JP2023045850A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

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Abstract

【課題】外装材を備える構成により高耐圧性能を確保するとともに、通常使用時は外装材内部の配線抵抗を低く維持しつつ、積層セラミックコンデンサ本体が故障により短絡した場合において、金属端子間を過電流が流れ続けることを防止することが可能な積層セラミックコンデンサを提供すること。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１は、積層セラミックコンデンサ本体２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００と、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａと接続される第１の金属端子１００Ａと、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第４の外部電極２４０Ｂと接続される第２の金属端子１００Ｂと、積層セラミックコンデンサ本体２、積層ＰＴＣサーミスタ２００、および金属端子の一部を覆う外装材３と、を備え、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の外部電極４０Ｂと、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の外部電極２４０Ａは、電気的に接続されている。【選択図】図６

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
従来、外装材としての樹脂に覆われている積層セラミックコンデンサが知られている。このような積層セラミックコンデンサは、外装材の外部に引き出される金属端子と、積層セラミックコンデンサ本体の表面に配置される外部電極とが、外装材の内部において、はんだなどの金属を含む接合材により接合されている。
特開２０１９－１４５７６７号公報
このような積層セラミックコンデンサは、沿面距離を確保し、高耐圧性能を得ることができる。しかしながら、このような積層セラミックコンデンサにおいては、積層セラミックコンデンサ本体が故障により短絡した場合、金属端子間もそれに伴い短絡する。
本発明の目的は、外装材を備える構成により高耐圧性能を確保するとともに、通常使用時は外装材内部の配線抵抗を低く維持しつつ、積層セラミックコンデンサ本体が故障により短絡した場合において、金属端子間を過電流が流れ続けることを防止することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することである。
本発明に係る積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と、誘電体層上に積層された複数の内部電極層とを含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含むコンデンサ積層体と、前記第１の端面側に配置される第１の外部電極と、前記第２の端面側に配置される第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサ本体と、積層された複数の半導体セラミック層と、半導体セラミック層上に積層された複数の内部電極層とを含み、高さ方向に相対する第３の主面および第４の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第３の側面および第４の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第３の端面および第４の端面と、を含むサーミスタ積層体と、前記第３の端面側に配置される第３の外部電極と、前記第４の端面側に配置される第４の外部電極と、を有する積層ＰＴＣサーミスタと、前記第１の外部電極と接続される第１の金属端子と、前記第４の外部電極と接続される第２の金属端子と、前記積層セラミックコンデンサ本体と、前記積層ＰＴＣサーミスタと、前記第１の金属端子の一部と、前記第２の金属端子の一部とを覆う外装材と、を備え、前記第２の外部電極と、前記第３の外部電極は、電気的に接続されている。
本発明によれば、外装材を備える構成により高耐圧性能を確保するとともに、通常使用時は外装材内部の配線抵抗を低く維持しつつ、積層セラミックコンデンサ本体が故障により短絡した場合において、金属端子間を過電流が流れ続けることを防止することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。
本実施形態の積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。 図１の積層セラミックコンデンサを矢印ＩＩの方向から見たときの矢視図である。 図２の積層セラミックコンデンサを矢印ＩＩＩの方向から見たときの矢視図である。 図２の積層セラミックコンデンサを矢印ＩＶの方向から見たときの矢視図である。 図１に対応する図であり、積層セラミックコンデンサの内部の構造を説明するための仮想的な斜視図である。 図４の積層セラミックコンデンサ１のＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。 外装材に覆われる前であって、金属端子が取り付けられる前の、積層セラミックコンデンサ本体の外観を示す外観斜視図である。 図７の積層セラミックコンデンサ本体のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。 図８の積層セラミックコンデンサ本体のＩＸ－ＩＸ線に沿った断面図である。 図８の積層セラミックコンデンサ本体のＸ－Ｘ線に沿った断面図である。 外装材に覆われる前であって、金属端子が取り付けられる前の、積層ＰＴＣサーミスタの外観を示す外観斜視図である。 図１１の積層ＰＴＣサーミスタのＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿った断面図である。 積層セラミックコンデンサ本体および積層ＰＴＣサーミスタと、金属端子とを接合する工程を説明するための図である。 本実施形態の積層セラミックコンデンサが実装基板に実装された実装構造を示す外観斜視図である。 本実施形態の積層セラミックコンデンサの第１の変形例を示す図である。 本実施形態の積層セラミックコンデンサの第２の変形例を示す図である。 本実施形態の積層セラミックコンデンサの第３の変形例を示す図である。 本実施形態の積層セラミックコンデンサの第４の変形例を示す図である。 ２連構造の積層セラミックコンデンサを示す図である。 ３連構造の積層セラミックコンデンサを示す図である。 ４連構造の積層セラミックコンデンサを示す図である。
以下、本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について説明する。図１は、積層セラミックコンデンサ１の外観斜視図である。図２は図１の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＩＩの方向から見たときの矢視図である。図３は図２の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＩＩＩの方向から見たときの矢視図である。図４は図２の積層セラミックコンデンサ１を矢印ＩＶの方向から見たときの矢視図である。図５は、図１に対応する図であり、積層セラミックコンデンサ１の内部の構造を説明するための仮想的な斜視図である。図６は、図４の積層セラミックコンデンサ１のＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。
積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ１は、積層セラミック電子部品本体としての積層セラミックコンデンサ本体２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００と、金属端子１００と、外装材３と、を有する。積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００は、外装材３によって覆われているため、図１～図４には図示されていない。図５、図６に、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００が示されている。
図５、図６に加えて、図７～図１０を用いて、積層セラミックコンデンサ本体２について説明する。図７は、外装材３に覆われる前であって、金属端子１００が取り付けられる前の、積層セラミックコンデンサ本体２の外観を示す外観斜視図である。図８は、図７の積層セラミックコンデンサ本体２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。図９は、図８の積層セラミックコンデンサ本体２のＩＸ－ＩＸ線に沿った断面図である。図１０は、図８の積層セラミックコンデンサ本体２のＸ－Ｘ線に沿った断面図である。
積層セラミックコンデンサ本体２は、コンデンサ積層体１０と、外部電極４０と、を有する。
図７～図１０には、ＸＹＺ直交座標系が示されている。図５、図７に示すように、積層セラミックコンデンサ本体２およびコンデンサ積層体１０の長さ方向Ｌは、Ｘ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ本体２およびコンデンサ積層体１０の幅方向Ｗは、Ｙ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ本体２およびコンデンサ積層体１０の高さ方向Ｔは、Ｚ方向と対応している。ここで、図８に示す断面はＬＴ断面とも称される。図９に示す断面はＷＴ断面とも称される。図１０に示す断面はＬＷ断面とも称される。なお、図１～図６、図１１～図１６においても、同様のＸＹＺ直交座標系が示されている。
図５～図１０に示すように、コンデンサ積層体１０は、高さ方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、高さ方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む。
コンデンサ積層体１０は、略直方体形状を有している。なお、コンデンサ積層体１０の長さ方向Ｌの寸法は、幅方向Ｗの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。コンデンサ積層体１０の角部および稜線部には、丸みがつけられていることが好ましい。角部は、積層体の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体の２面が交わる部分である。なお、コンデンサ積層体１０を構成する表面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
コンデンサ積層体１０の寸法は、特に限定されないが、コンデンサ積層体１０の長さ方向Ｌの寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、コンデンサ積層体１０の高さ方向Ｔの寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、コンデンサ積層体１０の幅方向Ｗの寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
図８および図９に示すように、コンデンサ積層体１０は、内層部１１と、高さ方向Ｔにおいて内層部１１を挟み込むように配置された第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３と、を有する。なお、内層部１１は、有効層部ともいう。
内層部１１は、複数のセラミック層としての複数の誘電体層２０と、複数の内部導体層としての複数の内部電極層３０と、を含む。内層部１１は、高さ方向Ｔにおいて、最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極層３０から最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極層３０までを含む。内層部１１では、複数の内部電極層３０が誘電体層２０を介して対向して配置されている。内層部１１は、静電容量を発生させ実質的にコンデンサとして機能する部分である。
複数の誘電体層２０は、誘電体材料により構成される。誘電体材料は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、またはＣａＺｒＯ３などの成分を含む誘電体セラミックであってもよい。また、誘電体材料は、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものであってもよい。
誘電体層２０の厚みは、０．５μｍ以上７２μｍ以下であることが好ましい。積層される誘電体層２０の枚数は、１０枚以上７００枚以下であることが好ましい。なお、この誘電体層２０の枚数は、内層部１１の誘電体層の枚数と第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３の誘電体層の枚数との総数である。
複数の内部電極層３０は、複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２を有する。複数の第１の内部電極層３１は、複数の誘電体層２０上に配置されている。複数の第２の内部電極層３２は、複数の誘電体層２０上に配置されている。複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２は、コンデンサ積層体１０の高さ方向Ｔに誘電体層２０を介して交互に配置されている。第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、誘電体層２０を挟むようにして配置されている。
第１の内部電極層３１は、第２の内部電極層３２に対向する第１の対向部３１Ａと、第１の対向部３１Ａから第１の端面ＬＳ１に引き出される第１の引き出し部３１Ｂとを有している。第１の引き出し部３１Ｂは、第１の端面ＬＳ１に露出している。
第２の内部電極層３２は、第１の内部電極層３１に対向する第２の対向部３２Ａと、第２の対向部３２Ａから第２の端面ＬＳ２に引き出される第２の引き出し部３２Ｂとを有している。第２の引き出し部３２Ｂは、第２の端面ＬＳ２に露出している。
本実施形態では、第１の対向部３１Ａと第２の対向部３２Ａが誘電体層２０を介して対向することにより容量が形成され、コンデンサの特性が発現する。
第１の対向部３１Ａおよび第２の対向部３２Ａの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。第１の引出き出し部３１Ｂおよび第２の引き出し部３２Ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。
第１の対向部３１Ａの幅方向Ｗの寸法と第１の引き出し部３１Ｂの幅方向Ｗの寸法は、同じ寸法で形成されていてもよく、どちらか一方の寸法が小さく形成されていてもよい。第２の対向部３２Ａの幅方向Ｗの寸法と第２の引き出し部３２Ｂの幅方向Ｗの寸法は、同じ寸法で形成されていてもよく、どちらか一方の寸法が狭く形成されていてもよい。
第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成される。合金を用いる場合、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２は、例えばＡｇ－Ｐｄ合金等により構成されてもよい。
第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２のそれぞれの厚みは、例えば、０．２μｍ以上３．０μｍ以下程度であることが好ましい。第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の枚数は、合わせて５枚以上３５０枚以下であることが好ましい。
第１の主面側外層部１２は、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に位置する。第１の主面側外層部１２は、第１の主面ＴＳ１と最も第１の主面ＴＳ１に近い内部電極層３０との間に位置する複数のセラミック層としての誘電体層２０の集合体である。すなわち、第１の主面側外層部１２は、第１の主面ＴＳ１と、複数の内部電極層３０のうち最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極層３０との間に位置する複数の誘電体層２０から形成されている。第１の主面側外層部１２で用いられる誘電体層２０は、内層部１１で用いられる誘電体層２０と同じものであってもよい。
第２の主面側外層部１３は、コンデンサ積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に位置する。第２の主面側外層部１３は、第２の主面ＴＳ２と最も第２の主面ＴＳ２に近い内部電極層３０との間に位置する複数のセラミック層としての誘電体層２０の集合体である。すなわち、第２の主面側外層部１３は、第２の主面ＴＳ２と、複数の内部電極層３０のうち最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極層３０との間に位置する複数の誘電体層２０から形成されている。第２の主面側外層部１３で用いられる誘電体層２０は、内層部１１で用いられる誘電体層２０と同じものであってもよい。
以上のように、コンデンサ積層体１０は、積層された複数の誘電体層２０と、誘電体層２０上に積層された複数の内部電極層３０と、を有する。すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２０と内部電極層３０とが交互に積層されたコンデンサ積層体１０を有する。
なお、コンデンサ積層体１０は、対向電極部１１Ｅを有する。対向電極部１１Ｅは、第１の内部電極層３１の第１の対向部３１Ａと第２の内部電極層３２の第２の対向部３２Ａが対向する部分である。対向電極部１１Ｅは、内層部１１の一部として構成されている。図８には、対向電極部１１Ｅの長さ方向Ｌの範囲が示されている。図９には、対向電極部１１Ｅの幅方向Ｗの範囲が示されている。図１０には、対向電極部１１Ｅの幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、対向電極部１１Ｅは、コンデンサ有効部ともいう。
なお、コンデンサ積層体１０は、側面側外層部を有する。側面側外層部は、第１の側面側外層部ＷＧ１と、第２の側面側外層部ＷＧ２を有する。第１の側面側外層部ＷＧ１は、対向電極部１１Ｅと第１の側面ＷＳ１との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。第２の側面側外層部ＷＧ２は、対向電極部１１Ｅと第２の側面ＷＳ２との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。図９および図１０には、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２の幅方向Ｗの範囲が示されている。なお、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２は、Ｗギャップまたはサイドギャップともいう。
なお、コンデンサ積層体１０は、端面側外層部を有する。端面側外層部は、第１の端面側外層部ＬＧ１と、第２の端面側外層部ＬＧ２を有する。第１の端面側外層部ＬＧ１は、対向電極部１１Ｅと第１の端面ＬＳ１との間に位置する誘電体層２０および第１の引き出し部３１Ｂを含む部分である。第２の端面側外層部ＬＧ２は、対向電極部１１Ｅと第２の端面ＬＳ２との間に位置する誘電体層２０および第２の引き出し部３２Ｂを含む部分である。図８および図１０には、第１の端面側外層部ＬＧ１および第２の端面側外層部ＬＧ２の長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、第１の端面側外層部ＬＧ１および第２の端面側外層部ＬＧ２は、Ｌギャップまたはエンドギャップともいう。
外部電極４０は、第１の端面ＬＳ１側に配置された第１の外部電極４０Ａと、第２の端面ＬＳ２側に配置された第２の外部電極４０Ｂと、を有する。
第１の外部電極４０Ａは、少なくとも、第１の端面ＬＳ１上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、に配置されていることが好ましい。本実施形態においては、第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、第２の主面ＴＳ２上の一部と、第１の側面ＷＳ１上の一部と、第２の側面ＷＳ２上の一部と、に配置されている。また、本実施形態においては、第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上において、第１の内部電極層３１に接続されている。なお、第１の外部電極４０Ａは、例えば、第１の端面ＬＳ１から第１の主面ＴＳ１の一部まで延びて配置されていてもよい。言い換えれば、第１の外部電極４０Ａの断面形状がＬ字状（不図示）であってもよい。第１の外部電極４０Ａのうち、第１の主面ＴＳ１上に配置されている部分は、後述の第１の接合材５Ａを介して、後述の第１の金属端子１００Ａと接続される。
なお、第１の主面ＴＳ１、第２の主面ＴＳ２、第１の側面ＷＳ１、第２の側面ＷＳ２にも第１の外部電極４０Ａが設けられる場合には、これらの面に設けられる第１の外部電極４０Ａの長さ方向Ｌの長さＬ１は、コンデンサ積層体１０のＬ寸法の１０％以上４０％以下（例えば、２０μｍ以上４０００μｍ以下）であることが好ましい。
また、第１の主面ＴＳ１、第２の主面ＴＳ２にも第１の外部電極４０Ａが設けられる場合には、これらの面に設けられる第１の外部電極４０Ａの幅方向Ｗの長さＷ１は、コンデンサ積層体１０のＷ寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。また、第１の側面ＷＳ１、第２の側面ＷＳ２にも第１の外部電極４０Ａが設けられる場合には、これらの部分に設けられる第１の外部電極４０Ａの高さ方向Ｔの長さＴ１は、コンデンサ積層体１０のＴ寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。
第２の外部電極４０Ｂは、少なくとも、第２の端面ＬＳ２上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、に配置されていることが好ましい。本実施形態においては、第２の外部電極４０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上と、第１の主面ＴＳ１上の一部と、第２の主面ＴＳ２上の一部と、第１の側面ＷＳ１上の一部と、第２の側面ＷＳ２上の一部と、に配置されている。また、本実施形態においては、第１の外部電極４０Ａは、第２の端面ＬＳ２上において、第２の内部電極層３２に接続されている。なお、第２の外部電極４０Ｂは、例えば、第２の端面ＬＳ２から第１の主面ＴＳ１の一部まで延びて配置されていてもよい。言い換えれば、第２の外部電極４０Ｂの断面形状がＬ字状（不図示）であってもよい。第２の外部電極４０Ｂのうち、第１の主面ＴＳ１上に配置されている部分は、後述の第３の接合材５Ｃを介して、後述の第３の金属端子１００Ｃと接続される。
なお、第１の主面ＴＳ１、第２の主面ＴＳ２、第１の側面ＷＳ１、第２の側面ＷＳ２にも第２の外部電極４０Ｂが設けられる場合には、これらの面に設けられる第２の外部電極４０Ｂの長さ方向Ｌの長さＬ２は、コンデンサ積層体１０のＬ寸法の１０％以上４０％以下（例えば、２０μｍ以上４０００μｍ以下）であることが好ましい。
また、第１の主面ＴＳ１、第２の主面ＴＳ２にも第２の外部電極４０Ｂが設けられる場合には、これらの面に設けられる第２の外部電極４０Ｂの幅方向Ｗの長さＷ１は、コンデンサ積層体１０のＷ寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。また、第１の側面ＷＳ１、第２の側面ＷＳ２にも第２の外部電極４０Ｂが設けられる場合には、これらの部分に設けられる第２の外部電極４０Ｂの高さ方向Ｔの長さＴ１は、コンデンサ積層体１０のＴ寸法と略等しい寸法（例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下）であることが好ましい。
なお、図７に示すように、本実施形態においては、コンデンサ積層体１０の表面のうち、外部電極４０から露出している部分の長さ方向Ｌの長さＬ３は、積層体のＬ寸法の２０％以上８０％以下（例えば、４０μｍ以上８０００μｍ以下）であることが好ましい。言い換えると、第１の外部電極４０Ａと、第２の外部電極４０Ｂの離間距離Ｌ３は、積層体のＬ寸法の２０％以上８０％以下（例えば、４０μｍ以上８０００μｍ以下）であることが好ましい。
前述のとおり、コンデンサ積層体１０内においては、第１の内部電極層３１の第１の対向部３１Ａと第２の内部電極層３２の第２の対向部３２Ａとが誘電体層２０を介して対向することにより容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層３１が接続された第１の外部電極４０Ａと第２の内部電極層３２が接続された第２の外部電極４０Ｂとの間でコンデンサの特性が発現する。
第１の外部電極４０Ａは、第１の下地電極層５０Ａと、第１の下地電極層５０Ａ上に配置された第１のめっき層６０Ａと、を有する。
第２の外部電極４０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂと、第２の下地電極層５０Ｂ上に配置された第２のめっき層６０Ｂと、を有する。
第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上に配置されている。第１の下地電極層５０Ａは、第１の内部電極層３１に接続されている。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上に配置されている。第２の下地電極層５０Ｂは、第２の内部電極層３２に接続されている。本実施形態においては、第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
本実施形態の第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層である。焼付け層は、金属成分と、ガラス成分もしくはセラミック成分のどちらか一方を含んでいるか、その両方を含んでいることが好ましい。金属成分は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。ガラス成分は、例えば、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。セラミック成分は、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いてもよいし、異なる種のセラミック材料を用いてもよい。セラミック成分は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３等から選ばれる少なくとも１つを含む。
焼き付け層は、例えば、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体に塗布して焼き付けたものである。焼き付け層は、内部電極層および誘電体層を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時焼成したものでもよく、内部電極層および誘電体層を有する積層チップを焼成して積層体を得た後に積層体に導電性ペーストを塗布して焼き付けたものでもよい。なお、内部電極層および誘電体層を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。この場合、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。焼き付け層は、複数層であってもよい。
第１の端面ＬＳ１に位置する第１の下地電極層５０Ａの長さ方向の厚みは、第１の下地電極層５０Ａの高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。
第２の端面ＬＳ２に位置する第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向の厚みは、第２の下地電極層５０Ｂの高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２の少なくも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの高さ方向の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの幅方向の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌおよび高さ方向Ｔの中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２の少なくも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの高さ方向の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの幅方向の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌおよび高さ方向Ｔの中央部において、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層に限らず、薄膜層であってもよい。薄膜層は、スパッタリング法または蒸着法等の薄膜形成法により形成された、金属粒子が堆積された層である。薄膜層は、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｏ、ＭｏおよびＶからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。これにより、コンデンサ積層体１０に対する外部電極４０の固着力を高めることができる。薄膜層は、単層であってもよいし、複数層によって形成されていてもよい。例えば、ＮｉＣｒの層と、ＮｉＣｕの層の２層構造によって形成されていてもよい。
下地電極としての薄膜層を、スパッタリング法によるスパッタ電極により形成する場合、このスパッタ電極は、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部に形成されることが好ましい。スパッタ電極は、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等から選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。スパッタ電極の厚みは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
下地電極層として、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部にスパッタ電極を形成し、その一方、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には焼き付け層を形成してもよい。あるいは、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には下地電極層を形成せずに、後述するめっき層をコンデンサ積層体１０に直接形成してもよい。なお、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上に焼き付け層を形成する場合、焼き付け層は、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２だけでなく、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部にも延びて配置されていてもよい。この場合、スパッタ電極は、焼き付け層上にオーバーラップするように配置されてもよい。
第１のめっき層６０Ａは、第１の下地電極層５０Ａを覆うように配置されている。
第２のめっき層６０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂを覆うように配置されている。
第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、それぞれ複数層により形成されていてもよい。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、Ｎｉめっき層の上にＳｎめっき層が形成された２層構造が好ましい。
第１のめっき層６０Ａは、第１の下地電極層５０Ａを覆うように配置されている。本実施形態においては、第１のめっき層６０Ａは、第１のＮｉめっき層６１Ａと、第１のＮｉめっき層６１Ａ上に位置する第１のＳｎめっき層６２Ａと、を有する。
第２のめっき層６０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂを覆うように配置されている。本実施形態においては、第２のめっき層６０Ｂは、第２のＮｉめっき層６１Ｂと、第２のＮｉめっき層６１Ｂ上に位置する第２のＳｎめっき層６２Ｂと、を有する。
Ｎｉめっき層は、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂが、積層セラミックコンデンサ本体２と金属端子１００とを接合する後述の接合材５としてのはんだによって侵食されることを防止する。また、Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサ本体２と金属端子１００とを接合する後述の接合材５としてのはんだのぬれ性を向上させる。これにより、積層セラミックコンデンサ本体２と金属端子１００の接合を容易にする。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０ＢのそれぞれをＮｉめっき層とＳｎめっき層との２層構造とする場合、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層それぞれの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
なお、本実施形態の第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂは、例えば導電性粒子と熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層を有していてもよい。下地電極層（第１の下地電極層５０Ａ、第２の下地電極層５０Ｂ）として導電性樹脂層を設ける場合、導電性樹脂層は、焼き付け層を覆うように配置されてもよいし、焼き付け層を設けずにコンデンサ積層体１０上に直接配置されてもよい。導電性樹脂層が焼き付け層を覆うように配置される場合、導電性樹脂層は、焼き付け層とめっき層（第１のめっき層６０Ａ、第２のめっき層６０Ｂ）との間に配置される。導電性樹脂層は、焼き付け層上を完全に覆っていてもよいし、焼き付け層の一部を覆っていてもよい。
熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層は、例えばめっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層は、緩衝層として機能する。よって、導電性樹脂層は、積層セラミックコンデンサ１のクラック発生を抑制する。
導電性粒子を構成する金属は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたは、それらを含む合金であってもよい。導電性粒子は、好ましくはＡｇを含む。導電性粒子は、例えばＡｇの金属粉である。Ａｇは、金属の中でもっとも比抵抗が低いため、電極材料に適している。また、Ａｇは貴金属であるため、酸化しにくく、対候性が高い。よって、Ａｇの金属粉は、導電性粒子として好適である。
また、導電性粒子は、金属粉の表面にＡｇコーティングされた金属粉であってもよい。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には、金属粉は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたはそれらの合金粉であることが好ましい。Ａｇの特性は保ちつつ、母材の金属を安価なものにするために、Ａｇコーティングされた金属粉を用いることが好ましい。
さらに、導電性粒子は、Ｃｕ、Ｎｉに酸化防止処理を施したものであってもよい。また、導電性粒子は、金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングした金属粉であってもよい。金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングされたものを使用する際には、金属粉は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたはそれらの合金粉であることが好ましい。
導電性粒子の形状は、特に限定されない。導電性粒子は、球形状、扁平状などのものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いることが好ましい。
導電性樹脂層に含まれる導電性粒子は、主に導電性樹脂層の通電性を確保する役割を担う。具体的には、複数の導電性粒子どうしが接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。
導電性樹脂層を構成する樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は、最も適切な樹脂のひとつである。また、導電性樹脂層の樹脂は、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤は、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系、活性エステル系、アミドイミド系など公知の種々の化合物であってもよい。
なお、導電性樹脂層は、複数層で形成されていてもよい。導電性樹脂層の最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂを設けずに、コンデンサ積層体１０上に後述の第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂが直接配置される構成であってもよい。すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、第１の内部電極層３１と、第２の内部電極層３２とに、直接電気的に接続されるめっき層を含む構成であってもよい。このような場合、前処理としてコンデンサ積層体１０の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。
この場合においても、めっき層は、複数層であることが好ましい。下層めっき層および上層めっき層はそれぞれ、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉまたはＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属またはこれらの金属を含む合金を含むことが好ましい。下層めっき層は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いて形成されることがより好ましい。上層めっき層は、はんだ濡れ性が良好なＳｎまたはＡｕを用いて形成されることがより好ましい。なお、例えば、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２がＮｉを用いて形成される場合は、下層めっき層は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき層は必要に応じて形成されればよく、外部電極４０は、下層めっき層のみで構成されてもよい。また、めっき層は、上層めっき層を最外層としてもよいし、上層めっき層の表面にさらに他のめっき層を形成してもよい。
下地電極層を設けずに配置するめっき層の１層あたりの厚みは、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。なお、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９体積％以上であることが好ましい。
なお、めっき層をコンデンサ積層体１０上に直接形成する場合は、下地電極層の厚みを削減することができる。よって、下地電極層の厚みを削減した分、積層セラミックコンデンサ本体２の高さ方向Ｔの寸法を低減させて、積層セラミックコンデンサ本体２の低背化を図ることができる。あるいは、下地電極層の厚みを削減した分、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の間に挟まれる誘電体層２０の厚みを厚くし、素体厚みの向上を図ることができる。このように、めっき層をコンデンサ積層体１０上に直接形成することで、積層セラミックコンデンサの設計自由度を向上させることができる。
なお、コンデンサ積層体１０と外部電極４０を含む積層セラミックコンデンサ本体２の長さ方向の寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ本体２の高さ方向の寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ本体２の幅方向の寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
なお、本実施形態においては、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の端面ＬＳ１側の第１の表面Ｓ１は、第１の端面ＬＳ１上に配置された第１の外部電極４０Ａの表面によって構成されている。積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２は、第２の端面ＬＳ２上に配置された第２の外部電極４０Ｂの表面によって構成されている。
次に、図５、図６に加えて、図１１、図１２を用いて、積層ＰＴＣサーミスタ２００について説明する。図１１は、外装材３に覆われる前であって、金属端子１００が取り付けられる前の、積層ＰＴＣサーミスタ２００の外観を示す外観斜視図である。図１２は、図１１の積層ＰＴＣサーミスタ２００のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿ったＬＴ断面を示す断面図である。
積層ＰＴＣサーミスタ２００の基本的な構造は、積層セラミックコンデンサ本体２と同様である。すなわち、積層ＰＴＣサーミスタ２００のＬＴ断面、ＷＴ断面、ＬＷ断面の基本的な構造は、積層セラミックコンデンサ本体２のＬＴ断面、ＷＴ断面、ＬＷ断面と同様である。よって、積層ＰＴＣサーミスタ２００のＷＴ断面、ＬＷ断面の図示は省略する。なお、積層ＰＴＣサーミスタ２００は、セラミックス層の材料が、積層セラミックコンデンサ本体２とは異なる。
積層ＰＴＣサーミスタ２００は、サーミスタ積層体２１０と、外部電極２４０と、を有する。
サーミスタ積層体２１０は、高さ方向Ｔに相対する第３の主面ＴＳ３および第４の主面ＴＳ４と、高さ方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第３の側面ＷＳ３および第４の側面ＷＳ４と、高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第３の端面ＬＳ３および第４の端面ＬＳ４と、を含む。
サーミスタ積層体２１０の寸法は、特に限定されないが、サーミスタ積層体２１０の長さ方向Ｌの寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、サーミスタ積層体２１０の高さ方向Ｔの寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、サーミスタ積層体２１０の幅方向Ｗの寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
サーミスタ積層体２１０のＴ寸法は、コンデンサ積層体１０のＴ寸法の７５％以上１２５％以下の寸法であることが好ましく、サーミスタ積層体２１０のＷ寸法は、コンデンサ積層体１０のＷ寸法の７５％以上１２５％以下の寸法であることが好ましい。サーミスタ積層体２１０のＴ寸法は、コンデンサ積層体１０のＴ寸法の７５％以上１００％以下の寸法であることがより好ましく、サーミスタ積層体２１０のＷ寸法は、コンデンサ積層体１０のＷ寸法の７５％以上１００％以下の寸法であることがより好ましい。ただし、サーミスタ積層体２１０の寸法は、これに限らない。サーミスタ積層体２１０の寸法と、コンデンサ積層体１０の寸法は揃っていなくてもよい。
サーミスタ積層体２１０は、内層部２１１と、高さ方向Ｔにおいて内層部２１１を挟み込むように配置された第３の主面側外層部２１２および第４の主面側外層部２１３と、を有する。
内層部２１１は、複数のセラミック層としての複数の半導体セラミック層２２０と、複数の内部導体層としての複数の内部電極層２３０と、を含む。内層部２１１は、高さ方向Ｔにおいて、最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極層２３０から最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極層２３０までを含む。内層部２１１では、複数の内部電極層２３０が半導体セラミック層２２０を介して対向して配置されている。
複数の半導体セラミック層２２０は、正の抵抗温度特性を有する半導体セラミック材料により構成される。半導体セラミック材料は、例えば、ＢａＴｉＯ３を主成分とする原料に、半導体化剤が添加されて作製された半導体セラミックであってもよい。
半導体セラミック層２２０の厚みは、０．５μｍ以上７２μｍ以下であることが好ましい。積層される半導体セラミック層２２０の枚数は、１０枚以上７００枚以下であることが好ましい。なお、この半導体セラミック層２２０の枚数は、内層部２１１の半導体セラミック層２２０の枚数と第３の主面側外層部２１２および第４の主面側外層部２１３の半導体セラミック層２２０の枚数との総数である。
複数の内部電極層２３０は、複数の第３の内部電極層２３１および複数の第４の内部電極層２３２を有する。複数の第３の内部電極層２３１は、複数の半導体セラミック層２２０上に配置されている。複数の第４の内部電極層２３２は、複数の半導体セラミック層２２０上に配置されている。複数の第３の内部電極層２３１および複数の第４の内部電極層２３２は、サーミスタ積層体２１０の高さ方向Ｔに半導体セラミック層２２０を介して交互に配置されている。第３の内部電極層２３１および第４の内部電極層２３２は、半導体セラミック層２２０を挟むようにして配置されている。
第３の内部電極層２３１は、第４の内部電極層２３２に対向する第３の対向部２３１Ａと、第３の対向部２３１Ａから第１の端面ＬＳ１に引き出される第３の引き出し部２３１Ｂとを有している。第３の引き出し部２３１Ｂは、第１の端面ＬＳ１に露出している。
第４の内部電極層２３２は、第３の内部電極層２３１に対向する第４の対向部２３２Ａと、第４の対向部２３２Ａから第２の端面ＬＳ２に引き出される第４の引き出し部２３２Ｂとを有している。第４の引き出し部２３２Ｂは、第２の端面ＬＳ２に露出している。
第３の内部電極層２３１および第４の内部電極層２３２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成される。合金を用いる場合、第３の内部電極層２３１および第４の内部電極層２３２は、例えばＡｇ－Ｐｄ合金等により構成されてもよい。
第３の内部電極層２３１および第４の内部電極層２３２のそれぞれの厚みは、例えば、０．２μｍ以上３．０μｍ以下程度であることが好ましい。第３の内部電極層２３１および第４の内部電極層２３２の枚数は、合わせて５枚以上３５０枚以下であることが好ましい。
その他、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の内部電極層２３１および第４の内部電極層２３２の構造として、前述の積層セラミックコンデンサ本体２の第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の構造として説明した内部電極層の構造と同様の構造を採用することができる。また、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の主面側外層部２１２および第４の主面側外層部２１３の構造として、前述の積層セラミックコンデンサ本体２の第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３の構造として説明した外層部の構造と同様の構造を採用することができる。なお、第３の主面側外層部２１２および第４の主面側外層部２１３で用いられる半導体セラミック層２２０は、内層部２１１で用いられる半導体セラミック層２２０と同じものであってもよい。また、積層ＰＴＣサーミスタ２００の側面側外層部、端面側外層部の構造も、基本的には、積層セラミックコンデンサ本体２の側面側外層部、端面側外層部の構造と同様の構造を採用することができる。
本実施形態では、複数の第３の内部電極層２３１の第３の対向部２３１Ａと、複数の第４の内部電極層２３２の第４の対向部２３２Ａとが、正の抵抗温度特性を有する半導体セラミック層２２０を介して対向して配置されている。これにより、通常使用時には、第３の内部電極層２３１と第４の内部電極層２３２との間が低抵抗で導通する。そして、過電流等に起因して半導体セラミック層２２０がある一定の温度以上になった場合、半導体セラミック層２２０が高抵抗体となる。よって、第３の内部電極層２３１と第４の内部電極層２３２との間が高抵抗となり電流が流れにくくなる。
外部電極２４０は、第３の端面ＬＳ３側に配置された第３の外部電極２４０Ａと、第４の端面ＬＳ４側に配置された第４の外部電極２４０Ｂと、を有する。なお、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の外部電極２４０Ａおよび第４の外部電極２４０Ｂの構造として、前述の積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂの構造として説明した外部電極の構造と同様の構造を採用することができる。
第３の外部電極２４０Ａは、少なくとも、第３の端面ＬＳ３上と、第３の主面ＴＳ３上の一部と、に配置されていることが好ましい。本実施形態においては、第３の外部電極２４０Ａは、第３の端面ＬＳ３上と、第３の主面ＴＳ３上の一部と、第４の主面ＴＳ４上の一部と、第３の側面ＷＳ３上の一部と、第４の側面ＷＳ４上の一部と、に配置されている。また、本実施形態においては、第３の外部電極２４０Ａは、第３の端面ＬＳ３上において、第３の内部電極層２３１に接続されている。なお、第３の外部電極２４０Ａは、例えば、第３の端面ＬＳ３から第３の主面ＴＳ３の一部まで延びて配置されていてもよい。言い換えれば、第３の外部電極２４０Ａの断面形状がＬ字状（不図示）であってもよい。第３の外部電極２４０Ａのうち、第３の主面ＴＳ３上に配置されている部分は、後述の第３の接合材５Ｃを介して、後述の第３の金属端子１００Ｃと接続される。
第４の外部電極２４０Ｂは、少なくとも、第４の端面ＬＳ４上と、第３の主面ＴＳ３上の一部と、に配置されていることが好ましい。本実施形態においては、第４の外部電極２４０Ｂは、第４の端面ＬＳ４上と、第３の主面ＴＳ３上の一部と、第４の主面ＴＳ４上の一部と、第３の側面ＷＳ３上の一部と、第４の側面ＷＳ４上の一部と、に配置されている。また、本実施形態においては、第４の外部電極２４０Ｂは、第４の端面ＬＳ４上において、第４の内部電極層２３２に接続されている。なお、第４の外部電極２４０Ｂは、例えば、第４の端面ＬＳ４から第３の主面ＴＳ３の一部まで延びて配置されていてもよい。言い換えれば、第４の外部電極２４０Ｂの断面形状がＬ字状（不図示）であってもよい。第４の外部電極２４０Ｂのうち、第３の主面ＴＳ３上に配置されている部分は、後述の第２の接合材５Ｂを介して、後述の第２の金属端子１００Ｂと接続される。
その他、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の外部電極２４０Ａおよび第４の外部電極２４０Ｂの構造として、前述の積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂの構造として説明した外部電極の構造と同様の構造を採用することができる。
例えば、第３の外部電極２４０Ａは、第３の下地電極層２５０Ａと、第３の下地電極層２５０Ａ上に配置された第３のめっき層２６０Ａと、を有していてもよい。第４の外部電極２４０Ｂは、第４の下地電極層２５０Ｂと、第４の下地電極層２５０Ｂ上に配置された第４のめっき層２６０Ｂと、を有していてもよい。第３の下地電極層２５０Ａおよび第４の下地電極層２５０Ｂは、焼き付け層であってもよいし、薄膜層であってもよい。第３のめっき層２６０Ａは、第３のＮｉめっき層２６１Ａと、第３のＮｉめっき層２６１Ａ上に位置する第３のＳｎめっき層２６２Ａと、を有していてもよい。第４のめっき層２６０Ｂは、第４のＮｉめっき層２６１Ｂと、第４のＮｉめっき層２６１Ｂ上に位置する第４のＳｎめっき層２６２Ｂと、を有していてもよい。
なお、本実施形態においては、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の端面ＬＳ３側の第３の表面Ｓ３は、第３の端面ＬＳ３上に配置された第３の外部電極２４０Ａの表面によって構成されている。積層ＰＴＣサーミスタ２００の第４の端面ＬＳ４側の第４の表面Ｓ４は、第４の端面ＬＳ４上に配置された第４の外部電極２４０Ｂの表面によって構成されている。
なお、サーミスタ積層体２１０と外部電極２４０を含む積層ＰＴＣサーミスタ２００の長さ方向の寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層ＰＴＣサーミスタ２００の高さ方向の寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層ＰＴＣサーミスタ２００の幅方向の寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
積層ＰＴＣサーミスタ２００のＴ寸法は、積層セラミックコンデンサ本体２のＴ寸法の７５％以上１２５％以下の寸法であることが好ましく、積層ＰＴＣサーミスタ２００のＷ寸法は、積層セラミックコンデンサ本体２のＷ寸法の７５％以上１２５％以下の寸法であることが好ましい。積層ＰＴＣサーミスタ２００のＴ寸法は、積層セラミックコンデンサ本体２のＴ寸法の７５％以上１００％以下の寸法であることがより好ましく、積層ＰＴＣサーミスタ２００のＷ寸法は、積層セラミックコンデンサ本体２のＷ寸法の７５％以上１００％以下の寸法であることがより好ましい。ただし、積層ＰＴＣサーミスタ２００の寸法は、これに限らない。積層ＰＴＣサーミスタ２００の寸法と、積層セラミックコンデンサ本体２の寸法は揃っていなくてもよい。
なお、本実施形態においては、図５、図６に示すように、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の端面ＬＳ３側の表面Ｓ３とは、少なくとも一部が対向して配置されている。より詳細には、長さ方向Ｌの方向に見たときに、第２の表面Ｓ２と第３の表面Ｓ３の重なる領域の面積は、第３の表面Ｓ３の面積の７５％以上であることが好ましい。なお、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１と、サーミスタ積層体２１０の第３の主面ＴＳ３は、外装材３内において、略同一平面上に位置していることが好ましい。そして、コンデンサ積層体１０の幅方向の中心位置と、サーミスタ積層体２１０の幅方向の中心位置は、略一致していることが好ましい。
積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の端面ＬＳ３側の第３の表面Ｓ３とは、外装材３および接合材の少なくともいずれか一方を介して、少なくとも一部が対向して配置されていることが好ましい。例えば、第２の端面ＬＳ２には第２の外部電極４０Ｂが配置され、第３の端面ＬＳ３には第３の外部電極２４０Ａが配置されていてもよい。そして、第２の外部電極４０Ｂの第２の表面Ｓ２と第３の外部電極２４０Ａの第３の表面Ｓ３との間には、外装材３のみが配置されていてもよいし、接合材のみが配置されていてもよいし、外装材３および接合材が配置されていてもよい。後述の第３の接合材５Ｃが、第２の外部電極４０Ｂと第３の外部電極２４０Ａとの間に配置される接合材として用いられてもよい。
図１～図６を用いて、金属端子１００について説明する。
金属端子１００は、第１の金属端子１００Ａと、第２の金属端子１００Ｂと、を有する。本実施形態においては、金属端子１００は、さらに第３の金属端子１００Ｃを備える。
第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、積層セラミックコンデンサ１が実装されるべき後述の実装基板（図１４の実装基板５１０を参照）の実装面に実装される金属端子である。第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、例えば板状のリードフレームである。なお、本実施形態においては、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１および、サーミスタ積層体２１０の第３の主面ＴＳ３は、積層セラミックコンデンサ１が実装されるべき実装基板の実装面と対向する面である。
第１の金属端子１００Ａは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第１の外部電極４０Ａに接続される第１の接合部１１０Ａと、第１の接合部１１０Ａに接続され、実装基板の実装面から遠ざかるように延び、第１の端面ＬＳ１と対向する第１の立ち上がり部１２０Ａと、第１の立ち上がり部１２０Ａに接続され、積層セラミックコンデンサ本体２から遠ざかるように長さ方向Ｌに延びる第１の延長部１３０Ａと、第１の延長部１３０Ａに接続され、実装基板の実装面側に向かって延びる第１の立ち下がり部１４０Ａと、第１の立ち下がり部１４０Ａに接続され、実装基板の実装面に沿う方向に延びる第１の実装部１５０Ａと、を有する。図６に示すように、第１の立ち上がり部１２０Ａと、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の端面ＬＳ１側の第１の表面Ｓ１との間には、隙間部Ｇが存在している。
第２の金属端子１００Ｂは、第３の主面ＴＳ３と対向し、第４の外部電極２４０Ｂに接続される第２の接合部１１０Ｂと、第２の接合部１１０Ｂに接続され、実装基板の実装面から遠ざかるように延び、第４の端面ＬＳ４と対向する第２の立ち上がり部１２０Ｂと、第２の立ち上がり部１２０Ｂに接続され、積層ＰＴＣサーミスタ２００から遠ざかるように長さ方向Ｌに延びる第２の延長部１３０Ｂと、第２の延長部１３０Ｂに接続され、実装基板の実装面側に向かって延びる第２の立ち下がり部１４０Ｂと、第２の立ち下がり部１４０Ｂに接続され、実装基板の実装面に沿う方向に延びる第２の実装部１５０Ｂと、を有する。図６に示すように、第２の立ち上がり部１２０Ｂと、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第４の端面ＬＳ４側の第４の表面Ｓ４との間には、隙間部Ｇが存在している。
なお、第１の立ち下がり部１４０Ａおよび第２の立ち下がり部１４０Ｂは、積層セラミックコンデンサ１の外装材３と実装基板の実装面との間に隙間を設けることが可能な程度に、装基板の実装面に向かって延びていることが好ましい。
なお、このような第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂを採用することにより、実装基板と、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００との距離を長くすることができ、実装基板からの応力を緩和する効果が得られる。また、実装基板側に設けられる外装材３の厚みを厚くすることができ、絶縁性を確保することができる。なお、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂの構成は、これに限らない。
なお、図６に示すように、第１の金属端子１００Ａの第１の実装部１５０Ａと第２の金属端子１００Ｂの第２の実装部１５０Ｂとの離間距離Ｌ４は、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂとの離間距離Ｌ３よりも長い。本実施形態においては、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の端面ＬＳ３側の第３の表面Ｓ３とが、対向して配置されているため、第１の金属端子１００Ａの第１の実装部１５０Ａと第２の金属端子１００Ｂの第２の実装部１５０Ｂとの離間距離Ｌ４を、より長い距離とすることができる。
第３の金属端子１００Ｃは、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の外部電極４０Ｂと、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の外部電極２４０Ａと、を接合する。第３の金属端子１００Ｃは、積層セラミックコンデンサ本体２と積層ＰＴＣサーミスタ２００を電気的に直列に接続し、かつ機械的に接続する。第３の金属端子１００Ｃは連結金属板であり、例えば板状のリードフレームである。
第３の金属端子１００Ｃは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第２の外部電極４０Ｂに接続される第３の接合部１１０Ｃと、第３の主面ＴＳ３と対向し、第３の外部電極２４０Ａに接続される第４の接合部１２０Ｃと、第３の接合部１１０Ｃと第４の接合部１２０Ｃとを連結する連結部１３０Ｃと、を有する。
なお、第１の金属端子１００Ａの第１の接合部１１０Ａと、第２の金属端子１００Ｂの第２の接合部１１０Ｂと、第３の金属端子１００Ｃは、外装材３内において、略同一平面に配置されていることが好ましい。
第１の金属端子１００Ａ、第２の金属端子１００Ｂおよび第３の金属端子１００Ｃは、端子本体と、端子本体の表面に配置されるめっき膜を有する。
端子本体は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。例えば、端子本体の母材の金属を、Ｆｅ－４２Ｎｉ合金やＦｅ－１８Ｃｒ合金やＣｕ－８Ｓｎ合金とすることができる。また、放熱性の観点からは、端子本体の母材の金属を、熱伝導率の高い無酸素銅やＣｕ系合金とすることができる。このように、端子本体の材料を熱伝導の良い銅系にすることで、低ＥＳＲ化や低熱抵抗化を実現することができる。また、本実施形態においては、端子本体の母材の金属を、はんだのぬれ性が低いステンレスやアルミとすることもできる。少なくとも、端子本体の母材の金属の表面は、最外表面のめっき膜よりも、はんだのぬれ性が低い表面となっている。端子本体の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下程度であることが好ましい。
めっき膜は、めっき膜の最外表面に配置された上層めっき膜と、上層めっき膜よりも下層に配置された下層めっき膜を有していることが好ましい。例えば、めっき膜は、下層めっき膜の上に上層めっき膜が形成された２層構造であってもよい。下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。下層めっき膜を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、金属端子１００の耐熱性を向上させることができる。下層めっき膜の厚みは０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。上層めっき膜は、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。さらに好ましくは、上層めっき膜は、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなる。上層めっき膜をＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金により形成することにより、外部電極４０と、金属端子１００とのはんだ付け性を向上させることができる。上層めっき膜の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。
なお、めっき膜の最外表面に配置された上層めっき膜は、端子本体の母材の金属の表面よりも、はんだのぬれ性が高い表面となっている。また、めっき膜の最外表面に配置された上層めっき膜は、下層めっき膜の表面よりもはんだのぬれ性が高い表面となっている。例えば、下層めっき膜は、Ｎｉめっき膜であることが好ましい。上層めっき膜は、Ｓｎめっき膜であることが好ましい。
なお、第１の金属端子１００Ａ、第２の金属端子１００Ｂは、表面の一部において、めっき膜の最外表面のめっき膜よりも内側の材料が表面に露出している露出面を有していてもよい。表面の一部に露出面を設けることにより、その部分にはんだがのりにくくなるため、はんだスプラッシュ等の問題が生じることを抑制することができる。
ここで、露出面は、下層めっき膜が露出する表面であってもよい。下層めっき膜は、上層めっき膜よりもはんだのぬれ性が低い。また、露出面は、端子本体の母材が露出する表面であってもよい。端子本体の母材表面は、上層めっき膜よりもはんだのぬれ性が低い。
なお、露出面は、端子本体にめっき膜を形成後、除去加工を行うことにより形成されてもよい。除去加工は、例えば、研削や研磨等による機械的な除去加工、レーザートリミングによる除去加工、水酸化ナトリウム等のめっき剥離剤による除去加工等の各種の除去加工であってもよい。また、めっき膜を形成する前に、露出面としたい部分をレジストで覆ってもよい。この場合は、めっき膜の形成後、レジストを除去することにより、露出面が形成される。
接合材５は、積層セラミックコンデンサ本体２または積層ＰＴＣサーミスタ２００と、金属端子１００とを接合する。接合材５は、第１の接合材５Ａと、第２の接合材５Ｂと、第３の接合材５Ｃと、を有する。
第１の金属端子１００Ａは、第１の接合材５Ａを介して第１の外部電極４０Ａに接続される。第２の金属端子１００Ｂは、第２の接合材５Ｂを介して第４の外部電極２４０Ｂに接続される。
第３の金属端子１００Ｃは、第３の接合材５Ｃを介して、第２の外部電極４０Ｂおよび第３の外部電極２４０Ａに接続される。なお、第３の接合材５Ｃは、第２の外部電極４０Ｂと第３の外部電極２４０Ａとを直接接合するように設けられてもよい。
接合材５は、はんだであることが好ましい。例えば、Ｐｂフリーはんだであってもよい。Ｐｂフリーはんだとしては、例えばＳｎ－Ｓｂ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｂｉ系などの鉛フリーはんだが好ましい。例えば、Ｓｎ－１０Ｓｂ～Ｓｎ－１５Ｓｂはんだを用いることができる。
図１～図６を用いて、外装材３について説明する。
外装材３は、高さ方向Ｔに相対する第１の主面ＭＴＳ１および第２の主面ＭＴＳ２と、高さ方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＭＷＳ１および第２の側面ＭＷＳ２と、高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＭＬＳ１および第２の端面ＭＬＳ２と、を含む。外装材３の第１の端面ＭＬＳ１は、外装材３の表面における、コンデンサ積層体１０の第１の端面ＬＳ１側の表面である。外装材３の第２の端面ＭＬＳ２は、外装材３の表面における、サーミスタ積層体２１０の第４の端面ＬＳ４側の表面である。
外装材３は、積層セラミックコンデンサ本体２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００と、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部と、を覆う。より詳細には、外装材３は、積層セラミックコンデンサ本体２の全体と、積層ＰＴＣサーミスタ２００の全体と、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部と、第３の金属端子１００Ｃの全体と、接合材５の全体と、を覆うように配置されている。
例えば、外装材３は、第１の金属端子１００Ａのうち、第１の接合部１１０Ａの全体と、第１の立ち上がり部１２０Ａの全体と、第１の延長部１３０Ａの少なくとも一部と、を覆うように配置されている。また、外装材３は、第２の金属端子１００Ｂのうち、第２の接合部１１０Ｂの全体と、第２の立ち上がり部１２０Ｂの全体と、第２の延長部１３０Ｂの少なくとも一部と、を覆うように配置されている。
なお、本実施形態においては、第１の金属端子１００Ａの第１の延長部１３０Ａは、外装材３の第１の端面ＭＬＳ１から突出して一部が露出している。第２の金属端子１００Ｂの第２の延長部１３０Ｂは、外装材３の第２の端面ＭＬＳ２から突出して一部が露出している。
外装材３の第２の主面ＭＴＳ２は所定の平坦度を有する平面状に構成されていることが好ましい。これにより、実装基板に積層セラミックコンデンサ１を搭載する際に用いる実装機のマウンターの吸着不良を防止することができる。よって、確実に実装基板に積層セラミックコンデンサ１を搭載することが可能となる。その結果、実装不良の発生を抑制することが可能となる。
外装材３の第２の主面ＭＴＳ２から積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００の表面までの最小距離は、１００μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第１の主面ＭＴＳ１から第１の金属端子１００Ａの第１の接合部１１０Ａまでの最小距離は、１００μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第１の主面ＭＴＳ１から第２の金属端子１００Ｂの第２の接合部１１０Ｂまでの最小距離は、１００μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第１の側面ＭＷＳ１から積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００の表面までの最小距離は、２００μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第２の側面ＭＷＳ２から積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００の表面までの最小距離は、２００μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第１の端面ＭＬＳ１から積層セラミックコンデンサ本体２の表面までの最小距離は、３００μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第２の端面ＭＬＳ２から積層ＰＴＣサーミスタ２００の表面までの最小距離は、３００μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第１の端面ＭＬＳ１から第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａまでの最小距離は、２００μｍ以上６５０μｍ以下であることが好ましい。外装材３の第２の端面ＭＬＳ２から第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂまでの最小距離は、２００μｍ以上６５０μｍ以下であることが好ましい。
ここで、積層ＰＴＣサーミスタ２００のＴ寸法が、積層セラミックコンデンサ本体２のＴ寸法の７５％以上１２５％以下の寸法であり、積層ＰＴＣサーミスタ２００のＷ寸法が、積層セラミックコンデンサ本体２のＷ寸法の７５％以上１２５％以下の寸法であれば、すなわち、積層セラミックコンデンサ本体２のＷＴ断面のサイズと、積層ＰＴＣサーミスタ２００のＷＴ断面のサイズが近ければ、積層セラミックコンデンサ本体２の周囲の外装材３の厚みと、積層ＰＴＣサーミスタ２００の周囲の外装材３の厚みの均一性が高まる。これにより、モールディング時における外装材３のひけ等が発生しにくくなり、寸法安定性が高まる。
外装材３は、樹脂により形成されることが好ましい。例えば、トランスファーモールド法やインジェクションモールド法等によってエンジニアリングプラスチックがモールドされることにより、外装材３が形成されてもよい。特に、外装材３の材料は、熱硬化型エポキシ樹脂からなることが好ましい。これにより、外装材３と、積層セラミックコンデンサ本体２および金属端子１００との密着性を確保し、耐電圧および耐湿性能の向上効果を得ることができる。外装材３は、例えば、液状や粉状のシリコーン系やエポキシ系などの樹脂が塗装されることにより形成されてもよい。
このように、外装材３が、外部電極および金属端子といった導体金属部分を広い範囲で覆うことにより、導体間の絶縁表面距離（沿面距離）を確保することができる。また、外装材３によって導体金属部分を広い範囲で覆うことにより、表面放電リスクを回避することができる。
なお、本実施形態においては、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の端面ＬＳ３側の第３の表面Ｓ３とが、対向して配置されており、さらに、外装材３が、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００の全体を覆うことにより、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００を備える積層セラミックコンデンサ１が１つのパッケージとして構成されている。よって、導体間の絶縁表面距離を、より長い距離とすることができる。
なお、図１～図３に示すように、外装材３の第１の側面ＭＷＳ１、第２の側面ＭＷＳ２、第１の端面ＭＬＳ１、および第２の端面ＭＬＳ２には、高さ方向Ｔの中央部に、パーティングラインＰＬが設けられていてもよい。パーティングラインＰＬは、外装材３を成型する際に用いられる金型の分割面に対応するラインである。外装材３の表面には、パーティングラインＰＬを境界にした抜き勾配が設けられていてもよい。具体的には、パーティングラインＰＬから第１の主面ＭＴＳ１に近づくについて外装材３のＬＷ断面の断面積が小さくなるような抜き勾配が設けられていてもよい。また、パーティングラインＰＬをから第２の主面ＭＴＳ２に近づくについて、外装材３のＬＷ断面の断面積が小さくなるような抜き勾配が設けられていてもよい。この場合は、第１の金属端子１００Ａの第１の延長部１３０Ａは、外装材３の第１の端面ＭＬＳ１のパーティングラインＰＬから突出して一部が露出していてもよい。第２の金属端子１００Ｂの第２の延長部１３０Ｂは、外装材３の第２の端面ＭＬＳ２のパーティングラインＰＬから突出して一部が露出していてもよい。
このように、本実施形態の外装材３は、略直方体形状を有している。しかしながら、外装材３の形状は特に限定されない。例えば、第１の端面ＭＬＳ１および第２の端面ＭＬＳ２が傾斜した、断面台形形状の外装材３であってもよい。また、角錐台等の切頭錐体であってもよい。なお、外装材３の角部の形状は、特に限定されることなく、丸められていてもよい。
なお、図６に示すように、第１の金属端子１００Ａの第１の立ち上がり部１２０Ａと、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の端面ＬＳ１側の第１の表面Ｓ１との間には、隙間部Ｇが存在し、隙間部Ｇ内には外装材３が充填されている。本実施形態においては、第１の表面Ｓ１は、第１の端面ＬＳ１上に配置された第１の外部電極４０Ａの表面により形成されている。すなわち、本実施形態においては、第１の立ち上がり部１２０Ａと、第１の端面ＬＳ１上に配置された第１の外部電極４０Ａの第１の表面Ｓ１との間に、隙間部Ｇが存在し、隙間部Ｇ内には外装材３が充填されている。この隙間部Ｇの長さ方向Ｌの平均距離は、５０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。これにより、積層セラミックコンデンサ１の寸法を大きくすることなく、第１の外部電極４０Ａと第１の立ち上がり部１２０Ａとの接触を確実に防止することができる。また、隙間部Ｇ内に適切に外装材３を充填することができ、基板実装時のリフロー中に、はんだスプラッシュ等の問題が発生することを抑制することができる。
なお、図６に示すように、第２の金属端子１００Ｂの第２の立ち上がり部１２０Ｂと、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第４の端面ＬＳ４側の第４の表面Ｓ４との間には、隙間部Ｇが存在し、隙間部Ｇ内には外装材３が充填されている。本実施形態においては、第４の表面Ｓ４は、第４の端面ＬＳ４上に配置された第４の外部電極２４０Ｂの表面により形成されている。すなわち、本実施形態においては、第２の立ち上がり部１２０Ｂと、第４の端面ＬＳ４上に配置された第４の外部電極２４０Ｂの第４の表面Ｓ４との間に、隙間部Ｇが存在し、隙間部Ｇ内には外装材３が充填されている。この隙間部Ｇの長さ方向Ｌの平均距離は、５０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。これにより、積層セラミックコンデンサ１の寸法を大きくすることなく、第４の外部電極２４０Ｂと第２の立ち上がり部１２０Ｂとの接触を確実に防止することができる。また、隙間部Ｇ内に適切に外装材３を充填することができ、基板実装時のリフロー中に、はんだスプラッシュ等の問題が発生することを抑制することができる。
なお、図６に示すように、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の端面ＬＳ３側の第３の表面Ｓ３との間には、隙間部ＧＭが存在し、この隙間部ＧＭ内には第３の接合材５Ｃおよび外装材３が充填されている。本実施形態においては、第２の表面Ｓ２は、第２の端面ＬＳ２上に配置された第２の外部電極４０Ｂの表面により形成されている。本実施形態においては、第３の表面Ｓ３は、第３の端面ＬＳ３上に配置された第３の外部電極２４０Ａの表面により形成されている。すなわち、本実施形態においては、第２の端面ＬＳ２上に配置された第２の外部電極４０Ｂの第２の表面Ｓ２と、第３の端面ＬＳ３上に配置された第３の外部電極２４０Ａの第３の表面Ｓ３との間に、この隙間部ＧＭが存在し、隙間部ＧＭ内には第３の接合材５Ｃおよび外装材３が充填されている。
隙間部ＧＭの少なくとも一部には、金属を含む接合材が配置されていることが好ましい。接合材がはんだのように金属を含む接合材である場合、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱が、接合材を介して積層ＰＴＣサーミスタ２００に伝わりやすくなる。よって、積層ＰＴＣサーミスタ２００の検出感度が高まる。
隙間部ＧＭの少なくとも一部には、外装材３が配置されていてもよい。外装材３は、空気よりも高い熱伝導率であれば、熱伝導を高める効果が得られるが、外装材３の熱伝導率は、０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。これにより、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱が、外装材３を介して積層ＰＴＣサーミスタ２００に伝わりやすくなる。
なお、隙間部ＧＭの長さ方向Ｌの平均距離、すなわち、第２の端面ＬＳ２に配置された第２の外部電極４０Ｂの第２の表面Ｓ２と、第３の端面ＬＳ３に配置された第３の外部電極２４０Ａの第３の表面Ｓ３とを結ぶ長さ方向Ｌの平均距離は、５０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。これにより、製造時の作業性を確保しつつ、第２の端面ＬＳ２から第３の端面ＬＳ３への熱の伝達性も良好となる。
なお、外装材３および金属端子１００を含む積層セラミックコンデンサ１の長さ方向の寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、３．２ｍｍ以上４０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の積層方向の寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、１．０ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の幅方向の寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、１．５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であることが好ましい。
次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。まず、積層セラミックコンデンサ本体２の製造方法について説明する。
誘電体層２０用の誘電体シートおよび内部電極層３０用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートおよび内部電極用の導電性ペーストは、バインダおよび溶剤を含む。バインダおよび溶剤は、公知のものであってもよい。
誘電体シート上に、内部電極層３０用の導電性ペーストが、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで印刷される。これにより、第１の内部電極層３１のパターンが形成された誘電体シートおよび、第２の内部電極層３２のパターンが形成された誘電体シートが準備される。
内部電極層のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第１の主面ＴＳ１側の第１の主面側外層部１２となる部分が形成される。その上に、第１の内部電極層３１のパターンが印刷された誘電体シートおよび第２の内部電極層３２のパターンが印刷された誘電体シートが順次積層されることにより、内層部１１となる部分が形成される。この内層部１１となる部分の上に、内部電極層のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面ＴＳ２側の第２の主面側外層部１３となる部分が形成される。これにより、積層シートが作製される。
積層シートが静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスされることにより、積層ブロックが作製される。
積層ブロックが所定のサイズにカットされることにより、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みがつけられてもよい。
積層チップが焼成されることにより、コンデンサ積層体１０が作製される。焼成温度は、誘電体層２０や内部電極層３０の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。
コンデンサ積層体１０の両端面に第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂとなる導電性ペーストが塗布される。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層である。ガラス成分と金属とを含む導電性ペーストが、例えばディッピングなどの方法により、コンデンサ積層体１０に塗布される。その後、焼き付け処理が行われ、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂが形成される。この時の焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
なお、焼成前の積層チップと、積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。このとき、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。この場合は、焼成前の積層チップに対して、導電性ペーストを塗布し、積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストを同時に焼き付けて、焼き付け層が形成されたコンデンサ積層体１０を形成する。
なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂとして薄膜層を形成する場合は、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１上の一部および第２の主面ＴＳ２上の一部に、薄膜層を形成してもよい。薄膜層は、例えば、スパッタリング法によりスパッタ電極であってもよい。第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂとして、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部にスパッタ電極を形成する場合は、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には焼き付け層を形成してもよい。あるいは、第１の端面ＬＳ１上および第２の端面ＬＳ２上には下地電極層を形成せずに、後述するめっき層をコンデンサ積層体１０に直接形成してもよい。
その後、第１の下地電極層５０Ａの表面に、第１のめっき層６０Ａが形成される。また、第２の下地電極層５０Ｂの表面に、第２のめっき層６０Ｂが形成される。本実施形態では、めっき層として、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層が形成される。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、例えばバレルめっき法により、順次形成される。
このような製造工程により、積層セラミックコンデンサ本体２が製造される。
積層ＰＴＣサーミスタ２００についても、基本的には積層セラミックコンデンサ本体２と類似の工程により製造される。ただし、誘電体シートの代わりに、半導体セラミックシートを用いる。
次に、図１３を用いて、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００と、第１の金属端子１００Ａ、第２の金属端子１００Ｂおよび第３の金属端子１００Ｃとを接合する工程について説明する。図１３は、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００と、第１の金属端子１００Ａ、第２の金属端子１００Ｂおよび第３の金属端子１００Ｃとを接合する工程を説明するための図である。
第１の金属端子１００Ａ、第２の金属端子１００Ｂおよび第３の金属端子１００Ｃは、製造工程の初期段階においては、一枚の金属板１００Ｅにより構成されていることが好ましい。
まず、第１の金属端子１００Ａ、第２の金属端子１００Ｂおよび第３の金属端子１００Ｃを構成する端子本体となる金属板１００Ｅに、めっき膜が施される。その後、はんだを付着させたくない部分において、めっき膜の少なくとも最外表面を構成する膜が剥離される。これにより、はんだのぬれ性が低い表面が露出する露出面が形成される。あるいは、はんだを付着させたくない部分の表面をレジスト等でマスキングした状態の端子本体に対してめっき処理が施される。これにより、はんだのぬれ性が低い表面が露出する露出面が形成されてもよい。その後、金属板１００Ｅの一部は、折り曲げ加工が施されてもよい。
次に、金属板１００Ｅの所定の位置に、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００を載置し、リフローはんだによりはんだ実装を行う。
このとき、第１の外部電極４０Ａと、金属板の第１の金属端子１００Ａとなる部分は、第１の接合材５Ａによって接合される。第４の外部電極２４０Ｂと、金属板の第２の金属端子１００Ｂとなる部分は、第２の接合材５Ｂによって接合される。第２の外部電極４０Ｂおよび第３の外部電極２４０Ａと、金属板の第３の金属端子１００Ｃとなる部分は、第３の接合材５Ｃによって接合される。
本実施形態においては、第１の接合材５Ａ、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃは、はんだである。例えば、リフローによるはんだ付けで接合される場合、第１の接合材５Ａ、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃは、例えば２７０℃以上２９０℃以下の温度で３０秒以上加熱される。
このリフロー時の加熱により、第１の接合材５Ａ、第２の接合材５Ｂおよび第３の接合材５Ｃが溶融する。その後、第１の接合材５Ａが固化し、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａと、第１の金属端子１００Ａとが接合される。また、第２の接合材５Ｂが固化し、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第４の外部電極２４０Ｂと、第２の金属端子１００Ｂとが接合される。また、第３の接合材５Ｃが固化し、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の外部電極４０Ｂおよび積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の外部電極２４０Ａと、第３の金属端子１００Ｃとが接合される。
その後、打ち抜き金型等を用いて、不要部分１００Ｄが除去される。例えば、金属板１００Ｅは、図１３に示されるカットラインＣでカットさる。これにより、不要部分１００Ｄが除去され、金属板１００Ｅは、第１の金属端子１００Ａ、第２の金属端子１００Ｂおよび第３の金属端子１００Ｃに分離される。このとき、金属端子１００を構成する部分は、曲げ金型等を用いて、所望の形状に折り曲げられてもよい。
次に、積層セラミックコンデンサ本体２と、積層ＰＴＣサーミスタと、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部と、第３の金属端子１００Ｃと、を、外装材３で覆う工程について説明する。
外装材３は、例えば、トランスファーモールド工法によって形成される。具体的には、外装材３で覆う前の積層セラミックコンデンサ、すなわち、接合材５を介して金属端子１００が接合された積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００を金型内に配置し、その後、金型内に外装材３の樹脂を充填し、樹脂を硬化させる。これにより、積層セラミックコンデンサ本体２と、積層ＰＴＣサーミスタと、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部と、第３の金属端子１００Ｃと、を覆うように、外装材３が設けられる。このとき、隙間部Ｇおよび隙間部ＧＭにも外装材３を充填することができる。
最後に、金属端子１００にまだ不要部分が残っている場合、打ち抜き金型等を用いて、不要部分がカットされる。そして、金属端子にまだ曲げ加工が必要な部分が残っている場合、曲げ金型等を用いて、金属端子１００が所望の形状に折り曲げられる。このように、金属端子１００は、曲げ加工により形成されていてもよい。すなわち、屈曲形成されている金属端子１００の各接続部は、曲げ加工により形成されていてもよい。
以上の製造方法により、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１が製造される。
図１４に、積層セラミックコンデンサ１の実装構造５００を示す。図１４は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１が実装基板５１０に実装された実装構造５００を示す外観斜視図である。
外装材３に覆われて完成品となった積層セラミックコンデンサ１は、その後、部品として、基板実装用接合材５２０を介して、実装基板５１０にリフロー実装される。
具体的には、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、実装基板５１０の実装面５１１に配置されている配線部材５１２に対して、基板実装用接合材５２０を介して接合される。第２の金属端子１００Ｂは、実装基板５１０の実装面５１１に配置されている配線部材５１２に対して、基板実装用接合材５２０を介して接合される。
このとき、接合材５が溶融して、接合材５の体積が膨張するおそれがあるが、隙間部Ｇ内に外装材３が充填されているため、はんだスプラッシュ等の問題の発生を抑制することができる。
以下、図１５を用いて、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第１の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図１５は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第１の変形例を示す図であり、図２に対応する図である。
本変形例においては、金属端子の構成が、上記実施形態とは異なる。本変形例の金属端子は、第１の金属端子３００Ａと、第２の金属端子３００Ｂと、を有する。
第１の金属端子３００Ａのうち、外装材３の内部に配置されている部分の構成は、上記実施形態の第１の金属端子１００Ａの構成と同じである。第２の金属端子３００Ｂのうち、外装材３の内部に配置されている部分の構成は、上記実施形態の第２の金属端子１００Ｂの構成と同じである。
第１の金属端子３００Ａは、第１の延長部３３０Ａと、第１の立ち下がり部３４０Ａと、第１の実装部３５０Ａと、を有する。第１の延長部３３０Ａは、外装材３の第１の端面ＬＳ１側の表面ＭＬＳ１から突出してすぐに、第１の立ち下がり部３４０Ａに接続されている。第１の延長部３３０Ａと第１の立ち下がり部３４０Ａの接続部は、略直角に曲げられることにより形成されている。第１の立ち下がり部３４０Ａは、実装面に向かって、実装面に略直交する方向に延びる。第１の実装部３５０Ａは、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央側に向かって、実装面に沿って延びる。
第２の金属端子３００Ｂは、第２の延長部３３０Ｂと、第２の立ち下がり部３４０Ｂと、第２の実装部３５０Ｂと、を有する。第２の延長部３３０Ｂは、外装材３の第２の端面ＬＳ２側の表面ＭＬＳ２から突出してすぐに、第２の立ち下がり部３４０Ｂに接続されている。第２の延長部３３０Ｂと第２の立ち下がり部３４０Ｂの接続部は、略直角に曲げられることにより形成されている。第２の立ち下がり部３４０Ｂは、実装面に向かって、実装面に略直交する方向に延びる。第２の実装部３５０Ｂは、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央側に向かって、実装面に沿って延びる。
これにより、第１の金属端子３００Ａおよび第２の金属端子３００Ｂを含む積層セラミックコンデンサ１の長さ方法の寸法を短くすることができる。よって、積層セラミックコンデンサ１を実装基板に実装する際に必要となる実装面積を小さくすることができる。
なお、この場合においても、第１の金属端子３００Ａの第１の実装部３５０Ａの端部と第２の金属端子３００Ｂの第２の実装部３５０Ｂの端部との離間距離Ｌ５は、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂとの離間距離Ｌ３よりも長いことが好ましい。なお、第２の表面Ｓ２と第３の表面Ｓ３が対向するように、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００が配置されることにより、このような構成とすることが容易となる。
以下、図１６を用いて、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第２の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図１６は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第２の変形例を示す図であり、図６に対応する図である。
本変形例においては、金属端子の構成が、上記実施形態とは異なる。本変形例の金属端子は、第１の金属端子４００Ａと、第２の金属端子４００Ｂと、を有する。
第１の金属端子４００Ａは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第１の外部電極４０Ａに接続される第１の接合部４１０Ａと、第１の接合部４１０Ａに接続され、積層セラミックコンデンサ本体２から遠ざかるように、かつ実装基板の実装面に近づくように斜めに延びる第１の延長部４３０Ａと、第１の延長部４３０Ａに接続され、実装基板の実装面に沿う方向に延びる第１の実装部４５０Ａと、を有する。
第２の金属端子４００Ｂは、第３の主面ＴＳ３と対向し、第４の外部電極２４０Ｂに接続される第２の接合部４１０Ｂと、第２の接合部４１０Ｂに接続され、積層ＰＴＣサーミスタ２００から遠ざかるように、かつ実装基板の実装面に近づくように斜めに延びる第２の延長部４３０Ｂと、第２の延長部４３０Ｂに接続され、実装基板の実装面に沿う方向に延びる第２の実装部４５０Ｂと、を有する。
以下、図１７Ａを用いて、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第３の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図１７Ａは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第３の変形例を示す模式的な図である。なお、図１７Ａは、図６に対応する断面図であるが、図１７Ａの積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００は、断面図ではなく、外観図で模式的に示されている。
本変形例においては、外装材３内における、積層セラミックコンデンサ本体２と積層ＰＴＣサーミスタ２００の配置位置が、本実施形態とは異なる。
本変形例においても、積層セラミックコンデンサ１は、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａと接続される第１の金属端子１００Ａと、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第４の外部電極２４０Ｂと接続される第２の金属端子１００Ｂと、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の外部電極４０Ｂと積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の外部電極２４０Ａとを接続する第３の金属端子１００Ｃと、を備える。そして、外装材３が、積層セラミックコンデンサ本体２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００と、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部と、第３の金属端子１００Ｃと、を覆っている。
ただし、本変形例においては、第２の金属端子１００Ｂは、第４の外部電極２４０Ｂの第４の端面ＬＳ４側の第４の表面Ｓ４に接続されている。第３の金属端子１００Ｃは、第３の外部電極２４０Ａの第３の端面ＬＳ３側の第３の表面Ｓ３に接続されている。そして、積層セラミックコンデンサ本体２の高さ方向と、積層ＰＴＣサーミスタ２００の長さ方向が一致するように、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００が配置されている。
そして、サーミスタ積層体２１０の表面のうち、第３の外部電極２４０Ａおよび第４の外部電極２４０Ｂから露出している、第３の主面ＴＳ３、第４の主面ＴＳ４、第３の側面ＷＳ３、または第４の側面ＷＳ４と、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２とが、外装材３を介して、少なくとも一部が対向して配置されている。本変形例においては、第３の外部電極２４０Ａおよび第４の外部電極２４０Ｂから露出しているサーミスタ積層体２１０の第４の主面ＴＳ４と、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の表面Ｓ２とが、外装材３を介して、少なくとも一部が対向して配置されている。
このような構成より、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱が、外装材３を介してサーミスタ積層体２１０に伝わりやすくなる。よって、積層ＰＴＣサーミスタ２００の検出感度が高まる。
なお、第１の金属端子１００Ａと、第２の金属端子１００Ｂと、第３の金属端子１００Ｃは、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００の配置に応じて、形状が適宜調整されて形成される。なお、本変形例においては、積層セラミックコンデンサ１に組み込まれた状態において、積層セラミックコンデンサ本体２の高さ方向、長さ方向および幅方向と、積層ＰＴＣサーミスタの高さ方向、長さ方向および幅方向とが一致していないが、このような構成も、本開示に含まれる。
以下、図１７Ｂを用いて、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第４の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図１７Ｂは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第４の変形例を示す模式的な図である。なお、図１７Ｂは、図６に対応する断面図であるが、図１７Ｂの積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００は、断面図ではなく、外観図で模式的に示されている。
本変形例においては、外装材３内における、積層セラミックコンデンサ本体２と積層ＰＴＣサーミスタ２００の配置位置が、本実施形態とは異なる。
本変形例においても、積層セラミックコンデンサ１は、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の外部電極４０Ａと接続される第１の金属端子１００Ａと、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第４の外部電極２４０Ｂと接続される第２の金属端子１００Ｂと、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の外部電極４０Ｂと積層ＰＴＣサーミスタ２００の第３の外部電極２４０Ａとを接続する第３の金属端子１００Ｃと、を備える。そして、外装材３が、積層セラミックコンデンサ本体２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００と、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部と、第３の金属端子１００Ｃと、を覆っている。
ただし、本変形例においては、コンデンサ積層体１０の露出表面と、サーミスタ積層体２１０の露出表面とが対向するように、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００が並んで配置されている。
具体的には、コンデンサ積層体１０の表面のうち、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂから露出している、第１の主面ＴＳ１、第２の主面ＴＳ２、第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２と、サーミスタ積層体２１０の表面のうち、第３の外部電極２４０Ａおよび第４の外部電極２４０Ｂから露出している、第３の主面ＴＳ３、第４の主面ＴＳ４、第３の側面ＷＳ３、または第４の側面ＷＳ４とが、外装材３を介して、少なくとも一部が対向して配置されている。本変形例においては、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂから露出しているコンデンサ積層体１０の第２の主面ＴＳ２と、第３の外部電極２４０Ａおよび第４の外部電極２４０Ｂから露出しているサーミスタ積層体２１０の第３の主面ＴＳ３とが、外装材３を介して、少なくとも一部が対向して配置されている。
このような構成により、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱が、外装材３を介してサーミスタ積層体２１０に伝わりやすくなる。よって、積層ＰＴＣサーミスタ２００の検出感度が高まる。
なお、第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂが、積層セラミックコンデンサ１が実装されるべき実装基板の実装面に実装される金属端子であるときに、実装面側から、積層セラミックコンデンサ本体２、積層ＰＴＣサーミスタ２００が順に配置されていることがより好ましい。このように、実装基板への実装状態において、積層ＰＴＣサーミスタ２００が、積層セラミックコンデンサ本体２の上方に配置されやすい構成を採用することにより、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱を、より効率的にサーミスタ積層体に伝えることができる。
なお、第１の金属端子１００Ａと、第２の金属端子１００Ｂと、第３の金属端子１００Ｃは、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００の配置に応じて、形状が適宜調整されて形成される。
このように、積層セラミックコンデンサ本体２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００との間には、外装材３が配置されていることが好ましい。外装材３は、空気よりも高い熱伝導率であれば、熱伝導を高める効果が得られるが、外装材３の熱伝導率は、０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。これにより、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱が、外装材３を介してサーミスタ積層体２１０に伝わりやすくなる。
なお、本実施形態の積層セラミックコンデンサ本体２は、複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２が、コンデンサ積層体１０の高さ方向Ｔに交互に配置されていたが、積層セラミックコンデンサ本体２の構成は、これに限らない。複数の第１の内部電極層３１および複数の第２の内部電極層３２は、コンデンサ積層体１０の幅方向Ｗに交互に配置されていてもよい。
この場合、第１の内部電極層３１の第１の引き出し部を、第１の端面ＬＳ１側の第１の主面ＴＳ１に引き出し、第１の外部電極４０Ａを、第１の主面ＴＳ１上の第１の端面ＬＳ１側のみに配置してもよい。すなわち、第１の端面ＬＳ１には、第１の外部電極４０Ａを設けなくてもよい。この場合、積層セラミックコンデンサ本体２の第１の端面ＬＳ１側の第１の表面Ｓ１は、コンデンサ積層体１０の第１の端面ＬＳ１によって構成される。この場合、隙間部Ｇ内を接合材５がぬれ上がりにくくなり、隙間部Ｇ内に外装材３が充填されやすくなる。
同様に、本実施形態の積層ＰＴＣサーミスタ２００は、複数の第３の内部電極層２３１および複数の第４の内部電極層２３２が、サーミスタ積層体２１０の高さ方向Ｔに交互に配置されていたが、積層ＰＴＣサーミスタ２００の構成は、これに限らない。複数の第３の内部電極層２３１および複数の第４の内部電極層２３２は、サーミスタ積層体２１０の幅方向Ｗに交互に配置されていてもよい。
この場合、第４の内部電極層２３２の第４の引き出し部を、第４の端面ＬＳ４側の第３の主面ＴＳ３に引き出し、第４の外部電極２４０Ｂを、第３の主面ＴＳ３上の第４の端面ＬＳ４側のみに配置してもよい。すなわち、第４の端面ＬＳ４には、第４の外部電極２４０Ｂを設けなくてもよい。この場合、積層ＰＴＣサーミスタ２００の第４の端面ＬＳ４側の第４の表面Ｓ４は、サーミスタ積層体２１０の第４の端面ＬＳ４によって構成される。この場合、隙間部Ｇ内を接合材５がぬれ上がりにくくなり、隙間部Ｇ内に外装材３が充填されやすくなる。
なお、本実施形態においては、１つの積層セラミックコンデンサ本体２および１つの積層ＰＴＣサーミスタが外装材３に覆われて、積層セラミックコンデンサ１が構成されている例を説明したが、これに限らない。複数の積層セラミックコンデンサ本体２および複数の積層ＰＴＣサーミスタ２００が外装材３に覆われて、積層セラミックコンデンサ１が構成されていてもよい。例えば、直列に接続された積層セラミックコンデンサ本体２と積層ＰＴＣサーミスタ２００のセットが、並列に複数配列され、この複数のセットが外装材３に覆われて、積層セラミックコンデンサ１が構成されていてもよい。
なお、積層セラミックコンデンサ本体２の構成は、図７～図１０に示す構成に限定されない。例えば、積層セラミックコンデンサ本体２は、図１８Ａ、図１８Ｂ、図１８Ｃに示すような、２連構造、３連構造、４連構造の積層セラミックコンデンサであってもよい。
図１８Ａに示す積層セラミックコンデンサ本体２は、２連構造の積層セラミックコンデンサ本体２であり、内部電極層３０として、第１の内部電極層３３および第２の内部電極層３４に加えて、第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２のどちらにも引き出されない浮き内部電極層３５を備える。図１８Ｂに示す積層セラミックコンデンサ本体２は、浮き内部電極層３５として、第１の浮き内部電極層３５Ａおよび第２の浮き内部電極層３５Ｂを備えた、３連構造の積層セラミックコンデンサ本体２である。図１８Ｃに示す積層セラミックコンデンサ本体２は、浮き内部電極層３５として、第１の浮き内部電極層３５Ａ、第２の浮き内部電極層３５Ｂおよび第３の浮き内部電極層３５Ｃを備えた、４連構造の積層セラミックコンデンサ本体２である。このように、内部電極層３０として、浮き内部電極層３５を設けることにより、積層セラミックコンデンサ本体２は、対向電極部が複数に分割された構造となる。これにより、対向する内部電極層３０間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。よって、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くなり、積層セラミックコンデンサ本体２の高耐圧化を図ることができる。なお、本実施形態の積層セラミックコンデンサ本体２は、４連以上の多連構造であってもよいことはいうまでもない。
本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体層２０と、誘電体層２０上に積層された複数の内部電極層３０とを含み、高さ方向に相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含むコンデンサ積層体１０と、第１の端面ＬＳ１側に配置される第１の外部電極４０Ａと、第２の端面ＬＳ２側に配置される第２の外部電極４０Ｂと、を有する積層セラミックコンデンサ本体２と、積層された複数の半導体セラミック層２２０と、半導体セラミック層２２０上に積層された複数の内部電極層２３０とを含み、高さ方向に相対する第３の主面ＴＳ３および第４の主面ＴＳ４と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第３の側面ＷＳ３および第４の側面ＷＳ４と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第３の端面ＬＳ３および第４の端面ＬＳ４と、を含むサーミスタ積層体２１０と、第３の端面ＬＳ３側に配置される第３の外部電極２４０Ａと、第４の端面ＬＳ４側に配置される第４の外部電極２４０Ｂと、を有する積層ＰＴＣサーミスタ２００と、第１の外部電極４０Ａと接続される第１の金属端子１００Ａと、第４の外部電極２４０Ｂと接続される第２の金属端子１００Ｂと、積層セラミックコンデンサ本体２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００と、第１の金属端子１００Ａの一部と、第２の金属端子１００Ｂの一部とを覆う外装材３と、を備え、第２の外部電極４０Ｂと、第３の外部電極２４０Ａは、電気的に接続されている。これにより、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００を同じ外装材３で覆う構成により高耐圧性能を確保するとともに、積層ＰＴＣサーミスタ２００の採用により通常使用時は外装材３内部の配線抵抗を低く維持しつつ、積層セラミックコンデンサ本体２が故障により短絡した場合において、第１の金属端子１００Ａと第２の金属端子１００Ｂの間を過電流が流れ続けることを防止することが可能な積層セラミックコンデンサ１を提供することができる。また、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００を同じ外装材３で覆う構成により、通常使用時は外装材３内部の配線抵抗を低く維持しつつ、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱が、積層ＰＴＣサーミスタ２００に伝わりやすくなる。よって、積層ＰＴＣサーミスタ２００の検出感度が高まる。
ここで、例えば積層セラミックコンデンサ本体にヒューズを接続し、これらを外装材内に埋設する構成を採用する場合について検討する。このような構成においては、積層セラミックコンデンサ本体が故障により過電流が流れて異常発熱した場合、ヒューズが溶融して金属端子間が開放されたとしても、その後に一度溶融したヒューズが外装材内で再結合してしまい、金属端子間が再び短絡して過電流が流れてしまう可能性がある。このことは、故障時にショートモードとなる積層セラミックコンデンサ本体を外装材で覆う構成において特に考慮する必要がある。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１であれば、積層セラミックコンデンサ本体２を外装材３で覆う構成により高耐圧性能を確保することができるとともに、積層セラミックコンデンサ本体２が故障により短絡した場合において、同じ外装材３で覆われた積層ＰＴＣサーミスタ２００の機能により、第１の金属端子１００Ａと第２の金属端子１００Ｂの間を過電流が流れ続けることを防止することができる。
（２）本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２と、積層ＰＴＣサーミスタ２００第３の端面ＬＳ３側の第３の表面Ｓ３とが、外装材３および接合材５の少なくともいずれか一方を介して、少なくとも一部が対向して配置されている。これにより、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱が、対向する表面間の外装材３および接合材５の少なくともいずれか一方を介して積層ＰＴＣサーミスタ２００に伝わりやすくなる。また、第２の表面Ｓ２と第３の表面Ｓ３が対向するように、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００が配置され、さらに、積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００の全体が外装材３により覆われることにより、導体間の絶縁表面距離を、より長い距離とすることができる。また、第１の金属端子１００Ａの第１の実装部１５０Ａと第２の金属端子１００Ｂの第２の実装部１５０Ｂとの離間距離を、より長い距離とすることができる。
（３）本実施形態の積層ＰＴＣサーミスタ２００の高さ方向の寸法は、積層セラミックコンデンサ本体２の高さ方向の寸法の７５％以上１２５％以下の寸法であり、積層ＰＴＣサーミスタ２００の幅方向の寸法は、積層セラミックコンデンサ本体２の幅方向の寸法の７５％以上１２５％以下の寸法である。これにより、積層セラミックコンデンサ本体２の周囲の外装材３の厚みと、積層ＰＴＣサーミスタ２００の周囲の外装材３の厚みの均一性が高まる。よって、モールディング時における外装材３のひけ等が発生しにくくなり、寸法安定性が高まる。また、対向する表面の面積が確保されるため、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱が、積層ＰＴＣサーミスタ２００に伝わりやすくなる。
（４）本実施形態の第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、積層セラミックコンデンサ１が実装されるべき実装基板の実装面に実装される金属端子であり、コンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１およびサーミスタ積層体２１０の第３の主面ＴＳ３は、実装面と対向する面であり、第１の外部電極４０Ａは、少なくともコンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１上の第１の端面ＬＳ１側に配置され、第４の外部電極２４０Ｂは、少なくともサーミスタ積層体２１０の第３の主面ＴＳ３上の第４の端面ＬＳ４側に配置され、第１の金属端子１００Ａは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第１の外部電極４０Ａに接続される第１の接合部１１０Ａと、第１の接合部１１０Ａに接続され、実装面から遠ざかるように延びる第１の立ち上がり部１２０Ａと、第１の立ち上がり部１２０Ａに接続され、積層セラミックコンデンサ本体２から遠ざかるように延びる第１の延長部１３０Ａと、第１の延長部１３０Ａに接続され、実装面側に向かって延びる第１の立ち下がり部１４０Ａと、第１の立ち下がり部１４０Ａに接続され、実装面に沿う方向に延びる第１の実装部１５０Ａと、を有し、第２の金属端子１００Ｂは、第３の主面ＴＳ３と対向し、第４の外部電極２４０Ｂに接続される第２の接合部１１０Ｂと、第２の接合部１１０Ｂに接続され、実装面から遠ざかるように延びる第２の立ち上がり部１２０Ｂと、第２の立ち上がり部１２０Ｂに接続され、積層ＰＴＣサーミスタ２００から遠ざかるように延びる第２の延長部１３０Ｂと、第２の延長部１３０Ｂに接続され、実装面側に向かって延びる第２の立ち下がり部１４０Ｂと、第２の立ち下がり部１４０Ｂに接続され、実装面に沿う方向に延びる第２の実装部１５０Ｂと、を有し、第１の延長部１３０Ａは、外装材３の第１の端面ＬＳ１側の表面ＭＬＳ１から突出して一部が露出し、第２の延長部１３０Ｂは、外装材３の第４の端面ＬＳ４側の表面ＭＬＳ２から突出して一部が露出している。このような第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂを採用することにより、実装基板と積層セラミックコンデンサ本体２および積層ＰＴＣサーミスタ２００との距離を長くすることができ、実装基板からの応力を緩和する効果が得られる。また、実装基板側に設けられる外装材３の厚みを厚くすることができ、絶縁性を確保することができる。
（５）本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、第２の外部電極４０Ｂと、第３の外部電極２４０Ａと、を接続する第３の金属端子１００Ｃをさらに備え、第３の金属端子１００Ｃは、外装材３に覆われている。これにより、組立性が良好となる。また、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱が、第３の金属端子１００Ｃを介して積層ＰＴＣサーミスタ２００に伝わりやすくなる。
（６）本実施形態の第２の外部電極４０Ｂは、少なくともコンデンサ積層体１０の第１の主面ＴＳ１上の第２の端面ＬＳ２側に配置され、第３の外部電極２４０Ａは、少なくともサーミスタ積層体２１０の第３の主面ＴＳ３上の第３の端面ＬＳ３側に配置され、第３の金属端子１００Ｃは、第１の主面ＴＳ１と対向し、第２の外部電極４０Ｂに接続される第３の接合部１１０Ｃと、第３の主面ＴＳ３と対向し、第３の外部電極２４０Ａに接続される第４の接合部１２０Ｃと、を有する。これにより、組立性が良好となる。
（７）本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、サーミスタ積層体２１０の表面のうち、第３の外部電極２４０Ａおよび第４の外部電極２４０Ｂから露出している、第３の主面ＴＳ３、第４の主面ＴＳ４、第３の側面ＷＳ３、または第４の側面ＷＳ４と、積層セラミックコンデンサ本体２の第２の端面ＬＳ２側の第２の表面Ｓ２とが、外装材３を介して、少なくとも一部が対向して配置されている。れにより、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱が、外装材３を介してサーミスタ積層体２１０に伝わりやすくなる。よって、積層ＰＴＣサーミスタ２００の検出感度が高まる。
（８）本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、コンデンサ積層体１０の表面のうち、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂから露出している、第１の主面ＴＳ１、第２の主面ＴＳ２、第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２と、サーミスタ積層体２１０の表面のうち、第３の外部電極２４０Ａおよび第４の外部電極２４０Ｂから露出している、第３の主面ＴＳ３、第４の主面ＴＳ４、第３の側面ＷＳ３、または第４の側面ＷＳ４とが、外装材３を介して、少なくとも一部が対向して配置されている。これにより、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱が、外装材３を介してサーミスタ積層体２１０に伝わりやすくなる。よって、積層ＰＴＣサーミスタ２００の検出感度が高まる。
（９）本実施形態の第１の金属端子１００Ａおよび第２の金属端子１００Ｂは、積層セラミックコンデンサ１が実装されるべき実装基板の実装面に実装される金属端子であり、実装面側から、積層セラミックコンデンサ本体２、積層ＰＴＣサーミスタ２００が順に配置されている。このように、実装基板への実装状態において、積層ＰＴＣサーミスタ２００が、積層セラミックコンデンサ本体２の上方に配置されやすい構成を採用することにより、過電流などにより積層セラミックコンデンサ本体２が発熱した場合に、その発生した熱を、より効率的にサーミスタ積層体に伝えることができる。
（１０）本実施形態の外装材３は、熱硬化型エポキシ樹脂である。これにより、外装材３と、積層セラミックコンデンサ本体２および金属端子１００との密着性を確保し、耐電圧および耐湿性能の向上効果を得ることができる。
本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、上記実施形態において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
１ 積層セラミックコンデンサ
２ 積層セラミックコンデンサ本体
３ 外装材
５ 接合材
１０ コンデンサ積層体
ＬＳ１ 第１の端面、ＬＳ２ 第２の端面
ＷＳ１ 第１の側面、ＷＳ２ 第２の側面
ＴＳ１ 第１の主面、ＴＳ２ 第２の主面
２０ 誘電体層
３０ 内部電極層
４０ 外部電極
４０Ａ 第１の外部電極
４０Ｂ 第２の外部電極
１００ 金属端子
１００Ａ、３００Ａ、４００Ａ 第１の金属端子
１００Ｂ、３００Ａ、４００Ａ 第２の金属端子
１００Ｃ 第３の金属端子
１１０Ａ 第１の接合部
１１０Ｂ 第２の接合部
１１０Ｃ 第３の接合部
１２０Ｃ 第４の接合部
１２０Ａ 第１の立ち上がり部
１２０Ｂ 第２の立ち上がり部
１３０Ａ、３３０Ａ 第１の延長部
１３０Ｂ、３３０Ｂ 第２の延長部
１４０Ａ、３４０Ａ 第１の立ち下がり部
１４０Ｂ、３４０Ｂ 第２の立ち下がり部
１５０Ａ、３５０Ａ 第１の実装部
１５０Ｂ、３５０Ｂ 第２の実装部
２００ 積層ＰＴＣサーミスタ
２１０ サーミスタ積層体
ＬＳ３ 第３の端面、ＬＳ４ 第４の端面
ＷＳ３ 第３の側面、ＷＳ４ 第４の側面
ＴＳ３ 第３の主面、ＴＳ４ 第４の主面
２２０ 半導体セラミック層
２３０ 内部電極層
２４０ 外部電極
２４０Ａ 第３の外部電極
２４０Ｂ 第４の外部電極
５１０ 実装基板
５１１ 実装面

Claims (10)

  1. 積層された複数の誘電体層と、誘電体層上に積層された複数の内部電極層とを含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含むコンデンサ積層体と、前記第１の端面側に配置される第１の外部電極と、前記第２の端面側に配置される第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサ本体と、
    積層された複数の半導体セラミック層と、半導体セラミック層上に積層された複数の内部電極層とを含み、高さ方向に相対する第３の主面および第４の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第３の側面および第４の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第３の端面および第４の端面と、を含むサーミスタ積層体と、前記第３の端面側に配置される第３の外部電極と、前記第４の端面側に配置される第４の外部電極と、を有する積層ＰＴＣサーミスタと、
    前記第１の外部電極と接続される第１の金属端子と、
    前記第４の外部電極と接続される第２の金属端子と、
    前記積層セラミックコンデンサ本体と、前記積層ＰＴＣサーミスタと、前記第１の金属端子の一部と、前記第２の金属端子の一部とを覆う外装材と、を備え、
    前記第２の外部電極と、前記第３の外部電極は、電気的に接続されている、積層セラミックコンデンサ。
  2. 前記積層セラミックコンデンサ本体の前記第２の端面側の表面と、前記積層ＰＴＣサーミスタの前記第３の端面側の表面とが、前記外装材および接合材の少なくともいずれか一方を介して、少なくとも一部が対向して配置されている、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
  3. 前記積層ＰＴＣサーミスタの前記高さ方向の寸法は、前記積層セラミックコンデンサ本体の前記高さ方向の寸法の７５％以上１２５％以下の寸法であり、
    前記積層ＰＴＣサーミスタの前記幅方向の寸法は、前記積層セラミックコンデンサ本体の前記幅方向の寸法の７５％以上１２５％以下の寸法である、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
  4. 前記第１の金属端子および前記第２の金属端子は、前記積層セラミックコンデンサが実装されるべき実装基板の実装面に実装される金属端子であり、
    前記コンデンサ積層体の前記第１の主面および前記サーミスタ積層体の前記第３の主面は、前記実装面と対向する面であり、
    前記第１の外部電極は、少なくとも前記コンデンサ積層体の前記第１の主面上の前記第１の端面側に配置され、
    前記第４の外部電極は、少なくとも前記サーミスタ積層体の前記第３の主面上の前記第４の端面側に配置され、
    前記第１の金属端子は、
    前記第１の主面と対向し、前記第１の外部電極に接続される第１の接合部と、
    前記第１の接合部に接続され、前記実装面から遠ざかるように延びる第１の立ち上がり部と、
    前記第１の立ち上がり部に接続され、前記積層セラミックコンデンサ本体から遠ざかるように延びる第１の延長部と、
    前記第１の延長部に接続され、前記実装面側に向かって延びる第１の立ち下がり部と、
    前記第１の立ち下がり部に接続され、前記実装面に沿う方向に延びる第１の実装部と、を有し、
    前記第２の金属端子は、
    前記第３の主面と対向し、前記第４の外部電極に接続される第２の接合部と、
    前記第２の接合部に接続され、前記実装面から遠ざかるように延びる第２の立ち上がり部と、
    前記第２の立ち上がり部に接続され、前記積層ＰＴＣサーミスタから遠ざかるように延びる第２の延長部と、
    前記第２の延長部に接続され、前記実装面側に向かって延びる第２の立ち下がり部と、
    前記第２の立ち下がり部に接続され、前記実装面に沿う方向に延びる第２の実装部と、を有し、
    前記第１の延長部は、前記外装材の前記第１の端面側の表面から突出して一部が露出し、
    前記第２の延長部は、前記外装材の前記第４の端面側の表面から突出して一部が露出している、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  5. 前記第２の外部電極と、前記第３の外部電極と、を接続する第３の金属端子をさらに備え、
    前記第３の金属端子は、前記外装材に覆われている、請求項１～４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  6. 前記第２の外部電極は、少なくとも前記コンデンサ積層体の前記第１の主面上の前記第２の端面側に配置され、
    前記第３の外部電極は、少なくとも前記サーミスタ積層体の前記第３の主面上の前記第３の端面側に配置され、
    前記第３の金属端子は、
    前記第１の主面と対向し、前記第２の外部電極に接続される第３の接合部と、
    前記第３の主面と対向し、前記第３の外部電極に接続される第４の接合部と、を有する、請求項５に記載の積層セラミックコンデンサ。
  7. 前記サーミスタ積層体の表面のうち、前記第３の外部電極および前記第４の外部電極から露出している、前記第３の主面、前記第４の主面、前記第３の側面、または前記第４の側面と、前記積層セラミックコンデンサ本体の前記第２の端面側の表面とが、前記外装材を介して、少なくとも一部が対向して配置されている、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
  8. 前記コンデンサ積層体の表面のうち、前記第１の外部電極および前記第２の外部電極から露出している、前記第１の主面、前記第２の主面、前記第１の側面または前記第２の側面と、前記サーミスタ積層体の表面のうち、前記第３の外部電極および前記第４の外部電極から露出している、前記第３の主面、前記第４の主面、前記第３の側面、または前記第４の側面とが、前記外装材を介して、少なくとも一部が対向して配置されている、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
  9. 前記第１の金属端子および前記第２の金属端子は、前記積層セラミックコンデンサが実装されるべき実装基板の実装面に実装される金属端子であり、
    前記実装面側から、前記積層セラミックコンデンサ本体、前記積層ＰＴＣサーミスタが順に配置されている、請求項８に記載の積層セラミックコンデンサ。
  10. 前記外装材は、熱硬化型エポキシ樹脂である、請求項１～９のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
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