記第２の接合部の間の表面の少なくとも一部において、前記第２の正面に位置する前記第２の低ぬれ性表面と、前記第２の反対面に位置する前記第２の最外表面金属膜の表面と、側面に位置する前記第２の母材の表面と、を含む、請求項１６または請求項１７に記載の積層セラミック電子部品。
  19. 　前記第１の接触面に設けられた前記第１の低ぬれ性表面は、前記第１の金属端子に形成された穴または切り欠きにより、前記幅方向に分離され、
    　前記第２の接触面に設けられた前記第２の低ぬれ性表面は、前記第２の金属端子に形成された穴または切り欠きにより、前記幅方向に分離されている、請求項１～１８のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166457A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Showa Denki Kk 電子部品のリード端子の構造
JP2019145767A (ja) 2018-02-19 2019-08-29 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 電子部品
JP2020004832A (ja) * 2018-06-27 2020-01-09 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP2022142240A (ja) * 2021-03-16 2022-09-30 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP2023042425A (ja) * 2021-09-14 2023-03-27 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5126379B2 (ja) * 2011-03-25 2013-01-23 株式会社村田製作所 チップ部品構造体
JP7019946B2 (ja) * 2016-12-05 2022-02-16 株式会社村田製作所 積層コンデンサ内蔵基板
JP7097761B2 (ja) * 2018-06-27 2022-07-08 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166457A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Showa Denki Kk 電子部品のリード端子の構造
JP2019145767A (ja) 2018-02-19 2019-08-29 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 電子部品
JP2020004832A (ja) * 2018-06-27 2020-01-09 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP2022142240A (ja) * 2021-03-16 2022-09-30 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP2023042425A (ja) * 2021-09-14 2023-03-27 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品

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