WO2024084546A1 - 伝送路、遅波回路、増幅器、送受信機、中継器、回路装置、伝送路の製造方法及び遅波回路の製造方法 - Google Patents

伝送路、遅波回路、増幅器、送受信機、中継器、回路装置、伝送路の製造方法及び遅波回路の製造方法 Download PDF

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WO2024084546A1
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transmission line
resin
waveguide
wave circuit
slow wave
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豪 伊丹
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ソニーグループ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor

Definitions

  • This technology relates to transmission lines, slow wave circuits, amplifiers, transceivers, repeaters, circuit devices, methods for manufacturing transmission lines, and methods for manufacturing slow wave circuits.
  • a slow wave circuit that amplifies electromagnetic waves (e.g., high frequency waves) by interacting them with an electron beam that serves as an energy source (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
  • a folded waveguide FWG
  • this folded waveguide if designed appropriately, it is possible to obtain wideband transmission characteristics similar to those of a normal waveguide.
  • the main objective of this technology is to provide a transmission line that can achieve a wide bandwidth and high frequencies without being compact.
  • the present technology provides a transmission line in which a waveguide structure including a plurality of waveguide paths with different electromagnetic wave guide distances and/or guide velocities is periodically arranged.
  • the waveguiding structures may be periodically arranged along at least one axis.
  • the periodic structures defining each of the plurality of waveguide paths may be equiangularly arranged.
  • Adjacent waveguiding structures may be continuous so as to wind around the axis.
  • the transmission line may be spiral.
  • Adjacent waveguide structures may be continuous so as to be folded back.
  • Each of the plurality of waveguide paths may be curved.
  • the plurality of waveguide paths may have different curvatures.
  • the surface of the waveguide structure may be provided with recesses or protrusions.
  • the transmission line may have a meandering shape.
  • Adjacent waveguiding structures may be arranged side by side along the one axis.
  • Each of the plurality of waveguide paths may have a structure in which a plurality of materials having different dielectric constants are arranged side by side along the one axis.
  • the transmission line may further include a base portion made of a conductor, and the waveguide structure may be provided on the base portion.
  • the waveguide structure may include two types of dielectrics with different dielectric constants and air, or three types of dielectrics with different dielectric constants, and the average of the dielectric constants of the materials with the largest and smallest real parts of the dielectric constants among the materials included in the waveguide structure may be equal to the dielectric constant of the remaining materials.
  • the arrangement period of the waveguide structures may be equal to or greater than the wavelength of the electromagnetic wave.
  • the transmission path may include a resin structure including a resin screw, the waveguiding structures being periodically arranged in the rotation axis direction of the resin screw, and a conductor portion provided around the resin structure.
  • the resin structure may include a resin portion provided around the resin screw.
  • the resin portion may have a dielectric constant different from that of the resin screw.
  • the resin portion may have a slit that exposes a portion of the resin screw.
  • the waveguide structure may be made of a plurality of dielectric materials having different dielectric constants.
  • the present technology relates to the transmission path, a through hole penetrating a resin structure of the transmission line in the direction of the rotation axis;
  • a slow wave circuit is also provided, comprising: This technology involves a beam hole that transmits an electron beam, the transmission path that transmits the electromagnetic wave with a delay; Equipped with A slow wave circuit is also provided that allows the electromagnetic wave through the transmission line to interact with the electron beam through the beam hole.
  • the transmission line may have at least one uneven line extending along the plurality of waveguide paths.
  • the electromagnetic waves may have a frequency of 200 GHz or higher.
  • the electromagnetic waves may have a frequency in the millimeter wave band or higher.
  • the present technology also provides an amplifier comprising the slow wave circuit.
  • the present technology also provides a transceiver including the slow wave circuit.
  • the present technology also provides a repeater including the slow wave circuit.
  • the present technology also provides a circuit device including the slow wave circuit.
  • the present technology includes a step of forming a hole in a conductor plate; injecting resin into the hole; inserting a plastic screw into the hole into which the resin has been injected;
  • a method for manufacturing a transmission line comprising: The method for manufacturing the transmission line may further include a step of forming a cut in the resin. The method for manufacturing the transmission line may further include a step of cutting out a portion of the conductive plate, the resin screw, and the resin integrally.
  • the present technology includes a step of forming a hole in a conductor plate; injecting resin into the hole; inserting a plastic screw into the hole into which the resin has been injected; forming a through hole extending in a rotation axis direction in the resin screw; Also provided is a method for manufacturing a slow wave circuit, comprising: The method for manufacturing the slow wave circuit may further include a step of forming a cut in the resin. The method for manufacturing the slow wave circuit may further include a step of cutting out the portion of the conductor plate, the resin screw, and the resin integrally.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining the concept of the present technology.
  • FIG. 1 is a diagram for specifically explaining the concept of the present technology.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a transmission path according to a first example of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a transmission path according to Example 2 of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a transmission path according to Example 3 of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a transmission path according to Example 4 of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a schematic plan view of a transmission line according to Example 10 of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a flowchart for explaining a method for manufacturing a transmission line according to a tenth example of the first embodiment of the present technology.
  • 15A and 15B are manufacturing process diagrams of a transmission line according to Example 10 of the first embodiment of the present technology.
  • 16A to 16C are manufacturing process diagrams of a transmission line according to Example 10 of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a slow wave circuit according to Example 1 of a second embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a slow wave circuit according to Example 2 of the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a slow wave circuit according to Example 3 of the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a diagram showing a slow wave circuit according to Example 4 of the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a diagram showing a slow wave circuit according to Example 5 of the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a diagram showing a slow wave circuit according to Example 6 of the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a slow wave circuit according to Example 7 of the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a schematic plan view of a slow wave circuit according to Example 7 of the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a flowchart for explaining a manufacturing method of a slow wave circuit according to Example 7 of the second embodiment of the present technology.
  • 13A to 13C are diagrams illustrating a manufacturing process of a slow wave circuit according to Example 7 of the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a block diagram showing an example configuration of an amplifier according to a third embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a block diagram showing an example configuration of a transceiver according to a fourth embodiment of the present technology.
  • FIG. 13 is a block diagram showing an example configuration of a transceiver according to a fifth embodiment of the present technology.
  • FIG. 23 is a block diagram showing an example configuration of a repeater according to a sixth embodiment of the present technology.
  • FIG. 31A is a perspective view of a transmission line according to a first modification of the first embodiment of the present technology.
  • Fig. 31B is a perspective plan view of a transmission line according to the first modification of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 11 is a see-through perspective view of a transmission line according to a second modified example of the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 11 is a perspective view of a transmission line according to a third modified example of the first embodiment of the present technology.
  • the transmission line, slow wave circuit, amplifier, transceiver, repeater, circuit device, method of manufacturing a transmission line, and method of manufacturing a slow wave circuit related to the present technology have multiple effects, it is sufficient that the transmission line, slow wave circuit, amplifier, transceiver, repeater, circuit device, method of manufacturing a transmission line, and method of manufacturing a slow wave circuit related to the present technology have at least one effect.
  • the effects described in this specification are merely examples and are not limited, and other effects may also be present.
  • Transmission path according to the first embodiment of the present technology transmission paths according to Examples 1 to 10.
  • Transmission line according to a second embodiment of the present technology (slow wave circuits according to examples 1 to 7) 3.
  • Configuration example of an amplifier according to a third embodiment of the present technology 4.
  • Configuration example of a transceiver according to a fourth embodiment of the present technology 5.
  • Configuration example of a transceiver according to a fifth embodiment of the present technology 6.
  • RF carrier waves for communication
  • semiconductor technology such as transistors
  • vacuum tube technology such as traveling wave tubes and gyrotrons.
  • semiconductor technology has the characteristics of small size and low output
  • vacuum tube technology has the characteristics of large size and high output.
  • semiconductor technology has been mainly used for wide-area wireless communication devices
  • vacuum tube technology has been mainly used for satellite communication devices.
  • Electromagnetic Wave Amplifier As mentioned above, conventional electromagnetic wave amplifiers are roughly divided into small/low output ones that use semiconductors (transistors) and large/high output ones that use vacuum tubes. In recent years, high frequencies have entered the field of view in the frequency range of over 100 GHz, and the output limit of semiconductors has come into view. In the frequency range of over 100 GHz, vacuum tubes have also become smaller, and up to 1W@300 GHz has been realized.
  • a TWT amplifier (traveling wave tube amplifier, @100 GHz band or more) in which a high-frequency RF input signal propagates inside the vacuum tube and is electromagnetically coupled with an electron beam to be amplified and output.
  • a TWT amplifier includes, for example, an electron gun, a slow-wave circuit including an electron tube, a magnetic field generating unit, a collector, a vibration-resistant package, etc.
  • the driving frequency of the TWT amplifier is determined by the traveling-wave tube structure, the voltage applied to the electron gun, and the transmission characteristics of the slow-wave circuit.
  • the bandwidth of the TWT amplifier is determined by the coupling characteristics of the slow-wave circuit.
  • the RF output (gain) of the TWT amplifier is expressed as (electron energy) x (coupling efficiency between the electromagnetic wave and the electron beam).
  • the coupling efficiency between the electromagnetic wave and the electron beam is determined by the coupling characteristics of the slow-wave circuit.
  • a folded waveguide (FWG, @300 GHz) that diverts electromagnetic waves from electron beams is usually used in slow wave circuits.
  • the folded waveguide has broadband electromagnetic wave propagation characteristics similar to those of a normal waveguide.
  • the folded waveguide needs to be miniaturized to achieve higher frequencies, and is difficult to process (for example, MEMS technology is required).
  • the folded waveguide has limitations in the coupling efficiency between the electromagnetic wave and the electron beam, and there is a concern that the output will decrease, especially in the millimeter wave band or higher.
  • SSPP pseudo surface plasmon-prone
  • a typical SSPP transmission line is a corrugated waveguide.
  • a corrugated waveguide (@300 GHz) has three modes, forward, backward, and standing waves, and is easy to increase the coupling efficiency between electromagnetic waves and electron beams, making it possible to produce high output.
  • the period of the waveguide is uniform, and the frequency of electromagnetic waves that can be coupled with the pseudo surface plasmon is limited, making it difficult to widen the bandwidth.
  • the SSPP transmission line is difficult to process due to miniaturization, especially in the terahertz region of 300 GHz or more. Furthermore, in an SSPP transmission line, loss due to propagation in the conductor structure is large, especially in the millimeter wave band or higher, and there is a concern that the output will decrease.
  • the inventor therefore developed a transmission line according to the present technology as a transmission line that can achieve a wide bandwidth and high frequencies without being compact.
  • the inventor developed a slow-wave circuit according to the present technology as a slow-wave circuit that includes a transmission line according to the present technology, can achieve a wide bandwidth, high frequencies without being compact, and has high output.
  • an SSPP transmission line can transmit electromagnetic waves along the surface of the transmission line due to the confinement effect caused by exciting surface plasmons. In other words, it is possible to increase the frequency (transmit high frequencies) without miniaturization.
  • an SSPP transmission line shown in the left diagram of FIG. 1 there is an SSPP transmission line in which a waveguide structure having a plurality of waveguide paths with the same period is periodically arranged. Even if pseudo surface plasmons are excited in this SSPP transmission line, only electromagnetic waves of a single frequency (same frequency) corresponding to the period of each waveguide path can be transmitted, and a broadband cannot be achieved.
  • multiple waveguide paths with different periods is synonymous with “multiple waveguide paths with different electromagnetic wave guiding distances and/or different waveguide velocities.”
  • FIG. 2 shows a meandering SSPP transmission line in which a waveguiding structure including a plurality of waveguiding paths WG L and WG S with different periods (waveguiding distance of electromagnetic waves) is periodically arranged.
  • a waveguiding structure including a plurality of waveguiding paths WG L and WG S with different periods (waveguiding distance of electromagnetic waves) is periodically arranged.
  • the electromagnetic waves can be propagated along the interface between the transmission line surface and air while remaining localized at the interface. Therefore, high frequencies can be propagated without miniaturization, that is, high frequencies can be achieved without miniaturization.
  • a relatively low frequency wave passes through the outer waveguiding path WG L of each waveguiding structure, and a relatively high frequency wave passes through the inner waveguiding path WG S of each waveguiding structure.
  • each waveguide structure includes a plurality of waveguide paths with different periods, making it possible to transmit a plurality of electromagnetic waves with different frequencies in a wide frequency range at once, i.e., to achieve a broadband.
  • the pseudo-surface plasmon may be not only a propagation type but also a localized type.
  • the electromagnetic wave and the pseudo-surface plasmon can be coupled regardless of the phase velocity of the electromagnetic wave, i.e., the number of electromagnetic waves of different frequencies that can be coupled with the pseudo-surface plasmon increases, making it possible to promote broadbanding.
  • a propagation type can achieve a broadband without miniaturization, but for example, in the case of electromagnetic waves with frequencies above 300 GHz, a localized type is preferable in order to achieve a broadband without miniaturization.
  • the electromagnetic waves when a solid transmission line is used, it is possible for the electromagnetic waves to propagate near the surface of the transmission line.
  • a hollow transmission line when a hollow transmission line is used, it is possible for the electromagnetic waves to propagate near the outer or inner surface of the transmission line.
  • Fig. 3 is a diagram showing a transmission line 1 according to a first example of the first embodiment.
  • Transmission path 1 is an electromagnetic wave transmission path. Transmission path 1 is particularly effective for transmitting electromagnetic waves in the millimeter wave band (30 GHz band to 300 GHz band) and above, for example, electromagnetic waves with frequencies of 200 GHz or above or 300 GHz or above.
  • the transmission line 1 is an SSPP transmission line in which a waveguiding structure 1a including a plurality of waveguiding paths with different waveguiding distances of electromagnetic waves to be transmitted is arranged periodically (e.g., at equal pitches) as shown in Fig. 3.
  • the transmission line 1 can transmit a plurality of electromagnetic waves with different frequencies in a wide frequency range at once, i.e., can widen the band, based on the same principle as the SSPP transmission line in Fig. 2.
  • the transmission path 1 is made of a solid or hollow member in which multiple waveguide structures 1a are periodically arranged along one axis AX.
  • the material of the transmission path 1 is a conductor (e.g., a metal such as Au, Ag, or Pt).
  • the transmission path 1 has, for example, a meandering shape in which adjacent waveguide structures 1a are folded back on each other.
  • Each waveguide structure 1a has multiple waveguide paths near the surface with different guiding distances for electromagnetic waves, and each of the multiple waveguide paths transmits electromagnetic waves of different frequencies.
  • the waveguide structure 1a is approximately crank-shaped.
  • Each of the multiple waveguide paths is curved (roughly following the shape of the waveguide structure 1a) and has a different curvature.
  • the cross-sectional shape of the transmission path 1 is polygonal (e.g., rectangular) or polygonal frame-shaped (e.g., rectangular frame-shaped).
  • pseudo-surface plasmons can be excited at the interface between the metal and the air, and the electromagnetic wave can be coupled to the pseudo-surface plasmon depending on the electromagnetic wave incidence method.
  • an electromagnetic wave incidence method called the Otto configuration or the Kretschmann configuration
  • an evanescent wave (a wave with a slow phase velocity) can be generated by totally reflecting the incident electromagnetic wave at the interface (interface between the dielectric and the air, or the interface between the dielectric and the air), and the electromagnetic wave can be coupled to the pseudo-surface plasmon. This allows the electromagnetic wave to propagate along the interface while remaining localized at the metal-air interface.
  • pseudo-surface plasmons have multiple modes with different phase velocities, and each of the multiple modes can be coupled to an electromagnetic wave of a frequency corresponding to the phase velocity.
  • a propagating pseudo-surface plasmon is coupled to an electromagnetic wave has been mainly described as an example, but a localized pseudo-surface plasmon may also be excited and coupled to an electromagnetic wave.
  • the arrangement period T1 of the waveguide structure 1a is preferably equal to or greater than the wavelength of the electromagnetic wave to be transmitted, and more specifically, is preferably several to several tens of times that wavelength. In this way, the waveguide structure 1a has a relatively large size compared to the wavelength of the electromagnetic wave to be transmitted. This makes it easier to manufacture.
  • a plurality of radio-frequency waves having different frequencies in a wide frequency range are simultaneously incident on one end (incident end) of the transmission line 1 so as to excite the pseudo-surface plasmon.
  • Each of the plurality of radio-frequency waves couples with the pseudo-surface plasmon, propagates through a corresponding waveguide path in the vicinity of the surface of each waveguide structure 1a, and is output from the other end (output end) of the transmission line 1.
  • the transmission line 1 is a transmission line in which a waveguiding structure 1a including a plurality of waveguiding paths with different waveguiding distances for electromagnetic waves is periodically arranged, thereby making it possible to provide a transmission line that can achieve a wide bandwidth and a high frequency without being miniaturized.
  • Fig. 4 is a diagram showing a transmission line 2 according to Example 2 of the first embodiment.
  • the transmission path 2 has the same configuration as the transmission path 1 according to the first embodiment, except that, as shown in FIG. 4, a structure 2b consisting of a recess or a protrusion is provided on the surface of each waveguide structure 2a.
  • the structures 2b are provided periodically along the waveguiding direction on the surface of each waveguide structure 2a.
  • Each structure 2b is a periodic structure that determines each of the multiple waveguide paths and is equiangularly arranged.
  • Each structure 2b has the function of diffracting the incident wave.
  • the diffraction effect of the structure 2b makes it possible to generate more waveguide paths in each waveguide structure 2a (allowing for dispersion of the propagation mode), thereby facilitating broadband.
  • the arrangement period T2 of the waveguide structure 2a is also preferably equal to or greater than the wavelength of the electromagnetic wave to be transmitted, and more specifically, is preferably several times to several tens of times the wavelength.
  • Transmission path 2 has the same effect as transmission path 1, and also has broadband propagation characteristics due to the decentralization of the propagation mode, allowing the bandwidth of the electromagnetic waves to be transmitted to be expanded.
  • Fig. 5 is a diagram showing a transmission line 3 according to Example 3 of the first embodiment.
  • the transmission path 3 has the same configuration as the transmission path 1 according to the first embodiment, except that each of the waveguide structures 3a is arc-shaped.
  • the inner curvature of each of the waveguide structures 3a is greater than the outer curvature, and the cross-sectional area is not constant.
  • Each waveguide path of each of the waveguide structures 3a is also arc-shaped.
  • the arrangement period T3 of the waveguide structure 3a is also preferably equal to or greater than the wavelength of the electromagnetic wave to be transmitted, and more specifically, is preferably several times to several tens of times the wavelength.
  • Transmission path 3 provides substantially the same effects as transmission path 1 according to the first embodiment.
  • Fig. 4 is a diagram showing a transmission line 4 according to Example 4 of the first embodiment.
  • the transmission path 4 has the same configuration as the transmission path 3 according to the third embodiment, except that, as shown in FIG. 6, a structure 4b consisting of a recess or a protrusion is provided on the surface of each waveguide structure 4a.
  • the structures 4b are provided periodically along the waveguiding direction on the surface of each waveguide structure 4a.
  • Each structure 4b is a periodic structure that determines each of the multiple waveguide paths and is equiangularly arranged.
  • Each structure 4b has the function of diffracting the incident wave.
  • the diffraction effect of the structure 4b makes it possible to generate more waveguide paths in each waveguide structure 4a (allowing for dispersion of the propagation mode), thereby facilitating broadband.
  • the arrangement period T4 of the waveguide structure 4a is also preferably equal to or greater than the wavelength of the electromagnetic wave to be transmitted, and more specifically, is preferably several times to several tens of times the wavelength.
  • Transmission path 4 provides the same effect as transmission path 1 according to the first embodiment, and also provides broadband propagation characteristics by dispersing the propagation mode, thereby enabling the bandwidth of the electromagnetic waves to be transmitted to be expanded.
  • the shape, number, and arrangement of the structure 4b can be changed as appropriate.
  • Fig. 7A is a side view of the transmission line 5 according to Example 5 of the first embodiment.
  • Fig. 7B is a front view (viewed from the direction of one axis AX) of the transmission line 5 according to Example 5 of the first embodiment.
  • the transmission path 5 is a transmission path in which a waveguide structure 5a including multiple waveguide paths with different electromagnetic wave guiding distances is periodically arranged.
  • the waveguide structures 5a are arranged periodically along the axis AX. More specifically, the transmission path 5 has a continuous spiral shape in which adjacent waveguide structures 5a wind around the axis AX.
  • Each of the multiple waveguide paths is curved (e.g., approximately arc-shaped), and each waveguide path has a different curvature.
  • the cross-sectional shape of each waveguide structure 5a is polygonal (e.g., rectangular) or polygonal frame-shaped (e.g., rectangular frame-shaped).
  • the arrangement period T5 of the waveguide structure 5a is also preferably equal to or greater than the wavelength of the electromagnetic wave to be transmitted, and more specifically, is preferably several times to several tens of times the wavelength.
  • Transmission path 5 provides substantially the same effects as transmission path 1 according to the first embodiment.
  • Fig. 8A is a side view of the transmission line 6 according to Example 6 of the first embodiment.
  • Fig. 8B is a front view (viewed from the direction of one axis AX) of the transmission line 6 according to Example 6 of the first embodiment.
  • the transmission path 6 has the same configuration as the transmission path 5 according to the fifth embodiment, except that, as shown in FIG. 8A, a structure 6b (e.g., a structure consisting of convex portions) consisting of concave portions or convex portions is provided on the surface of each waveguide structure 6a.
  • the structures 6b are provided periodically along the waveguiding direction on the surface of each waveguide structure 6a.
  • Each structure 6b is a periodic structure that determines each of the multiple waveguide paths and is equiangularly arranged.
  • Each structure 6b has the function of diffracting the incident wave.
  • the diffraction effect of the structures 6b makes it possible to generate more waveguide paths in each waveguide structure 6a (allowing for dispersion of the propagation mode), thereby facilitating broadband.
  • the arrangement period T6 of the waveguide structure 6a is also preferably equal to or greater than the wavelength of the electromagnetic wave to be transmitted, and more specifically, is preferably several times to several tens of times the wavelength.
  • Transmission path 6 provides the same effect as transmission path 5 according to the fifth embodiment, and the mode formation improves the propagation characteristics of the band of the electromagnetic wave to be transmitted.
  • the dispersion of the propagation mode provides wideband propagation characteristics, and the bandwidth of the electromagnetic wave to be transmitted can be expanded.
  • the shape, number, and arrangement of the structure 6b can be changed as appropriate.
  • Fig. 9A is a side view of the transmission line 7 according to Example 7 of the first embodiment.
  • Fig. 9B is a front view (viewed from the direction of one axis AX) of the transmission line 7 according to Example 7 of the first embodiment.
  • each waveguide structure 7a is arranged periodically along a single axis AX, with the ends of adjacent waveguide structures 7a connected to each other.
  • the cross-sectional shape of each waveguide structure 7a is, for example, circular or circular frame-shaped.
  • the arrangement period T7 of the waveguide structure 7a is also preferably equal to or greater than the wavelength of the electromagnetic wave to be transmitted, and more specifically, is preferably several times to several tens of times the wavelength.
  • Transmission path 7 provides substantially the same effects as transmission path 1 according to the first embodiment.
  • a structure consisting of recesses or protrusions may be provided periodically on the surface of each waveguide structure 7a of the transmission line 7, as in the sixth embodiment.
  • the structure may be a periodic structure that determines each of the multiple waveguide paths and may be equiangularly arranged.
  • Fig. 10A is a side view of the transmission line 8 according to Example 8 of the first embodiment.
  • Fig. 10B is a front view (viewed from the direction of one axis AX) of the transmission line 8 according to Example 8 of the first embodiment.
  • each of the waveguide structures 8a has a configuration generally similar to that of the transmission line 7 according to the seventh embodiment, except that the waveguide structures 8a, which are roughly S-shaped (roughly crank-shaped) in front view, are periodically arranged along the axis AX. The ends of adjacent waveguide structures 8a are connected to each other.
  • the cross-sectional shape of each waveguide structure 8a is, for example, rectangular or rectangular frame-shaped.
  • the arrangement period T8 of the waveguide structure 8a is also preferably equal to or greater than the wavelength of the electromagnetic wave to be transmitted, and more specifically, is preferably several times to several tens of times the wavelength.
  • Transmission path 8 provides substantially the same effects as transmission path 7 in Example 7.
  • a structure consisting of recesses or protrusions may be provided periodically on the surface of each waveguide structure 8a of the transmission line 8, as in the sixth embodiment.
  • the structure may be a periodic structure that determines each of the multiple waveguide paths and may be equiangularly arranged.
  • Fig. 11 is a perspective view of a transmission line 9 according to Example 9 of the first embodiment.
  • Each waveguide structure 9a has multiple types (e.g., two types) of waveguide paths (e.g., first and second waveguide paths).
  • Each waveguide path has a structure in which multiple (e.g., two) materials with different dielectric constants are arranged side by side along the axis AX.
  • the multiple waveguide paths (e.g., first and second waveguide paths) of each waveguide structure 9a are arranged alternately in a direction perpendicular to the axis AX.
  • the transmission path 9 further includes a base portion 9B made of a conductor.
  • a waveguide path group 9A that integrally includes multiple waveguide paths of each waveguide structure 9a is provided on the base portion 9B.
  • Each waveguide structure 9a includes multiple types (e.g., three types) of dielectrics with different dielectric constants.
  • the first dielectric 9a1 with dielectric constant ⁇ 1 and the third dielectric 9a3 with dielectric constant ⁇ 3 are aligned in the uniaxial AX direction.
  • the second dielectric 9a2 with dielectric constant ⁇ 2 and the third dielectric 9a3 with dielectric constant ⁇ 3 are aligned in the uniaxial AX direction. That is, the first and second waveguide paths have different waveguiding velocities of electromagnetic waves (different waveguiding times).
  • the difference in the waveguiding velocities of the electromagnetic waves propagating through the first and second waveguide paths can be increased, and the bandwidth can be widened.
  • the dielectric constant ⁇ 3 to a value between the dielectric constants ⁇ 1 and ⁇ 2, the bands can be made adjacent to each other to make the bandwidth wider.
  • ⁇ 3 ( ⁇ 1 + ⁇ 2) / 2. That is, the average of the dielectric constants of the material with the largest real part of the dielectric constant and the material with the smallest real part of the dielectric constant among the materials constituting the waveguide structure 9a is equal to the dielectric constant of the remaining materials.
  • a transmission line 9 using a conductor and a dielectric has less loss in the conductor compared to a transmission line composed of only a conductor, resulting in low loss.
  • the arrangement period T9 of the waveguide structure 9a is also preferably equal to or greater than the wavelength of the electromagnetic wave to be transmitted, and more specifically, is preferably several times to several tens of times the wavelength.
  • the electromagnetic wave incident on one end side of the waveguide path group 9A in the direction of the axis AX couples with the pseudo-surface plasmon excited at the interface between the waveguide path group 9A and the base portion 9B, propagates along the interface, and is emitted from the other end side of the waveguide path group 9A in the direction of the axis AX.
  • Transmission path 9 makes it possible to realize a low-loss, wideband SSPP transmission path.
  • each waveguide structure 9a of the transmission path 9 may be a structure including two types of dielectrics with different dielectric constants, a structure including four or more types of dielectrics with different dielectric constants, or a structure including at least one type of dielectric and air (void).
  • Fig. 12 is a cross-sectional view of the transmission line 10 according to Example 10 of the first embodiment.
  • Fig. 13 is a schematic plan view of the transmission line according to Example 10 of the first embodiment of the present technology.
  • the transmission line 10 includes a resin structure including a resin screw 10A, in which a waveguide structure 10a is periodically arranged in the rotation axis direction (axis AX direction) of the resin screw 10A, and a conductor portion 10C provided around the resin structure.
  • the resin structure includes a resin portion 10B provided around the resin screw 10A.
  • the resin portion 10B has a dielectric constant different from that of the resin screw 10A. That is, the waveguide structure 10a includes multiple types (e.g., two types) of dielectrics with different dielectric constants. Specifically, as shown in Fig.
  • the resin screw 10A is made of a dielectric 10a1 with a dielectric constant ⁇ 1
  • the resin portion 10B includes a dielectric 10a2 with a dielectric constant ⁇ 2.
  • the multiple waveguide paths (e.g., WG1, WG2, WG3) of each waveguide structure 10a are formed in a concentric shape when viewed from the axis AX direction, and have different waveguiding distances and waveguiding velocities of electromagnetic waves.
  • the resin part 10B has slits in the circumferential direction that periodically expose the outer periphery of the resin screw 10A. That is, in the transmission line 10, the dielectrics 10a1 and 10a2 are alternately arranged around the rotation axis (axis AX) of the resin screw 10A.
  • Examples of materials for the conductor part 10C include metals such as Au, Ag, and Pt. Note that the resin part 10B does not need to have periodic slits.
  • the transmission path 10 couples the electromagnetic waves incident on one end in the direction of the axis AX with the pseudo surface plasmons, propagates them in a spiral along the interface between the resin structure and the conductor portion 10C, and emits them from the other end in the direction of the axis AX.
  • the arrangement period T10 of the waveguide structure 10a is also preferably equal to or greater than the wavelength of the electromagnetic wave to be transmitted, and more specifically, is preferably several to several tens of times the wavelength.
  • a hole 100a is formed in the conductive plate 100 (see FIG. 15A). Specifically, the hole 100a is opened in the end surface of the conductive plate 100 with a drill.
  • resin (hereinafter, for convenience, referred to as "resin 10B") is injected into the hole 100a (see FIG. 15B). Specifically, room temperature curing resin 10B is injected into the hole 100a formed in the conductive plate 100.
  • the next step, S4 is to wait until the resin 10B hardens.
  • the conductor portion 10C, the resin screw 10A, and the resin 10B, which are part of the conductor plate 100, are cut out as a single unit (see FIG. 16B).
  • the resin screw 10A, the resin 10B around the resin screw 10A, and the conductor portion 10C around the resin 10B are cut out as a single unit, for example, by cutting or laser processing.
  • slits are formed in the resin 10B (see FIG. 16C). Specifically, for example, the resin 10B covering the outer periphery of the plastic screw 10A is periodically removed by laser processing (forming periodic slits in the resin 10B), periodically exposing the outer periphery.
  • the transmission line 10 it is possible to realize a transmission line that is easy to manufacture and has a microstructure, for example, on the order of ⁇ m. According to the manufacturing method of the transmission line 10, it is possible to easily manufacture a transmission line that has a microstructure, for example, on the order of ⁇ m. Therefore, it is possible to reduce manufacturing costs and manufacturing time.
  • step S6 does not need to be performed, i.e., periodic cuts do not need to be formed in the resin 10B.
  • Fig. 17 is a diagram showing a slow wave circuit 101 according to Example 1 of the second embodiment.
  • the slow wave circuit 101 includes a beam hole 50 and a transmission line 1 according to Example 1 of the first embodiment.
  • Beam hole 50 is, as an example, an electron tube that transmits an electron beam. Beam hole 50 extends in the direction of one axis AX. Transmission path 1 delays and transmits the electromagnetic wave. More specifically, transmission path 1 transmits the electromagnetic wave so as to bypass beam hole 50. Slow-wave circuit 101 amplifies the electromagnetic wave that has passed through transmission path 1 by interacting with the electron beam that has passed through beam hole 50.
  • the slow wave circuit 101 has a transmission line 1 and a beam hole 50, so it is possible to provide a slow wave circuit that can achieve a wide bandwidth, high frequency without being compact, and high output.
  • a slow wave circuit including the beam hole 50 and the transmission line 2 according to the second example of the first embodiment.
  • a slow wave circuit according to example 2 of second embodiment of the present technology ⁇ 12.
  • a slow wave circuit according to Example 2 of the second embodiment of the present technology will be described with reference to the drawings.
  • Fig. 18 is a diagram showing a slow wave circuit 103 according to Example 2 of the second embodiment.
  • the slow wave circuit 103 includes a beam hole 50 and a transmission path 3 according to Example 3 of the first embodiment.
  • Beam hole 50 is, as an example, an electron tube that transmits an electron beam. Beam hole 50 extends in the direction of one axis AX. Transmission path 3 delays and transmits the electromagnetic wave. More specifically, transmission path 3 transmits the electromagnetic wave so as to bypass beam hole 50. Slow-wave circuit 103 amplifies the electromagnetic wave that has passed through transmission path 3 by interacting with the electron beam that has passed through beam hole 50.
  • the slow wave circuit 103 has a transmission line 3 and a beam hole 50, so it is possible to provide a slow wave circuit that can achieve a wide bandwidth, high frequency without being compact, and high output.
  • a slow wave circuit including the beam hole 50 and the transmission line 4 according to the fourth example of the first embodiment.
  • a slow wave circuit according to example 3 of second embodiment of the present technology >
  • a slow wave circuit according to Example 3 of the second embodiment of the present technology will be described with reference to the drawings.
  • Fig. 19 is a diagram showing a slow wave circuit 105 according to Example 3 of the second embodiment.
  • the slow wave circuit 105 includes a beam hole 50 and a transmission path 5 according to Example 5 of the first embodiment.
  • Beam hole 50 is, as an example, an electron tube that transmits an electron beam. Beam hole 50 extends in the direction of one axis AX. Transmission path 5 delays and transmits the electromagnetic wave. More specifically, transmission path 5 transmits the electromagnetic wave so as to bypass beam hole 50. Slow-wave circuit 105 amplifies the electromagnetic wave that has passed through transmission path 5 by interacting with the electron beam that has passed through beam hole 50.
  • the slow wave circuit 105 has a transmission line 5 and a beam hole 50, so it is possible to provide a slow wave circuit that can achieve a wide bandwidth, high frequency without being compact, and high output.
  • Fig. 20 is a diagram showing a slow wave circuit 109 according to Example 4 of the second embodiment.
  • the slow wave circuit 109 includes a beam hole 50 and a transmission line 9 according to Example 9 of the first embodiment.
  • Beam hole 50 is, as an example, an electron tube that transmits an electron beam. Beam hole 50 extends in the direction of one axis AX. Transmission line 9 delays and transmits the electromagnetic wave. More specifically, transmission line 9 slows down the waveguiding speed of the electromagnetic wave before transmitting it. Slow-wave circuit 109 amplifies the electromagnetic wave by allowing the electromagnetic wave that has passed through transmission line 9 to interact with the electron beam that has passed through beam hole 50.
  • the slow wave circuit 109 has a transmission line 9 and a beam hole 50, so it is possible to provide a slow wave circuit that can achieve a wide bandwidth, high frequency without being compact, and high output.
  • Fig. 21 is a diagram showing a slow wave circuit 107 according to Example 5 of the second embodiment.
  • the slow wave circuit 107 includes two beam holes 50 and a transmission path 7 according to Example 7 of the first embodiment.
  • Each beam hole 50 is, as an example, an electron tube that transmits an electron beam.
  • the two beam holes 50 each extend so as to penetrate the upper and lower windings of the figure-8 shape of the transmission line 7 in a front view in the direction of a single axis AX.
  • the transmission line 7 delays and transmits the electromagnetic wave. More specifically, the transmission line 7 transmits the electromagnetic wave so as to bypass each beam hole 50.
  • the slow-wave circuit 107 amplifies the electromagnetic wave by causing an interaction between the electromagnetic wave that has passed through the transmission line 7 and the electron beam that has passed through each beam hole 50.
  • the slow wave circuit 107 has a transmission line 7 and two beam holes 50, so it is possible to provide a slow wave circuit that can achieve a wide bandwidth, high frequency without being compact, and ultra-high output.
  • Fig. 22 is a diagram showing a slow wave circuit 108 according to Example 6 of the second embodiment.
  • the slow wave circuit 108 includes two beam holes 50 and a transmission line 8 according to Example 8 of the first embodiment.
  • Each beam hole 50 is, as an example, an electron tube that transmits an electron beam.
  • the two beam holes 50 each extend so as to penetrate the upper and lower frame-shaped portions of the transmission line 8, which are approximately S-shaped when viewed from the front, in the direction of a single axis AX.
  • the transmission line 8 delays and transmits the electromagnetic wave. More specifically, the transmission line 8 transmits the electromagnetic wave so as to bypass each beam hole 50.
  • the slow-wave circuit 108 amplifies the electromagnetic wave by causing an interaction between the electromagnetic wave that has passed through the transmission line 8 and the electron beam that has passed through each beam hole 50.
  • the slow wave circuit 108 has a transmission line 8 and two beam holes 50, so it is possible to provide a slow wave circuit that can achieve a wide bandwidth, high frequency without being compact, and ultra-high output.
  • Fig. 23 is a cross-sectional view of a slow wave circuit 110 according to Example 7 of the second embodiment.
  • Fig. 24 is a schematic plan view of the slow wave circuit 110 according to Example 7 of the second embodiment.
  • the slow wave circuit 110 includes a transmission line 10 according to Example 10 of the first embodiment, and a through hole TH that passes through a resin structure of the transmission line 10, including a resin screw 10A and a resin part 10B, in the direction of the rotation axis of the resin screw 10A (axis AX direction).
  • the through hole TH functions as a beam hole that transmits the electron beam.
  • the through hole TH is provided in the plastic screw 10A.
  • the slow wave circuit 110 can be manufactured, for example, by following the procedure in the flowchart of FIG. 25. Steps S11 to S16 in FIG. 25 are similar to steps S1 to S6 in FIG. 14. In step S17, a through hole TH is formed in the resin structure including the resin screw 10A and the resin part 10B, for example using a drill, so as to extend in the direction of the rotation axis of the resin screw 10A (see FIG. 26).
  • the slow-wave circuit 110 can realize a slow-wave circuit that is easy to manufacture, for example, with a microstructure on the order of ⁇ m.
  • the manufacturing method for the slow-wave circuit 110 can easily manufacture a slow-wave circuit that has a microstructure on the order of ⁇ m. This can reduce manufacturing costs and time.
  • step S16 does not need to be performed, i.e., periodic cuts do not need to be formed in the resin 10B.
  • Fig. 27 is a block diagram showing the configuration of an amplifier 300 (circuit device) according to the third embodiment.
  • Amplifier 300 is a traveling wave tube amplifier, and as shown in FIG. 27, it comprises an amplifier body including an electron gun 301, a periodic magnetic field device, a slow wave circuit 302, a collector 303, an RF input section 304 (electromagnetic wave input section), and an RF output section 305 (electromagnetic wave output section), and a package.
  • the electron gun 301 generates and emits an electron beam of a specified diameter.
  • the periodic magnetic field device focuses the electron beam emitted from the electron gun 301 over the entire length of the slow wave circuit 302.
  • the slow wave circuit 302 amplifies the electromagnetic wave by interacting with the electron beam.
  • the slow wave circuit according to each of the examples and modifications of the second embodiment can be used as the slow wave circuit 302.
  • Collector 303 captures the used electron beam that has finished being amplified in slow wave circuit 302, and releases its energy to the outside as heat.
  • the RF input unit 304 receives electromagnetic waves via a receiving antenna and inputs them to the slow wave circuit 302.
  • the RF output unit 305 outputs the electromagnetic waves amplified by the slow wave circuit 302 via the transmitting antenna.
  • the package supports the amplifier body and makes it earthquake-resistant.
  • Fig. 28 is a block diagram showing a transceiver 400 which is a configuration example of a transceiver according to the fourth embodiment.
  • the transceiver 400 is used for sensing purposes such as distance measurement and object recognition.
  • the transceiver 400 includes an RF circuit 401 that includes a slow wave circuit, and a sensing circuit 402.
  • the RF circuit 401 includes a transmitting antenna TXA, a receiving antenna RXA, a power amplifier PA, first and second mixers MX1 and MX2, a local oscillator LO, and a low noise amplifier LNA.
  • the sensing circuit 402 includes a chirp voltage generating section and an FFT section (fast Fourier transform section).
  • the power amplifier PA can use the slow wave circuits of each of the examples and modifications of the second embodiment.
  • the output terminal of the power amplifier PA is connected to the transmitting antenna TXA.
  • the input terminal of the power amplifier PA is connected to the output terminal of the first mixer MX1.
  • the input terminal of the first mixer MX1 is connected to a chirp voltage generator and a local oscillator LO.
  • the first mixer MX1 performs frequency conversion of the voltage signal from the chirp voltage generator using a signal from the local oscillator LO.
  • the low-noise amplifier LNA can use the slow wave circuits of each of the examples and modifications of the second embodiment.
  • the input terminal of the low-noise amplifier LNA is connected to the receiving antenna RXA.
  • the output terminal of the low-noise amplifier LNA is connected to the input terminal of the second mixer MX2.
  • the output terminal of the second mixer MX2 is connected to the local oscillator LO, and is also connected to the FFT unit via an ADC (analog/digital converter).
  • the second mixer MX2 uses the signal from the local oscillator LO to perform frequency conversion of the voltage signal from the low-noise amplifier LNA.
  • the ADC converts the frequency-converted voltage signal (analog signal) from the second mixer MX2 into a digital signal.
  • the FFT unit performs Fourier transform on the digital signal from the ADC and performs frequency analysis.
  • the transceiver 400 is equipped with a slow wave circuit according to the present technology, making it possible to provide a transceiver that can achieve higher frequencies, wider bandwidths, and higher output power.
  • the slow wave circuit according to the present technology (for example, the slow wave circuits of the examples and modifications of the second embodiment) can also be used alone as a signal transmission path.
  • Fig. 29 is a block diagram showing a transceiver 500 which is a configuration example of the transceiver according to the fifth embodiment.
  • the transceiver 500 is used, for example, for communication purposes.
  • the transceiver 500 includes an RF circuit 501 that includes a slow wave circuit, and a communication circuit 502.
  • the RF circuit 401 includes a transmitting antenna TXA, a receiving antenna RXA, a power amplifier PA, first and second mixers MX1 and MX2, a local oscillator LO, and a low noise amplifier LNA.
  • the communication circuit 502 includes a DAC (digital/analog converter) and a DSP (digital signal processor).
  • the power amplifier PA can use a slow wave circuit according to the present technology (for example, the slow wave circuits of each of the examples and each of the modifications of the second embodiment).
  • the output end of the power amplifier PA is connected to the transmitting antenna TXA.
  • the input end of the power amplifier PA is connected to the output end of the first mixer MX1.
  • the input end of the first mixer MX1 is connected to the DAC and the local oscillator LO.
  • the DSP generates a voltage signal (digital signal) for transmission and sends it to the DAC.
  • the DAC converts the digital signal from the DSP to an analog signal and sends it to the first mixer MX1.
  • the first mixer MX1 uses a signal from the local oscillator LO to perform frequency conversion of the analog signal (voltage signal) from the DAC.
  • the power amplifier PA amplifies the frequency-converted analog signal from the first mixer MX1 and sends it to the transmitting antenna TXA.
  • the low-noise amplifier LNA can use the slow-wave circuit according to the present technology (the slow-wave circuits of each of the examples and each of the modified examples of the second embodiment).
  • the input terminal of the low-noise amplifier LNA is connected to the receiving antenna.
  • the input terminal of the second mixer MX2 is connected to the output terminal of the low-noise amplifier LNA.
  • the local oscillator LO is connected to the output terminal of the second mixer MX2, and the DSP is connected via an ADC (analog/digital converter).
  • the low-noise amplifier LNA amplifies the voltage signal received via the receiving antenna RXA and sends it to the second mixer MX2.
  • the second mixer MX2 uses the signal from the local oscillator LO to frequency-convert the voltage signal (analog signal) from the low-noise amplifier LNA and sends it to the ADC.
  • the ADC converts the analog signal from the second mixer MX2 into a digital signal and sends it to the DSP.
  • the DSP digitally processes the received digital signal.
  • the transceiver 500 is equipped with a slow wave circuit according to the present technology, making it possible to provide a transceiver that can achieve higher frequencies, wider bandwidths, and higher output.
  • the slow wave circuit according to the present technology (for example, the slow wave circuits of the examples and modifications of the second embodiment) can also be used alone as a signal transmission path.
  • Fig. 30 is a block diagram showing a repeater 600 which is a configuration example of a repeater according to the sixth embodiment.
  • the repeater 600 is used, for example, in a satellite communication system.
  • the repeater 600 is, for example, a satellite-mounted repeater using a phased array antenna.
  • a plurality of (for example, two) frequency modulation systems are selectively connected to a receiving antenna (RX Antenna) via a switch SW.
  • Each frequency modulation system includes a frequency converter and a driver.
  • two frequency modulation systems are connected to a BFN (beam forming network) via a HYB (hybrid section) as a branch section.
  • a plurality of TWTAs traveling wave tube amplifiers
  • the BFN is a calculation section that assigns different phases and amplitudes to each TWTA when beamforming.
  • a slow wave circuit according to the present technology (for example, a slow wave circuit according to each example and each modified example of the second embodiment) can be used as each TWTA.
  • Each TWTA sends an amplified signal to a corresponding filter (Filter).
  • Each filter corrects the state (phase shift, amplitude shift) of the signal amplified by the corresponding TWTA in order to perform the appropriate signal format and beamforming.
  • the signal that passes through each filter is emitted as a radio wave via a horn antenna that serves as a transmitting antenna (TX Antenna).
  • the repeater 600 is equipped with a slow wave circuit according to the present technology, making it possible to provide a repeater that can achieve higher frequencies, wider bandwidths, and higher output power.
  • the slow wave circuit according to the present technology (for example, the slow wave circuits of the examples and modifications of the second embodiment) can also be used alone as a signal transmission path.
  • the transmission line, slow wave circuit, amplifier, transceiver, repeater, circuit device, method of manufacturing a transmission line, and method of manufacturing a slow wave circuit according to the present technology can be modified as appropriate.
  • Fig. 31A is a perspective view of a transmission line 11 according to a first modification of the first embodiment of the present technology.
  • Fig. 31B is a perspective plan view of the transmission line 11 according to the first modification of the first embodiment of the present technology.
  • the transmission line 11 has a configuration similar to that of the transmission line 3 of the third embodiment, except that the transmission line 11 has at least one uneven line 11B along the multiple waveguide paths of each waveguide structure 11a.
  • the uneven line 11B has the function of determining the multiple waveguide paths of each waveguide structure 11a.
  • the transmission line 11 includes a meandering hollow member 11A having multiple waveguide structures 11a arranged periodically (for example, with a period T11) along one axis AX.
  • the uneven line 11B is provided inside the hollow member 11A.
  • the uneven line 11B is provided on one of the two opposing inner surfaces of the hollow member 11A.
  • the uneven line 11B has a meandering main part 11B1 extending from one end of the hollow member 11A to the other end along the hollow member 11A, and multiple branch parts 11B2 branched off from the main part 11B1.
  • the hollow member 11A is made of a metal such as Au, Ag, or Pt.
  • the uneven line 11B is made of a metal such as Au, Ag, or Pt or a dielectric.
  • the uneven line 11B may be provided on both of the two opposing inner surfaces of the hollow member 11A.
  • An uneven line with a spiral trunk may be provided on the inner surface of a spiral-shaped hollow member.
  • (Variation 2) 32 is a perspective view of a transmission line 12 according to a second modification of the first embodiment of the present technology.
  • the transmission line 12 has a similar configuration to the transmission line 11 according to the first modification, except that the concave-convex line 11B is arranged in the internal space (for example, near the inner surface) of the hollow member 11A.
  • the transmission line 12 there is a minute clearance between the concave-convex line 11B and the hollow member 11A.
  • a plurality of concave-convex lines 11B may be provided in the internal space of the transmission line 12.
  • a concave-convex line having a spiral main part may be provided in the internal space (for example, near the inner surface) of a spiral hollow member.
  • (Variation 3) 33 is a perspective view of the transmission line 13 according to the third modification of the first embodiment of the present technology.
  • the transmission line 13 has a similar configuration to the transmission line 11 according to the first modification, except that the uneven line 11B is provided outside the hollow member 11A.
  • the uneven line 11B is provided on one outer surface of the hollow member 11A.
  • the uneven line 11B may be provided on one and the other outer surfaces (or in the vicinity of the outer surface) of the hollow member 11A.
  • a solid member of the same shape may be used instead of the hollow member 11A.
  • An uneven line with a spiral trunk may be provided on the outer surface (or in the vicinity of the outer surface) of a spiral hollow member or a solid member.
  • the transmission line according to this technology can be used as a transmission line for a high-frequency circuit, which is an example of a circuit device.
  • the slow wave circuit according to the present technology can be used as at least a part of an amplifier in a high-frequency circuit, which is an example of a circuit device.
  • a part of the configuration of the transmission path according to each of the examples and each of the modified examples of the first embodiment may be combined to the extent that they do not contradict each other.
  • a part of the configuration of the slow wave circuit according to each of the examples and each of the modified examples of the second embodiment may be combined to the extent that they do not contradict each other.
  • the present technology can have the following configurations.
  • the transmission line according to (2) in which adjacent waveguide structures are continuous so as to wind around the axis.
  • An amplifier comprising the slow wave circuit according to any one of (26) to (29).
  • a transceiver comprising the slow wave circuit according to any one of (26) to (29).
  • a repeater comprising the slow wave circuit according to any one of (26) to (29).
  • a circuit device comprising the slow wave circuit according to any one of (26) to (29).
  • a method for manufacturing a transmission line comprising: (35) The method for manufacturing a transmission line according to (34), further comprising the step of forming a cut in the resin. (36) The method for manufacturing a transmission line according to (34) or (35), further comprising the step of cutting out a portion of the conductor plate, the resin screw, and the resin as a single unit.
  • a method for manufacturing a slow wave circuit comprising: (38) The method for manufacturing a slow wave circuit according to (37), further comprising the step of forming a cut in the resin. (39) The method for manufacturing a slow wave circuit according to (37) or (38), further comprising a step of cutting out a portion of the conductor plate, the resin screw, and the resin integrally.

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Abstract

広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化が可能な伝送路を提供すること。　本技術に係る伝送路は、電磁波の導波距離及び／又は導波速度が異なる複数の導波経路を含む導波構造が周期的に配置されている、伝送路である。本技術に係る伝送路によれば、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化が可能な伝送路を提供すること。

Description

伝送路、遅波回路、増幅器、送受信機、中継器、回路装置、伝送路の製造方法及び遅波回路の製造方法
　本技術は、伝送路、遅波回路、増幅器、送受信機、中継器、回路装置、伝送路の製造方法及び遅波回路の製造方法に関する。
　従来、例えば、無線通信分野において、電磁波（例えば高周波）をエネルギー源となる電子ビームと相互作用させて増幅する遅波回路が知られている（例えば特許文献１、２参照）。この遅波回路には、電磁波を電子ビームに対して迂回させる導波管として折り返し導波路（ＦＷＧ）が用いられている。この折り返し導波路では、適切に設計することで通常の導波管と同様に広帯域な伝送特性が得られる。
国際公開第２０１９／１７２３１２号 国際公開第２０１７－０８９７８５号公報
　しかし、当該折り返し導波路では、高周波化するためには小型化が必要であり、加工が困難となるおそれがあった。
　そこで、本技術では、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化が可能な伝送路を提供することを主目的とする。
　本技術は、電磁波の導波距離及び／又は導波速度が異なる複数の導波経路を含む導波構造が周期的に配置されている、伝送路を提供する。
　前記導波構造が少なくとも一軸に沿って周期的に配置されていてもよい。
　前記複数の導波経路の各々を決定づける周期構造が等角的に配置されていてもよい。
　隣接する前記導波構造同士が前記一軸の周りを巻回するように連続していてもよい。
　前記伝送路は、螺旋状であってもよい。
　隣接する前記導波構造同士が折り返すように連続していてもよい。
　前記複数の導波経路の各々は、曲線状であってもよい。
　前記複数の導波経路は、曲率が異なっていてもよい。
　前記導波構造の表面に凹部又は凸部が設けられていてもよい。
　前記伝送路は、ミアンダ状であってもよい。
　隣接する前記導波構造同士が前記一軸に沿って並べて配置されていてもよい。
　前記複数の導波経路の各々は、誘電率が異なる複数の物質が前記一軸に沿って並べて配置された構造を有していてもよい。
　前記伝送路は、導体からなるベース部を更に備え、前記導波構造は、前記ベース部上に設けられていてもよい。
　前記導波構造は、誘電率が異なる２種類の誘電体と空気、又は、誘電率が異なる３種類の誘電体を含み、前記導波構造に含まれる物質のうち、誘電率の実部が最大の物質と最小の物質の誘電率の平均が残りの物質の誘電率と等しくてもよい。
　前記導波構造の配置周期は、前記電磁波の波長以上であってもよい。
　前記伝送路は、樹脂ねじを含み、前記導波構造が前記樹脂ねじの回転軸方向に周期的に配置された樹脂構造体と、前記樹脂構造体の周囲に設けられた導体部と、を備えていてもよい。
　前記樹脂構造体は、前記樹脂ねじの周囲に設けられた樹脂部を含んでいてもよい。
　前記樹脂部は、誘電率が前記樹脂ねじとは異なっていてもよい。
　前記樹脂部は、前記樹脂ねじの一部を露出させる切れ目を有していてもよい。
　前記導波構造は、誘電率が異なる複数種類の誘電体からなっていてもよい。
　本技術は、前記伝送路と、
　前記伝送路の樹脂構造体を前記回転軸方向に貫通する貫通孔と、
　を有する、遅波回路も提供する。
　本技術は、電子ビームを伝送するビームホールと、
　前記電磁波を遅らせて伝送する前記伝送路と、
　を備え、
　前記伝送路を介した前記電磁波と前記ビームホールを介した前記電子ビームとを相互作用させる、遅波回路も提供する。
　前記伝送路は、前記複数の導波経路に沿う凹凸線路を少なくとも１つ有していてもよい。
　前記電磁波は、周波数が２００ＧＨｚ以上であってもよい。
　前記電磁波は、周波数がミリ波帯以上であってもよい。
　本技術は、前記遅波回路を備える、増幅器も提供する。
　本技術は、前記遅波回路を備える、送受信機も提供する。
　本技術は、前記遅波回路を備える、中継器も提供する。
　本技術は、前記遅波回路を備える、回路装置も提供する。
　本技術は、導体板に穴を形成する工程と、
　前記穴に樹脂を注入する工程と、
　前記樹脂が注入された穴に樹脂ねじを挿入する工程と、
　を含む、伝送路の製造方法も提供する。
　前記伝送路の製造方法は、前記樹脂に切れ目を形成する工程を更に含んでいてもよい。
　前記伝送路の製造方法は、前記導体板の一部、前記樹脂ねじ及び前記樹脂を一体に切り出す工程を更に含んでいてもよい。
　本技術は、導体板に穴を形成する工程と、
　前記穴に樹脂を注入する工程と、
　前記樹脂が注入された穴に樹脂ねじを挿入する工程と、
　前記樹脂ねじに回転軸方向に延びる貫通孔を形成する工程と、
　を含む、遅波回路の製造方法も提供する。
　前記遅波回路の製造方法は、前記樹脂に切れ目を形成する工程を更に含んでいてもよい。
　前記遅波回路の製造方法は、前記導体板の一部、前記樹脂ねじ及び前記樹脂を一体に切り出す工程を更に含んでいてもよい。
本技術の概念を説明するための図である。 本技術の概念を具体的に説明するための図である。 本技術の第１実施形態の実施例１に係る伝送路を示す図である。 本技術の第１実施形態の実施例２に係る伝送路を示す図である。 本技術の第１実施形態の実施例３に係る伝送路を示す図である。 本技術の第１実施形態の実施例４に係る伝送路を示す図である。 図７Ａは、本技術の第１実施形態の実施例５に係る伝送路の側面図である。図７Ｂは、本技術の第１実施形態の実施例５に係る伝送路の正面図である。 図８Ａは、本技術の第１実施形態の実施例６に係る伝送路の側面図である。図８Ｂは、本技術の第１実施形態の実施例６に係る伝送路の正面図である。 図９Ａは、本技術の第１実施形態の実施例７に係る伝送路の側面図である。図８Ｂは、本技術の第１実施形態の実施例７に係る伝送路の正面図である。 図１０Ａは、本技術の第１実施形態の実施例８に係る伝送路の側面図である。図１０Ｂは、本技術の第１実施形態の実施例８に係る伝送路の正面図である。 本技術の第１実施形態の実施例９に係る伝送路の斜視図である。 本技術の第１実施形態の実施例１０に係る伝送路の断面図である。 本技術の第１実施形態の実施例１０に係る伝送路の平面模式図である。 本技術の第１実施形態の実施例１０に係る伝送路の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図１５Ａ及び図１５Ｂは、本技術の第１実施形態の実施例１０に係る伝送路の製造工程図である。 図１６Ａ～図１６Ｃは、本技術の第１実施形態の実施例１０に係る伝送路の製造工程図である。 本技術の第２実施形態の実施例１に係る遅波回路を示す図である。 本技術の第２実施形態の実施例２に係る遅波回路を示す図である。 本技術の第２実施形態の実施例３に係る遅波回路を示す図である。 本技術の第２実施形態の実施例４に係る遅波回路を示す図である。 本技術の第２実施形態の実施例５に係る遅波回路を示す図である。 本技術の第２実施形態の実施例６に係る遅波回路を示す図である。 本技術の第２実施形態の実施例７に係る遅波回路の断面図である。 本技術の第２実施形態の実施例７に係る遅波回路の平面模式図である。 本技術の第２実施形態の実施例７に係る遅波回路の製造方法を説明するためのフローチャートである。 本技術の第２実施形態の実施例７に係る遅波回路の製造工程図である。 本技術の第３実施形態に係る増幅器の構成例を示すブロック図である。 本技術の第４実施形態に係る送受信機の構成例を示すブロック図である。 本技術の第５実施形態に係る送受信機の構成例を示すブロック図である。 本技術の第６実施形態に係る中継器の構成例を示すブロック図である。 図３１Ａは、本技術の第１実施形態の変形例１に係る伝送路の透視斜視図である。図３１Ｂは、本技術の第１実施形態の変形例１に係る伝送路の透視平面図である。 本技術の第１実施形態の変形例２に係る伝送路の透視斜視図である。 本技術の第１実施形態の変形例３に係る伝送路の斜視図である。
　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る伝送路、遅波回路、増幅器、送受信機、中継器、回路装置、伝送路の製造方法及び遅波回路の製造方法が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る伝送路、遅波回路、増幅器、送受信機、中継器、回路装置、伝送路の製造方法及び遅波回路の製造方法は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
　また、以下の順序で説明を行う。
０．導入
１．本技術の第１実施形態に係る伝送路（実施例１～１０に係る伝送路）
２．本技術の第２実施形態に係る伝送路（実施例１～７に係る遅波回路）
３．本技術の第３実施形態に係る増幅器の構成例
４．本技術の第４実施形態に係る送受信機の構成例
５．本技術の第５実施形態に係る送受信機の構成例
６．本技術の第６実施形態に係る中継器の構成例
７．本技術のその他の変形例
＜０．導入＞
（背景）
　従来、通信用搬送波（以下「ＲＦ」と呼ぶ）としての電磁波の増幅器としてこれまで主に、トランジスタ等の半導体技術と、進行波管、ジャイロトロン等の真空管技術の二つが用いられてきた。これら二つの技術は、ＲＦ周波数帯と出力との兼ね合いから用途ごとに使い分けられる形で技術発展がなされてきた。一般的に、半導体技術は小型・低出力，真空管技術は大型・高出力といった特徴をそれぞれが有しており、これらの特徴に応じて半導体技術は主に広域無線通信用デバイスに、真空管技術は主に衛星通信用デバイスとして利用されてきた。近年、ミリ波帯以上の周波数帯を用いた無線通信・センシング技術が発展しており高周波化・高出力化の需要が高まっている。ミリ波帯以上の周波数帯では，伝搬損失が非常に大きいため十分なＲＦ出力の確保が求められる。これまで汎用的な用途では半導体技術がメインで用いられてきたが、周波数が高く構造が小型化されることから比較的容易な設計で高出力が期待できる真空管技術の活用も進んでいる。その中でも広帯域動作が可能な進行波管が期待されている。進行波管の出力は電子エネルギーと電波との結合回路（遅波回路）におけるエネルギー変換効率で決定されるため，遅波回路の設計が重要となる。遅波回路に用いられる伝送路として、設計自由度の高い擬似表面波（ＳＳＰＰ）伝送路が注目されているが、広帯域化、低損失化及び高周波化に向けて課題が存在する。
（電磁波増幅器）
　上述したように、従来の電磁波増幅器は、半導体（トランジスタ）を用いる小型／低出力のものと、真空管を用いる大型／高出力のものとに大別される。近年、高周波も１００ＧＨｚを超える周波数領域が視野に入るようになり半導体では出力の限界が見えてきた。１００ＧＨｚを超える周波数領域では真空管も小型になり、～１Ｗ＠３００ＧＨｚまで実現されている。
（真空管を用いる高周波増幅器）
　真空管を用いる高周波増幅器として、高周波のＲＦ入力信号が真空管内を伝搬し電子ビームと電磁的に結合されることにより増幅されて出力されるＴＷＴアンプ（進行波管増幅器、＠１００ＧＨｚ帯以上）がある。ＴＷＴアンプ（ＴＷＴＡ）は、例えば電子銃、電子管を含む遅波回路、磁界生成部、コレクタ、耐振パッケージ等を備える。ＴＷＴアンプの駆動周波数は、進行波管構造、電子銃印加電圧、遅波回路の伝送特性で決まる。ＴＷＴアンプの帯域幅は、遅波回路の結合特性で決まる。ＴＷＴアンプのＲＦ出力（利得）は、（電子エネルギー）×（電磁波と電子ビームとの結合効率）で表される。電磁波と電子ビームとの結合効率は、遅波回路の結合特性で決まる。
（折り返し導波路）
　遅波回路には、通常、電子ビームに対して電磁波を迂回させる折り返し導波路（ＦＷＧ、＠３００ＧＨｚ）が用いられる。折り返し導波路は、電磁波の伝搬特性が通常の導波管と同様に広帯域である。しかし、折り返し導波路は、高周波化には小型化が必要であり、加工が困難となる（例えばＭＥＭＳ技術が必要）。さらに、折り返し導波路は、電磁波と電子ビームとの結合効率に限界があり、特にミリ波帯以上の帯域では出力が低下する懸念がある。
（コルゲート導波管）
　これに対して、電磁波と電子ビームとの結合機会が多く高出力化が見込める、疑似表面波（ＳＳＰＰ）伝送路が遅波回路に導入されている。代表的なＳＳＰＰ伝送路としてコルゲート導波管がある。コルゲート導波管（＠３００ＧＨｚ）は、進行波、後進波及び定在波の３つのモードを持ち、電磁波と電子ビームとの結合効率を上げやすく、高出力化が可能である。しかし、ＳＳＰＰ伝送路では、導波路の周期が一様であり擬似表面プラズモンと結合可能な電磁波の周波数が限られており、広帯域化が困難である。また、ＳＳＰＰ伝送路は、特に３００ＧＨｚ以上のテラヘルツ領域では小型化により加工が困難となる。さらに、ＳＳＰＰ伝送路は、特にミリ波帯以上の帯域では導体構造中の伝搬による損失発生が大きく、出力の低下が懸念される。
　そこで、発明者は、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化できる伝送路として、本技術に係る伝送路を開発した。発明者は、本技術に係る伝送路を備え、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化でき、且つ、高出力化できる遅波回路として、本技術に係る遅波回路を開発した。
（本技術の概念）
　一般に、ＳＳＰＰ伝送路は、表面プラズモンを励起することによる閉じ込め効果によって、伝送路表面に沿って電磁波を伝送可能である。すなわち、小型化せずに高周波化が可能（高周波を伝送可能）である。図１左図に示す、ＳＳＰＰ伝送路の一例として、同一周期の複数の導波経路を持つ導波構造が周期配置されたＳＳＰＰ伝送路がある。このＳＳＰＰ伝送路に擬似表面プラズモンを励起しても、各導波経路の周期に対応する単一の周波数（同一の周波数）の電磁波しか伝送できず、広帯域化することができない。これに対して、例えば図１右図に示す、異なる周期の複数の導波経路を持つ導波構造が周期配置されたＳＳＰＰ伝送路に擬似表面プラズモンを励起することにより、複数の導波経路の周期に対応する複数の周波数の電磁波を伝送することができ、広帯域化することができる。
　すなわち、ＳＳＰＰ伝送路において、異なる周期の複数の導波経路を持つ導波構造を周期的に配置することにより、小型化せずに高周波化することができ、且つ、広帯域化することができる。これは、発明者が見出した新規知見である。ここで、「異なる周期の複数の導波経路」は、「電磁波の導波距離及び／又は導波速度が異なる複数の導波経路」と同義である。
　図２には、周期（電磁波の導波距離）が異なる複数の導波経路ＷＧＬ及びＷＧＳを含む導波構造が周期的に配置されたミアンダ状のＳＳＰＰ伝送路が示されている。このＳＳＰＰ伝送路では、電磁波の伝送時に擬似表面プラズモンを励起することにより、電磁波を伝送路表面と空気の界面に局在させたまま、該界面に沿って伝搬させることができる。よって、小型化せずに高周波を伝搬可能、すなわち小型化せずに高周波化が可能となる。このＳＳＰＰ伝送路では、例えば、比較的周波数が低い低周波が各導波構造の外側の導波経路ＷＧＬを通り、比較的周波数が高い高周波が各導波構造の内側の導波経路ＷＧＳを通る。周波数が低周波と高周波の間の電磁波は、各導波構造の外側の導波経路ＷＧＬと内側の導波経路ＷＧＳの間の長さ（導波距離）の導波経路を通る。すなわち、このＳＳＰＰ伝送路では、各導波構造が異なる周期の複数の導波経路を含むことにより、広周波数範囲における周波数が異なる複数の電磁波を一括して伝送すること、すなわち広帯域化が可能となる。
　補足すると、上記擬似表面プラズモンは、伝搬型のみならず局在型であってもよい。局在型の場合、電磁波の位相速度によらず該電磁波と擬似表面プラズモンとを結合できるため、すなわち擬似表面プラズモンと結合できる、周波数が異なる電磁波の数が多くなるため、広帯域化を促進することが可能である。補足すると、例えば２００ＧＨｚ～３００ＧＨｚの周波数の電磁波の場合、伝搬型でも小型化せずに広帯域化できるが、例えば３００ＧＨｚ超の周波数の電磁波の場合に小型化せずに広帯域化するためには、局在型とした方が好ましい。
　また、例えば、伝送路として中実のものを用いた場合には、電磁波を伝送路の表面近傍にて伝搬させることが可能である。例えば、伝送路として中空のものを用いた場合には、電磁波を伝送路の外表面近傍又は内表面近傍にて伝搬させることが可能である。
　以下、本技術の第１実施形態に係る伝送路を幾つかの実施例を挙げて詳細に説明する。
＜１．本技術の第１実施形態の実施例１に係る伝送路＞
　以下、本技術の第１実施形態の実施例１に係る伝送路について、図面を参照して説明する。図３は、第１実施形態の実施例１に係る伝送路１を示す図である。
　伝送路１は、電磁波の伝送路である。伝送路１は、特にミリ波帯域（３０ＧＨｚ帯～３００ＧＨｚ帯）以上の電磁波、例えば周波数が２００ＧＨｚ以上の電磁波や３００ＧＨｚ以上の電磁波の伝送に有効である。
（伝送路の構成）
　伝送路１は、図３に示すように、伝送対象の電磁波の導波距離が異なる複数の導波経路を含む導波構造１ａが周期的に（例えば等ピッチで）配置されている、ＳＳＰＰ伝送路である。伝送路１は、図２のＳＳＰＰ伝送路と同様の原理により、広周波数範囲の周波数が異なる複数の電磁波を一括して伝送すること、すなわち広帯域化することができる。
　伝送路１は、複数の導波構造１ａが一軸ＡＸに沿って周期的に配置された中実又は中空の部材から成る。伝送路１の材料としては、導体（例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属）が挙げられる。伝送路１は、例えば隣接する導波構造１ａ同士が折り返すように連続するミアンダ形状を有する。各導波構造１ａは、電磁波の導波距離が異なる複数の導波経路を表面近傍に有し、該複数の導波経路の各々で異なる周波数の電磁波を伝送する。導波構造１ａは、略クランク状である。複数の導波経路の各々は曲線状（導波構造１ａの形状に概ね倣った形状）であり、曲率が互いに異なる。伝送路１の断面形状は、多角形（例えば矩形）又は多角形枠状（例えば矩形枠状）である。
　ここで、伝送路１において、金属と空気の界面には、擬似表面プラズモンを励起することができ、電磁波の入射方法によって、電磁波と擬似表面プラズモンとを結合させることができる。詳述すると、Ｏｔｔｏ配置やＫｒｅｔｓｃｈｍａｎｎ配置と呼ばれる電磁波の入射方法を用いることにより、界面（誘電体と空気の界面や、誘電体と空気の界面）で入射電磁波を全反射させることで生じるエバネッセント波（位相速度が遅い波）を生成することができ、電磁波と擬似表面プラズモンとの結合が可能となる。これにより、電磁波を金属と空気の界面に局在させたまま該界面に沿って伝搬させることができる。この際、擬似表面プラズモンが界面に沿って進む位相速度とエバネッセント波の位相速度とが略一致する、全ての周波数の電磁波が擬似表面プラズモンと結合して該界面に沿って伝搬する。よって、伝送路１は、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化が可能である。なお、擬似表面プラズモンには、位相速度が異なる複数のモードが存在し、該複数のモードの各々と位相速度が対応する周波数の電磁波とが結合可能である。ここでは、主に伝搬型擬似表面プラズモンと電磁波とを結合させる場合を例にとって説明したが、局在型擬似表面プラズモンを励起させて電磁波と結合させてもよい。
　導波構造１ａの配置周期Ｔ１は、伝送対象の電磁波の波長以上であることが好ましく、具体的には該波長の数倍～数十倍程度であることが好ましい。このように、導波構造１ａは、伝送対象の電磁波の波長に対して比較的大きなサイズを有している。これにより、製造が容易となる。
（伝送路の作用）
　伝送路１の一端（入射端）に広周波数範囲の周波数が異なる複数の高周波が、擬似表面プラズモンが励起されるように同時に入射される。複数の高周波の各々は、擬似表面プラズモンと結合して、各導波構造１ａの表面近傍の対応する導波経路を伝搬し、伝送路１の他端（出射端）から出射される。
（伝送路の効果）
　伝送路１は、電磁波の導波距離が異なる複数の導波経路を含む導波構造１ａが周期的に配置されている、伝送路である。これにより、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化が可能な伝送路を提供することができる。
＜２．本技術の第１実施形態の実施例２に係る伝送路＞
　以下、本技術の第１実施形態の実施例２に係る伝送路について、図面を参照して説明する。図４は、第１実施形態の実施例２に係る伝送路２を示す図である。
　伝送路２は、図４に示すように、各導波構造２ａの表面に凹部又は凸部から成る構造２ｂが設けられている点を除いて、実施例１に係る伝送路１と同様の構成を有する。構造２ｂは、一例として、各導波構造２ａの表面に導波方向に沿って周期的に設けられている。各構造２ｂは、複数の導波経路の各々を決定づける周期構造であって等角的に配置されている。各構造２ｂは、入射波を回折させる機能を持つ。伝送路２では、構造２ｂによる回折作用により、各導波構造２ａにより多くの導波経路を生成することが可能となり（伝播モードの分散化が可能となり）、広帯域化を促進することができる。
　導波構造２ａの配置周期Ｔ２も、伝送対象の電磁波の波長以上であることが好ましく、具体的には該波長の数倍～数十倍程度であることが好ましい。
　伝送路２によれば、伝送路１と同様の効果を奏するとともに、伝搬モードの分散化によって広帯域な伝搬特性が得られ伝送対象の電磁波の帯域幅を拡張できる。
＜３．本技術の第１実施形態の実施例３に係る伝送路＞
　以下、本技術の第１実施形態の実施例３に係る伝送路について、図面を参照して説明する。図５は、第１実施形態の実施例３に係る伝送路３を示す図である。
　伝送路３は、図５に示すように、各導波構造３ａが弧状である点を除いて、実施例１に係る伝送路１と同様の構成を有する。各導波構造３ａは、外周の曲率よりも内周の曲率が大きく、断面積が一定でない。各導波構造３ａの各導波経路も弧状である。
　導波構造３ａの配置周期Ｔ３も、伝送対象の電磁波の波長以上であることが好ましく、具体的には該波長の数倍～数十倍程度であることが好ましい。
　伝送路３によれば、実施例１に係る伝送路１と概ね同様の効果を奏する。
＜４．本技術の第１実施形態の実施例４に係る伝送路＞
　以下、本技術の第１実施形態の実施例４に係る伝送路について、図面を参照して説明する。図４は、第１実施形態の実施例４に係る伝送路４を示す図である。
　伝送路４は、図６に示すように、各導波構造４ａの表面に凹部又は凸部から成る構造４ｂが設けられている点を除いて、実施例３に係る伝送路３と同様の構成を有する。構造４ｂは、一例として、各導波構造４ａの表面に導波方向に沿って周期的に設けられている。各構造４ｂは、複数の導波経路の各々を決定づける周期構造であって等角的に配置されている。各構造４ｂは、入射波を回折させる機能を持つ。伝送路４では、構造４ｂによる回折作用により、各導波構造４ａにより多くの導波経路を生成することが可能となり（伝播モードの分散化が可能となり）、広帯域化を促進することができる。
　導波構造４ａの配置周期Ｔ４も、伝送対象の電磁波の波長以上であることが好ましく、具体的には該波長の数倍～数十倍程度であることが好ましい。
　伝送路４によれば、実施例１に係る伝送路１と同様の効果を奏するとともに、伝搬モードの分散化によって広帯域な伝搬特性が得られ伝送対象の電磁波の帯域幅を拡張できる。
　なお、構造４ｂの形状、数、配置は、適宜変更可能である。
＜５．本技術の第１実施形態の実施例５に係る伝送路＞
　以下、本技術の第１実施形態の実施例５に係る伝送路について、図面を参照して説明する。図７Ａは、第１実施形態の実施例５に係る伝送路５の側面図である。図７Ｂは、第１実施形態の実施例５に係る伝送路５の正面図（一軸ＡＸ方向から見た図）である。
　伝送路５は、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、電磁波の導波距離が異なる複数の導波経路を含む導波構造５ａが周期的に配置されている、伝送路である。
　伝送路５では、導波構造５ａが一軸ＡＸに沿って周期的に配置されている。詳述すると、伝送路５は、隣接する導波構造５ａ同士が一軸ＡＸの周りを巻回するように連続する螺旋状である。
　複数の導波経路の各々は、曲線状（例えば略弧状）であり、各導波経路は、曲率が異なる。各導波構造５ａの断面形状は、多角形（例えば矩形）又は多角形枠状（例えば矩形枠状）である。
　導波構造５ａの配置周期Ｔ５も、伝送対象の電磁波の波長以上であることが好ましく、具体的には該波長の数倍～数十倍程度であることが好ましい。
　伝送路５によれば、実施例１に係る伝送路１と概ね同様の効果を奏する。
＜６．本技術の第１実施形態の実施例６に係る伝送路＞
　以下、本技術の第１実施形態の実施例６に係る伝送路について、図面を参照して説明する。図８Ａは、第１実施形態の実施例６に係る伝送路６の側面図である。図８Ｂは、第１実施形態の実施例６に係る伝送路６の正面図（一軸ＡＸ方向から見た図）である。
　伝送路６は、図８Ａに示すように、各導波構造６ａの表面に凹部又は凸部から成る構造６ｂ（例えば凸部から成る構造）が設けられている点を除いて、実施例５に係る伝送路５と同様の構成を有する。構造６ｂは、一例として、各導波構造６ａの表面に導波方向に沿って周期的に設けられている。各構造６ｂは、複数の導波経路の各々を決定づける周期構造であって等角的に配置されている。各構造６ｂは、入射波を回折させる機能を持つ。伝送路６では、構造６ｂによる回折作用により、各導波構造６ａにより多くの導波経路を生成することが可能となり（伝播モードの分散化が可能となり）、広帯域化を促進することができる。
　導波構造６ａの配置周期Ｔ６も、伝送対象の電磁波の波長以上であることが好ましく、具体的には該波長の数倍～数十倍程度であることが好ましい。
　伝送路６によれば、実施例５に係る伝送路５と同様の効果を奏するとともに、モード形成により、伝送対象の電磁波の帯域の伝搬特性が改善される。また、伝搬モードの分散化によって広帯域な伝搬特性が得られ伝送対象の電磁波の帯域幅を拡張できる。
　なお、構造６ｂの形状、数、配置は、適宜変更可能である。
＜７．本技術の第１実施形態の実施例７に係る伝送路＞
　以下、本技術の第１実施形態の実施例７に係る伝送路について、図面を参照して説明する。図９Ａは、第１実施形態の実施例７に係る伝送路７の側面図である。図９Ｂは、第１実施形態の実施例７に係る伝送路７の正面図（一軸ＡＸ方向から見た図）である。
　伝送路７では、正面視８の字状の導波構造７ａが一軸ＡＸに沿って周期的に配置されている。隣接する導波構造７ａの端部同士が接続されている。各導波構造７ａの断面形状は、例えば円形又は円形枠状である。
　導波構造７ａの配置周期Ｔ７も、伝送対象の電磁波の波長以上であることが好ましく、具体的には該波長の数倍～数十倍程度であることが好ましい。
　伝送路７によれば、実施例１に係る伝送路１と概ね同様の効果を奏する。
　なお、伝送路７の各導波構造７ａの表面に、実施例６と同様に凹部又は凸部から成る構造を例えば周期的に設けてもよい。該構造は、複数の導波経路の各々を決定づける周期構造であって等角的に配置されたものであってもよい。
＜８．本技術の第１実施形態の実施例８に係る伝送路＞
　以下、本技術の第１実施形態の実施例８に係る伝送路について、図面を参照して説明する。図１０Ａは、第１実施形態の実施例８に係る伝送路８の側面図である。図１０Ｂは、第１実施形態の実施例８に係る伝送路８の正面図（一軸ＡＸ方向から見た図）である。
　伝送路８では、各導波構造８ａが、正面視略Ｓ字状（略クランク状）の導波構造８ａが一軸ＡＸに沿って周期的に配置されている点を除いて、実施例７に係る伝送路７と概ね同様の構成を有する。隣接する導波構造８ａの端部同士が接続されている。各導波構造８ａの断面形状は、例えば矩形又は矩形枠状である。
　導波構造８ａの配置周期Ｔ８も、伝送対象の電磁波の波長以上であることが好ましく、具体的には該波長の数倍～数十倍程度であることが好ましい。
　伝送路８によれば、実施例７に係る伝送路７と概ね同様の効果を奏する。
　なお、伝送路８の各導波構造８ａの表面に、実施例６と同様に凹部又は凸部から成る構造を例えば周期的に設けてもよい。該構造は、複数の導波経路の各々を決定づける周期構造であって等角的に配置されたものであってもよい。
＜９．本技術の第１実施形態の実施例９に係る伝送路＞
　以下、本技術の第１実施形態の実施例９に係る伝送路について、図面を参照して説明する。図１１は、第１実施形態の実施例９に係る伝送路９の斜視図である。
　伝送路９では、隣接する導波構造９ａ同士が一軸ＡＸに沿って並べて配置されている。各導波構造９ａは、複数種類（例えば２種類）の導波経路（例えば第１及び第２導波経路）を有している。各導波経路は、誘電率が異なる複数（例えば２つ）の物質が一軸ＡＸに沿って並べて配置された構造を有する。各導波構造９ａの複数の導波経路（例えば第１及び第２導波経路）は、一軸ＡＸに直交する方向に交互に並んでいる。
　伝送路９は、導体からなるベース部９Ｂを更に備えている。各導波構造９ａの複数の導波経路を一体に含む導波経路群９Ａがベース部９Ｂ上に設けられている。
　各導波構造９ａは、誘電率が異なる複数種類（例えば３種類）の誘電体を含む。例えば第１導波経路では、誘電率ε１の第１誘電体９ａ１及び誘電率ε３の第３誘電体９ａ３が一軸ＡＸ方向に並んでいる。第２導波経路では、誘電率ε２の第２誘電体９ａ２及び誘電率ε３の第３誘電体９ａ３が一軸ＡＸ方向に並んでいる。すなわち、第１及び第２導波経路は、電磁波の導波速度が異なる（導波時間が異なる）。誘電率ε１、ε２の比を大きくすることにより、第１及び第２導波経路を伝搬する電磁波の導波速度の差を大きくすることができ、帯域幅を広げることができる。さらに、誘電率ε３を誘電率ε１、ε２の間の値にすることにより、帯域を隣接させて広帯域化することができる。ここでは、ε３＝（ε１＋ε２）／２となっている。すなわち、導波構造９ａを構成する物質のうち、誘電率の実部が最大の物質と最小の物質の誘電率の平均が残りの物質の誘電率と等しくなっている。なお、導波構造９ａに、誘電率が異なる３種類の誘電体の代わりに、誘電率が異なる２種類の誘電体と空気（空隙）を用いてもよい。導体及び誘電体を用いた伝送路９は、導体のみで構成された伝送路に比べて導体での損失が少なく低損失である。
　導波構造９ａの配置周期Ｔ９も、伝送対象の電磁波の波長以上であることが好ましく、具体的には該波長の数倍～数十倍程度であることが好ましい。
　伝送路９では、導波経路群９Ａの一軸ＡＸ方向の一端側から入射された電磁波が、導波経路群９Ａとベース部９Ｂとの界面に励起された擬似表面プラズモンと結合することにより、該界面に沿って伝搬し、導波経路群９Ａの一軸ＡＸ方向の他端側から出射される。
　伝送路９によれば、低損失且つ広帯域なＳＳＰＰ伝送路を実現することができる。
　なお、伝送路９の各導波構造９ａは、誘電率が異なる２種類の誘電体を含む構造や、誘電率が異なる４種類以上の誘電体を含む構造や、少なくとも一種の誘電体と空気（空隙）を含む構造であってもよい。
＜１０．本技術の第１実施形態の実施例１０に係る伝送路＞
　以下、本技術の第１実施形態の実施例１０に係る伝送路について、図面を参照して説明する。図１２は、第１実施形態の実施例１０に係る伝送路１０の断面図である。図１３は、本技術の第１実施形態の実施例１０に係る伝送路の平面模式図である。
（伝送路の構成）
　伝送路１０は、図１２及び図１３に示すように、樹脂ねじ１０Ａを含み、導波構造１０ａが樹脂ねじ１０Ａの回転軸方向（一軸ＡＸ方向）に周期的に配置された樹脂構造体と、該樹脂構造体の周囲に設けられた導体部１０Ｃとを備える。該樹脂構造体は、樹脂ねじ１０Ａの周囲に設けられた樹脂部１０Ｂを含む。樹脂部１０Ｂは、誘電率が樹脂ねじ１０Ａとは異なる。すなわち、導波構造１０ａは、誘電率が異なる複数種類（例えば２種類）の誘電体を含む。具体的には、図１３に示すように、樹脂ねじ１０Ａは、誘電率ε１の誘電体１０ａ１からなり、樹脂部１０Ｂは、誘電率ε２の誘電体１０ａ２を含む。各導波構造１０ａの複数の導波経路（例えばＷＧ１、ＷＧ２、ＷＧ３）は、一軸ＡＸ方向から見て同心円状に形成され、電磁波の導波距離及び導波速度が異なる。樹脂部１０Ｂは、周方向に、樹脂ねじ１０Ａの外周部を周期的に露出させる切れ目を有する。すなわち、伝送路１０では、樹脂ねじ１０Ａの回転軸（一軸ＡＸ）の周りに誘電体１０ａ１、１０ａ２が交互に配置されている。導体部１０Ｃの材料としては、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属が挙げられる。なお、樹脂部１０Ｂは、周期的な切れ目を有していなくてもよい。
　伝送路１０は、一軸ＡＸ方向の一端から入射された電磁波を擬似表面プラズモンと結合させて樹脂構造体と導体部１０Ｃの界面に沿って螺旋を描くように伝搬させ、一軸ＡＸ方向の他端から出射させる。
　導波構造１０ａの配置周期Ｔ１０も、伝送対象の電磁波の波長以上であることが好ましく、具体的には該波長の数倍～数十倍程度であることが好ましい。
（伝送路の製造方法）
　以下、伝送路１０の製造方法について、図１４のフローチャート等を参照して説明する。
　最初のステップＳ１では、導体板１００に穴１００ａを形成する（図１５Ａ参照）。具体的には、導体板１００の端面にドリルで穴１００ａを開ける。
　次のステップＳ２では、穴１００ａに樹脂（以下、便宜上「樹脂１０Ｂ」と表記する）を注入する（図１５Ｂ参照）。具体的には、導体板１００に形成された穴１００ａに常温硬化型の樹脂１０Ｂを注入する。
　次のステップＳ３では、樹脂１０Ｂが注入された穴１００ａに樹脂ねじ１０Ａを挿入する（図１６Ａ参照）。
　次のステップＳ４では、樹脂１０Ｂが硬化するまで待機する。
　次のステップＳ５では、導体板１００の一部である導体部１０Ｃ、樹脂ねじ１０Ａ及び樹脂１０Ｂを一体に切り出す（図１６Ｂ参照）。具体的には、例えば切削加工やレーザ加工により、樹脂ねじ１０Ａと、該樹脂ねじ１０Ａの周囲の樹脂１０Ｂと、該樹脂１０Ｂの周囲の導体部１０Ｃとを一体に切り出す。
　最後のステップＳ６では、樹脂１０Ｂに切れ目を形成する（図１６Ｃ参照）。具体的には、例えばレーザ加工により樹脂ねじ１０Ａの外周部を覆う樹脂１０Ｂを周期的に除去し（樹脂１０Ｂに周期的な切れ目を形成し）、該外周部を周期的に露出させる。
（伝送路及び伝送路の製造方法の効果）
　伝送路１０によれば、製造容易な、例えばμｍオーダーの微細構造を持つ伝送路を実現できる。伝送路１０の製造方法によれば、例えばμｍオーダーの微細構造を持つ伝送路を容易に製造できる。よって、製造コスト及び製造時間を削減できる。
　なお、以上説明した伝送路１０の製造方法の複数の工程（ステップＳ１～Ｓ６）の順序は、適宜変更可能である。伝送路１０の製造方法において、ステップＳ６を行わなくてもよい、すなわち樹脂１０Ｂに周期的な切れ目を形成しなくてもよい。
　以下、本技術の第２実施形態に係る遅波回路を幾つかの実施例を挙げて説明する。
＜１１．本技術の第２実施形態の実施例１に係る遅波回路＞
　以下、本技術の第２実施形態の実施例１に係る遅波回路について、図面を参照して説明する。図１７は、第２実施形態の実施例１に係る遅波回路１０１を示す図である。
　遅波回路１０１は、ビームホール５０と、第１実施形態の実施例１に係る伝送路１とを備える。
　ビームホール５０は、一例として、電子ビームを伝送する電子管である。ビームホール５０は、一軸ＡＸ方向に延びている。伝送路１は、電磁波を遅らせて伝送する。詳述すると、伝送路１は、ビームホール５０を迂回するように電磁波を伝送する。遅波回路１０１は、伝送路１を介した電磁波をビームホール５０を介した電子ビームと相互作用させることにより増幅する。
　遅波回路１０１によれば、伝送路１及びビームホール５０を有しているので、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化でき、且つ、高出力化できる遅波回路を提供できる。
　なお、ビームホール５０と、第１実施形態の実施例２に係る伝送路２とを備える遅波回路を提供することもできる。
＜１２．本技術の第２実施形態の実施例２に係る遅波回路＞
　以下、本技術の第２実施形態の実施例２に係る遅波回路について、図面を参照して説明する。図１８は、第２実施形態の実施例２に係る遅波回路１０３を示す図である。
　遅波回路１０３は、ビームホール５０と、第１実施形態の実施例３に係る伝送路３とを備える。
　ビームホール５０は、一例として、電子ビームを伝送する電子管である。ビームホール５０は、一軸ＡＸ方向に延びている。伝送路３は、電磁波を遅らせて伝送する。詳述すると、伝送路３は、ビームホール５０を迂回するように電磁波を伝送する。遅波回路１０３は、伝送路３を介した電磁波をビームホール５０を介した電子ビームと相互作用させることにより増幅する。
　遅波回路１０３によれば、伝送路３及びビームホール５０を有しているので、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化でき、且つ、高出力化できる遅波回路を提供できる。
　なお、ビームホール５０と、第１実施形態の実施例４に係る伝送路４とを備える遅波回路を提供することもできる。
＜１３．本技術の第２実施形態の実施例３に係る遅波回路＞
　以下、本技術の第２実施形態の実施例３に係る遅波回路について、図面を参照して説明する。図１９は、第２実施形態の実施例３に係る遅波回路１０５を示す図である。
　遅波回路１０５は、ビームホール５０と、第１実施形態の実施例５に係る伝送路５とを備える。
　ビームホール５０は、一例として、電子ビームを伝送する電子管である。ビームホール５０は、一軸ＡＸ方向に延びている。伝送路５は、電磁波を遅らせて伝送する。詳述すると、伝送路５は、ビームホール５０を迂回するように電磁波を伝送する。遅波回路１０５は、伝送路５を介した電磁波をビームホール５０を介した電子ビームと相互作用させることにより増幅する。
　遅波回路１０５によれば、伝送路５及びビームホール５０を有しているので、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化でき、且つ、高出力化できる遅波回路を提供できる。
　なお、ビームホール５０と、第１実施形態の実施例６に係る伝送路６とを備える遅波回路を提供することもできる。
＜１４．本技術の第２実施形態の実施例４に係る遅波回路＞
　以下、本技術の第２実施形態の実施例４に係る遅波回路について、図面を参照して説明する。図２０は、第２実施形態の実施例４に係る遅波回路１０９を示す図である。
　遅波回路１０９は、ビームホール５０と、第１実施形態の実施例９に係る伝送路９とを備える。
　ビームホール５０は、一例として、電子ビームを伝送する電子管である。ビームホール５０は、一軸ＡＸ方向に延びている。伝送路９は、電磁波を遅らせて伝送する。詳述すると、伝送路９は、電磁波の導波速度を遅くして伝送する。遅波回路１０９は、伝送路９を介した電磁波とビームホール５０を介した電子ビームとを相互作用させることにより該電磁波を増幅する。
　遅波回路１０９によれば、伝送路９及びビームホール５０を有しているので、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化でき、且つ、高出力化できる遅波回路を提供できる。
＜１５．本技術の第２実施形態の実施例５に係る遅波回路＞
　以下、本技術の第２実施形態の実施例５に係る遅波回路について、図面を参照して説明する。図２１は、第２実施形態の実施例５に係る遅波回路１０７を示す図である。
　遅波回路１０７は、２つのビームホール５０と、第１実施形態の実施例７に係る伝送路７とを備える。
　各ビームホール５０は、一例として、電子ビームを伝送する電子管である。２つのビームホール５０は、それぞれ伝送路７の正面視８の字状の上下の巻回部内を一軸ＡＸ方向に貫通するように延びている。伝送路７は、電磁波を遅らせて伝送する。詳述すると、伝送路７は、各ビームホール５０を迂回するように電磁波を伝送する。遅波回路１０７は、伝送路７を介した電磁波と各ビームホール５０を介した電子ビームとを相互作用させることにより該電磁波を増幅する。
　遅波回路１０７によれば、伝送路７及び２つのビームホール５０を有しているので、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化でき、且つ、超高出力化できる遅波回路を提供できる。
＜１５．本技術の第２実施形態の実施例６に係る遅波回路＞
　以下、本技術の第２実施形態の実施例６に係る遅波回路について、図面を参照して説明する。図２２は、第２実施形態の実施例６に係る遅波回路１０８を示す図である。
　遅波回路１０８は、２つのビームホール５０と、第１実施形態の実施例８に係る伝送路８とを備える。
　各ビームホール５０は、一例として、電子ビームを伝送する電子管である。２つのビームホール５０は、それぞれ伝送路８の正面視略Ｓ字状の上下の枠状部内を一軸ＡＸ方向に貫通するように延びている。伝送路８は、電磁波を遅らせて伝送する。詳述すると、伝送路８は、各ビームホール５０を迂回するように電磁波を伝送する。遅波回路１０８は、伝送路８を介した電磁波と各ビームホール５０を介した電子ビームとを相互作用させることにより該電磁波を増幅する。
　遅波回路１０８によれば、伝送路８及び２つのビームホール５０を有しているので、広帯域化でき、且つ、小型化せずに高周波化でき、且つ、超高出力化できる遅波回路を提供できる。
＜１６．本技術の第２実施形態の実施例７に係る遅波回路＞
　以下、本技術の第２実施形態の実施例７に係る遅波回路について、図面を参照して説明する。図２３は、第２実施形態の実施例７に係る遅波回路１１０の断面図である。図２４は、第２実施形態の実施例７に係る遅波回路１１０の模式的平面図である。
　遅波回路１１０は、図２３及び図２４に示すように、第１実施形態の実施例１０に係る伝送路１０と、該伝送路１０の、樹脂ねじ１０Ａ及び樹脂部１０Ｂを含む樹脂構造体を樹脂ねじ１０Ａの回転軸方向（一軸ＡＸ方向）に貫通する貫通孔ＴＨとを備える。
　貫通孔ＴＨは、電子ビームを伝送するビームホールとして機能する。ここでは、樹脂ねじ１０Ａに貫通孔ＴＨが設けられている。
　遅波回路１１０は、一例として、図２５のフローチャートの手順で製造することができる。図２５のステップＳ１１～Ｓ１６は、図１４のステップＳ１～Ｓ６と同様である。ステップＳ１７では、樹脂ねじ１０Ａ及び樹脂部１０Ｂを含む樹脂構造体に例えばドリルを用いて樹脂ねじ１０Ａの回転軸方向に延びる貫通孔ＴＨを形成する（図２６参照）。
　遅波回路１１０によれば、製造容易な、例えばμｍオーダーの微細構造を持つ遅波回路を実現できる。遅波回路１１０の製造方法によれば、例えばμｍオーダーの微細構造を持つ遅波回路を容易に製造できる。よって、製造コスト及び製造時間を削減できる。
　なお、以上説明した遅波回路１１０の製造方法の複数の工程（ステップＳ１１～Ｓ１７）の順序は、適宜変更可能である。伝送路１０の製造方法において、ステップＳ１６を行わなくてもよい、すなわち樹脂１０Ｂに周期的な切れ目を形成しなくてもよい。
＜１７．本技術の第３実施形態に係る増幅器の構成例＞
　以下、本技術の第３実施形態に係る増幅器の構成例について、図面を参照して説明する。図２７は、第３実施形態に係る増幅器３００（回路装置）の構成を示すブロック図である。
　増幅器３００は、進行波管増幅器であり、図２７に示すように、電子銃３０１、周期磁界装置、遅波回路３０２、コレクタ３０３、ＲＦ入力部３０４（電磁波入力部）及びＲＦ出力部３０５（電磁波出力部）を含む増幅器本体と、パッケージとを備える。
　電子銃３０１は、所定の径の電子ビームを生成し、放出する。周期磁界装置は、電子銃３０１から放出された電子ビームを遅波回路３０２全長に渡り集束する。
　遅波回路３０２は、電磁波を電子ビームと相互作用させて増幅する。遅波回路３０２として、例えば、第２実施形態の各実施例及び各変形例に係る遅波回路を用いることができる。
　コレクタ３０３は、遅波回路３０２での増幅作用を終えた使用済みの電子ビームを捕捉し、そのエネルギーを熱として外部に逃がす。
　ＲＦ入力部３０４は、受信用アンテナを介して電磁波を受信し遅波回路３０２に入力する。
　ＲＦ出力部３０５は、遅波回路３０２で増幅された電磁波を送信用アンテナを介して出力する。
　パッケージは、増幅器本体を支持し、耐震性を持たせる。
＜１８．本技術の第４実施形態に係る送受信機の構成例＞
　以下、本技術の第４実施形態に係る送受信機の構成例について、図面を参照して説明する。図２８は、第４実施形態に係る送受信機の構成例である送受信機４００を示すブロック図である。
　送受信機４００は、例えば測距、物体認識等のセンシング用途に用いられる。送受信機４００は、遅波回路を含むＲＦ回路４０１と、センシング回路４０２とを備える。
　ＲＦ回路４０１は、送信用アンテナＴＸＡと、受信用アンテナＲＸＡと、パワーアンプＰＡと、第１及び第２ミクサＭＸ１、ＭＸ２と、局部発振器ＬＯと、ローノイズアンプＬＮＡとを含む。センシング回路４０２は、チャープ電圧生成部と、ＦＦＴ部（高速フーリエ変換部）とを含む。
　パワーアンプＰＡには、第２実施形態の各実施例及び各変形例の遅波回路を用いることができる。パワーアンプＰＡの出力端は、送信用アンテナＴＸＡに接続されている。パワーアンプＰＡの入力端には、第１ミクサＭＸ１の出力端が接続されている。第１ミクサＭＸ１の入力端には、チャープ電圧生成部及び局部発振器ＬＯが接続されている。第１ミクサＭＸ１は、局部発振器ＬＯからの信号を用いてチャープ電圧生成部からの電圧信号の周波数変換を行う。
　ローノイズアンプＬＮＡには、第２実施形態の各実施例及び各変形例の遅波回路を用いることができる。ローノイズアンプＬＮＡの入力端は、受信用アンテナＲＸＡに接続されている。ローノイズアンプＬＮＡの出力端には、第２ミクサＭＸ２の入力端が接続されている。第２ミクサＭＸ２の出力端には、局部発振器ＬＯが接続され、且つ、ＡＤＣ（アナログ／デジタルコンバータ）を介してＦＦＴ部が接続されている。第２ミクサＭＸ２は、局部発振器ＬＯからの信号を用いて、ローノイズアンプＬＮＡからの電圧信号の周波数変換を行う。ＡＤＣは、第２ミクサＭＸ２からの周波数変換された電圧信号（アナログ信号）をデジタル信号に変換する。ＦＦＴ部は、ＡＤＣからのデジタル信号をフーリエ変換し、周波数解析を行う。
　送受信機４００によれば、本技術に係る遅波回路を備えることにより、高周波化、広帯域化及び高出力化できる送受信機を提供できる。
　なお、本技術に係る遅波回路（例えば第２実施形態の各実施例及び各変形例の遅波回路）は、信号伝送路として単体で使用することも可能である。
＜１９．本技術の第５実施形態に係る送受信機の構成例＞
　以下、本技術の第５実施形態に係る送受信機の構成例について、図面を参照して説明する。図２９は、第５実施形態に係る送受信機の構成例である送受信機５００を示すブロック図である。
　送受信機５００は、例えば通信用途に用いられる。送受信機５００は、遅波回路を含むＲＦ回路５０１と、通信回路５０２とを備える。
　ＲＦ回路４０１は、送信用アンテナＴＸＡと、受信用アンテナＲＸＡと、パワーアンプＰＡと、第１及び第２ミクサＭＸ１、ＭＸ２と、局部発振器ＬＯと、ローノイズアンプＬＮＡとを含む。通信回路５０２は、ＤＡＣ（デジタル／アナログコンバータ）と、ＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）とを含む。
　パワーアンプＰＡには、本技術に係る遅波回路（例えば第２実施形態の各実施例及び各変形例の遅波回路）を用いることができる。パワーアンプＰＡの出力端は、送信用アンテナＴＸＡに接続されている。パワーアンプＰＡの入力端には、第１ミクサＭＸ１の出力端が接続されている。第１ミクサＭＸ１の入力端には、ＤＡＣ及び局部発振器ＬＯが接続されている。ＤＳＰは、送信用の電圧信号（デジタル信号）を生成し、ＤＡＣへ送る。ＤＡＣは、ＤＳＰからのデジタル信号をアナログ信号に変換して第１ミクサＭＸ１に送る。第１ミクサＭＸ１は、局部発振器ＬＯからの信号を用いてＤＡＣからのアナログ信号（電圧信号）の周波数変換を行う。パワーアンプＰＡは、第１ミクサＭＸ１からの周波数変換されたアナログ信号を増幅して、送信用アンテナＴＸＡに送る。
　ローノイズアンプＬＮＡには、本技術に係る遅波回路（第２実施形態の各実施例及び各変形例の遅波回路）を用いることができる。ローノイズアンプＬＮＡの入力端は、受信用アンテナに接続されている。ローノイズアンプＬＮＡの出力端には、第２ミクサＭＸ２の入力端が接続されている。第２ミクサＭＸ２の出力端には、局部発振器ＬＯが接続され、且つ、ＡＤＣ（アナログ／デジタル変換器）を介してＤＳＰが接続されている。ローノイズアンプＬＮＡは、受信用アンテナＲＸＡを介して受信した電圧信号を増幅して第２ミクサＭＸ２に送る。第２ミクサＭＸ２は、局部発振器ＬＯからの信号を用いてローノイズアンプＬＮＡからの電圧信号（アナログ信号）の周波数変換を行い、ＡＤＣに送る。ＡＤＣは、第２ミクサＭＸ２からのアナログ信号をデジタル信号に変換してＤＳＰに送る。ＤＳＰは、受信したデジタル信号をデジタル処理する。
　送受信機５００によれば、本技術に係る遅波回路を備えることにより、高周波化、広帯域化及び高出力化できる送受信機を提供できる。
　なお、本技術に係る遅波回路（例えば第２実施形態の各実施例及び各変形例の遅波回路）は、信号伝送路として単体で使用することも可能である。
＜２０．本技術の第６実施形態に係る中継器の構成例＞
　以下、本技術の第６実施形態に係る中継器の構成例について、図面を参照して説明する。図３０は、第６実施形態に係る中継器の構成例である中継器６００を示すブロック図である。
　中継器６００は、例えば衛星通信システムに用いられる。中継器６００は、例えばフェーズドアレーアンテナを用いた衛星搭載型中継器である。中継器６００では、受信用アンテナ（ＲＸ　Ａｎｔｅｎｎａ）にスイッチＳＷを介して複数（例えば２つ）の周波数変調系が選択的に接続される。各周波数変調系は、周波数変換器及びドライバを含む。例えば２つの周波数変調系は、分岐部としてのＨＹＢ（ハイブリッド部）を介してＢＦＮ（ビームフォーミングネットワーク）に接続されている。ＢＦＮには、複数のＴＷＴＡ（進行波管増幅器）が接続されている。ＢＦＮは、ビームフォーミングする際に各ＴＷＴＡに対して異なる位相・振幅を割り当てる演算部である。各ＴＷＴＡとして、本技術に係る遅波回路（例えば第２実施形態の各実施例及び各変形例に係る遅波回路）を用いることができる。各ＴＷＴＡは、増幅された信号を対応するフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）に送る。各フィルタは、適切な信号形式・ビームフォーミングを行うために対応するＴＷＴＡで増幅された信号の状態（位相ずれ・振幅ずれ）を補正する。各フィルタを介した信号は、送信アンテナ（ＴＸ　Ａｎｔｅｎｎａ）としてのホーンアンテナを介して電波として放射される。
　中継器６００によれば、本技術に係る遅波回路を備えることにより、高周波化、広帯域化及び高出力化できる中継器を提供できる。
　なお、本技術に係る遅波回路（例えば第２実施形態の各実施例及び各変形例の遅波回路）は、信号伝送路として単体で使用することも可能である
＜２１．本技術のその他の変形例＞
　本技術に係る伝送路、遅波回路、増幅器、送受信機、中継器、回路装置、伝送路の製造方法及び遅波回路の製造方法は、適宜変更可能である。
（変形例１）
　図３１Ａは、本技術の第１実施形態の変形例１に係る伝送路１１の透視斜視図である。図３１Ｂは、本技術の第１実施形態の変形例１に係る伝送路１１の透視平面図である。
　伝送路１１は、各導波構造１１ａの複数の導波経路に沿う凹凸線路１１Ｂを少なくとも１つ有する点を除いて、実施例３に係る伝送路３と概ね同様の構成を有する。凹凸線路１１Ｂは、各導波構造１１ａの複数の導波経路を決定づける機能を持つ。伝送路１１は、一軸ＡＸに沿って周期的に（例えば周期Ｔ１１で）配置された複数の導波構造１１ａを有する、ミアンダ状の中空部材１１Ａを含む。ここでは、中空部材１１Ａの内部に凹凸線路１１Ｂが設けられている。詳述すると、中空部材１１Ａの対向する２つの内表面の一方に凹凸線路１１Ｂが設けられている。凹凸線路１１Ｂは、中空部材１１Ａに沿って該中空部材１１Ａの一端から他端まで延びるミアンダ状の基幹部１１Ｂ１と、該基幹部１１Ｂ１から分岐した複数の分岐部１１Ｂ２とを有する。中空部材１１Ａは、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属からなる。凹凸線路１１Ｂは、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属や誘電体からなる。なお、中空部材１１Ａの対向する２つの内表面の双方に凹凸線路１１Ｂを設けてもよい。螺旋状の中空部材の内表面に基幹部が螺旋状の凹凸線路を設けてもよい。
（変形例２）
　図３２は、本技術の第１実施形態の変形例２に係る伝送路１２の透視斜視図である。伝送路１２は、凹凸線路１１Ｂが中空部材１１Ａの内部空間（例えば内表面近傍）に配置されている点を除いて、変形例１に係る伝送路１１と同様の構成を有する。伝送路１２では、凹凸線路１１Ｂと中空部材１１Ａとの間に微小なクリアランスがある。なお、伝送路１２の内部空間に凹凸線路１１Ｂを複数設けてもよい。螺旋状の中空部材の内部空間（例えば内表面近傍）に基幹部が螺旋状の凹凸線路を設けてもよい。
（変形例３）
　図３３は、本技術の第１実施形態の変形例３に係る伝送路１３の斜視図である。伝送路１３は、凹凸線路１１Ｂが中空部材１１Ａの外部に設けられている点を除いて、変形例１に係る伝送路１１と同様の構成を有する。ここでは、中空部材１１Ａの一方の外表面に凹凸線路１１Ｂが設けられている。なお、中空部材１１Ａの外表面と凹凸線路１１Ｂとの間に微小なクリアランスがあってもよい。中空部材１１Ａの一方及び他方の外表面（又は該外表面近傍）に凹凸線路１１Ｂを設けてもよい。中空部材１１Ａに代えて、同形状の中実部材を用いてもよい。螺旋状の中空部材又は中実部材の外表面（又は外表面近傍）に基幹部が螺旋状の凹凸線路を設けてもよい。
　例えば、本技術に係る伝送路は、回路装置の一例としての高周波回路の伝送路として用いることができる。
　例えば、本技術に係る遅波回路、回路装置の一例としての高周波回路の増幅器の少なくとも一部として用いることができる。
　上記第１実施形態の各実施例及び各変形例に係る伝送路の構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。上記第２実施形態の各実施例及び各変形例の遅波回路の構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。
　なお、本技術では、以下の構成を取ることができる。
（１）電磁波の導波距離及び／又は導波速度が異なる複数の導波経路を含む導波構造が周期的に配置されている、伝送路。
（２）前記導波構造が少なくとも一軸に沿って周期的に配置されている、（１）に記載の伝送路。
（３）前記複数の導波経路の各々を決定づける周期構造が等角的に配置されている、（１）又は（２）に記載の伝送路。
（４）隣接する前記導波構造同士が前記一軸の周りを巻回するように連続している、（２）に記載の伝送路。
（５）前記複数の導波経路の各々は、曲線状である、（１）～（４）のいずれか１つに記載の伝送路。
（６）前記複数の導波経路は、曲率が異なる、（５）のいずれか１つに記載の伝送路。
（７）前記導波構造の表面に凹部又は凸部が設けられている、（１）～（６）のいずれか１つに記載の伝送路。
（８）螺旋状である、（１）～（７）のいずれか１つに記載の伝送路。
（９）隣接する前記導波構造同士が折り返すように連続している、（１）～（８）のいずれか１つに記載の伝送路。
（１０）前記複数の導波経路の各々は、曲線状である、（９）に記載の伝送路。
（１１）前記複数の導波経路は、曲率が異なる、（１０）に記載の伝送路。
（１２）前記導波構造の表面に凹部又は凸部が設けられている、（１）～（１１）のいずれか１つに記載の伝送路。
（１３）ミアンダ状である、（１）～（１２）のいずれか１つに記載の伝送路。
（１４）隣接する前記導波構造同士が前記一軸に沿って並べて配置されている、（１）～（１３）のいずれか１つに記載の伝送路。
（１５）前記複数の導波経路の各々は、誘電率が異なる複数の物質が前記一軸に沿って並べて配置された構造を有する、（１）～（１４）のいずれか１つに記載の伝送路。
（１６）導体からなるベース部を更に備え、前記導波構造は、前記ベース部上に設けられている、（１）～（１５）のいずれか１つに記載の伝送路。
（１７）前記導波構造は、誘電体と空気、又は、誘電率が異なる複数種類の誘電体を含む、（１）～（１６）のいずれか１つに記載の伝送路。
（１８）前記導波構造は、誘電率が異なる２種類の誘電体と空気、又は、誘電率が異なる３種類の誘電体を含み、前記導波構造に含まれる物質のうち、誘電率の実部が最大の物質と最小の物質の誘電率の平均が残りの物質の誘電率と等しい、（１）～（１７）のいずれか１つに記載の伝送路。
（１９）前記導波構造の配置周期は、前記電磁波の波長以上である、（１）～（１８）のいずれか１つに記載の伝送路。
（２０）樹脂ねじを含み、前記導波構造が前記樹脂ねじの回転軸方向に周期的に配置された樹脂構造体と、前記樹脂構造体の周囲に設けられた導体部と、を備える、（１）～（１９）のいずれか１つに記載の伝送路。
（２１）前記樹脂構造体は、前記樹脂ねじの周囲に設けられた樹脂部を含む、（２０）に記載の伝送路。
（２２）前記樹脂部は、誘電率が前記樹脂ねじとは異なる、（２１）に記載の伝送路。
（２３）前記樹脂部は、前記樹脂ねじの一部を露出させる切れ目を有する、（２１）又は（２２）に記載の伝送路。
（２４）前記導波構造は、誘電体と空気、又は、誘電率が異なる複数種類の誘電体からなる、（２０）～（２３）のいずれか１つに記載の伝送路。
（２５）（２０）～（２４）のいずれか１つに記載の伝送路と、
　前記伝送路の樹脂構造体を前記回転軸方向に貫通する貫通孔と、
　を有する、遅波回路。
（２６）電子ビームを伝送するビームホールと、
　前記電磁波を遅らせて伝送する、（１）～（２５）のいずれか１つに記載の伝送路と、
　を備え、
　前記伝送路を介した前記電磁波と前記ビームホールを介した前記電子ビームとを相互作用させる、遅波回路。
（２７）前記伝送路は、前記複数の導波経路に沿う凹凸線路を少なくとも１つ有する、（２６）に記載の遅波回路。
（２８）前記電磁波は、周波数が２００ＧＨｚ以上である、（２６）又は（２７）に記載の遅波回路。
（２９）前記電磁波は、周波数がミリ波帯域以上である、（２６）～（２８）のいずれか１つに記載の遅波回路。
（３０）（２６）～（２９）のいずれか１つに記載の遅波回路を備える、増幅器。
（３１）（２６）～（２９）のいずれか１つに記載の遅波回路を備える、送受信機。
（３２）（２６）～（２９）のいずれか１つに記載の遅波回路を備える、中継器。
（３３）（２６）～（２９）のいずれか１つに記載の遅波回路を備える、回路装置。
（３４）導体板に穴を形成する工程と、
　前記穴に樹脂を注入する工程と、
　前記樹脂が注入された穴に樹脂ねじを挿入する工程と、
　を含む、伝送路の製造方法。
（３５）前記樹脂に切れ目を形成する工程を更に含む、（３４）に記載の伝送路の製造方法。
（３６）前記導体板の一部、前記樹脂ねじ及び前記樹脂を一体に切り出す工程を更に含む、（３４）又は（３５）に記載の伝送路の製造方法。
（３７）導体板に穴を形成する工程と、
　前記穴に樹脂を注入する工程と、
　前記樹脂が注入された穴に樹脂ねじを挿入する工程と、
　前記樹脂ねじに回転軸方向に延びる貫通孔を形成する工程と、
　を含む、遅波回路の製造方法。
（３８）前記樹脂に切れ目を形成する工程を更に含む、（３７）に記載の遅波回路の製造方法。
（３９）前記導体板の一部、前記樹脂ねじ及び前記樹脂を一体に切り出す工程を更に含む、（３７）又は（３８）に記載の遅波回路の製造方法。
　１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３：伝送路
　１ａ、２ａ、３ａ、４ａ、５ａ、６ａ、７ａ、８ａ、９ａ、１０ａ、１１ａ：導波構造
　２ｂ、４ｂ、６ｂ：凹部又は凸部（周期構造）
　９ａ１：第１誘電体（誘電体）
　９ａ２：第２誘電体（誘電体）
　９ａ３：第３誘電体（誘電体）
　１０Ａ：樹脂ねじ
　１０Ｂ：樹脂部
　１０Ｃ：導体部
　１１Ｂ：凹凸線路
　５０：ビームホール
　１００：導体板
　１００ａ：穴
　１０１、１０３、１０５、１０７、１０８、１０９、１１０、３０２：遅波回路
　３００：増幅器（回路装置）
　４００：送受信機（回路装置）
　５００：送受信機（回路装置）
　６００：中継器（回路装置）
　ＡＸ：一軸
　ＴＨ：貫通孔

Claims (39)

  1. 　電磁波の導波距離及び／又は導波速度が異なる複数の導波経路を含む導波構造が周期的に配置されている、伝送路。
  2. 　前記導波構造が少なくとも一軸に沿って周期的に配置されている、請求項１に記載の伝送路。
  3. 　前記複数の導波経路の各々を決定づける周期構造が等角的に配置されている、請求項１に記載の伝送路。
  4. 　隣接する前記導波構造同士が前記一軸の周りを巻回するように連続している、請求項２に記載の伝送路。
  5. 　前記複数の導波経路の各々は、曲線状である、請求項４に記載の伝送路。
  6. 　前記複数の導波経路は、曲率が異なる、請求項５に記載の伝送路。
  7. 　前記導波構造の表面に凹部又は凸部が設けられている、請求項４に記載の伝送路。
  8. 　螺旋状である、請求項４に記載の伝送路。
  9. 　隣接する前記導波構造同士が折り返すように連続している、請求項２に記載の伝送路。
  10. 　前記複数の導波経路の各々は、曲線状である、請求項９に記載の伝送路。
  11. 　前記複数の導波経路は、曲率が異なる、請求項１０に記載の伝送路。
  12. 　前記導波構造の表面に凹部又は凸部が設けられている、請求項９に記載の伝送路。
  13. 　ミアンダ状である、請求項９に記載の伝送路。
  14. 　隣接する前記導波構造同士が前記一軸に沿って並べて配置されている、請求項２に記載の伝送路。
  15. 　前記複数の導波経路の各々は、誘電率が異なる複数の物質が前記一軸に沿って並べて配置された構造を有する、請求項１４に記載の伝送路。
  16. 　導体からなるベース部を更に備え、
    　前記導波構造は、前記ベース部上に設けられている、請求項１５に記載の伝送路。
  17. 　前記導波構造は、誘電体と空気、又は、誘電率が異なる複数種類の誘電体を含む、請求項１５に記載の伝送路。
  18. 　前記導波構造は、誘電率が異なる２種類の誘電体と空気、又は、誘電率が異なる３種類の誘電体を含み、
    　前記導波構造に含まれる物質のうち、誘電率の実部が最大の物質と最小の物質の誘電率の平均が残りの物質の誘電率と等しい、請求項１７に記載の伝送路。
  19. 　前記導波構造の配置周期は、前記電磁波の波長以上である、請求項１に記載の伝送路。
  20. 　樹脂ねじを含み、前記導波構造が前記樹脂ねじの回転軸方向に周期的に配置された樹脂構造体と、
    　前記樹脂構造体の周囲に設けられた導体部と、
    　を備える、請求項１に記載の伝送路。
  21. 　前記樹脂構造体は、前記樹脂ねじの周囲に設けられた樹脂部を含む、請求項２０に記載の伝送路。
  22. 　前記樹脂部は、誘電率が前記樹脂ねじとは異なる、請求項２１に記載の伝送路。
  23. 　前記樹脂部は、前記樹脂ねじの一部を露出させる切れ目を有する、請求項２２に記載の伝送路。
  24. 　前記導波構造は、誘電率が異なる複数種類の誘電体からなる、請求項２０に記載の伝送路。
  25. 　請求項２０に記載の伝送路と、
    　前記伝送路の樹脂構造体を前記回転軸方向に貫通する貫通孔と、
    　を有する、遅波回路。
  26. 　電子ビームを伝送するビームホールと、
    　前記電磁波を遅らせて伝送する、請求項１に記載の伝送路と、
    　を備え、
    　前記伝送路を介した前記電磁波と前記ビームホールを介した前記電子ビームとを相互作用させる、遅波回路。
  27. 　前記伝送路は、前記複数の導波経路に沿う凹凸線路を少なくとも１つ有する、請求項２６に記載の遅波回路。
  28. 　前記電磁波は、周波数が２００ＧＨｚ以上である、請求項２６に記載の遅波回路。
  29. 　前記電磁波は、周波数がミリ波帯以上である、請求項２６に記載の遅波回路。
  30. 　請求項２６に記載の遅波回路を備える、増幅器。
  31. 　請求項２６に記載の遅波回路を備える、送受信機。
  32. 　請求項２６に記載の遅波回路を備える、中継器。
  33. 　請求項２６に記載の遅波回路を備える、回路装置。
  34. 　導体板に穴を形成する工程と、
    　前記穴に樹脂を注入する工程と、
    　前記樹脂が注入された穴に樹脂ねじを挿入する工程と、
    　を含む、伝送路の製造方法。
  35. 　前記樹脂に切れ目を形成する工程を更に含む、請求項３４に記載の伝送路の製造方法。
  36. 　前記導体板の一部、前記樹脂ねじ及び前記樹脂を一体に切り出す工程を更に含む、請求項３４に記載の伝送路の製造方法。
  37. 　導体板に穴を形成する工程と、
    　前記穴に樹脂を注入する工程と、
    　前記樹脂が注入された穴に樹脂ねじを挿入する工程と、
    　前記樹脂ねじに回転軸方向に延びる貫通孔を形成する工程と、
    　を含む、遅波回路の製造方法。
  38. 　前記樹脂に切れ目を形成する工程を更に含む、請求項３７に記載の遅波回路の製造方法。
  39. 　前記導体板の一部、前記樹脂ねじ及び前記樹脂を一体に切り出す工程を更に含む、請求項３７に記載の遅波回路の製造方法。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200200A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電磁波増幅器および電磁波発振器
US20120081003A1 (en) * 2010-10-04 2012-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Terahertz interaction circuit having ridged structure
WO2017154987A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 Ｎｅｃネットワーク・センサ株式会社 遅波回路
JP2018521322A (ja) * 2015-06-29 2018-08-02 ビイ． ギィルファソン，クリスティン ガス中の成分を検出するセンサ装置及び方法
WO2019172312A1 (ja) * 2018-03-07 2019-09-12 Ｎｅｃネットワーク・センサ株式会社 遅波回路、進行波管、及び進行波管の製造方法
JP2020009540A (ja) * 2018-07-03 2020-01-16 三菱電機株式会社 進行波管
CN111146051A (zh) * 2020-01-02 2020-05-12 上海航天电子通讯设备研究所 一种太赫兹级折叠波导行波管的电子束孔成形装置及方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200200A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電磁波増幅器および電磁波発振器
US20120081003A1 (en) * 2010-10-04 2012-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Terahertz interaction circuit having ridged structure
JP2018521322A (ja) * 2015-06-29 2018-08-02 ビイ． ギィルファソン，クリスティン ガス中の成分を検出するセンサ装置及び方法
WO2017154987A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 Ｎｅｃネットワーク・センサ株式会社 遅波回路
WO2019172312A1 (ja) * 2018-03-07 2019-09-12 Ｎｅｃネットワーク・センサ株式会社 遅波回路、進行波管、及び進行波管の製造方法
JP2020009540A (ja) * 2018-07-03 2020-01-16 三菱電機株式会社 進行波管
CN111146051A (zh) * 2020-01-02 2020-05-12 上海航天电子通讯设备研究所 一种太赫兹级折叠波导行波管的电子束孔成形装置及方法

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