JP2020009540A - 進行波管 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子ビームがろう材に衝突するのを抑制する進行波管を提供する。【解決手段】進行波管1は、遅波回路3、RF入力5、電子銃7、RF出力9およびコレクタ11を備えている。遅波回路3は、導体管13、へリックス15、磁性部材17、支持部材19および導波管21によって構成される。遅波回路部の導体管13aから延在して第1端部15aが接合されている部分に至るへリックス15の部分では、へリックス15の径が段階的に大きく形成されて、最終的に導体管13の内径と同じ径になるように形成されている。へリックス15は、管軸からへリックス15の第1端部15aまでの距離が、管軸から遅波回路部の導体管13a内に位置するへリックス15の部分までの距離よりも長くなるように形成されている。【選択図】図1
Description
本発明は、進行波管に関し、特に、へリックスを備えた進行波管に関する。
進行波管には、電子管において電子銃から放射された電子ビームと、外部から入力されたマイクロ波とを相互作用させて、マイクロ波を増幅させる遅波回路が設けられている。進行波管における遅波回路には、らせん形状であり、電子管の管軸方向に延在する導体、すなわち、へリックスが設けられている。
このようなへリックスを備えた進行波管を開示した特許文献として、たとえば、特許文献1および特許文献2がある。
特許文献1では、進行波管と出力導波管とを備えた進行波管が提案されている。進行波管は、中空のバレルと低速波伝播構造と電子ビーム源と入力結合部と終端部とを有する。中空のバレル内に、螺旋が配置されている。電子ビーム源は、螺旋の内部通路中を通る電子ビームを生成するように配置されている。螺旋の終端側は、終端部に接合されている。
特許文献2では、円筒形導波管とへリックスと周期磁界収束装置と出力結合導波管と整合素子とを備えた進行波管が提案されている。へリックスは円筒形導波管内に挿入されている。整合素子の内径がへリックスの外径とほぼ同じ径とされて、へリックスの終端側が整合素子に接合されている。
特許文献1および特許文献2の他に、たとえば、特許文献3では、真空外囲器内に配置されたへリックスの内径寸法が、電子ビームの下流側へ向かって徐々に拡大するように構成された進行波管が提案されている。
従来の進行波管では、へリックスの終端側は、終端部(または整合素子)との間にろう材を挟み込んで、このろう材で溶着することにより終端部(または整合素子)に接続される。このとき、ろう材が溶け過ぎるか、または、ろう材の量が多いと、へリックスの内部通路にまでろう材がはみ出すことが想定される。ろう材が内部通路にまではみ出すと、内部通路を通過する電子ビームが、はみ出したろう材に衝突するおそれがある。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、ろう材がらせん状導体の内部へはみ出しても、電子ビームがろう材に衝突するのを抑制する進行波管を提供することである。
本発明に係る進行波システムは、導体管と、らせん状導体と、第1導波管と、第2導波管と、電子銃と、コレクタとを備えている。導体管では高周波信号が伝播する。らせん状導体は、導体管内に支持部材を介在して、らせん状に配置されている。第1導波管は、導体管の一方側の端部である第1管端部から間隔を開けて導体管の軸方向に交差して接続されて導体管に連通する。第2導波管は、導体管の第1管端部とは反対側の端部である第2管端部から間隔をあけて導体管の軸方向に交差して接続されて導体管に連通する。電子銃は、導体管の第2管端部の側に配置され、第2管端部から第1管端部へ向けてらせん状導体の内部を通過する電子ビームを照射する。コレクタは、導体管の第1管端部の側に配置され、電子ビームを捕捉する。らせん状導体における第1管端部側の第1端部は、第1導波管が導体管に接続する箇所よりも第1管端部側で、第1ろう材を用いて導体管に接続されている。導体管の中心軸である管軸かららせん状導体のろう付けされる第1端部までの第1距離は、管軸から支持部材を介して導体管内に位置するらせん状導体までの第2距離よりも長い。
本発明に係る進行波管によれば、導体管の中心軸である管軸かららせん状導体のろう付けされる第1端部までの第1距離は、管軸から支持部材を介して導体管内に位置するらせん状導体までの第2距離よりも長い。これにより、電子ビームがらせん状導体の内部へはみ出したろう材に衝突することを抑制することができる。
実施の形態1.
実施の形態1に係る進行波管について説明する。図1に示すように、進行波管1は、遅波回路3、RF(Radio Frequency)入力5、電子銃7、RF出力9およびコレクタ11を備えている。遅波回路3は、導体管13、らせん状導体としてのへリックス15、磁性部材17、支持部材19および第1導波管としての導波管21によって構成される。
導波管21は、導体管13の一方の側に端部である第1管端部13aaから間隔を開けて導体管13の軸方向に交差するように接続されて導体管13に連通する。また、後述するように、進行波管1は、導体管13の第1管端部13aaとは反対側の端部である第2管端部13abから間隔を開けて導体管13の軸方向に交差するように接続されて導体管13に連通する第2導波管としての導波管22を有する(図6参照)。電子銃7は、導体管13の第2管端部13abの側に配置されて、第2管端部13abから第1管端部13aaへ向けて、へリックス15の内部を通過する電子ビームを照射する。コレクタ11は、導体管13の第1管端部13aaの側に配置されて、電子ビームを捕捉する。
実施の形態1に係る進行波管について説明する。図1に示すように、進行波管1は、遅波回路3、RF(Radio Frequency)入力5、電子銃7、RF出力9およびコレクタ11を備えている。遅波回路3は、導体管13、らせん状導体としてのへリックス15、磁性部材17、支持部材19および第1導波管としての導波管21によって構成される。
導波管21は、導体管13の一方の側に端部である第1管端部13aaから間隔を開けて導体管13の軸方向に交差するように接続されて導体管13に連通する。また、後述するように、進行波管1は、導体管13の第1管端部13aaとは反対側の端部である第2管端部13abから間隔を開けて導体管13の軸方向に交差するように接続されて導体管13に連通する第2導波管としての導波管22を有する(図6参照)。電子銃7は、導体管13の第2管端部13abの側に配置されて、第2管端部13abから第1管端部13aaへ向けて、へリックス15の内部を通過する電子ビームを照射する。コレクタ11は、導体管13の第1管端部13aaの側に配置されて、電子ビームを捕捉する。
進行波管1では、導体管13内に、RF入力5からマイクロ波が入力される。遅波回路3では、電子銃7から出射されて、ヘリックス15の内側の領域を直進する電子ビームと、遅波回路3によって電子ビームとほぼ同程度の位相速度に調整されたマイクロ波とを相互作用させることで、マイクロ波の出力が増大される。遅波回路3を伝搬したマイクロ波は、導波管21を経てRF出力9から出力される。
導体管13は、たとえば、無酸素銅等の金属から形成されている。導体管13において、導波管21と導波管22との間に位置する部分である遅波回路部の導体管13aでは、その金属と磁性部材17とが、導体管13の中心軸としての管軸CA(図2参照)方向に交互に配置されている。導体管13の内部は、通常、真空状態とされる。このため、導体管13の内部は、リークしないように気密封止されている。
磁性部材17として、たとえば、サマリウム・コバルトなどの永久磁石が適用されている。磁性部材17は、遅波回路3を伝搬する電子ビームを集束させるために、管軸CA上で磁力線の向きが交互に反対向きになるように配置されている。
内導体としてのへリックス15は、らせん状に管軸CA方向に沿って配置されている。ヘリックス15の断面形状は長方形である。ヘリックス15は、たとえば、タングステンなどの高融点金属から形成されている。支持部材19は、たとえば、ボロンナイトライドなどの熱伝導率の良好な部材から形成されている。ヘリックス15は、たとえば、3〜4本の支持部材19によって、遅波回路部の導体管13a内に支持されている。
図1および図2に示すように、へリックス15における導波管21側の第1端部15a(終端側の端部)は、導体管13に第1ろう材としてのろう材23によって接続して固定されている。へリックス15は、導波管21が設けられている側の遅波回路部の導体管13aから離れる方向にらせん状にさらに延在している。
遅波回路部の導体管13aから延在して第1端部15aが接続されている部分に至るへリックス15の部分では、へリックス15の径が段階的に大きく形成されて、最終的に導体管13の内径と同じ径になるように形成されている。ヘリックス15の径は、たとえば、1〜3ピッチの間で徐々に大きくなるように設定されている。導体管13の中心軸である管軸CAからへリックス15のろう付けされる第1端部15aまでの第1距離としての距離L1は、管軸CAから支持部材19を介して遅波回路部の導体管13a内に位置するへリックス15までの第2距離としての距離L2よりも長い。つまり、へリックス15は、管軸CAからへリックス15の第1端部15aまでの距離L1が、管軸CAから遅波回路部の導体管13a内に位置するへリックス15の部分までの距離L2よりも長くなるように形成されている。
次に、上述した進行波管1の動作原理について説明する。進行波管1の遅波回路3では、マイクロ波がらせん状のヘリックス15に沿って伝搬するため、マイクロ波の伝搬速度は自由空間を伝搬するよりも遅くなる。また、ヘリックス15の内側の領域では、磁性部材17によって高密度に集束された電子ビームが遅波回路3の管軸CA方向に伝搬している。遅波回路3に入力されたマイクロ波は、電子ビームと相互作用することで増幅される。増幅されたマイクロ波は、遅波回路3の終端部から導波管21を経て出力される。
次に、上述した進行波管1の製造方法の一例について説明する。図3に示すように、へリックス15が、矢印に示すように、導体管13内に挿入される。このとき、へリックス15の第1端部15aと反対側の端部(第2端部)が、導体管13の第1管端部13aaから挿入される。こうして、図4に示すように、へリックス15は、へリックス15の第1端部15aが導体管13に接続されるべき位置にまで、遅波回路部の導体管13aに挿入される。
次に、図5に示すように、ろう材23によって、へリックス15の第1端部15aが導体管13に接続して固定される。このとき、電子ビームが捕捉されるコレクタ11が配置される側(矢印参照)からレーザ光を照射することによってろう材23が溶融し、へリックス15が導体管13に接続される。その後、電子銃7、コレクタ11等を配置することで、図1に示す進行波管1が完成する。
上述した進行波管1では、へリックス15を導体管13に接続するろう材23に、電子ビームが衝突するのを抑制することができる。このことについて比較例に係る進行波管と比べて説明する。
第1の比較例(特許文献1)に係る進行波管では、前述したように、中空のバレル内に、螺旋(へリックス)が配置されている。電子ビーム源は、螺旋の内部通路中を通る電子ビームを生成するように配置されている。螺旋の終端側は終端部に接続されている。
その螺旋の終端側を終端部に接続させる際に、螺旋の終端側は、終端部との間にろう材を挟み込んで、終端部に溶接される。このとき、ろう材が溶け過ぎると、螺旋の内部通路にまでろう材が流れ込み、ろう材が螺旋の内部通路にはみ出すことが想定される。ろう材が内部通路にまで流れ込む(はみ出す)と、内部通路を通過する電子ビームが、はみ出したろう材に衝突するおそれがある。
また、第2の比較例(特許文献2)に係る進行波管では、へリックスは円筒形導波管内に挿入されている。整合素子の内径がへリックスの外径とほぼ同じ径とされて、へリックスの終端側が整合素子に接続されている。
そのへリックスの終端側を整合素子に接続させる際に、へリックスの終端側は、整合素子との間にろう材を挟み込んで、整合素子に溶接(接続)される。このとき、ろう材が溶け過ぎると、へリックスの内部通路にまでろう材が流れ込む(はみ出す)ことが想定される。ろう材が内部通路にまで流れ込む(はみ出す)と、内部通路を通過する電子ビームが流れ込んだ(はみ出した)ろう材に衝突するおそれがある。
一方、上述した進行波管1では、へリックス15の第1端部15aを導体管13に接続させる際に、へリックス15の第1端部15aは、導体管13との間にろう材23を挟み込んで、導体管13に溶接(接続)される。ここで、へリックス15は、管軸CAからへリックス15の第1端部15aまでの距離L1が、管軸CAから遅波回路部の導体管13a内に位置するへリックス15の部分までの距離L2よりも長くなるように形成されている。
これにより、へリックス15の第1端部15aを導体管13に溶接(接続)する際に、ろう材が溶け過ぎたような場合であっても、溶けたろう材が、管軸CA付近にまでに流れる(はみ出る)のを抑制することができる。その結果、へリックス15の内側の領域を通過する電子ビームが、流れたろう材に衝突するのを防止することができる。
さらに、第3比較例(特許文献3)に係る進行波管システムでは、真空外囲器内に配置されたへリックスの内径寸法が、電子ビームの下流側へ向かって徐々に拡大するように構成されている。このため、へリックスの構造が真空外囲器内(遅波回路)の全体にわたって複雑になる。
一方、上述した進行波管1では、遅波回路部の導体管13aから延在して第1端部15aが接続されている部分に至るへリックス15の部分において、へリックス15の径が段階的に大きく形成されて、最終的に導体管13の内径と同じ径になるように形成されている。遅波回路部の導体管13aに挿入されているへリックス15の部分では、へリックス15の径はほぼ一定の径に設定されている。これにより、第3比較例と比べて、へリックス15の構造をシンプルな構造にすることができる。
なお、上述した進行波管1では、導波管21が配置されている終端側とは反対側の、マイクロ波が入力される第2導波管としての導波管22が配置されている側に位置するへリックス15の部分について、終端側のへリックス15の部分の構造と同じ構造にしてもよい。図6に示すように、へリックス15の第2端部15bが、導体管13に第2ろう材としてのろう材23によって固定されており、遅波回路部の導体管13aから延在して第2端部15bが接続されている部分に至るへリックス15の部分において、へリックス15の径が段階的に大きく形成されて、最終的に導体管13の内径と同じ径になるように形成されていてもよい。
実施の形態2.
実施の形態2に係る進行波管について説明する。図7に示すように、進行波管1では、へリックス15における導波管21側の第1端部15a(終端側の端部)は、導体管13に溶接された終端部材25にろう材23によって接続して固定されている。終端部材25は、たとえば、モリブデンなどの金属から形成されている。終端部材25の外周部分と導体管13の内周部分とが接続して固定されている。その終端部材25の内周部分に、へリックス15の第1端部15a(外周部分)が接続して固定されている。
実施の形態2に係る進行波管について説明する。図7に示すように、進行波管1では、へリックス15における導波管21側の第1端部15a(終端側の端部)は、導体管13に溶接された終端部材25にろう材23によって接続して固定されている。終端部材25は、たとえば、モリブデンなどの金属から形成されている。終端部材25の外周部分と導体管13の内周部分とが接続して固定されている。その終端部材25の内周部分に、へリックス15の第1端部15a(外周部分)が接続して固定されている。
遅波回路部の導体管13aから延在して第1端部15aが接続されている部分に至るへリックス15の部分では、へリックス15の径が段階的に大きく形成されて、最終的に導体管13に溶接された終端部材25に接続されるように形成されている。ヘリックス15の径は、たとえば、1〜3ピッチの間で徐々に大きくなるように設定されている。
図8に示すように、へリックス15は、管軸CAからへリックス15の第1端部15aまでの距離L1が、管軸CAから遅波回路部の導体管13a内に位置するへリックス15の部分までの距離L2よりも長くなるように形成されている。なお、これ以外の構成については、図1等に示す進行波管1と同様なので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないことする。
次に、上述した進行波管1の製造方法の一例について説明する。図9に示すように、へリックス15が、矢印に示すように、導体管13内に挿入される。このとき、へリックス15の第1端部15aと反対側の端部(第2端部)が、導体管13の第1管端部13aaから挿入される。こうして、図10に示すように、へリックス15は、へリックス15の第1端部15aが導体管13(終端部材25)に接続されるべき位置にまで、遅波回路部の導体管13aに挿入される。
次に、図11に示すように、ろう材23によって、へリックス15の第1端部15aが導体管13(終端部材25)に接続される。このとき、コレクタ11が配置される側(矢印参照)からレーザ光を照射することによってろう材23が溶融し、へリックス15が終端部材25に接続される。その後、電子銃7、コレクタ11等を配置することで、図7に示す進行波管1が完成する。
上述した進行波管1では、へリックス15の第1端部15aを導体管13に溶接された終端部材25に接続させる際に、へリックス15の第1端部15aは、終端部材25との間にろう材23を挟み込んで、終端部材25に溶接(接続)される。ここで、へリックス15は、管軸CAからへリックス15の第1端部15aまでの距離L1が、管軸CAから遅波回路部の導体管13a内に位置するへリックス15の部分までの距離L2よりも長くなるように形成されている。
これにより、へリックス15の第1端部15aを終端部材25に溶接(接続)する際に、ろう材が溶け過ぎたような場合であっても、溶けたろう材が、管軸CA付近にまでに流れる(はみ出す)のを抑制することができる。その結果、へリックス15の内側の領域を通過する電子ビームが、流れたろう材に衝突するのを防止することができる。また、終端部材25が設けられていることで、へリックス15から導波管21へ変換する際のインピーダンス整合を図りやすくすることができる。
なお、上述した進行波管1においても、実施の形態1において説明した進行波管1の場合と同様に、導波管21が配置されている終端側とは反対側の、マイクロ波が入力される導波管22が配置されている側に位置するへリックス15の部分について、終端側のへリックス15の部分の構造と同じ構造にしてもよい(図示せず)。また、へリックス15と導体管13とを接続することができれば、ろう材23に限られない。
なお、各実施の形態において説明した進行波管については、必要に応じて種々組み合わせることが可能である。
今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明は、へリックスを備えた進行波管に有効に利用される。
1 進行波管、3 遅波回路、5 RF入力、7 電子銃、9 RF出力、11 コレクタ、13 導体管、13a 遅波回路部の導体管、13aa 第1管端部、13ab 第2管端部、15 へリックス、15a 第1端部、15b 第2端部、17 磁性部材、19 支持部材、21、22 導波管、23 ろう材、25 終端部材、CA 管軸。
Claims (6)
- 高周波信号が伝播する導体管と、
前記導体管内に支持部材を介在して、らせん状に配置されたらせん状導体と、
前記導体管の一方側の端部である第1管端部から間隔を開けて前記導体管の軸方向に交差して接続されて前記導体管に連通する第1導波管と、
前記導体管の前記第1管端部とは反対側の端部である第2管端部から間隔をあけて前記導体管の軸方向に交差して接続されて前記導体管に連通する第2導波管と、
前記導体管の前記第2管端部の側に配置され、前記第2管端部から前記第1管端部へ向けて前記らせん状導体の内部を通過する電子ビームを照射する電子銃と、
前記導体管の前記第1管端部の側に配置され、前記電子ビームを捕捉するコレクタと
を備え、
前記らせん状導体における前記第1管端部側の第1端部は、前記第1導波管が前記導体管に接続する箇所よりも前記第1管端部側で、第1ろう材を用いて前記導体管に接続され、
前記導体管の中心軸である管軸から前記らせん状導体のろう付けされる前記第1端部までの第1距離は、前記管軸から前記支持部材を介して前記導体管内に位置する前記らせん状導体までの第2距離よりも長い、進行波管。 - 前記らせん状導体の前記第1端部は、前記第1ろう材を用いて前記導体管に直接接続された、請求項1記載の進行波管。
- 前記導体管に接続された前記高周波信号の終端部材を備え、
前記らせん状導体の前記第1端部は、前記第1ろう材を用いて前記終端部材に接続された、請求項1記載の進行波管。 - 前記らせん状導体における前記第2管端部側の第2端部は、前記第2導波管が前記導体管に接続する箇所よりも前記第2管端部側で、第2ろう材を用いて前記導体管に接続され、
前記管軸から前記らせん状導体のろう付けされる前記第2端部までの第3距離は、前記第2距離よりも長い、請求項1〜3のいずれか1項に記載の進行波管。 - 前記第2導波管に接続され、前記高周波信号が入力される高周波信号入力部を備えた、請求項1〜4のいずれか1項に記載の進行波管。
- 前記第1導波管に接続され、増幅された前記高周波信号を出力する高周波信号出力部を備えた、請求項1〜5のいずれか1項に記載の進行波管。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023216945A1 (zh) * | 2022-05-13 | 2023-11-16 | 华为技术有限公司 | 一种行波管、电子枪及功率放大系统 |
WO2024084546A1 (ja) * | 2022-10-17 | 2024-04-25 | ソニーグループ株式会社 | 伝送路、遅波回路、増幅器、送受信機、中継器、回路装置、伝送路の製造方法及び遅波回路の製造方法 |
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2018
- 2018-07-03 JP JP2018126688A patent/JP2020009540A/ja active Pending
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WO2023216945A1 (zh) * | 2022-05-13 | 2023-11-16 | 华为技术有限公司 | 一种行波管、电子枪及功率放大系统 |
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