WO2024077801A1 - 套刻标记检查方法及设备 - Google Patents
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Definitions
- the present disclosure relates to the field of semiconductor technology, and in particular to an overlay mark inspection method and device.
- the position of the upper and lower patterns needs to be aligned with the help of overlay marks.
- the overlay error determined by the overlay marks can reflect the alignment deviation between different pattern layers.
- the overlay mark is easily damaged during the manufacturing process, which will inevitably affect the accuracy of subsequent overlay error measurement and reduce the yield of the product.
- the present disclosure provides an overlay mark inspection method and device, which can effectively improve the accuracy of overlay error measurement by inspecting the availability of the overlay mark in advance.
- an embodiment of the present disclosure provides a method for inspecting an overlay mark, wherein the overlay mark includes a plurality of mark patterns, the plurality of mark patterns are distributed at different positions of the same pattern layer, and each of the mark patterns includes a plurality of linear mark graphics arranged in parallel and equidistantly; the method includes:
- each of the marking patterns Respectively dividing each of the marking patterns into a plurality of sub-marking patterns along the first direction, and determining a second inspection parameter corresponding to each of the marking patterns according to the plurality of sub-marking patterns corresponding to each of the marking patterns;
- the damage parameters corresponding to each of the marking patterns are determined according to the first inspection parameter, the second inspection parameter, and the third inspection parameter, and whether each of the marking patterns is damaged is determined according to the damage parameters and a predetermined damage parameter threshold.
- the overlay mark includes a plurality of first mark patterns and a plurality of second mark patterns;
- the first mark pattern includes a plurality of linear mark patterns extending along the X-axis direction and arranged in parallel and equidistantly, and
- the second mark pattern includes a plurality of linear mark patterns extending along the Y-axis direction and arranged in parallel and equidistantly;
- the step of selecting a first comparison area and a second comparison area symmetrical along a first direction from each of the marking patterns comprises:
- a first comparison area and a second comparison area symmetrical along the Y-axis direction are selected from each of the first marking patterns, and a first comparison area and a second comparison area symmetrical along the X-axis direction are selected from each of the second marking patterns.
- determining the first inspection parameter corresponding to each of the marking patterns according to the first marking pattern in the first comparison area and the second marking pattern in the second comparison area in each of the marking patterns includes:
- a first inspection parameter corresponding to each of the marking patterns is determined according to the first waveform signal and the second waveform signal.
- determining the first inspection parameter corresponding to each of the marking patterns according to the first waveform signal and the second waveform signal includes:
- a relative displacement between the first waveform signal and the second waveform signal is determined, and the relative displacement is used as the first inspection parameter.
- determining the second inspection parameter corresponding to each of the marking patterns according to the plurality of sub-marking patterns corresponding to each of the marking patterns includes:
- the second inspection parameter corresponding to each of the marking patterns is determined according to the waveform signal corresponding to each of the sub-marking patterns.
- determining the second inspection parameter corresponding to each of the marking patterns according to the waveform signal corresponding to each of the sub-marking patterns includes:
- the second inspection parameter corresponding to the mark pattern is determined according to the standard deviation of the central value of the waveform signal corresponding to each of the sub-mark patterns.
- determining the third inspection parameters corresponding to each of the marking patterns according to the grayscale images corresponding to each of the marking patterns includes:
- a third inspection parameter corresponding to each of the marking patterns is determined according to the first waveform signal and the second waveform signal corresponding to each of the marking patterns.
- determining the third inspection parameter corresponding to each of the marking patterns according to the first waveform signal and the second waveform signal corresponding to each of the marking patterns includes:
- the difference between the center value of the first waveform signal and the center value of the second waveform signal corresponding to each of the marking patterns is determined respectively, and the difference is used as the third inspection parameter corresponding to each of the marking patterns.
- determining the damage parameter corresponding to each of the marking patterns according to the first inspection parameter, the second inspection parameter, and the third inspection parameter includes:
- the damage parameter S corresponding to any of the marking patterns is determined in the following manner:
- L represents the first inspection parameter corresponding to the marking pattern
- a represents the second inspection parameter corresponding to the marking pattern
- b represents the third inspection parameter corresponding to the marking pattern.
- the method further comprises:
- the damage parameter threshold is determined according to the first inspection parameter, the second inspection parameter, and the third inspection parameter corresponding to each of the marking pattern samples.
- determining whether each of the marking patterns is damaged according to the damage parameter and a predetermined damage parameter threshold comprises:
- a marking pattern whose damage parameter is greater than the damage parameter threshold is determined as a marking pattern with damage.
- an embodiment of the present disclosure provides an overlay mark inspection device, wherein the overlay mark includes a plurality of mark patterns, the plurality of mark patterns are distributed at different positions of the same pattern layer, and each of the mark patterns includes a plurality of linear mark graphics arranged in parallel and equidistantly; the device includes:
- a first inspection module used for selecting a first comparison area and a second comparison area symmetrical along a first direction in each of the marking patterns, and determining a first inspection parameter corresponding to each of the marking patterns according to a first marking graphic in the first comparison area and a second marking graphic in the second comparison area in each of the marking patterns; wherein the first direction is perpendicular to an extension direction of the marking graphic;
- a second inspection module configured to divide each of the marking patterns into a plurality of sub-marking patterns along the first direction, and determine a second inspection parameter corresponding to each of the marking patterns according to the plurality of sub-marking patterns corresponding to each of the marking patterns;
- a third inspection module used to determine third inspection parameters corresponding to each of the marking patterns according to the grayscale images corresponding to each of the marking patterns;
- the judgment module is used to determine the damage parameters corresponding to each of the marking patterns according to the first inspection parameter, the second inspection parameter and the third inspection parameter, and to determine whether each of the marking patterns is damaged according to the damage parameters and a predetermined damage parameter threshold.
- the overlay mark includes a plurality of first mark patterns and a plurality of second mark patterns;
- the first mark pattern includes a plurality of linear mark patterns extending along the X-axis direction and arranged in parallel and equidistantly, and
- the second mark pattern includes a plurality of linear mark patterns extending along the Y-axis direction and arranged in parallel and equidistantly;
- the first inspection module is used for:
- a first comparison area and a second comparison area symmetrical along the Y-axis direction are selected from each of the first marking patterns, and a first comparison area and a second comparison area symmetrical along the X-axis direction are selected from each of the second marking patterns.
- the first inspection module is specifically used to:
- a first inspection parameter corresponding to each of the marking patterns is determined according to the first waveform signal and the second waveform signal.
- the first inspection module is specifically used to:
- a relative displacement between the first waveform signal and the second waveform signal is determined, and the relative displacement is used as the first inspection parameter.
- the second inspection module is specifically used to:
- the second inspection parameter corresponding to each of the marking patterns is determined according to the waveform signal corresponding to each of the sub-marking patterns.
- the second inspection module is specifically used to:
- the second inspection parameter corresponding to the mark pattern is determined according to the standard deviation of the central value of the waveform signal corresponding to each of the sub-mark patterns.
- the third inspection module is specifically used to:
- a third inspection parameter corresponding to each of the marking patterns is determined according to the first waveform signal and the second waveform signal corresponding to each of the marking patterns.
- the third inspection module is specifically used to:
- the difference between the center value of the first waveform signal and the center value of the second waveform signal corresponding to each of the marking patterns is determined respectively, and the difference is used as the third inspection parameter corresponding to each of the marking patterns.
- the determination module is specifically used to:
- the damage parameter S corresponding to any of the marking patterns is determined in the following manner:
- L represents the first inspection parameter corresponding to the marking pattern
- a represents the second inspection parameter corresponding to the marking pattern
- b represents the third inspection parameter corresponding to the marking pattern.
- the device further comprises a pre-processing module for:
- the damage parameter threshold is determined according to the first inspection parameter, the second inspection parameter, and the third inspection parameter corresponding to each of the marking pattern samples.
- the determination module is specifically used to:
- a marking pattern whose damage parameter is greater than the damage parameter threshold is determined as a marking pattern with damage.
- an embodiment of the present disclosure provides an electronic device, including: at least one processor and a memory;
- the memory stores computer-executable instructions
- the overlay mark inspection method provided in the first aspect is implemented.
- an embodiment of the present disclosure provides a computer-readable storage medium having computer-executable instructions stored therein.
- the overlay mark inspection method provided in the first aspect is implemented.
- the overlay mark inspection method and device provided in the embodiments of the present disclosure can determine whether the overlay mark on the previous layer is usable by checking whether the overlay mark on the previous layer is damaged before measuring the overlay error between the current layer and the previous layer, thereby effectively avoiding the reduction in the measurement accuracy of the overlay error due to damage to the overlay mark and improving the yield of the product.
- FIG1 is a schematic diagram of an overlay mark provided by an embodiment of the present disclosure.
- FIG2 is a schematic diagram of a process flow of an overlay mark inspection method provided by an embodiment of the present disclosure
- FIG3 is a schematic diagram of another overlay mark provided in an embodiment of the present disclosure.
- FIG4 is a schematic diagram of a first comparison area and a second comparison area selected from the marking pattern 30 shown in FIG3 ;
- FIG5 is a schematic diagram of a plurality of sub-marking patterns divided in the marking pattern 30 shown in FIG3 ;
- FIG6 is a schematic diagram of a program module of an overlay mark inspection device provided by an embodiment of the present disclosure.
- FIG. 7 is a schematic diagram of the hardware structure of an electronic device provided in an embodiment of the present disclosure.
- module refers to any known or later developed hardware, software, firmware, artificial intelligence, fuzzy logic, or combination of hardware and/or software code that is capable of performing the functions associated with that element.
- the photolithography process is a key step in the manufacture of semiconductor integrated circuits.
- the overlay accuracy of the photolithography is one of the key parameters to measure the photolithography process. It can reflect the offset between the upper and lower pattern layers of the wafer, that is, the overlay error.
- the overlay error is usually measured by measuring the offset between the overlay marks on the upper and lower pattern layers.
- overlay marks the patterns on the wafer that are specifically used to measure overlay errors are called overlay marks. These overlay marks have been placed in designated areas when designing the mask, usually on the cutting paths (a wafer needs to be cut into thousands of chips in the end, and the cutting paths are reserved for chip cutting, usually only tens of microns). Usually each pattern layer is specified to align with a previous pattern layer.
- Fig. 1 is a schematic diagram of an overlay mark provided by an embodiment of the present disclosure.
- the front layer (aligned layer) overlay mark 100 is formed on the wafer after photolithography and etching processes
- the current layer (alignment layer) overlay mark 200 is formed on the wafer after photolithography
- the overlay accuracy is divided into an overlay accuracy ⁇ X in the X direction and an overlay accuracy ⁇ Y in the Y direction.
- lithography machine overlay accuracy correction system In the actual production process, in addition to measuring the overlay accuracy, there is also a lithography machine overlay accuracy correction system.
- the working principle of this system is: after measuring the overlay error, the measured overlay error is fed back to the lithography machine to compensate for the overlay parameters of the lithography machine. The compensated overlay parameters are then used for the current batch of wafers or the next batch of wafers, so that the current batch of wafers or the next batch of wafers can obtain better overlay accuracy.
- each pattern In order to improve the integration of devices, it is usually necessary to transfer each pattern to the substrate in turn through multiple layers of photolithography and etching processes.
- the positions of the upper and lower patterns can be aligned with the help of overlay marks.
- the overlay error obtained through overlay marks can reflect the alignment deviation between different layers.
- the methods for measuring overlay error usually include image-based Overlay (IBO) and diffraction-based Overlay (DBO).
- IBO image-based Overlay
- DBO diffraction-based Overlay
- the overlay error measurement based on image recognition refers to the method of comparing the position deviation of the overlay marks on different process layers by using an optical microscope through image recognition technology in the integrated circuit manufacturing process, so as to determine the relative displacement between the process layers. Specifically, after completing the pattern transfer of a photolithography layer using a mask, the alignment marks on the next mask are used to align the two layout patterns in accordance with the design. The lithography machine calculates the exposure position according to the pre-set model, and then obtains the overlay information of the two layers through the overlay marks.
- the overlay marks on the two photolithography layers should be completely overlapped under the ideal model, but in fact they have position deviations; the displacement of the center points or edges of the two overlay marks in the X and Y directions is compared by image recognition technology, and then the comparison results of multiple groups of overlay marks are averaged to obtain the size of the overlay error.
- Diffraction-based overlay error measurement refers to a method in which the position deviation of overlay marks on different process layers is compared by optical diffraction technology in the integrated circuit manufacturing process to determine the relative displacement between process layers.
- the overlay marks used by DBO are periodic structures, and the overlay marks are located on the reference layer and the current photoresist layer of the silicon wafer respectively. If the two layers of marks are completely aligned, the +1 and -1 order diffraction light intensities under the illumination light should be completely equal; if the overlay error is not zero, there will be a difference in the +1 and -1 order light intensities. Through calculation, the relationship between the overlay error and the +/-1 order light intensity difference can be quantitatively obtained.
- the intensity of the reflection spectrum is a function of the illumination light wavelength ⁇ and the grating position X, when the overlay error exists, the light intensity difference of the first-order diffracted light and the overlay error value have a good linear relationship.
- the measurement equipment can obtain the overlay status between different process layers.
- the overlay mark is easily damaged during the photolithography process.
- the overlay mark belongs to a low-density pattern area relative to the array area. Based on the etching load effect, the effective components of the reactive ions in the dense pattern area are consumed quickly and the etching rate decreases; conversely, the etching rate in the sparse pattern area is higher, resulting in over-etching and different etching degrees.
- an overlay mark inspection method is provided in an embodiment of the present disclosure. Before measuring the overlay error between the current layer and the previous layer, the method can determine in advance whether the overlay mark on the previous layer is usable by checking whether the overlay mark on the previous layer is damaged, thereby effectively avoiding the reduction in the measurement accuracy of the overlay error due to the damage of the overlay mark and improving the yield of the product.
- a detailed embodiment is used below for detailed description.
- FIG. 2 is a schematic diagram of a step flow chart of an overlay mark inspection method provided by an embodiment of the present disclosure.
- the overlay mark inspection method includes:
- the first direction is perpendicular to the extension direction of the mark pattern.
- the overlay mark includes a plurality of first mark patterns and a plurality of second mark patterns; the first mark pattern includes a plurality of linear mark patterns extending along the X-axis direction and arranged in parallel and equidistantly, and the second mark pattern includes a plurality of linear mark patterns extending along the Y-axis direction and arranged in parallel and equidistantly.
- the first contrast area and the second contrast area symmetrical along the Y-axis direction can be selected from each first mark pattern
- the first contrast area and the second contrast area symmetrical along the X-axis direction can be selected from each second mark pattern.
- FIG. 3 is a schematic diagram of another overlay mark provided in the embodiment of the present disclosure.
- the above-mentioned overlay mark includes a plurality of mark patterns 30 , each mark pattern 30 is distributed at a different position of the same pattern layer, and each mark pattern 30 includes a plurality of linear mark graphics 301 arranged in parallel and equidistantly.
- the pattern layer may be a front layer (aligned layer) or a current layer (alignment layer).
- FIG. 4 is a schematic diagram of a first comparison area and a second comparison area selected from the marking pattern 30 shown in FIG. 3 .
- symmetrical first contrasting regions 310 and second contrasting regions 320 may be selected from each marking pattern 30 .
- the first inspection parameter corresponding to each marking pattern may be determined based on the first marking pattern in the first comparison area 310 and the second marking pattern in the second comparison area 320 in each marking pattern 30 .
- the first inspection parameter may be used to reflect the symmetry between the first marking pattern in the first comparison area 310 and the second marking pattern in the second comparison area 320 in the same marking pattern 30 .
- the first inspection parameter can be used as one of the bases for judging whether the marking pattern is damaged.
- the first direction is perpendicular to the extension direction of the marking graphic in the marking pattern.
- FIG. 5 is a schematic diagram of a plurality of sub-marking patterns divided in the marking pattern 30 shown in FIG. 3 .
- each marking pattern 30 may be divided into 10 sub-marking patterns 330 , and the second inspection parameter corresponding to the marking pattern 30 may be determined based on the 10 sub-marking patterns corresponding to the marking pattern 30 .
- each linear marking pattern in the marking pattern 30 and any position of each marking pattern may be damaged.
- the 10 sub-marking patterns 330 divided from the marking pattern 30 are all the same; if the marking pattern 30 is damaged, at least one of the 10 sub-marking patterns 330 divided from the marking pattern 30 is different from the other sub-marking patterns 330. Therefore, in some embodiments, the second inspection parameter determined according to the multiple sub-marking patterns corresponding to the marking pattern can be used as one of the bases for determining whether the marking pattern is damaged.
- a grayscale image corresponding to each marking pattern may be obtained, and then a third inspection parameter corresponding to each marking pattern may be determined based on the grayscale image corresponding to each marking pattern, and the third inspection parameter may be used as one of the bases for determining whether the marking pattern is damaged.
- S203 can be executed first, or S202 can be executed first, or S201, S202, and S203 can be executed simultaneously. This is not limited in the embodiments of the present disclosure.
- S204 Determine damage parameters corresponding to each marking pattern according to the first inspection parameter, the second inspection parameter, and the third inspection parameter, and determine whether each marking pattern is damaged according to the damage parameter and a predetermined damage parameter threshold.
- the damage parameters corresponding to each marking pattern can be determined based on the above-mentioned first inspection parameter, second inspection parameter and third inspection parameter, and then it can be determined whether the damage parameter corresponding to each marking pattern is greater than a predetermined damage parameter threshold; if the damage parameter corresponding to a certain marking pattern is greater than the predetermined damage parameter threshold, it can be determined that the marking pattern is damaged; if the damage parameter corresponding to a certain marking pattern is less than or equal to the predetermined damage parameter threshold, it can be determined that the marking pattern is not damaged.
- each marking pattern is damaged based on any one or two of the above-mentioned first inspection parameter, second inspection parameter and third inspection parameter, and this is not limited in the embodiments of the present disclosure. For example, it is possible to only determine whether the above-mentioned first inspection parameter corresponding to a certain marking pattern is greater than a predetermined first inspection parameter threshold. If the above-mentioned first inspection parameter is greater than the predetermined first inspection parameter threshold, it can be determined that the marking pattern is damaged; or, it is possible to only determine whether the above-mentioned second inspection parameter corresponding to a certain marking pattern is greater than a predetermined second inspection parameter threshold. If the above-mentioned second inspection parameter is greater than the predetermined second inspection parameter threshold, it can be determined that the marking pattern is damaged; ..., and so on, which will not be repeated in the embodiments of the present disclosure.
- the overlay mark inspection method provided by the present invention can determine in advance whether the overlay mark on the previous layer is usable by checking whether the overlay mark on the previous layer is damaged before measuring the overlay error between the current layer and the previous layer, thereby effectively avoiding the reduction in the measurement accuracy of the overlay error due to damage to the overlay mark and improving the product yield.
- the first inspection parameter corresponding to each marking pattern may be determined in the following manner:
- the relative displacement between the above first waveform signal and the second waveform signal may be determined, and the relative displacement may be used as the above first inspection parameter.
- a first grayscale image corresponding to a first mark pattern in a first contrast area in each mark pattern and a second grayscale image corresponding to a second mark pattern in a second contrast area can be obtained through a measuring machine, and then the first grayscale image pixels and the second grayscale image pixels are converted into contrast curves according to the grayscale to obtain a first waveform signal and a second waveform signal; the peak and valley positions in the first waveform signal and the second waveform signal are obtained, and the center values of the first waveform signal and the second waveform signal are obtained from the peak and valley positions; finally, the deviation of the center values of the first waveform signal and the second waveform signal is calculated to obtain a relative displacement vector between the first waveform signal and the second waveform signal, and the relative displacement vector can be used as the first inspection parameter.
- the first marking pattern in the first comparison area and the second marking pattern in the second comparison area will be completely symmetrical, and the above-mentioned first waveform signal and the second waveform signal will also be completely symmetrical, so the calculated first inspection parameter is zero; if the marking pattern is damaged, the first marking pattern in the first comparison area and/or the second marking pattern in the second comparison area will be damaged and deformed, which will cause the first marking pattern in the first comparison area and the second marking pattern in the second comparison area to be asymmetrical, resulting in the relative displacement vector of the above-mentioned first waveform signal and the second waveform signal being not zero.
- the second inspection parameter corresponding to each marking pattern may be determined in the following manner:
- the center value of the waveform signal corresponding to each sub-marking pattern can be determined; the standard deviation of the center value of the waveform signal corresponding to each sub-marking pattern can be calculated; and the second inspection parameter corresponding to the marking pattern can be determined based on the standard deviation of the center value of the waveform signal corresponding to each sub-marking pattern.
- the grayscale images corresponding to each sub-mark pattern in the same mark pattern can be obtained through a measuring machine, and then the grayscale image pixels corresponding to each sub-mark pattern are converted into a contrast curve according to the grayscale to obtain multiple waveform signals; the center value of each waveform signal is obtained by obtaining the peak and valley positions in each waveform signal; the standard deviation of the center value of the waveform signal corresponding to each sub-mark pattern is calculated, and the calculated standard deviation is used as the above-mentioned second inspection parameter.
- the marking pattern is not damaged, the multiple sub-marking patterns divided by the marking pattern are the same, so the center values of the obtained waveform signals are the same or very close, and the standard deviation of the center values of the waveform signals corresponding to the sub-marking patterns calculated thereby is zero or very close to zero; if the marking pattern is damaged, then among the multiple sub-marking patterns divided by the marking pattern, there will be at least one sub-marking pattern that is different from the other sub-marking patterns, so the center values of the obtained waveform signals will have certain differences, and the standard deviation of the center values of the waveform signals corresponding to the sub-marking patterns calculated thereby will be greater than zero.
- the third inspection parameter corresponding to each marking pattern may be determined in the following manner:
- the difference between the center value of the first waveform signal and the center value of the second waveform signal corresponding to each marking pattern can be determined respectively, and the difference can be used as the third inspection parameter corresponding to each marking pattern.
- a grayscale image corresponding to each marking pattern in the same marking pattern can be obtained through a measuring machine, and then the grayscale image pixels corresponding to each marking pattern are converted into a contrast curve according to the grayscale to obtain a first waveform signal corresponding to each marking pattern; the first waveform signal corresponding to each marking pattern is differentiated to obtain a second waveform signal corresponding to each marking pattern, and the center value of the first waveform signal and the center value of the second waveform signal are obtained by obtaining the peak and valley positions in the first waveform signal and the second waveform signal; the difference between the center value of the first waveform signal corresponding to each marking pattern and the center value of the second waveform signal is determined, and the difference is used as the third inspection parameter corresponding to each marking pattern.
- the third inspection parameter is zero; if the marking pattern is damaged, there will be a deviation between the center value of the first waveform signal and the center value of the second waveform signal, and the third inspection parameter is not zero.
- the damage parameter S corresponding to any marking pattern may be determined in the following manner:
- L represents the first inspection parameter corresponding to the marking pattern
- a represents the second inspection parameter corresponding to the marking pattern
- b represents the third inspection parameter corresponding to the marking pattern
- the second inspection parameter can reflect the signal-to-noise ratio of the marking pattern, it is squared to increase its weight; the size of the third inspection parameter reflects the quality of the measurement symmetry/periodicity, and can also be squared to increase its weight.
- the above method further includes:
- a number of non-damaged marking pattern samples can be pre-selected, and the first inspection parameter, second inspection parameter and third inspection parameter corresponding to each marking pattern sample can be calculated respectively according to the method described in the above embodiment. Then, the above-mentioned damage parameter threshold is determined based on the first inspection parameter, second inspection parameter and third inspection parameter corresponding to each marking pattern sample.
- the triple standard deviation method may be used to determine the damage parameter threshold Spec in the following manner:
- L represents the first inspection parameter corresponding to the marking pattern sample
- a represents the second inspection parameter corresponding to the marking pattern sample
- b represents the third inspection parameter corresponding to the marking pattern sample.
- the overlay mark inspection method provided in the embodiment of the present disclosure can determine whether the overlay mark on the previous layer is usable by checking whether the overlay mark on the previous layer is damaged before measuring the overlay error between the current layer and the previous layer, thereby effectively avoiding the reduction in the measurement accuracy of the overlay error due to damage to the overlay mark and improving the yield of the product.
- an overlay mark inspection device is also provided in the embodiments of the present disclosure.
- the overlay mark includes a plurality of marking patterns, which are distributed at different positions of the same pattern layer, and each of the marking patterns includes a plurality of linear marking graphics arranged in parallel and equidistantly.
- FIG. 6 is a schematic diagram of a program module of an overlay mark inspection device provided in an embodiment of the present disclosure, the overlay mark inspection device comprising:
- the first inspection module 601 is used to select the first comparison area and the second comparison area symmetrical along the first direction in each of the marking patterns, and determine the first inspection parameter corresponding to each of the marking patterns according to the first marking figure in the first comparison area and the second marking figure in the second comparison area in each of the marking patterns; wherein the first direction is perpendicular to the extension direction of the marking figure.
- the second inspection module 602 is used to divide each of the marking patterns into a plurality of sub-marking patterns along the first direction, and determine a second inspection parameter corresponding to each of the marking patterns according to the plurality of sub-marking patterns corresponding to each of the marking patterns.
- the third inspection module 603 is used to determine the third inspection parameters corresponding to each of the marking patterns according to the grayscale images corresponding to each of the marking patterns.
- the judgment module 604 is used to determine the damage parameters corresponding to each of the marking patterns according to the first inspection parameter, the second inspection parameter and the third inspection parameter, and determine whether each of the marking patterns is damaged according to the damage parameters and a predetermined damage parameter threshold.
- the overlay mark inspection device provided in the embodiment of the present disclosure can determine whether the overlay mark on the previous layer is usable by checking whether the overlay mark on the previous layer is damaged before measuring the overlay error between the current layer and the previous layer, thereby effectively avoiding the reduction in the measurement accuracy of the overlay error due to damage to the overlay mark and improving the yield of the product.
- the overlay mark includes a plurality of first mark patterns and a plurality of second mark patterns;
- the first mark pattern includes a plurality of straight-line mark patterns extending along the X-axis direction and arranged in parallel and equidistantly, and the second mark pattern includes a plurality of straight-line mark patterns extending along the Y-axis direction and arranged in parallel and equidistantly;
- the first inspection module 601 is used to:
- a first comparison area and a second comparison area symmetrical along the Y-axis direction are selected from each of the first marking patterns, and a first comparison area and a second comparison area symmetrical along the X-axis direction are selected from each of the second marking patterns.
- the first checking module 601 is specifically used to:
- a first inspection parameter corresponding to each of the marking patterns is determined according to the first waveform signal and the second waveform signal.
- the first checking module 601 is specifically used to:
- a relative displacement between the first waveform signal and the second waveform signal is determined, and the relative displacement is used as the first inspection parameter.
- the second checking module 602 is specifically used to:
- the second inspection parameter corresponding to each of the marking patterns is determined according to the waveform signal corresponding to each of the sub-marking patterns.
- the second checking module 602 is specifically used to:
- the second inspection parameter corresponding to the mark pattern is determined according to the standard deviation of the central value of the waveform signal corresponding to each of the sub-mark patterns.
- the third checking module 603 is specifically used to:
- a third inspection parameter corresponding to each of the marking patterns is determined according to the first waveform signal and the second waveform signal corresponding to each of the marking patterns.
- the third checking module 603 is specifically used to:
- the difference between the center value of the first waveform signal and the center value of the second waveform signal corresponding to each of the marking patterns is determined respectively, and the difference is used as the third inspection parameter corresponding to each of the marking patterns.
- the determination module 604 is specifically used to:
- the damage parameter S corresponding to any of the marking patterns is determined in the following manner:
- L represents the first inspection parameter corresponding to the marking pattern
- a represents the second inspection parameter corresponding to the marking pattern
- b represents the third inspection parameter corresponding to the marking pattern.
- the device further comprises a pre-processing module for:
- the damage parameter threshold is determined according to the first inspection parameter, the second inspection parameter, and the third inspection parameter corresponding to each of the marking pattern samples.
- the determination module 604 is specifically used to:
- a marking pattern whose damage parameter is greater than the damage parameter threshold is determined as a marking pattern with damage.
- an electronic device which includes at least one processor and a memory; wherein the memory stores computer-executable instructions; the at least one processor executes the computer-executable instructions stored in the memory to implement the various steps in the overlay mark inspection method described in the above embodiments, which will not be repeated in this embodiment.
- FIG. 7 is a schematic diagram of the hardware structure of an electronic device provided by the embodiments of the present disclosure.
- the electronic device 70 of this embodiment includes: a processor 701 and a memory 702; wherein:
- Memory 702 used to store computer-executable instructions
- the processor 701 is used to execute the computer-executable instructions stored in the memory to implement the various steps in the overlay mark inspection method described in the above embodiment, which will not be described in detail in this embodiment.
- the memory 702 may be independent or integrated with the processor 701 .
- the device further includes a bus 703 for connecting the memory 702 and the processor 701 .
- a computer-readable storage medium is also provided in the embodiments of the present disclosure, in which computer execution instructions are stored.
- the processor executes the computer execution instructions, the various steps in the overlay mark inspection method described in the above embodiments are implemented, and this embodiment will not be repeated here.
- the disclosed devices and methods can be implemented in other ways.
- the device embodiments described above are only schematic.
- the division of the modules is only a logical function division. There may be other division methods in actual implementation, such as multiple modules can be combined or integrated into another system, or some features can be ignored or not executed.
- Another point is that the mutual coupling or direct coupling or communication connection shown or discussed can be an indirect coupling or communication connection through some interfaces, devices or modules, which can be electrical, mechanical or other forms.
- modules described as separate components may or may not be physically separated, and the components shown as modules may or may not be physical units, that is, they may be located in one place or distributed on multiple network units. Some or all of the modules may be selected according to actual needs to achieve the purpose of the solution of this embodiment.
- each functional module in each embodiment of the present disclosure may be integrated into one processing unit, each module may exist physically separately, or two or more modules may be integrated into one unit.
- the above module integration unit may be implemented in the form of hardware or in the form of hardware plus software functional units.
Landscapes
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本公开提供一种套刻标记检查方法及设备，涉及半导体技术领域，包括：分别根据各个标记图案中第一对比区域内的第一标记图形与第二对比区域内的第二标记图形，确定各个标记图案对应的第一检查参数；分别将各个标记图案划分为多个子标记图案，并根据各个标记图案对应的多个子标记图案，确定各个标记图案对应的第二检查参数；根据各个标记图案对应的灰阶图像，分别确定各个标记图案对应的第三检查参数；根据所述第一检查参数、第二检查参数及第三检查参数，确定各个标记图案对应的损坏参数，并根据该损坏参数与预先确定的损坏参数阈值，确定各个标记图案是否存在损坏。本公开可以提前检查出套刻标记是否存在损坏，有助于提高套刻误差测量的准确度。
Description
本公开要求于2022年10月14日提交中国专利局、申请号为202211261773.6、申请名称为“套刻标记检查方法及设备”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本公开中。
本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种套刻标记检查方法及设备。
在半导体制造过程中，为提高半导体器件的集成度，通常需要经过多层制程工艺依次将图案转移到衬底上，在此过程中，需要借助套刻标记使上下两层图案之间的位置对准。换言之，通过套刻标记确定的套刻误差能够反映不同图案层之间对准偏差的情况。
然而，套刻标记在制程过程中很容易遭受损坏，由此难免会影响后续套刻误差测量的准确度，导致产品的良率降低。
发明内容
本公开提供一种套刻标记检查方法及设备，通过提前检查套刻标记的可用性，可以有效提高套刻误差测量的准确度。
第一方面，本公开实施例提供了一种套刻标记检查方法，所述套刻标记包括多个标记图案，所述多个标记图案分布于同一图案层的不同位置，各个所述标记图案均包括平行等距设置的多个直线型的标记图形；所述方法包括：
分别在各个所述标记图案中选取沿第一方向对称的第一对比区域和第二对比区域，并根据各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形与所述第二对比区域内的第二标记图形，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数；其中，所述第一方向与所述标记图形的延伸方向垂直；
分别将各个所述标记图案沿所述第一方向划分为多个子标记图案，并根据各个所述标记图案对应的所述多个子标记图案，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数；
根据各个所述标记图案对应的灰阶图像，分别确定各个所述标记图案对应的第三检查参数；
根据所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数，确定各个所述标记图案对应的损坏参数，并根据所述损坏参数与预先确定的损坏参数阈值，确定各个所述标记图案是否存在损坏。
在一些实施例中，所述套刻标记包括多个第一标记图案与多个第二标记图案；所述第一标记图案包括沿X轴方向延伸、平行等距设置的多个直线型的标记图形，所述第二标记图案包括沿Y轴方向延伸、平行等距设置的多个直线型的标记图形；
所述分别在各个所述标记图案中选取沿第一方向对称的第一对比区域和第二对比区域，包括：
在各个所述第一标记图案中选取沿Y轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域，在各个所述第二标记图案中选取沿X轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域。
在一些实施例中，所述根据各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形与所述第二对比区域内的第二标记图形，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数，包括：
获取各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形对应的第一灰阶图像，以及所述第二对比区域内的第二标记图形对应的第二灰阶图像；
提取所述第一灰阶图像对应的第一波形信号与所述第二灰阶图像对应的第二波形信号；
根据所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数。
在一些实施例中，所述根据所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数，包括：
确定所述第一波形信号与所述第二波形信号的相对位移，并将所述相对位移作为所述第一检查参数。
在一些实施例中，所述根据各个所述标记图案对应的所述多个子标记图案，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数，包括：
获取各个所述标记图案中各个所述子标记图案对应的灰阶图像；
提取各个所述子标记图案对应的灰阶图像的波形信号；
根据各个所述子标记图案对应的波形信号，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数。
在一些实施例中，所述根据各个所述子标记图案对应的波形信号，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数，包括：
确定各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值；
计算各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差；
根据各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差，确定所述标记图案对应的第二检查参数。
在一些实施例中，所述根据各个所述标记图案对应的灰阶图像，分别确定各个所述标记图案对应的第三检查参数，包括：
分别提取各个所述标记图案对应的灰阶图像的第一波形信号；
分别对各个所述标记图案对应的所述第一波形信号进行求导，得到各 个所述标记图案对应的第二波形信号；
根据各个所述标记图案对应的所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第三检查参数。
在一些实施例中，所述根据各个所述标记图案对应的所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第三检查参数，包括：
分别确定各个所述标记图案对应的所述第一波形信号的中心值与所述第二波形信号的中心值之间的差值，并将所述差值作为各个所述标记图案对应的第三检查参数。
在一些实施例中，所述根据所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数，确定各个所述标记图案对应的损坏参数，包括：
按照以下方式，确定任一所述标记图案对应的损坏参数S：
其中，L表示所述标记图案对应的所述第一检查参数，a表示所述标记图案对应的所述第二检查参数，b表示所述标记图案对应的所述第三检查参数。
在一些实施例中，所述方法还包括：
选取若干个标记图案样本，各个所述标记图案样本均不存在损坏；
分别计算各个所述标记图案样本对应的所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数；
根据各个所述标记图案样本对应的所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数，确定所述损坏参数阈值。
在一些实施例中，所述根据所述损坏参数与预先确定的损坏参数阈值，确定各个所述标记图案是否存在损坏，包括：
确定所述各个所述标记图案对应的损坏参数是否大于所述损坏参数阈值；
将损坏参数大于所述损坏参数阈值的标记图案确定为是存在损坏的标记图案。
第二方面，本公开实施例提供了一种套刻标记检查装置，所述套刻标记包括多个标记图案，所述多个标记图案分布于同一图案层的不同位置，各个所述标记图案均包括平行等距设置的多个直线型的标记图形；所述装置包括：
第一检查模块，用于分别在各个所述标记图案中选取沿第一方向对称的第一对比区域和第二对比区域，并根据各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形与所述第二对比区域内的第二标记图形，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数；其中，所述第一方向与所述标记图形的延伸方向垂直；
第二检查模块，用于分别将各个所述标记图案沿所述第一方向划分为 多个子标记图案，并根据各个所述标记图案对应的所述多个子标记图案，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数；
第三检查模块，用于根据各个所述标记图案对应的灰阶图像，分别确定各个所述标记图案对应的第三检查参数；
判断模块，用于根据所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数，确定各个所述标记图案对应的损坏参数，并根据所述损坏参数与预先确定的损坏参数阈值，确定各个所述标记图案是否存在损坏。
在一些实施例中，所述套刻标记包括多个第一标记图案与多个第二标记图案；所述第一标记图案包括沿X轴方向延伸、平行等距设置的多个直线型的标记图形，所述第二标记图案包括沿Y轴方向延伸、平行等距设置的多个直线型的标记图形；
所述第一检查模块用于：
在各个所述第一标记图案中选取沿Y轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域，在各个所述第二标记图案中选取沿X轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域。
在一些实施例中，所述第一检查模块具体用于：
获取各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形对应的第一灰阶图像，以及所述第二对比区域内的第二标记图形对应的第二灰阶图像；
提取所述第一灰阶图像对应的第一波形信号与所述第二灰阶图像对应的第二波形信号；
根据所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数。
在一些实施例中，所述第一检查模块具体用于：
确定所述第一波形信号与所述第二波形信号的相对位移，并将所述相对位移作为所述第一检查参数。
在一些实施例中，所述第二检查模块具体用于：
获取各个所述标记图案中各个所述子标记图案对应的灰阶图像；
提取各个所述子标记图案对应的灰阶图像的波形信号；
根据各个所述子标记图案对应的波形信号，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数。
在一些实施例中，所述第二检查模块具体用于：
确定各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值；
计算各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差；
根据各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差，确定所述标记图案对应的第二检查参数。
在一些实施例中，所述第三检查模块具体用于：
分别提取各个所述标记图案对应的灰阶图像的第一波形信号；
分别对各个所述标记图案对应的所述第一波形信号进行求导，得到各 个所述标记图案对应的第二波形信号；
根据各个所述标记图案对应的所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第三检查参数。
在一些实施例中，所述第三检查模块具体用于：
分别确定各个所述标记图案对应的所述第一波形信号的中心值与所述第二波形信号的中心值之间的差值，并将所述差值作为各个所述标记图案对应的第三检查参数。
在一些实施例中，所述判断模块具体用于：
按照以下方式，确定任一所述标记图案对应的损坏参数S：
其中，L表示所述标记图案对应的所述第一检查参数，a表示所述标记图案对应的所述第二检查参数，b表示所述标记图案对应的所述第三检查参数。
在一些实施例中，所述装置还包括预处理模块，用于：
选取若干个标记图案样本，各个所述标记图案样本均不存在损坏；
分别计算各个所述标记图案样本对应的所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数；
根据各个所述标记图案样本对应的所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数，确定所述损坏参数阈值。
在一些实施例中，所述判断模块具体用于：
确定所述各个所述标记图案对应的损坏参数是否大于所述损坏参数阈值；
将损坏参数大于所述损坏参数阈值的标记图案确定为是存在损坏的标记图案。
第三方面，本公开实施例提供了一种电子设备，包括：至少一个处理器和存储器；
所述存储器存储计算机执行指令；
所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令时，实现如第一方面提供的套刻标记检查方法。
第四方面，本公开实施例提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当计算机执行所述计算机执行指令时，实现如第一方面提供的套刻标记检查方法。
本公开实施例所提供的套刻标记检查方法及设备，在测量当前层与前层之间的套刻误差之前，通过检查前层上的套刻标记是否存在损坏，可以判断出前层上的套刻标记是否可用，从而能够有效避免因套刻标记损坏而导致套刻误差的量测准确度降低，提升产品的良率。
图1为本公开实施例提供的一种套刻标记示意图；
图2为本公开实施例提供的一种套刻标记检查方法的步骤流程示意图；
图3为本公开实施例提供的另一种套刻标记示意图；
图4为图3所示标记图案30中选取的第一对比区域和第二对比区域的示意图；
图5为图3所示标记图案30中划分的多个子标记图案的示意图；
图6为本公开实施例提供的一种套刻标记检查装置的程序模块示意图；
图7为本公开实施例提供的一种电子设备的硬件结构示意图。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。此外，虽然本公开中公开内容按照示范性一个或几个实例来介绍，但应理解，可以就这些公开内容的各个方面也可以单独构成一个完整实施方式。
需要说明的是，本公开中对于术语的简要说明，仅是为了方便理解接下来描述的实施方式，而不是意图限定本公开的实施方式。除非另有说明，这些术语应当按照其普通和通常的含义理解。
本公开中说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似或同类的对象或实体，而不必然意味着限定特定的顺序或先后次序，除非另外注明。应该理解这样使用的用语在适当情况下可以互换，例如能够根据本公开实施例图示或描述中给出那些以外的顺序实施。
此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖但不排他的包含，例如，包含了一系列组件的产品或设备不必限于清楚地列出的那些组件，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它组件。
本公开中使用的术语“模块”，是指任何已知或后来开发的硬件、软件、固件、人工智能、模糊逻辑或硬件或/和软件代码的组合，能够执行与该元件相关的功能。
光刻工艺是半导体集成电路制造中的关键步骤，光刻的套刻精度是衡量光刻工艺的关键参数之一，能够体现出晶圆的上下两个图案层之间的偏移量，也即套刻误差。通常通过测量上下两个图案层上的套刻标记之间的偏移量来测量套刻误差。
其中，晶圆上专门用来测量套刻误差的图案被称为套刻标记，这些套刻标记在设计掩膜时已经被放在了指定的区域，通常是在切割道上(一片晶圆最后需要切割成上千片芯片，切割道就是预留出来用于芯片切割的，通常只有数十微米)。通常每一图案层都会指定去对准前面某一图案层。
参照图1，图1为本公开实施例提供的一种套刻标记示意图。在一些实施方式中，前层(被对准层)套刻标记100是经由光刻和刻蚀工艺后形成于晶圆上的，当前层(对准层)套刻标记200是经由光刻后形成于晶圆上的，套刻精度分为X方向的套刻精度ΔX和Y方向的套刻精度ΔY。
在实际生产过程中，除了测量套刻精度以外，还会有一套光刻机套刻精度补正系统，该系统的工作原理是：在测量完套刻误差之后，将所测量的套刻误差反馈到光刻机，对光刻机的套刻参数进行补偿，补偿后的套刻参数再用于当前批次晶圆或下一批次的晶圆，从而使当前批次晶圆或下一批次的晶圆能获得更好的套刻精度。
为提高器件的集成度，通常需要经过多层光刻、刻蚀工艺依次将各图案转移到衬底上，此过程中可以借助套刻标记使上下两层图案之间的位置对准。换言之，通过套刻标记获取的套刻误差能够反映不同层之间对准偏差的情况。
目前，测量套刻误差的方式通常包括基于图像识别的套刻误差量测(Image-based Overlay，IBO)与基于衍射的套刻误差量测(Diffraction-based Overlay，DBO)。
其中，基于图像识别的套刻误差量测是指在集成电路制造工艺中，利用光学显微镜通过图像识别技术比较不同工艺层上的套刻标记的位置偏差，从而确定工艺层之间相对位移的方法。具体的，在利用掩模版完成一道光刻层的图形转移后，通过下一张掩模版上的对准标记使得前后两道版图图案能按照设计实现对准，光刻机会按照预先设定好的模型计算出曝光位置，而后再通过套刻标记获得这两层的套刻信息。其中，前后两道光刻层上的套刻标记在理想模型下应当是完全重合的，但实际上它们存在位置偏差；通过图像识别技术比较两个套刻标记的中心点或边缘分别在X、Y方向的位移，再将多组套刻标记的比较结果进行平均，即可获得套刻误差大小。
基于衍射的套刻误差量测是指在集成电路制造工艺中，通过光学衍射技术比较不同工艺层上的套刻标记的位置偏差，从而确定工艺层之间相对位移的一种方法。具体的，DBO使用的套刻标记为周期性结构，套刻标记分别位于硅片的参考层和当前的光刻胶层上。如果这两层标记完全对准，那么在照明光下的+1和-1阶衍射光强应当是完全相等的；如果套刻误差不为零，那么+1和-1阶光强会存在差别。通过计算，可以定量得到套刻误差和+/-1阶光强差之间的关系。由于反射谱的强度是照明光波长λ和光栅位置X的函数，因此当套刻误差存在时，一阶衍射光的光强差和套刻误差值成良好的线性关系，量测设备通过获取光强差，便可以求得不同工艺层之间的套刻状况。
然而，套刻标记在光刻过程中很容易遭受损坏，原因之一在于：套刻标记相对于阵列区是属于低密度图案区，基于刻蚀负载效应，图形密集区域的反应离子的有效成分消耗的快，刻蚀速率下降；反之，图形稀疏区域刻蚀速率较高，从而产生过刻蚀以及刻蚀程度不同的问题。
可以理解的是，在套刻标记存在一定的损坏之后，则难免会影响后续套刻误差的测量准确度，导致产品的良率降低。例如，在前层(被对准层)上制作好套刻标记之后，通常还会在该层堆叠部分材料层，这个过程中很容易损坏该层上的套刻标记，如果直接利用前层上的套刻标记与当前层上的套刻标记计算套刻误差，则会导致套刻误差的测量准确度降低。
面对上述技术问题，本公开实施例中提供了一种套刻标记检查方法，该方法在测量当前层与前层之间的套刻误差之前，通过检查前层上的套刻标记是否存在损坏，可以提前判断出前层上的套刻标记是否可用，从而能够有效避免因套刻标记损坏而导致套刻误差的测量准确度降低，提升产品的良率。下面采用详细的实施例进行详细说明。
参照图2，图2为本公开实施例提供的一种套刻标记检查方法的步骤流程示意图。在一种可行的实施方式中，上述套刻标记检查方法包括：
S201、分别在各个标记图案中选取沿第一方向对称的第一对比区域和第二对比区域，并根据各个标记图案中第一对比区域内的第一标记图形与第二对比区域内的第二标记图形，确定各个标记图案对应的第一检查参数。
其中，上述第一方向与上述标记图形的延伸方向垂直。例如，假设上述套刻标记包括多个第一标记图案与多个第二标记图案；上述第一标记图案包括沿X轴方向延伸、平行等距设置的多个直线型的标记图形，上述第二标记图案包括沿Y轴方向延伸、平行等距设置的多个直线型的标记图形。则在各个标记图案中选取沿第一方向对称的第一对比区域和第二对比区域时，可以在各个第一标记图案中选取沿Y轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域，在各个第二标记图案中选取沿X轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域。
为了更好的理解本公开实施例，参照图3，图3为本公开实施例提供的另一种套刻标记示意图。
在图3中，上述套刻标记包括多个标记图案30，各个标记图案30分布于同一图案层的不同位置，且各个标记图案30均包括平行等距设置的多个直线型的标记图形301。
其中，上述图案层可以是前层(被对准层)，也可以为当前层(对准层)。
参照图4，图4为图3所示标记图案30中选取的第一对比区域和第二对比区域的示意图。
在一种可行的实施方式中，如图4所示，可以分别在各个标记图案30中选取对称的第一对比区域310和第二对比区域320。
在一些实施方式中，可以根据各个标记图案30中第一对比区域310内的第一标记图形与第二对比区域320内的第二标记图形，确定各个标记图案对应的第一检查参数。
其中，上述第一检查参数可以用于反映同一标记图案30中第一对比区域310内的第一标记图形与第二对比区域320内的第二标记图形之间的对称性。
可以理解的是，若标记图案30未受到损坏，则第一对比区域310内的第一标记图形与第二对比区域320内的第二标记图形会完全对称；若标记图案30存在损坏，则第一对比区域310内的第一标记图形和/或第二对比区域320内的第二标记图形由于存在损坏变形，则会导致第一对比区域310内的第一标记图形与第二对比区域320内的第二标记图形之间不完全对称。故在一些实施方式中，上述第一检查参数可以作为判断标记图案是否存在损坏的依据之一。
S202、分别将各个标记图案沿第一方向划分为多个子标记图案，并根据各个标记图案对应的多个子标记图案，确定各个标记图案对应的第二检查参数。
其中，上述第一方向与标记图案中标记图形的延伸方向垂直。
参照图5，图5为图3所示标记图案30中划分的多个子标记图案的示意图。
示例性的，在一种可行的实施方式中，如图5所示，可以分别将各个标记图案30划分为10个子标记图案330，根据标记图案30对应的这10个子标记图案，确定该标记图案30对应的第二检查参数。
可以理解的是，对于图5所示的标记图案30而言，其可能受到损坏的位置是不固定的，即标记图案30中的每个直线型的标记图形，以及每个标记图形的任意位置都有可能会出现损坏。
若标记图案30未受到损坏，则标记图案30划分的10个子标记图案330均相同；若标记图案30存在损坏，则标记图案30划分的10个子标记图案330中，会至少存在一个子标记图案330与其它的子标记图案330不相同。故在一些实施方式中，可以将根据标记图案对应的多个子标记图案确定的第二检查参数，作为判断标记图案是否存在损坏的依据之一。
S203、根据各个标记图案对应的灰阶图像，分别确定各个标记图案对应的第三检查参数。
在一些实施方式中，还可以获取各个标记图案对应的灰阶图像，然后根据各个标记图案对应的灰阶图像，分别确定各个标记图案对应的第三检查参数，并将第三检查参数作为判断标记图案是否存在损坏的依据之一。
需要说明的是，上述步骤S201、S202、S203并不存在特定的执行顺序或先后次序，即在一些实施方式中，可以先执行S203，也可以先执行S202，还可以同时执行S201、S202及S203，本公开实施例中对此不做限制。
S204、根据所述第一检查参数、第二检查参数及第三检查参数，确定各个标记图案对应的损坏参数，并根据该损坏参数与预先确定的损坏参数阈值，确定各个标记图案是否存在损坏。
在一些实施方式中，可以基于上述第一检查参数、第二检查参数及第三检查参数，确定出各个标记图案对应的损坏参数，然后判断各个标记图案对应的损坏参数是否大于预先确定的损坏参数阈值；如果某个标记图案 对应的损坏参数大于预先确定的损坏参数阈值，则可以确定该标记图案存在损坏；如果某个标记图案对应的损坏参数小于或等于预先确定的损坏参数阈值，则可以确定该标记图案不存在损坏。
需要说明的是，在本公开另一些实施方式中，也可以基于上述第一检查参数、第二检查参数及第三检查参数中的其中任意一个或两个参数，来判断各个标记图案是否存在损坏，本公开实施例中对此不做限制。例如，可以仅仅判断某个标记图案对应的上述第一检查参数是否大于预先确定的第一检查参数阈值，如果上述第一检查参数大于预先确定的第一检查参数阈值，则可以确定该标记图案存在损坏；或者，仅仅判断某个标记图案对应的上述第二检查参数是否大于预先确定的第二检查参数阈值，如果上述第二检查参数大于预先确定的第二检查参数阈值，则可以确定该标记图案存在损坏；……，依次类推，本公开实施例中不再赘述。
本公开所提供的套刻标记检查方法，在测量当前层与前层之间的套刻误差之前，通过检查前层上的套刻标记是否存在损坏，可以提前判断出前层上的套刻标记是否可用，从而能够有效避免因套刻标记损坏而导致套刻误差的量测准确度降低，提升产品的良率。
基于上述实施例中所描述的内容，在一些实施例中，可以按照以下方式确定各个标记图案对应的第一检查参数：
S1.1、获取各个标记图案中第一对比区域内的第一标记图形对应的第一灰阶图像，以及第二对比区域内的第二标记图形对应的第二灰阶图像。
S1.2、提取第一灰阶图像对应的第一波形信号与第二灰阶图像对应的第二波形信号。
S1.3、根据第一波形信号与第二波形信号，确定各个标记图案对应的第一检查参数。
在一种可行的实施方式中，上述步骤S1.3中，可以确定上述第一波形信号与第二波形信号的相对位移，并将该相对位移作为上述第一检查参数。
可选的，可以基于IBO测量方法，通过量测机台获取各个标记图案中第一对比区域内的第一标记图形对应的第一灰阶图像，以及第二对比区域内的第二标记图形对应的第二灰阶图像，然后将上述第一灰阶图像像素与第二灰阶图像像素根据灰阶转化为对比度曲线，得到第一波形信号与第二波形信号；通过获取第一波形信号与第二波形信号中的峰谷位置，并由峰谷位置得到第一波形信号与第二波形信号的中心值；最后计算第一波形信号与第二波形信号的中心值的偏差，得到第一波形信号与第二波形信号的相对位移矢量，该相对位移矢量即可作为上述第一检查参数。
可以理解的是，若标记图案未受到损坏，则第一对比区域内的第一标记图形与第二对比区域内的第二标记图形会完全对称，上述第一波形信号与第二波形信号也会完全对称，因此所计算出的上述第一检查参数为零；若标记图案存在损坏，则第一对比区域内的第一标记图形和/或第二对比区域内的第二标记图形由于存在损坏变形，则会导致第一对比区域内的第一 标记图形与第二对比区域内的第二标记图形之间不完全对称，导致上述第一波形信号与第二波形信号的相对位移矢量不为零。
其中，上述第一检查参数的绝对值越大，表示标记图案受到的损坏越大。
基于上述实施例中所描述的内容，在一些实施例中，可以按照以下方式确定各个标记图案对应的第二检查参数：
S2.1、获取各个标记图案中各个子标记图案对应的灰阶图像。
S2.2、提取各个子标记图案对应的灰阶图像的波形信号。
S2.3、根据各个子标记图案对应的波形信号，确定各个标记图案对应的第二检查参数。
在一种可行的实施方式中，上述步骤S2.3中，可以确定各个子标记图案对应的波形信号的中心值；计算各个子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差；根据各个子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差，确定标记图案对应的第二检查参数。
可选的，可以基于IBO测量方法，通过量测机台获取同一标记图案中各个子标记图案对应的灰阶图像，然后将各个子标记图案对应的灰阶图像像素根据灰阶转化为对比度曲线，得到多个波形信号；通过获取各个波形信号中的峰谷位置，得到各个波形信号的中心值；计算各个子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差，将计算出的标准差作为上述第二检查参数。
可以理解的是，若标记图案未受到损坏，则标记图案划分的多个子标记图案均相同，因此得到各个波形信号的中心值相同或非常接近，由此计算出的各个子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差为零或者非常接近于零；若标记图案存在损坏，则标记图案划分的多个子标记图案中，会至少存在一个子标记图案与其它的子标记图案不相同，因此得到各个波形信号的中心值会存在一定的差异，由此计算出的各个子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差会大于零。
其中，上述各个子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差越大，表示标记图案受到的损坏越大。
基于上述实施例中所描述的内容，在一些实施例中，可以按照以下方式确定各个标记图案对应的第三检查参数：
S3.1、分别提取各个标记图案对应的灰阶图像的第一波形信号。
S3.2、分别对各个标记图案对应的第一波形信号进行求导，得到各个标记图案对应的第二波形信号。
S3.3、根据各个标记图案对应的第一波形信号与第二波形信号，确定各个标记图案对应的第三检查参数。
在一种可行的实施方式中，上述步骤S3.3中，可以分别确定各个标记图案对应的第一波形信号的中心值与第二波形信号的中心值之间的差值，并将该差值作为各个标记图案对应的第三检查参数。
可选的，可以基于IBO测量方法，通过量测机台获取同一标记图案中各个标记图案对应的灰阶图像，然后将各个标记图案对应的灰阶图像像素根据灰阶转化为对比度曲线，得到各个标记图案对应的第一波形信号；分别对各个标记图案对应的第一波形信号进行求导，得到各个标记图案对应的第二波形信号，通过获取第一波形信号与第二波形信号中的峰谷位置，得到第一波形信号的中心值与第二波形信号的中心值；确定各个标记图案对应的第一波形信号的中心值与第二波形信号的中心值之间的差值，并将该差值作为各个标记图案对应的第三检查参数。
可以理解的是，若标记图案未受到损坏，则上述第一波形信号的中心值与第二波形信号的中心值应该重合，上述第三检查参数为零；若标记图案存在损坏，则上述第一波形信号的中心值与第二波形信号的中心值会存在偏差，上述第三检查参数不为零。
其中，上述第三检查参数的绝对值越大，表示标记图案受到的损坏越大。
基于上述实施例中所描述的内容，在一些实施例中，可以按照以下方式确定任一标记图案对应的损坏参数S：
其中，L表示标记图案对应的第一检查参数，a表示标记图案对应的第二检查参数，b表示标记图案对应的第三检查参数。
其中，由于上述第二检查参数可以反应标记图形的信噪比，故取平方来增加其权重；上述第三检查参数的大小反应了量测对称性/周期性的好坏，同样可以取平方以增加其权重。
基于上述实施例中所描述的内容，在一些实施例中，上述方法还包括：
S4.1、选取若干个标记图案样本，各个标记图案样本均不存在损坏。
S4.2、分别计算各个标记图案样本对应的第一检查参数、第二检查参数及第三检查参数。
S4.3、根据各个标记图案样本对应的第一检查参数、第二检查参数及第三检查参数，确定上述损坏参数阈值。
在一些实施方式中，可以预先选取若干个不存在损坏的标记图案样本，按照上述实施例中描述的方式，分别计算出各个标记图案样本对应的第一检查参数、第二检查参数及第三检查参数，之后根据各个标记图案样本对应的第一检查参数、第二检查参数及第三检查参数，确定出上述损坏参数阈值。
示例性的，可以采用三倍标准差法，利用以下方式确定上述损坏参数阈值Spec：
其中，L表示标记图案样本对应的第一检查参数，a表示标记图案样本对应的第二检查参数，b表示标记图案样本对应的第三检查参数，
表示标记图案样本对应的损坏参数样本；
表示n个标记图案样本对应的损坏参数样本的平均值，σ表示n个标记图案样本对应的损坏参数样本的标准差。
本公开实施例所提供的套刻标记检查方法，在测量当前层与前层之间的套刻误差之前，通过检查前层上的套刻标记是否存在损坏，可以判断出前层上的套刻标记是否可用，从而能够有效避免因套刻标记损坏而导致套刻误差的量测准确度降低，提升产品的良率。
基于上述实施例中所描述的内容，本公开实施例中还提供一种套刻标记检查装置。所述套刻标记包括多个标记图案，所述多个标记图案分布于同一图案层的不同位置，各个所述标记图案均包括平行等距设置的多个直线型的标记图形。
参照图6，图6为本公开实施例中提供的一种套刻标记检查装置的程序模块示意图，该套刻标记检查装置包括：
第一检查模块601，用于分别在各个所述标记图案中选取沿第一方向对称的第一对比区域和第二对比区域，并根据各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形与所述第二对比区域内的第二标记图形，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数；其中，所述第一方向与所述标记图形的延伸方向垂直。
第二检查模块602，用于分别将各个所述标记图案沿所述第一方向划分为多个子标记图案，并根据各个所述标记图案对应的所述多个子标记图案，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数。
第三检查模块603，用于根据各个所述标记图案对应的灰阶图像，分别确定各个所述标记图案对应的第三检查参数。
判断模块604，用于根据所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数，确定各个所述标记图案对应的损坏参数，并根据所述损坏参数与预先确定的损坏参数阈值，确定各个所述标记图案是否存在损坏。
本公开实施例所提供的套刻标记检查装置，在测量当前层与前层之间的套刻误差之前，通过检查前层上的套刻标记是否存在损坏，可以判断出前层上的套刻标记是否可用，从而能够有效避免因套刻标记损坏而导致套刻误差的量测准确度降低，提升产品的良率。
在一些实施例中，所述套刻标记包括多个第一标记图案与多个第二标记图案；所述第一标记图案包括沿X轴方向延伸、平行等距设置的多个直 线型的标记图形，所述第二标记图案包括沿Y轴方向延伸、平行等距设置的多个直线型的标记图形；第一检查模块601用于：
在各个所述第一标记图案中选取沿Y轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域，在各个所述第二标记图案中选取沿X轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域。
在一些实施例中，第一检查模块601具体用于：
获取各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形对应的第一灰阶图像，以及所述第二对比区域内的第二标记图形对应的第二灰阶图像；
提取所述第一灰阶图像对应的第一波形信号与所述第二灰阶图像对应的第二波形信号；
根据所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数。
在一些实施例中，第一检查模块601具体用于：
确定所述第一波形信号与所述第二波形信号的相对位移，并将所述相对位移作为所述第一检查参数。
在一些实施例中，第二检查模块602具体用于：
获取各个所述标记图案中各个所述子标记图案对应的灰阶图像；
提取各个所述子标记图案对应的灰阶图像的波形信号；
根据各个所述子标记图案对应的波形信号，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数。
在一些实施例中，第二检查模块602具体用于：
确定各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值；
计算各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差；
根据各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差，确定所述标记图案对应的第二检查参数。
在一些实施例中，第三检查模块603具体用于：
分别提取各个所述标记图案对应的灰阶图像的第一波形信号；
分别对各个所述标记图案对应的所述第一波形信号进行求导，得到各个所述标记图案对应的第二波形信号；
根据各个所述标记图案对应的所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第三检查参数。
在一些实施例中，第三检查模块603具体用于：
分别确定各个所述标记图案对应的所述第一波形信号的中心值与所述第二波形信号的中心值之间的差值，并将所述差值作为各个所述标记图案对应的第三检查参数。
在一些实施例中，判断模块604具体用于：
按照以下方式，确定任一所述标记图案对应的损坏参数S：
其中，L表示所述标记图案对应的所述第一检查参数，a表示所述标记图案对应的所述第二检查参数，b表示所述标记图案对应的所述第三检查参数。
在一些实施例中，所述装置还包括预处理模块，用于：
选取若干个标记图案样本，各个所述标记图案样本均不存在损坏；
分别计算各个所述标记图案样本对应的所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数；
根据各个所述标记图案样本对应的所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数，确定所述损坏参数阈值。
在一些实施例中，判断模块604具体用于：
确定所述各个所述标记图案对应的损坏参数是否大于所述损坏参数阈值；
将损坏参数大于所述损坏参数阈值的标记图案确定为是存在损坏的标记图案。
需要说明的是，本公开实施例中的第一检查模块601、第二检查模块602、第三检查模块603及判断模块604具体执行的内容可以参阅图1至图5所示实施例中相关内容，此处不做赘述。
进一步的，基于上述实施例中所描述的内容，本公开实施例中还提供了一种电子设备，该电子设备包括至少一个处理器和存储器；其中，存储器存储计算机执行指令；上述至少一个处理器执行存储器存储的计算机执行指令，以实现如上述实施例中描述的套刻标记检查方法中的各个步骤，本实施例此处不再赘述。
为了更好的理解本公开实施例，参照图7，图7为本公开实施例提供的一种电子设备的硬件结构示意图。
如图7所示，本实施例的电子设备70包括：处理器701以及存储器702；其中：
存储器702，用于存储计算机执行指令；
处理器701，用于执行存储器存储的计算机执行指令，以实现上述实施例中描述的套刻标记检查方法中的各个步骤，本实施例此处不再赘述。
可选地，存储器702既可以是独立的，也可以跟处理器701集成在一起。
当存储器702独立设置时，该设备还包括总线703，用于连接所述存储器702和处理器701。
进一步的，基于上述实施例中所描述的内容，本公开实施例中还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当处理器执行所述计算机执行指令时，以实现如上述实施例中描述的套刻标记检查方法中的各个步骤，本实施例此处不再赘述。
在本公开所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个模块可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
另外，在本公开各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个单元中。上述模块集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。
Claims (24)
- 一种套刻标记检查方法，所述套刻标记包括多个标记图案，所述多个标记图案分布于同一图案层的不同位置，各个所述标记图案均包括平行等距设置的多个直线型的标记图形；所述方法包括：分别在各个所述标记图案中选取沿第一方向对称的第一对比区域和第二对比区域，并根据各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形与所述第二对比区域内的第二标记图形，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数；其中，所述第一方向与所述标记图形的延伸方向垂直；分别将各个所述标记图案沿所述第一方向划分为多个子标记图案，并根据各个所述标记图案对应的所述多个子标记图案，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数；根据各个所述标记图案对应的灰阶图像，分别确定各个所述标记图案对应的第三检查参数；根据所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数，确定各个所述标记图案对应的损坏参数，并根据所述损坏参数与预先确定的损坏参数阈值，确定各个所述标记图案是否存在损坏。
- 根据权利要求1所述的方法，其中，所述套刻标记包括多个第一标记图案与多个第二标记图案；所述第一标记图案包括沿X轴方向延伸、平行等距设置的多个直线型的标记图形，所述第二标记图案包括沿Y轴方向延伸、平行等距设置的多个直线型的标记图形；所述分别在各个所述标记图案中选取沿第一方向对称的第一对比区域和第二对比区域，包括：在各个所述第一标记图案中选取沿Y轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域，在各个所述第二标记图案中选取沿X轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域。
- 根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述根据各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形与所述第二对比区域内的第二标记图形，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数，包括：获取各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形对应的第一灰阶图像，以及所述第二对比区域内的第二标记图形对应的第二灰阶图像；提取所述第一灰阶图像对应的第一波形信号与所述第二灰阶图像对应的第二波形信号；根据所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数。
- 根据权利要求3所述的方法，其中，所述根据所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数，包括：确定所述第一波形信号与所述第二波形信号的相对位移，并将所述相 对位移作为所述第一检查参数。
- 根据权利要求1所述的方法，其中，所述根据各个所述标记图案对应的所述多个子标记图案，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数，包括：获取各个所述标记图案中各个所述子标记图案对应的灰阶图像；提取各个所述子标记图案对应的灰阶图像的波形信号；根据各个所述子标记图案对应的波形信号，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数。
- 根据权利要求5所述的方法，其中，所述根据各个所述子标记图案对应的波形信号，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数，包括：确定各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值；计算各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差；根据各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差，确定所述标记图案对应的第二检查参数。
- 根据权利要求1所述的方法，其中，所述根据各个所述标记图案对应的灰阶图像，分别确定各个所述标记图案对应的第三检查参数，包括：分别提取各个所述标记图案对应的灰阶图像的第一波形信号；分别对各个所述标记图案对应的所述第一波形信号进行求导，得到各个所述标记图案对应的第二波形信号；根据各个所述标记图案对应的所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第三检查参数。
- 根据权利要求7所述的方法，其中，所述根据各个所述标记图案对应的所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第三检查参数，包括：分别确定各个所述标记图案对应的所述第一波形信号的中心值与所述第二波形信号的中心值之间的差值，并将所述差值作为各个所述标记图案对应的第三检查参数。
- 根据权利要求1所述的方法，其中，所述根据所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数，确定各个所述标记图案对应的损坏参数，包括：按照以下方式，确定任一所述标记图案对应的损坏参数S：
其中，L表示所述标记图案对应的所述第一检查参数，a表示所述标记图案对应的所述第二检查参数，b表示所述标记图案对应的所述第三检查参数。 - 根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：选取若干个标记图案样本，各个所述标记图案样本均不存在损坏；分别计算各个所述标记图案样本对应的所述第一检查参数、所述第二 检查参数及所述第三检查参数；根据各个所述标记图案样本对应的所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数，确定所述损坏参数阈值。
- 根据权利要求1或10所述的方法，其中，所述根据所述损坏参数与预先确定的损坏参数阈值，确定各个所述标记图案是否存在损坏，包括：确定所述各个所述标记图案对应的损坏参数是否大于所述损坏参数阈值；将损坏参数大于所述损坏参数阈值的标记图案确定为是存在损坏的标记图案。
- 一种套刻标记检查装置，所述套刻标记包括多个标记图案，所述多个标记图案分布于同一图案层的不同位置，各个所述标记图案均包括平行等距设置的多个直线型的标记图形；所述装置包括：第一检查模块，用于分别在各个所述标记图案中选取沿第一方向对称的第一对比区域和第二对比区域，并根据各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形与所述第二对比区域内的第二标记图形，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数；其中，所述第一方向与所述标记图形的延伸方向垂直；第二检查模块，用于分别将各个所述标记图案沿所述第一方向划分为多个子标记图案，并根据各个所述标记图案对应的所述多个子标记图案，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数；第三检查模块，用于根据各个所述标记图案对应的灰阶图像，分别确定各个所述标记图案对应的第三检查参数；判断模块，用于根据所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数，确定各个所述标记图案对应的损坏参数，并根据所述损坏参数与预先确定的损坏参数阈值，确定各个所述标记图案是否存在损坏。
- 根据权利要求12所述的装置，其中，所述套刻标记包括多个第一标记图案与多个第二标记图案；所述第一标记图案包括沿X轴方向延伸、平行等距设置的多个直线型的标记图形，所述第二标记图案包括沿Y轴方向延伸、平行等距设置的多个直线型的标记图形；所述第一检查模块用于：在各个所述第一标记图案中选取沿Y轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域，在各个所述第二标记图案中选取沿X轴方向对称的第一对比区域和第二对比区域。
- 根据权利要求12或13所述的装置，其中，所述第一检查模块具体用于：获取各个所述标记图案中所述第一对比区域内的第一标记图形对应的第一灰阶图像，以及所述第二对比区域内的第二标记图形对应的第二灰阶图像；提取所述第一灰阶图像对应的第一波形信号与所述第二灰阶图像对应 的第二波形信号；根据所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第一检查参数。
- 根据权利要求14所述的装置，其中，所述第一检查模块具体用于：确定所述第一波形信号与所述第二波形信号的相对位移，并将所述相对位移作为所述第一检查参数。
- 根据权利要求12所述的装置，其中，所述第二检查模块具体用于：获取各个所述标记图案中各个所述子标记图案对应的灰阶图像；提取各个所述子标记图案对应的灰阶图像的波形信号；根据各个所述子标记图案对应的波形信号，确定各个所述标记图案对应的第二检查参数。
- 根据权利要求16所述的装置，其中，所述第二检查模块具体用于：确定各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值；计算各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差；根据各个所述子标记图案对应的波形信号的中心值的标准差，确定所述标记图案对应的第二检查参数。
- 根据权利要求12所述的装置，其中，所述第三检查模块具体用于：分别提取各个所述标记图案对应的灰阶图像的第一波形信号；分别对各个所述标记图案对应的所述第一波形信号进行求导，得到各个所述标记图案对应的第二波形信号；根据各个所述标记图案对应的所述第一波形信号与所述第二波形信号，确定各个所述标记图案对应的第三检查参数。
- 根据权利要求18所述的装置，其中，所述第三检查模块具体用于：分别确定各个所述标记图案对应的所述第一波形信号的中心值与所述第二波形信号的中心值之间的差值，并将所述差值作为各个所述标记图案对应的第三检查参数。
- 根据权利要求12所述的装置，其中，所述判断模块具体用于：按照以下方式，确定任一所述标记图案对应的损坏参数S：
其中，L表示所述标记图案对应的所述第一检查参数，a表示所述标记图案对应的所述第二检查参数，b表示所述标记图案对应的所述第三检查参数。 - 根据权利要求12所述的装置，其中，所述装置还包括预处理模块，用于：选取若干个标记图案样本，各个所述标记图案样本均不存在损坏；分别计算各个所述标记图案样本对应的所述第一检查参数、所述第二检查参数及所述第三检查参数；根据各个所述标记图案样本对应的所述第一检查参数、所述第二检查 参数及所述第三检查参数，确定所述损坏参数阈值。
- 根据权利要求12或21所述的装置，其中，所述判断模块具体用于：确定所述各个所述标记图案对应的损坏参数是否大于所述损坏参数阈值；将损坏参数大于所述损坏参数阈值的标记图案确定为是存在损坏的标记图案。
- 一种电子设备，包括：至少一个处理器和存储器；所述存储器存储计算机执行指令；所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令时，实现如权利要求1至11任一项所述的套刻标记检查方法。
- 一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当计算机执行所述计算机执行指令时，实现如权利要求1至11任一项所述的套刻标记检查方法。
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