WO2024143135A1 - 導電性ペースト、硬化物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

炭素‐炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、熱可塑性樹脂（Ｂ）と、導電性粒子（Ｃ）と、を含有する導電性ペースト。

Description

導電性ペースト、硬化物及び半導体装置

　本発明は、導電性ペースト、硬化物及び半導体装置に関する。

　リードフレーム等の基板上にダイアタッチペーストと称される導電性ペーストを用いて半導体素子を固定した形態の半導体装置は広く用いられている。
　例えば、リードフレームにダイアタッチペーストを用いてＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子を固定した後、リードフレームのリード部と半導体素子上の電極とを細線ワイヤ（ボンディングワイヤ）により接続し、次いでこれらをパッケージに収納することにより、半導体製品が得られる。

　ダイアタッチペーストには、半導体素子を固定するための密着性（接合強度）が求められる。これを達成するため、ペーストに配合される各成分については従来様々な検討が行われている。
　例えば、特許文献１には、（Ａ）一次粒子の個数平均粒子径が４０ｎｍ～４００ｎｍの銀微粒子と、（Ｂ）溶剤と、（Ｃ）示差走査熱量計を用いた測定で得られるＤＳＣチャートにおける吸熱ピークの極大値が８０℃～１７０℃の範囲にある熱可塑性樹脂粒子とを含む、導電性組成物が記載されており、導電性組成物中の熱可塑性樹脂粒子が銀微粒子の焼結時に変形し、導電性組成物の硬化時の収縮に追随することによって、ボイドの発生を抑制し、接合強度を維持できることが記載されている。

国際公開第２０１６／０６３９３１号

　前述の通り、導電性ペーストには密着性の向上が求められている。

　本発明は、密着性が向上した導電性ペーストを提供するものである。

　本発明者らは、以下に提供される発明を完成させ、上記の課題を解決した。
［１］
　炭素‐炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、熱可塑性樹脂（Ｂ）と、導電性粒子（Ｃ）と、を含む導電性ペースト。
［２］
　上記［１］に記載の導電性ペーストにおいて、
　前記熱可塑性樹脂（Ｂ）が、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリオレフィン及びポリエチレングリコールからなる群から選択される一種又は二種以上を含む、導電性ペースト。
［３］
　上記［１］又は［２］に記載の導電性ペーストにおいて、
　前記熱可塑性樹脂（Ｂ）がポリアミド及びポリオレフィンからなる群から選択される一種又は二種以上を含む、導電性ペースト。
［４］
　上記［１］～［３］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　前記熱可塑性樹脂（Ｂ）がナイロン１２、ナイロン１１及びナイロン６からなる群から選択される一種又は二種以上を含む、導電性ペースト。
［５］
　上記［１］～［４］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　前記熱可塑性樹脂（Ｂ）がポリエチレンを含む、導電性ペースト。
［６］
　上記［１］～［５］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　前記熱可塑性樹脂（Ｂ）の融点が８０℃以上２２０℃以下である、導電性ペースト。
［７］
　上記［１］～［６］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　前記化合物（Ａ）が（メタ）アクリルモノマーを含む、導電性ペースト。
［８］
　上記［１］～［７］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　前記化合物（Ａ）がヒドロキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを含む、導電性ペースト。
［９］
　上記［１］～［８］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　前記化合物（Ａ）がオキシアルキレン骨格を有する（メタ）アクリルモノマーを含む、導電性ペースト。
［１０］
　上記［１］～［９］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　前記化合物（Ａ）が単官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ１）及び多官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ２）からなる群から選択される一種又は二種以上を含む、導電性ペースト。
［１１］
　上記［１］～［１０］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　さらにエポキシ樹脂を含む、導電性ペースト。
［１２］
　上記［１］～［１１］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　さらにカップリング剤を含む、導電性ペースト。
［１３］
　上記［１］～［１２］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　下記の＜方法＞により測定される２５℃におけるダイシェア強度が２３Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上である、導電性ペースト。
　＜方法＞
　前記導電性ペーストを銀メッキされた銅基板上に硬化後の厚みが２０μｍになるように塗布し、金コーティングされた長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ×高さ０．３５ｍｍのシリコンチップをマウントし、３０℃から２００℃まで６０分かけて昇温し、２００℃で１２０分加熱処理し、前記導電性ペーストを硬化させて硬化物とし、評価用試験片を得る。得られた評価用試験片を用いて、銀メッキされた銅基板と前記硬化物とのダイシェア強度を、２５℃において、負荷速度５００μｍ／秒の条件で得る。
［１４］
　上記［１］～［１３］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　下記の＜方法＞により測定される２６０℃におけるダイシェア強度が１６Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上である、導電性ペースト。
　＜方法＞
　前記導電性ペーストを銀メッキされた銅基板上に硬化後の厚みが２０μｍになるように塗布し、金コーティングされた長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ×高さ０．３５ｍｍのシリコンチップをマウントし、３０℃から２００℃まで６０分かけて昇温し、２００℃で１２０分加熱処理し、前記導電性ペーストを硬化させて硬化物とし、評価用試験片を得る。得られた評価用試験片を用いて、銀メッキされた銅基板と前記硬化物とのダイシェア強度を、２６０℃において、負荷速度５００μｍ／秒の条件で得る。
［１５］
　上記［１］～［１４］のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
　下記の＜方法＞により測定される２５℃における熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以上である、導電性ペースト。
　＜方法＞
　前記導電性ペーストを、テフロン（登録商標）板上に塗布し、３０℃から２００℃まで６０分かけて一定速度で昇温し、続けて２００℃で１２０分加熱し、長さ１０ｍｍ×幅１０ｍｍ×高さ１ｍｍの硬化物サンプルを得る。得られた硬化物サンプルをテフロン（登録商標）板から剥がし、２５℃での厚み方向の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定する。
［１６］
　上記［１］～［１５］のいずれかに記載の導電性ペーストであって、
　ダイアタッチ用である、導電性ペースト。
［１７］
　上記［１］～［１６］のいずれかに記載の導電性ペーストの硬化物。
［１８］
　基材と、上記［１］～［１６］のいずれかに記載の導電性ペーストの硬化物である接着層を介して前記基材上に搭載された半導体素子と、を備える半導体装置。

　本発明によれば、密着性が向上した導電性ペーストが提供される。

本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。

　以下、本発明を実施形態に基づいて説明する。

　本実施形態における導電性ペースト中の成分のうち、導電性ペーストを硬化させる際に揮発する溶剤等の成分のことを揮発性成分と呼ぶ。一方、導電性ペーストを硬化させる際に硬化物に残存する成分のことを不揮発性成分と呼ぶ。また、不揮発性成分のうち、導電性粒子（Ｃ）以外の成分のことをワニス成分と呼ぶ。

　本実施形態における基（原子団）の表記において、置換か無置換かを記していない表記は、置換基を有しないものと置換基を有するものの両方を包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有しないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。

　［導電性ペースト］
　本実施形態に係る導電性ペーストは、炭素‐炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、熱可塑性樹脂（Ｂ）と、導電性粒子（Ｃ）と、を含有する。

　本実施形態によれば、密着性が向上した導電性ペーストを提供できる。

　導電性ペーストの分野においては、密着性の向上のみならず、半導体装置内で発生した熱を半導体装置外へ逃がすことも求められている。すなわち、導電性ペーストには良好な熱伝導性を有しながら、密着性を向上させることが求められている。本実施形態によれば、良好な熱伝導性を有しながら、密着性が向上した導電性ペーストを提供することもできる。

　本実施形態に係る導電性ペーストにより良好な熱伝導性を有しながら密着性が向上するメカニズムは明らかではないが、本発明者らは以下のメカニズムを推測している。
　まず一般論として、導電性粒子を含有する導電性ペーストを加熱すると、樹脂成分が硬化するのと同時に収縮し、これにより導電性粒子が凝集する。そうすると、導電性粒子が互いに接触し、互いに接触した導電性粒子により熱の移動経路が形成される。この際、導電性粒子が適切に凝集しないと、熱の移動経路が適切に形成されず、熱伝導性が損なわれてしまう。そのため、樹脂成分が硬化する際に導電性粒子が適切に凝集するようにペーストのレオロジーを調整することが求められる。
　この点に関して、本実施形態に係る導電性ペーストを硬化する際においては、ペースト中に含有される熱可塑性樹脂（Ｂ）が加熱により軟化し、ペースト全体のレオロジーが、導電性粒子が熱の移動経路を形成するのにちょうど良い範囲に調整されるものと考えられる。このようにして熱の移動経路が適切に形成され、良好な熱伝導性が得られるものと推測される。
　また、本実施形態に係る導電性ペーストは炭素‐炭素二重結合を有する化合物（Ａ）を含むのが特徴である。化合物（Ａ）は導電性ペーストから形成される硬化物の柔軟性の向上に寄与すると考えられ、これにより基板への密着性が向上すると推測される。

　＜炭素‐炭素二重結合を有する化合物（Ａ）＞
　本実施形態に係る導電性ペーストは炭素‐炭素二重結合を有する化合物（Ａ）を含む。系内にラジカルが発生すると、化合物（Ａ）の炭素‐炭素二重結合が開裂し、化合物（Ａ）同士の反応や、化合物（Ａ）と他成分の反応が進行する。

　本実施形態に係る化合物（Ａ）は、好ましくは（メタ）アクリルモノマーを含む。（メタ）アクリルモノマーの種類は特に限定されず、（メタ）アクリル基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。

　本実施形態に係る化合物（Ａ）は、好ましくはヒドロキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを含む。

　本実施形態に係る化合物（Ａ）は、オキシアルキレン骨格を有する（メタ）アクリルモノマーを含む。

　（メタ）アクリルモノマーは、（メタ）アクリル基を分子内に一つのみ有する化合物、すなわち、単官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ１）と、（メタ）アクリル基を分子内に二つ以上有する化合物、すなわち、多官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ２）とに大別される。

　本実施形態に係る化合物（Ａ）は、ペーストの粘度を低減させる、ペーストの硬化物に柔軟性を付与する等の観点から、好ましくは単官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ１）及び多官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ２）からなる群から選択される一種又は二種以上を含み、より好ましくは単官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ１）を含む。

　ヒドロキシ基を有する単官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ１）は、例えば１，４－シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート及び２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレートから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、好ましくは１，４－シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレートを含み、より好ましくは１，４－シクロヘキサンジメタノールモノアクリレートを含む。

　オキシアルキレン骨格を有する単官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ１）は、例えば
エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ブトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシルジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノールエチレンオキシド変性（メタ）アクリレート、フェニルフェノールエチレンオキシド変性（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート及びポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレートから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、好ましくはポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート及びポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレートから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、より好ましくはポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレートを含み、さらに好ましくはポリプロピレングリコールモノメタクリレートを含む。

　ヒドロキシ基又はオキシアルキレン骨格を有さない単官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ１）は、例えばエチルメタクリレート、ｎ－ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ－ブチルメタクリレート、イソアミルアクリレート、２－エチルヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ｎ－ラウリルアクリレート、ｎ－ラウリルメタクリレート、ｎ－トリデシルメタクリレート、ｎ－ステアリルアクリレート、ｎ－ステアリルメタクリレート、イソステアリルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェノキシエチルアクリレート、フェノキシエチルメタクリレート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート四級化物、グリシジルメタクリレート及びネオペンチルグリコールアクリル酸安息香酸エステルから成る群から選択される一種又は二種以上を含む。

　ヒドロキシ基を有する多官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ２）は、例えばＮ，Ｎ'－（１，２－ジヒドロキシエチレン）ビス（メタ）アクリルアミドを含む。

　オキシアルキレン骨格を有する多官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ２）は、例えばトリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートを含む。

　ヒドロキシ基又はオキシアルキレン骨格を有さない多官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ２）は、例えば４，４'－イソプロピリデンジフェノールジ（メタ）アクリレート、１，３－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）－２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロヘキサン、１，４－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）ブタン、１，６－ビス（（メタ）アクリロイルオキシ）ヘキサン、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ'－ジ（メタ）アクリロイルエチレンジアミン及び１，４－ビス（（メタ）アクリロイル）ピペラジンから成る群から選択される一種又は二種以上を含む。

　本実施形態に係る導電性ペーストのワニス成分の合計量を１００質量部としたとき、化合物（Ａ）の含有量は、導電性ペーストの粘度を調整する観点から、好ましくは１質量部以上、より好ましくは５質量部以上、さらに好ましくは１０質量部以上、さらに好ましくは１５質量部以上、さらに好ましくは１９質量部以上であり、そして、好ましくは９０質量部以下、より好ましくは７０質量部以下、さらに好ましくは５０質量部以下、さらに好ましくは４０質量部以下、さらに好ましくは３０質量部以下、さらに好ましくは２１質量部以下である。

　＜熱可塑性樹脂（Ｂ）＞
　本実施形態に係る導電性ペーストは熱可塑性樹脂（Ｂ）を含む。本実施形態に係る導電性ペーストは熱可塑性樹脂（Ｂ）を含むのが特徴であり、導電性ペーストが加熱により硬化する際に、この熱可塑性樹脂（Ｂ）が軟化し、導電性ペースト全体のレオロジー調整に寄与しているものと推測される。

　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、好ましくはポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリオレフィン及びポリエチレングリコールからなる群から選択される一種又は二種以上を含む。

　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、好ましくはポリアミドを含み、より好ましくはナイロンを含み、さらに好ましくはナイロン１２、ナイロン１１及びナイロン６からなる群から選択される一種又は二種以上を含む。

　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、好ましくはポリオレフィンを含み、より好ましくはポリエチレンを含む。

　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、好ましくはポリアミド及びポリオレフィンから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、より好ましくはポリアミド及びポリエチレンから成る群から選択される一種又は二種以上を含む。

　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、好ましくはナイロン及びポリオレフィンから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、より好ましくはナイロン及びポリエチレンから成る群から選択される一種又は二種以上を含む。

　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、好ましくはナイロン１２、ナイロン１１、ナイロン６及びポリオレフィンから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、より好ましくはナイロン１２、ナイロン１１、ナイロン６及びポリエチレンから成る群から選択される一種又は二種以上を含む。

　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）の融点は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、好ましくは８０℃以上、より好ましくは９０℃以上、さらに好ましくは１００℃以上、さらに好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上、さらに好ましくは１３０℃以上であり、そして、好ましくは２２０℃以下、より好ましくは２１０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下、さらに好ましくは１９０℃以下、さらに好ましくは１８０℃以下、さらに好ましくは１７０℃以下、さらに好ましくは１６０℃以下、さらに好ましくは１５０℃以下、さらに好ましくは１４０℃以下であり、そして、好ましくは８０℃以上２２０℃以下、より好ましくは９０℃以上２１０℃以下、さらに好ましくは１００℃以上２００℃以下、さらに好ましくは１１０℃以上１９０℃以下、さらに好ましくは１２０℃以上１８０℃以下、さらに好ましくは１３０℃以上１７０℃以下、さらに好ましくは１３０℃以上１６０℃以下、さらに好ましくは１３０℃以上１５０℃以下、さらに好ましくは１３０℃以上１４０℃以下である。
　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）の融点は、例えば示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定することができる。ＤＳＣにより測定する場合、ＤＳＣチャートにおける吸熱ピークの極大値を融点とする。

　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）の形状は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、粒子状又は繊維状であることが好ましい。

　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）の形状が粒子状である場合、その体積基準の粒度分布における５０％累積時の粒径Ｄ_５０は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上であり、そして、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下であり、そして、好ましくは１μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上２００μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上５０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下である。
　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）の形状が粒子状である場合、そのＤ_５０は、例えば、顕微鏡写真を用いて粒径を測定する顕微鏡写真法やコールターカウンター法により決定できる。より具体的には、これらの方法により得られる体積基準のメジアン径を粒径Ｄ_５０とすることができる。

　本実施形態に係る熱可塑性樹脂（Ｂ）の形状が繊維状である場合、その平均繊維径は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上であり、そして、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下であり、そして、好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上５０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下である。
　そして、その平均繊維長は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは７０μｍ以上、さらに好ましくは１００μｍ以上であり、そして、好ましくは１００００μｍ以下、より好ましくは５０００μｍ以下、さらに好ましくは２０００μｍ以下、さらに好ましくは１０００μｍ以下、さらに好ましくは５００μｍ以下であり、そして、好ましくは５０μｍ以上１００００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以上５０００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以上２０００μｍ以下、さらに好ましくは７０μｍ以上１０００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以上５００μｍ以下である。
　平均繊維径及び平均繊維長は、バルメットオートメーション製Ｖａｌｍｅｔ　ＦＳ５などの繊維画像分析計を用いて測定することができる。

　本実施形態に係る導電性ペーストのワニス成分の合計量を１００質量部としたとき、熱可塑性樹脂（Ｂ）の含有量は、導電性ペーストが加熱硬化する際のレオロジーを適切に調整するという観点から、好ましくは１質量部以上、より好ましくは５質量部以上、さらに好ましくは１０質量部以上、さらに好ましくは１５質量部以上、さらに好ましくは１７質量部以上であり、そして、好ましくは９０質量部以下、より好ましくは７０質量部以下、さらに好ましくは５０質量部以下、さらに好ましくは４０質量部以下、さらに好ましくは３０質量部以下であり、そして、好ましくは１質量部以上９０質量部以下、より好ましくは５質量部以上７０質量部以下、さらに好ましくは１０質量部以上５０質量部以下、さらに好ましくは１５質量部以上４０質量部以下、さらに好ましくは１７質量部以上３０質量部以下である。

　＜導電性粒子（Ｃ）＞
　本実施形態に係る導電性ペーストは導電性粒子（Ｃ）を含む。導電性粒子（Ｃ）の種類は特に限定されず、導電性を示すものであれば特に制限なく用いることができる。

　導電性粒子（Ｃ）は特に限定されないが、例えば銀粒子、金粒子及び銅粒子などの金属粒子；銀コート粒子などの金属コート粒子を含む。
　銀粒子などの金属粒子の市販品は、例えば、徳力本店株式会社、福田金属箔粉工業社、ＤＯＷＡハイテック社等より入手することができる。また、銀コート粒子などの金属コート粒子の市販品は、例えば、三菱マテリアル社、積水化学工業社、株式会社山王等により入手することができる。

　導電性粒子（Ｃ）の形状は特に限定されないが、例えば、球状、楕球状、フレーク状及び鱗片状等が挙げられる。
　導電性粒子（Ｃ）の分散性を向上させる観点からは、導電性粒子（Ｃ）の形状は球状であることが好ましく、導電性を向上させる観点からは、導電性粒子（Ｃ）の形状はフレーク状であることが好ましい。また、接着層の導電性と導電性粒子（Ｃ）の分散性のバランスを向上するという観点からは、導電性粒子（Ｃ）が球状粒子とフレーク状粒子の双方の形状の粒子を含んでいることが好ましい。

　導電性粒子（Ｃ）の体積基準の粒度分布における５０％累積時の粒径Ｄ_５０は、好ましくは０．３μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは０．８μｍ以上であり、そして、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは４．５μｍ以下、さらに好ましくは４μｍ以下である。
　導電性粒子（Ｃ）のＤ_５０は、例えばシスメックス株式会社製フロー式粒子像分析装置ＦＰＩＡ（登録商標）－３０００を用い、粒子画像計測を行うことにより決定できる。より具体的には、上記装置を用いて得られる体積基準のメジアン径を粒径Ｄ_５０とすることができる。

　導電性ペースト中の導電性粒子（Ｃ）の含有量は、導電性及び熱伝導性向上の観点から、導電性ペースト全体を１００質量部としたときに、好ましくは５０質量部以上、より好ましくは５５質量部以上、さらに好ましくは６０質量部以上、さらに好ましくは７０質量部以上、さらに好ましくは７５質量部以上、さらに好ましくは８０質量部以上である。また、導電性ペーストの粘度を適切な範囲にするという観点からは、好ましくは９９質量部以下、より好ましくは９７質量部以下、さらに好ましくは９５質量部以下、さらに好ましくは９３質量部以下、さらに好ましくは９０質量部以下である。

　＜その他の成分＞
　本実施形態に係る導電性ペーストは上記の成分以外にその他の成分を含んでもよい。以下、その他の成分について説明する。

　（エポキシ樹脂）
　本実施形態に係る導電性ペーストは、導電性ペーストを適切に硬化させるという観点から、好ましくはエポキシ樹脂を含む。エポキシ樹脂の種類は特に限定されず、分子内に１又は２以上のエポキシ基を有するものであればよい。

　分子内に１のみのエポキシ基を有する単官能エポキシ化合物は、例えばｔ－ブチルフェニルグリシジルエーテル、ｍ，ｐ－クレジルグリシジルエーテル及びフェニルグリシジルエーテルから成る群から選択される一種又は二種以上を含む。

　分子内に２以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ化合物は、例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビフェノールなどのビスフェノール化合物又はこれらの誘導体をエポキシ化したもの；水素添加ビスフェノールＡ、水素添加ビスフェノールＦ、水素添加ビフェノール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、シクロヘキサンジエタノールなどの脂環構造を有するジオール又はこれらの誘導体をエポキシ化したもの；ブタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジオールなどの脂肪族ジオール又はこれらの誘導体をエポキシ化したもの；トリメチロールプロパン骨格、トリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する化合物又はこれらの誘導体をエポキシ化したもの；及びフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂又はこれらの誘導体をエポキシ化したものから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、好ましくはトリメチロールプロパン骨格、トリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する化合物又はこれらの誘導体をエポキシ化したものから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、より好ましくはトリメチロールプロパン骨格を有する化合物の誘導体をエポキシ化したものから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、さらに好ましくはトリメチロールプロパンポリグリシジルエーテルを含む。

　本実施形態に係る導電性ペーストがエポキシ樹脂を含む場合、本実施形態に係る導電性ペーストのワニス成分の合計量を１００質量部としたときのエポキシ樹脂の含有量は、導電性ペーストを適切に硬化させるという観点から、好ましくは５質量部以上、より好ましくは１０質量部以上、さらに好ましくは２０質量部以上、さらに好ましくは３０質量部以上、さらに好ましくは４０質量部以上であり、そして、好ましくは９０質量部以下、より好ましくは８０質量部以下、さらに好ましくは７０質量部以下、さらに好ましくは６０質量部以下である。

　（硬化剤）
　本実施形態に係る導電性ペーストは硬化剤を含んでもよい。硬化剤の種類は特に限定されず、エポキシ樹脂と反応して硬化するものであればよい。

　本実施形態に係る硬化剤は、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂、フェノール－ビフェニルノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；ポリビニルフェノール；トリフェニルメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル型フェノール樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ（ジヒドロキシジフェニルメタン）等のビスフェノール化合物；及びビフェノール等のビフェニレン骨格を有する化合物から成る群から選択される一種又は二種以上を含み、好ましくはビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ（ジヒドロキシジフェニルメタン）等のビスフェノール化合物から選択される一種又は二種以上を含み、より好ましくはビスフェノールＦ（ジヒドロキシジフェニルメタン）を含む。

　本実施形態に係る導電性ペーストが硬化剤を含む場合、本実施形態に係る導電性ペーストのワニス成分の合計量を１００質量部としたときの硬化剤の含有量は、導電性ペーストを適切に硬化させるという観点から、好ましくは１質量部以上、より好ましくは５質量部以上、さらに好ましくは１０質量部以上、さらに好ましくは１５質量部以上であり、そして、好ましくは９０質量部以下、より好ましくは７０質量部以下、さらに好ましくは５０質量部以下、さらに好ましくは４０質量部以下、さらに好ましくは３０質量部以下である。

　（硬化助剤）
　本実施形態に係る導電性ペーストは硬化助剤を含んでもよい。硬化助剤の種類は特に限定されず、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進するものであればよい。

　本実施形態に係る硬化助剤は、例えば、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール－４，５－ジメタノール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、２，４－ジアミノ－６－［２－メチルイミダゾリル－（１）］－エチル－ｓ－トリアジン、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、２，４－ジアミノ－６－［２－メチルイミダゾリル－（１）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト及び１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイトから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、好ましくは２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール－４，５－ジメタノール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾールから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、より好ましくは２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾールを含む。

　本実施形態に係る導電性ペーストが硬化助剤を含む場合、本実施形態に係る導電性ペーストのワニス成分の合計量を１００質量部としたときの硬化助剤の含有量は、導電性ペーストを適切に硬化させるという観点から、好ましくは０．０１質量部以上、より好ましくは０．１質量部以上、さらに好ましくは０．５質量部以上、さらに好ましくは１．０質量部以上、さらに好ましくは１．２質量部以上であり、そして、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは１０質量部以下、さらに好ましくは５質量部以下、さらに好ましくは２質量部以下である。

　（ラジカル重合開始剤）
　本実施形態に係る導電性ペーストはラジカル重合開始剤を含んでもよい。ラジカル重合開始剤の種類は特に限定されず、系内にラジカルを発生されられるものであればよい。

　本実施形態に係るラジカル重合開始剤は、例えば、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド等のケトンパーオキサイド；１，１－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２－ジ（４，４－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキシル）プロパン等のパーオキシケタール；ｐ－メンタンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、１，１，３，３－テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｔ－ブチルハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド；ビス（１－フェニル－１－メチルエチル）ペルオキシド、ジ（２－ｔ－ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ジ－α－クミルパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルクミルパーオキサイド、ジ－ｔ－へキシルパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキシン－３、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド等のジアルキルパーオキサイド；ジベンゾイルパーオキサイド、ジ（４－メチルベンゾイル）パーオキサイド等のジアシルパーオキサイド；ジ－ｎ－プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート等のパーオキシジカーボネート；及び２，５－ジメチル－２，５－ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－へキシルパーオキシベンゾエート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ－ブチルパーオキシ２－エチルヘキサノエート等のパーオキシエステルから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、好ましくはビス（１－フェニル－１－メチルエチル）ペルオキシド、ジ（２－ｔ－ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ジ－α－クミルパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルクミルパーオキサイド、ジ－ｔ－へキシルパーオキサイド、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキシン－３、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド等のジアルキルパーオキサイドから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、より好ましくはジ－α－クミルパーオキサイドを含む。

　本実施形態に係る導電性ペーストがラジカル重合開始剤を含む場合、本実施形態に係る導電性ペーストのワニス成分の合計量を１００質量部としたときのラジカル重合開始剤の含有量は、好ましくは０．０１質量部以上、より好ましくは０．１質量部以上、さらに好ましくは０．５質量部以上、さらに好ましくは１．０質量部以上であり、そして、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは１０質量部以下、さらに好ましくは５質量部以下、さらに好ましくは２質量部以下、さらに好ましくは１．５質量部以下である。

　（カップリング剤）
　本実施形態に係る導電性ペーストは、基板との密着性向上の観点から、好ましくはカップリング剤を含む。

　カップリング剤は特に限定されないが、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニルシラン；２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシシラン；ｐ－スチリルトリメトキシシランなどのスチリルシラン；３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリルシラン；メタクリル酸３－（トリメトキシシリル）プロピル、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどの（メタ）アクリルシラン；Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、トリメトキシ［３－（フェニルアミノ）プロピル］シランなどのアミノシラン；イソシアヌレートシラン；アルキルシラン；３－ウレイドプロピルトリアルコキシシランなどのウレイドシラン；３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス［３－（トリエトキシシリル）プロピル］ポリスルフィドなどのメルカプトシラン；及び３－イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネートシランから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、好ましくは２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシシラン；及びｐ－スチリルトリメトキシシランなどのスチリルシラン；３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリルシランから成る群から選択される一種又は二種以上を含み、より好ましくは３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン及び３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシランから成る群から選択される一種又は二種を含む。

　本実施形態に係る導電性ペーストがカップリング剤を含む場合、本実施形態に係る導電性ペーストのワニス成分の合計量を１００質量部としたときのカップリング剤の含有量は、好ましくは０．０１質量部以上、より好ましくは０．１質量部以上、さらに好ましくは０．５質量部以上、さらに好ましくは１．０質量部以上であり、さらに好ましくは１．５質量部以上であり、そして、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは１０質量部以下、さらに好ましくは５質量部以下、さらに好ましくは３質量部以下である。

　（溶剤）
　本実施形態に係る導電性ペーストは溶剤を含んでもよい。溶剤の種類は特に限定されず、導電性ペーストを硬化させる際に揮発するものであればよい。

　溶剤は特に限定されないが、例えば、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、メチルメトキシブタノール、α－ターピネオール、β－ターピネオール、へキシレングリコール、ベンジルアルコール、２－フェニルエチルアルコール、イゾパルミチルアルコール、イソステアリルアルコール、ラウリルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコールもしくはグリセリン等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン）、２－オクタノン、イソホロン（３、５、５－トリメチル－２－シクロヘキセン－１－オン）もしくはジイソブチルケトン（２、６－ジメチル－４－ヘプタノン）等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチルフタレート、ジブチルフタレート、アセトキシエタン、酪酸メチル、ヘキサン酸メチル、オクタン酸メチル、デカン酸メチル、メチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、１，２－ジアセトキシエタン、リン酸トリブチル、リン酸トリクレジルもしくはリン酸トリペンチル等のエステル類；テトラヒドロフラン、ジプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エトキシエチルエーテル、１，２－ビス（２－ジエトキシ）エタンもしくは１，２－ビス（２－メトキシエトキシ）エタン、エチレングリコール－モノ－２－エチルヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールモノｎ－ブチルエーテル等のエーテル類；酢酸２－（２ブトキシエトキシ）エタン等のエステルエーテル類；２－(２－メトキシエトキシ)エタノール等のエーテルアルコール類；トルエン、キシレン、ｎ－パラフィン、イソパラフィン、ドデシルベンゼン、テレピン油、ケロシンもしくは軽油等の炭化水素類；アセトニトリルもしくはプロピオニトリル等のニトリル類；アセトアミドもしくはＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等のアミド類；低分子量の揮発性シリコンオイル、揮発性有機変成シリコンオイル等のシリコンオイル類から成る群から選択される一種又は二種以上を含み、より好ましくはテトラヒドロフラン、ジプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エトキシエチルエーテル、１，２－ビス（２－ジエトキシ）エタンもしくは１，２－ビス（２－メトキシエトキシ）エタン、エチレングリコール－モノ－２－エチルヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールモノｎ－ブチルエーテル等のエーテル類から成る群から選択される一種又は二種以上を含み、さらに好ましくはエチレングリコール－モノ－２－エチルヘキシルエーテル及びトリプロピレングリコールモノｎ－ブチルエーテルから成る群から選択される一種又は二種を含む。

　本実施形態に係る導電性ペーストが溶剤を含む場合、導電性ペースト中の溶剤の含有量は設定したい粘度に応じて任意に設定することができるが、導電性ペーストの粘度を調整する観点から、例えば１質量部以上、例えば２質量部以上、例えば５質量部以上であり、そして、例えば９０質量部以下、例えば７０質量部以下、例えば５０質量部以下である。

　導電性ペーストが含有するその他の成分としては、他にも、充填材、重合禁止剤、消泡剤、界面活性剤、着色剤等の公知の成分を用いることができる。これらのその他の成分の含有量は、導電性ペーストに付与したい物性に応じ、任意に設定することができる。

　本実施形態に係る導電性ペーストは、上記した各成分を従来公知の方法で混合することにより製造することができる。

　＜導電性ペーストの性質＞
　本実施形態に係る導電性ペーストは、下記の＜方法＞により測定される２５℃におけるダイシェア強度が、好ましくは２３Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、より好ましくは３０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは４０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは５０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは５４Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは６５Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは９０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは１００Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは１０４Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上であり、そして、例えば５００Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下、例えば４００Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下、例えば３００Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下、例えば２００Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下、例えば１５０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下である。
　＜方法＞
　前記導電性ペーストを銀メッキされた銅基板上に硬化後の厚みが２０μｍになるように塗布し、金コーティングされた長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ×高さ０．３５ｍｍのシリコンチップをマウントし、３０℃から２００℃まで６０分かけて昇温し、２００℃で１２０分加熱処理し、前記導電性ペーストを硬化させて硬化物とし、評価用試験片を得る。得られた評価用試験片を用いて、銀メッキされた銅基板と前記硬化物とのダイシェア強度を、２５℃において、負荷速度５００μｍ／秒の条件で得る。

　本実施形態に係る導電性ペーストは、下記の＜方法＞により測定される２６０℃におけるダイシェア強度が、好ましくは１６Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、より好ましくは２０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは２４Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは２８Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは３２Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは４０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは４４Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上であり、そして、例えば２００Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下、例えば１００Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下、例えば７０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下である。
　＜方法＞
　前記導電性ペーストを銀メッキされた銅基板上に硬化後の厚みが２０μｍになるように塗布し、金コーティングされた長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ×高さ０．３５ｍｍのシリコンチップをマウントし、３０℃から２００℃まで６０分かけて昇温し、２００℃で１２０分加熱処理し、前記導電性ペーストを硬化させて硬化物とし、評価用試験片を得る。得られた評価用試験片を用いて、銀メッキされた銅基板と前記硬化物とのダイシェア強度を、２６０℃において、負荷速度５００μｍ／秒の条件で得る。

　本実施形態に係る導電性ペーストは、下記の＜方法＞により測定される２５℃におけるダイシェア強度が、好ましくは２０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、より好ましくは２５Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは２７Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは３０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは３５Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上であり、そして、例えば２００Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下、例えば１００Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下、例えば５０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下である。
　＜方法＞
　前記導電性ペーストを銅基板上に硬化後の厚みが２０μｍになるように塗布し、長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ×高さ０．３５ｍｍのシリコンチップをマウントし、３０℃から２００℃まで６０分かけて昇温し、２００℃で１２０分加熱処理し、前記導電性ペーストを硬化させて硬化物とし、評価用試験片を得る。得られた評価用試験片を用いて、銅基板と前記硬化物とのダイシェア強度を、２５℃において、負荷速度５００μｍ／秒の条件で得る。

　本実施形態に係る導電性ペーストは、下記の＜方法＞により測定される２６０℃におけるダイシェア強度が、好ましくは１０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、より好ましくは１２Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上、さらに好ましくは１５Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上であり、そして、例えば１００Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下、例えば５０Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下、例えば２５Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以下である。
　＜方法＞
　前記導電性ペーストを銅基板上に硬化後の厚みが２０μｍになるように塗布し、長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ×高さ０．３５ｍｍのシリコンチップをマウントし、３０℃から２００℃まで６０分かけて昇温し、２００℃で１２０分加熱処理し、前記導電性ペーストを硬化させて硬化物とし、評価用試験片を得る。得られた評価用試験片を用いて、銅基板と前記硬化物とのダイシェア強度を、２６０℃において、負荷速度５００μｍ／秒の条件で得る。

　本実施形態に係る導電性ペーストは、下記の＜方法＞により測定される２５℃における動的貯蔵弾性率が、例えば１ＧＰａ以上、例えば２ＧＰａ以上、例えば４ＧＰａ以上、例えば６ＧＰａ以上、例えば６．３ＧＰａ以上であり、そして、好ましくは５０ＧＰａ以下、より好ましくは３０ＧＰａ以下、さらに好ましくは２０ＧＰａ以下、さらに好ましくは１６ＧＰａ以下、さらに好ましくは１２ＧＰａ以下、さらに好ましくは１０ＧＰａ以下、さらに好ましくは９ＧＰａ以下、さらに好ましくは７ＧＰａ以下である。
　＜方法＞
　前記導電性ペーストを、テフロン（登録商標）板上に塗布し、３０℃から２００℃まで６０分かけて一定速度で昇温し、続けて２００℃で１２０分加熱し、長さ２０ｍｍ×幅４ｍｍ×高さ０．３ｍｍの硬化物サンプルを得る。得られた硬化物サンプルをテフロン（登録商標）板から剥がし、２５℃において、引張モード、周波数１０Ｈｚの条件で動的貯蔵弾性率を測定する。

　本実施形態に係る導電性ペーストは、下記の＜方法＞により測定される２５０℃における動的貯蔵弾性率が、例えば０．１ＧＰａ以上、例えば０．５ＧＰａ以上、例えば１．０ＧＰａ以上であり、そして、好ましくは２０ＧＰａ以下、より好ましくは１０ＧＰａ以下、さらに好ましくは６ＧＰａ以下、さらに好ましくは４．５ＧＰａ以下、さらに好ましくは３．５ＧＰａ以下、さらに好ましくは２．５ＧＰａ以下、さらに好ましくは１．５ＧＰａ以下である。
　＜方法＞
　前記導電性ペーストを、テフロン（登録商標）板上に塗布し、３０℃から２００℃まで６０分かけて一定速度で昇温し、続けて２００℃で１２０分加熱し、長さ２０ｍｍ×幅４ｍｍ×高さ０．３ｍｍの硬化物サンプルを得る。得られた硬化物サンプルをテフロン（登録商標）板から剥がし、２５０℃において、引張モード、周波数１０Ｈｚの条件で動的貯蔵弾性率を測定する。

　本実施形態に係る導電性ペーストは、下記の＜方法＞により測定される２５℃における熱伝導率が、好ましくは３０Ｗ／ｍＫ以上、より好ましくは４０Ｗ／ｍＫ以上、さらに好ましくは４５Ｗ／ｍＫ以上、さらに好ましくは５０Ｗ／ｍＫ以上、さらに好ましくは５５Ｗ／ｍＫ以上、さらに好ましくは６０Ｗ／ｍＫ以上であり、そして、例えば５００Ｗ／ｍＫ以下、例えば２００Ｗ／ｍＫ以下、例えば１００Ｗ／ｍＫ以下である。
　＜方法＞
　前記導電性ペーストを、テフロン（登録商標）板上に塗布し、３０℃から２００℃まで６０分かけて一定速度で昇温し、続けて２００℃で１２０分加熱し、長さ１０ｍｍ×幅１０ｍｍ×高さ１ｍｍの硬化物サンプルを得る。得られた硬化物サンプルをテフロン（登録商標）板から剥がし、２５℃での厚み方向の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定する。

　本実施形態に係る導電性ペーストの用途は特に限定されないが、本実施形態に係る導電性ペーストは良好な熱伝導性を有しながら、密着性が向上しているため、半導体装置において基板などの支持体の上に半導体素子を接着するダイアタッチ用として用いることが好ましい。

　［硬化物］
　本実施形態に係る硬化物は、上記の導電性ペーストの硬化物である。

　本実施形態の硬化物を得るための硬化の様式は特に限定されないが、例えば、熱処理により導電性ペースト中の成分を硬化させることにより得ることができる。

　導電性ペーストの熱処理温度は、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１７５℃以上、さらに好ましくは２００℃以上であり、そして、好ましくは５００℃以下、より好ましくは４００℃以下、さらに好ましくは３００℃以下である。

　［半導体装置］
　本実施形態に係る半導体装置は、基材と、上記の導電性ペーストの硬化物である接着層を介して前記基材上に搭載された半導体素子と、を備える。

　本実施形態の半導体装置の一例について図１を用いて説明する。
　図１は、本実施形態に係る半導体装置１００を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置１００は、基材３０と、導電性ペーストの硬化物である接着層１０を介して基材３０上に搭載された半導体素子２０と、を備えている。

　半導体素子２０と基材３０は、たとえばボンディングワイヤ４０等を介して電気的に接続される。また、半導体素子２０は、例えば封止樹脂５０により封止される。

　接着層１０の膜厚は、特に限定されないが、例えば５μｍ以上、例えば１０μｍ以上、例えば２０μｍ以上であり、そして、例えば１００μｍ以下、例えば７０μｍ以下である。

　図１に示す例において、基材３０は、ダイパッド３２とアウターリード３４から構成されるリードフレームである。この場合、半導体素子２０は、ダイパッド３２上にダイアタッチ層１０を介して搭載されることとなる。また、半導体素子２０は、例えばボンディングワイヤ４０を介してアウターリード３４へ電気的に接続される。リードフレームである基材３０は、たとえば４２アロイ、Ｃｕフレームにより構成される。

　基材３０は、有機基板や、セラミック基板であってもよい。有機基板としては、たとえばエポキシ樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂等を適用した当業者公知の基板が好ましい。また、基材３０の表面は、ダイアタッチペーストとの接着性をよくするために、銀などにより被膜されていてもよい。

　半導体素子２０の平面形状は、とくに限定されないが、たとえば矩形である。本実施形態においては、例えば０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以上１５ｍｍ×１５ｍｍ以下のチップサイズを有する矩形状の半導体素子２０を採用することができる。

　半導体装置１００は、例えば以下の手順により製造することができる。

　まず、上記の導電性ペーストをダイパッド３２（基材３０）上に塗布し、塗布した導電ペーストの上に半導体素子２０を搭載する。導電性ペーストを塗布する方法は、特に限定されないが、例えば、ディスペンシング、印刷法、及びインクジェット法等を挙げることができる。

　次いで、導電性ペーストを熱処理し、導電性ペーストを硬化させる。これにより、ダイパッド３２（基材３０）上に接着層１０が形成されることとなる。熱処理の温度条件は、導電性ペーストの組成などに応じ、適宜設定することができる。

　次いで、半導体素子２０とアウターリード３４（基材３０）を、ボンディングワイヤ４０を用いて電気的に接続し、半導体素子２０を封止樹脂５０により封止することにより、半導体装置１００を得ることができる。

　以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

　以下、本発明を実施例及び比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［導電性ペーストの調製］
　表１に示す配合に従い各成分を均一に混合することにより導電性ペーストを調製した。表１における各成分の含有量の単位は、質量部である。

　表１に示す成分の詳細は以下のとおりである。

化合物（Ａ）
・（メタ）アクリルモノマー１（化合物名：１，４－シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート、製品名：ＣＨＤＭＭＡ、入手先：三菱ケミカル株式会社）
・（メタ）アクリルモノマー２（化合物名：ポリプロピレングリコールモノメタクリレート、製品名：ブレンマーＰＰ－８００、入手先：日油株式会社）

熱可塑性樹脂（Ｂ）
・熱可塑性樹脂１（材質：ナイロン１２、融点：１６５℃、Ｄ_５０：５μｍ、製品名：東レナイロン微粒子ＳＰ－５００、入手先：東レ株式会社）
・熱可塑性樹脂２（材質：ポリエチレン、融点：１３６℃、Ｄ_５０：１０μｍ、製品名：微粒子ミペロンＰＭ－２００、入手先：三井化学ファイン株式会社）
・熱可塑性樹脂３（材質：ポリオレフィン、融点：１３５℃、繊維長：１００μｍ、繊維径：１０μｍ、製品名：ケミベストＦＤＳＳ－５、入手先：三井化学ファイン株式会社）

導電性粒子（Ｃ）
・銀粒子１（Ｄ_５０：０．７μｍ、製品名：ＡＧ－ＤＳＢ－１１４、入手先：ＤＯＷＡハイテック株式会社）
・銀粒子２（Ｄ_５０：７．６μｍ、製品名：ＨＫＤ－１２、入手先：福田金属箔紛株式会社）
・銀コート粒子１（Ｄ_５０：１０μｍ、入手先：三菱マテリアル株式会社）

その他の成分
・エポキシ樹脂１（化合物名：トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、入手先：ナガセケムテックス株式会社）
・硬化剤１（化合物名：ビスフェノールＦ、入手先：ＤＩＣ株式会社）
・硬化助剤１（化合物名：２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、製品名：２ＰＨＺ－ＰＷ、入手先：四国化成工業株式会社）
・ラジカル重合開始剤１（化合物名：ジ－α－クミルパーオキサイド、製品名：パーカドックスＢＣ、入手先：化薬アクゾ株式会社）
・カップリング剤１（化合物名：３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、製品名：ＫＢＭ－５０３Ｐ、入手先：信越化学工業株式会社）
・カップリング剤２（化合物名：３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、製品名：ＫＢＭ－４０３Ｅ、入手先：信越化学工業株式会社）
・溶剤１（化合物名：トリプロピレングリコールモノｎ－ブチルエーテル、入手先：日本乳化剤株式会社）
・溶剤２（化合物名：エチレングリコール－モノ－２－エチルヘキシルエーテル、製品名：２－エチルヘキシルグリコール、入手先：日本乳化剤株式会社）

　［熱伝導性］
　上記の方法により得られた導電性ペーストを、テフロン（登録商標）板上に塗布し、３０℃から２００℃まで６０分かけて一定速度で昇温し、続けて２００℃で１２０分加熱し、長さ１０ｍｍ×幅１０ｍｍ×高さ１ｍｍの硬化物サンプルを得た。得られた硬化物サンプルをテフロン（登録商標）板から剥がし、２５℃での厚み方向の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定した。結果を表１に示す。

　［ダイシェア強度］
　＜銀メッキ基板／金コートチップ＞
　上記の方法により得られた導電性ペーストを銀メッキされた銅基板上に硬化後の厚みが２０μｍになるように塗布し、金コーティングされた長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ×高さ０．３５ｍｍのシリコンチップをマウントし、３０℃から２００℃まで６０分かけて昇温し、２００℃で１２０分加熱処理し、前記導電性ペーストを硬化させて硬化物とし、評価用試験片を得た。得られた評価用試験片を用いて、銀メッキされた銅基板と前記硬化物とのダイシェア強度を、２５℃及び２６０℃において、負荷速度５００μｍ／秒の条件で得た。結果を表１に示す。

　＜銅基板／シリコンチップ＞
　上記の方法により得られた導電性ペーストを銅基板上に硬化後の厚みが２０μｍになるように塗布し、長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ×高さ０．３５ｍｍのシリコンチップをマウントし、３０℃から２００℃まで６０分かけて昇温し、２００℃で１２０分加熱処理し、前記導電性ペーストを硬化させて硬化物とし、評価用試験片を得た。得られた評価用試験片を用いて、銅基板と前記硬化物とのダイシェア強度を、２５℃及び２６０℃において、負荷速度５００μｍ／秒の条件で得た。結果を表１に示す。

　［弾性率］
　上記の方法により得られた導電性ペーストを、テフロン（登録商標）板上に塗布し、３０℃から２００℃まで６０分かけて一定速度で昇温し、続けて２００℃で１２０分加熱し、長さ２０ｍｍ×幅４ｍｍ×高さ０．３ｍｍの硬化物サンプルを得た。得られた硬化物サンプルをテフロン（登録商標）板から剥がし、２５℃及び２５０℃において、引張モード、周波数１０Ｈｚの条件で動的貯蔵弾性率を測定した。結果を表１に示す

　［ＭＳＬ］
　上記の方法により得られた導電性ペーストを銅フレーム表面に硬化後の厚みが２０μｍになるように塗布し、塗布した導電性ペーストの上に長さ５ｍｍ×幅５ｍｍ×高さ０．２ｍｍのシリコンチップをマウントした。次いで、窒素雰囲気下のオーブン内で、３０℃から２．８３℃／分の速度で２００℃まで昇温し、その後２００℃で１２０分熱処理し、評価用試験片を得た。
　上記の方法により得られた評価用試験片をエポキシ系の封止材で封止し、１７５℃のオーブンで４時間熱処理しポストモールドキュアを行い、長さ１４ｍｍ、幅１４ｍｍ、厚み０．８ｍｍのパッケージ構造物を得た。
　上記の方法により得られたパッケージ構造物を、温度６０℃、相対湿度６０％の条件にした恒温恒湿度室に４０時間置き、次いで、２６０℃のリフロー炉に６７ｃｍ／分の速度で３度通し、ＭＳＬ（Ｍｏｉｓｔｕｒｅ　Ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ　Ｌｅｖｅｌ）試験済みパッケージ構造物を得た。
　上記の方法により得られた熱試験済みパッケージ構造物における剥離の状態を観察し、下記の評価基準で評価を行った。結果を表１に示す。
　ＯＫ：導電性ペースト層と銅フレームの間に剥離が無かった。
　ＮＧ：導電性ペースト層と銅フレームの間に剥離が有った。

　表１に示す通り、実施例ではダイシェア強度が向上していた。このことから、本実施形態の導電性ペーストによれば密着性を向上できることがわかる。

　また、表１に示す通り、実施例では、熱伝導率が良好な値を維持しながらダイシェア強度が向上していた。このことから、本実施形態の導電性ペーストによれば良好な熱伝導性を維持しながら密着性を向上できることがわかる。

　この出願は、２０２２年１２月２８日に出願された日本出願特願２０２２－２１１７８０号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

１０　接着層
２０　半導体素子
３０　基材
３２　ダイパッド
３４　アウターリード
４０　ボンディングワイヤ
５０　封止樹脂
１００　半導体装置

Claims (18)

1. 　炭素‐炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、熱可塑性樹脂（Ｂ）と、導電性粒子（Ｃ）と、を含む導電性ペースト。
2. 　請求項１に記載の導電性ペーストにおいて、
   　前記熱可塑性樹脂（Ｂ）が、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリオレフィン及びポリエチレングリコールからなる群から選択される一種又は二種以上を含む、導電性ペースト。
3. 　請求項１又は２に記載の導電性ペーストにおいて、
   　前記熱可塑性樹脂（Ｂ）がポリアミド及びポリオレフィンからなる群から選択される一種又は二種以上を含む、導電性ペースト。
4. 　請求項１～３のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
   　前記熱可塑性樹脂（Ｂ）がナイロン１２、ナイロン１１及びナイロン６からなる群から選択される一種又は二種以上を含む、導電性ペースト。
5. 　請求項１～４のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
   　前記熱可塑性樹脂（Ｂ）がポリエチレンを含む、導電性ペースト。
6. 　請求項１～５のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
   　前記熱可塑性樹脂（Ｂ）の融点が８０℃以上２２０℃以下である、導電性ペースト。
7. 　請求項１～６のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
   　前記化合物（Ａ）が（メタ）アクリルモノマーを含む、導電性ペースト。
8. 　請求項１～７のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
   　前記化合物（Ａ）がヒドロキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを含む、導電性ペースト。
9. 　請求項１～８のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
   　前記化合物（Ａ）がオキシアルキレン骨格を有する（メタ）アクリルモノマーを含む、導電性ペースト。
10. 　請求項１～９のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
    　前記化合物（Ａ）が単官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ１）及び多官能（メタ）アクリルモノマー（Ａ２）からなる群から選択される一種又は二種以上を含む、導電性ペースト。
11. 　請求項１～１０のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
    　さらにエポキシ樹脂を含む、導電性ペースト。
12. 　請求項１～１１のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
    　さらにカップリング剤を含む、導電性ペースト。
13. 　請求項１～１２のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
    　下記の＜方法＞により測定される２５℃におけるダイシェア強度が２３Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上である、導電性ペースト。
    　＜方法＞
    　前記導電性ペーストを銀メッキされた銅基板上に硬化後の厚みが２０μｍになるように塗布し、金コーティングされた長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ×高さ０．３５ｍｍのシリコンチップをマウントし、３０℃から２００℃まで６０分かけて昇温し、２００℃で１２０分加熱処理し、前記導電性ペーストを硬化させて硬化物とし、評価用試験片を得る。得られた評価用試験片を用いて、銀メッキされた銅基板と前記硬化物とのダイシェア強度を、２５℃において、負荷速度５００μｍ／秒の条件で得る。
14. 　請求項１～１３のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
    　下記の＜方法＞により測定される２６０℃におけるダイシェア強度が１６Ｎ／２ｍｍ×２ｍｍ以上である、導電性ペースト。
    　＜方法＞
    　前記導電性ペーストを銀メッキされた銅基板上に硬化後の厚みが２０μｍになるように塗布し、金コーティングされた長さ２ｍｍ×幅２ｍｍ×高さ０．３５ｍｍのシリコンチップをマウントし、３０℃から２００℃まで６０分かけて昇温し、２００℃で１２０分加熱処理し、前記導電性ペーストを硬化させて硬化物とし、評価用試験片を得る。得られた評価用試験片を用いて、銀メッキされた銅基板と前記硬化物とのダイシェア強度を、２６０℃において、負荷速度５００μｍ／秒の条件で得る。
15. 　請求項１～１４のいずれかに記載の導電性ペーストにおいて、
    　下記の＜方法＞により測定される２５℃における熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以上である、導電性ペースト。
    　＜方法＞
    　前記導電性ペーストを、テフロン（登録商標）板上に塗布し、３０℃から２００℃まで６０分かけて一定速度で昇温し、続けて２００℃で１２０分加熱し、長さ１０ｍｍ×幅１０ｍｍ×高さ１ｍｍの硬化物サンプルを得る。得られた硬化物サンプルをテフロン（登録商標）板から剥がし、２５℃での厚み方向の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定する。
16. 　請求項１～１５のいずれかに記載の導電性ペーストであって、
    　ダイアタッチ用である、導電性ペースト。
17. 　請求項１～１６のいずれかに記載の導電性ペーストの硬化物。
18. 　基材と、請求項１～１６のいずれかに記載の導電性ペーストの硬化物である接着層を介して前記基材上に搭載された半導体素子と、を備える半導体装置。

Images